TWI673841B - 磊晶設備 - Google Patents

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保羅 邦凡蒂
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Abstract

本發明提供了一種磊晶設備，包括反應腔體、位於反應腔體上部的蓋板以及位於反應腔體下部的托盤，通過冷卻水進出口在空心中通入冷卻水，用於在生長磊晶層的過程中降低整個反應腔室的溫度，防止磊晶設備各部件長時間承受高溫，從而能夠一次生長相對較厚的磊晶層，並且不影響磊晶設備的性能及機台產能；使用射頻加熱線圈代替現有技術中的加熱燈管，並將射頻加熱線圈設置為空心，在其中通入冷卻水，以防止射頻加熱線圈的溫度過高；將腔室蓋板的一部分設置為透明材質，在蓋板上形成可視視窗，從而採用紅外測溫裝置替換目前使用的熱電阻測溫，紅外測溫裝置的探頭在所述可視視窗上自由移動，能夠測量整個晶圓內的溫度分佈。

Description

磊晶設備
本發明涉及半導體製造設備，特別涉及一種磊晶設備。
目前，磊晶設備均不能很好的一次完成相對較厚的磊晶產品，其受到很多方面的限制，例如：加熱燈管不能承受長時間的高溫；磊晶爐本身石英腔體和金屬不能承受長時間的高溫；較厚的磊晶層生長過程中石英腔體層積物較嚴重，沈積物不易蝕刻而且長時間蝕刻會極大的縮短石英腔體的使用壽命。
在現有技術中，如果要使用磊晶設備ASM E3200或AMAT 300生產較厚的磊晶層，通常會採取兩種做法：(1)採用犧牲磊晶設備維護保養(PM)週期和零件壽命直接一次完成；(2)採用分次磊晶的方式生產，但是反覆進出磊晶設備會影響機台產能。
本發明的目的在於提供一種磊晶設備，能夠一次完成較厚的磊晶層，不會影響磊晶設備的性能及機台產能。
本發明的技術方案是一種磊晶設備，包括反應腔體、位於所 述反應腔體上部的蓋板以及位於所述反應腔體下部的托盤，所述反應腔體設置為空心結構，並設置有冷卻水進出口，在空心中通入有冷卻水。
進一步的，在所述磊晶設備中，所述反應腔室外表面上鍍有金。
進一步的，在所述磊晶設備中，還包括射頻加熱線圈，位於所述托盤上靠近所述反應腔室的一側。
進一步的，在所述磊晶設備中，所述射頻加熱線圈中心為空心，並設置有冷卻水進出口，在所述空心中通入有冷卻水。
進一步的，在所述磊晶設備中，在所述射頻加熱線圈下方安裝有調節高低的螺絲調節裝置。
進一步的，在所述磊晶設備中，一部分所述蓋板為透明材質，在所述蓋板上形成可視視窗，紅外測溫裝置的探頭能夠在所述可視視窗上自由移動，測量所述反應腔室內晶圓的溫度。
進一步的，在所述磊晶設備中，所述反應腔室上與所述可視視窗對應的地方是實心設置。
進一步的，在所述磊晶設備中，所述透明材質為石英，且所述可視視窗為長方形。
進一步的，在所述磊晶設備中，所述可視視窗位於所述蓋板垂直方向上的中間位置，且在水平方向上貫穿所述蓋板。
進一步的，在所述磊晶設備中，所述可視視窗位於所述蓋板垂直方向上的中間位置，且位於所述蓋板的左半側或右半側。
進一步的，在所述磊晶設備中，所述可視視窗在所述蓋板上 垂直設置。
進一步的，在所述磊晶設備中，所述可視視窗位於所述蓋板水平方向上的中間位置，且在垂直方向上貫穿所述蓋板。
進一步的，在所述磊晶設備中，所述可視視窗位於所述蓋板水平方向上的中間位置，且位於所述蓋板的上半側或下半側。
進一步的，在所述磊晶設備中，所述可視視窗的寬度為1mm~70mm。
與現有技術相比，本發明提供的磊晶設備具有以下有益效果：1、通過將反應腔體設置為雙層空心結構，並設置有冷卻水進出口，通過冷卻水進出口在空心中通入冷卻水，防止磊晶設備各零件長時間承受高溫，從而能夠一次生長相對較厚的磊晶層，並且不影響磊晶設備的性能及機台產能；2、本發明使用射頻加熱線圈代替現有技術中的加熱燈管，並將射頻加熱線圈設置為空心，在其中通入冷卻水，以防止射頻加熱線圈的溫度過高，從而可以進一步提高一次生長的磊晶層的厚度；3、將腔室蓋板的一部分設置為透明材質，在蓋板上形成可視視窗，從而採用紅外測溫裝置替換目前使用的熱電阻測溫，紅外測溫裝置的探頭在所述可視視窗上自由移動，能夠測量整個晶圓內的溫度分佈，降低設備維護成本，使得維護簡單方便，且不影響磊晶設備的穩定性。
10‧‧‧磊晶設備
20‧‧‧探頭
30‧‧‧晶圓
100‧‧‧反應腔體
101、401‧‧‧空心
102‧‧‧金
103‧‧‧實心結構
200‧‧‧蓋板蓋板
201‧‧‧可視視窗
300‧‧‧托盤
400‧‧‧射頻加熱線圈
402‧‧‧冷卻水進口
403‧‧‧冷卻水出口
404‧‧‧螺絲調節裝置
第1圖為本發明一實施例所提供的磊晶設備的結構示意圖。
第2圖為本發明一實施例所提供的反應腔室的結構示意圖。
第3圖為本發明一實施例所提供的反應腔室的結構示意圖
第4圖為本發明一實施例所提供的射頻加熱線圈的結構示意圖。
第5圖為本發明一實施例所提供的磊晶設備蓋板的結構示意圖。
第6圖為本發明一實施例所提供的磊晶設備蓋板的結構示意圖。
第7圖為本發明一實施例所提供的磊晶設備蓋板的結構示意圖。
第8圖為本發明一實施例所提供的磊晶設備蓋板的結構示意圖。
為使本發明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發明的內容做進一步說明。當然本發明並不局限於該具體實施例，本領域的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發明的保護範圍內。
其次，本發明利用示意圖進行了詳細的表述，在詳述本發明實例時，為了便於說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應對此作為本發明的限定。
本發明的核心思想是：通過將反應腔室設置為雙層空心結構，並設置有冷卻水進出口，通過冷卻水進出口在空心中通入冷卻水，用於在生長磊晶層的過程中降低整個反應腔室的溫度，防止磊晶設備各部件長時間承受高溫；使用射頻加熱線圈代替現有技術中的加熱燈管，並將射頻加熱線圈設置為空心，在其中通入冷卻水，以防止射頻加熱線圈由於長時間工作造成的高溫；將腔室蓋板的一部分設置為透明材質，在蓋板上形成可視視窗，從而採用紅外測溫裝置替換目前使用的熱電阻測溫，能夠測 量整個晶圓內的溫度分佈。
第1圖為本發明一實施例所提供的磊晶設備的結構示意圖，如第1圖所示，本發明提出一種磊晶設備10，包括反應腔體100、位於所述反應腔體100上部的蓋板200以及位於所述反應腔體100下部的托盤300，所述反應腔體100設置為空心結構，並設置有冷卻水進出口(圖中未顯示)，通過所述冷卻水進出口在空心101中通入冷卻水，並且所述反應腔室100外表面上鍍有金。
反應腔室100具體的結構請參照第2圖所示，其為本發明一實施例所提供的反應腔室的結構示意圖，所述反應腔室100設置有空心結構101，並設置有冷卻水進出口(圖中未顯示)，通過冷卻水接觸口在空心101中通入冷卻水，用於降低整個反應腔室100的溫度，在形成磊晶層的過程中防止反應腔室100的溫度過高，並且所述反應腔室100外表面上鍍有金102，防止所述反應腔室100散熱過快，與現有技術相比，本發明提供的磊晶設備避免了其中的部件承受長時間的高溫，能夠一次生長相對較厚的磊晶層，並且不影響磊晶設備的性能及機台產能。
需要說明的是，在空心101中通入的冷卻水可以是流動的，也可以是靜止定時更換的，例如在生長磊晶層的前期定時更換冷卻水，隨著時間的增加更換的頻率隨之增加，在後期可以通入流動的冷卻水；或者也可以進行一次成膜更換一次冷卻水，在此對於所述空心101中冷卻水的更換不做限定。
請繼續參考第1圖，所述磊晶設備10還包括射頻加熱線圈400，位於所述托盤300上靠近所述反應腔室100的一側，用於向所述反應腔 室100提供熱量。所述射頻加熱線圈400的結構示意圖請參照第4圖，所述射頻加熱線圈400設置為空心結構，如圖中的空心401，並設置有冷卻水進口402與出口403，用於向所述空心401中通入冷卻水，以防止射頻加熱線圈400的溫度過高，避免射頻加熱線圈400承受長時間的高溫，從而可以進一步提高一次生長的磊晶層的厚度。與所述空心101類似，在所述空心401中通入的冷卻水可以是流動的，也可以是靜止並定時更換的，例如在生長磊晶層的前期定時更換冷卻水，隨著時間的增加更換的頻率隨之增加，在後期可以通入流動的冷卻水；或者也可以進行一次成膜更換一次冷卻水，在此對於冷卻水的更換不做限定。在所述射頻加熱線圈400下方安裝有調節高低的螺絲調節裝置404，用於調節所述射頻加熱線圈400不同部分的高度，在所述反應腔室100內溫度需求比較高的地方抬高所述射頻加熱線圈400的高度，在所述反應腔室100內溫度需求比較低的地方降低所述射頻加熱線圈400的高度，總之，根據所述反應腔室100內溫度的需求調整所述射頻加熱線圈400的高度。
請繼續參考第1圖，一部分所述蓋板為透明材質，在所述蓋板200上形成可視視窗201，紅外測溫裝置的探頭20能夠在所述可視視窗201上自由移動，從而探測到反應腔室100內部晶圓30的溫度。
由於在磊晶層生長過程中，所述射頻加熱線圈400用於向所述腔室100提供熱量，所以所述透明材質應該是耐高溫的材質，本實施例中，優選的透明材質為石英，在其他實施例中，所述透明材質可以為本領域技術人員已知的其餘的耐高溫的透明的材質。
所述可視視窗201可以為各種形狀，例如長方形、正方形、 圓形等，優選的，所述可視視窗201為長方形，設置在所述蓋板200的中間位置，所述紅外測溫裝置的探頭20能夠沿所述長方形可視視窗201移動，測量所述晶圓30的溫度。所述可視視窗201在所述蓋板200上的位置並不固定，通過以下幾個實施例介紹所述可視視窗201在所述蓋板200上的優選位置。
首先，所述可視視窗201在所述蓋板200上橫向設置。
請參考第5圖所示，其為本發明一實施例所提供的磊晶設備的蓋板的結構示意圖。所述可視窗口201位於所述蓋板200垂直方向上的中間位置，且位於所述蓋板200的左半側，由於在磊晶矽生長過程中，所述晶圓30需要不斷的旋轉，其整個所述晶圓30都會經過所述可視視窗201，因此可以測量到整個晶圓30的溫度分佈。同樣的，所述可視視窗201也可以位於所述蓋板200的右半側，與位於所述蓋板200的左半側的情況相同。需要說明的是，在這種情況下，所述可視視窗201應該從所述蓋板200的左端延伸至所述蓋板200的中間，或者從所述蓋板200的右端延伸至所述蓋板200的中間，即所述可視窗口201的長度為所述蓋板200長度的一半，或大於所述蓋板200長度的一半，由此保證所述紅外測溫裝置的探頭20能夠探測到整個所述晶圓30的溫度。
請參考第6圖所示，其為本發明一實施例所提供的磊晶設備的蓋板的結構示意圖。在上一實施例的基礎上，所述可視窗口201位於所述蓋板200垂直方向上的中間位置，且在水平方向上貫穿所述蓋板200，所述紅外測溫裝置的探頭20能夠在水平方向上從所述蓋板200的一端移動到另一端，測量所述晶圓30某一水平方向上的溫度，然後通過晶圓30的旋轉， 測量到整個所述晶圓30上的溫度分佈。與上一實施例相比，所述可視視窗201的面積增加，使用的透明材質也增加，雖然在一定程度上增加了成本，但是測量整個晶圓30的溫度分佈所用的時間減少，對所述晶圓30的溫度分佈情況的分析會更加準確，提高了溫度測量的效率。
其次，所述可視視窗201在所述蓋板200上垂直設置。
請參考第7圖所示，其為本發明一實施例所提供的磊晶設備的蓋板的結構示意圖。所述可視視窗201位於所述蓋板200水平方向上的中間位置，且位於所述蓋板200的上半側，由於在磊晶矽生長過程中，所述晶圓30需要不斷的旋轉，其整個所述晶圓30都會經過所述可視視窗201，因此可以測量到整個晶圓30的溫度分佈。同樣的，所述可視視窗201也可以位於所述蓋板200的下半側，與位於所述蓋板200的上半側的情況相同。需要說明的是，在這種情況下，所述可視視窗201應該從所述蓋板200的上端延伸至所述蓋板200的中間，或者從所述蓋板200的下端延伸至所述蓋板200的中間，即所述可視窗口201的長度為所述蓋板200寬度的一半，或大於所述蓋板200寬度的一半，由此保證所述紅外測溫裝置的探頭20能夠探測到整個所述晶圓30的溫度。
請參考第8圖所示，其為本發明一實施例所提供的磊晶設備的蓋板的結構示意圖。在上一實施例的基礎上，所述可視視窗201位於所述蓋板200水平方向上的中間位置，且在垂直方向上貫穿所述蓋板200。所述紅外測溫裝置的探頭20能夠在垂直方向上從所述蓋板200的一端移動到另一端，測量晶圓30某一垂直方向上的溫度，然後通過晶圓30的旋轉，測量到整個所述晶圓30上的溫度分佈。與上一實施例相比，所述可視視窗201的 面積增加，使用的透明材質也增加，雖然在一定程度上增加了成本，但是測量整個晶圓30的溫度分佈所用的時間減少，對所述晶圓30的溫度分佈情況的分析會更加準確，提高了溫度測量的效率。
在上述實施例中，所述可視視窗201在所述蓋板200上橫向設置或垂直設置，在其他實施例中，所述可視視窗201也可以在所述蓋板200上斜向設置，或者所述可視視窗201呈其他形狀，並在所述蓋板200上的不同位置或沿不同方向設置。本發明中，僅提供了所述可視視窗201的最優形狀及最佳位置，但是對所述可視視窗201的形狀，以及所述可視視窗201在所述蓋板200上的位置不做限定，以所述探頭20能夠盡可能的檢測到所述晶圓30上不同位置的溫度為原則。
可以理解的是，所述蓋板200的長度與寬度是相對而言的，在第5圖與第6圖中，所述長度代表所述可視視窗201所在方向上蓋板200的尺寸，在第7圖與第8圖中，所述寬度代表所述可視視窗201所在方向上蓋板200的尺寸，若在第5圖與第6圖中，所述可視視窗201所在方向上蓋板200的尺寸為寬度，則在第7圖與第8圖中，所述可視視窗201所在方向上蓋板200的尺寸為長度。在第5圖~第8圖中，所述蓋板200的方向並未改變。並且，所述蓋板200的水平方向與垂直方向也是相對而言的，所述水平方向與垂直方向均是指第1圖~第8圖中的水平方向與垂直方向。
需要說明的是，所述反應腔室100上與所述可視視窗201對應的地方是實心設置，不能設置為空心結構，防止冷卻水降溫影響所述探頭20對所述反應腔室100內晶圓溫度的測量，所述反應腔室100的結構示意圖請參照第3圖所示，包含有實心結構103。
所述可視視窗201的寬度為1mm~70mm，例如：5mm、15mm、25mm、35mm、45mm、55mm、65mm或70mm。所述可視視窗的寬度需要保證所述紅外測溫裝置的探頭20能夠探測到所述晶圓30某一位置處的溫度。所述可視窗口201的長度則如上述實施例所述，大於其所在方向上所述蓋板200尺寸的一半。
綜上所述，本發明提供的磊晶設備，通過將反應腔室設置為雙層空心結構，並設置有冷卻水進出口，通過冷卻水進出口在空心中通入冷卻水，用於在生長磊晶層的過程中降低整個反應腔室的溫度，防止磊晶設備各部件長時間承受高溫，從而能夠一次生長相對較厚的磊晶層，並且不影響磊晶設備的性能及機台產能；本發明使用射頻加熱線圈代替現有技術中的加熱燈管，並將射頻加熱線圈設置為空心，在其中通入冷卻水，以防止射頻加熱線圈的溫度過高，從而可以進一步提高一次生長的磊晶層的厚度；將腔室蓋板的一部分設置為透明材質，在蓋板上形成可視視窗，從而採用紅外測溫裝置替換目前使用的熱電阻測溫，紅外測溫裝置的探頭在所述可視視窗上自由移動，能夠測量整個晶圓內的溫度分佈，降低設備維護成本，使得維護簡單方便，且不影響磊晶設備的穩定性。
上述僅為本發明的優選實施例而已，並不對本發明起到任何限制作用。任何所屬技術領域的技術人員，在不脫離本發明的技術方案的範圍內，對本發明揭露的技術方案和技術內容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本發明的技術方案的內容，仍屬於本發明的保護範圍之內。

Claims (12)

  1. 一種磊晶設備，包括反應腔體、位於所述反應腔體上部的蓋板位於所述反應腔體下部的托盤、射頻加熱線圈，位於所述托盤上靠近所述反應腔體的一側，其中，所述反應腔體設置為空心結構，並設置有冷卻水進出口，在空心中通入有冷卻水，且其中一部分所述蓋板為透明材質，在所述蓋板上形成可視視窗，紅外測溫裝置的探頭能夠在所述可視視窗上自由移動，測量所述反應腔體內晶圓的溫度，所述射頻加熱線圈係用來加熱整個反應腔體，其中所述反應腔體外表面上鍍有金。
  2. 如請求項1所述磊晶設備，其中所述射頻加熱線圈中心為空心，並設置有冷卻水進出口，在所述空心中通入有冷卻水。
  3. 如請求項2所述磊晶設備，其中在所述射頻加熱線圈下方安裝有調節高低的螺絲調節裝置。
  4. 如請求項1所述的磊晶設備，其中所述反應腔體上與所述可視視窗對應的地方是實心設置。
  5. 如請求項1所述的磊晶設備，其中所述透明材質為石英，且所述可視視窗為長方形。
  6. 如請求項5所述的磊晶設備，其中所述可視視窗在所述蓋板上水平設置。
  7. 如請求項6所述的磊晶設備，其中所述可視視窗位於所述蓋板垂直方向上的中間位置，且在水平方向上貫穿所述蓋板。
  8. 如請求項6所述的磊晶設備，其中所述可視視窗位於所述蓋板垂直方向上的中間位置，且位於所述蓋板的左半側或右半側。
  9. 如請求項5所述的磊晶設備，其中所述可視視窗在所述蓋板上垂直設置。
  10. 如請求項9所述的磊晶設備，其中所述可視視窗位於所述蓋板水平方向上的中間位置，且在垂直方向上貫穿所述蓋板。
  11. 如請求項9所述的磊晶設備，其中所述可視視窗位於所述蓋板水平方向上的中間位置，且位於所述蓋板的上半側或下半側。
  12. 如請求項1、4~11中任一項所述磊晶設備，其中所述可視視窗的寬度為1mm~70mm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108842143A (zh) * 2018-07-09 2018-11-20 上海新昇半导体科技有限公司 外延炉冷却系统及冷却方法
CN111058091A (zh) * 2019-12-30 2020-04-24 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 一种t型外延炉结构
CN111254487B (zh) * 2020-01-20 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 外延设备的测温装置以及外延设备
CN112342615B (zh) * 2020-10-27 2021-08-13 北京北方华创微电子装备有限公司 用于反应腔中加热管的散热装置及反应腔室
CN114717536B (zh) * 2021-11-17 2023-04-07 深圳市纳设智能装备有限公司 一种反应室及反应装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040149387A1 (en) * 2003-01-03 2004-08-05 Tae-Wan Kim Inductively coupled antenna and plasma processing apparatus using the same
EP1386115B1 (en) * 1999-12-03 2008-08-27 ASM America, Inc. Process chamber cooling
CN102263044A (zh) * 2010-05-28 2011-11-30 台湾积体电路制造股份有限公司 热处理腔、温度测量装置与方法
CN103594396A (zh) * 2008-09-05 2014-02-19 周星工程股份有限公司 衬底处理设备
TW201521151A (zh) * 2013-09-26 2015-06-01 Applied Materials Inc 碳纖維環形基座
TW201727205A (zh) * 2015-10-30 2017-08-01 台灣積體電路製造股份有限公司 基板加工腔

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101525892B1 (ko) * 2008-09-05 2015-06-05 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
CN102103980B (zh) * 2009-12-17 2012-10-31 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于等离子体加工设备的反应腔室和等离子体加工设备
CN102330147B (zh) * 2010-07-14 2015-11-25 郭志凯 一种硅片生产外延设备及其系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1386115B1 (en) * 1999-12-03 2008-08-27 ASM America, Inc. Process chamber cooling
US20040149387A1 (en) * 2003-01-03 2004-08-05 Tae-Wan Kim Inductively coupled antenna and plasma processing apparatus using the same
CN103594396A (zh) * 2008-09-05 2014-02-19 周星工程股份有限公司 衬底处理设备
CN102263044A (zh) * 2010-05-28 2011-11-30 台湾积体电路制造股份有限公司 热处理腔、温度测量装置与方法
TW201521151A (zh) * 2013-09-26 2015-06-01 Applied Materials Inc 碳纖維環形基座
TW201727205A (zh) * 2015-10-30 2017-08-01 台灣積體電路製造股份有限公司 基板加工腔

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