TWI677690B - 漩渦式探針、探針測試裝置、探針卡系統及多晶片模組之失效分析方法 - Google Patents

Abstract

一種漩渦式探針包括一針體、一連接部與一漩渦彈簧。針體之一端具有一針尖。漩渦彈簧連接針體與連接部。漩渦彈簧包含一圈以上之旋繞體，這些旋繞體彼此共平面，且這些旋繞體之軸心與針體之長軸方向正交。

Description

漩渦式探針、探針測試裝置、探針卡系統及多晶片模組之失效分析方法

本發明有關於一種探針卡，尤指一種應用於多晶片模組之失效分析方法之漩渦式探針、探針測試裝置及探針卡系統。

為了測試被製出或被認定不良的半導體產品(後稱待測物，Device Under Test，DUT)，在測試中係藉由一測試頭所裝備之多數個垂直式探針分別觸壓待測物之多數個導電接點，以便透過訊號傳輸及訊號分析而獲得待測物的測試結果。

然而，當這些垂直式探針分別被施予過度壓力而觸壓待測物之導電接點時，因為受到導電接點之抵靠，這些垂直式探針分別於導電接點上產生橫向滑移，提高部分垂直式探針滑出導電接點之範圍的機會，進而影響垂直式探針與導電接 點之間的電接品質，不僅導致測試性能的失準，也加大了測試變數。

故，如何研發出一種解決方案以改善上述所帶來的缺失及不便，實乃相關業者目前刻不容緩之一重要課題。

本發明之一實施例提供了一種漩渦式探針。漩渦式探針包括一針體、一連接部與一漩渦彈簧。針體之一端具有一針尖。漩渦彈簧連接針體與連接部。漩渦彈簧包含一圈以上之旋繞體，這些旋繞體彼此共平面，且這些旋繞體之軸心與針體之長軸方向正交。

在本發明一或複數個實施例中，漩渦式探針包含一導電陶瓷彈簧。

在本發明一或複數個實施例中，漩渦彈簧包含1.75圈~2圈之旋繞體。

在本發明一或複數個實施例中，連接部包含一垂直部及一水平部。水平部連接垂直部與最內圈之旋繞體。水平部之一長軸方向與旋繞體之軸心相互平行，水平部之長軸方向與垂直部之一長軸方向相互正交。針體之另端連接最外圈之旋繞體。

本發明之另一實施例提供了一種探針測試裝置。探針測試裝置包括一電路板及一探針模組。探針模組包含一載針座與至少一漩渦式探針。載針座位於電路板之一側。漩渦式探針配置於載針座上，電性連接電路板，用以接觸一待測物。 漩渦式探針包含一針體、一連接部與一漩渦彈簧，針體之一端具有一針尖，漩渦彈簧連接針體與連接部。漩渦彈簧包含一圈以上之旋繞體，這些旋繞體彼此共平面，且這些旋繞體之軸心與針體之長軸方向正交。

在本發明一或複數個實施例中，漩渦式探針包含一導電陶瓷彈簧。

在本發明一或複數個實施例中，漩渦彈簧包含1.75圈~2圈之旋繞體。

在本發明一或複數個實施例中，載針座具有一容置空間。漩渦彈簧完全位於容置空間內。

在本發明一或複數個實施例中，連接部包含一垂直部及一水平部。垂直部連接電路板。水平部連接垂直部與最內圈之旋繞體。水平部之一長軸方向與旋繞體之軸心相互平行，水平部之長軸方向與垂直部之一長軸方向相互正交。針體之另端連接最外圈之旋繞體。

本發明之另一實施例提供了一種探針卡系統。探針卡系統包括一平台、一定位模組及一探針測試裝置。平台具有一承載面，用以承載一待測物。待測物包含一本體、至少一導電接點與多數個定位柱。本體具有一電路媒介。導電接點曝露於本體之一面，且電性連接電路媒介，這些定位柱分別位於本體內，與電路媒介電性絕緣，每個定位柱之一端面曝露於本體之此面。定位模組位於承載面上方，用以依據定位柱之端面，對待測物進行定位。探針測試裝置位於承載面上方，包括一電路板及一探針模組。探針模組包含一載針座與至少一漩渦 式探針。載針座位於電路板之一側。漩渦式探針配置於載針座上，電性連接電路板。漩渦式探針包含一針體、一連接部與一漩渦彈簧，針體之一端具有一針尖，用以接觸待測物之導電接點，漩渦彈簧連接針體與連接部。漩渦彈簧包含一圈以上之旋繞體，這些旋繞體彼此共平面，且這些旋繞體之軸心與針體之長軸方向正交。

在本發明一或複數個實施例中，當探針模組沿一移動方向直線移至待測物時，移動方向與針體之長軸方向平行。

在本發明一或複數個實施例中，每個定位柱之端面呈矩形、十字形或交叉型。

在本發明一或複數個實施例中，每個定位柱之端面突出於本體之此面。

在本發明一或複數個實施例中，本體之一面具有一矩形，矩形具有4個角落部。其中一定位柱位於其中一角落部。

本發明之另一實施例提供了一種多晶片模組之失效分析方法。失效分析方法包括多數個步驟如下。提供一多晶片模組，多晶片模組包括一第一裸晶、一第二裸晶與一封裝本體，第一裸晶疊合第二裸晶，且封裝本體包覆相互疊合之第一裸晶與第二裸晶，第一裸晶包含一本體、至少一導電接點與多數個定位柱。本體具有一電路媒介，導電接點電性連接電路媒介，定位柱分別位於本體內，與電路媒介電性絕緣。接著，沿基板朝第一裸晶之方向研磨多晶片模組，以致第一裸晶之導電 接點及每個定位柱之一端面皆外露於本體之同一面。接著，將研磨後之多晶片模組放置於一平台之一承載面上；接著，依據這些定位柱之這些端面，對承載面上之研磨後之多晶片模組進行定位；以及使用一探針測試裝置之至少一漩渦式探針接觸研磨後之多晶片模組之導電接點。

在本發明一或複數個實施例中，每個定位柱之端面外露於本體之後更包含一步驟如下。再次研磨本體之此面上鄰接定位柱之端面之位置，以致每個定位柱之端面突出於本體之表面。

如此，藉由上述漩渦式探針、探針測試裝置及探針卡系統之架構，當上述之這些探針分別施力而觸壓待測物之導電接點時，上述漩渦式探針不致於導電接點上產生橫向滑移，從而降低滑出導電接點之範圍的機會，以維持探針與導電接點之間的電接品質及測試性能，以及縮小測試變數。

以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本發明之具體細節將在下文的實施例及相關圖式中詳細介紹。

10‧‧‧探針卡系統

41~45‧‧‧步驟

100‧‧‧平台

101‧‧‧承載面

200‧‧‧探針測試裝置

210‧‧‧電路板

220‧‧‧中介層

221‧‧‧電路路徑

230‧‧‧空間轉換層

231‧‧‧電路路徑

240‧‧‧探針模組

250‧‧‧載針座

251‧‧‧容置空間

252‧‧‧上導板

253‧‧‧下導板

254‧‧‧間隔件

260‧‧‧漩渦式探針

261‧‧‧針體

261P‧‧‧針尖

261L‧‧‧長軸方向

262‧‧‧漩渦彈簧

262A‧‧‧單一軸心

263‧‧‧旋繞體

263G‧‧‧間隙

264‧‧‧連接部

265‧‧‧垂直部

265L‧‧‧長軸方向

266‧‧‧水平部

266L‧‧‧長軸方向

310‧‧‧定位模組

320‧‧‧驅動裝置

330‧‧‧電腦裝置

400‧‧‧待測物

410‧‧‧本體

420‧‧‧角落部

430‧‧‧導電接點

440‧‧‧定位柱

441‧‧‧端面

500‧‧‧多晶片模組

501‧‧‧面

510‧‧‧基板

520‧‧‧第一裸晶

521‧‧‧本體

522‧‧‧導電接點

522L‧‧‧長軸方向

522A‧‧‧導電柱

522B‧‧‧焊料層

523‧‧‧定位柱

523L‧‧‧長軸方向

523S‧‧‧端面

530‧‧‧第二裸晶

540‧‧‧封裝本體

550‧‧‧打線

H‧‧‧高度方向

P‧‧‧平面線

M‧‧‧移動方向

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示依照本發明一實施例之探針卡系統的示意圖；第2圖繪示第1圖之漩渦式探針的立體圖；第3圖繪示第1圖之待測物的上視圖； 第4圖繪示依照本發明一實施例之多晶片模組之失效分析方法的流程圖；以及第5圖繪示本實施例之失效分析方法所述之多晶片模組的側視圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施例，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施例中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第1圖繪示依照本發明一實施例之探針卡系統10的示意圖。如第1圖所示，探針卡系統10包括一平台100及一探針測試裝置200。平台100具有一承載面101，用以承載一待測物400(Device Under Test，DUT)。探針測試裝置200可移動地位於承載面101上方，包括一電路板210及一探針模組240。探針模組240包含一載針座250與多數個漩渦式探針260。載針座250位於電路板210之一側。漩渦式探針260間隔地配置於載針座250上，且分別電性連接電路板210。

第2圖繪示第1圖之漩渦式探針260的立體圖。如第1圖與第2圖所示，每個漩渦式探針260包含一針體261、一漩渦彈簧262與一連接部264。漩渦彈簧262分別連接針體261與連接部264。針體261呈線性軸狀，具有一長軸方向261L。長 軸方向261L穿過承載面101與電路板210，換句話說，當探針模組240沿一移動方向M移至待測物400時，移動方向M與針體261之長軸方向261L平行。針體261相對漩渦彈簧262之一端具有一針尖261P，用以接觸待測物400之導電接點430。漩渦彈簧262包含一圈以上之旋繞體263，更具體地，漩渦彈簧262為由一線狀材沿著一軸心262A而圍繞出一圈以上之旋繞體263。這些旋繞體263彼此共平面，且共同圍繞著單一軸心262A，且這些旋繞體263之間不接觸，且彼此之間具有間隙263G。此外，這些旋繞體263之軸心262A與針體261之長軸方向261L彼此相互正交，或者，至少彼此相交。

第3圖繪示第1圖之待測物400的上視圖。如第1圖與第3圖所示，在本實施例中，待測物400包含一本體410與多數個導電接點430。本體410內具有一電路媒介(圖中未示)。導電接點430電性連接電路媒介。導電接點430外露於本體410之一面，分別對齊漩渦式探針260。故，每個針尖261P能夠接觸待測物400之導電接點430。

如此，當探針模組240沿移動方向M移至待測物400時，漩渦式探針260分別透過特定壓力而觸壓待測物400之導電接點430時，由於每個漩渦式探針260之漩渦彈簧262被壓縮時，漩渦彈簧262將直接吸收下壓之壓力，而不致將壓力繼續傳遞至漩渦式探針260之針體261，使得漩渦式探針260不致因此於導電接點430上產生橫向滑移，從而降低滑出導電接點430之範圍的機會，以維持探針與導電接點430之間的電接品質及測試性能，以及縮小測試變數。

更具體地，在本實施例中，漩渦式探針260為一導電陶瓷彈簧，亦即漩渦式探針260包含具導電性且可如彈簧般伸縮的陶瓷彈簧材料。陶瓷彈簧材料例如由氮化鈦與碳化鈦以化學氣向沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)所合成，以增加漩渦式探針260之強度、耐磨性及止滑性。然而，本發明不限漩渦式探針260之材質。

導電陶瓷彈簧為次微米製程，可以匹配待測物400之導電接點430之尺寸，然而，本發明不限其數據。漩渦式探針260之參數為可改變地，其直徑約為0.4~0.5微米、彈簧間距0.1~0.3微米、彈簧伸縮率1.5~1.7倍。

又，在本實施例中，漩渦彈簧262包含1.75圈~2圈之旋繞體263。故，由於漩渦彈簧262不像傳統彈簧之高圈數，故，能夠有效地降低其電阻。然而，在其他之需求下，本發明不限漩渦彈簧262之圈數。

更具體地，在本實施例中，連接部264包含一垂直部265及一水平部266。水平部266連接垂直部265與最內圈之旋繞體263。水平部266之一長軸方向266L與旋繞體263之軸心262A相互平行，水平部266之長軸方向266L與垂直部265之一長軸方向265L相互正交，或者，至少彼此相交。針體261之另端連接最外圈之旋繞體263。

舉例來說，在本實施例中，載針座250具有一容置空間251。漩渦彈簧262完全位於容置空間251內，以便於容置空間251內進行壓縮動作。更具體地，載針座250包含一上導板252、一下導板253與一間隔件254。間隔件254夾合於上導 板252與下導板253之間，間隔件254夾合於上導板252與下導板253，且間隔件254、上導板252與下導板253共同定義出容置空間251。

此外，探針測試裝置200更包含一中介層220與一空間轉換層230。中介層220位於電路板210與空間轉換層230之間。中介層220與空間轉換層230分具有電路路徑221、231。每個漩渦式探針260之連接部264分別連接空間轉換層230之電路路徑，並透過中介層220之電路路徑電性連接電路板210。

探針卡系統10更包含一定位模組310、一驅動裝置320與一電腦裝置330。電腦裝置330電性連接定位模組310、驅動裝置320與電路板210。定位模組310位於承載面101上方，用以對待測物400定位。驅動裝置320用以連動探針測試裝置200，以便將探針模組240沿一移動方向M移至或遠離待測物400。

在本實施例中，待測物400更包含多數個定位柱440。定位柱440間隔地排列於本體410內。每個定位柱440之長軸方向440L與針體261之長軸方向261L平行，且每個定位柱440之端面441外露於本體410之一面，且電性絕緣電路媒介。故，定位模組310依據定位柱440之端面441之位置，對待測物400進行定位。例如，定位模組310經過這些定位柱440之端面441的影像辨識或其他類似技術，以便得知待測物400相對探針測試裝置200之位置(第1圖)。

如此，依據待測物400相對探針測試裝置200之位置，電腦裝置330讓驅動裝置320移動探針模組240，使得漩渦 式探針260能夠分別接觸待測物400之導電接點430。待漩渦式探針260分別接觸待測物400之導電接點430後，電路板210便將待測物400之測試訊號回傳至電腦裝置330。

舉例來說，如第3圖所示，待測物400之所述表面為矩形，且每個定位柱440位於其中一角落部420處，然而，本發明不限每個定位柱440必須位於其中一角落部420處，其他實施例中，本發明所屬領域具有通常知識者也可以依據線路配置需求，任意調整定位柱440之配置位置。在本實施例中，每個定位柱440之端面441呈矩形，然而，本發明不限於定位柱440之端面441外型，例如，在其他實施例中，定位柱440之端面441外型也可以是十字形或交叉型(圖中未示)。

再者，舉例來說，導電接點430為金屬線型柱體，金屬線型柱體例如為銅柱。定位柱440分別直立地埋設於本體410內，且與電路媒介電性絕緣。舉例來說，定位柱440為金屬線型柱體，金屬線型柱體例如為銅柱，銅柱尺寸為39x46(um)；或者，定位柱440為擬真(dummy)之導電柱。

由於現有多晶片模組(MULTI-CHIP PACKAGE MODULE，MCP)是由至少二個裸晶所封裝而成，故，當一多晶片模組被判定為故障不良品時，不易有效得知此多晶片模組內之何者裸晶為確切之失效元件，導致無法釐清多晶片模組內之各個裸晶之供應業者的責任。如此，本發明提供一種多晶片模組500之失效分析方法，以便有效釐清多晶片模組內之何者為正確之失效元件。

第4圖繪示依照本發明一實施例之多晶片模組500 之失效分析方法的流程圖。如第4圖所示，此多晶片模組500之失效分析方法包括步驟41~步驟45如下。在步驟41中，提供一多晶片模組。在步驟42中，研磨多晶片模組之一面，使得多晶片模組內之其中一裸晶之導電接點以及定位柱共同外露於剩餘之多晶片模組(後稱待測物)之表面。在步驟43中，將待測物放置於上述平台之承載面上。在步驟44中，依據待測物之這些定位柱之端面之位置，對待測物進行定位。在步驟45中，使用上述漩渦式探針接觸待測物之導電接點，以便開始進行測試工作。

具體來說，第5圖繪示本實施例之失效分析方法所述之多晶片模組500的側視圖。在步驟41中，如第5圖所示，多晶片模組500包括一基板510、一第一裸晶520、一第二裸晶530與一封裝本體540。第一裸晶520與第二裸晶530放置於基板510上，且第一裸晶520疊合第二裸晶530，並且封裝本體540包覆第一裸晶520、第二裸晶530與基板510。舉例來說，但不以此為限，第一裸晶520疊合於第二裸晶530與基板510之間，且第一裸晶520以覆晶方式覆蓋於基板510上，且第二裸晶530透過打線550電連接基板510。

更進一步地，第一裸晶520包含一本體521、多數個導電接點522與多數個定位柱523。本體521內具有一電路媒介(圖中未示)。導電接點522電性連接電路媒介，舉例來說，導電接點522包含導電柱522A與焊料層522B，導電柱522A焊料層522B包覆導電柱522A之末端，且焊接於基板510上。導電柱522A直立地埋設於本體521內，換句話說，導電柱522A 之長軸方向522L與多晶片模組500之高度方向H彼此平行。舉例來說，導電柱522A為金屬線型柱體，金屬線型柱體例如為銅柱。定位柱523分別直立地埋設於本體521內，且與電路媒介電性絕緣。換句話說，定位柱523之長軸方向523L與多晶片模組500之高度方向H平行。舉例來說，定位柱523為金屬線型柱體，金屬線型柱體例如為銅柱；或者，定位柱523為擬真(dummy)之導電柱。

在步驟42中，研磨多晶片模組500，以外露第一裸晶520之導電接點522與定位柱523之具體方式為，沿著多晶片模組500之高度方向H，依據從基板510朝第一裸晶520之方向(朝上)開始研磨多晶片模組500之一面501，直到部分之本體521、第一裸晶520以及第一裸晶520之焊料層522B被磨掉(見平面線P)，使得第一裸晶520之導電接點522以及定位柱523之端面523S從待測物400之表面所外露。舉例來說，研磨多晶片模組500是透過機器(如磨砂機)或手工(如銼刀或水砂紙)研磨方式，研磨多晶片模組500之此面501全部或局部。

此外，為了讓定位柱523更能有效起到定位之依據，在步驟42之後，更包含步驟為：再次研磨待測物400之一面局部，例如，分別鄰接定位柱523之端面523S之位置，使得每個定位柱523之端面523S能夠突出於待測物400之所述表面(參考第1圖之定位柱440之端面441)。

在步驟45中，具體來說，由於導電接點522之焊料層522B已被移除，只露出導電柱522A之斷面，且導電柱522A之硬度大於焊料層522B之硬度，此外，由於被研磨後之導電 柱522A之高度可能不一，意即，這些導電柱522A之斷面不至處於同一平面高度，故，透過漩渦式探針260更能夠避免漩渦式探針260之針體261於導電柱522A之斷面上產生橫向滑移，從而降低滑出導電接點522之範圍的機會。

最後，上述所揭露之各實施例中，並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，皆可被保護於本發明中。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (20)

1. 一種漩渦式探針，包括：一針體，具有一長軸方向，且該針體之一端具有一針尖；一連接部；以及一漩渦彈簧，連接該針體與該連接部，該漩渦彈簧包含由內往外旋繞且共同圍繞同一軸心之多圈旋繞體，該些旋繞體沿該針體之該長軸方向彼此共平面，且該些旋繞體彼此之間具有一間隙，該同一軸心與該針體之該長軸方向正交，其中該些旋繞體之一最內圈連接該連接部，該些旋繞體之一最外圈連接該針體。
2. 如請求項1所述之漩渦式探針，其中該漩渦式探針包含一導電陶瓷彈簧。
3. 如請求項1所述之漩渦式探針，其中該漩渦彈簧包含1.75圈~2圈之該些旋繞體。
4. 如請求項1所述之漩渦式探針，其中該連接部包含：一垂直部；以及一水平部，連接該垂直部與該些旋繞體之該最內圈，該水平部之一長軸方向與該些旋繞體之該同一軸心相互平行，該水平部之該長軸方向與該垂直部之一長軸方向相互正交，其中該針體之另端連接該些旋繞體之該最外圈。
5. 一種探針測試裝置，包括：一電路板；以及一探針模組，包含一載針座與至少一如請求項1所述之漩渦式探針，該載針座位於該電路板之一側，該漩渦式探針配置於該載針座上，電性連接該電路板，用以接觸一待測物。
6. 如請求項5所述之探針測試裝置，其中該漩渦式探針包含一導電陶瓷彈簧。
7. 如請求項5所述之探針測試裝置，其中該漩渦彈簧包含1.75圈~2圈之該些旋繞體。
8. 如請求項5所述之探針測試裝置，其中該載針座具有一容置空間，該漩渦彈簧完全位於該容置空間內。
9. 如請求項5所述之探針測試裝置，其中該連接部包含：一垂直部，連接該電路板；以及一水平部，連接該垂直部與該些旋繞體之該最內圈，該水平部之一長軸方向與該些旋繞體之該同一軸心相互平行，該水平部之該長軸方向與該垂直部之一長軸方向相互正交，其中該針體之另端連接該些旋繞體之該最外圈。
10. 一種探針卡系統，包括：一平台，具有一承載面，用以承載一待測物，其中該待測物包含一本體、至少一導電接點與多數個定位柱，該本體具有一電路媒介，該導電接點曝露於該本體之一面，且電性連接該電路媒介，該些定位柱分別位於該本體內，與該電路媒介電性絕緣，每一該些定位柱之一端面曝露於該本體之該面；一定位模組，位於該承載面上方，用以依據該些定位柱之該些端面，對該待測物進行定位；以及一探針測試裝置，位於該承載面上方，包括：一電路板；以及一探針模組，包含一載針座與至少一如請求項1所述之漩渦式探針，該載針座位於該電路板之一側，該漩渦式探針配置於該載針座上，電性連接該電路板。
11. 如請求項10所述之探針卡系統，其中該漩渦式探針包含一導電陶瓷彈簧。
12. 如請求項10所述之探針卡系統，其中該漩渦彈簧包含1.75圈~2圈之該些旋繞體。
13. 如請求項10所述之探針卡系統，其中該載針座具有一容置空間，該漩渦彈簧完全位於該容置空間內。
14. 如請求項10所述之探針卡系統，其中該連接部包含：一垂直部，連接該電路板；以及一水平部，連接該垂直部與該些旋繞體之該最內圈，該水平部之一長軸方向與該些旋繞體之該同一軸心相互平行，該水平部之該長軸方向與該垂直部之一長軸方向相互正交，其中該針體之另端連接該些旋繞體之該最外圈。
15. 如請求項10所述之探針卡系統，其中當該探針模組沿一移動方向直線移至該待測物時，該移動方向與該針體之該長軸方向平行。
16. 如請求項10所述之探針卡系統，其中每一該些定位柱之該端面呈矩形、十字形或交叉型。
17. 如請求項10所述之探針卡系統，其中每一該些定位柱之該端面突出於該本體之該面。
18. 如請求項10所述之探針卡系統，其中該本體之該面具有一矩形，該矩形具有4個角落部，該些定位柱至少其中之一位於該些角落部其中之一。
19. 一種多晶片模組之失效分析方法，包括：提供一多晶片模組，該多晶片模組包括一基板、第一裸晶、一第二裸晶與一封裝本體，該第一裸晶疊合該第二裸晶，且放置於該基板上，且該封裝本體包覆該第一裸晶、該第二裸晶與該基板，其中該第一裸晶包含一本體、至少一導電接點與多數個定位柱，該本體具有一電路媒介，該導電接點電性連接該電路媒介，該些定位柱分別位於該本體內，與該電路媒介電性絕緣；沿該基板朝該第一裸晶之方向研磨該多晶片模組，以致該第一裸晶之該導電接點及每一該些定位柱之一端面皆外露於該本體之同一面；將研磨後之該多晶片模組放置於一平台之一承載面上；依據該些定位柱之該些端面，對該承載面上之研磨後之該多晶片模組進行定位；以及使用一探針測試裝置之至少一漩渦式探針接觸研磨後之該多晶片模組之該導電接點。
20. 如請求項19所述之多晶片模組之失效分析方法，其中每一該些定位柱之該端面外露於該本體之該面之後，更包含：再次研磨該本體之該面上鄰接該些定位柱之該些端面之位置，以致每一該些定位柱之該端面突出於該本體之表面。