TWI668914B - 通訊裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種通訊裝置，包括：一金屬機構件、一饋入輻射部、一調整輻射部，以及一介質基板。金屬機構件具有一閉口槽孔。饋入輻射部係延伸跨越閉口槽孔，其中饋入輻射部具有一饋入點。調整輻射部係延伸跨越閉口槽孔，其中調整輻射部之一第一端係耦接至金屬機構件，而調整輻射部之一第二端係鄰近於金屬機構件或耦接至金屬機構件。介質基板係鄰近於金屬機構件，其中饋入輻射部和調整輻射部皆設置於介質基板上。饋入輻射部、調整輻射部，以及金屬機構件之閉口槽孔係共同形成一天線結構。

Description

通訊裝置

本發明係關於一種通訊裝置(Communication Device)，特別係關於根據一種通訊裝置及其天線結構(Antenna Structure)。

隨著行動通訊技術的發達，行動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。

為了追求造型美觀，現今設計者常會在行動裝置中加入金屬元件之要素。然而，新增之金屬元件卻容易對於行動裝置中支援無線通訊之天線產生負面影響，進而降低行動裝置之整體通訊品質。因此，有必要提出一種全新之行動裝置和天線結構，以克服傳統技術所面臨之問題。

在較佳實施例中，本發明提供一種通訊裝置，包括：一金屬機構件，具有一閉口槽孔；一饋入輻射部，延伸跨越該閉口槽孔，其中該饋入輻射部具有一饋入點；一調整輻射部，延伸跨越該閉口槽孔，其中該調整輻射部之一第一端係耦接至該金屬機構件，而該調整輻射部之一第二端係鄰近於該金屬機構件或耦接至該金屬機構件；以及一介質基板，鄰近於該金屬機構件，其中該饋入輻射部和該調整輻射部皆設置於該介質基板上；其中該饋入輻射部、該調整輻射部，以及該金屬機構件之該閉口槽孔係共同形成一天線結構。

在一些實施例中，該饋入輻射部係呈現一L字形。

在一些實施例中，該調整輻射部係呈現一直條形。

在一些實施例中，該閉口槽孔係呈現一直條形，並具有一第一閉口端和一第二閉口端。

在一些實施例中，該饋入點和該第一閉口端之間距係介於40mm至45mm之間。

在一些實施例中，該調整輻射部和該第二閉口端之間距係介於0.5mm至38mm之間。

在一些實施例中，該天線結構涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶，該低頻頻帶係介於790MHz至890MHz之間，而該高頻頻帶係介於1830MHz至2690MHz之間。

在一些實施例中，該閉口槽孔之長度係介於該低頻頻帶之中心頻率之0.25倍波長至0.5倍波長之間。

在一些實施例中，該饋入輻射部之長度係等於該 高頻頻帶之中心頻率之0.25倍波長。

在一些實施例中，該通訊裝置更包括：一饋入延伸部，其中該饋入輻射部之一第一端和該饋入延伸部之一第一端皆耦接至該饋入點，而該饋入輻射部之一第二端和該饋入延伸部之一第二端皆為開路端。

在一些實施例中，該饋入輻射部和該饋入延伸部之一組合係呈現一S字形。

在一些實施例中，該S字形具有一不等寬結構。

在一些實施例中，該饋入輻射部之該第二端和該饋入延伸部之該第二端於該金屬機構件上之垂直投影皆位於該閉口槽孔之內。

在一些實施例中，該天線結構涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶，該低頻頻帶係介於790MHz至960MHz之間，而該高頻頻帶係介於1710MHz至2690MHz之間。

在一些實施例中，該饋入延伸部之長度係等於該低頻頻帶之中心頻率之0.25倍波長。

在一些實施例中，該調整輻射部包括：一金屬部份，鄰近於該金屬機構件或耦接至該金屬機構件；一電路元件；一切換器，其中該電路元件係耦接於該金屬部份和該切換器之間；以及複數個阻抗元件，具有不同阻抗值，其中該切換器係用於選擇該等阻抗元件之一者，使得該金屬部份和該電路元件經由所選擇之阻抗元件耦接至該金屬機構件。

在一些實施例中，該電路元件於該金屬機構件上之垂直投影係位於該閉口槽孔之內。

在一些實施例中，該電路元件為一電阻器、一電容器，或一電感器。

在一些實施例中，該切換器和該等阻抗元件於該金屬機構件上之垂直投影係位於該閉口槽孔之外。

在一些實施例中，該等阻抗元件之任一者為一電阻器、一電容器，或一電感器。

100、200、400‧‧‧通訊裝置

110‧‧‧金屬機構件

120‧‧‧閉口槽孔

121‧‧‧閉口槽孔之第一閉口端

122‧‧‧閉口槽孔之第二閉口端

130、230‧‧‧饋入輻射部

131、231‧‧‧饋入輻射部之第一端

132、232‧‧‧饋入輻射部之第二端

140、440‧‧‧調整輻射部

141‧‧‧調整輻射部之第一端

142‧‧‧調整輻射部之第二端

170‧‧‧介質基板

190‧‧‧信號源

250‧‧‧饋入延伸部

251‧‧‧饋入延伸部之第一端

252‧‧‧饋入延伸部之第二端

441‧‧‧金屬部份

443‧‧‧電路元件

445‧‧‧切換器

447、449‧‧‧阻抗元件

D1、D2、D3‧‧‧間距

E1‧‧‧介質基板之第一表面

E2‧‧‧介質基板之第二表面

FBL‧‧‧低頻頻帶

FBH‧‧‧高頻頻帶

FP‧‧‧饋入點

W1、W2、W3、WS‧‧‧寬度

X‧‧‧X軸

Y‧‧‧Y軸

Z‧‧‧Z軸

第1A圖係顯示根據本發明一實施例所述之通訊裝置之俯視圖。

第1B圖係顯示根據本發明一實施例所述之通訊裝置之側視圖。

第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之通訊裝置之俯視圖。

第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之通訊裝置之天線結構之返回損失圖。

第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之通訊裝置之俯視圖。

為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能 會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。

第1A圖係顯示根據本發明一實施例所述之通訊裝置(Communication Device)100之俯視圖。第1B圖係顯示根據本發明一實施例所述之通訊裝置100之側視圖。請一併參考第1A、1B圖。舉例而言，通訊裝置100可以是一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)，但亦不僅限於此。在第1A、1B圖之實施例中，通訊裝置100包括：一金屬機構件(Metal Mechanism Element)110、一饋入輻射部(Feeding Radiation Element)130、一調整輻射部(Tuning Radiation Element)140，以及一介質基板(Dielectric Substrate)170。必須理解的是，雖然未顯示於第1A、1B圖中，但實際上通訊裝置100更可包括其他元件，例如：一處理器(Processor)、一觸控面板(Touch Control Panel)、一揚聲器(Speaker)、一電池模組(Battery Module)，以及一外殼 (Housing)。

金屬機構件110可為通訊裝置100之一金屬背蓋(Metal Back Cover)，其可屬於一外觀裝飾元件並可提供一接地電位(例如：0V)。所謂「外觀裝飾元件」係指通訊裝置100上使用者可直接用眼睛觀察到之元件。金屬機構件110具有一閉口槽孔(Closed Slot)120。詳細而言，閉口槽孔120可大致呈現一直條形，並可具有互相遠離之一第一閉口端(Closed End)121和一第二閉口端122。然而，本發明並不僅限於此。在其他實施例中，亦可將閉口槽孔120改為一開口槽孔(Open Slot)，其中此開口槽孔亦可大致呈現一直條形，並可具有互相遠離之一開口端(Open End)和一閉口端。

饋入輻射部130和調整輻射部140皆由金屬材質所製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。介質基板170可為一FR4(Flame Retardant 4)基板、一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)，或是一軟性電路板(Flexible Circuit Board，FCB)。介質基板170可具有相對之一第一表面E1和一第二表面E2，其中饋入輻射部130和調整輻射部140皆設置於介質基板170之第一表面E1上，而介質基板170之第二表面E2可靠近或直接貼合於金屬機構件110上(鄰近或接觸閉口槽孔120)。必須注意的是，本說明書中所謂「鄰近」或「靠近」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如：1mm或更短)，亦可包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即，前述間距縮短至0)。

饋入輻射部130可以大致為一L字形。饋入輻射部130具有一饋入點FP，其係耦接至通訊裝置100之一信號源 (Signal Source)190。信號源190可為一射頻(Radio Frequency，RF)模組，能用於產生一發射信號或是處理一接收信號。詳細而言，饋入輻射部130具有一第一端131和一第二端132，其中饋入點FP係位於饋入輻射部130之第一端131處，而饋入輻射部130之第二端132為一開路端(Open End)132。饋入輻射部130係延伸跨越金屬機構件110之閉口槽孔120，其中饋入輻射部130之第二端132係朝遠離調整輻射部140之方向作延伸。亦即，饋入輻射部130於金屬機構件110上之垂直投影(Vertical Projection)係與閉口槽孔120至少部份重疊。例如，饋入輻射部130之垂直投影可跨越閉口槽孔120之寬度WS之一部份或全部。

調整輻射部140可以大致為一直條形。調整輻射部140係延伸跨越金屬機構件110之閉口槽孔120。亦即，調整輻射部140於金屬機構件110上之垂直投影係與閉口槽孔120至少部份重疊。例如，調整輻射部140之垂直投影可跨越閉口槽孔120之寬度WS之一部份或全部。詳細而言，調整輻射部140具有一第一端141和一第二端142，其中調整輻射部140之第一端141係耦接(或直接連接)至金屬機構件110，而調整輻射部140之第二端142係鄰近於金屬機構件110或耦接(或直接連接)至金屬機構件110。請參考第1B圖。調整輻射部140可由介質基板170之第一表面E1上延伸至金屬機構件110上，使得調整輻射部140之第一端141和第二端142皆可直接接觸金屬機構件110。在另一些實施例中，僅有調整輻射部140之第一端141係直接接觸金屬機構件110，而另有一絕緣層(Isolation Layer)將金屬機構件 110與調整輻射部140之第二端142分隔開，使得金屬機構件110和調整輻射部140之第二端142之間形成極窄之一耦合間隙(Coupling Gap)，其中此耦合間隙之寬度可小於0.01mm。

必須注意的是，饋入輻射部130、調整輻射部140，以及金屬機構件110之閉口槽孔120係共同形成一天線結構(Antenna Structure)。根據實際量測結果，當接收或傳送無線信號時，通訊裝置100之天線結構可涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶，其中前述之低頻頻帶可約介於790MHz至890MHz之間，而前述之高頻頻帶可約介於1830MHz至2690MHz之間。因此，通訊裝置100之天線結構至少可支援LTE(Long Term Evolution)之寬頻操作。

在一些實施例中，通訊裝置100之天線結構之操作原理可如下列所述。饋入輻射部130和金屬機構件110之閉口槽孔120係共同激發產生前述之低頻頻帶，而饋入輻射部130係單獨激發產生前述之高頻頻帶。調整輻射部140可用於微調天線結構之低頻阻抗匹配(Impedance Matching)，從而可降低天線結構之最低操作頻率以及加大天線結構之操作頻寬。在此設計下，金屬機構件110之閉口槽孔120之長度(亦即，由第一閉口端121至第二閉口端122之長度)可以小於前述之低頻頻帶之中心頻率之0.5倍波長(λ/2)，使得通訊裝置100及其天線結構之整體尺寸能進一步微縮。

在一些實施例中，通訊裝置100之元件尺寸可如下列所述。饋入點FP和閉口槽孔120之第一閉口端121之間距D1可約介於40mm至45mm之間。調整輻射部140和閉口槽孔120之 第二閉口端122之間距D2可約介於0.5mm至38mm之間。閉口槽孔120之長度可約介於前述之低頻頻帶之中心頻率之0.25倍波長(λ/4)至0.5倍波長之間(λ/2)。饋入輻射部130之長度(亦即，由第一端131至第二端132之長度)可大致等於前述之高頻頻帶之中心頻率之0.25倍波長(λ/4)。調整輻射部140之長度(亦即，由第一端141至第二端142之長度)可大於閉口槽孔120之寬度WS。以上元件尺寸範圍係根據多次實驗結果而求出，其有助於最佳化通訊裝置100之天線結構之操作頻帶及阻抗匹配(Impedance Matching)。

第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之通訊裝置200之俯視圖。第2圖和第1A圖相似。在第2圖之實施例中，通訊裝置200更包括一饋入輻射部230和一饋入延伸部(Feeding Extension Element)250，其中饋入輻射部230和饋入延伸部250皆由金屬材質所製成，並皆設置於介質基板170上。饋入輻射部230、饋入延伸部250、調整輻射部140，以及金屬機構件110之閉口槽孔120係共同形成一天線結構。饋入輻射部230和饋入延伸部250之一組合可大致為一S字形。詳細而言，饋入輻射部230可大致呈現一J字形並具有一第一端231和一第二端232，其中饋入輻射部230之第一端231係耦接至饋入點FP，而饋入輻射部230之第二端232為一開路端。饋入延伸部250可大致呈現一L字形並具有一第一端251和一第二端252，其中饋入延伸部250之第一端251係耦接至饋入點FP，而饋入延伸部250之第二端252為一開路端。必須注意的是，饋入輻射部230之第二端232和饋入延伸部250之第二端252於金屬機構件110上之垂直投影 皆位於閉口槽孔120之內。根據實際量測結果，若饋入輻射部230之第二端232和饋入延伸部250之第二端252皆由閉口槽孔120所完全包圍，則可最佳化通訊裝置200之天線結構之阻抗匹配，以及增加此天線結構之操作頻寬。在一些實施例中，饋入輻射部230和饋入延伸部250之組合之S字形具有一不等寬結構。例如，饋入輻射部230之第二端232之寬度W1可大於饋入延伸部250之第二端252之寬度W2，而饋入延伸部250之第二端252之寬度W2可大於調整輻射部140之寬度W3(亦即，W1>W2>W3)。此種不等寬結構可微調通訊裝置200之天線結構之共振長度和操作頻率。例如，若前述寬度W1、W2、W3之任一者變大，則通訊裝置200之天線結構之操作頻率將往低頻方向作移動，而若前述寬度W1、W2、W3之任一者變小，則通訊裝置200之天線結構之操作頻率將往高頻方向作移動。然而，本發明亦不僅限於此。在其他實施例中，饋入輻射部230和饋入延伸部250之之組合之S字形亦可改為一等寬結構(亦即，W1=W2=W3)。

第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之通訊裝置200之天線結構之返回損失(Return Loss)圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表返回損失(dB)。根據第3圖之量測結果，當接收或傳送無線信號時，通訊裝置200之天線結構可涵蓋一低頻頻帶FBL和一高頻頻帶FBH，其中前述之低頻頻帶FBL可約介於790MHz至960MHz之間，而前述之高頻頻帶FBH可約介於1710MHz至2690MHz之間。因此，通訊裝置200之天線結構至少可支援LTE之寬頻操作。

在第2圖之實施例中，通訊裝置200之天線結構之 操作原理和元件尺寸可如下列所述。饋入輻射部230和金屬機構件110之閉口槽孔120係共同激發產生低頻頻帶FBL內介於790MHz至890MHz之間之一第一頻率區間，而饋入輻射部230係單獨激發產生高頻頻帶FBH內介於1830MHz至2690MHz之間之一第二頻率區間。再者，饋入延伸部250和金屬機構件110之閉口槽孔120係共同激發產生低頻頻帶FBL內介於890MHz至960MHz之間之一第三頻率區間，以及高頻頻帶FBH內介於1710MHz至1830MHz之間之一第四頻率區間。因此，饋入延伸部250之加入有助於同時增加通訊裝置200之天線結構之低頻頻帶FBL之頻寬和高頻頻帶FBH之頻寬(與第1A、1B圖之實施例相比，低頻頻帶FBL新增加第三頻率區間，而高頻頻帶FBH新增加第四頻率區間)。在元件尺寸方面，饋入點FP和閉口槽孔120之第一閉口端121之間距D3可約介於40mm至45mm之間。調整輻射部140和閉口槽孔120之第二閉口端122之間距D2可約介於0.5mm至38mm之間。閉口槽孔120之長度(亦即，由第一閉口端121至第二閉口端122之長度)可約介於低頻頻帶FBL之中心頻率之0.25倍波長(λ/4)至0.5倍波長之間(λ/2)。饋入輻射部230之長度(亦即，由第一端231至第二端232之長度)可大致等於高頻頻帶FBH之中心頻率之0.25倍波長(λ/4)。饋入延伸部250之長度(亦即，由第一端251至第二端252之長度)可大致等於低頻頻帶FBL之中心頻率之0.25倍波長(λ/4)。第2圖之通訊裝置200之其餘特徵皆與第1A、1B圖之通訊裝置100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之通訊裝 置400之俯視圖。第4圖和第2圖相似。在第4圖之實施例中，通訊裝置400之一調整輻射部440包括：一金屬部份(Metal Portion)441、一電路元件(Circuit Element)443、一切換器(Switch Element)445，以及複數個阻抗元件(Impedance Element)447、449，其中電路元件443、切換器445，以及該等阻抗元件447、449皆設置於介質基板170上。金屬部份441係鄰近於金屬機構件110或耦接(或直接連接)至金屬機構件110。電路元件443係耦接於金屬部份441和切換器445之間。例如，電路元件443可為一電阻器(Resistor)、一電容器(Capacitor)，或一電感器(Inductor)。電路元件443於金屬機構件110上之垂直投影係位於閉口槽孔120之內。該等阻抗元件447、449具有不同阻抗值。例如，該等阻抗元件447、449之任一者可為一電阻器、一電容器，或一電感器。切換器445可根據一控制信號來選擇該等阻抗元件447、449之一者，使得金屬部份441和電路元件443可經由所選擇之阻抗元件耦接至一接地電位(亦即，金屬機構件110)。前述之控制信號可由一處理器根據一使用者輸入而產生。切換器445和該等阻抗元件447、449於金屬機構件110上之垂直投影皆位於閉口槽孔120之外。藉由控制切換器445於該等阻抗元件447、449之間進行切換，調整輻射部440可動態地改變通訊裝置400之天線結構之阻抗匹配，從而可進一步擴大此天線結構之操作頻寬。根據實際量測結果，電路元件443、切換器445，以及該等阻抗元件447、449之前述位置(在閉口槽孔120之內或之外)可避免其對通訊裝置400之天線結構之輻射場型(Radiation Pattern)產生嚴重干擾。雖然僅有第4圖僅顯示 二個阻抗元件447、449，但在其他實施例中，調整輻射部440更可視不同需求而包括三個以上之阻抗元件。第4圖之通訊裝置400之其餘特徵皆與第1A、1B圖之通訊裝置100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

本發明提出一種新穎之天線結構，其包括槽孔和調整輻射部之設計。當此天線結構應用於具有一金屬機構件之通訊裝置時，由於金屬機構件可視為天線結構之一延伸部份，故能有效避免金屬機構件對通訊裝置之通訊品質產生負面影響。調整輻射部之加入更可降低天線結構之操作頻率及擴大天線結構之操作頻寬。另須注意的是，本發明可在不用於金屬機構件上開挖任何天線窗(Antenna Window)之情況下，更進一步改良通訊裝置之外觀設計。總而言之，本發明能兼得小尺寸、寬頻帶，以及美化裝置外型之優勢，故其很適合應用於各種各式之行動通訊裝置當中。

值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之通訊裝置及天線結構並不僅限於第1-4圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-4圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之通訊裝置及天線結構當中。

在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。

本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (18)

1. 一種通訊裝置，包括：一金屬機構件，具有一閉口槽孔；一饋入輻射部，延伸跨越該閉口槽孔，其中該饋入輻射部具有一饋入點；一調整輻射部，延伸跨越該閉口槽孔，其中該調整輻射部之一第一端係耦接至該金屬機構件，而該調整輻射部之一第二端係鄰近於該金屬機構件或耦接至該金屬機構件；以及一介質基板，鄰近於該金屬機構件，其中該饋入輻射部和該調整輻射部皆設置於該介質基板上；其中該饋入輻射部、該調整輻射部，以及該金屬機構件之該閉口槽孔係共同形成一天線結構；其中該閉口槽孔係呈現一直條形，並具有一第一閉口端和一第二閉口端；其中該調整輻射部和該第二閉口端之間距係介於0.5mm至38mm之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之通訊裝置，其中該饋入輻射部係呈現一L字形。
3. 如申請專利範圍第1項所述之通訊裝置，其中該調整輻射部係呈現一直條形。
4. 如申請專利範圍第1項所述之通訊裝置，其中該饋入點和該第一閉口端之間距係介於40mm至45mm之間。
5. 如申請專利範圍第1項所述之通訊裝置，其中該天線結構涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶，該低頻頻帶係介於790MHz至 890MHz之間，而該高頻頻帶係介於1830MHz至2690MHz之間。
6. 如申請專利範圍第5項所述之通訊裝置，其中該閉口槽孔之長度係介於該低頻頻帶之中心頻率之0.25倍波長至0.5倍波長之間。
7. 如申請專利範圍第5項所述之通訊裝置，其中該饋入輻射部之長度係等於該高頻頻帶之中心頻率之0.25倍波長。
8. 如申請專利範圍第1項所述之通訊裝置，更包括：一饋入延伸部，其中該饋入輻射部之一第一端和該饋入延伸部之一第一端皆耦接至該饋入點，而該饋入輻射部之一第二端和該饋入延伸部之一第二端皆為開路端。
9. 如申請專利範圍第8項所述之通訊裝置，其中該饋入輻射部和該饋入延伸部之一組合係呈現一S字形。
10. 如申請專利範圍第9項所述之通訊裝置，其中該S字形具有一不等寬結構。
11. 如申請專利範圍第8項所述之通訊裝置，其中該饋入輻射部之該第二端和該饋入延伸部之該第二端於該金屬機構件上之垂直投影皆位於該閉口槽孔之內。
12. 如申請專利範圍第8項所述之通訊裝置，其中該天線結構涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶，該低頻頻帶係介於790MHz至960MHz之間，而該高頻頻帶係介於1710MHz至2690MHz之間。
13. 如申請專利範圍第12項所述之通訊裝置，其中該饋入延伸部之長度係等於該低頻頻帶之中心頻率之0.25倍波長。
14. 如申請專利範圍第1項所述之通訊裝置，其中該調整輻射部包括：一金屬部份，鄰近於該金屬機構件或耦接至該金屬機構件；一電路元件；一切換器，其中該電路元件係耦接於該金屬部份和該切換器之間；以及複數個阻抗元件，具有不同阻抗值，其中該切換器係用於選擇該等阻抗元件之一者，使得該金屬部份和該電路元件經由所選擇之阻抗元件耦接至該金屬機構件。
15. 如申請專利範圍第14項所述之通訊裝置，其中該電路元件於該金屬機構件上之垂直投影係位於該閉口槽孔之內。
16. 如申請專利範圍第14項所述之通訊裝置，其中該電路元件為一電阻器、一電容器，或一電感器。
17. 如申請專利範圍第14項所述之通訊裝置，其中該切換器和該等阻抗元件於該金屬機構件上之垂直投影係位於該閉口槽孔之外。
18. 如申請專利範圍第14項所述之通訊裝置，其中該等阻抗元件之任一者為一電阻器、一電容器，或一電感器。