TWI678759B - 非接觸式襯底操作設備 - Google Patents

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Abstract

本發明實施例公開了一種非接觸式襯底操作設備，包括：抓取臂（222）和抓取盤裝置；在抓取盤裝置的底部設置有呈中心對稱佈置的複數個吸片單元（102，103）；吸片單元（102，103）設置有腔體以及與腔體相通的切向孔（102-1，103-1）；抓取臂內部設置有通氣管，抓取盤裝置內部設置有通氣腔道，通氣管通過通氣腔道與切向孔（102-1，103-1）連通，利用吸片單元生成的旋轉渦流產生的壓力差吸附襯底。本發明的設備可以消除晶片自旋、偏斜情況，提高設備精確性；能夠有效避免對晶片表面造成的污染、壓傷等問題，提高產品的品質；可以進行高溫取放片，提高設備產能。

Description

非接觸式襯底操作設備
本發明涉及半導體集成製造技術領域，尤其涉及一種非接觸式襯底操作設備。
在半導體積體電路製造領域中，為了生成外延塗覆的半導體晶圓，通常採用對外延反應器中的半導體晶圓進行外延塗層，沉積氣體穿過外延反應器，能在半導體晶圓的表面上沉積外延材料。在外延反應器中，晶片襯底傳送屬於非常重要的內容。晶片一般是圓形的，具有正面和背面，晶片正面是形成實現積體電路結構的晶片面；另外，晶片的邊緣處幾毫米區域也不用於實現積體電路製造。所以，在晶片傳送過程中，保護晶片正面不受損壞是非常重要的。
目前，在現有的外延反應器中具有多種用於傳送襯底的設備，但都有不足之處。例如，對於一種外延反應器中的非接觸式襯底操作設備，在取片過程中，在各抽氣孔處形成的吸附力作用於襯底的正面中央，襯底中央作用的吸附力將使襯底變形過大，從而容易形成壓傷；此外，在由工藝腔中取片時，襯底尚存有一定溫度，與設備的抓取裝置之間存在一定的粘附性，襯底可能不能被十分精準地吸附起來，無法保證平穩吸附，從而造成取片失敗或掉落；對於另一種外延反應器中的非接觸式襯底操作設備，吸盤的切向孔的朝向以及佈局存在問題，使得各個吸盤的氣流大小、旋轉渦流均存在差異，晶片被吸起時，會出現不平穩、自旋、飄蕩的現象，無法滿足定位、定點取放、傳送晶片的需求。因此，需要一種新的用於傳送襯底的設備。
有鑑於此，本發明實施例提供一種非接觸式襯底操作設備。
根據本發明實施例的一目的，提供一種非接觸式襯底操作設備，包括：抓取臂和抓取盤裝置；所述抓取臂的一端與所述抓取盤裝置連接；在所述抓取盤裝置的底部設置有呈中心對稱佈置的複數個吸片單元；所述吸片單元設置有腔體以及與所述腔體相通的切向孔；所述抓取臂內部設置有通氣管，所述抓取盤裝置內部設置有通氣腔道，所述通氣管通過所述通氣腔道與所述切向孔連通；其中，壓縮氣體通過所述通氣管、所述通氣腔道以及所述切向孔輸入所述腔體內，在所述腔體中形成旋轉渦流，利用所述旋轉渦流產生的壓力差吸附襯底。
較佳地，所述通氣腔道與所述通氣管的連通處和所述通氣腔道與每個所述切向孔的連通處之間的距離相等，以將壓縮氣體均勻地輸送給每個吸片單元的切向孔。
較佳地，所述通氣腔道包括：複數個第一密閉腔道；所述複數個第一密閉腔道與所述複數個吸片單元一一對應設置，所述複數個第一密閉腔道的第一端分別與對應的吸片單元的切向孔連通，所述複數個第一密閉腔道的第二端相連通，並且所述複數個第一密閉腔道以所述抓取盤裝置的中心為中心呈輻射狀分佈；其中，壓縮氣體經由所述第一密閉腔道輸送給與其對應的所述吸片單元的所述切向孔。
較佳地，所述通氣腔道包括：第二密閉腔道；所述第二密閉腔道位於所述抓取盤裝置的中心；所述複數個第一密閉腔道的第二端都與所述第二密閉腔道連通，其中，壓縮氣體經由所述第二密閉腔道均勻分配給所述複數個第一密閉腔道。
較佳地，所述通氣腔道包括：第三密閉腔道；其中，所述通氣管通過所述第三密閉腔道與所述第二密閉腔道連通。
較佳地，在所述抓取盤裝置內設置有與所述複數個吸片單元一一對應的複數個密閉腔體；所述複數個吸片單元分別設置在與其對應的所述密閉腔體內，形成與所述複數個吸片單元一一對應設置的複數個環形密封腔道；其中，所述第一密閉腔道的第一端與所述環形密閉腔道相連通，壓縮氣體經由所述第一密閉腔道、所述環形密閉腔道輸送給對應的所述吸片單元的所述切向孔。
較佳地，所述抓取盤裝置包括：底盤和轉接盤裝置；所述轉接盤裝置設置在所述底盤上；所述轉接盤裝置包括：轉接底盤、中間盤、頂盤；所述轉接底盤分別與所述中間盤和所述底盤連接，所述中間盤與所述頂盤連接，其中，在所述轉接底盤、所述中間盤、所述底盤之間形成所述第三密閉腔道，在所述中間盤、所述頂盤之間形成所述第二密閉腔道。
較佳地，還包括：輻射圓盤；所述輻射圓盤分別與所述中間盤和底盤連接，其中，在所述輻射圓盤、所述中間盤、所述底盤之間形成所述第一密閉腔道。
較佳地，在所述輻射圓盤和所述底盤之間形成所述複數個密閉腔體，其中，所述吸片單元設置在與其對應的所述密閉腔體內。
較佳地，在所述底盤的底部設置有凸點，所述凸點用於對襯底進行定位和限位。
較佳地，所述抓取盤裝置的中心設置具有排氣功能的通孔。
較佳地，所述吸片單元設置有圓柱形的所述腔體，在所述腔體的頂部並位於同一高度處設置有與所述腔體相通的至少兩個切向孔，所述切向孔與所述腔體的內壁相切。
較佳地，所述吸片單元的數量為偶數，相鄰的兩個所述吸片單元在所述腔體中形成的旋轉渦流的方向相反。
本發明的非接觸式襯底操作設備，將吸片單元均勻分佈並且壓縮氣體均勻地輸送給每個吸片單元，使每個吸片單元形成的托舉力相同，生成的旋轉力可以互相抵消，消除晶片自旋、偏斜情況，提高設備精確性；能夠實現懸浮取放晶片、傳送晶片，有效避免晶片在取放過程中，傳片工具對晶片表面造成的污染、壓傷等問題，提高產品的品質；可以有效防止高溫氣體對外部氣路及設備等造成損壞，可以進行高溫取放片，縮短設備降溫冷卻時間，提高設備產能。
本發明實施例附加的目的和優點將在下面的描述中部分給出，這些將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐瞭解到。
下面參照附圖對本發明進行更全面的描述，其中說明本發明的示例性實施例。下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。下面結合圖式和實施例對本發明的技術方案進行多方面的描述。
下文為了敘述方便，下文中所稱的“左”、“右”、“上”、“下”與附圖本身的左、右、上、下方向一致。
下文中的“第一”、“第二”等，僅用於描述上相區別，並沒有其它特殊的含義。
如第一圖至第五圖所示，本發明提供一種非接觸式襯底操作設備，包括抓取臂222和抓取盤裝置，抓取盤裝置可以實現為多種具體的結構。抓取臂222的一端與抓取盤裝置連接。在抓取盤裝置的底部設置有沿圓周方向均勻佈置的複數個吸片單元102，103。
如第二圖、第三圖所示，吸片單元102，103設置有腔體以及與腔體相通的切向孔102-1，103-1，切向孔102-1，103-1為通孔，貫穿腔體的壁。抓取臂222內部設置有通氣管，抓取盤裝置內部設置有通氣腔道，通氣腔道的具體佈置方式可以根據設計要求進行設置。通氣管通過通氣腔道與切向孔102-1，103-1連通，壓縮氣體通過通氣管、通氣腔道以及切向孔102-1，103-1輸入腔體內，在腔體中形成旋轉渦流，利用旋轉渦流產生的壓力差吸附襯底。襯底40可以為多種半導體晶片襯底等。
吸片單元102，103設置有圓柱形的腔體，在腔體的頂部並位於同一高度處設置與腔體相通的至少兩個切向孔102-1，103-1，切向孔102-1，103-1與腔體的圓柱形腔體的內壁相切。複數個吸片單元102，103均勻分佈，個數為雙數，例如為6、8個等。相鄰的兩個吸片單元的切向孔可以是左旋與右旋間隔排列組合，相鄰的兩個吸片單元102，103在腔體中形成的旋轉渦流的方向不相同，分別為左旋旋轉渦流和右旋旋轉渦流或者相反。
如第四圖所示，壓縮氣體從吸片單元的頂部沿切向孔進入腔體，在圓柱形腔體的壁面的束縛下形成旋轉渦流。高速旋轉的氣體帶動腔體中心區域的氣體旋轉，因離心力作用將其甩向壁面，從而在腔體中心產生負壓區。置於吸片單元下方的矽片因負壓的作用而受到垂直向上的吸附力，實現吸附過程。由於壓力的作用，氣體以螺旋狀向下運動，在吸片單元底部呈散射狀排出，從而在矽片的週邊與吸盤之間形成氣墊，最終實現非接觸吸片。吸片單元利用伯努利原理，通過使用旋轉渦流形成的低壓產生壓力差實現托舉力，由於單一吸片單元形成的渦流會導致晶片發生旋轉，所以吸片單元採用中心旋轉對稱分佈，用以均衡彼此之間的旋轉力。
在一實施例中，通氣腔道將壓縮氣體均勻地輸送給每個吸片單元102，103的切向孔102-1，103-1。通氣腔道與通氣管的連通處和通氣腔道與每個切向孔102-1，103-1的連通處之間的距離相等，以將壓縮氣體均勻地輸送給每個吸片單元102，103的切向孔102-1，103-1。通氣腔道可以實現為多種具體的結構。例如，通氣腔道包括複數個第一密閉腔道105，複數個第一密閉腔道105與複數個吸片單元102，103一一對應設置。複數個第一密閉腔道105的第一端分別與對應的吸片單元102，103的切向孔102-1，103-1連通，複數個第一密閉腔道105的第二端相連通，並且複數個第一密閉腔道105以抓取盤裝置的中心為中心呈輻射狀分佈。壓縮氣體經由第一密閉腔道105均勻地輸送給與其對應的吸片單元102，103的切向孔102-1，103-1。
通氣腔道包括第二密閉腔道104。第二密閉腔道104位於抓取盤裝置的中心。複數個第一密閉腔道105的第二端都與第二密閉腔道104連通，壓縮氣體經由第二密閉腔道104均勻分配給複數個第一密閉腔道105。通氣腔道包括第三密閉腔道106。第三密閉腔道106位於抓取盤裝置的邊緣，通氣管通過第三密閉腔道106與第二密閉腔道104連通。第三密閉腔道106的數量可以為複數個。
在抓取盤裝置內設置有與複數個吸片單元102，103一一對應的複數個密閉腔體。複數個吸片單元102，103分別設置在與其對應的密閉腔體內，形成與複數個吸片單元102，103一一對應設置的複數個環形密封腔道130。第一密閉腔道105的第二端與環形密閉腔道130相連通，壓縮氣體經由第一密閉腔道105、環形密閉腔道130輸送給對應的吸片單元102，103的切向孔102-1，103-1。
如第五圖所示，抓取盤裝置包括：底盤101和轉接盤裝置121，轉接盤裝置121可以採用多種結構。例如，轉接盤裝置121設置在底盤101上，轉接盤裝置121包括轉接底盤110、中間盤111、頂盤109。轉接底盤110分別與中間盤111和底盤101連接，中間盤111與頂盤109連接。在轉接底盤110、中間盤111、底盤101之間形成第三密閉腔道106，在中間盤111、頂盤109之間形成第二密閉腔道104。輻射圓盤108分別與中間盤111和底盤101連接。在輻射圓盤108、中間盤111、底盤101之間形成第一密閉腔道105。
在輻射圓盤108和底盤101之間形成複數個密閉腔體，吸片單元102，103設置在與其對應的密閉腔體內。在底盤101的底部設置有凸點101-1，凸點101-1用於對襯底進行定位和限位。抓取盤裝置的中心設置具有排氣功能的通孔107。
轉接盤裝置121可以將通過抓取臂222內部設置的通氣管輸入的氣源均勻分佈至每個吸片單元102，103。轉接盤裝置121由轉接底盤110、中間盤111、頂盤109組成，三者之間以及和底盤101密閉性的連接形成第三密閉腔道106、第二密閉腔道104，輻射圓盤108連接中間盤111和底盤101，形成密閉性的第一密閉腔道105，同時吸片單元102，103嵌入在輻射圓盤108與底盤101之間，形成環形密閉腔道130。
通過抓取臂222內部設置的通氣管接通壓縮氣體氣源，壓縮氣體通過第三密閉腔道106進入第二密閉腔道104中，經由第二密閉腔道104的中心孔均勻進入第一密閉腔道105，抵達吸片單元102，103所在的環形密閉腔道130，使得進入每個吸片單元102，103的切向孔102-1，103-1的氣流均相同，最後所形成的托舉力大小相同，晶片不會出現偏斜被吸起的情況；同時，由於吸片單元102，103居中均勻對稱分佈，吸片單元102，103的進氣口102-1，103-1也呈現對稱分佈，產生的旋轉力均互相抵消，晶片不會出現旋轉的情況，並且，為保證傳送過程中晶片的定位，設置均勻分佈的凸點101-1進行限制。
在一實施例中，提供一種外延反應器，包括：如上任一實施例中的非接觸式襯底操作設備。
上述實施例提供的非接觸式襯底操作設備，將吸片單元均勻分佈並且壓縮氣體均勻地輸送給每個吸片單元，使每個吸片單元形成的托舉力相同，生成的旋轉力可以互相抵消，消除晶片自旋、偏斜情況，提高設備精確性；能夠實現懸浮取放晶片、傳送晶片，有效避免晶片在取放過程中傳片工具對晶片表面造成的污染、壓傷等問題，提高產品的品質；可以有效防止高溫氣體對外部氣路及設備等造成損壞，可以進行高溫取放片，縮短設備降溫冷卻時間，提高設備產能。
上述本發明所公開的任一技術方案除另有聲明外，如果其公開了數值範圍，那麼公開的數值範圍均為較佳的數值範圍，任何本領域的技術人員應該理解：較佳的數值範圍僅僅是諸多可實施的數值中技術效果比較明顯或具有代表性的數值。由於數值較多，無法窮舉，所以本發明才公開部分數值以舉例說明本發明的技術方案，並且，上述列舉的數值不應構成對本發明創造保護範圍的限制。
同時，上述本發明如果公開或涉及了互相固定連接的零部件或結構件，那麼，除另有聲明外，固定連接可以理解為：能夠拆卸地固定連接（例如使用螺栓或螺釘連接），也可以理解為：不可拆卸的固定連接（例如鉚接、焊接），當然，互相固定連接也可以為一體式結構（例如使用鑄造工藝一體成形製造出來）所取代（明顯無法採用一體成形工藝除外）。
另外，上述本發明公開的任一技術方案中所應用的用於表示位置關係或形狀的術語除另有聲明外其含義包括與其近似、類似或接近的狀態或形狀。本發明提供的任一部件既可以是由複數個單獨的組成部分組裝而成，也可以為一體成形工藝製造出來的單獨部件。
以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對其限制；儘管參照較佳實施例對本發明進行了詳細的說明，所屬領域的普通技術人員應當理解：依然可以對本發明的具體實施方式進行修改或者對部分技術特徵進行等同替換；而不脫離本發明技術方案的精神，其均應涵蓋在本發明請求保護的技術方案範圍當中。
本發明的描述是為了示例和描述起見而給出的，而並不是無遺漏的或者將本發明限於所公開的形式。很多修改和變化對於本領域的普通技術人員而言是顯然的。選擇和描述實施例是為了更好說明本發明的原理和實際應用，並且使本領域的普通技術人員能夠理解本發明從而設計適於特定用途的帶有各種修改的各種實施例。
101‧‧‧底盤
101-1‧‧‧凸點
102、103‧‧‧吸片單元
102-1、103-1‧‧‧切向孔
104‧‧‧第二密閉腔道
105‧‧‧第一密閉腔道
106‧‧‧第三密閉腔道
107‧‧‧通孔
108‧‧‧輻射圓盤
109‧‧‧頂盤
110‧‧‧轉接底盤
111‧‧‧中間盤
121‧‧‧轉接盤裝置
130‧‧‧環形密閉腔道
222‧‧‧抓取臂
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖：
第一圖為根據本發明的非接觸式襯底操作設備的一個實施例的通氣腔道的結構示意圖。
第二圖和第三圖為根據本發明的非接觸式襯底操作設備的一個實施例的吸片單元結構示意圖。
第四圖為吸片單元的工作原理示意圖。
第五圖為根據本發明的非接觸式襯底操作設備的一個實施例的結構剖面示意圖。

Claims (13)

  1. 一種非接觸式襯底操作設備，包括：一抓取臂(222)和一抓取盤裝置；所述抓取臂(222)的一端與所述抓取盤裝置連接；在所述抓取盤裝置的一底部設置有沿圓周方向均勻佈置且呈中心對稱佈置的複數個吸片單元(102，103)；所述吸片單元(102，103)設置有一腔體以及與所述腔體相通的一切向孔(102-1，103-1)；所述抓取臂內部設置有一通氣管，所述抓取盤裝置內部設置有一通氣腔道，所述通氣管通過所述通氣腔道與所述切向孔(102-1，103-1)連通；其中，壓縮氣體通過所述通氣管、所述通氣腔道以及所述切向孔(102-1，103-1)輸入所述腔體內，在所述腔體中形成一旋轉渦流，利用所述旋轉渦流產生的壓力差吸附襯底。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之非接觸式襯底操作設備，其中所述通氣腔道與所述通氣管的連通處和所述通氣腔道與每個所述切向孔(102-1，103-1)的連通處之間的距離相等，以將壓縮氣體均勻地輸送給每個吸片單元(102，103)的所述切向孔(102-1，103-1)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之非接觸式襯底操作設備，其中所述通氣腔道包括：複數個第一密閉腔道(105)；所述複數個第一密閉腔道(105)與所述複數個吸片單元(102，103)一一對應設置，所述複數個第一密閉腔道(105)的第一端分別與對應的所述吸片單元的所述切向孔連通，所述複數個第一密閉腔道(105)的第二端相連通，並且所述複數個第一密閉腔道(105)以所述抓取盤裝置的中心為中心呈輻射狀分佈；其中，壓縮氣體經由所述第一密閉腔道(105)輸送給與其對應的所述吸片單元的所述切向孔(102-1，103-1)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之非接觸式襯底操作設備，其中所述通氣腔道包括：一第二密閉腔道(104)；所述第二密閉腔道(104)位於所述抓取盤裝置的中心；所述複數個第一密閉腔道(105)的第二端都與所述第二密閉腔道(104)連通，其中，壓縮氣體經由所述第二密閉腔道(104)均勻分配給所述複數個第一密閉腔道(105)。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之非接觸式襯底操作設備，其中所述通氣腔道包括：一第三密閉腔道(106)；其中所述通氣管通過所述第三密閉腔道(106)與所述第二密閉腔道(104)連通。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之非接觸式襯底操作設備，其中在所述抓取盤裝置內設置有與所述複數個吸片單元(102，103)一一對應的複數個密閉腔體；所述複數個吸片單元(102，103)分別設置在與其對應的所述密閉腔體內，形成與所述複數個吸片單元(102，103)一一對應設置的複數個環形密封腔道(130)；其中所述第一密閉腔道(105)的第一端與所述環形密閉腔道(130)相連通，壓縮氣體經由所述第一密閉腔道(105)、所述環形密閉腔道(130)輸送給對應的所述吸片單元的所述切向孔。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之非接觸式襯底操作設備，其中所述抓取盤裝置包括：一底盤(101)和一轉接盤裝置(121)；所述轉接盤裝置(121)設置在所述底盤(101)上；所述轉接盤裝置(121)包括：一轉接底盤(110)、一中間盤(111)、一頂盤(109)；所述轉接底盤(110)分別與所述中間盤(111)和所述底盤(101)連接，所述中間盤(111)與所述頂盤(109)連接，其中，在所述轉接底盤(110)、所述中間盤(111)、所述底盤(101)之間形成所述第三密閉腔道(106)，在所述中間盤(111)、所述頂盤(109)之間形成所述第二密閉腔道(104)。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之非接觸式襯底操作設備，進一步包含一輻射圓盤(108)；所述輻射圓盤(108)分別與所述中間盤(111)和所述底盤(101)連接，其中在所述輻射圓盤(108)、所述中間盤(111)、所述底盤(101)之間形成所述第一密閉腔道(105)。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之非接觸式襯底操作設備，其中在所述輻射圓盤(108)和所述底盤(101)之間形成所述複數個密閉腔體，其中，所述吸片單元(102，103)設置在與其對應的所述密閉腔體內。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之非接觸式襯底操作設備，其中在所述底盤的底部設置有一凸點(101-1)，所述凸點(101-1)用於對襯底進行定位和限位。
  11. 如申請專利範圍第2項所述之非接觸式襯底操作設備，其中所述抓取盤裝置的中心設置具有排氣功能的一通孔(107)。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之非接觸式襯底操作設備，其中所述吸片單元(102，103)設置有圓柱形的所述腔體，在所述腔體的頂部並位於同一高度處設置與所述腔體相通的至少兩個切向孔(102-1，103-1)，所述切向孔(102-1，103-1)與所述腔體的內壁相切。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之非接觸式襯底操作設備，其中所述吸片單元的數量為偶數，相鄰的兩個所述吸片單元(102，103)在所述腔體中形成的旋轉渦流的方向相反。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7144547B2 (ja) * 2018-08-01 2022-09-29 北京北方華創微電子装備有限公司 非接触式基板操作機器及びエピタキシャルリアクタ
CN116759369B (zh) * 2023-08-17 2023-10-31 北京锐洁机器人科技有限公司 一种伯努利手指

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201369321Y (zh) * 2009-03-23 2009-12-23 浙江大学 一种旋涡式非接触硅片夹持装置
CN106409736A (zh) * 2015-07-28 2017-02-15 Tgo科技株式会社 基板搬送装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6427991B1 (en) * 2000-08-04 2002-08-06 Tru-Si Technologies, Inc. Non-contact workpiece holder using vortex chuck with central gas flow
CN101510521B (zh) * 2009-03-23 2010-11-10 浙江大学 旋涡式非接触硅片夹持装置
CN204271057U (zh) * 2014-12-01 2015-04-15 上海技美电子科技有限公司 新型晶圆搬运机械手
CN204271064U (zh) * 2014-12-01 2015-04-15 上海技美电子科技有限公司 晶圆搬运机械手
CN208580730U (zh) * 2018-08-01 2019-03-05 北京北方华创微电子装备有限公司 非接触式衬底操作设备

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201369321Y (zh) * 2009-03-23 2009-12-23 浙江大学 一种旋涡式非接触硅片夹持装置
CN106409736A (zh) * 2015-07-28 2017-02-15 Tgo科技株式会社 基板搬送装置

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