TWI664895B - 基座結構 - Google Patents

Abstract

基座結構包括一殼體、一第一閥門、一第二閥門、一感測器與一風扇。殼體具有相連通的一第一通風口、一第二通風口與一容置空間。第一閥門用以控制第一通風口之開關。第二閥門用以控制第二通風口之開關。感測器設置在容置空間中。風扇用以在容置空間中造成一氣流。當氣流流通第一通風口與第二通風口其中之一時，第一通風口與第二通風口其中之另一係被關閉。

Description

基座結構

本發明是有關於一種基座結構，且特別是有關於一種能任意改變氣流場方向的基座結構。

現行電子裝置，例如，機上盒(數位視訊轉換盒，Set-top box)、投影機、光碟機、電腦主機、生醫檢測裝置，等其內部有操作期間會產生熱的元件，因此，這些電子裝置皆須配置散熱風扇來冷卻其內部。然而，流場死角的區域溫度並無法被降溫，易造成系統內部溫度不均衡的問題。

本發明實施例係有關於一種基座結構。

本發明之一實施例係有關於一種基座結構，其包括一殼體、一第一閥門、一第二閥門、一感測器與一風扇。殼體具有相連通的一第一通風口、一第二通風口與一容置空間。第一閥門用以控制第一通風口之開關。第二閥門用以控制第二通風口之開關。感測器設置在容置空間中。風扇用以在容置空間中造成一氣流。當氣流流通第一通風口與第二通風口其中之一時，第一通風口與第二通風口其中之另一係被關閉。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：

102、202‧‧‧基座結構

104‧‧‧殼體

106‧‧‧風扇

108‧‧‧容置空間

C1‧‧‧第一連結件

C2‧‧‧第二連結件

D11、D21‧‧‧第一閥門

D12、D22‧‧‧第二閥門

H1‧‧‧第一通風口

H2‧‧‧第二通風口

M1‧‧‧第一磁組

M2‧‧‧第二磁組

M11、M21‧‧‧第一磁件

M21、M22‧‧‧第二磁件

P1‧‧‧第一板件

P2‧‧‧第二板件

P3‧‧‧第三板件

P4‧‧‧第四板件

P5‧‧‧第五板件

P6‧‧‧第六板件

S11‧‧‧第一感測器

S12‧‧‧第二感測器

第1圖與第2圖繪示根據第一實施例之基座結構示意圖。

第3圖與第4圖繪示根據第二實施例之基座結構示意圖。

請參照第1圖與第2圖，其繪示根據第一實施例之基座結構102及其操作方法。基座結構102包括殼體104、第一閥門D11、第二閥門D12、第一感測器S11、第二感測器S12與風扇106。

殼體104具有由多個板件定義出且相連通的容置空間108且具有至少第一通風口H1及第二通風口H2。詳細舉例來說，殼體104的可包括相對的第一板件P1與第二板件P2、以及位在第一板件P1與第二板件P2之間且相對的第三板件P3與第四板件P4。殼體104也包括在第一板件P1至第四板件P4相反側的第五板件P5與第六板件P6。為求方便理解本實施例之概念，第六板件P6在圖式中係以透視的方式呈現，以清楚顯現基座結構102被第六板件P6遮蔽的部分。如第1圖與第2圖所示，容置空間108係由第一板件P1至第六板件P6定義出。第一通風口H1在第一板件P1側。第二通風口H2在第二板件P2側。

實施例中，風扇106包括可控制正反轉之風扇，能 選擇性地造成從風扇106流向容置空間108的氣流，或造成從容置空間108流向風扇106的氣流。

對應第一通風口H1及第二通風口H2的第一閥門D11與第二閥門D12能設計成分別限制朝殼體104之外、內不同側上做開闔動作，以控制風扇106造成的氣流只能流通第一通風口H1與第二通風口H2其中之一。

詳細舉例來說，第一閥門D11可透過第一連結件C1連結至殼體104在第一通風口H1上方的部分，且第一閥門D11具有至少一部份抵在殼體104的外側壁(背對容置空間108)。如此，第一閥門D11為一外推式閥門，係以第一連結件C1作為旋轉軸心，在殼體104的外側壁上相對於第一通風口H1進行開闔動作，但無法轉至殼體104的內側。此外，為了能夠被風扇106在容置空間108中形成的氣壓帶動，第一閥門D11的材質並不限定，只要重量能設計得夠輕(或鉸鏈的力量要夠小)即可。更具體地舉例來說，當風扇106係如第1圖所示朝向容置空間108吹氣時，造成的氣壓可順勢推開第一閥門D11並使氣流通過第一通風口H1而流出殼體104。一旦風扇106停止吹氣，第一閥門D11便隨重力牽引掉下而蓋住第一通風口H1。相反地，當風扇106係如第2圖所示從容置空間108抽氣形成負壓時(容置空間108內之氣壓小於容置空間108外之氣壓)，抵在殼體104之外側壁的第一閥門D11無法藉由此負壓轉動而維持在關閉第一通風口H1的狀態。

第二閥門D12可透過第二連結件C2連結至殼體104 在第二通風口H2上方的部分，且第二閥門D12具有至少一部份抵在殼體104的內側壁(面對容置空間108)。如此，第二閥門D12為一內推式閥門，係以第二連結件C2作為旋轉軸心，在殼體104的內側壁上相對於第二通風口H2進行開闔動作，但無法轉至殼體104的外側。更具體地舉例來說，當風扇106如第1圖所示向容置空間108吹氣時，抵在殼體104之內側壁的第二閥門D12並無法藉由風扇106造成之氣壓轉動，而維持在關閉第二通風口H2的狀態。相反地，當風扇106如第2圖所示之從容置空間108抽氣時，抽氣造成的負壓可順勢帶動第二閥門D12並使氣流從殼體104外部通過第二通風口H2流入容置空間108中。一旦風扇106停止提供氣流，第二閥門D12便隨重力牽引掉下而蓋住第二通風口H2。

第一連結件C1與第二連結件C2可例如包括鉸鏈，但不限於此，也可使用其他能連結閥門與殼體，並使閥門能相對於通風口進行開闔動作的連結組件。

實施例中，第一感測器S11與第二感測器S12分別設置在容置空間108中不同的區域，以偵測不同區域的環境條件，然後根據偵測到的環境條件調整風扇106的轉向。具體舉例來說，在此實施例中，第一感測器S11與第二感測器S12包括溫度感測器，能分別用以偵測容置空間108中鄰近第一通風口H1與第二通風口H2之不同區域的溫度。除此之外，風扇106的轉向可根據量測到的溫度決定，再同時搭配限制開闔方向的第一閥門D11 與第二閥門D12以控制風扇106造成之氣流流向溫度過高的區域，藉此對溫度過高的區域進行降溫解熱，能避免氣流死角造成溫度無法下降的問題。

一實施例中，如第1圖所示，當第一感測器S11偵測到的第一感測溫度ST1係高於第二感測器S12偵測到的第二感測溫度ST2，係控制風扇106的轉向使其向容置空間108內吹氣，使得第一閥門D11與第二閥門D12中只有第一閥門D11能被翻開，因此形成往第一通風口H1流出的氣流。此從風扇106往第一通風口H1的氣流路徑能使得第一感測器S11之附近區域的熱能被氣流帶出，造成比第二感測器S12之附近區域更高的降溫效率。

一實施例中，如第2圖所示，當第一感測器S11偵測到的第一感測溫度ST1係低於第二感測器S12偵測到的第二感測溫度ST2時，亦即第二感測器S12之附近區域的溫度較高時，係控制風扇106的轉向使其從容置空間108抽氣，使得第一閥門D11與第二閥門D12中只有第二閥門D12能被翻開，因此形成從第二通風口H2流入的氣流。此從第二通風口H2往風扇106的氣流路徑能使得第二感測器S12之附近區域的熱能被氣流帶出造成區域降溫，造成比第一感測器S11之附近區域更高的降溫效率。

請參照第3圖與第4圖，其繪示根據第二實施例之基座結構202及其操作方法。基座結構202與基座結構102的差異在於，第一閥門D21與第二閥門D22包括電控閥門，其能藉由控制電路在殼體104上移位以對第一通風口H1與第二通風口H2 進行開關動作。

具體舉例來說，第二實施例之基座結構202更包括第一磁組M1與第二磁組M2。第一磁組M1包括第一磁件M11與第二磁件M12。第二磁組M2包括第一磁件M21與第二磁件M22。第一磁件M11、第二磁件M12、第一磁件M21與第二磁件M22包括電磁鐵，並且能使用控制電路獨立地改變其磁極特性。實施例中，第一閥門D21與第二閥門D22係具有磁鐵特性，能與第一磁件M11、第二磁件M12、第一磁件M21與第二磁件M22之間產生磁性相斥、或磁性相吸的作用。第一閥門D21與第二閥門D22受第一磁件M11、第二磁件M12磁件間的磁場牽引而移動，以來控制第一通風口H1與第二通風口H2的開關與否。

一實施例中，舉例來說，當第一磁組M1的第一磁件M11與第二磁件M12其中之一者係通磁，且同時另一者係消磁時，第一閥門D21可能與被通磁的一者磁性相吸而被磁場拉往被通磁的磁件。另一實施例中，舉例來說，第一閥門D21可能與被通磁的一者磁性相斥而被磁場推離被通磁的磁件。如此，第一閥門D21的位置能利用電控方式決定，並藉此控制第一通風口H1之開關。此概念亦能應用至第二閥門D22與第二磁組M2的第一磁件M21與第二磁件M22之間磁電控方式來決定第二閥門D22的開關與否。

如第3圖所示，一實施例中，舉例來說，當第一感測器S11偵測到的第一感測溫度ST1係大於第一設定溫度RT1， 且第二感測溫度ST2係小於第二設定溫度RT2時，係以電控方式通磁第一磁組M1的第一磁件M11，並消磁第二磁件M12，使得第一閥門D21被磁場牽引至第一磁件M11而開啟第一通風口H1。同時，第二磁組M2的第一磁件M21係消磁，第二磁件M22係通磁，使得第二閥門D22被磁場牽引至第二磁件M22而關閉第二通風口H2。如此，風扇106吹出的氣係往第一通風口H1流動，藉此氣流場能高效率地降溫第一感測器S11之附近區域的溫度。

如第4圖所示，一實施例中，舉例來說，當第一感測器S11偵測到的第一感測溫度ST1係小於第一設定溫度RT1，且第二感測溫度ST2係大於第二設定溫度RT2時，係以電控方式消磁第一磁組M1的第一磁件M11，並通磁第二磁件M12，使得第一閥門D21被磁場牽引至第二磁件M12而封閉第一通風口H1。同時，第二磁組M2的第一磁件M21係通磁，第二磁件M22係消磁，使得第二閥門D22被磁場牽引至第一磁件M21而開啟第二通風口H2。風扇106吹出的氣係往第二通風口H2流動，藉此氣流場能高效率地降低第二感測器S12之附近區域的溫度。

如第4圖所示，一實施例中，舉例來說，當第一感測器S11偵測到的第一感測溫度ST1係小於第一設定溫度RT1，且第二感測溫度ST2係於大第二設定溫度RT2時，係以電控第一磁組M1與第二磁組M2以使第一閥門D21關閉第一通風口H1，並使第二閥門D22開啟第二通風口H2，使得風扇106吹氣造成之氣流場能高效率地降低第二感測器S12之附近區域的溫度。

如第3圖所示，一實施例中，舉例來說，當第一感測器S11偵測到的第一感測溫度ST1係大於第一設定溫度RT1，且第二感測溫度ST2係大於第二設定溫度RT2時，係以電控第一磁組M1與第二磁組M2以使第一閥門D21開啟第一通風口H1，並使第二閥門D22封閉第二通風口H2，使得風扇106吹氣造成之氣流場能高效率地降低第一感測器S11之附近區域的溫度。

本揭露不限於此，其他實施例中，也能將本揭露之概念任意組合或延伸至其他的合適設計，來控制風扇106之氣流在容置空間108中的流動路徑進行區域性降溫。

一實施例中，舉例來說，如第3圖與第4圖所示之使用電控閥門的實施例中，當風扇106的轉向係從容置空間108吸氣時，會造成與第3圖、第4圖所示之氣流路徑相反方向的流場，其仍能預期地流經感測器之附近區域造成降溫。此外，如第3圖與第4圖所示之實施例中，閥門係利用電控方式控制動作，並非藉由電扇106造成之氣壓與地心引力方式作動，因此閥門並未限制於左、右移動的設計，而也可任意設計成上、下移動或其他方向移動的元件配置方法。

一實施例中，舉例來說，如第3圖與第4圖所示之第一磁組M1的第一磁件M11與第二磁件M12係分別通磁以對第一閥門D21相對處產生吸引力(例如N極與S極之異極相吸力)及推離力(例如N極與N極之同極相斥力、S極與S極之同極相斥力)。一些實施例中，第一閥門D21可通磁以分別對第一磁件M11與第 二磁件M12相對處產生吸引力及推離力。此概念亦能應用至第二閥門D22與第二磁組M2的第一磁件M21與第二磁件M22之間磁電控方式。

一實施例中，舉例來說，第一磁組M1的第二磁件M12可設置在第一閥門D21上，或者第一閥門D21可用做第一磁組M1的第二磁件M12，藉由使第一磁件M11與第二磁件M12互相磁性吸引以拉引第一閥門D21至第一磁件M11的位置而打開第一通風口H1。反之，可藉由使第一磁件M11與第二磁件M12互相磁性排斥以將第一閥門D21推離第一磁件M11的位置而關閉第一通風口H1。此概念亦能應用至第二閥門D22與第二磁組M2之間的配置操作方式。

其他實施例中，舉例來說，用以決定風扇106之氣流場的通風口(及控制其開關的對應閥門、磁組等元件)與感測器的數量並不限於如第1圖至第4圖所示之兩個，而能根據實據需求設計成更多數量。

根據以上揭露內容，本發明之實施例的基座結構能控制殼體內容置空間的流場方向，藉此有效率地區域性降溫，因此能避免流場死角所造成系統內部溫度不均衡的問題。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (11)

1. 一種基座結構，包括：一殼體，具有相連通的一第一通風口、一第二通風口與一容置空間；一第一閥門，用以控制該第一通風口之開關；一第二閥門，用以控制該第二通風口之開關；一感測器，設置在該容置空間中，其中該感測器包括一第一感測器與一第二感測器，分別鄰近該第一通風口與該第二通風口；及一風扇，用以在該容置空間中造成一氣流，其中當該氣流流通該第一通風口與該第二通風口其中之一時，該第一通風口與該第二通風口其中之另一係被關閉。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基座結構，其中該風扇包括可控制正反轉之風扇。
3. 如申請專利範圍第1項所述之基座結構，其中該第一閥門設置在該第一通風口處並具有至少一部份抵在該殼體的一外側壁及一內側壁其中之一上，該第二閥門設置在該第二通風口處並具有至少一部份抵在該殼體的該外側壁及該內側壁其中之另一上。
4. 如申請專利範圍第1項所述之基座結構，更包括一第一連結件與一第二連結件，分別連結該第一閥門與該第二閥門之上側部份至該殼體，且該第一閥門與該第二閥門係以該第一連結件與該第二連結件作為旋轉軸心，以分別對該第一通風口與該第二通風口進行開關動作。
5. 如申請專利範圍第4項所述之基座結構，其中該第一連結件與該第二連結件包括鉸鏈。
6. 如申請專利範圍第1項所述之基座結構，其中該殼體由複數個板件組成，該第一通風口與該第二通風口位在該殼體的該些板件之不同者。
7. 如申請專利範圍第1項所述之基座結構，其中該感測器包括溫度感測器。
8. 如申請專利範圍第1項所述之基座結構，其中該第一閥門包括電控閥門，並能藉由電路控制在該殼體上移位以對該第一通風口進行開關動作。
9. 如申請專利範圍第1項所述之基座結構，更包括一磁組，該磁組包括一第一磁件與一第二磁件，該第一磁件與該第二磁件係分別具有獨立控制的電磁性該第一閥門相對於該第一通風口的位置係藉由該第一磁件與該第二磁件之間的磁性吸斥狀態移動改變。
10. 如申請專利範圍第1項所述之基座結構，其中：當該容置空間鄰近該第一通風口處的一第一感測溫度係大於一第一設定溫度時，該第一閥門未封閉該第一通風口；當該容置空間鄰近該第一通風口處的該第一感測溫度係小於該第一設定溫度時，該第一閥門封閉該第一通風口；當該容置空間鄰近該第二通風口處的一第二感測溫度係大於一第二設定溫度時，該第二閥門未封閉該第二通風口；或當該容置空間鄰近該第二通風口處的該第二感測溫度係小於該第二設定溫度時，該第二閥門封閉該第二通風口。
11. 如申請專利範圍第1項所述之基座結構，更包括對應該第一閥門的一第一磁組與對應該第二閥門的一第二磁組，其中該第一磁組與該第二磁組各包括一第一磁件與一第二磁件，其中當該第一磁組的該第一磁件與該第二磁件其中之一者係通磁，且該第一磁組的該第一磁件與該第二磁件其中之另一者係消磁時，該第一閥門未封閉該第一通風口；當該第一磁組的該第一磁件與該第二磁件其中之該一者係消磁，且該第一磁組的該第一磁件與該第二磁件其中之該另一係通磁時，該第一閥門封閉該第一通風口；當該第二磁組的該第一磁件與該第二磁件其中之一者係通磁，且該第二磁組的該第一磁件與該第二磁件其中之另一者係消磁時，該第二閥門未封閉該第二通風口；且當該第二磁組的該第一磁件與該第二磁件其中之該一者係消磁，且該第二磁組的該第一磁件與該第二磁件其中之該另一係通磁時，該第二閥門封閉該第二通風口。