TWI669778B - 分離裝置及分離方法 - Google Patents

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Abstract

分離裝置，適於將一可撓薄膜從一基板分離。分離裝置包括一分離單元及一離形紋調整單元。分離單元適於施加一拉力於可撓薄膜及基板的至少其中之一，以使可撓薄膜與基板相互分離。在可撓薄膜與基板相互分離的過程中，可撓薄膜的尚未分離於基板的部分與可撓薄膜的已分離於基板的部分之間形成一離形紋。離形紋調整單元包括至少一位移感測元件及至少一施壓元件。位移感測元件適於感測可撓薄膜與基板的一相對位移狀態以判斷離形紋的分佈。施壓元件適於施加一下壓力於可撓薄膜或基板並依據相對位移狀態而增加或減少下壓力，以調整離形紋的分佈。

Description

分離裝置及分離方法
本揭露是有關於一種分離裝置及分離方法。
近年來，隨著電子產品的需求朝向高功能化、訊號傳輸高速化及電路元件高密度化，半導體相關產業也日漸發展。在半導體產業的半導體封裝製程中，可將尚未單體化的可撓薄膜(如封裝結構)形成於暫時的基板上，然後將可撓薄膜分離於基板。
以圖1A及圖1B來對一般封裝製程中將可撓薄膜由基板分離進行說明。圖1A繪示一般封裝製程中將可撓薄膜分離於基板的俯視圖。圖1B是圖1A的可撓薄膜及基板的側視圖。如圖1A及圖1B所示，在可撓薄膜50分離於基板60之過程中，由於可撓薄膜50的邊緣52處與基板60的總結合力較弱，故可撓薄膜50在其邊緣52處的分離進度會領先其中央處的分離進度，使得離形紋R1（即可撓薄膜50的尚未分離於基板60的部分50b與可撓薄膜50的已分離於基板60的部分50a之間的交界線）容易成為圖1A所示的曲線狀態。此種分離進度不均勻的現象會使可撓薄膜50產生過大的翹曲量，導致可撓薄膜50內的應力集中結構，如導電結構承受過大應力而破壞其結構強度。此外，若可撓薄膜50或基板60因製程因素而有厚度不均的情況，亦可能導致分離進度不均勻。
本揭露實施例提供一種分離裝置及分離方法，可將可撓薄膜與基板分離時的離形紋調整為近似直線狀態。
本揭露一實施例的分離裝置適於將一可撓薄膜從一基板分離。分離裝置包括一分離單元及一離形紋調整單元。分離單元適於施加一拉力於可撓薄膜及基板的至少其中之一，以使可撓薄膜與基板相互分離。在可撓薄膜與基板相互分離的過程中，可撓薄膜的尚未分離於基板的部分與可撓薄膜的已分離於基板的部分之間形成一離形紋。離形紋調整單元包括至少一位移感測元件及至少一施壓元件。位移感測元件適於感測可撓薄膜與基板的一相對位移狀態以判斷離形紋的分佈。施壓元件適於施加一下壓力於可撓薄膜或基板並依據相對位移狀態而增加或減少下壓力，以調整離形紋的分佈。
本揭露一實施例的分離方法適於將一可撓薄膜從一基板分離。分離方法包括以下步驟。藉由一分離單元施加一拉力於可撓薄膜及基板的至少其中之一，以使可撓薄膜與基板相互分離。在可撓薄膜與基板相互分離的過程中，可撓薄膜的尚未分離於基板的部分與可撓薄膜的已分離於基板的部分之間形成一離形紋。藉由至少一位移感測元件感測可撓薄膜與基板的一相對位移狀態以判斷離形紋的分佈。藉由至少一施壓元件施加一下壓力於可撓薄膜或基板，其中至少一施壓元件依據相對位移狀態而增加或減少下壓力，以調整離形紋的分佈。
基於上述，本揭露實施例的離形紋調整單元可藉其位移感測元件來感測可撓薄膜與基板的相對位移狀態，據以判斷離形紋的分佈。承上，依據離形紋的分佈，離形紋調整單元可藉其施壓元件對可撓薄膜及基板施壓，以在離形紋產生進度過快的區域抑制其進度，從而將離形紋調整為近似直線狀態。藉此，可使可撓薄膜與基板的分離進度均勻以避免可撓薄膜產生過大的翹曲量，讓可撓薄膜具有良好的結構強度。
為讓本揭露能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖2A是本揭露一實施例的分離裝置將可撓薄膜分離於基板的俯視示意圖。圖2B是圖2A的分離裝置、可撓薄膜及基板的側視示意圖。為使圖式較為清楚，圖2B的分離裝置僅部分構件繪示於圖2A。請參考圖2A及圖2B，本實施例的分離裝置100包括一分離單元110及一離形紋調整單元120。分離單元110適於施加一拉力於基板70，以使基板70與可撓薄膜80相互分離。
分離單元110例如是能夠施加拉力於基板70的適當機械式單元，本揭露不對此加以限制。另外，在其他實施例中，分離單元110可改為施加拉力於可撓薄膜80，或是同時施加拉力於基板70及可撓薄膜80，以使基板70與可撓薄膜80相互分離。再者，可於基板70或可撓薄膜80上配置吸盤，此吸盤吸附住基板70或可撓薄膜80，且分離單元110施加所述拉力於吸盤以使基板70與可撓薄膜80相互分離。亦即，本揭露不限制分離單元110直接或間接施加拉力於基板70或可撓薄膜80。
在基板70與可撓薄膜80相互分離的過程中，基板70的尚未分離於可撓薄膜80的部分70b與基板70的已分離於可撓薄膜80的部分70a之間形成一離形紋R2。離形紋調整單元120包括至少一位移感測元件122(繪示為三個)及至少一施壓元件124(繪示為三個)。位移感測元件122適於感測基板70與可撓薄膜80的一相對位移狀態以判斷離形紋R2的分佈。施壓元件124適於施加一下壓力於基板70並依據所述相對位移狀態而增加或減少下壓力，以調整離形紋R2的分佈。在其他實施例中，若可撓薄膜80位於基板70上方，則施壓元件124可對可撓薄膜80施加所述下壓力，本揭露不對此加以限制。在一實施例中，本揭露的分離裝置100，可適用於半導體封裝結構、軟性顯示元件結構、軟性太陽能電池等等，可撓薄膜80例如是半導體封裝結構、軟性顯示元件結構、軟性太陽能電池等的母材。
圖2C繪示圖2A的離形紋被調整為近似直線狀態。如上所述，本實施例的離形紋調整單元120可藉其位移感測元件122來感測基板70與可撓薄膜80的相對位移狀態，據以判斷離形紋R2的分佈。承上，依據離形紋R2的分佈，離形紋調整單元120可藉其施壓元件124對基板70施壓，以在離形紋R2產生進度過快的區域抑制其進度，從而將離形紋R2調整為圖2C所示的近似直線狀態。藉此，可使基板70與可撓薄膜80的分離進度均勻以避免基板70產生過大的翹曲量，讓基板70具有良好的結構強度。其中，離形紋R2在局部區域產生進度過快的原因，例如是可撓薄膜80的邊緣處與基板70的總結合力較弱，或是可撓薄膜80或基板70因製程因素而有厚度不均的情況。
在其他實施例中，離形紋調整單元120可藉其施壓元件124對可撓薄膜80施壓，以在離形紋R2產生進度過快的區域抑制其進度，從而將離形紋R2調整為圖2C所示的近似直線狀態。
以下藉由圖式說明分離裝置100所進行之分離方法的流程。圖3是本揭露一實施例的分離方法的流程圖。請參考圖3，首先，藉由分離單元110施加拉力於基板70及可撓薄膜80的至少其中之一，以使基板70與可撓薄膜80相互分離，其中在基板70與可撓薄膜80相互分離的過程中，基板70的尚未分離於可撓薄膜80的部分與基板70的已分離於可撓薄膜80的部分之間形成離形紋R2(步驟S602)。藉由位移感測元件122感測基板70與可撓薄膜80的相對位移狀態以判斷離形紋R2的分佈(步驟S604)。藉由施壓元件124施加下壓力於基板70或可撓薄膜80，其中施壓元件124依據相對位移狀態而增加或減少下壓力，以調整離形紋R2的分佈(步驟S606)。
在本實施例中，當基板70與可撓薄膜80尚未分離時，基板70的一表面72接觸可撓薄膜80。在基板70與可撓薄膜80相互分離的過程中，分離單元110藉由所述拉力而使離形紋R2沿平行於表面72的方向D1移動。位移感測元件122例如是光學感測器且適於感測基板70與可撓薄膜80沿垂直於表面72的方向D2的相對位移狀態。亦即，藉由光學測距的方式，位移感測元件122可感測基板70在方向D2(標示於圖2B)上相對於可撓薄膜80的掀離程度，藉以判斷離形紋R2在方向D1上的分佈。在其他實施例中，位移感測元件122可為其他種類的感測器，本揭露不對此加以限制。
在本實施例中，施壓元件124透過滑塊128而滑設於軌道126，從而可藉由適當之驅動單元的驅動而隨著離形紋R2的移動沿著軌道126相對於基板70平移，以持續對離形紋R2進行調整。此外，位移感測元件122與施壓元件124相連接而可一起移動。亦即，位移感測元件122亦可隨著離形紋R2的移動而相對於基板70平移，以持續藉其對基板70之感測而得知離形紋R2的分佈。
本實施例的施壓元件124包括一壓力源124a及一下壓件124b，下壓件124b連接於壓力源124a。壓力源124a適於提供壓力至下壓件124b，以透過下壓件124b往基板70及可撓薄膜80施加下壓力。壓力源124a可為微型致動器、氣壓缸、氣壓閥、電磁閥等可提供壓力的裝置，本揭露不對此加以限制。此外，下壓件124b例如是滾輪而能夠在基板70上滾動。所述滾輪是高壓式施壓元件。
圖4是圖2B的分離裝置的部分構件方塊示意圖。請參考圖4，本實施例的分離裝置100包括一控制單元130，分離單元110耦接於控制單元130，位移感測元件122耦接於控制單元130，且施壓元件124耦接於控制單元130。亦即，分離單元110、位移感測元件122及施壓元件124皆由控制單元130進行控制。具體而言，位移感測元件122在感測基板70相對位移狀態的一感測訊號S，控制單元130則依據此感測訊號S而控制施壓元件124。其中，在控制單元130控制分離單元110持續施加拉力於基板70或可撓薄膜80的過程中，並且控制分離速度，分離單元110可依據對應於所述相對位移狀態的所述感測訊號S而加快或停止分離的速度於基板70。需說明的是，圖4僅繪示出單一離形紋調整單元120，然實際上圖2A及圖2C所示的三個離形紋調整單元120皆可藉由同一控制單元130而個別地被控制。此外，本揭露不限制離形紋調整單元120的數量，在其他實施例中，離形紋調整單元120可依需求(例如因應基板70及可撓薄膜80的尺寸)而為其他適當數量。
在本實施例中，位移感測元件122及施壓元件124整合為離形紋調整單元120，所述感測訊號是由離形紋調整單元120的位移感測元件122產生，並經由控制單元130回授到離形紋調整單元120的施壓元件124。在其他實施例中，位移感測元件122及施壓元件124可分開設置而非整合在一起，本揭露不對此加以限制。
以下對位移感測元件的感測方式進行詳細說明。圖5A至圖5C是圖2A的可撓薄膜及位移感測元件的示意圖。為便於說明，圖5A至圖5C分別以標號122A、122B、122C代表圖2A的三個位移感測元件122。請參考圖5A至圖5C，本實施例的這些位移感測元件122A、122B、122C分別對應於基板70的不同區域，且適於感測基板70與可撓薄膜80在對應的區域內的多個子區域(繪示為九個子區域)的多個相對位移量△D11~△D33。其中，以任一位移感測元件122的相對位移量△D11所對應的子區域而言，位移感測元件122可在第一時間點測得此子區域的基板70與位移感測元件122之間的距離，然後在第二時間點測得此子區域的基板70與位移感測元件122之間的距離，此兩距離的差值即為相對位移量△D11。若將可撓薄膜80視為無位移，則相對位移量△D11為基板70從第一時間點至第二時間點相對於可撓薄膜80所產生的位移。△D12~△D33的意義亦同，於此不再贅述。
承上，基板70與可撓薄膜80的所述相對位移狀態相關於這些位移感測元件122A、122B、122C的這些相對位移量△D11~△D33，且依據各相對位移量△D11~△D33與一位移門檻值的關係，可據以判斷所述相對位移狀態是否需調整，進而決定施壓元件124應增加或減少所述下壓力。舉例來說，若對應於位移感測元件122A的△D11~△D23的值、對應於位移感測元件122B的△D11~△D13的值、對應於位移感測元件122C的△D11~△D23的值皆大於一位移門檻值(即圖5A中被粗線所涵蓋的子區域的位移量大於所述門檻值)，且對應於位移感測元件122A的△D31~△D33的值、對應於位移感測元件122B的△D21~△D33的值、對應於位移感測元件122C的△D31~△D33的值皆小於所述位移門檻值，則代表對應於位移感測元件122A之區域及對應於位移感測元件122C之區域的離形紋R2(繪示於圖2A)的產生進度過快。此時，控制單元130(繪示於圖3)將此相對位移狀態判斷為對應於位移感測元件122A之區域及對應於位移感測元件122C之區域需調整，並據以控制對應於位移感測元件122A及位移感測元件122C的兩施壓元件124增加其所施下壓力，以抑制對應於位移感測元件122A之區域及對應於位移感測元件122C之區域的離形紋R2的產生進度。此外，若對應於位移感測元件122A的△D11~△D23的值、對應於位移感測元件122B的△D11~△D13的值、對應於位移感測元件122C的△D11~△D13的值皆大於一位移門檻值(即圖5B中被粗線所涵蓋的子區域的位移量大於所述門檻值)，且對應於位移感測元件122A的△D31~△D33的值、對應於位移感測元件122B的△D21~△D33的值、對應於位移感測元件122C的△D21~△D33的值皆小於所述位移門檻值，則代表對應於位移感測元件122A之區域的離形紋R2的產生進度過快。此時，控制單元130(繪示於圖3)將此相對位移狀態判斷為對應於位移感測元件122A之區域需調整，並據以控制對應於位移感測元件122A的施壓元件124增加其所施下壓力，以抑制對應於位移感測元件122A之區域的離形紋R2的產生進度。再者，若對應於位移感測元件122A的△D11~△D13的值、對應於位移感測元件122B的△D11~△D23的值、對應於位移感測元件122C的△D11~△D13的值皆大於一位移門檻值(即圖5C中被粗線所涵蓋的子區域的位移量大於所述門檻值)，且對應於位移感測元件122A的△D21~△D33的值、對應於位移感測元件122B的△D31~△D33的值、對應於位移感測元件122C的△D21~△D33的值皆小於所述位移門檻值，則代表對應於位移感測元件122B之區域的離形紋R2的產生進度過快。此時，控制單元130(繪示於圖3)將此相對位移狀態判斷為對應於位移感測元件122B之區域需調整，並據以控制對應於位移感測元件122B的施壓元件124增加其所施下壓力，以抑制對應於位移感測元件122B之區域的離形紋R2的產生進度。依此類推。在其他實施例中，可將這些位移感測元件122A、122B、122C的這些相對位移量△D11~△D33的其他狀態定義為需調整的相對位移狀態，本揭露不對此加以限制。
圖6繪示圖4的控制單元控制分離單元及施壓元件的方式。請參考圖6，各位移感測元件122作動以感測基板70與可撓薄膜80在對應各位移感測元件122之位置的相對位移狀態，控制單元130判斷對應各位移感測元件122之位置的相對位移狀態是否需調整。若是，則分離單元110作動以進行基板70與可撓薄膜80之分離，對應的施壓元件124作動以施加下壓力於基板70及可撓薄膜80，且各位移感測元件122及控制單元130持續進行上述感測及判斷。若否，則分離單元110作動以進行基板70與可撓薄膜80之分離，對應的施壓元件124不作動，且位移感測元件122及控制單元130持續進行上述感測及判斷。需說明的是，圖6所示為控制單元130對單一離形紋調整單元120的施壓元件124進行控制的流程，然實際上圖2A及圖2C所示的三個離形紋調整單元120的施壓元件124皆可藉由同一控制單元130而個別地被控制。
圖7是本揭露另一實施例的分離裝置將可撓薄膜分離於基板的俯視示意圖。圖7所示實施例與圖2A所示實施例的不同處在於，施壓元件224(例如包含滾輪)的數量為一個且其寬度大於或等於可撓薄膜80的主動區80a的寬度，位移感測元件222的數量為兩個且連接於施壓元件224的後側。在其他實施例中，施壓元件224的數量可為多個。
圖8A是本揭露另一實施例的分離裝置將可撓薄膜分離於基板的俯視示意圖。圖8B是圖8A的分離裝置、可撓薄膜及基板的側視示意圖。為使圖式較為清楚，圖8B的分離裝置僅部分構件繪示於圖8A。圖8A及圖8B所示實施例與圖2A及圖2B所示實施例的不同處在於，施壓元件324包括吸盤且其數量為更多個且其固定於固定座B並均佈於基板70及可撓薄膜80上方，位移感測元件322的數量亦為更多個且其固定於固定座B並均佈於基板70及可撓薄膜80上方。所述吸盤是氣壓式施壓元件。由於施壓元件324及位移感測元件322均佈於基板70及可撓薄膜80上方，故施壓元件324及位移感測元件322不需移動就能對基板70進行完整的感測。在本實施例中，這些施壓元件324可隨著基板70與可撓薄膜80由左而右的相互分離而依序上移，使基板70能夠順利地移離可撓薄膜80。
圖9A是本揭露另一實施例的分離裝置將可撓薄膜分離於基板的俯視示意圖。圖9B是圖9A的分離裝置、可撓薄膜及基板的側視示意圖。為使圖式較為清楚，圖9B的分離裝置僅部分構件繪示於圖9A。圖9A及圖9B所示實施例與圖8A及圖8B所示實施例的不同處在於，位移感測元件422的數量至少為兩個而非均佈於基板70及可撓薄膜80上方。位移感測元件422固定於滑塊428，滑塊428滑設於軌道426，使位移感測元件422可隨著離形紋的移動而相對於基板70及施壓元件424沿方向D1平移，以持續藉其對基板70之感測而得知離形紋的分佈。
圖10是本揭露另一實施例的分離裝置將可撓薄膜分離於基板的側視示意圖。圖10所示實施例與圖2B所示實施例的不同處在於，分離單元510包括真空腔體C並以抽真空的方式提供所述拉力，詳述如下。分離單元510包括相結合的上載台512及下載台514，基板70及可撓薄膜80位於上載台512及下載台514之間的容納空間。下載台514具有開孔H1而可透過開孔H1對基板70施加吸力。可變形的吸盤90吸附於可撓薄膜80，上載台512具有開孔H2而可透過開孔H2對吸盤90施加吸力，從而使基板70與可撓薄膜80相互分離。圖10僅示意地繪示離形紋調整單元520，其位於所述容納空間內而對基板70與可撓薄膜80之間的離形紋進行調整，其配置與作用方式類似於前述實施例的離形紋調整單元，於此不再贅述。如同前述實施例的離形紋調整單元可達成的效果，本實施例的離形紋調整單元520可藉其位移感測元件來感測基板70與可撓薄膜80的相對位移狀態，據以判斷離形紋的分佈。承上，依據離形紋的分佈，離形紋調整單元520可藉其施壓元件對基板70施壓，以在離形紋產生進度過快的區域抑制其進度，從而將離形紋調整為近似直線狀態。藉此，可使基板70與可撓薄膜80的分離進度均勻以避免基板70產生過大的翹曲量，讓基板70具有良好的結構強度。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的所界定者為準。
50、80‧‧‧可撓薄膜
50a、50b‧‧‧可撓薄膜的部分
52‧‧‧邊緣
60、70‧‧‧基板
70a、70b‧‧‧基板的部分
72‧‧‧表面
80a‧‧‧主動區
90‧‧‧吸盤
100‧‧‧分離裝置
110、510‧‧‧分離單元
120‧‧‧離形紋調整單元
122、122A、122B、122C、322、422‧‧‧位移感測元件
124、224、324、424‧‧‧施壓元件
124a‧‧‧壓力源
124b‧‧‧下壓件
126、426‧‧‧軌道
128、428‧‧‧滑塊
130‧‧‧控制單元
512‧‧‧下載台
514‧‧‧上載台
520‧‧‧離形紋調整單元
B‧‧‧固定座
C‧‧‧真空腔體
D1、D2‧‧‧方向
H1、H2‧‧‧開孔
R1、R2‧‧‧離形紋
S‧‧‧感測訊號
△D11~△D33‧‧‧相對位移量
圖1A繪示一般封裝製程中將可撓薄膜分離於基板的俯視圖。 圖1B是圖1A的可撓薄膜及基板的側視圖。 圖2A是本揭露一實施例的分離裝置將可撓薄膜分離於基板的俯視示意圖。 圖2B是圖2A的分離裝置、可撓薄膜及基板的側視示意圖。 圖2C繪示圖2A的離形紋被調整為近似直線狀態。 圖3是本揭露一實施例的分離方法的流程圖。 圖4是圖2B的分離裝置的部分構件方塊示意圖。 圖5A至圖5C是圖2A的可撓薄膜及位移感測元件的示意圖。 圖6繪示圖4的控制單元控制分離單元及施壓元件的方式。 圖7是本揭露另一實施例的分離裝置將可撓薄膜分離於基板的俯視示意圖。 圖8A是本揭露另一實施例的分離裝置將可撓薄膜分離於基板的俯視示意圖。 圖8B是圖8A的分離裝置、可撓薄膜及基板的側視示意圖。 圖9A是本揭露另一實施例的分離裝置將可撓薄膜分離於基板的俯視示意圖。 圖9B是圖9A的分離裝置、可撓薄膜及基板的側視示意圖。 圖10是本揭露另一實施例的分離裝置將可撓薄膜分離於基板的側視示意圖。

Claims (19)

  1. 一種分離裝置，適於將一可撓薄膜從一基板分離，該分離裝置包括：一分離單元，適於施加一拉力於該可撓薄膜及該基板的至少其中之一，以使該可撓薄膜與該基板相互分離，其中在該可撓薄膜與該基板相互分離的過程中，該可撓薄膜的尚未分離於該基板的部分與該可撓薄膜的已分離於該基板的部分之間形成一離形紋；以及一離形紋調整單元，包括至少一位移感測元件及至少一施壓元件，其中該至少一位移感測元件適於感測該可撓薄膜與該基板的一相對位移狀態以判斷該離形紋的分佈，該至少一施壓元件適於施加一下壓力於該可撓薄膜或該基板並依據該相對位移狀態而增加或減少該下壓力，以調整該離形紋的分佈，其中該至少一位移感測元件適於隨著該離形紋的移動而相對於該基板平移。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的分離裝置，包括一控制單元，其中該分離單元耦接於該控制單元，該位移感測元件耦接於該控制單元，該施壓元件耦接於該控制單元，該至少一位移感測元件適於產生對應於該相對位移狀態的一感測訊號，該控制單元適於依據該感測訊號而控制該施壓元件及該分離單元。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的分離裝置，其中該至少一施壓元件的寬度大於或等於該可撓薄膜的一主動區的寬度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的分離裝置，其中該至少一位移感測元件包括多個位移感測元件，該至少一施壓元件包括多個施壓元件，該些位移感測元件及該些施壓元件均佈於該基板及該可撓薄膜的上方。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的分離裝置，其中該至少一施壓元件包括多個施壓元件，該些施壓元件均佈於該基板及該可撓薄膜的上方，該至少一位移感測元件可相對於該基板及該些施壓元件平移。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的分離裝置，其中該分離單元包括一真空腔體。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的分離裝置，其中該至少一施壓元件包括一壓力源及一下壓件，該下壓件連接於該壓力源，該壓力源適於提供壓力至該下壓件，以透過該下壓件往該可撓薄膜及該基板施加該下壓力。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的分離裝置，其中該至少一施壓元件適於隨著該離形紋的移動而相對於該基板平移。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的分離裝置，其中該至少一施壓元件包括滾輪或吸盤。
  10. 一種分離方法，適於將一可撓薄膜從一基板分離，該分離方法包括：藉由一分離單元施加一拉力於該可撓薄膜及該基板的至少其中之一，以使該可撓薄膜與該基板相互分離，其中在該可撓薄膜與該基板相互分離的過程中，該可撓薄膜的尚未分離於該基板的部分與該可撓薄膜的已分離於該基板的部分之間形成一離形紋；藉由至少一位移感測元件感測該可撓薄膜與該基板的一相對位移狀態以判斷該離形紋的分佈；以及藉由至少一施壓元件施加一下壓力於該可撓薄膜或該基板，其中該至少一施壓元件依據該相對位移狀態而增加或減少該下壓力，以調整該離形紋的分佈。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的分離方法，包括：藉由該至少一位移感測元件產生對應於該相對位移狀態的一感測訊號；以及藉由一控制單元依據該感測訊號而控制該施壓元件及該分離單元。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的分離方法，其中當該可撓薄膜與該基板尚未分離時，該基板的一表面接觸該基板，該分離方法包括：在該可撓薄膜與該基板相互分離的過程中，該分離單元藉由該拉力而使該離形紋沿平行於該表面的方向移動；以及藉由該至少一位移感測元件感測該可撓薄膜與該基板沿垂直於該表面的方向的該相對位移狀態。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的分離方法，其中該至少一位移感測元件對應於該基板的一區域，該分離方法包括：藉由該至少一位移感測元件感測該可撓薄膜與該基板在該區域內的多個子區域的多個相對位移量，該相對位移狀態相關於該些相對位移量。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的分離方法，包括：依據各該相對位移量與一位移門檻值的關係，該至少一施壓元件增加或減少該下壓力。
  15. 如申請專利範圍第10項所述的分離方法，包括：該分離單元依據該相對位移狀態而施加該拉力或停止施加該拉力。
  16. 如申請專利範圍第10項所述的分離方法，其中該至少一施壓元件包括一壓力源及一下壓件，該分離方法包括：藉由該壓力源提供壓力至該下壓件，以透過該下壓件往該可撓薄膜及該基板施加該下壓力。
  17. 如申請專利範圍第10項所述的分離方法，包括：驅動該至少一施壓元件隨著該離形紋的移動而相對於該基板平移。
  18. 如申請專利範圍第10項所述的分離方法，包括：驅動該至少一位移感測元件隨著該離形紋的移動而相對於該基板平移。
  19. 如申請專利範圍第10項所述的分離方法，包括：驅動該至少一位移感測元件與該至少一施壓元件一起移動。
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