TWI672265B - 碳奈米管之篩選 - Google Patents
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Abstract
本發明提供用於製備包含半導電單壁碳奈米管、半導電聚合物及溶劑A之組合物(組合物A)的方法，該方法包含將組合物A自包含半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管、該半導電聚合物及溶劑B之組合物(組合物B)分離的步驟，其中該半導電聚合物具有在0.5至1.8eV範圍內之帶隙且溶劑A及B包含芳族或雜芳族溶劑；組合物A本身；用於形成電子裝置之方法，該方法包含藉由將組合物A施加至該電子裝置之前驅物來形成層的步驟；以及可由此方法獲得的電子裝置。
Description
本發明係關於用於製備包含半導電單壁碳奈米管及半導電聚合物之組合物的方法；該包含半導電單壁碳奈米管及該半導電聚合物之組合物；包含層之電子裝置，該層包含半導電單壁碳奈米管及半導電聚合物；及該包含半導電單壁碳奈米管及半導電聚合物之組合物用於形成半導電層的用途。
取決於管直徑及包角，單壁碳奈米管(SWNT)顯示出金屬或半導電特性。SWNT之多種應用，諸如有機光伏(OPV)裝置及有機場效電晶體(OFET)，特別需要具有極少金屬SWNT雜質之半導電SWNT。不幸的是，所有當前用於SWNT之生長方法，諸如電弧放電或雷射切除，均製造出半導電SWNT及金屬SWNT之混合物。
已知若干分離半導電SWNT與金屬SWNT之方法，但其中大多數又不適於大規模技術製程。高效方法依賴於在聚合物存在下分散半導電SWNT與金屬SWNT，隨後離心。
Nish,A.；Hwang,J.-Y.；Doig,J.；Nicholas,R.J.Nat.Nano 2007,2,640-646描述作為SWNT之分散劑的包含茀單元之若干聚合物及共聚物。以聚(9,9-二辛基茀基-2,7-二基)(PFO)作為分散劑顯示出最高選擇性。
Berton,N.；Lemasson,F.；Tittmann,J.；Stürzl,N.；Hennrich,F.；Kappes,M.M.；Mayor,M.Chem.Mat.2011,23,2237-2249描述作為
SWNT之分散劑的包含藉由萘、蒽及蒽醌間隔基隔開之茀或咔唑單元的若干共聚物。
Tange,M.；Okazaki,T.；Iijima,S.J.Am.Chem.Soc.2011,133,11908-11911描述作為SWNT之分散劑的聚(9,9-二辛基茀-交替-苯并噻二唑)(F8BT)及聚(9,9-二-正十二烷基茀)(PFD)。詳言之，F8BT選擇性分離大(>1.3nm)直徑SWNT。
Akazaki,K.；Toshimitsu,F.；Ozawa,H.；Fujigaya T.；Nakashima,N.J.Am.Chem.Soc.2012,134,12700-12707描述作為SWNT之分散劑的12種共聚物(9,9-二辛基茀-2,7-二基)x((R)-或(S)-2,2'-二甲氧基-1,1'-聯萘-6,6-二基)y，其中x及y為共聚物組成比。
Jakubka,F.；Schiessl,S.P.；Martin,S.；Englert,J.M.；Hauke,F.；Hirsch A.,Zaumseil,J.ACS Marco Lett.2012,1,815-819描述SWNT之分散劑的聚(9,9-二辛基茀)及聚(9,9-二辛基茀-共-苯并噻二唑)。
Mistry,K.S.；Larsen,B.A.；Blackburn,J.L.ACS Nano 2013,7,2231-2239描述作為分散劑用於平均直徑為1.3nm之雷射汽化SNWT的聚[(9,9-二辛基茀基-2,7-二基)-交替-共-(6,6'-(2,2'-聯吡啶))]及聚[(9,9-二己基茀基-2,7-二基)-共-(9,10-蒽)]。
Qian,L.；Xu,W.；Fan,X.；Wang,C.；Zhang,J.；Zhao,J.；Cui,Z.J.Phys.Chem.2013,C117,18243-18250描述以9,9-二辛基茀-共-聯噻吩作為SWNT之分散劑以便自市售電弧放電之SWNT選擇性分離大直徑SWNT。
Wang,H.；Mei,J.；Liu,P.；Schmidt,K.；Jimenez-Oses,G.；Osuna,S.；Fang,L.；Tassone,C.T.；Zoombelt,A.P.；Sokolov,A.N.；Houk K.N.；Toney,M.F.；Bao,Z.ACS Nano 2013,7,2659-2668描述以聚(二硫富瓦烯-茀-共-間噻吩)作為分散劑用於自電弧放電之1.1-1.8nm SWNT分離半導電SWNT。
Berton,N.；Lemasson,F.；Poschlad,A.；Meded,V.；Tristram F.；Wenzel,W.；Hennrich,F.；Kappes,M.M.；Mayor,M.Small 2014,10,360-367描述以分別具有2,7-茀單元但吡啶基之連接性不同的聚(茀-交替-吡啶)共聚物以及聚(咔唑-交替-吡啶)共聚物作為SWNT之分散劑以選擇性分離大(>1nm且最多1.3nm)直徑SWNT。
在基於離心之分離製程中作為SWNT之分散劑的半導電聚合物特別有用，因為該離心製程之產物包含該半導電聚合物且該半導電SWNT可直接用於製備有機裝置，諸如有機場效電晶體(OFET)。
Lee,H.W.；Yoon,Y.；Park,S.；Oh,J.H.；Hong,S.；Liyanage,L.S.；Wan,H.；Morishita,S.；Patil,N.；Park,Y.J.；Park,J.J.；Spakowitz,A.；Galli,G.,Gygi,F.；Wong,P.H.-S.；Tok,J.B.-H.；Kim,J.M.；Bao,Z.Nat.Commun.2011,2,541-548描述作為SWNT之分散劑的區位規則性聚(3-烷基噻吩)，其常用作諸如有機場效電晶體(OFET)之有機電子裝置中的半導體材料。所描述之電晶體包含區位規則性聚(3-烷基噻吩)及半導電SWNT。
US 2012/0104328描述包括噻吩環及連接至該噻吩環之烴側鏈的聚噻吩衍生物。描述的電晶體包含該聚噻吩衍生物及半導電SWNT。
Smithson,C；Wu,Y.；Wigglesworth,T.；Gardner,S.；Thu,S.；Nie H.-Y.Organic Electronics 2014,15,2639-2646描述使用二酮基吡咯并吡咯-四聯噻吩之半導體共聚物及未篩選之SWNT製造有機薄膜電晶體。
本發明之目的係提供一種用於製備包含半導電單壁碳奈米管及半導電聚合物之組合物的方法，該組合物適於在電子裝置中，較佳在有機場效電晶體(OFET)中形成半導體層，且產生顯示出高電荷載流子遷移率及高開/關比之OFET。
此目的係藉由技術方案1之方法、技術方案14之組合物、技術方
案15之方法、技術方案16之電子裝置及技術方案18之用途解決。
本發明之方法係一種用於製備包含半導電單壁碳奈米管、半導電聚合物及溶劑A之組合物(組合物A)的方法，該方法包含將組合物A自包含半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管、該半導電聚合物及溶劑B之組合物(組合物B)分離的步驟，其中該半導電聚合物具有在0.5至1.8eV範圍內之帶隙且溶劑A及溶劑B包含芳族或雜芳族溶劑。
帶隙係最高佔用分子軌域(HOMO)與最低未佔用分子軌域(LUMO)之間的能量差異。帶隙(Egopt)係使用以下等式，由半導電聚合物之吸收起始波長(λ起始)測定：Egopt[eV]=普朗克常數(Planck constant)[eV s]×光速[nms-1]/λ起始[nm]，其中半導電聚合物之吸收起始波長(λ起始)係在25℃下由該半導電聚合物之薄膜UV-Vis-NIR光譜測定，且表示在吸收曲線之最紅移拐點之切線與基線(吸收=0)的交點處的波長。
圖5說明如何由半導電聚合物在25℃下之薄膜UV-Vis-NIR光譜測定半導電聚合物之吸收起始波長(λ起始)。
較佳地，半導電聚合物之帶隙在0.6至1.7eV範圍內。甚至更佳地，半導電聚合物之帶隙在0.8至1.6eV範圍內。最佳地，半導電聚合物之帶隙在1.0至1.5eV範圍內。
芳族溶劑可選自由以下組成之群：苯、萘、聯苯及其混合物，該苯、萘及聯苯可經一至四個取代基取代，該一至四個取代基獨立地選自由以下組成之群：鹵素、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-12環烷基、CN、NO2、OH、SH、NR1000R2000、CHO、CO-C1-20烷基、COO-C1-20烷基、CONR1000R2000、O-C1-20烷基、S-C1-20烷基、O-C2-20烯基及O-C2-20炔基，且該苯、萘及聯苯可與-CH2-CH2-CH2-或-CH2-CH2-CH2-CH2-成環，該-CH2-CH2-CH2-或-CH2-CH2-CH2-CH2-可經C1-20
烷基或O-C1-20烷基取代，或其中-CH2-CH2-CH2-或-CH2-CH2-CH2-CH2-之CH2基團中之一或兩個可經O、S或N-R1000置換，其中R1000及R2000在每次出現時獨立地為H或C1-20烷基，其中C1-20烷基可經一或多個鹵素取代。
芳族溶劑之實例為苯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲苯(均三甲苯)、1,2,3-三甲苯、1,2,4-三甲苯、氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、茚滿、萘滿、甲氧基苯(苯甲醚)、乙苯、1,2-二乙苯、1,3-二乙苯、1,4-二乙苯、丙基苯、丁基苯、第三丁基苯、異丙基苯、1-甲基萘、2-甲基萘及1-氯萘。
雜芳族溶劑可選自由以下組成之群：噻吩、呋喃、吡啶、吡咯、嘧啶及其混合物，該噻吩、呋喃、吡啶、吡咯及嘧啶可經一至四個取代基取代，該一至四個取代基獨立地選自由以下組成之群：鹵素、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-12環烷基、CN、NO2、OH、SH、NR1000R2000、CHO、CO-C1-20烷基、COO-C1-20烷基、CONR1000R2000、O-C1-20烷基、S-C1-20烷基、O-C2-20烯基及O-C2-20炔基，且該噻吩、呋喃、吡啶、吡咯及嘧啶可與-CH2-CH2-CH2-或CH2-CH2-CH2-CH2-成環，該-CH2-CH2-CH2-及CH2-CH2-CH2-CH2-可經C1-20烷基或O-C1-20烷基取代，或其中-CH2-CH2-CH2-及CH2-CH2-CH2-CH2-之CH2基團中之一或兩個可經O、S或N-R1000置換，其中R1000及R2000在每次出現時獨立地為H或C1-20烷基，其中C1-20烷基可經一或多個鹵素取代。
雜芳族溶劑之實例為噻吩、2-甲基-噻吩、3-甲基-噻吩、吡啶、2-甲基-吡啶、3-甲基-吡啶、4-甲基-吡啶、2,4-二甲基-吡啶及2,4,6-三甲基吡啶。
較佳地，溶劑B包含芳族溶劑。
更佳地，溶劑B包含以溶劑B之重量計至少40重量%之芳族溶劑，該芳族溶劑係選自由以下組成之群：苯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲苯(均三甲苯)、1,2,3-三甲苯、1,2,4-三甲苯、氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、茚滿、萘滿、甲氧基苯(苯甲醚)、乙苯、丙基苯、丁基苯、第三丁基苯、異丙基苯及其混合物。
甚至更佳地，溶劑B包含以溶劑B之重量計至少60重量%之芳族溶劑，該芳族溶劑係選自由以下組成之群：甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲苯(均三甲苯)、氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、茚滿、萘滿、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。
最佳地，溶劑B包含以溶劑B之重量計至少80重量%之芳族溶劑，該芳族溶劑係選自由以下組成之群：甲苯、均三甲苯、氯苯、鄰二氯苯、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。
詳言之，溶劑B為甲苯。
較佳地，以半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之重量總和計，組合物B含有20至95重量%之半導電單壁碳奈米管及80-5重量%之金屬單壁碳奈米管。
更佳地，以半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之重量總和計，組合物B含有50至90重量%之半導電單壁碳奈米管及50-10重量%之金屬單壁碳奈米管。
最佳地，以半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之重量總和計，組合物B含有60至80重量%之半導電單壁碳奈米管及40-20重量%之金屬單壁碳奈米管。
詳言之，以半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之重量總和計，組合物B含有65至85重量%之半導電單壁碳奈米管及35-25重量%之金屬單壁碳奈米管。
較佳地，組合物B中半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之直徑在0.5至5nm範圍內。更佳地，組合物B中半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之直徑在0.8至2.5nm範圍內。最佳地，組合物B中半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之直徑在1.0至2.0nm範圍內。
較佳地，以組合物B之重量計，組合物B中半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之總和之濃度在0.001至3重量%範圍內。更佳地，以組合物B之重量計，組合物B中半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之總和之濃度在0.01至2重量%範圍內。最佳地，以組合物B之重量計，組合物B中半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之總和之濃度在0.1至1重量%範圍內。
較佳地，組合物B中半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之總和/半導電聚合物的重量比在0.01/1至10/1範圍內。較佳地，組合物B中半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之總和/半導電聚合物的重量比在0.05/1至5/1範圍內。更佳地，組合物B中半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之總和/半導電聚合物的重量比在0.25/1至3/1範圍內。
舉例而言，組合物B可藉由將溶劑B與半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物混合來製備。半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物可藉由此項技術中已知之方法，諸如電弧放電、雷射切除或催化分解含碳分子(CVD)來製備。
較佳地，半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物係藉由電弧放電製備。
通常，組合物B係在分離步驟之前使用超音波處理混合。
較佳地，藉由離心製程將組合物A自組合物B分離。較佳地，離心製程中使用之角速度在1,000至100,000rpm範圍內。更佳地，離心
製程中使用之角速度在5,000至50,000rpm範圍內。甚至更佳地，離心製程中使用之角速度在10,000至30,000rpm範圍內。最佳地，離心製程中使用之角速度在12,000至25,000rpm範圍內。
任何適合類型之離心機均可用於該離心製程中，諸如微量離心機、高速離心機及超離心機。較佳使用高速離心機。
通常，離心製程係在0至100℃，更佳地0至50℃，甚至更佳地0至30℃，最佳地5至20℃，且特定言之10至20℃之溫度下進行。
較佳地，在離心製程之後收集上清液，其可視情況用溶劑稀釋，以便獲得組合物A。
較佳地，溶劑A包含芳族溶劑。
更佳地，溶劑A包含以溶劑A之重量計至少40重量%之芳族溶劑，該芳族溶劑係選自由以下組成之群：苯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲苯(均三甲苯)、1,2,3-三甲苯、1,2,4-三甲苯、氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、茚滿、萘滿、甲氧基苯(苯甲醚)、乙苯、丙基苯、丁基苯、第三丁基苯、異丙基苯及其混合物。
甚至更佳地，溶劑A包含以溶劑A之重量計至少60重量%之芳族溶劑，該芳族溶劑係選自由以下組成之群：甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲苯(均三甲苯)、氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、茚滿、萘滿、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。
最佳地，溶劑A包含以溶劑A之重量計至少80重量%之芳族溶劑，該芳族溶劑係選自由以下組成之群：甲苯、均三甲苯、氯苯、鄰二氯苯、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。
詳言之，溶劑A為甲苯。
組合物A基本上不含金屬單壁碳奈米管，或若金屬單壁碳奈米管存在於組合物A中，則組合物A中半導電單壁碳奈米管/金屬單壁碳奈
米管之重量比大於組合物B中半導電單壁碳奈米管/金屬單壁碳奈米管之重量比。
較佳地，半導電聚合物係包含至少一個具有下式
或具有下式之單元的聚合物
其中b及c彼此獨立地為1、2、3、4、5或6，a及d彼此獨立地為0、1、2、3或4，n及m彼此獨立地為0、1、2、3或4，R1在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-100烷基、C2-100烯基、C2-100炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基、5至20員雜芳基、C(O)-C1-100烷基、C(O)-C5-12環烷基及C(O)-OC1-100烷基，其中C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基可經一至四十個取代基取代，該一至四十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、
NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素、CN及NO2；且C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素、CN及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素、CN及NO2，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60烷基、O-C2-60烯基、O-C2-60炔基、O-C5-8環烷基、O-C6-14芳基、O-5至14員雜芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif、NR5R6、鹵素及O-C(O)-R5，其中o為1至50之整數，
RSid、RSie、RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60烷基、O-C2-60烯基、O-C2-60炔基、O-C5-8環烷基、O-C6-14芳基、O-5至14員雜芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii、NR50R60、鹵素及O-C(O)-R50；其中p為1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3)3、NR500R600、鹵素及O-C(O)-R500，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素、CN及NO2；且C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素、CN及NO2；且C5-8環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO置換，
C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素、CN及NO2；其中Rc及Rd獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基，RSij、RSik及RSil獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio、NR7R8、鹵素及O-C(O)-R7，其中q為1至50之整數，RSim、RSin、RSio獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir、NR70R80、鹵素及O-C(O)-R70；其中r為1至50之整數，RSip、RSiq、RSir獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3)3、NR700R800、鹵素及O-C(O)-R700，R7、R8、R70、R80、R700及R800獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜
芳基，C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：C6-18伸芳基、5至20員伸雜芳基、
其中C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基在每次出現時可經一至六個取代基R3取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、N[C(O)R31][C(O)R32]、SR31、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及OH，且其中
在每次出現時可經一或兩個取代基R4取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41及CN，其中R31、R32、R41及R42在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-
C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C5-12環烷基一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2，其中RSiv、RSiw、RSix彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，Ri及Rj獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)R1、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)R1]、SRk、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10
芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；其中Rk及Rl獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，L3及L4在每次出現時彼此獨立地選自由C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基組成之群，其中C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R9取代，該一至六個取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR91、OC(O)-R91、C(O)-OR91、C(O)-R91、NR91R92、NR91-C(O)R92、C(O)-NR91R92、N[C(O)R91][C(O)R92]、SR91、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及OH，且其中R91及R92在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳
基，且其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRnRm、N[C(O)Rn][C(O)Rm]、SRn、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRm或NRm-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2，RSiy、RSiz、RSiaa彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中Rm及Rn獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一
至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；其中Ro及Rp獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，A係選自由以下組成之群：
且B係選自由以下組成之群：
其中X在每次出現時為O、S或NR1，A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3、B4、B5、B6或B7可經一至三個取代基R2取代，R2在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基、5至20員雜芳基、OR21、OC(O)-R21、C(O)-OR21、C(O)-R21、NR21R22、NR21-C(O)R22、C(O)-NR21R22、N[C(O)R21][C(O)R22]、SR21、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及OH，其中R21及R22獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一
至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRe或NRe-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2，RSis、RSit及RSiu彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中Re及Rf獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由
以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；其中Rg及Rh獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
鹵素可為F、Cl、Br及I。
C1-4烷基、C1-10烷基、C1-20烷基、C1-30烷基、C1-36烷基、C1-50烷基、C1-60烷基及C1-100烷基可為分支或未分支的。C1-4烷基之實例為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基及第三丁基。C1-10烷基之實例為C1-4烷基、正戊基、新戊基、異戊基、正-(1-乙基)丙基、正己基、正庚基、正辛基、正-(2-乙基)己基、正壬基及正癸基。C1-20烷基之實例為C1-10烷基及正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基及正二十烷基(C20)。C1-30烷基、C1-36烷基、C1-50烷基、C1-60烷基及C1-100烷基之實例為C1-20烷基及正二十二烷基(C22)、正二十四烷基(C24)、正二十六烷基(C26)、正二十八烷基(C28)
及正三十烷基(C30)。
C2-10烯基、C2-20烯基、C2-30烯基、C2-60烯基及C2-100烯基可為分支或未分支的。C2-10烯基之實例為乙烯基、丙烯基、順-2-丁烯基、反-2-丁烯基、3-丁烯基、順-2-戊烯基、反-2-戊烯基、順-3-戊烯基、反-3-戊烯基、4-戊烯基、2-甲基-3-丁烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基及癸烯基。C2-20烯基之實例為C2-10烯基及亞油烯基(C18)、次亞油烯基(C18)、油烯基(C18)及二十碳四烯基(C20)。C2-30烯基、C2-60烯基及C2-100烯基之實例為C2-20烯基及二十二碳烯基(C22)。
C2-10炔基、C2-20炔基、C2-30炔基、C2-60炔基及C2-100炔基可為分支或未分支的。C2-10炔基之實例為乙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基、壬炔基及癸炔基。C2-20炔基、C2-30炔基、C2-60炔基及C2-100炔基之實例為C2-10炔基及十一炔基、十二炔基、十一炔基、十二炔基、十三炔基、十四炔基、十五炔基、十六炔基、十七炔基、十八炔基、十九炔基及二十炔基(C20)。
C5-6環烷基之實例為環戊基及環己基。C5-8環烷基之實例為C5-6環烷基及環庚基及環辛基。C5-12環烷基為C5-8環烷基及環壬基、環癸基、環十一烷基及環十二烷基。
C6-10芳基之實例為苯基、
C6-14芳基之實例為C6-10芳基及
C6-18芳基之實例為C6-14芳基及
5至10員雜芳基為5至10員單環或多環，諸如雙環、三環或四環之環系統，其包含至少一個雜芳族環且其亦可包含非芳族環，其可經=O取代。
5至14員雜芳基為5至14員單環或多環，諸如雙環、三環或四環之環系統，其包含至少一個雜芳族環且其亦可包含非芳族環，其可經=O取代。
5至20員雜芳基為5至20員單環或多環，諸如雙環、三環或四環之環系統，其包含至少一個雜芳族環且其亦可包含非芳族環，其可經=O取代。
5至10員雜芳基之實例為
5至14員雜芳基之實例為關於5至10員雜芳基所給之實例及
5至20員雜芳基之實例為關於5至14員雜芳基所給之實例及
其中R100及R101在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，或R100及R101若附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORq、OC(O)-Rq、C(O)-ORq、C(O)-Rq、NRqRr、NRq-C(O)Rr、C(O)-NRqRr、N[C(O)Rq][C(O)Rr]、SRq、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORq、OC(O)-Rq、C(O)-ORq、C(O)-Rq、NRqRr、NRq-C(O)Rr、C(O)-NRqRr、N[C(O)Rq][C(O)Rr]、SRq、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORq、OC(O)-Rq、C(O)-ORq、C(O)-Rq、NRqRr、NRq-C(O)Rr、C(O)-NRqRr、N[C(O)Rq][C(O)Rr]、SRq、鹵素、CN及NO2；5至12員環系統可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、
C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORq、OC(O)-Rq、C(O)-ORq、C(O)-Rq、NRqRr、NRq-C(O)Rr、C(O)-NRqRr、N[C(O)Rq][C(O)Rr]、SRq、鹵素、CN及NO2；其中Rq及Rr獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
C6-18伸芳基為6至18員單環或多環，諸如雙環、三環或四環之環系統，其包含至少一個C-芳族環且其亦可包含非芳族環，其可經=O取代。
C6-18伸芳基之實例為
其中R102及R103在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，或R102及R103若附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔
基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、鹵素、CN及NO2；5至12員環系統可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、鹵素、CN及NO2；其中Rs及Rt獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
5至20員伸雜芳基為5至20員單環或多環，諸如雙環、三環或四環之環系統，其包含至少一個雜芳族環且其亦可包含非芳族環，其可經=O取代。
5至20員伸雜芳基之實例為
其中R104及R105在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，或R104及R105若附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五
個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Rv、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；5至12員環系統可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-RuNRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；其中Ru及Rv獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
該5至12員環系統除含有附接至R100及R101，或R102及R103，或R104及R105之原子外，亦可含有選自由以下組成之群的環成員：CH2、O、S及NRw，其中Rw在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基。
較佳地，帶隙在0.5至1.8eV範圍內之半導電聚合物包含以該聚合物之重量計至少60重量%的具有式(1)及/或(5)之單元。
更佳地，帶隙在0.5至1.8eV範圍內之半導電聚合物包含以該聚合物之重量計至少80重量%的具有式(1)及/或(5)之單元。
甚至更佳地，帶隙在0.5至1.8eV範圍內之半導電聚合物包含以該聚合物之重量計至少95重量%的具有式(1)及/或(5)之單元。
最佳地，該半導電聚合物基本上由具有式(1)及/或(5)之單元組
成。
較佳地，b及c彼此獨立地為1、2、3或4。更佳地，b及c彼此獨立地為1、2或3。
較佳地，a及d彼此獨立地為0、1、2或3。更佳地，a及d彼此獨立地為0、1或2。甚至更佳地，a及d彼此獨立地為0或1。最佳地，a及d為0。
較佳地，n為0、1或2，且m為0、1或2。更佳地，n為0或1，且m為0、1或2。最佳地，n為0，且m為0、1或2。
較佳地，R1在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-100烷基、C2-100烯基、C2-100炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，其中C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基可經一至四十個取代基取代，該一至四十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、
C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60烷基、O-C2-60烯基、O-C2-60炔基、O-C5-8環烷基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，其中o為1至50之整數，RSid、RSie及RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，RSig、RSih及RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；且C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由
以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；且C5-8環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO置換，C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；其中Rc及Rd獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基，RSij、RSik及RSil獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio，其中q為1至50之整數，RSim、RSin、RSio獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir、NR70R80、鹵素及O-C(O)-R70；其中r為1至50之整數，RSip、RSiq、RSir獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10
員雜芳基、O-Si(CH3)3、NR700R800、鹵素及O-C(O)-R700，R7、R8、R70、R80、R700及R800獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群。更佳地，R1在每次出現時選自由以下組成之群：C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基，其中C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基可經一至四十個取代基取代，該一至四十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，其中o為1至50之整數，RSid、RSie及RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，
RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；且C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；且C5-8環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO置換，C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；其中Rc及Rd獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基，RSij、RSik及RSil獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30
烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio，其中q為1至50之整數，RSim、RSin、RSio獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir，其中r為1至50之整數，RSip、RSiq、RSir獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R7、R8、R70、R80、R700及R800獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群。
甚至更佳地，R1在每次出現時選自由以下組成之群：C1-50烷基、C2-50烯基及C2-50炔基，其中C1-50烷基、C2-50烯基及C2-50炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-50烷基、C2-50烯基及C2-50炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基及C6-10芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30
烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，其中o為1至50之整數，RSid、RSie、RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群。
最佳地，R1在每次出現時選自由以下組成之群：C1-36烷基、C2-36烯基及C2-36炔基，其中C1-36烷基、C2-36烯基及C2-36炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-36烷基、C2-36烯基及C2-36炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基及C6-10芳基RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20
烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，其中o為1至50之整數，RSid、RSie、RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群。
特定言之，R1在每次出現時為未經取代之C1-36烷基。
較佳地，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：C6-18伸芳基、5至20員伸雜芳基、及，其中C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基在每次出現時可經一至六個取代基R3取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、SR31、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及OH，且其中
在每次出現時可經一或兩個取代基R4取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41及CN，其中R31、R32、R41及R42在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、
N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2，其中RSiv、RSiw、RSix彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，Ri及Rj獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；其中Rk及Rl獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一
至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
更佳地，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基、
及，其中5至20員伸雜芳基在每次出現時可經一至六個取代基R3取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、SR31、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及OH，且其中
在每次出現時可經一或兩個取代基R4取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41及CN，其中R31、R32、R41及R42在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個
CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2，其中RSiv、RSiw、RSix彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，Ri及Rj獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、
CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；其中Rk及Rl獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
甚至更佳地，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基、及，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中R104及R105在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，或R104及R105若附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10
芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；5至12員環系統可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；其中Ru及Rv獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，其中5至20員伸雜芳基可經一至四個取代基R3取代，該一至四個取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，且其中
在每次出現時可經一或兩個取代基R4取代，該取代基選自由以下
組成之群：C1-30烷基、C(O)-R41、C(O)-OR41及CN，其中R41在每次出現時為C1-30烷基。
甚至是甚至更佳地，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基，及，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中R104及R105在每次出現時獨立地選自由H及C1-20烷基組成之群，其中5至20員伸雜芳基可經一至四個取代基R3取代，該一至四個取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，且其中
未經取代。
最佳地，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基，及，其中5至20員伸雜芳基為
其中5至20員伸雜芳基未經取代，且其中
未經取代。
詳言之，L1及L2在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基為
其中5至20員伸雜芳基未經取代。
較佳地，L3及L4在每次出現時彼此獨立地選自由C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基組成之群，其中C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R9取代，該一至六個取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR91、
OC(O)-R91、C(O)-OR91、C(O)-R91、NR91R92、NR91-C(O)R92、C(O)-NR91R92、SR91、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及OH，且其中R91及R92在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRnRm、N[C(O)Rn][C(O)Rm]、SRn、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRm或NRm-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2，RSiy、RSiz、RSiaa彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷
基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中Rm及Rn獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；其中Ro及Rp獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
更佳地，L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中
5至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R9取代，該一至六個取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR91、OC(O)-R91、C(O)-OR91、C(O)-R91、NR91R92、NR91-C(O)R92、C(O)-NR91R92、SR91、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及OH，且其中R91及R92在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRnRm、N[C(O)Rn][C(O)Rm]、SRn、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRm或NRm-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、
N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2，RSiy、RSiz、RSiaa彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中Rm及Rn獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；其中Ro及Rp獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
甚至更佳地，L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中R104及R105在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，或R104及R105若附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統，其中
C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；5至12員環系統可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；其中Ru及Rv獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，其中
5至20員伸雜芳基可經一至三個取代基R9取代，該一至三個取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群。
最佳地，L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中5至20員伸雜芳基可經一個取代基R9取代，該取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群。
詳言之，L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基為
其中5至20員伸雜芳基未經取代。
較佳地，A係選自由以下組成之群：
其中X在每次出現時為O、S或NR1，且A1、A2、A3及A4可經一至三個取代基R2取代。
更佳地，A為
其中X在每次出現時為S或NR1，且A1及A4可經一至三個取代基R2取代。
最佳地，A為
其中A4未經取代。
較佳地，B係選自由以下組成之群：
其中X在每次出現時為O、S或NR1，且B1、B2、B3及B4可經一至三個取代基R2取代。
更佳地，B為
其中
X在每次出現時為S或NR1，且B1及B4可經一至三個取代基R2取代。
最佳地，B為
其中B4未經取代。
較佳地，R2在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，其中C1-30烷基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C1-30烷基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中RSis、RSit及RSiu彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，Re及Rf獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由
以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；其中Rg及Rh獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
更佳地，R2在每次出現時選自由未經取代之C1-30烷基及鹵素組成之群。
在包含至少一個具有下式
或具有下式之單元的較佳聚合物中
b及c彼此獨立地為1、2、3、4、5或6，a及d彼此獨立地為0、1、2、3或4，n及m彼此獨立地為0、1、2、3或4，R1在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-100烷基、C2-100烯基、C2-100炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，其中C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基可經一至四十個取代基取代，該一至四十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔
基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60烷基、O-C2-60烯基、O-C2-60炔基、O-C5-8環烷基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，其中o為1至50之整數，RSid、RSie及RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，RSig、RSih及RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；且C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，
C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；且C5-8環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO置換，C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；其中Rc及Rd獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基，RSij、RSik及RSil獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio，其中q為1至50之整數，RSim、RSin、RSio獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir、NR70R80、鹵素及O-C(O)-R70；其中r為1至50之整數，RSip、RSiq、RSir獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷
基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3)3、NR700R800、鹵素及O-C(O)-R700，R7、R8、R70、R80、R700及R800獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：C6-18伸芳基、5至20員伸雜芳基
及，其中C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基在每次出現時可經一至六個取代基R3取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、SR31、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及OH，且其中
在每次出現時可經一或兩個取代基R4取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41及CN，其中R31、R32、R41及R42在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且
其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2，其中RSiv、RSiw、RSix彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，Ri及Rj獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員
雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；其中Rk及Rl獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，L3及L4在每次出現時彼此獨立地選自由C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基組成之群，其中C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R9取代，該一至六個取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR91、OC(O)-R91、C(O)-OR91、C(O)-R91、NR91R92、NR91-C(O)R92、C(O)-NR91R92、SR91、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及OH，且
其中R91及R92在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRnRm、N[C(O)Rn][C(O)Rm]、SRn、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRm或NRm-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2，RSiy、RSiz、RSiaa彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中
Rm及Rn獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；其中Ro及Rp獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，A係選自由以下組成之群：
且B係選自由以下組成之群：
其中X在每次出現時為O、S或NR1，A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3、B4、B5、B6或B7可經一至三個取代基R2取代，R2在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基、5至20員雜芳基、OR21、OC(O)-R21、C(O)-OR21、C(O)-R21、NR21R22、NR21-C(O)R22、C(O)-NR21R22、N[C(O)R21][C(O)R22]、SR21、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及OH，
其中R21及R22獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRe或NRe-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2，RSis、RSit及RSiu彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中Re及Rf獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一
至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；其中Rg及Rh獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
在包含至少一個具有下式
或具有下式之單元的更佳聚合物中
b及c彼此獨立地為1、2、3、4、5或6，a及d彼此獨立地為0、1、2或3，n及m彼此獨立地為0、1、2、3或4，R1在每次出現時選自由以下組成之群：C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基，其中C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基可經一至四十個取代基取代，該一至四十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，其中o為1至50之整數，RSid、RSie及RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60
烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；且C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；且C5-8環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO置換，C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；其中
Rc及Rd獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基，RSij、RSik及RSil獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio，其中q為1至50之整數，RSim、RSin、RSio獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir，其中r為1至50之整數，RSip、RSiq、RSir獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R7、R8、R70、R80、R700及R800獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基
及，其中5至20員伸雜芳基在每次出現時可經一至六個取代基R3取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、SR31、鹵
素、CN、SiRSivRSiwRSix及OH，且其中
在每次出現時可經一或兩個取代基R4取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41及CN，其中R31、R32、R41及R42在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔
基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2，其中RSiv、RSiw、RSix彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，Ri及Rj獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；其中Rk及Rl獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，
其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基在每次出現時可經一至六個取代基R9取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR91、OC(O)-R91、C(O)-OR91、C(O)-R91、NR91R92、NR91-C(O)R92、C(O)-NR91R92、SR91、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及OH，且其中R91及R92在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRnRm、N[C(O)Rn][C(O)Rm]、SRn、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、
CO、NRm或NRm-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2，RSiy、RSiz、RSiaa彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中Rm及Rn獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；其中
Ro及Rp獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，A係選自由以下組成之群：
且B係選自由以下組成之群：
其中X在每次出現時為O、S或NR1，A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3、B4、B5、B6
或B7可經一至三個取代基R2取代，R2在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基、5至20員雜芳基、OR21、OC(O)-R21、C(O)-OR21、C(O)-R21、NR21R22、NR21-C(O)R22、C(O)-NR21R22、N[C(O)R21][C(O)R22]、SR21、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及OH，其中R21及R22獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRe或NRe-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2，
RSis、RSit及RSiu彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中Re及Rf獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；其中Rg及Rh獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
在包含至少一個具有下式
或具有下式之單元的甚至更佳之聚合物中
b及c彼此獨立地為1、2、3或4，a及d彼此獨立地為0、1或2，n及m彼此獨立地為0、1或2，R1在每次出現時選自由以下組成之群：C1-50烷基、C2-50烯基及C2-50炔基，其中C1-50烷基、C2-50烯基及C2-50炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-50烷基、C2-50烯基及C2-50炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基及C6-10芳基，
RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，其中o為1至50之整數，RSid、RSie、RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基
及，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中R104及R105在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，或R104及R105若附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-
C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；5至12員環系統可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；其中Ru及Rv獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，其中5至20員伸雜芳基可經一至四個取代基R3取代，該一至四個取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，且其中
在每次出現時可經一或兩個取代基R4取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C(O)-R41、C(O)-OR41及CN，其中R41在每次出現時為C1-30烷基，L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中
R104及R105在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，或R104及R105若附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；5至12員環系統可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；其中Ru及Rv獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及
C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，其中5至20員伸雜芳基可經一至三個取代基R9取代，該一至三個取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，A係選自由以下組成之群：
其中X在每次出現時為O、S或NR1，且A1、A2、A3及A4可經一至三個取代基R2取代，B係選自由以下組成之群：
其中X在每次出現時為O、S或NR1，且B1、B2、B3及B4可經一至三個取代基R2取代，其中R2在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，其中C1-30烷基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選
自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C1-30烷基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中RSis、RSit及RSiu彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3、Re及Rf獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；其中Rg及Rh獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，
其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
在包含至少一個具有下式
或具有下式之單元的甚至是甚至更佳之聚合物中
b及c彼此獨立地為1、2或3，a及d彼此獨立地為0或1，n為0或1，m為0、1或2，R1在每次出現時選自由以下組成之群：C1-36烷基、C2-36烯基及C2-36炔基，其中C1-36烷基、C2-36烯基及C2-36炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-
Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-36烷基、C2-36烯基及C2-36炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基及C6-10芳基RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif其中o為1至50之整數，RSid、RSie、RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基
及，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中R104及R105在每次出現時獨立地選自由H及C1-20烷基組成之群，其中5至20員伸雜芳基可經一至四個取代基R3取代，該一至四個取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，且其中
未經取代，L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中5至20員伸雜芳基可經一個取代基R9取代，該取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，A為
其中X在每次出現時為S或NR1，且A1及A4可經一至三個取代基R2取代，B為
其中X在每次出現時為S或NR1，且B1及B4可經一至三個取代基R2取代，其中R2在每次出現時選自由未經取代之C1-30烷基及鹵素組成之群。
在包含至少一個具有下式
或具有下式之單元的最佳聚合物中
b及c彼此獨立地為1、2或3，a及d為0，n為0；m為0、1或2，R1在每次出現時為未經取代之C1-36烷基，L2在每次出現時選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基
及，其中5至20員伸雜芳基為
其中5至20員伸雜芳基未經取代，且其中
未經取代，L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基為
其中
5至20員伸雜芳基未經取代。
A為
其中A4未經取代，B為
其中B4未經取代。
包含至少一個具有式(1)之單元的聚合物較佳為包含至少一個具有式(5)之單元的聚合物。
包含具有式(1)之單元的尤佳聚合物為包含至少一個具有下式之單元的聚合物
包含至少一個具有下式之單元的聚合物
或
其中a、b、c、d、n、m、R1、L1、L2、L3、L4、A及B如上文所定義；可藉由此項技術中已知之方法，例如使用已知之鈴木型(Suzuki-type)或施蒂勒型(Stille-type)共聚合條件製備。
舉例而言，包含至少一個具有下式之單元的聚合物
其中a、b、c、d、R1、L1、L2、L3及L4如上文所定義；可藉由以下方式製備：將具有下式之化合物
其中b、c、R1、L3及L4係如關於具有式(1)之單元所定義，且Y1在在每次出現時為I、Br、Cl或O-S(O)2CF3，用具有下式之化合物處理
及/或
其中L1、L2、a及d係如關於具有式(1)之單元所定義，且Za及Zb在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：B(OZ1)(OZ2)、SnZ1Z2Z3、
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5及Z6在每次出現時彼此獨立地為H或C1-4烷基。
舉例而言，包含具有下式之單元的聚合物
其中n、m、R1、L1、L2、A及B係如上文所定義；可藉由以下方式製備：將具有下式之化合物
其中n、m、R1、L1、L2、A及B係如關於具有式(5)之單元所定義，且Y2在每次出現時為I、Br、Cl或O-S(O)2CF3，
用具有下式之化合物處理
及/或
其中L1、L2、n及m係如關於具有式(5)之單元所定義，且Za及Zb在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：B(OZ1)(OZ2)、SnZ1Z2Z3、
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5及Z6在每次出現時彼此獨立地為H或C1-4烷基。
當Za及Zb在每次出現時獨立地選自由以下組成之群時：B(OZ1)(OZ2)、
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5及Z6在每次出現時彼此獨立地為H或C1-4烷基，該反應通常在催化劑，較佳地Pd催化劑(諸如Pd(P(Ph)3)4、Pd(OAc)2及Pd2(dba)3)，及鹼(諸如K3PO4、Na2CO3、K2CO3、LiOH及NaOMe)存在下進行。取決於Pd催化劑，該反應亦可能需要存在膦配位體，諸如P(Ph)3、P(鄰甲苯基)3及P(第三丁基)3。該反應通常亦在高溫下，諸如在40至250℃，較佳地60至200℃範圍內之溫度下進行。該反應可在適合溶劑，諸如四氫呋喃、甲苯或氯苯存在下進行。該反應通常在惰性氣體下進行。
當Za及Zb獨立地為SnZ1Z2Z3，其中Z1、Z2及Z3在每次出現時彼此獨立地為C1-4烷基時，該反應通常在催化劑，較佳地Pd催化劑(諸如Pd(P(Ph)3)4及Pd2(dba)3)存在下進行。取決於Pd催化劑，該反應亦可能需要存在膦配位體，諸如P(Ph)3、P(鄰甲苯基)3及P(第三丁基)3。該反應通常亦在高溫下，諸如在40至250℃，較佳地60至200℃範圍內之溫
度下進行。該反應可在適合溶劑，諸如甲苯或氯苯存在下進行。該反應通常在惰性氣體下進行。
本發明之一部分亦為一種包含半導電單壁碳奈米管、半導電聚合物及溶劑A之組合物，其中該半導電聚合物具有在0.5至1.8eV範圍內之帶隙且溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑(組合物A)。
較佳地，組合物A可藉由本發明之方法獲得。
本發明之一部分亦為一種用於形成電子裝置之方法，該方法包含以下步驟：藉由將包含半導電單壁碳奈米管、半導電聚合物及溶劑A之組合物(組合物A)(其中該半導電聚合物具有在0.5至1.8eV範圍內之帶隙且溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑)施加至該電子裝置之前驅物上來形成層，該層包含半導電單壁碳奈米管及半導電聚合物。
該層可藉由使用任何適合之液體處理技術，諸如以組合物A旋塗、刮塗、狹縫型擠壓式塗佈、滴落塗佈、噴塗、噴墨或浸泡該電子裝置之前驅物，將組合物A施加至該電子裝置之前驅物上來形成。較佳地，藉由以組合物A刮塗、狹縫型擠壓式塗佈、噴塗或浸泡該電子裝置之前驅物來施加組合物A。更佳地，藉由以組合物A刮塗、狹縫型擠壓式塗佈或浸泡該電子裝置之前驅物來施加組合物A。
該電子裝置可為有機光伏裝置(OPV)、有機場效電晶體(OFET)、有機發光二極體(OLED)或有機光電二極體(OPD)。
較佳地，該電子裝置為有機光伏裝置(OPV)、有機場效電晶體(OFET)或有機光電二極體(OPD)。
更佳地，該電子裝置為有機場效電晶體(OFET)。
較佳地，該電子裝置為有機場效電晶體(OEFT)且該層為半導電層。
有機場效電晶體通常包含介電層、半導電層及基板。此外，有機場效電晶體通常亦包含閘電極及源電極/汲電極。
較佳地，半導電層之厚度可為5至500nm，較佳地為10至100nm，更佳地為20至50nm。
介電層包含介電材料。該介電材料可為二氧化矽或氧化鋁，或有機聚合物，諸如聚苯乙烯(PS)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)、聚(乙烯醇)(PVA)、苯并環丁烯(BCB)或聚醯亞胺(PI)。介電層之厚度可為10nm至2000nm，較佳地為50nm至1000nm，更佳地為100nm至800nm。
除介電材料外，該介電層亦可包含由有機矽烷衍生物或有機磷酸衍生物構成之自組裝單層。有機矽烷衍生物之實例為辛基三氯矽烷。有機磷酸衍生物之實例為辛基癸基磷酸。包含在介電層中之自組裝單層通常與半導電層接觸。
源電極/汲電極可由任何適合之有機或無機源極/汲極材料製成。無機源極/汲極材料之實例為金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)或銅(Cu)，以及包含該等金屬中至少一者之合金。源電極/汲電極之厚度可為1nm至100nm，較佳地為20nm至70nm。
閘電極可由任何適合之閘極材料製成，諸如高度摻雜之矽、鋁(Al)、鎢(W)、氧化銦錫或金(Au)，或包含該等金屬中之至少一者的合金。閘電極之厚度可為1至200nm，較佳地為5至100nm。
基板可為任何適合基板，諸如玻璃或塑膠基板，諸如聚醚碸、聚碳酸酯、聚碸、聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)及聚萘二甲酸伸乙酯(PEN)。取決於有機場效電晶體之設計，閘電極，例如高度摻雜之矽，亦可充當基板。
有機場效電晶體可藉由此項技術中已知之方法來製備。
舉例而言，底閘極頂接觸有機場效電晶體可製備如下：可藉由適合沈積方法，諸如原子層沈積或熱蒸發將介電材料(例如Al2O3或二氧化矽)作為一層施加於閘電極(諸如高度摻雜之矽晶圓)上，該閘電極
亦充當基板。可將由有機磷酸衍生物或有機矽烷衍生物構成之自組裝單層施加至該介電材料層上。舉例而言，可使用溶液沈積技術，由溶液施加有機磷酸衍生物或有機矽烷衍生物。可藉由組合物A之溶液沈積(諸如浸泡)或在真空中熱蒸發，在由有機磷酸衍生物或有機矽烷衍生物構成之自組裝單層上形成半導電層。可藉由經遮蔽罩在半導電層上沈積適合源極/汲極材料，例如鉭(Ta)及/或金(Au)，來形成源電極/汲電極。
舉例而言，底閘極底接觸有機場效電晶體可製備如下：可藉由適合沈積方法，諸如原子層沈積或熱蒸發將介電材料(例如二氧化矽)作為一層施加於閘電極(諸如高度摻雜之矽晶圓)上，該閘電極亦充當基板。可藉由在該介電層上的光微影界定之電極上蒸發適合源極/汲極材料，例如金(Au)或鉻(Cr)，來形成源電極/汲電極。可藉由將組合物A施加於源電極/汲電極及介電層上，隨後用適合溶劑(諸如甲苯)沖洗該層，並在高溫(諸如在80至360℃範圍內之溫度)下使該層退火，來形成半導電層。
通道寬度(W)通常在10至2000μm範圍內且通道長度(L)通常在5至100μm範圍內。
本發明之一部分亦為一種可藉由本發明之方法獲得的電子裝置。
本發明之一部分亦為包含半導電單壁碳奈米管、半導電聚合物及溶劑A之組合物(組合物A)的用途，其係用於形成半導電層，較佳地在電子裝置中形成層，其中該半導電聚合物具有在0.5至1.8eV範圍內之帶隙且溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑。
本發明之方法提供一種包含半導電單壁碳奈米管、半導電聚合物及溶劑A之組合物，其中該半導電聚合物具有在0.5至1.8eV範圍內之帶隙且溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑(組合物A)，該組合物適於在電
子裝置中，較佳地在有機場效電晶體(OFET)中形成半導電層。
本發明之用於製備組合物A之方法係特別有利的，因為其對於大直徑半導電單壁碳奈米管，例如直徑在1.3至1.6nm、較佳地1.4至1.5nm範圍內之半導電單壁碳奈米管具有極高選擇性。相較於小直徑(<1.3nm)半導電SWNT，大直徑半導電SWNT由於具有可忽略之肖特基障壁(Schottky barrier)及高電荷載流子遷移率，同時維持高開/關比而特別合乎邏輯電路應用需要。
另外，組合物A與液體處理技術相容。
本發明的包含由組合物A形成之半導電層的有機場效電晶體(OFET)顯示高電荷載流子遷移率及高開/關比。
圖1顯示包含半導電SWNT且移除半導電聚合物之組合物A-1'、A-2'、A-3'及A-4'之標準化UV-VIS光譜，及移除SDBS之固態電弧放電SWNT之標準化UV-VIS光譜。
圖2顯示固態組合物A-3'、A-5'、A-6'及A-7'之標準化UV-VIS光譜，該等組合物均包含半導電SWNT且移除半導電聚合物。
圖3顯示包含半導電SWNT及聚合物Pc之組合物A-6、原始電弧放電之SWNT(商品名「P2 SWNT」，來自Carbon Solutions Inc,Riverside,California；SWNT純度為90%)及聚合物Pc在785nm激發波長及100至300cm-1拉曼位移(Raman shift)下之拉曼光譜。
圖4顯示包含半導電SWNT及聚合物Pc之組合物A-6的對掌性角(θ)隨直徑(d)之變化。
圖5說明如何由半導電聚合物在25℃下之薄膜UV-Vis-NIR光譜測定半導電聚合物之吸收起始波長(λ起始)。
圖6顯示固態組合物A-8'、A-9'、A-10'、A-11'及A-12'之標準化UV-VIS光譜，該等組合物均包含半導電SWNT且移除半導電聚合物。
圖7顯示包含半導電SWNT且移除半導電聚合物之組合物A-13'、
A-14'、A-15'及A-16'之標準化UV-VIS光譜，及移除SDBS之固態電弧放電SWNT之標準化UV-VIS光譜。
在氬氣下，將815mg(2.423mmol)化合物2a、1972mg(2.181mmol)化合物3a、179mg(0.242mmol)化合物3b、78.30mg參(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)(Pd2(dba)3)及48.15mg四氟硼酸三-第三丁基鏻((tert-Bu)3P x HBF4)一起放入50ml四氫呋喃中。將反應混合物加熱至回流且接著添加含1600mg磷酸鉀之5ml脫氣水。使反應混合物回流隔夜。接著將反應混合物倒於水上且過濾沈澱，並用水及甲醇洗滌。接著用庚烷、四氫呋喃、甲苯、氯仿及氯苯對沈澱進行索氏分餾(Soxhlet fractionated)。為了移除催化劑殘餘物，蒸發選定餾分且將殘餘物溶解於150ml氯苯中。接著添加50ml之1% NaCN水溶液且加熱混合物並在回流下攪拌隔夜。分離各相且在回流下，用10ml去離子水洗滌有機相3次，持續3小時。接著藉由添加甲醇使聚合物Pc自有機相沈澱。過濾沈澱之Pc，用甲醇洗滌並乾燥。聚合物Pc為無規聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標準品)：M n=47.0kDa,M w=129.6kDa,PDI=2.76。UV-VIS吸收光譜：λmax：840nm(膜)及832nm(10-5M之甲苯溶液)。藉由將5mg聚合物Pc於25mL甲苯中之溶液旋塗於玻璃基板上來製備膜。元素分析：C 71.60%,H 8.73%,N 3.59%,S 11.40%。帶隙Egopt：1.35eV。
聚合物Pa係以與實例1中之聚合物Pc類似之方式製備，不過改用733mg(2.181mmol)化合物2a及1972mg(2.181mmol)化合物3a且不使用化合物3b。聚合物Pa為無規聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標準品)：M n=36.0kDa,M w=36.0kDa,PDI=1.82。UV-VIS吸收光譜：λmax：840nm(膜)及840nm(10-5M之甲苯溶液)。藉由將5mg聚合物Pa於25mL甲苯中之溶液旋塗於玻璃基板上來製備薄膜。元素分析：C 72.50%,H 8.95%,N 3.66%,S 11.20%。帶隙Egopt：1.36
eV。
聚合物Pb係以與實例1中聚合物Pc類似之方式製備，不過改用722mg(2.296mmol)化合物2a及1972mg(2.181mmol)化合物3a及85mg(0.115mmol)化合物3b。聚合物Pb為無規聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標準品)：M n=43.7kDa,M w=150.7kDa,PDI=3.45。UV-VIS吸收光譜：λmax：836nm(膜)及828nm(10-5M之甲苯溶液)。藉由將5mg聚合物Pb於25mL甲苯中之溶液旋塗於玻璃基板上來製備薄膜。元素分析：C 72.85%,H 8.69%,N 3.61%,S 11.40%。帶隙Egopt：1.35eV。
聚合物Pd係以與實例1中聚合物Pc類似之方式製備，不過改用916mg(2.726mmol)化合物2a及1972mg(2.181mmol)化合物3a及403mg(0.545mmol)化合物3b。聚合物Pd為無規聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標準品)：M n=30.7kDa,M w=80.2kDa,PDI=2.61。UV-VIS吸收光譜：λmax：844nm(膜)及848nm(10-5M之甲苯溶液)。藉由將5mg聚合物Pd於25mL甲苯中之溶液旋塗於玻璃基板上來製備薄膜。元素分析：C 72.45%,H 8.51%,N 3.79%,S 11.60%。帶隙Egopt：1.35eV。
聚合物Pe係以與實例2中聚合物Pa類似之方式製備，不過改用739mg(1.768mmol)化合物2b及1995mg(1.768mmol)化合物3c。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標準品)：M n=63.8kDa,M w=64.9kDa,PDI=1.76。
將5mg聚合物Pa、Pb、Pc或Pd，以及3mg電弧放電之SWNT(商品名「P2 SWNT」，來自Carbon Solutions Inc,Riverside,California；SWNT純度為90%，直徑在約1.1-1.8nm範圍內，金屬SWNT之量為約30%)混合於25mL甲苯中且以70%振幅水準超音波處理30分鐘(Cole Parmer超音波處理器750W)。接著在16℃下將分散液以17 000rpm離心30分鐘(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液且表示組合物A-1、A-2、A-3或A-4。
組合物A-1包含半導電SWNT及聚合物Pa。
組合物A-2包含半導電SWNT及聚合物Pb。
組合物A-3包含半導電SWNT及聚合物Pc。
組合物A-4包含半導電SWNT及聚合物Pd。
將組合物A-1、A-2、A-3及A-4滴落塗佈於玻璃基板上且在氬氣下，在500℃下退火1小時，以便得到移除聚合物之組合物A-1'、A-2'、A-3'及A-4'。
組合物A-1'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-1。
組合物A-2'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-2。
組合物A-3'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-3。
組合物A-4'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-4。
對於比較，將分散於1%十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)水溶液中之電弧放電之SWNT(商品名「P2 SWNT」，來自Carbon Solutions Inc,Riverside,California；SWNT純度為90%)滴落塗佈於玻璃基板上且在Ar下，在500℃下退火1小時，以便得到移除SDBS之電弧放電之SWNT。
圖1顯示組合物A-1'、A-2'、A-3'、A-4'及移除SDBS之固態電弧放電之SWNT的標準化UV-VIS光譜。
金屬SWNT在600至850nm範圍內吸收。半導電SWNT在900至1330nm範圍內吸收。圖1清晰地顯示，組合物A-1'、A-2'、A-3'、A-4'在600至850nm範圍內之吸收相較於移除SDS之電弧放電之SWNT在此波長範圍內之吸收有所減少。因此，半導電SWNT/金屬SWNT之比率在A-1'、A-2'、A-3'、A-4'組合物中比在移除SDBS之電弧放電之SWNT中要高。組合物A-4'顯示最高的半導電SWNT/金屬SWNT比率。
將5mg聚合物Pc及3mg、5mg、7mg或10mg電弧放電之SWNT(商品名「P2 SWNT」，來自Carbon Solutions Inc,Riverside,California；SWNT純度為90%)混合於25mL甲苯中且以70%之振幅水準超音波處理30分鐘(Cole Parmer超音波處理器750W)。接著在16℃下將分散液以17 000rpm離心30分鐘(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液且表示組合物A-3、A-5、A-6及A-7。
組合物A-3包含半導電SWNT及聚合物Pc，且衍生自5mg Pc及3mg電弧放電之SWNT的分散液。
組合物A-5包含半導電SWNT及聚合物Pc，且衍生自5mg Pc及5mg電弧放電之SWNT的分散液。
組合物A-6包含半導電SWNT及聚合物Pc，且衍生自5mg Pc及7mg電弧放電之SWNT的分散液。
組合物A-7包含半導電SWNT及聚合物Pc，且衍生自5mg Pc及10mg電弧放電之SWNT的分散液。
將組合物A-3、A-5、A-6及A-7滴落塗佈於玻璃基板上且在氬氣下，在500℃下退火1小時，以便得到移除聚合物之組合物A-3'、A-5'、A-6'及A-7'。
組合物A-3'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-3。
組合物A-5'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-5。
組合物A-6'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-6。
組合物A-7'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-7。
圖2顯示固態組合物A-3'、A-5'、A-6'、A-7'之標準化UV-VIS光譜。
金屬SWNT在600至850nm範圍內吸收。半導電SWNT在900至1330nm範圍內吸收。圖2顯示，組合物A-6'在600至850nm範圍內之吸收低於A-3'、A-5'及A-7'在此波長範圍內之吸收。因此，5mg聚合物Pc及7mg電弧放電之SWNT於25mL甲苯中之分散液在上清液中得到最高的半導電SWNT/金屬SWNT比率。
組合物A-6(包含半導電SWNT及聚合物Pc)之拉曼光譜(型號：LabRam Aramis，來自Horiba Jobin Yvon)係在1.58eV(785nm)激發波長，×100放大率及1μm光斑尺寸下進行。峰位置係用Si線在521cm-1下校準。
對於比較，亦記錄原始電弧放電之SWNT(商品名「P2 SWNT」，來自Carbon Solutions Inc,Riverside,California；SWNT純度為90%)及聚合物Pc之拉曼光譜。
圖3顯示組合物A-6、原始電弧放電之SWNT(商品名「P2 SWNT」，來自Carbon Solutions Inc,Riverside,California；SWNT純度為90%)及聚合物Pc在785nm激發波長及100至300cm-1拉曼位移下之拉曼光譜。
圖3顯示在785nm激發波長下，在原始電弧放電之SWNT中觀察到在162cm-1處對應於金屬SWNT之徑向呼吸模式的較強峰，且組合物A-6僅在162cm-1處顯示極弱峰。聚合物Pc在162cm-1處不顯示任何峰。因此，半導電SWNT/金屬SWNT之比率在A-6組合物中比在原始
電弧放電之SWNT中要高。
在量測範圍為1100-2100nm之自製NIR-II光譜設備上取得包含半導電SWNT及聚合物Pc之組合物A-6的光致發光激發/發射(PLE)光譜。在700-1080nm範圍中之激發係由總輸出功率為200W之無臭氧Hg/Xe燈(Oriel)之白色光源提供。該燈照射藉由紫外線濾光器(Thorlabs)過濾以移除紫外光，且藉由1100nm短波通濾光器(Omega)過濾以移除波長比1100nm長之NIR-II光。用基於光柵之單色器(Oriel)分散經該等濾光器清潔之激發光，在單一、使用者指定之波長下產生帶寬為15nm之激發光線。接著將單色激發光聚焦於內部裝載有SWNT溶液之1mm路徑石英比色管(Starna Cells)上。以透射幾何收集由SWNT溶液發射之螢光，其中透射之激發光經1100nm之長波通濾光器(Thorlabs)濾除。使在1100-2100nm範圍內之螢光穿過發射濾光器且以配備有一維(1D)砷化銦鎵(InGaAs)線性陣列偵測器(Princeton Instruments 1D OMA-V)的基於光柵之三轉塔光譜儀(Acton SP2300i)收集。在資料擷取之後，使用MATLAB軟體對原始PLE光譜進行校正，以便說明在不同波長下激發能力之差異、發射濾光器之消光型態及1D偵測器之敏感度量變曲線。
根據PLE結果，由該等資料生成對掌性角度(θ)隨直徑(d)變化之圖。該圖顯示於圖4中。在該圖內，圓形區域與分散液中單一半導電SWNT之濃度成比例。圖4顯示，藉由聚合物Pc分散之半導電SWNT具有在1.3至1.6nm範圍內之直徑，其中藉由聚合物Pc分散之大部分半導電SWNT具有在1.4至1.5nm範圍內之直徑。
藉由光微影術在含300nm SiO2之高度摻雜之4吋矽晶圓上製造用
於底接觸裝置電極之汲電極及源電極。藉由熱蒸發沈積Cr(3nm)及Au(25nm)雙層作為源-汲電極，隨後在丙酮中進行起離製程。接著將基板浸泡於如實例7中所述製備的包含半導電SWNT及聚合物Pc之組合物A-6之稀溶液(1：5比率為甲苯)中，保持5小時，且接著用甲苯沖洗基板並在環境條件下，在200℃下退火30分鐘。
在探針台上，使用Keithley 4200 SCS作為參數分析儀，在一定氛圍中進行OFET之評估(L=100μm，W=2000μm)。自該等資料，以飽和態(V DS=-40V)計算載流子遷移率μ。OFET同時展示41.2cm2 V-1 s-1之高電洞遷移率及3.6×104之開/關比。
將5mg聚合物Pe及5mg、7mg、8mg、10mg或12mg電弧放電之SWNT(商品名「P2 SWNT」，來自Carbon Solutions Inc,Riverside,California；SWNT純度為90%)混合於25mL甲苯中且以70%之振幅水準超音波處理30分鐘(Cole Parmer超音波處理器750W)。接著在16℃下將分散液以17 000rpm離心30分鐘(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液且表示組合物A-8、A-9、A-10、A-11及A-12。
組合物A-8包含半導電SWNT及聚合物Pe，且衍生自5mg Pe及5mg電弧放電之SWNT的分散液。
組合物A-9包含半導電SWNT及聚合物Pe，且衍生自5mg Pe及7mg電弧放電之SWNT的分散液。
組合物A-10包含半導電SWNT及聚合物Pe，且衍生自5mg Pe及8mg電弧放電之SWNT的分散液。
組合物A-11包含半導電SWNT及聚合物Pe，且衍生自5mg Pe及10mg電弧放電之SWNT的分散液。
組合物A-12包含半導電SWNT及聚合物Pe，且衍生自5mg Pe及
12mg電弧放電之SWNT的分散液。
將組合物A-8、A-9、A-10、A-11及A-12滴落塗佈於玻璃基板上且在氬氣下，在500℃下退火1小時，以便得到移除聚合物之組合物A-8'、A-9'、A-10'、A-11'及A-12'。
組合物A-8'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-8。
組合物A-9'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-9。
組合物A-10'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-10。
組合物A-11'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-11。
組合物A-12'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-12。
圖6顯示固態組合物A-8'、A-9'、A-10'、A-11'及A-12'之標準化UV-VIS光譜。
金屬SWNT在600至850nm範圍內吸收。半導電SWNT在900至1330nm範圍內吸收。圖6顯示，組合物A-11'在600至850nm範圍內之吸收低於A-8'、A-9'、A-10'及A-12'在此波長範圍內之吸收。因此，5mg聚合物Pe及10mg電弧放電之SWNT於25mL甲苯中之分散液在上清液中得到最高的半導電SWNT/金屬SWNT比率。
藉由光微影術在含300nm SiO2之高度摻雜之4吋矽晶圓上製造用於底接觸裝置電極之汲電極及源電極。藉由熱蒸發沈積Cr(3nm)及Au(25nm)雙層作為源-汲電極，隨後在丙酮中進行起離製程。接著，藉由溶液剪切(狹縫型擠壓式塗佈)，在環境條件下沈積如實例9中所述製備的包含半導電SWNT及聚合物Pe之組合物A-8、A-9、A-10、A-11或A-12。首先在基板上以0.05mm/s之速度剪切組合物(15μL)。接著在基板上以0.05mm/s之速度剪切甲苯(20μL)以移除大部分包覆聚
合物。重複該兩次剪切製程5次以得到緻密SWNT。最後，用甲苯沖洗基板，用氮氣流乾燥且在環境條件下，在150℃下退火30分鐘。
在探針台上，使用Keithley 4200 SCS作為參數分析儀，在一定氛圍中進行OFET之評估(L=20μm或30μm)。自該等資料，以飽和態(V DS =-40V)計算載流子遷移率μ。OFET同時展示約41至57cm2 V-1 s-1之高電洞遷移率及約103至104之開/關比。
用組合物A-11獲得具有57cm2/Vs之最高遷移率之裝置。該裝置具有30μm之通道長度及600μm之通道寬度，且開/關比為1.5×103。
聚合物Pf係以與實例5中聚合物Pe類似之方式製備，不過改用821mg(1.962mmol)化合物2b及2000mg(1.962mmol)化合物3d。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標準品)：M n=13.2kDa,M w=26.7kDa,PDI=2.03。
聚合物Pg係以與實例1中聚合物Pc類似之方式製備，不過改用1006mg(2.9mmol)化合物2a及137mg(0.3mmol)化合物2b及2989mg(3.2mmol)化合物3a。聚合物Pg為無規聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標準品)：M n=18.4kDa,M w=35.8kDa,PDI=1.94。
聚合物Ph係以與實例1中聚合物Pc類似之方式製備，不過改用602mg(1.75mmol)化合物2a及184mg(0.4mmol)化合物2b及2011mg(2.15mmol)化合物3a。聚合物Ph為無規聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標準品)：M n=24.5kDa,M w=54.7kDa,PDI=1.99。
聚合物Pi係以與實例1中聚合物Pc類似之方式製備，不過改用465mg(1.3mmol)化合物2a及379mg(0.9mmol)化合物2b及2067mg(2.2mmol)化合物3a。聚合物Pi為無規聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標準品)：M n=16.4kDa,M w=31.1kDa,PDI=1.90。
將5mg聚合物Pf、Pg、Ph、Pi，及5mg電弧放電之SWNT(商品名「P2-SWNT」，來自Carbon Solutions Inc,Riverside,California；SWNT純度為90%)混合於25mL甲苯中且以70%之振幅水準超音波處理30分鐘(Cole Parmer超音波處理器750W)。接著在16℃下將分散液以17 000rpm離心30分鐘(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液且表示組合物A-13、A-14、A-15或A-16。
組合物A-13包含半導電SWNT及聚合物Pf。
組合物A-14包含半導電SWNT及聚合物Pg。
組合物A-15包含半導電SWNT及聚合物Ph。
組合物A-16包含半導電SWNT及聚合物Pi。
將組合物A-13、A-14、A-15及A-16滴落塗佈於玻璃基板上且在氬氣下，在500℃下退火1小時，以便得到移除聚合物之組合物A-13'、A-14'、A-15'及A-16'。
組合物A-13'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-13。
組合物A-14'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-14。
組合物A-15'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-15。
組合物A-16'包含半導電SWNT且衍生自組合物A-16。
對於比較，將分散於1%十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)水溶液中之電弧放電之SWNT(商品名「P2 SWNT」，來自Carbon Solutions Inc,Riverside,California；SWNT純度為90%)滴落塗佈於玻璃基板上且在
Ar下，在500℃下退火1小時，以便得到移除SDBS之電弧放電之SWNT。
圖7顯示固態組合物A-13'、A-14'、A-15'、A-16'及移除SDBS之電弧放電之SWNT的標準化UV-VIS光譜。
金屬SWNT在600至850nm範圍內吸收。半導電SWNT在900至1330nm範圍內吸收。圖7清晰地顯示，組合物A-13'、A-14'、A-15'、A-16'在600至850nm範圍內之吸收相較於移除SDS之電弧放電之SWNT在此波長範圍內之吸收有所減少。圖7亦顯示，組合物A-13'、A-14'、A-15'、A-16'在900至1330nm範圍內之吸收相較於移除SDS之電弧放電之SWNT在此波長範圍內之吸收有所增加。因此，半導電SWNT/金屬SWNT之比率在A-13'、A-14'、A-15'、A-16'組合物中比在移除SDBS之電弧放電之SWNT中要高。組合物A-13'顯示最高的半導電SWNT/金屬SWNT比率。
圖1顯示包含半導電SWNT且移除半導電聚合物之組合物A-1'、A-2'、A-3'及A-4'之標準化UV-VIS光譜，及移除SDBS之固態電弧放電SWNT之標準化UV-VIS光譜。
圖2顯示固態組合物A-3'、A-5'、A-6'及A-7'之標準化UV-VIS光譜，該等組合物均包含半導電SWNT且移除半導電聚合物。
圖3顯示包含半導電SWNT及聚合物Pc之組合物A-6、原始電弧放電之SWNT(商品名「P2 SWNT」，來自Carbon Solutions Inc,Riverside,California；SWNT純度為90%)及聚合物Pc在785nm激發波長及100至300cm-1拉曼位移(Raman shift)下之拉曼光譜。
圖4顯示包含半導電SWNT及聚合物Pc之組合物A-6的對掌性角(θ)隨直徑(d)之變化。
圖5說明如何由半導電聚合物在25℃下之薄膜UV-Vis-NIR光譜測
定半導電聚合物之吸收起始波長(λ起始)。
圖6顯示固態組合物A-8'、A-9'、A-10'、A-11'及A-12'之標準化UV-VIS光譜，該等組合物均包含半導電SWNT且移除半導電聚合物。
圖7顯示包含半導電SWNT且移除半導電聚合物之組合物A-13'、A-14'、A-15'及A-16'之標準化UV-VIS光譜，及移除SDBS之固態電弧放電SWNT之標準化UV-VIS光譜。
Claims (17)
- 一種用於製備包含半導電單壁碳奈米管、半導電聚合物及溶劑A之組合物(組合物A)的方法，該方法包含將組合物A自包含半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管、該半導電聚合物及溶劑B之組合物(組合物B)分離之步驟，其中該半導電聚合物具有在0.5至1.8eV範圍內之帶隙且溶劑A及溶劑B包含芳族或雜芳族溶劑且其中該半導電聚合物為包含至少一個具有下式或具有下式之單元的聚合物
其中b及c彼此獨立地為1、2、3、4、5或6，a及d彼此獨立地為0、1、2、3或4，n及m彼此獨立地為0、1、2、3或4，R1在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-100烷基、C2-100烯基、C2-100炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基、5至20員雜芳基、C(O)-C1-100烷基、C(O)-C5-12環烷基及C(O)-OC1-100烷基，其中C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基可經一至四十個取代基取代，該一至四十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素、CN及NO2；且C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素、CN及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素、CN及NO2，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60烷基、O-C2-60烯基、O-C2-60炔基、O-C5-8環烷基、O-C6-14芳基、O-5至14員雜芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif、NR5R6、鹵素及O-C(O)-R5，其中o為1至50之整數，RSid、RSie、RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60烷基、O-C2-60烯基、O-C2-60炔基、O-C5-8環烷基、O-C6-14芳基、O-5至14員雜芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii、NR50R60、鹵素及O-C(O)-R50；其中p為1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3)3、NR500R600、鹵素及O-C(O)-R500，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素、CN及NO2；且C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素、CN及NO2；且C5-8環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO置換，C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素、CN及NO2；其中Rc及Rd獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基，RSij、RSik及RSil獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio、NR7R8、鹵素及O-C(O)-R7，其中q為1至50之整數，RSim、RSin、RSio獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir、NR70R80、鹵素及O-C(O)-R70；其中r為1至50之整數，RSip、RSiq、RSir獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30烷基、O-C2-30烯基、O-C2-30炔基、O-C5-6環烷基、O-C6-10芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3)3、NR700R800、鹵素及O-C(O)-R700，R7、R8、R70、R80、R700及R800獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：C6-18伸芳基、5至20員伸雜芳基、
其中C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基在每次出現時可經一至六個取代基R3取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、N[C(O)R31][C(O)R32]、SR31、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及OH，且其中
在每次出現時可經一或兩個取代基R4取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41及CN，其中R31、R32、R41及R42在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2，其中RSiv、RSiw、RSix彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，Ri及Rj獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；其中Rk及Rl獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，L3及L4在每次出現時彼此獨立地選自由C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基組成之群，其中C6-18伸芳基及5至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R9取代，該一至六個取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR91、OC(O)-R91、C(O)-OR91、C(O)-R91、NR91R92、NR91-C(O)R92、C(O)-NR91R92、N[C(O)R91][C(O)R92]、SR91、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及OH，且其中R91及R92在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRnRm、N[C(O)Rn][C(O)Rm]、SRn、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRm或NRm-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2，RSiy、RSiz、RSiaa彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中Rm及Rn獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；其中Ro及Rp獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，A係選自由以下組成之群：
且B係選自由以下組成之群：
其中X在每次出現時為O、S或NR1，A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3、B4、B5、B6或B7可經一至三個取代基R2取代，R2在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基、5至20員雜芳基、OR21、OC(O)-R21、C(O)-OR21、C(O)-R21、NR21R22、NR21-C(O)R22、C(O)-NR21R22、N[C(O)R21][C(O)R22]、SR21、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及OH，其中R21及R22獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRe或NRe-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2，RSis、RSit及RSiu彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中Re及Rf獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；其中Rg及Rh獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
- 如請求項1之方法，其中該半導電聚合物具有在0.6至1.7eV範圍內之帶隙。
- 如請求項1或2之方法，其中R1在每次出現時選自由以下組成之群：C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基，其中C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基可經一至四十個取代基取代，該一至四十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-100烷基、C2-100烯基及C2-100炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，其中o為1至50之整數，RSid、RSie及RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60烷基、C2-60烯基、C2-60炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；且C1-60烷基、C2-60烯基及C2-60炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；且C5-8環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO置換，C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素及CN；其中Rc及Rd獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基，RSij、RSik及RSil獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio，其中q為1至50之整數，RSim、RSin、RSio獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir，其中r為1至50之整數，RSip、RSiq、RSir獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R7、R8、R70、R80、R700及R800獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群。
- 如請求項1或2之方法，其中R1在每次出現時選自由以下組成之群：C1-50烷基、C2-50烯基及C2-50炔基，其中C1-50烷基、C2-50烯基及C2-50炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-50烷基、C2-50烯基及C2-50炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基及C6-10芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，其中o為1至50之整數，RSid、RSie、RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群。
- 如請求項1或2之方法，其中R1在每次出現時選自由以下組成之群：C1-36烷基、C2-36烯基及C2-36炔基，其中C1-36烷基、C2-36烯基及C2-36炔基可經一至二十個取代基取代，該一至二十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素及CN；且C1-36烷基、C2-36烯基及C2-36炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基及C6-10芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，其中o為1至50之整數，RSid、RSie、RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，其中p為1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、O-Si(CH3)3，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基及5至10員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基選自由鹵素及CN組成之群。
- 如請求項1或2之方法，其中L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基及，其中5至20員伸雜芳基在每次出現時可經一至六個取代基R3取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、SR31、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及OH，且其中
在每次出現時可經一或兩個取代基R4取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41及CN，其中R31、R32、R41及R42在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2，其中RSiv、RSiw、RSix彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，Ri及Rj獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；其中Rk及Rl獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，且L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R9取代，該一至六個取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基、OR91、OC(O)-R91、C(O)-OR91、C(O)-R91、NR91R92、NR91-C(O)R92、C(O)-NR91R92、SR91、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及OH，且其中R91及R92在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基、C5-12環烷基、C6-18芳基及5至20員雜芳基，且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRnRm、N[C(O)Rn][C(O)Rm]、SRn、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C1-30烷基、C2-30烯基及C2-30炔基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，C5-12環烷基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2；且C5-12環烷基之一或兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O、S、OC(O)、CO、NRm或NRm-CO置換，C6-18芳基及5至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該一至六個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORm、OC(O)-Rm、C(O)-ORm、C(O)-Rm、NRmRn、NRm-C(O)Rn、C(O)-NRmRn、N[C(O)Rm][C(O)Rn]、SRm、鹵素、CN、SiRSiyRSizRSiaa及NO2，RSiy、RSiz、RSiaa彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，其中Rm及Rn獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORo、OC(O)-Ro、C(O)-ORo、C(O)-Ro、NRoRp、NRo-C(O)Rp、C(O)-NRoRp、N[C(O)Ro][C(O)Rp]、SRo、鹵素、CN及NO2；其中Ro及Rp獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
- 如請求項1或2之方法，其中L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基及，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中R104及R105在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，或R104及R105若附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；5至12員環系統可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；其中Ru及Rv獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，其中5至20員伸雜芳基可經一至四個取代基R3取代，該一至四個取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，且其中
在每次出現時可經一或兩個取代基R4取代，該取代基選自由以下組成之群：C1-30烷基、C(O)-R41、C(O)-OR41及CN，其中R41在每次出現時為C1-30烷基，且L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中R104及R105在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，或R104及R105若附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統，其中C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；5至12員環系統可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORu、OC(O)-Ru、C(O)-ORu、C(O)-Ru、NRuRv、NRu-C(O)Rv、C(O)-NRuRv、N[C(O)Ru][C(O)Rv]、SRu、鹵素、CN及NO2；其中Ru及Rv獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2，其中5至20員伸雜芳基可經一至三個取代基R9取代，該一至三個取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群。
- 如請求項1或2之方法，其中L1及L2在每次出現時彼此獨立地選自由以下組成之群：5至20員伸雜芳基及，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中R104及R105在每次出現時獨立地選自由H及C1-20烷基組成之群，其中5至20員伸雜芳基可經一至四個取代基R3取代，該一至四個取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，且其中
未經取代，且L3及L4在每次出現時彼此獨立地為5至20員伸雜芳基，其中5至20員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
其中5至20員伸雜芳基可經一個取代基R9取代，該取代基在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群。
- 如請求項1或2之方法，其中A係選自由以下組成之群：其中X在每次出現時為O、S或NR1，且A1、A2、A3及A4可經一至三個取代基R2取代，B係選自由以下組成之群：
其中X在每次出現時為O、S或NR1，且B1、B2、B3及B4可經一至三個取代基R2取代，且R2在每次出現時選自由C1-30烷基及鹵素組成之群，其中C1-30烷基可經一至十個取代基取代，該一至十個取代基獨立地選自由以下組成之群：C5-8環烷基、C6-14芳基、5至14員雜芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、鹵素、CN、SiRSisRSitRSiu及NO2；且C1-30烷基之至少兩個CH2-基團但非相鄰之CH2-基團可經O或S置換，其中RSis、RSit及RSiu彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-6環烷基、苯基及O-Si(CH3)3、Re及Rf獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20烷基、C2-20烯基、C2-20炔基、C5-8環烷基、C6-14芳基及5至14員雜芳基，C1-20烷基、C2-20烯基及C2-20炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C5-8環烷基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；C6-14芳基及5至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基獨立地選自由以下組成之群：C1-10烷基、C2-10烯基、C2-10炔基、C5-6環烷基、C6-10芳基、5至10員雜芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、鹵素、CN及NO2；其中Rg及Rh獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基，其中C1-10烷基、C2-10烯基及C2-10炔基可經一至五個取代基取代，該一至五個取代基選自由以下組成之群：鹵素、CN及NO2。
- 如請求項1或2之方法，其中A為其中X在每次出現時為S或NR1，且A1及A4可經一至三個取代基R2取代，B為
其中X在每次出現時為S或NR1，且B1及B4可經一至三個取代基R2取代，且R2在每次出現時選自由未經取代之C1-30烷基及鹵素組成之群。
- 如請求項1或2之方法，其中b及c彼此獨立地為1、2、3或4，a及d彼此獨立地為0、1或2，且n及m彼此獨立地為0、1或2。
- 如請求項1或2之方法，其中b及c彼此獨立地為1、2或3，a及d彼此獨立地為0或1，n為0或1且m為0、1或2。
- 一種包含半導電單壁碳奈米管、半導電聚合物及溶劑A之組合物，其中該半導電聚合物具有在0.5至1.8eV範圍內之帶隙且溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑(組合物A)，其中該組合物A可藉由如請求項1至12中任一項之方法獲得。
- 一種用於形成電子裝置之方法，該方法包含藉由將包含半導電單壁碳奈米管、半導電聚合物及溶劑A之組合物(組合物A)施加至該電子裝置之前驅物上來形成層的步驟，其中該半導電聚合物具有在0.5至1.8eV範圍內之帶隙且溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑，其中該組合物A可藉由如請求項1至12中任一項之方法獲得。
- 一種可藉由如請求項14之方法獲得的電子裝置。
- 如請求項15之電子裝置，其中該電子裝置為有機場效電晶體(OFET)。
- 一種包含半導電單壁碳奈米管、半導電聚合物及溶劑A之組合物的用途，其中該半導電聚合物具有在0.5至1.8eV範圍內之帶隙且溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑(組合物A)，該組合物係用於形成半導電層，其中該組合物A可藉由如請求項1至12中任一項之方法獲得。
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