TWI672807B - 發光二極體顯示器 - Google Patents

發光二極體顯示器 Download PDF

Info

Publication number
TWI672807B
TWI672807B TW107110813A TW107110813A TWI672807B TW I672807 B TWI672807 B TW I672807B TW 107110813 A TW107110813 A TW 107110813A TW 107110813 A TW107110813 A TW 107110813A TW I672807 B TWI672807 B TW I672807B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting diode
thermally conductive
insulating
diode display
Prior art date
Application number
TW107110813A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201943066A (zh
Inventor
黃柏榮
劉品妙
蔡正曄
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW107110813A priority Critical patent/TWI672807B/zh
Priority to CN201811324924.1A priority patent/CN109449177B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI672807B publication Critical patent/TWI672807B/zh
Publication of TW201943066A publication Critical patent/TW201943066A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種發光二極體顯示器，具有顯示區與非顯示區，且發光二極體顯示器包括基板、多個發光二極體、多個突出結構、絕緣導熱層以及散熱結構。基板具有多個主動元件。發光二極體配置於基板上且陣列排列於顯示區。發光二極體分別與這些主動元件之一電性連接。突出結構配置於基板上且位於各發光二極體的至少一側邊。突出結構的高度大於發光二極體的高度。絕緣導熱層配置於突出結構上。絕緣導熱層覆蓋突出結構至少部份面積並延伸至鄰近發光二極體的基板的頂面上。散熱結構配置於基板上且位於非顯示區。絕緣導熱層連接至散熱結構。

Description

發光二極體顯示器
本發明是有關於一種顯示器，且特別是有關於一種發光二極體顯示器。
在發光二極體的系統中，載子的複合機制主要有兩種，其分別為產生光子(photon)的輻射復合與不會產生光子的非輻射復合。發光二極體的非輻射復合包括蕭克利-里德-霍爾復合(Shockley-Read-Hall, ) 復合及歐傑(Auger)復合，而這兩種的非輻射復合則是以聲子(phonon)的形式放出，最終轉成熱。因此，若發光二極體的裝置無法即時有效地散熱，則大量的熱會造成整個裝置的溫度增加，進而導致發光二極體的發光效率變差，同時也會有色偏問題。
本發明提供一種發光二極體顯示器，具有可提高發光效率並改善色偏現象的功效。
本發明的發光二極體顯示器，具有顯示區與非顯示區，且發光二極體顯示器包括基板、多個發光二極體、多個突出結構、絕緣導熱層以及散熱結構。基板具有多個主動元件。發光二極體配置於基板上且陣列排列於顯示區。發光二極體分別與這些主動元件之一電性連接。突出結構配置於基板上且位於發光二極體的至少一側邊。突出結構的高度大於發光二極體的高度。絕緣導熱層配置於突出結構上。絕緣導熱層覆蓋突出結構至少部份面積並延伸至鄰近發光二極體的基板的頂面上。散熱結構配置於基板上且位於非顯示區。絕緣導熱層連接至散熱結構。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣導熱層接觸發光二極體。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣導熱層的導熱係數大於100W/m.K且電阻率大於10 8Ω.cm。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣導熱層的材料包括氮化鋁、碳化矽、氧化鈹或氮化硼。
在本發明的一實施例中，上述的散熱結構具有散熱材料，且散熱材料包括散熱膠、散熱膠帶或金屬。
在本發明的一實施例中，上述的散熱結構與發光二極體顯示器之框體相連接。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體顯示器更包括高導熱層，配置於突出結構上。至少部份絕緣導熱層與高導熱層於垂直投影於基板的方向上重疊。高導熱層的導熱係數大於200W/m.K，且部份高導熱層連接至散熱結構。
在本發明的一實施例中，上述的高導熱層覆蓋且直接接觸於至少部份絕緣導熱層之上。
在本發明的一實施例中，上述的高導熱層的材料包括銅、鋁等金屬材質或其組合。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體顯示器更包括散熱基板，設置於高導熱層之上。散熱基板直接接觸高導熱層。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體顯示器更包括多個連接層。各發光二極體分別經由各連接層電性連接至對應的各主動元件之一，且絕緣導熱層覆蓋連接層。
在本發明的一實施例中，於基板的垂直方向上，上述的絕緣導熱層在顯示區內具有一覆蓋面積，且覆蓋面積至少大於1/3顯示區的面積。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣導熱層環繞發光二極體。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體顯示器更包括封裝膠體，配置於基板上且覆蓋發光二極體。封裝膠體包括多個絕緣導熱粒子，且絕緣導熱粒子的導熱係數大於100W/m.K且電阻率大於10 8Ω.cm。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣導熱粒子的材料包括氮化鋁、碳化矽、氧化鈹、氮化硼、氧化鋁或氮化矽。
基於上述，本發明的發光二極體顯示器，其包括發光二極體、突出結構、絕緣導熱層以及散熱結構。其中，突出結構配置於各發光二極體的至少一側邊、絕緣導熱層配置於突出結構上且絕緣導熱層連接至散熱結構。藉此設計，使得本發明的發光二極體顯示器可利用熱傳導的方式，將發光二極體所產生的熱傳導至其側邊的絕緣導熱層，再將熱傳導至與絕緣導熱層連接的散熱結構來有效地進行散熱，以降低整體的發光二極體顯示器的溫度，進而提高發光二極體顯示器的發光效率及並改善色偏現象。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是依照本發明一實施例的一種發光二極體顯示器的俯視示意圖。圖1B是圖1A的發光二極體顯示器沿A-A’的局部剖面示意圖。其中，圖1A中省略繪示主動元件122與突出結構140。請同時參照圖1A與圖1B，在本實施例中，發光二極體顯示器10具有顯示區100a與非顯示區100b，其中非顯示區100b為位於顯示區100a以外的區域。其中，發光二極體顯示器10包括基板110、多個發光二極體130、多個突出結構140、絕緣導熱層150以及散熱結構160。
詳細來說，基板110具有驅動元件120，且驅動元件120包括多個主動元件122與驅動控制裝置124、124a。其中，主動元件122(圖1B中示意地繪示為2個)陣列排列於顯示區100a，驅動控制裝置124與驅動控制裝置124a位於非顯示區100b，驅動控制裝置124、124a可為積體電路晶片(IC)或其他以半導體材料及製程所製造的開關元件等，亦可為與主動元件122利用相同的製程所製造產生。發光二極體130(圖1A中示意地繪示為15個)例如是次毫米發光二極體(mini LED)或微型發光二極體(micro LED)，配置於基板110上且陣列排列於顯示區100a。發光二極體130分別與主動元件122之一電性連接。突出結構140(圖1B中示意地繪示為2個)配置於基板110上且位於各發光二極體130的至少一側邊，在部分實施例中，突出結構140於俯視下可為島狀、一條一條的連續圖案或網狀，但不以此為限。在本實施例中，突出結構140的高度為H1，發光二極體130的高度為H2，且H1大於H2。絕緣導熱層150配置於突出結構140上，絕緣導熱層150覆蓋突出結構140至少部份面積並延伸至鄰近發光二極體130的基板110的頂面111上。突出結構140的設置可用以增加絕緣導熱層150的覆蓋面積，使得熱能較易藉由絕緣導熱層150傳遞出去。
在本實施例中，如圖1B所示，突出結構140可配置於發光二極體130相對的二側邊，但不以此為限。在其他實施例中，突出結構也可配置於發光二極體130的其中一側邊或任意二個以上的側邊。
在本實施例中，如圖1A所示，絕緣導熱層150可配置於發光二極體130的四個側邊，但不以此為限。在其他實施例中，絕緣導熱層150也可配置於發光二極體130的其中一側邊或任意兩個以上的側邊。需要注意的是，絕緣導熱層150以完全環繞發光二極體130的方式配置時，可增加發光二極體130的熱擴散接觸面積，並使發光二極體顯示器10具有較佳的散熱效果。
特別要說明的是，顯示區100a的面積包括驅動控制裝置124、124a以內開始具有顯示畫素的區域以及與驅動控制裝置124、124a相連接的複數導線，如掃描線126與資料線128，即顯示區100a的面積包括了顯示畫素中發光的區域與不發光的區域。在本實施例中，於基板110的垂直方向上，絕緣導熱層150在顯示區100a內具有一覆蓋面積，且此覆蓋面積至少大於1/3顯示區100a的面積，此時發光二極體顯示器10可具有較佳的散熱效果。
在本實施例中，絕緣導熱層150可接觸發光二極體130但不覆蓋發光二極體130。進一步而言，發光二極體130至少包括第一半導體層、第二半導體層、發光層、第一電極132以及第二電極134。其中，第一半導體層與第二半導體層的材料不同，第一半導體層與第二半導體層分別位於發光層的相對兩側，第一電極132配置於第一半導體層上，且第二電極134配置於第二半導體層上。於是，在本實施例中，絕緣導熱層150可例如是接觸發光二極體130的第一半導體層、第二半導體層、發光層、第一電極132或第二電極134，以將發光二極體130的第一半導體層、第二半導體層、發光層、第一電極132或第二電極134所產生的熱傳導至其側邊的絕緣導熱層150。須要注意的是，雖然在本實施例的發光二極體130可具體化為垂直式發光二極體，但不以此為限。在其他實施例中，發光二極體130也可以是水平式發光二極體(如圖2所示)或覆晶式(flip chip)發光二極體。
在本實施例中，絕緣導熱層150的導熱係數例如是大於100W/m.K且電阻率例如是大於10 8Ω.cm。也就是說，本實施例的絕緣導熱層150具有良好的導熱性以及較差的導電性，因此，絕緣導熱層150能有效地將發光二極體130所產生的熱傳導出去，但卻不會造成發光二極體130的短路。在本實施例中，絕緣導熱層150的材料例如是包括氮化鋁、碳化矽、氧化鈹、氮化硼或其組合，或是其他適合的絕緣導熱材料。
此外，請參照圖1A，在本實施例中，散熱結構160(圖1A中示意地繪示為2個)配置於基板110上且位於非顯示區100b。其中，絕緣導熱層150連接至散熱結構160。具體來說，在本實施例中，絕緣導熱層150可從顯示區100a沿著基板110的頂面111延伸且連接至非顯示區100b的散熱結構160。換言之，本實施例的發光二極體顯示器10可透過絕緣導熱層150將顯示區100a的發光二極體130所產生的熱直接傳導至非顯示區100b的散熱結構160，進而達到散熱的效果。但在其他實施例中，絕緣導熱層150也可間接連接至散熱結構160。舉例來說，絕緣導熱層150可先將發光二極體130所產生的熱傳導至另一導電散熱層，再透過導電散熱層將熱傳導至散熱結構160，進而達到更佳的散熱效果但卻不會造成發光二極體130的短路。在本實施例中，散熱結構160例如是散熱材料，且散熱材料例如是包括散熱膠、散熱膠帶、金屬或其他適合的散熱材料。散熱結構160配置於非顯示區100b時不會影響到顯示區100a的設計且可與發光二極體顯示器10的框體相連接，進而透過發光二極體顯示器10的框體將熱散出至發光二極體顯示器10之外。
在本實施例中，主動元件122配置於基板110的基底112上，且主動元件122包括通道層1221、閘極1222、源極1223、汲極1224以及閘絕緣層1225，但不以此為限，在其他實施方式中，主動元件122亦可為積體電路晶片控制開關。其中，驅動控制裝置124透過掃描線126電性連接至主動元件122的閘極1222，驅動控制裝置124a透過資料線128電性連接至主動元件122的源極1223。基板110還包括配置在基底112上的導電層114，導電層114與主動元件122的汲極1224電性相連且與發光二極體130的第二電極134電性相連，也就是說，發光二極體130的第二電極134可透過導電層114電性連接至主動元件122的汲極1224。而發光二極體130的第一電極132則電性連接至另一訊號。
在本實施例中，請參照圖1B，發光二極體顯示器10更包括封裝膠體170，配置於基板110上且覆蓋發光二極體130。封裝膠體170還可覆蓋突出結構140、絕緣導熱層150以及基板110，但不以此為限。在本實施例中，封裝膠體170還包括多個絕緣導熱粒子172。這些絕緣導熱粒子172的導熱係數例如是大於100W/m.K且電阻率例如是大於10 8Ω.cm。其中，這些絕緣導熱粒子172的材料例如是包括氮化鋁、碳化矽、氧化鈹、氮化硼、氧化鋁、氮化矽或其組合，或其他適合的絕緣導熱材料。在一部分的實施例中，封裝膠體170的填充高度亦可與突出結構140或絕緣導熱層150等同高。
簡言之，在本實施例中，發光二極體顯示器10至少包括絕緣導熱層150以及散熱結構160。其中，絕緣導熱層150配置於發光二極體130側邊的突出結構140上，絕緣導熱層150接觸發光二極體130，且絕緣導熱層150連接至散熱結構160。藉此設計，使得本實施例的發光二極體顯示器10可利用熱傳導的方式，將發光二極體130所產生的熱傳導至其側邊的絕緣導熱層150，再將熱傳導至與絕緣導熱層150連接的散熱結構160來有效地進行散熱，以降低整體的發光二極體顯示器10的溫度。
以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2是依照本發明另一實施例的一種發光二極體顯示器的局部剖面示意圖。請參照圖2，本實施例的發光二極體顯示器10a與圖1B中的發光二極體顯示器10相似，惟二者主要差異之處在於：發光二極體顯示器10a更包括多個連接層190、192。
詳細來說，連接層190、192配置於基板110上，且部份連接層190與絕緣導熱層150接觸，且絕緣導熱層150覆蓋各連接層190、192。其中，連接層190的一端可電性連接至發光二極體130a的第一電極，且另一端電性連接至主動元件122的汲極1224。連接層192的一端電性連接至發光二極體130a的第二電極，且另一端電性連接至共同電極。換言之，各發光二極體130a分別經由各連接層190、192電性連接至對應的主動元件122。在本實施例中，連接層190、192的功用不只作為電性傳導的導線外，發光二極體130a所產生的熱更可透過連接層190、192加速傳導至其側邊的絕緣導熱層150，再將熱傳導至與絕緣導熱層150連接的散熱結構160來有效地進行散熱，以降低整體的發光二極體顯示器10a的溫度。
圖3是依照本發明另一實施例的一種發光二極體顯示器的局部剖面示意圖。請參照圖3，本實施例的發光二極體顯示器10b與圖1B中的發光二極體顯示器10相似，惟二者主要差異之處在於：發光二極體顯示器10b更包括高導熱層180，配置於突出結構140頂端。
詳細來說，在本實施例中，高導熱層180例如覆蓋且直接接觸於至少部份絕緣導熱層150之上，但不以此為限。在其他實施例中，高導熱層180也可配置於部份絕緣導熱層150與突出結構140之間，使高導熱層180直接接觸於突出結構140。換言之，至少部份絕緣導熱層150與高導熱層180於垂直投影於基板110的方向上重疊。在本實施例中，高導熱層180的導熱係數例如是大於200W/m.K，具有良好的導熱性，其中高導熱層180的材料例如是包括銅、鋁等金屬材質或其組合，或其他適合的金屬材質。
在本實施例中，部份高導熱層180可連接至散熱結構160。具體來說，部份高導熱層180可從顯示區100a延伸至非顯示區100b的散熱結構160，並直接連接至散熱結構160。換言之，發光二極體130所產生的熱可先傳導至絕緣導熱層150，再將熱傳導至高導熱層180，接著再透過高導熱層180將熱傳導至非顯示區100b的散熱結構160來進行散熱，但不以此為限。在其他實施例中，高導熱層180也可間接連接至散熱結構160。舉例來說，發光二極體130所產生的熱可先傳導至絕緣導熱層150，將熱傳導至高導熱層180，再將熱傳導至導電散熱層，接著再透過導電散熱層將熱傳導至非顯示區100b的散熱結構160來進行散熱。
特別要說明的是，請參照圖3，在本實施例中，高導熱層180可配置於發光二極體130的二側邊，但不以此為限。在其他實施例中，高導熱層180也可配置於發光二極體130的其中一側邊或任意兩個以上的側邊。需要注意的是，將高導熱層180配置於發光二極體130的四個側邊，也就是將高導熱層180以環繞發光二極體130的方式配置時，可增加絕緣導熱層150的熱擴散接觸面積，並使發光二極體顯示器10b具有較佳的散熱效果。
圖4是依照本發明另一實施例的一種發光二極體顯示器的局部剖面示意圖。請參照圖4，本實施例的發光二極體顯示器10c與圖3中的發光二極體顯示器10b相似，惟二者主要差異之處在於：發光二極體顯示器10c更包括散熱基板210，設置於高導熱層180之上。
詳細來說，在本實施例中，散熱基板210與基板110相對設置，且散熱基板210直接接觸高導熱層180。在本實施例中，散熱基板210例如是具有散熱區的玻璃基板，且散熱區例如是含有散熱孔的區域，但不以此為限。在本實施例的本實施例發光二極體顯示器10c中，發光二極體130所產生的熱可傳導至絕緣導熱層150以及高導熱層180，接著，除了可透過非顯示區100b的散熱結構160之外，還可藉由與高導熱層180接觸的散熱基板210來進行散熱，以達到快速散熱的效果。
圖5A是依照本發明另一實施例的一種發光二極體顯示器的局部剖面示意圖。請參照圖5A，在本實施例的發光二極體顯示器10d中，相鄰的發光二極體130之間的絕緣導熱層150彼此相連，且在相鄰的發光二極體130之間的區域有1個突出結構140，但不以此為限。在其他實施例中，在發光二極體顯示器10e中，相鄰的發光二極體130之間的區域也可以是有2個彼此分離的突出結構140，如圖5B所示，藉此設計，可增加相鄰的發光二極體130之間彼此相連的絕緣導熱層150的熱擴散接觸面積。
綜上所述，本發明的發光二極體顯示器，其包括發光二極體、突出結構、絕緣導熱層以及散熱結構。其中，突出結構配置於各發光二極體的至少一側邊、絕緣導熱層配置於突出結構上且絕緣導熱層連接至散熱結構。藉此設計，使得本發明的發光二極體顯示器可利用熱傳導的方式，將發光二極體所產生的熱傳導至其側邊的絕緣導熱層，再將熱傳導至與絕緣導熱層連接的散熱結構來有效地進行散熱，以降低整體的發光二極體顯示器的溫度，進而提高發光二極體顯示器的發光效率及並改善色偏現象。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、10a、10b、10c、10d‧‧‧發光二極體顯示器
100a‧‧‧顯示區
100b‧‧‧非顯示區
110‧‧‧基板
111‧‧‧頂面
112‧‧‧基底
113‧‧‧絕緣層
114‧‧‧導電層
120‧‧‧驅動元件
122‧‧‧主動元件
1221‧‧‧通道層
1222‧‧‧閘極
1223‧‧‧源極
1224‧‧‧汲極
1225‧‧‧閘絕緣層
1226‧‧‧絕緣層
124、124a‧‧‧驅動控制裝置
126‧‧‧掃描線
128‧‧‧資料線
130、130a‧‧‧發光二極體
132‧‧‧第一電極
134‧‧‧第二電極
140‧‧‧突出結構
150‧‧‧絕緣導熱層
160‧‧‧散熱結構
170‧‧‧封裝膠體
172‧‧‧絕緣導熱粒子
180‧‧‧高導熱層
190‧‧‧連接層
210‧‧‧散熱基板
H1、H2‧‧‧高度
圖1A是依照本發明一實施例的一種發光二極體顯示器的俯視示意圖。 圖1B是圖1A的發光二極體顯示器沿A-A’的局部剖面示意圖。 圖2是依照本發明另一實施例的一種發光二極體顯示器的局部剖面示意圖。 圖3是依照本發明另一實施例的一種發光二極體顯示器的局部剖面示意圖。 圖4是依照本發明另一實施例的一種發光二極體顯示器的局部剖面示意圖。 圖5A是依照本發明另一實施例的一種發光二極體顯示器的局部剖面示意圖。 圖5B是依照本發明另一實施例的一種發光二極體顯示器的局部剖面示意圖。

Claims (13)

  1. 一種發光二極體顯示器，具有一顯示區與一非顯示區，且該發光二極體顯示器包括：一基板，具有多個主動元件；多個發光二極體，配置於該基板上且陣列排列於該顯示區，且分別與該些主動元件之一電性連接；多個突出結構，配置於該基板上且位於各該些發光二極體的至少一側邊，該些突出結構的高度大於該些發光二極體的高度；一絕緣導熱層，配置於該些突出結構上，該絕緣導熱層覆蓋該些突出結構相對於該基板的多個頂面上並延伸至鄰近該些發光二極體的該基板的該些頂面上；以及一散熱結構，配置於該基板上且位於該非顯示區，其中該絕緣導熱層連接至該散熱結構，其中該絕緣導熱層接觸該些發光二極體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該絕緣導熱層的導熱係數大於100W/m.K且電阻率大於108Ω.cm。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體顯示器，其中該絕緣導熱層的材料包括氮化鋁、碳化矽、氧化鈹或氮化硼。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該散熱結構具有一散熱材料，該散熱材料包括散熱膠、散熱膠帶或金屬。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體顯示器，其中該散熱結構與該發光二極體顯示器之一框體相連接。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，更包括：一高導熱層，配置於該突出結構上，且至少部份該絕緣導熱層與該高導熱層於垂直投影於該基板的方向上重疊，其中該高導熱層的導熱係數大於200W/m.K，部份該高導熱層連接至該散熱結構。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體顯示器，該高導熱層覆蓋且直接接觸於至少部份該絕緣導熱層之上。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體顯示器，其中該高導熱層的材料包括銅、鋁等金屬材質或其組合。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體顯示器，更包括：一散熱基板，設置於該高導熱層之上，且該散熱基板直接接觸該高導熱層。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中於該基板的垂直方向上，該絕緣導熱層在該顯示區內具有一覆蓋面積，該覆蓋面積至少大於1/3該顯示區的面積。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該絕緣導熱層環繞該些發光二極體。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，更包括：一封裝膠體，配置於該基板上且覆蓋該些發光二極體，其中該封裝膠體包括多個絕緣導熱粒子，且該些絕緣導熱粒子的導熱係數大於100W/m.K且電阻率大於108Ω.cm。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體顯示器，其中該些絕緣導熱粒子的材料包括氮化鋁、碳化矽、氧化鈹、氮化硼、氧化鋁或氮化矽。
TW107110813A 2018-03-28 2018-03-28 發光二極體顯示器 TWI672807B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107110813A TWI672807B (zh) 2018-03-28 2018-03-28 發光二極體顯示器
CN201811324924.1A CN109449177B (zh) 2018-03-28 2018-11-08 发光二极管显示器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107110813A TWI672807B (zh) 2018-03-28 2018-03-28 發光二極體顯示器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI672807B true TWI672807B (zh) 2019-09-21
TW201943066A TW201943066A (zh) 2019-11-01

Family

ID=65551375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107110813A TWI672807B (zh) 2018-03-28 2018-03-28 發光二極體顯示器

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN109449177B (zh)
TW (1) TWI672807B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109859647B (zh) * 2019-03-29 2022-04-08 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
TWI763420B (zh) 2021-04-09 2022-05-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN113889496B (zh) * 2021-09-30 2022-10-11 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
KR20230136788A (ko) * 2022-03-17 2023-09-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200426756A (en) * 2003-05-19 2004-12-01 Seiko Epson Corp Photoelectric device and electronic machine
TW201005988A (en) * 2008-07-18 2010-02-01 Au Optronics Corp Package structure of light emitting diode
TW201638913A (zh) * 2015-04-17 2016-11-01 友達光電股份有限公司 顯示面板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101197758B1 (ko) * 2005-04-06 2012-11-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
CN104701353A (zh) * 2015-03-27 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板和显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200426756A (en) * 2003-05-19 2004-12-01 Seiko Epson Corp Photoelectric device and electronic machine
TW201005988A (en) * 2008-07-18 2010-02-01 Au Optronics Corp Package structure of light emitting diode
TW201638913A (zh) * 2015-04-17 2016-11-01 友達光電股份有限公司 顯示面板

Also Published As

Publication number Publication date
TW201943066A (zh) 2019-11-01
CN109449177A (zh) 2019-03-08
CN109449177B (zh) 2021-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI672807B (zh) 發光二極體顯示器
US8022534B2 (en) Semiconductor package using an active type heat-spreading element
US20090039379A1 (en) Heat radiation package and semiconductor device
JP2005117041A (ja) 高出力発光ダイオードデバイス
TWI446602B (zh) 封裝載板及封裝結構
US10064272B2 (en) Light emitting device using metal substrate for improving heat dissipation efficiency
JPH0997864A (ja) 冷却改善用の熱伝達構造を有する高密度ｃｍｏｓ集積回路
JP2008004689A (ja) 発光ダイオードパッケージ
KR960000222B1 (ko) 히트-싱크를 갖춘 반도체 패키지
WO2017188237A1 (ja) Ｌｅｄ光源装置
TW201324705A (zh) 電子元件
TWI553791B (zh) 晶片封裝模組與封裝基板
US10062632B2 (en) Semiconductor device having improved heat dissipation efficiency
TWI660471B (zh) 晶片封裝
KR20140117542A (ko) Led 발광 장치 및 그 제조 방법, 및 led 조명 장치
JP6210720B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
KR100716865B1 (ko) 반도체패키지
TW201616699A (zh) 驅動覆晶發光晶片之電路板及包含其之發光模組
JP2002278481A (ja) Ｌｅｄ表示ユニットおよびその製造方法
KR101166066B1 (ko) 발광다이오드 패키지
JP2020188082A (ja) 半導体パッケージ
KR101921127B1 (ko) 조명 장치
US10825974B2 (en) Light-emitting diode package and method of manufacture
CN117954567A (zh) 一种发光模组及显示装置
TWI648885B (zh) 發光裝置