TWI677992B - 太陽電池 - Google Patents

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金碩徹
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梁相賢
Sang Hyun Yang
李薺壹
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Abstract

本發明揭示一種太陽電池。所述太陽電池包括基底及形成於所述基底的至少一個表面上的電極。所述電極是由包含氧化鎢粒子的電極膏形成。此外，當在剝離角度為180°、拉伸速率為50 mm/min條件下測量時，所述電極對於帶的黏合強度為4 N/mm至6 N/mm。因此，本發明的實施例可提供在表現出優異的轉換效率的同時，在黏合強度、開路電壓、及串聯電阻方面表現出極佳性質的太陽電池。

Description

太陽電池
本發明是有關於一種太陽電池。
太陽電池的電極是通過施用電極膏（electrode paste）、對所述電極膏進行圖案化及烘烤而形成於晶圓上。
為提高太陽電池的效率而持續減小射極（emitter）厚度可導致分流（shunting），而分流可使太陽電池的性能劣化。此外，為實現高的效率，太陽電池的面積在逐漸增大。然而，可存在因太陽電池的接觸電阻增大而使效率降低的問題。
參見圖1A及圖1B，構成太陽電池的電池1可通過帶（ribbon）3連接至相鄰電池（未示出）。此處，可使帶直接接觸母線2（其為一種電極）。帶與電極之間的不良黏合可導致電極的串聯電阻增大且因此導致太陽電池的轉換效率降低。
典型的太陽電池包括由包含含鉛玻璃料（lead-containing glass frit）的電極膏製備的電極。在此種情形中，可能難以保證電極與帶之間的充分黏合。
所述電極可以是前電極或後電極。
所述基底可包括依序形成於所述基底的正面上的抗反射膜及所述前電極。此外，所述基底可包括依序形成於所述基底的背面上的背面場層及所述後電極。
所述基底中可具有PN結。
所述氧化鎢粒子在烘烤之前可具有為0.1 mm至5 mm的平均粒徑（D50）。
所述基底可具有形成於其正面上的紋理化結構。
所述電極膏可包含銀（Ag）粉末；玻璃料；所述氧化鎢粒子、及有機載體。以所述電極膏的總重量計，所述氧化鎢粒子可以0.1 重量%（wt%）至1.0 wt%的量存在。
所述玻璃料可為含有元素鉍（Bi）及元素碲（Te）的Bi-Te-O系玻璃料。
所述Bi-Te-O系玻璃料可含有25莫耳%（mol%）至85 mol%的元素碲（Te）。
所述Bi-Te-O系玻璃料中元素鉍（Bi）對元素碲（Te）的莫耳比可在1:0.1至1:50範圍內。
所述Bi-Te-O系玻璃料還可包含選自由下列組成的族群的至少一種金屬元素：鋰（Li）、磷（P）、鍺（Ge）、鎵（Ga）、鈰（Ce）、鐵（Fe）、矽（Si）、鋅（Zn）、鎢（W）、鎂（Mg）、銫（Cs）、鍶（Sr）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、錫（Sn）、銦（In）、釩（V）、鋇（Ba）、鎳（Ni）、銅（Cu）、鈉（Na）、鉀（K）、砷（As）、鈷（Co）、鋯（Zr）、錳（Mn）、及鋁（Al）。
根據本發明的實施例，可提供一種電極膏，所述電極膏可形成對於帶具有極佳黏合強度的電極。此外，可提供一種包括由所述電極膏形成的電極的太陽電池。
根據本發明的實施例，可提供一種包含低串聯電阻且開路電壓得到提高的電極的太陽電池。
進一步，根據本發明的實施例，可提供一種表現出極佳的轉換效率的太陽電池。
以下，將參照附圖來闡述根據本發明實施例的太陽電池。
圖2是根據本發明一個實施例的太陽電池的示意圖。參見圖2，根據本實施例的太陽電池100包括基底10、形成於基底10的正面上的前電極23、及形成於基底10的背面上的後電極21。
在本實施例中，基底10可為其中具有PN結的基底。具體而言，基底10可包括半導體基底11及射極12。更具體而言，基底10可為其中在p型半導體基底11的一個表面上形成n型射極12的基底。作為另一選擇，基底10可為其中在n型半導體基底11的一個表面上形成p型射極12的基底。此處，半導體基底11意指p型基底與n型基底中的任一者。P型基底可為摻雜有p型摻雜劑的半導體基底11，且n型基底可為摻雜有n型摻雜劑的半導體基底11。
在對基底10、半導體基底11及類似者的說明中，將接收入射光的表面稱為正面（光接收表面）。此外，將與正面相對的表面稱為背面。
在本實施例中，半導體基底11可由結晶矽半導體或化合物半導體形成。此處，結晶矽可為單晶矽或多晶矽。例如，作為結晶矽，可使用矽晶圓。
在此種情形中，p型摻雜劑可為包含例如硼、鋁、或鎵等III族元素的材料。此外，n型摻雜劑可為包含例如磷、砷、或銻等V族元素的材料。
形成於基底10的表面上的後電極21或前電極23可由下文所將闡述的電極膏形成。具體而言，所述電極可通過將電極膏印刷於基底上並對電極膏進行烘烤而形成。
根據本實施例的太陽電池包括由用於太陽電池電極的膏形成的電極，所述膏包含氧化鎢（WO3 ）粒子。此外，當在剝離角度為180°、拉伸速率為50 mm/min條件下測量時，所述電極對於帶的黏合強度為4 N/mm至6 N/mm。因此，所述太陽電池表現出極佳的轉換效率。
圖3為根據本發明另一實施例的太陽電池200的示意圖。參見圖3，根據本實施例的太陽電池包括通過在半導體基底11a的正面上形成射極12a而獲得的基底10a。基底10a可具有形成於其正面上的抗反射膜30及前電極23a。此外，基底10a可具有依序形成於其背面上的背面場層（back surface field layer）40、抗反射膜50、及後電極21a。此處，前電極23a或後電極21a可被形成為母線圖案形式。
以下，為便於說明，將假定半導體基底11a是p型基底來闡述每一組件。然而，應理解，本發明的實施例並非僅限於此，且半導體基底11a可為n型基底。
p型半導體基底11a的一個表面摻雜有n型摻雜劑，以形成n型射極12a，從而可在半導體基底與射極之間的介面形成PN結。在PN結中產生的電子可被前電極23a收集。
基底10a可在其正面上具有紋理化結構（未示出）。所述紋理化結構可通過利用所屬領域中已知的典型方法（例如蝕刻）對基底10a的正面進行表面處理而形成。所述紋理化結構用於會聚進入基底的正面的光。所述紋理化結構可具有錐體形狀（pyramidal shape）、方形蜂窩形狀（square honeycomb shape）、三角形蜂窩形狀（triangular honeycomb shape）等等。因此，所述紋理化結構使更多的光能夠到達PN結並在最小化光學損耗的同時減少光的反射。
所述p型基底可在其背面上形成有能夠引起背面場（BSF）效應的背面場（BSF）層40。
背面場層40是通過對p型半導體基底11a的背面摻雜高濃度的p型摻雜劑而形成。背面場層40具有比p型半導體基底11a高的摻雜濃度，此會在背面場層40與p型半導體基底11a之間形成電位差。這使得在p型半導體基底11a中產生的電子難以朝p型半導體基底11a的背面移動，以防止與金屬複合（recombination），從而減少電子損耗。由此，可提高開路電壓（Voc）與填充因數（fill factor）二者，從而提高太陽電池效率。
第一抗反射膜30及/或第二抗反射膜50可分別形成於n型射極12a的上表面上及背面場層40的下表面上。
第一抗反射膜30及第二抗反射膜50可在增強特定波長的光吸收的同時減少光的反射。此外，第一抗反射膜30及第二抗反射膜50可增強與存在於基底10a表面上的矽的接觸效率，從而提高太陽電池效率。因此，第一抗反射膜30及第二抗反射膜50可包含較少地反射光並表現出電絕緣性的材料。進一步，第一抗反射膜30及第二抗反射膜50可在其表面上具有凸/凹結構，或者可具有與形成於基底上的紋理化結構相同的形式。在此種情形中，可降低入射光的回程損耗（return loss）。
第一抗反射膜30及第二抗反射膜50可包含選自例如以下中的至少一種材料：氧化物，包括氧化鋁（Al2 O3 ）、氧化矽（SiO2 ）、氧化鈦（TiO2 或TiO4 ）、氧化鎂（MgO）、氧化鈰（CeO2 ）、或其組合；氮化物，包括氮化鋁（AlN）、氮化矽（SiNx）、氮化鈦（TiN）、或其組合；以及氮氧化物，包括氮氧化鋁（AlON）、氮氧化矽（SiON）、氮氧化鈦（TiON）、或其組合。在此種情形中，可進一步增強抗反射效率。
抗反射膜30及抗反射膜50可通過例如原子層沉積（atomic layer deposition，ALD）、真空沉積、大氣壓化學氣相沉積（atmospheric pressure chemical vapor deposition）、電漿增強化學氣相沉積（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD）等等而形成。
在一個實例中，抗反射膜30及抗反射膜50可由氮化矽（SiNx）或類似材料通過電漿增強化學氣相沉積（PECVD）而形成。再舉例而言，抗反射膜30及抗反射膜50可由氧化鋁（Al2O3）或類似材料通過原子層沉積（ALD）而形成。
在一個實施例中，第一抗反射膜30可形成於基底10a的正面上，並可具有單層式結構或多層式結構。
進一步，在另一實施例中，當p型半導體基底11a的背面摻雜有硼以形成背面場層時，可另外形成第二抗反射膜50。第二抗反射膜50可進一步提高開路電壓。
在形成這些抗反射膜之後，可形成電性連接至n型射極12a的前電極23a及電性連接至p型半導體基底11a的後電極21a。前電極23a使被n型射極收集的電子能夠流動。後電極21a與p型基底電性連通，且後電極21a用作供電流流動的路徑。
在本實施例中，前電極23a及後電極21a可由電極膏形成。
例如，可將電極膏印刷於PN結基底的背面上。然後，通過在200℃至400℃下乾燥10秒至60秒來執行用於製備後電極的初步製程。進一步，可通過在PN結基底的正面上印刷電極膏、接著對所印刷的膏進行乾燥來執行用於製備前電極的初步製程。然後，可通過在400℃至950℃下、例如在750℃至950℃下烘烤30秒至180秒而形成前電極及後電極。
具體而言，通過利用下述電極膏來形成根據本發明此實施例的前電極及後電極，可在電極與帶之間提供極佳的黏合強度。此外，根據本發明一個實施例的電極膏可使太陽電池的串聯電阻最小化並提高太陽電池的開路電壓，從而確保極佳的轉換效率。電極膏
根據本發明的電極膏可包含：銀（Ag）粉末；玻璃料；氧化鎢粒子；及有機載體。（ A ）銀粉末
根據本發明的電極膏包含銀（Ag）粉末作為導電粉末。銀粉末的粒徑可為納米級或微米級。例如，銀粉末可具有幾十納米至幾百納米、或幾微米至幾十微米的粒徑。作為另一選擇，銀粉末可為粒徑不同的兩種或更多種銀粉末的混合物。
例如，銀粉末可具有球形、薄片形或無定形（amorphous）形狀。
銀粉末可具有0.1 mm至10 mm、特別是0.5 mm至5 mm的平均粒徑（D50）。在此範圍內，所述膏可提供低的接觸電阻及低的線電阻（line resistance）。
可在通過超聲破碎法（ultrasonication）在25℃下將導電粉末分散於異丙醇（isopropyl alcohol，IPA）中3分鐘後，利用1064D型粒徑分析儀（茨拉斯有限公司（CILAS Co., Ltd.））測量平均粒徑。以電極膏的總重量計，銀粉末可以60 wt%至95 wt%的量存在。在此範圍內，導電粉末可降低電阻，從而提高轉換效率。此外，會有利地實現膏的形成。具體而言，以電極膏的總重量計，銀粉末可以70 wt%至90 wt%的量存在。（ B ）玻璃料
通過在電極膏的烘烤製程中蝕刻抗反射膜，玻璃料可在射極區中形成銀結晶顆粒。結果，可降低太陽電池的電阻。此外，玻璃料用於增強導電粉末與晶圓之間的黏合。進一步，在烘烤製程中，玻璃料會軟化並降低烘烤溫度。當太陽電池的面積增大時，可存在太陽電池接觸電阻增大的問題。因此，需要使串聯電阻以及使太陽電池面積增大對於PN結的影響二者最小化。此外，玻璃料需要確保具有充分的熱穩定性，以耐受寬廣範圍的烘烤溫度。
根據一個實施例的玻璃料可為Bi-Te-O系玻璃料。Bi-Te-O系玻璃料是指源於包括氧化鉍（Bi）及氧化碲（Te）的金屬氧化物、並含有元素鉍（Bi）及元素碲（Te）的玻璃料。
所述Bi-Te-O系玻璃料可含有25 mol%至85 mol%的元素碲（Te）。此外，所述玻璃料可包含莫耳比為1:0.1至1:50的元素鉍（Bi）與元素碲（Te）。在此範圍內，所述玻璃料可降低電極的串聯電阻（Rs）並提高電極的開路電壓（Voc），從而提高太陽電池的轉換效率。
在另一實施例中，所述玻璃料還可包含選自由下列組成的族群的至少一種金屬元素：鋰（Li）、磷（P）、鍺（Ge）、鎵（Ga）、鈰（Ce）、鐵（Fe）、矽（Si）、鋅（Zn）、鎢（W）、鎂（Mg）、銫（Cs）、鍶（Sr）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、錫（Sn）、銦（In）、釩（V）、鋇（Ba）、鎳（Ni）、銅（Cu）、鈉（Na）、鉀（K）、砷（As）、鈷（Co）、鋯（Zr）、錳（Mn）、及鋁（Al）。
在一個實施例中，所述玻璃料可包含5 wt%至20 wt%的氧化鉍、60 wt%至80 wt%的氧化碲、1 wt%至10 wt%的氧化鋅、及1 wt%至10 wt%的氧化鋰。
例如，所述玻璃料中所包含的每一金屬組分的含量可通過電感耦合電漿發射光譜法（inductively coupled plasma-optical emission spectrometry，ICP-OES）來測量。
所述玻璃料可由如上所述的金屬氧化物通過所屬領域中已知的任何典型方法來製備。例如，可將各金屬氧化物以預定比率混合。混合可使用球磨機（ball mill）或行星磨機（planetary mill）進行。可將混合後的電極膏在800℃至1,300℃下熔融，接著淬火至25℃。可使用盤磨機（disk mill）、行星磨機等粉碎所得的產物，從而製備玻璃料。
所述玻璃料可具有為0.1 mm至10 mm的平均粒徑（D50）。所述玻璃料可具有球形或無定形形狀。
以電極膏的總重量計，玻璃料可以0.1 wt%至20 wt%的量、特別是0.5 wt%至10 wt%的量存在。在此範圍內，可在薄層電阻（sheet resistance）變化的條件下確保PN結的穩定性。進一步，可最小化電極的串聯電阻，從而提高太陽電池效率。（ C ）氧化鎢粒子
太陽電池可包括多個電池。在此種情形中，電池通過帶連接至相鄰電池。帶可以母線形式直接附接至電極。因此，如果不能充分地確保太陽電池電極與帶之間的黏合強度，則存在各電池可能會分離或太陽電池可靠性降低之虞。
在根據本發明實施例的太陽電池中，電極是由含有氧化鎢粒子的電極膏形成。因此，電極可具有極佳的電性性質且對於帶具有優異的黏合強度。
在一個實施例中，所述電極膏可包含氧化鎢（WO3 ）粒子。所述氧化鎢（WO3 ）粒子可為粉末狀粒子或顆粒狀粒子。所述氧化鎢（WO3 ）粒子在烘烤之前可具有例如0.1 mm至10 mm、特別是0.1 mm至5 mm的平均粒徑（D50）。在此範圍內，電極可確保極佳的黏合強度及光電轉換效率。
以電極膏的總重量計，所述氧化鎢粒子可以0.1 wt%至1.0 wt%的量存在。在此範圍內，可在電極蝕刻期間形成精確的圖案。此外，可在確保極佳的黏合強度的同時提高電極的開路電壓。（ D ）有機載體
通過與所述膏的無機組分進行機械混合，有機載體使電極膏具有適合於印刷的適宜黏度和流變特性。
所述有機載體可為在電極膏中使用的任何典型有機載體，並可包括黏合劑樹脂、溶劑等。
所述黏合劑樹脂可選自丙烯酸酯樹脂（acrylate resin）或纖維素樹脂（cellulose resin）。一般使用乙基纖維素作為黏合劑樹脂。此外，黏合劑樹脂可選自乙基羥乙基纖維素（ethyl hydroxyethyl cellulose）、硝基纖維素（nitrocellulose）、乙基纖維素與酚醛樹脂（phenol resin）的摻合物、醇酸樹脂（alkyd resin）、酚醛樹脂（phenol resin）、丙烯酸酯樹脂（acrylate ester resin）、二甲苯樹脂（xylene resin）、聚丁烯樹脂（polybutene resin）、聚酯樹脂（polyester resin）、脲樹脂（urea resin）、三聚氰胺樹脂（melamine resin）、乙酸乙烯酯樹脂（vinyl acetate resin）、木松香（wood rosin）、或醇的聚甲基丙烯酸酯（polymethacrylate of alcohol）、等等。
所述溶劑可選自例如己烷（hexane）、甲苯（toluene）、乙基溶纖劑（ethyl cellosolve）、環己酮（cyclohexanone）、丁基溶纖劑（butyl cellosolve）、丁基卡必醇（二乙二醇單丁醚）（butyl carbitol (diethylene glycol monobutyl ether)）、二丁基卡必醇（二乙二醇二丁醚）（dibutyl carbitol (diethylene glycol dibutyl ether)）、丁基卡必醇乙酸酯（二乙二醇單丁醚乙酸酯）（butyl carbitol acetate (diethylene glycol monobutyl ether acetate)）、丙二醇單甲醚（propylene glycol monomethyl ether）、己二醇（hexylene glycol）、松油醇（terpineol）、甲基乙基酮（methylethylketone）、苯甲醇（benzylalcohol）、γ-丁內酯（γ-butyrolactone）、乳酸乙酯（ethyl lactate）、及其組合。這些溶劑可單獨使用或組合使用。
以所述電極膏的總重量計，所述有機載體可以1 wt%至30 wt%的量存在。在此範圍內，所述有機載體可提供足夠的黏合強度和對膏的極佳的可印刷性。（ E ）添加劑
需要時，所述電極膏可進一步包含用於增強流動性及製程性質以及穩定性的典型添加劑。所述添加劑可包括分散劑、觸變劑、增塑劑、保黏劑（viscosity stabilizer）、消泡劑、顏料、紫外線（UV）穩定劑、抗氧化劑、偶聯劑等等，但並非僅限於此。這些添加劑可單獨使用或以其混合物形式使用。以所述電極膏的總重量計，所述添加劑可以0.1 wt%至5 wt%的量存在。所述添加劑的含量可根據需要而改變。
接下來，將參照實例來更詳細地闡述本發明。然而，應注意，這些實例僅供舉例說明而不應被視為以任何方式限定本發明。實例 1 至實例 5 和對照實例 1 至對照實例 2 實例 1
作為有機黏合劑，將1.0 wt%的乙基纖維素（STD4，陶氏化學公司（Dow Chemical Company））在60℃下充分溶解於6.6 wt%的Texanol中，並向所述黏合劑溶液中加入89.0 wt%的平均粒徑為2.0 mm的球形銀粉末（AG-4-8，同和高科技有限公司（Dowa Hightech Co. Ltd.））、2.5 wt%的玻璃料I（其是根據表1所列成分製備而成）、0.1 wt%的平均粒徑（D50）為0.5 mm的氧化鎢粒子（99% WO3 粉末，高純度化學研究所（Kojundo Chemicals）製造）、0.4 wt%的分散劑BYK102（畢克化學公司（BYK-Chemie））、以及0.4 wt%的觸變劑Thixatrol ST（海名斯公司（Elementis Co, Ltd.）），然後使用3輥捏煉機（3-roll kneader）進行混合及捏煉，從而製備電極膏。
將所製備的電極膏通過絲網印刷（使用由微科公司（Microtech Inc.）製造的印刷機，325目，指寬（finger width）60 mm）以預定圖案沉積於薄層電阻為90 W的晶體多層式晶圓的正面上，接著在紅外線（IR）乾燥爐中進行乾燥。然後，以與上述相同的方式將鋁膏印刷於晶圓的背面並進行乾燥。將根據此程序形成的電池在帶式烘烤爐（belt-type baking furnace）中在980℃下烘烤30秒至210秒，並評價以下性質。結果顯示於表3中。實例 2 至實例 5 和對照實例 1 至對照實例 2
除了根據表1所列成分製備玻璃料並根據表2所列成分製備電極膏外，以與實例1相同的方式製作太陽電池。評價所製作太陽電池的以下性質。結果顯示於表3中。表 1 表 2 串聯電阻、轉換效率、及開路電壓的測量方法
使用太陽電池效率測試儀CT-801（帕山有限公司（Pasan, Co., Ltd.））評價所述太陽電池的串聯電阻（Rs）、轉換效率（%）及開路電壓（mV）。黏合強度的測量方法
使用焊鐵（soldering iron）（八光有限公司（Hakko Co., Ltd））將助焊劑（flux）（952S，凱斯特公司（Kester Corporation））在350℃下施用至所製備的電極並結合至帶（62Sn/36Pb/2Ag，厚度為0.18 mm，寬度為1.5 mm；TM-A，深圳華光科技有限公司（Shenzhen Huaguang Tech. Co., Ltd.））上。接著，使用張緊器（天氏歐森公司（Tinus Olsen））評價在180°的剝離角度及50 mm/min的拉伸速率條件下所得產物的黏合強度（N/mm）。表 3
如表2所示，實例1至實例5的電極是由含有氧化鎢粒子的電極膏製備而成。相比之下，對照實例1至對照實例2的電極則由不含氧化鎢粒子的電極膏製備而成。
在表3中可以看出，與對照實例1至對照實例2的電極相比，實例1至實例5的電極具有相對低的串聯電阻及極佳的轉換效率。此外，實例1至實例5的電極對於帶表現出高達4 N/mm至6 N/mm的黏合強度。
應理解，所屬領域的技術人員可在不背離本發明的精神及範圍的條件下作出各種潤飾、變化、修改、及等效實施例。
10‧‧‧電池
2‧‧‧母線
3‧‧‧帶
10、10a‧‧‧基底
11、11a‧‧‧半導體基底
12、12a‧‧‧射極
21、21a‧‧‧後電極
23、23a‧‧‧前電極
30、50‧‧‧抗反射膜
40‧‧‧背面場層
100、200‧‧‧太陽電池

Claims (7)

  1. 一種太陽電池，包括基底及形成於所述基底的至少一個表面上的電極，其中所述電極是由包含銀(Ag)粉末、玻璃料、氧化鎢粒子及有機載體的電極膏形成，且當在剝離角度為180°、拉伸速率為50mm/min條件下測量時所述電極對於帶的黏合強度為4N/mm至6N/mm，其中於所述玻璃料中不包括所述氧化鎢粒子，其中所述玻璃料是由金屬氧化物混合物在800℃至1,300℃下熔融，接著淬火至25℃並粉碎後製備而成，其中以所述電極膏的總重量計，所述氧化鎢粒子以0.1wt%至1.0wt%的量存在。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的太陽電池，其中所述電極是前電極或後電極；所述基底包括依序形成於所述基底的正面上的抗反射膜及所述前電極；以及所述基底包括依序形成於所述基底的背面上的背面場層及所述後電極。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的太陽電池，其中所述基底中具有PN結。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的太陽電池，其中所述氧化鎢粒子在烘烤之前具有為0.1μm至5μm的平均粒徑(D50)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的太陽電池，其中所述基底具有形成於其正面上的紋理化結構。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的太陽電池，其中所述玻璃料是含有元素鉍(Bi)及元素碲(Te)的Bi-Te-O系玻璃料；所述Bi-Te-O系玻璃料含有25mol%至85mol%的元素碲(Te)；且所述Bi-Te-O系玻璃料中元素鉍(Bi)對元素碲(Te)的莫耳比在1：0.1至1：50範圍內。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的太陽電池，其中所述Bi-Te-O系玻璃料還包含選自由下列組成的族群的至少一種金屬元素：鋰(Li)、磷(P)、鍺(Ge)、鎵(Ga)、鈰(Ce)、鐵(Fe)、矽(Si)、鋅(Zn)、鎢(W)、鎂(Mg)、銫(Cs)、鍶(Sr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、釩(V)、鋇(Ba)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈉(Na)、鉀(K)、砷(As)、鈷(Co)、鋯(Zr)、錳(Mn)、及鋁(Al)。
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