TWI678509B - 藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統 - Google Patents

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TWI678509B TW101104145A TW101104145A TWI678509B TW I678509 B TWI678509 B TW I678509B TW 101104145 A TW101104145 A TW 101104145A TW 101104145 A TW101104145 A TW 101104145A TW I678509 B TWI678509 B TW I678509B
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Abstract

本發明為對電能裝備(electrical equipment)之對外熱傳介面結構，為以噴流裝置噴注熱傳流體，而藉所噴出之熱傳流體之溫能，與電能裝備之對外熱傳介面結構作熱傳導者，包括由相對較低溫之流體對相對高溫的電能裝備之對外熱傳介面結構作冷卻，也包括由相對高溫流體對相對低溫的電能裝備之對外熱傳介面結構作加溫者。

Description

藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統
本發明為對電能裝備(electrical equipment)之對外熱傳介面結構(101)，以噴流裝置(103)噴注熱傳流體(104)，而藉所噴出之熱傳流體(104)之溫能，與電能裝備之對外熱傳介面結構(101)作熱傳導者，包括由相對較低溫之流體對相對高溫的電能裝備之對外熱傳介面結構(101)作冷卻，也包括由相對高溫流體對相對低溫的電能裝備之對外熱傳介面結構(101)作加溫者；本發明中噴流裝置(103)所噴出之噴流流體，包括噴出呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)，並設有集流盆(105)以供收集噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)後回流之流體，而構成熱傳流體(104)之循環運用，以及經熱傳流體(104)及集流盆(105)作為介面以供對外作均溫調節者；本發明噴流裝置(103)為將流體經噴流裝置(103)噴注為呈細顆粒狀或細微之霧狀噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，使呈細顆粒狀或細微之霧狀流體被加速噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)之表面而擴散成薄膜及被蒸發，並壓迫先前已被蒸發之氣態流體遠離電能裝備之對外熱傳介面結構(101)表面者；或在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)設置直膨式(dry-expansion)蒸發裝置、或滿液式(flooded)蒸發裝置、或噴淋式(spray type)蒸發裝置、或滴淋式(falling type)蒸發裝置以構成對電能裝備之對外熱傳介面結構(101)之均溫運作功能者。
傳統電能裝備(electrical equipment)之溫度之保持、冷卻、或加熱，通常須設置保溫、冷卻、或加熱等主動調溫裝置，其設置成本及運作時耗較大之能源為其缺失者。
本發明藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，為藉噴流裝置(103)以對電能裝備(electrical equipment)之對外熱傳介面結構(101)噴注熱傳流體(104)，再回流至集流盆(105)而形成循環，並由熱傳流體(104)及集流盆(105)作為介面供對外部作均溫調節，而熱傳流體(104)對外部作均溫調節之傳輸結構，包括藉以下一種或一種以上方式以構成者：
Figure TWI678509B_D0001
由噴流裝置(103)之流體入口吸入集流盆(105)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)進而形成熱傳流體(104)循環，而藉由集流盆(105)之殼體對外作均溫調節者；
Figure TWI678509B_D0002
由噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自設置於自然溫能體(200)均溫裝置(102)出口端管路(108)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)，以及流經設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節，再回流至噴注裝置之流體入口進而形成熱傳流體(104)循環者；
Figure TWI678509B_D0003
由噴流裝置(103)之流體入口吸入集流盆(105)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)；集流盆(105)與設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)及管路(108)，而藉由流體泵(106)泵動集流盆(105)中之熱傳流體(104)，經由管路(108)流經設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節，再回流至集流盆(105)進而形成熱傳流體(104)循環者；
Figure TWI678509B_D0004
由噴流裝置(103)之流體入口吸入集流盆(105)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)進而形成熱傳流體(104)循環；以及設置浸入於集流盆(105)之熱傳流體(104)中之熱交換裝置(120)，熱交換裝置(120)中之熱傳流體(104)，經熱交換裝置(120)之流體出口所設置之流體泵(106)所泵送，經管路(108)流經設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)，再經熱交換裝置(120)之流體入口回流至熱交換裝置(120)，進而形成熱交換裝置(120)與均溫裝置(102)間之熱傳流體(104)循環，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節者；
Figure TWI678509B_D0005
為於集流盆(105)與均溫裝置(102)之間設置中繼熱交換裝置(121)，而中繼熱交換裝置(121)之一次側之流體入口供通往集流盆(105)，而系統之運作為由噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自中繼熱交換裝置(121)一次側流體出口之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)再流往中繼熱交換裝置(121)一次側之流體入口，以構成中繼熱交換裝置(121)一次側之熱傳流體(104)循環；而中繼熱交換裝置(121)二次側之流體入口與出口，與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)以泵送熱傳流體(104)，經管路(108)流經均溫裝置(102)再流回中繼熱交換裝置(121)之二次側，以構成中繼熱交換裝置(121)二次側與均溫裝置(102)間之熱傳流體(104)循環，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節者；
Figure TWI678509B_D0006
於集流盆(105)與均溫裝置(102)之間設置中繼熱交換裝置(121)，而系統之運作為由噴流裝置(103)之流體入口吸入來自集流盆(105)中之熱傳流體(104)，噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)進而構成熱傳流體(104)循環，而中繼熱交換裝置(121)一次側之流體出口與集流盆(105)之間，設有流體泵(1061)及管路(108)，供泵送一次側之熱傳流體(104)經管路(108)回流至集流盆(105)，而構成一次側之熱傳流體(104)循環；而中繼熱交換裝置(121)二次側之流體入口與出口，與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)以泵送熱傳流體(104)，經管路(108)流經均溫裝置(102)再流回中繼熱交換裝置(121)之二次側，以構成中繼熱交換裝置(121)之二次側與均溫裝置(102)間之熱傳流體(104)循環，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節者；前述自然溫能體(200)為指地表、地層或河川、湖泊或人工水道或水管或水池等蓄溫體者。
本發明為對電能裝備(electrical equipment)之對外熱傳介面結構(101)，以噴流裝置(103)噴注熱傳流體(104)，而藉所噴出之熱傳流體(104)之溫能，與電能裝備之對外熱傳介面結構(101)作熱傳導者，包括由相對較低溫之流體對相對高溫的電能裝備之對外熱傳介面結構(101)作冷卻，也包括由相對高溫流體對相對低溫的電能裝備之對外熱傳介面結構(101)作加溫者；本發明中噴流裝置(103)所噴出之噴流流體，包括噴出呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)，並設有集流盆(105)以供收集噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)後回流之流體，而構成熱傳流體(104)之循環運用以及經熱傳流體(104)及集流盆(105)作為介面以供對外作均溫調節者；本發明噴流裝置(103)為將流體經噴流裝置(103)噴注為呈細顆粒狀或細微之霧狀噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，使呈細顆粒狀或細微之霧狀流體被加速噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)之表面而擴散成薄膜及被蒸發，並壓迫先前已被蒸發之氣態流體遠離電能裝備之對外熱傳介面結構(101)表面者；或在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)設置直膨式(dry-expansion)蒸發裝置、或滿液式(flooded)蒸發裝置、或噴淋式(spray type)蒸發裝置、或滴淋式(falling type)蒸發裝置以構成對電能裝備之對外熱傳介面結構(101)之均溫運作功能者；本發明藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，為藉噴流裝置(103)以對電能裝備之對外熱傳介面結構(101)噴注熱傳流體(104)，再回流至集流盆(105)而形成循環，並由熱傳流體(104)及集流盆(105)作為介面供對外部作均溫調節，而熱傳流體(104)對外部作均溫調節之傳輸結構，包括藉以下一種或一種以上方式以構成者：
Figure TWI678509B_D0007
由噴流裝置(103)之流體入口吸入集流盆(105)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)進而形成熱傳流體(104)循環，而藉由集流盆(105)之殼體對外作均溫調節者；
Figure TWI678509B_D0008
由噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自設置於自然溫能體(200)均溫裝置(102)出口端管路(108)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)，以及流經設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節，再回流至噴注裝置之流體入口進而形成熱傳流體(104)循環者；
Figure TWI678509B_D0009
由噴流裝置(103)之流體入口吸入集流盆(105)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)；集流盆(105)與設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)及管路(108)，而藉由流體泵(106)泵動集流盆(105)中之熱傳流體(104)，經由管路(108)流經設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節，再回流至集流盆(105)進而形成熱傳流體(104)循環者；
Figure TWI678509B_D0010
由噴流裝置(103)之流體入口吸入集流盆(105)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)進而形成熱傳流體(104)循環；以及設置浸入於集流盆(105)之熱傳流體(104)中之熱交換裝置(120)，熱交換裝置(120)中之熱傳流體(104)，經熱交換裝置(120)之流體出口所設置之流體泵(106)所泵送，經管路(108)流經設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)，再經熱交換裝置(120)之流體入口回流至熱交換裝置(120)，進而形成熱交換裝置(120)與均溫裝置(102)間之熱傳流體(104)循環，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節者；
Figure TWI678509B_D0011
為於集流盆(105)與均溫裝置(102)之間設置中繼熱交換裝置(121)，而中繼熱交換裝置(121)之一次側之流體入口供通往集流盆(105)，而系統之運作為由噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自中繼熱交換裝置(121)一次側流體出口之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)再流往中繼熱交換裝置(121)一次側之流體入口，以構成中繼熱交換裝置(121)一次側之熱傳流體(104)循環；而中繼熱交換裝置(121)二次側之流體入口與出口，與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)以泵送熱傳流體(104)，經管路(108)流經均溫裝置(102)再流回中繼熱交換裝置(121)之二次側，以構成中繼熱交換裝置(121)二次側與均溫裝置(102)間之熱傳流體(104)循環，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節者；
Figure TWI678509B_D0012
於集流盆(105)與均溫裝置(102)之間設置中繼熱交換裝置(121)，而系統之運作為由噴流裝置(103)之流體入口吸入來自集流盆(105)中之熱傳流體(104)，噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)進而構成熱傳流體(104)循環，而中繼熱交換裝置(121)一次側之流體出口與集流盆(105)之間，設有流體泵(1061)及管路(108)，供泵送一次側之熱傳流體(104)經管路(108)回流至集流盆(105)，而構成一次側之熱傳流體(104)循環；而中繼熱交換裝置(121)二次側之流體入口與出口，與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)以泵送熱傳流體(104)，經管路(108)流經均溫裝置(102)再流回中繼熱交換裝置(121)之二次側，以構成中繼熱交換器之二次側與均溫裝置(102)間之熱傳流體(104)循環，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節者；前述自然溫能體(200)為指地表、地層或河川、湖泊或人工水道或水管或水池等蓄溫體者；茲就本發明藉噴流裝置(103)以對電能裝備之對外熱傳介面結構(101)噴注熱傳流體(104)，再回流至集流盆(105)而形成循環，並由熱傳流體(104)及集流盆(105)作為介面供對外部作均溫調節，而熱傳流體(104)對外部作均溫調節之傳輸結構說明如下：此項藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，可由噴流裝置(103)之流體入口吸入集流盆(105)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)進而形成熱傳流體(104)循環，而藉由集流盆(105)之殼體對外作均溫調節者；圖1為本發明由集流盆(105)對外散熱之運作結構示意圖；如圖1中所示，其主要構成如下：
--　電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備及電機、電控所構成之電能裝備，其中固態或氣態半導體所構成之電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電機、電控所構成之電能裝備，包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者；
--　電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自噴流裝置(103)所噴注之熱傳流體(104)回流至集流盆(105)者；
--　噴流裝置(103)：為在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)及集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，噴流裝置(103)為經流體吸入管(1031)供將集流盆(105)之熱傳流體(104)吸入，再噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；
--　熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；
--　集流盆(105)：為在電能裝備(100)之下側設有集流盆(105)，供儲存經由噴流裝置(103)噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)回流之熱傳流體(104)，以及藉集流盆(105)之殼體或盆中之流體對外傳輸熱能者；集流盆(105)與電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；
--　溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於電能裝備(100)或電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至控制單元(ECU110)者；
--　控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控噴流裝置(103)之運轉噴送熱傳流體(104)之時機及噴送熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對電能裝備(100)作減載或切斷供電者。
本發明藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其熱傳流體(104)對外部作熱傳導之傳輸結構，進一步可為直接由噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)吸入來自設置於自然溫能體(200)均溫裝置(102)出口端管路(108)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)，以及流經設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節，再回流至噴注裝置之流體入口進而形成熱傳流體(104)循環者；前述自然溫能體(200)為指地表、地層或河川、湖泊或人工水道或水管或水池等蓄溫體者；圖2為本發明由噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自均溫裝置(102)之管路(108)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)，以及流經設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節再回流至集流盆(105)之實施例系統構成示意圖；如圖2中所示，其主要構成如下：
--　電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備及電機、電控所構成之電能裝備，其中固態或氣態半導體所構成之電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電機、電控所構成之電能裝備，包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者；
--　電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自噴流裝置(103)所噴注之熱傳流體(104)回流至集流盆(105)者；
--　均溫裝置(102)：為由熱傳材料依所需幾何形狀所構成，為具有流體入口、流體出口以及流體管路，供通過熱傳流體(104)，以使所通過熱傳流體(104)與自然溫能體(200)產生均溫作用者；均溫裝置(102)亦可由足夠長度之導熱性之管路(108)通過自然溫能體(200)而產生均溫調節功能而替代者；
--　噴流裝置(103)：為在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)與集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，噴流裝置(103)為經流體吸入管(1031)直接吸入來自均溫裝置(102)之熱傳流體(104)噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；
--　熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；
--　集流盆(105)：為在電能裝備(100)之下側設有集流盆(105)，供儲存經由噴流裝置(103)噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)回流之熱傳流體(104)，以藉噴流裝置(103)運作吸動熱傳流體(104)，使集流盆(105)中之熱傳流體(104)流經管路(108)及設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)與自然溫能體(200)互相傳輸熱能者；集流盆(105)與電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；
--　溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於電能裝備(100)或電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至控制單元(ECU110)者；
--　管路(108)：為供熱傳流體(104)流動之管道結構；
--　控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控噴流裝置(103)之運轉噴送熱傳流體(104)之時機及噴送熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對電能裝備(100)作減載或切斷供電者。
本發明藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其熱傳流體(104)對外部作熱傳導之傳輸結構，進一步可為由噴流裝置(103)之流體入口吸入集流盆(105)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)，集流盆(105)與設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)及管路(108)，而藉由流體泵(106)泵動集流盆(105)中之熱傳流體(104)，經由管路(108)流經設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節，再回流至集流盆(105)進而形成熱傳流體(104)循環者；前述自然溫能體(200)為指地表、地層或河川、湖泊或人工水道或水管或水池等蓄溫體者；圖3為本發明以流體泵(106)及管路(108)，泵送熱傳流體(104)流經自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)，以對自然溫能體(200)作均溫調節之實施例系統構成示意圖；如圖3中所示，其主要構成如下：
--　電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備及電機、電控所構成之電能裝備，其中固態或氣態半導體所構成之電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電機、電控所構成之電能裝備，包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者；
--　電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自噴流裝置(103)所噴注之熱傳流體(104)回流至集流盆(105)者；
--　均溫裝置(102)：為由熱傳材料依所需幾何形狀所構成，為具有流體入口、流體出口以及流體管路，供通過熱傳流體(104)，以使所通過熱傳流體(104)與自然溫能體(200)產生均溫作用者；均溫裝置(102)亦可由足夠長度之導熱性之管路(108)通過自然溫能體(200)而產生均溫調節功能而替代者；
--　噴流裝置(103)：為在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)與集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，噴流裝置(103)為經流體吸入管(1031)供將集流盆(105)之熱傳流體(104)吸入，再噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；
--　熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；
--　集流盆(105)：為在電能裝備(100)之下側設有集流盆(105)，供儲存經由噴流裝置(103)噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)回流之熱傳流體(104)，藉流體泵(106)經管路(108)泵送熱傳流體(104)流經設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)與自然溫能體(200)互相傳輸熱能者；集流盆(105)與電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；
--　流體泵(106)：為由機力或電力所驅動之流體泵(106)，供接受控制單元(ECU110)所操控之電機裝置如馬達或電磁線圈所驅動，以泵送熱傳流體(104)者；
--　溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於電能裝備(100)或電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至控制單元(ECU110)者；
--　管路(108)：為供熱傳流體(104)流動之管道結構；
--　控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控噴流裝置(103)之運轉噴送熱傳流體(104)之時機及噴送熱傳流體(104)之流量，與操控流體泵(106)泵送運轉時機，以及泵送均溫裝置(102)與集流盆(105)之間熱傳流體(104)之流量者；而藉操控噴流裝置(103)及流體泵(106)之運轉時機及泵送熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對電能裝備(100)作減載或切斷供電者。
本發明藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其熱傳流體(104)對外部作熱傳導之傳輸結構，進一步可為由噴流裝置(103)之流體入口吸入集流盆(105)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)進而形成熱傳流體(104)循環；以及設置浸入於集流盆(105)之熱傳流體(104)中之熱交換裝置(120)，熱交換裝置(120)中之熱傳流體(104)，經熱交換裝置(120)之流體出口所設置之流體泵(106)所泵送，經管路(108)流經設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)，再經熱交換裝置(120)之流體入口回流至熱交換裝置(120)，進而形成熱交換裝置(120)與均溫裝置(102)間之熱傳流體(104)循環，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節者；前述自然溫能體(200)為指地表、地層或河川、湖泊或人工水道或水管或水池等蓄溫體者；圖4為本發明藉設置浸入於集流盆(105)之熱傳流體(104)中之熱交換裝置(120)、流體泵(106)、管路(108)及均溫裝置(102)，供浸入於集流盆(105)之熱傳流體(104)中之熱交換裝置(120)中之熱傳流體(104)，藉由流體泵(106)之泵送經管路(108)流經設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)，而對自然溫能體(200)作均溫調節之實施例系統構成示意圖；如圖4中所示，其主要構成如下：
--　電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備及電機、電控所構成之電能裝備，其中固態或氣態半導體所構成之電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電機、電控所構成之電能裝備，包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者；
--　電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自噴流裝置(103)所噴注之熱傳流體(104)回流至集流盆(105)者；
--　均溫裝置(102)：為由熱傳材料依所需幾何形狀所構成，為具有流體入口、流體出口以及流體管路，供通過熱傳流體(104)，以使所通過熱傳流體(104)與自然溫能體(200)產生均溫作用者；均溫裝置(102)亦可由足夠長度之導熱性之管路(108)通過自然溫能體(200)而產生均溫調節功能而替代者；
--　噴流裝置(103)：為在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)與集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，噴流裝置(103)為經流體吸入管(1031)供將集流盆(105)之熱傳流體(104)吸入，再噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；
--　熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；
--　集流盆(105)：為在電能裝備(100)之下側設有集流盆(105)，供儲存經由噴流裝置(103)噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)回流之熱傳流體(104)，以及藉設置浸入於集流盆(105)之熱傳流體(104)中之熱交換裝置(120)，浸入於集流盆(105)之熱交換裝置(120)中之熱傳流體(104)，藉流體泵(106)經管路(108)泵送熱傳流體(104)，經設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)與自然溫能體(200)互相傳輸熱能者；集流盆(105)與電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；
--　流體泵(106)：為由機力或電力所驅動之流體泵(106)，供接受控制單元(ECU110)所操控之電機裝置如馬達或電磁線圈所驅動，以泵送熱傳流體(104)者；
--　溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於電能裝備(100)或電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至控制單元(ECU110)者；--　管路(108)：為供熱傳流體(104)流動之管道結構；
--　控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控噴流裝置(103)之運轉噴送熱傳流體(104)之時機及噴送熱傳流體(104)之流量，與操控流體泵(106)泵送運轉時機，以及泵送均溫裝置(102)與集流盆(105)之間熱傳流體(104)之流量者；而藉操控噴流裝置(103)及流體泵(106)之運轉時機及泵送熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對電能裝備(100)作減載或切斷供電者；
--　熱交換裝置(120)：為由可作熱傳導材料及所需幾何形狀所構成，供浸入於集流盆(105)中之熱傳流體(104)之中，為具有流體入口、流體出口以及流體管路，以供通過熱傳流體(104)與集流盆(105)中之熱傳流體(104)互相傳輸熱能者。
本發明藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其熱傳流體(104)對外部作熱傳導之傳輸結構，進一步可為於集流盆(105)與均溫裝置(102)之間設置中繼熱交換裝置(121)，而中繼熱交換裝置(121)之一次側之流體入口供通往集流盆(105)，而系統之運作為由噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自中繼熱交換裝置(121)一次側流體出口之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)再流往中繼熱交換裝置(121)一次側之流體入口，以構成中繼熱交換裝置(121)一次側之熱傳流體(104)循環；而中繼熱交換裝置(121)二次側之流體入口與出口，與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)以泵送熱傳流體(104)，經管路(108)流經均溫裝置(102)再流回中繼熱交換裝置(121)之二次側，以構成中繼熱交換裝置(121)二次側與均溫裝置(102)間之熱傳流體(104)循環，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節者；前述自然溫能體(200)為指地表、地層或河川、湖泊或人工水道或水管或水池等蓄溫體者；圖5為本發明設置中繼熱交換裝置(121)，其一次側供通往集流盆(105)，其二次側與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)兩者之間，設有流體泵(106)及管路(108)，以泵送熱傳流體(104)流經均溫裝置(102)，而對自然溫能體(200)作均溫調節之實施例系統構成示意圖；如圖5中所示，其主要構成如下：
--　電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備及電機、電控所構成之電能裝備，其中固態或氣態半導體所構成之電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電機、電控所構成之電能裝備，包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者；
--　電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自噴流裝置(103)所噴注之熱傳流體(104)回流至集流盆(105)者；
--　均溫裝置(102)：為由熱傳材料依所需幾何形狀所構成，為具有流體入口、流體出口以及流體管路，供通過熱傳流體(104)，以使所通過熱傳流體(104)與自然溫能體(200)產生均溫作用者；均溫裝置(102)亦可由足夠長度之導熱性之管路(108)通過自然溫能體(200)而產生均溫調節功能而替代者；
--　噴流裝置(103)：為在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)與集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，而由噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自中繼熱交換裝置(121)一次側流體出口之熱傳流體(104)，再噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；
--　熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；
--　集流盆(105)：為在電能裝備(100)之下側設有集流盆(105)，供儲存經由噴流裝置(103)噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)回流之熱傳流體(104)，以經管路(108)泵送熱傳流體(104)輸入中繼熱交換裝置(121)一次側入口端者；集流盆(105)與電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；
--　流體泵(106)：為由機力或電力所驅動之流體泵(106)，供接受控制單元(ECU110)所操控之電機裝置如馬達或電磁線圈所驅動，以泵送熱傳流體(104)者；
--　溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於電能裝備(100)或電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至操控單元(ECU110)者；
--　管路(108)：為供熱傳流體(104)流動之管道結構
--　控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控噴流裝置(103)之運轉泵噴送熱傳流體(104)之時機及噴送熱傳流體(104)之流量，與操控流體泵(106)泵送運轉時機，以及泵送均溫裝置(102)與集流盆(105)之間熱傳流體(104)之流量者；而藉操控噴流裝置(103)及流體泵(106)之運轉時機及泵送熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對電能裝備(100)作減載或切斷供電者；
--　中繼熱交換裝置(121)：為由可作熱傳導材料及所需幾何形狀所構成，具有一次側流路及二次側流路，其中一次側流路之熱傳流體(104)入口端供與集流盆(105)相通，一次側流路出口端供與噴流裝置(103)相通；二次側管路與均溫裝置(102)之間設有流體泵(106)而呈閉環之管路，以供泵送管路(108)內之熱傳流體(104)作循環流動者。
本發明藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其熱傳流體(104)對外部作熱傳導之傳輸結構，進一步可為於集流盆(105)與均溫裝置(102)之間設置中繼熱交換裝置(121)，而系統之運作為由噴流裝置(103)之流體入口吸入來自集流盆(105)中之熱傳流體(104)，噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)進而構成熱傳流體(104)循環，而中繼熱交換裝置(121)一次側之流體出口與集流盆(105)之間，設有流體泵(1061)及管路(108)，供泵送一次側之熱傳流體(104)經管路(108)回流至集流盆(105)，而構成一次側之熱傳流體(104)循環；而中繼熱交換裝置(121)二次側之流體入口與出口，與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)以泵送熱傳流體(104)，經管路(108)流經均溫裝置(102)再流回中繼熱交換裝置(121)之二次側，以構成中繼熱交換裝置(121)之二次側與均溫裝置(102)間之熱傳流體(104)循環，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節者；前述自然溫能體(200)為指地表、地層或河川、湖泊或人工水道或水管或水池等蓄溫體者；圖6為本發明設置中繼熱交換裝置(121)，其一次側設有管路(108)及流體泵(1061)供泵送一次側之熱傳流體(104)通往集流盆(105)，其二次側與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)兩者之間，設有流體泵(106)及管路(108)，以泵送熱傳流體(104)流經均溫裝置(102)，而對自然溫能體(200)作均溫調節之實施例系統構成示意圖；如圖6中所示，其主要構成如下：
--　電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備及電機、電控所構成之電能裝備，其中固態或氣態半導體所構成之電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電機、電控所構成之電能裝備，包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者；
--　電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自噴流裝置(103)所噴注之熱傳流體(104)回流至集流盆(105)者；
--　均溫裝置(102)：為由熱傳材料及結構及所需幾何形狀所構成，供通過熱傳流體(104)，以使所通過熱傳流體(104)與自然溫能體(200)產生均溫作用者；均溫裝置(102)亦可由足夠長度之導熱性之管路(108)通過自然溫能體(200)而產生均溫調節功能而替代者；
--　噴流裝置(103)：為在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)與集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，噴流裝置(103)經流體吸入管(1031)吸入來自集流盆(105)中之熱傳流體(104)，再噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；
--　熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；
--　集流盆(105)：為在電能裝備(100)之下側設有集流盆(105)，供儲存經由噴流裝置(103)噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)回流之熱傳流體(104)，以藉流體泵(106)經管路(108)泵送熱傳流體(104)流經中繼熱交換裝置(121)之一次側管路(108)入口端，再由其出口端泵回集流盆(105)者；集流盆(105)與電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；
--流體泵(106)、(1061)：為由機力或電力所驅動之流體泵，供接受控制單元(ECU110)所操控之電機裝置如馬達或電磁線圈所驅動，以泵送熱傳流體(104)者；
--　溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於電能裝備(100)或電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至操控制單元(ECU110)者；--　管路(108)：為供熱傳流體(104)流動之管道結構；
--　控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)、(1061)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控噴流裝置(103)之運轉噴送熱傳流體(104)之時機及噴送熱傳流體(104)之流量，與操控流體泵(106)、(1061)泵送運轉時機，以及泵送均溫裝置(102)與中繼熱交換裝置(121)二次側流路之間熱傳流體(104)之流量者；而藉操控噴流裝置(103)及流體泵(106)、(1061)之運轉時機及泵送熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對電能設備(100)作減載或切斷供電者；
--　中繼熱交換裝置(121)：為由可作熱傳導材料及所需幾何形狀所構成，具有一次側流路及二次側流路，其中一次側流路之熱傳流體(104)入口端供與集流盆(105)相通，並設置流體泵(1061)及管路(108)，供泵送熱傳流體(104)至集流盆(105)而構成一次側之熱傳流體(104)之循環者；二次側管路(108)與均溫裝置(102)之間設有流體泵(106)而呈閉環之管路(108)，以供泵送管路(108)內之熱傳流體(104)作循環流動者。
此項藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，進一步可由兩個或兩個以上之集流盆(105)中之熱傳流體(104)經個別之流體泵(1061)及管路(108)，共同通往中繼熱交換裝置(121)之一次側者；圖7所示為本發明由個別集流盆(105)中之熱傳流體(104)經個別之流體泵(1061)及管路(108)，共同通往中繼熱交換裝置(121)一次側之結構實施例示意圖；如圖7中所示，其構成方式為藉由個別之集流盆(105)與中繼熱交換裝置(121)之間，各別設置流體泵(1061)及管路(108)，供呈並聯或串聯通往中繼熱交換裝置(121)之一次側者。
此項藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，進一步可由兩個或兩個以上之中繼熱交換裝置(121)之二次側，通往共用均溫裝置(102)者；圖8所示為本發明由個別中繼熱交換裝置(121)之二次側，通往共用均溫裝置(102)之結構實施例示意圖；如圖8中所示，其構成方式為藉由個別之中繼熱交換裝置(121)之二次側與均溫裝置(102)之間，各別設置流體泵(106)及管路，供呈並聯或串聯通往中繼熱交換裝置(121)之二次側與均溫裝置(102)之間者。
本發明噴流裝置(103)為將流體經噴流裝置(103)噴注為呈細顆粒狀或細微之霧狀噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，使呈細顆粒狀或細微之霧狀流體被加速噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)之表面而擴散成薄膜及被蒸發，並壓迫先前已被蒸發之氣態流體遠離電能裝備之對外熱傳介面結構(101)表面者；或在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)設置直膨式(dry-expansion)蒸發裝置、或滿液式(flooded)蒸發裝置、或噴淋式(spray type)蒸發裝置、或滴淋式(falling type)蒸發裝置以構成對電能裝備之對外熱傳介面結構(101)之均溫運作功能者。
100．．．電能裝備
101．．．電能裝備之對外熱傳介面結構
102．．．均溫裝置
103．．．噴流裝置
104．．．熱傳流體
105．．．集流盆
106、1061．．．流體泵
107．．．溫度檢測裝置
108．．．管路
120．．．熱交換裝置
121．．．中繼熱交換裝置
1031．．．流體吸入管
ECU110．．．控制單元
200．．．自然溫能體
圖1為本發明由集流盆(105)對外散熱之運作結構示意圖。
圖2為本發明由噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自均溫裝置(102)之管路(108)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)，以及流經設置於自然溫能體(200)之均溫裝置(102)，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節再回流至集流盆(105)之實施例系統構成示意圖。
圖3為本發明以流體泵(106)及管路(108)，泵送熱傳流體(104)流經自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)，以對自然溫能體(200)作均溫調節之實施例系統構成示意圖。
圖4為本發明藉設置浸入於集流盆(105)之熱傳流體(104)中之熱交換裝置(120)、流體泵(106)、管路(108)及均溫裝置(102)，供浸入於集流盆(105)之熱傳流體(104)中之熱交換裝置(120)中之熱傳流體(104)，藉由流體泵(106)之泵送經管路(108)流經設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)，而對自然溫能體(200)作均溫調節之實施例系統構成示意圖。
圖5為本發明設置中繼熱交換裝置(121)，其一次側供通往集流盆(105)，其二次側與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)兩者之間，設有流體泵(106)及管路(108)，以泵送熱傳流體(104)流經均溫裝置(102)，而對自然溫能體(200)作均溫調節之實施例系統構成示意圖。
圖6為本發明設置中繼熱交換裝置(121)，其一次側設有管路(108)及流體泵(1061)供泵送一次側之熱傳流體(104)通往集流盆(105)，其二次側與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)兩者之間，設有流體泵(106)及管路(108)，以泵送熱傳流體(104)流經均溫裝置(102)，而對自然溫能體(200)作均溫調節之實施例系統構成示意圖。
圖7所示為本發明由個別集流盆(105)中之熱傳流體(104)經個別之流體泵(1061)及管路(108)，共同通往中繼熱交換裝置(121)一次側之結構實施例示意圖。
圖8所示為本發明由個別中繼熱交換裝置(121)之二次側，通往共用均溫裝置(102)之結構實施例示意圖。

Claims (17)

  1. 一種藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，為對電能裝備(electrical equipment)之對外熱傳介面結構(101)，主要是以噴流裝置(103)噴注熱傳流體(104)，而熱傳流體(104)之溫能與電能裝備之對外熱傳介面結構(101)作熱傳導；其中：該噴流裝置(103)所噴出之噴流流體，係包括噴出呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之所述熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之所述熱傳流體(104)，並設有集流盆(105)以供收集噴往電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)後回流之流體，而構成所述熱傳流體(104)之循環運用，以及經該熱傳流體(104)及該集流盆(105)作為介面以供對外作均溫調節；熱傳流體(104)，其對外部作均溫調節之傳輸結構，係包括藉以下一種或一種以上方式以構成者：(一)由所述噴流裝置(103)之流體入口吸入該集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將該熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)進而形所述成熱傳流體(104)循環，而藉由該集流盆(105)之殼體對外作均溫調節者；(二)由所述噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自設置於自然溫能體(200)均溫裝置(102)出口端管路(108)中之所述熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將該熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)，以及流經設置於該自然溫能體(200)之所述均溫裝置(102)，並使該熱傳流體(104)藉所述均溫裝置(102)與該自然溫能體(200)作均溫調節，再回流至噴注裝置之流體入口進而形成所述熱傳流體(104)循環者；(三)由所述噴流裝置(103)之流體入口吸入該集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將該熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)；該集流盆(105)與設置於該自然溫能體(200)之所述均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)及管路(108)，而藉由流體泵(106)泵動集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，經由管路(108)流經設置於該自然溫能體(200)之所述均溫裝置(102)，並使該熱傳流體(104)藉所述均溫裝置(102)與所述自然溫能體(200)作均溫調節，再回流至該集流盆(105)進而形成所述熱傳流體(104)循環者；(四)由所述噴流裝置(103)之流體入口吸入集流盆(105)中之熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將所述熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)進而形成熱所述傳流體(104)循環；以及設置浸入於該集流盆(105)之所述熱傳流體(104)中之熱交換裝置(120)，熱交換裝置(120)中之熱傳流體(104)，經該熱交換裝置(120)之流體出口所設置之流體泵(106)所泵送，經管路(108)流經設置於所述自然溫能體(200)中之所述均溫裝置(102)，再經熱交換裝置(120)之流體入口回流至熱交換裝置(120)，進而形成該熱交換裝置(120)與所述均溫裝置(102)間之所述熱傳流體(104)循環，並使該熱傳流體(104)藉所述均溫裝置(102)與所述自然溫能體(200)作均溫調節者；(五)為於所述集流盆(105)與所述均溫裝置(102)之間設置中繼熱交換裝置(121)，而該中繼熱交換裝置(121)之一次側之流體入口供通往所述集流盆(105)，而系統之運作為由所述噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自所述中繼熱交換裝置(121)一次側流體出口之所述熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將該熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)再流往該中繼熱交換裝置(121)一次側之流體入口，以構成所述中繼熱交換裝置(121)一次側之所述熱傳流體(104)循環；而所述中繼熱交換裝置(121)二次側之流體入口與出口，與設置於自然溫能體(200)中之均溫裝置(102)之間，設有所述流體泵(106)以泵送所述熱傳流體(104)，經管路(108)流經所述均溫裝置(102)再流回中繼熱交換裝置(121)之二次側，以構成所述中繼熱交換裝置(121)二次側與均溫裝置(102)間之所述熱傳流體(104)循環，並該使熱傳流體(104)藉所述均溫裝置(102)與所述自然溫能體(200)作均溫調節者；(六)於所述集流盆(105)與該均溫裝置(102)之間設置所述中繼熱交換裝置(121)，而系統之運作為由所述噴流裝置(103)之流體入口吸入來自該集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，噴注至電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將該熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)進而構成所述熱傳流體(104)循環，而所述中繼熱交換裝置(121)一次側之流體出口與該集流盆(105)之間，設有流體泵(1061)及管路(108)，供泵送一次側之熱傳流體(104)經管路(108)回流至該集流盆(105)，而構成一次側之熱傳流體(104)循環；而所述中繼熱交換裝置(121)二次側之流體入口與出口，與設置於該自然溫能體(200)中之所述均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)以泵送熱傳流體(104)，經管路(108)流經均溫裝置(102)再流回中繼熱交換裝置(121)之二次側，以構成所述中繼熱交換裝置(121)之二次側與所述均溫裝置(102)間之所述熱傳流體(104)循環，並使該熱傳流體(104)藉所述均溫裝置(102)與所述自然溫能體(200)作均溫調節；前述自然溫能體(200)為指地表、地層或河川、湖泊或人工水道或水管或水池等蓄溫體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其中，係包括由所述噴流裝置(103)之流體入口吸入所述集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將該熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)進而形成所述熱傳流體(104)循環，而藉由該集流盆(105)之殼體對外作均溫調節者，其主要構成如下：電能裝備(100)：係包括由電機、電控所構成之電能裝備，該電能裝備包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者；電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指所述電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與所述熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自所述噴流裝置(103)所噴注之所述熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)者；噴流裝置(103)：為在電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)及所述集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，所述噴流裝置(103)為經流體吸入管(1031)供將該集流盆(105)之所述熱傳流體(104)吸入，再噴往電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，所述噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於所述噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；集流盆(105)：為在所述電能裝備(100)之下側設有所述集流盆(105)，供儲存經由所述噴流裝置(103)噴往電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)回流之所述熱傳流體(104)，以及藉該集流盆(105)之殼體或盆中之流體對外傳輸熱能者；所述集流盆(105)與所述電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於所述電能裝備(100)或所述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至控制單元(ECU110)者；控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控所述噴流裝置(103)之運轉噴送所述熱傳流體(104)之時機及噴送熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對所述電能裝備(100)作減載或切斷供電者。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，所述熱傳流體(104)對外部作熱傳導之傳輸結構，進一步可為直接由所述噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)吸入來自設置於所述自然溫能體(200)所述均溫裝置(102)出口端管路(108)中之所述熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將所述熱傳流體(104)回流至所述集流盆(105)，以及流經設置於自然溫能體(200)之所述均溫裝置(102)，並使所述熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與該自然溫能體(200)作均溫調節，再回流至噴注裝置之流體入口進而形成所述熱傳流體(104)循環者；前述藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統主要構成如下：電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備，其中固態或氣態半導體所構成之電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指該電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與所述熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來所述自噴流裝置(103)所噴注之所述熱傳流體(104)回流至所述集流盆(105)者；均溫裝置(102)：為由熱傳材料依所需幾何形狀所構成，為具有流體入口、流體出口以及流體管路，供通過所述熱傳流體(104)，以使所通過所述熱傳流體(104)與所述自然溫能體(200)產生均溫作用者；均溫裝置(102)亦可由足夠長度之導熱性之管路(108)通過該自然溫能體(200)而產生均溫調節功能而替代者；噴流裝置(103)：為在電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)與所述集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，所述噴流裝置(103)為經流體吸入管(1031)直接吸入來自所述均溫裝置(102)之所述熱傳流體(104)噴往電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，所述噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於所述噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；集流盆(105)：為在所述電能裝備(100)之下側設有集流盆(105)，供儲存經由所述噴流裝置(103)噴往電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)回流之所述熱傳流體(104)，以藉所述噴流裝置(103)運作吸動熱傳流體(104)，使該集流盆(105)中之該熱傳流體(104)流經管路(108)及設置於所述自然溫能體(200)中之所述均溫裝置(102)與所述自然溫能體(200)互相傳輸熱能者；所述集流盆(105)與所述電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於所述電能裝備(100)或電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至控制單元(ECU110)者；管路(108)：為供所述熱傳流體(104)流動之管道結構；控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控所述噴流裝置(103)之運轉噴送熱傳流體(104)之時機及所述噴送熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對電能裝備(100)作減載或切斷供電者。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其電能裝備(100)進一步含：電能裝備(100)：包括由電機、電控所構成之電能裝備，該電能裝備包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其所述熱傳流體(104)對外部作熱傳導之傳輸結構，進一步可為由所述噴流裝置(103)之流體入口吸入所述集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至集流盆(105)，該集流盆(105)與設置於該自然溫能體(200)之所述均溫裝置(102)之間，設有該流體泵(106)及管路(108)，而藉由該流體泵(106)泵動集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，經由管路(108)流經設置於所述自然溫能體(200)之所述均溫裝置(102)，並使熱傳流體(104)藉所述均溫裝置(102)與所述自然溫能體(200)作均溫調節，再回流至該集流盆(105)進而形成所述熱傳流體(104)循環者；前述藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統主要構成如下：電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備，其中固態或氣態半導體所構成之電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指該電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與所述熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自所述噴流裝置(103)所噴注之所述熱傳流體(104)回流至所述集流盆(105)者；均溫裝置(102)：為由熱傳材料依所需幾何形狀所構成，為具有流體入口、流體出口以及流體管路，供通過所述熱傳流體(104)，以使所通過所述熱傳流體(104)與所述自然溫能體(200)產生均溫作用者；該均溫裝置(102)亦可由足夠長度之導熱性之管路(108)通過所述自然溫能體(200)而產生均溫調節功能而替代者；噴流裝置(103)：為在電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)與所述集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，所述噴流裝置(103)為經流體吸入管(1031)供將所述集流盆(105)之所述熱傳流體(104)吸入，再噴往電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，該噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所，驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於所述噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；集流盆(105)：為在所述電能裝備(100)之下側設有所述集流盆(105)，供儲存經由所述噴流裝置(103)噴往電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)回流之所述熱傳流體(104)，藉流體泵(106)經管路(108)泵送所述熱傳流體(104)流經設置於所述自然溫能體(200)中之所述均溫裝置(102)與所述自然溫能體(200)互相傳輸熱能者；所述集流盆(105)與該電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；流體泵(106)：為由機力或電力所驅動之流體泵(106)，供接受控制單元(ECU110)所操控之電機裝置如馬達或電磁線圈所驅動，以泵送所述熱傳流體(104)者；溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於所述電能裝備(100)或電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至控制單元(ECU110)者；管路(108)：為供所述熱傳流體(104)流動之管道結構；控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控噴流裝置(103)之運轉噴送所述熱傳流體(104)之時機及噴送所述熱傳流體(104)之流量，與操控流體泵(106)泵送運轉時機，以及泵送所述均溫裝置(102)與所述集流盆(105)之間熱傳流體(104)之流量者；而藉操所述控噴流裝置(103)及流體泵(106)之運轉時機及泵送所述熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對所述電能裝備(100)作減載或切斷供電者。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其電能裝備(100)進一步含：電能裝備(100)：包括由電機、電控所構成之電能裝備，該電能裝備包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其所述熱傳流體(104)對外部作熱傳導之傳輸結構，進一步可為由所述噴流裝置(103)之流體入口吸入所述集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將所述熱傳流體(104)回流至所述集流盆(105)進而形成所述熱傳流體(104)循環；以及設置浸入於該集流盆(105)之所述熱傳流體(104)中之熱交換裝置(120)，熱交換裝置(120)中之所述熱傳流體(104)，經熱交換裝置(120)之流體出口所設置之流體泵(106)所泵送，經管路(108)流經設置於所述自然溫能體(200)中之所述均溫裝置(102)，再經熱交換裝置(120)之流體入口回流至熱交換裝置(120)，進而形成所述熱交換裝置(120)與所述均溫裝置(102)間之所述熱傳流體(104)循環，並使所述熱傳流體(104)藉所述均溫裝置(102)與所述自然溫能體(200)作均溫調節者；前述藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統主要構成如下：電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備，該電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指該電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與所述熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自所述噴流裝置(103)所噴注之所述熱傳流體(104)回流至所述集流盆(105)者；均溫裝置(102)：為由熱傳材料依所需幾何形狀所構成，為具有流體入口、流體出口以及流體管路，供通過熱所述傳流體(104)，以使所通過所述熱傳流體(104)與所述自然溫能體(200)產生均溫作用者；所述均溫裝置(102)亦可由足夠長度之導熱性之管路(108)通過自然溫能體(200)而產生均溫調節功能而替代者；噴流裝置(103)：為在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)與所述集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，所述噴流裝置(103)為經流體吸入管(1031)供將所述集流盆(105)之所述熱傳流體(104)吸入，再噴往所述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，所述噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於所述噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；集流盆(105)：為在所述電能裝備(100)之下側設有所述集流盆(105)，供儲存經由所述噴流裝置(103)噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)回流之所述熱傳流體(104)，以及藉設置浸入於所述集流盆(105)之所述熱傳流體(104)中之所述熱交換裝置(120)，浸入於該集流盆(105)之熱交換裝置(120)中之所述熱傳流體(104)，藉流體泵(106)經管路(108)泵送該熱傳流體(104)，經設置於所述自然溫能體(200)中之所述均溫裝置(102)與所述自然溫能體(200)互相傳輸熱能者；該集流盆(105)與所述電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；流體泵(106)：為由機力或電力所驅動之流體泵(106)，供接受控制單元(ECU110)所操控之電機裝置如馬達或電磁線圈所驅動，以泵送熱傳流體(104)者；溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於電能裝備(100)或電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至控制單元(ECU110)者；管路(108)：為供所述熱傳流體(104)流動之管道結構；控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控所述噴流裝置(103)之運轉噴送所述熱傳流體(104)之時機及噴送所述熱傳流體(104)之流量，與操控流體泵(106)泵送運轉時機，以及泵送所述均溫裝置(102)與所述集流盆(105)之間熱傳流體(104)之流量者；而藉操控所述噴流裝置(103)及流體泵(106)之運轉時機及泵送所述熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對所述電能裝備(100)作減載或切斷供電者；熱交換裝置(120)：為由可作熱傳導材料及所需幾何形狀所構成，供浸入於所述集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)之中，為具有流體入口、流體出口以及流體管路，以供通所述過熱傳流體(104)與所述集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)互相傳輸熱能者。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其電能裝備(100)進一步含：電能裝備(100)：包括由電機、電控所構成之電能裝備，該電能裝備包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其熱傳流體(104)對外部作熱傳導之傳輸結構，進一步可為於所述集流盆(105)與所述均溫裝置(102)之間設置中繼熱交換裝置(121)，而該中繼熱交換裝置(121)之一次側之流體入口供通往該集流盆(105)，而系統之運作為由所述噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自所述中繼熱交換裝置(121)一次側流體出口之所述熱傳流體(104)，以噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將該熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)再流往該中繼熱交換裝置(121)一次側之流體入口，以構成該中繼熱交換裝置(121)一次側之所述熱傳流體(104)循環；而該中繼熱交換裝置(121)二次側之流體入口與出口，與設置於所述自然溫能體(200)中之所述均溫裝置(102)之間，設有流體泵(106)以泵送熱傳流體(104)，經管路(108)流經均溫裝置(102)再流回該中繼熱交換裝置(121)之二次側，以構成該中繼熱交換裝置(121)二次側與所述均溫裝置(102)間之所述熱傳流體(104)循環，並使熱傳流體(104)藉均溫裝置(102)與自然溫能體(200)作均溫調節者；前述藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統主要構成如下：電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備，其中固態或氣態半導體所構成之電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指該電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與所述熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自所述噴流裝置(103)所噴注之所述熱傳流體(104)回流至所述集流盆(105)者；均溫裝置(102)：為由熱傳材料依所需幾何形狀所構成，為具有流體入口、流體出口以及流體管路，供通過所述熱傳流體(104)，以使所通過所述熱傳流體(104)與所述自然溫能體(200)產生均溫作用者；所述均溫裝置(102)亦可由足夠長度之導熱性之管路(108)通過所述自然溫能體(200)而產生均溫調節功能而替代者；噴流裝置(103)：為在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)與所述集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，而由所述噴流裝置(103)之流體吸入管(1031)直接吸入來自所述中繼熱交換裝置(121)一次側流體出口之所述熱傳流體(104)，再噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，所述噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於所述噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；集流盆(105)：為在電能裝備(100)之下側設有所述集流盆(105)，供儲存經由所述噴流裝置(103)噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)回流之所述熱傳流體(104)，以經管路(108)泵送所述熱傳流體(104)輸入所述中繼熱交換裝置(121)一次側入口端者；所述集流盆(105)與所述電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；流體泵(106)：為由機力或電力所驅動之所述流體泵(106)，供接受控制單元(ECU110)所操控之電機裝置如馬達或電磁線圈所驅動，以泵送所述熱傳流體(104)者；溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於電能裝備(100)或電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至操控單元(ECU110)者；管路(108)：為供熱傳流體(104)流動之管道結構控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動所述流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控所述噴流裝置(103)之運轉泵噴送所述熱傳流體(104)之時機及噴送所述熱傳流體(104)之流量，與操控所述流體泵(106)泵送運轉時機，以及泵送所述均溫裝置(102)與所述集流盆(105)之間所述熱傳流體(104)之流量者；而藉操控所述噴流裝置(103)及所述流體泵(106)之運轉時機及泵送所述熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對所述電能裝備(100)作減載或切斷供電者；中繼熱交換裝置(121)：為由可作熱傳導材料及所需幾何形狀所構成，具有一次側流路及二次側流路，其中一次側流路之所述熱傳流體(104)入口端供與所述集流盆(105)相通，一次側流路出口端供與所述噴流裝置(103)相通；二次側管路與所述均溫裝置(102)之間設有所述流體泵(106)而呈閉環之管路，以供泵送管路(108)內之所述熱傳流體(104)作循環流動者。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其電能裝備(100)進一步含：電能裝備(100)：包括由電機、電控所構成之電能裝備，該電能裝備包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其熱傳流體(104)對外部作熱傳導之傳輸結構，進一步可為於所述集流盆(105)與所述均溫裝置(102)之間設置所述中繼熱交換裝置(121)，而系統之運作為由所述噴流裝置(103)之流體入口吸入來自集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，噴注至電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，再將所述熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)進而構成所述熱傳流體(104)循環，而所述中繼熱交換裝置(121)一次側之流體出口與該集流盆(105)之間，設有流體泵(1061)及管路(108)，供泵送一次側之所述熱傳流體(104)經管路(108)回流至該集流盆(105)，而構成一次側之所述熱傳流體(104)循環；而所述中繼熱交換裝置(121)二次側之流體入口與出口，與設置於所述自然溫能體(200)中之所述均溫裝置(102)之間，設有所述流體泵(106)以泵送所述熱傳流體(104)，經管路(108)流經所述均溫裝置(102)再流回所述中繼熱交換裝置(121)之二次側，以構成該中繼熱交換裝置(121)之二次側與該均溫裝置(102)間之所述熱傳流體(104)循環，並使所述熱傳流體(104)藉所述均溫裝置(102)與所述自然溫能體(200)作均溫調節者；前述藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統主要構成如下：電能裝備(100)：包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備，包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能(photovoltaic)之光能發電裝置、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；或包括電機或電控所構成之電能裝備，包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者；電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指該電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與所述熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來自所述噴流裝置(103)所噴注之所述熱傳流體(104)回流至所述集流盆(105)者；均溫裝置(102)：為由熱傳材料及結構及所需幾何形狀所構成，供通過所述熱傳流體(104)，以使所通過所述熱傳流體(104)與所述自然溫能體(200)產生均溫作用者；所述均溫裝置(102)亦可由足夠長度之導熱性之管路(108)通過所述自然溫能體(200)而產生均溫調節功能而替代者；噴流裝置(103)：為在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)與所述集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，所述噴流裝置(103)經流體吸入管(1031)吸入來自所述集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，再噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，所述噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於所述噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之熱傳流體(104)；集流盆(105)：為在所述電能裝備(100)之下側設有所述集流盆(105)，供儲存經由所述噴流裝置(103)噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)回流之所述熱傳流體(104)，以藉該流體泵(106)經管路(108)泵送所述熱傳流體(104)流經所述中繼熱交換裝置(121)之一次側管路(108)入口端，再由其出口端泵回所述集流盆(105)者；所述集流盆(105)與所述電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；流體泵(106)、(1061)：為由機力或電力所驅動之流體泵，供接受控制單元(ECU110)所操控之電機裝置如馬達或電磁線圈所驅動，以泵送所述熱傳流體(104)者；溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於所述電能裝備(100)或電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至操控制單元(ECU110)者；管路(108)：為供熱傳流體(104)流動之管道結構；控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)、(1081)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控所述噴流裝置(103)之運轉噴送所述熱傳流體(104)之時機及噴送熱傳流體(104)之流量，與操控所述流體泵(106)、(1061)泵送運轉時機，以及泵送所述均溫裝置(102)與所述中繼熱交換裝置(121)二次側流路之間熱傳流體(104)之流量者；而藉操控所述噴流裝置(103)及所述流體泵(106)、(1061)之運轉時機及泵送所述熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對所述電能設備(100)作減載或切斷供電者；中繼熱交換裝置(121)：為由可作熱傳導材料及所需幾何形狀所構成，具有一次側流路及二次側流路，其中一次側流路之所述熱傳流體(104)入口端供與所述集流盆(105)相通，並設置流體泵(1061)及管路(108)，供泵送所述熱傳流體(104)至該集流盆(105)而構成一次側之熱傳流體(104)之循環者；二次側管路(108)與所述均溫裝置(102)之間設有所述流體泵(106)而呈閉環之管路(108)，以供泵送管路(108)內之所述熱傳流體(104)作循環流動者。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其電能裝備(100)進一步含：電能裝備(100)：包括由電機、電控所構成之電能裝備，該電能裝備包括電源供給裝置、變壓器、電抗器、靜止電機、馬達、發電機、渦流傳動裝置、迴轉電機、電機驅動控制裝置、變流裝置(converter)，換流裝置(inverter)、充電裝置、電能控制裝置、電磁能控制裝置所構成之電能裝備者。
  13. 如申請專利範圍第11或12項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，進一步可由兩個或兩個以上之所述集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)經個別之所述流體泵(1061)及管路(108)，共同通往中繼熱交換裝置(121)之一次側者。
  14. 如申請專利範圍第11或12項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，進一步可由兩個或兩個以上之所述中繼熱交換裝置(121)之二次側，通往共用均溫裝置(102)者。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，所述噴流裝置(103)為將流體經所述噴流裝置(103)噴注為呈細顆粒狀或細微之霧狀噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，使呈細顆粒狀或細微之霧狀流體被加速噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)之表面而擴散成薄膜及被蒸發，並壓迫先前已被蒸發之氣態流體遠離電能裝備之對外熱傳介面結構(101)表面者。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其中所述噴流裝置(103)進一步在電能裝備之對外熱傳介面結構(101)設置直膨式(dry-expansion)蒸發裝置、或滿液式(flooded)蒸發裝置、或噴淋式(spray type)蒸發裝置、或滴淋式(falling type)蒸發裝置以構成對電能裝備之對外熱傳介面結構(101)之均溫運作功能者。
  17. 一種藉流體噴流導熱之電能裝備均溫系統，其中，係包括由所述噴流裝置(103)之流體入口吸入所述集流盆(105)中之所述熱傳流體(104)，以噴注至該電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)，再將熱傳流體(104)回流至該集流盆(105)進而形成所述熱傳流體(104)循環，而藉由該集流盆(105)之殼體對外作均溫調節者，其主要構成如下：電能裝備(100)：係包括由固態或氣態半導體所構成之電能裝備及電機、電控所構成之電能裝備，其中固態或氣態半導體所構成之電能裝備包括結合於散熱裝置之半導體所構成、或由封裝之半導體所構成、或由結合於散熱裝置之封裝後半導體所構成者；包括半導體所結合之散熱裝置包括液態、或氣態、或固態、或具熱管之散熱裝置所構成，半導體裝備之半導體種類可為含以下一種或一種以上所構成，包括：各種發光二極體(LED)、氣態半導體之電能轉光能之發光裝置、光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)、功率電晶體、整流二極體、閘流體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、可關斷晶閘管(Gate Turn-Off thyristor,GTO)、矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)、雙向晶閘管(Triode for Alternating Current,TRIAC)、及線性電晶體、各種含半導體之積體電路、記憶體、中央處理器(CPU)、伺服器所構成者；電能裝備之對外熱傳介面結構(101)：為指該電能裝備(100)之對外熱傳結構所構成，其表面為具有與所述熱傳流體(104)相容而不會被侵蝕之性質，以及具有防潮之結構或防潮層者；上述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)可為呈水平或垂直或傾斜面設置，以供來所述自噴流裝置(103)所噴注之所述熱傳流體(104)回流至所述集流盆(105)者；噴流裝置(103)：為在所述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)及所述集流盆(105)之間設置一個或一個以上之噴流裝置，該噴流裝置(103)為經流體吸入管(1031)供將集流盆(105)之所述熱傳流體(104)吸入，再噴往電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，該噴流裝置(103)為藉由機力、或電力或超音波所驅動而將吸入之液態熱傳流體(104)呈噴注噴出，或使氣態熱傳流體(104)呈噴注噴出者；熱傳流體(104)：為常態呈液態，具導熱功能之流體，於所述噴流裝置(103)噴出後呈液狀或呈顆粒狀液體或霧狀或氣態之所述熱傳流體(104)，或液態轉氣態或氣態轉液態之所述熱傳流體(104)；集流盆(105)：為在所述電能裝備(100)之下側設有所述集流盆(105)，供儲存經由所述噴流裝置(103)噴往電能裝備之所述對外熱傳介面結構(101)回流之所述熱傳流體(104)，以及藉該集流盆(105)之殼體或盆中之流體對外傳輸熱能者；所述集流盆(105)與所述電能裝備(100)間之結構包括採用開放式、或半開放式、或封閉式結構型態；溫度檢測裝置(107)：為由一個或一個以上之可檢測溫度變化之物理性或化學性溫度檢測裝置所構成，供設置於所述電能裝備(100)或所述電能裝備之對外熱傳介面結構(101)，以供作溫度指示、或提供操控信號回授至控制單元(ECU110)者；控制單元(ECU110)：為由機電或固態電子電路及相關軟體所構成，供接受電源之電能，如來自市電或來自儲電裝置之電能、或來自再生能源如風力發電機或光能轉電能之太陽能發電板(photovoltaic)或聚光型太陽能發電板(concentrating photovoltaic)之電能以驅動流體泵(106)及系統之運作，其功能為供依溫度檢測裝置(107)之溫度檢測信號及系統之溫度設定值，以操控所述噴流裝置(103)之運轉噴送熱傳流體(104)之時機及所述噴送熱傳流體(104)之流量，使系統運作於設定溫度範圍；以及於系統溫度異常時，操控系統對電能裝備(100)作減載或切斷供電者。
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