TWI662717B

TWI662717B - 發光元件

Info

Publication number: TWI662717B
Application number: TW106125784A
Authority: TW
Inventors: 劉正強; 卓亨穎; 郭得山
Original assignee: 晶元光電股份有限公司
Priority date: 2017-07-31
Filing date: 2017-07-31
Publication date: 2019-06-11
Also published as: TW201911595A

Abstract

一種發光元件，包含：一發光疊層，包含一高台區及一凹陷區，且高台區具有一第一外輪廓；一透明導電層位於發光疊層之高台區上；其中，由俯視觀之，透明導電層具有一第二外輪廓在第一外輪廓之內，且透明導電層的上表面積不超過高台區的上表面積之約85%。

Description

發光元件

本發明係關於一種發光元件，特別是一種具有一透明導電層的發光元件。

隨著半導體科技的進步，現今的光電半導體元件如雷射或發光二極體（Light Emitting Diode, LED）已被廣泛地應用在許多領域，例如通訊、照明、顯示等等，尤其發光二極體具備了高亮度與高演色性等特性，加上具有省電、體積小、低電壓驅動以及不含汞等優點，發光二極體更已廣泛地取代傳統照明技術而應用在顯示器與照明等領域。因此，提升光電半導體元件的光電轉換效率，例如如何兼顧發光二極體的發光效率以及導電能力，實為一直以來研發人員研發的重點之一。

本發明係提供一種發光元件包含：一發光疊層，包含一高台區及一凹陷區，且高台區具有一第一外輪廓；一透明導電層位於發光疊層之高台區上；其中，由俯視觀之，透明導電層具有一第二外輪廓在第一外輪廓之內，且透明導電層的上表面積不超過高台區的上表面積之約85%。

以下實施例將伴隨著圖式說明本發明之概念，在圖式或說明中，相似或相同之部分係使用相同之標號，並且在圖式中，元件之形狀或厚度可擴大或縮小。需特別注意的是，圖中未繪示或說明書未描述之元件，可以是熟習此技藝之人士所知之形式。

請參照第1、2圖，此分別為本發明第一實施例之發光元件100的俯視示意圖及剖視示意圖。發光元件100具有一發光疊層1及一透明導電層2設於發光疊層1上，發光疊層1包含一第一半導體層11、一第二半導體層12及一活性結構13設於第一半導體層11及第二半導體層12之間，且活性結構13及第二半導體層12依序形成於第一半導體層11上，部分之第二半導體層12及部分之活性結構13係被移除並暴露出部分之第一半導體層11，以使發光疊層1形成一凹陷區14以及凸出於凹陷區14的一高台區15。由剖視觀之，凹陷區14包含部份之第一半導體層11，高台區15則包含另一部份之第一半導體層11、活性結構13及第二半導體層12依序堆疊於第一半導體層11上。由俯視觀之，高台區15具有一第一外輪廓151，第一外輪廓151為第二半導體層12的邊界，且暴露之部分第一半導體層11係位於由第一外輪廓151圈繞的範圍之外。詳言之，由發光元件100的剖視觀之，高台區15具有一側邊S連接位於凹陷區14的第一半導體層11暴露的表面，側邊S的位置相當於第一外輪廓151。第一半導體層11及第二半導體層12分別具有不同之一第一導電性及一第二導電性，以分別提供電子與電洞，或者分別提供電洞與電子；活性結構13可以包含單異質結構(single heterostructure)、雙異質結構(double heterostructure)或多層量子井(multiple quantum wells)。第一半導體層11、第二半導體層12及活性結構13之材料為三五族化合物半導體，例如可以為：GaAs、InGaAs、AlGaAs、AlInGaAs、GaP、InGaP 、AlInP、AlGaInP、GaN、InGaN、AlGaN 、AlInGaN、AlAsSb、InGaAsP 、InGaAsN 、AlGaAsP等。在本發明實施例中，若無特別說明，上述化學表示式包含「符合化學劑量之化合物」及「非符合化學劑量之化合物」，其中，「符合化學劑量之化合物」例如為三族元素的總元素劑量與五族元素的總元素劑量相同，反之，「非符合化學劑量之化合物」例如為三族元素的總元素劑量與五族元素的總元素劑量不同。舉例而言，化學表示式為AlGaAs即代表包含三族元素鋁(Al)及/或鎵(Ga)，以及包含五族元素砷(As)，其中三族元素(鋁及/或鎵)的總元素劑量可以與五族元素(砷)的總元素劑量相同或相異。另外，若上述由化學表示式表示的各化合物為符合化學劑量之化合物時，AlGaAs 即代表 Al _xGa _(1-x)As，其中，0≦x≦1；AlInP 代表Al _xIn _(1-x)P，其中，0≦x≦1；AlGaInP代表(Al _yGa _(1-y)) _1-xIn _xP，其中，0≦x≦1，0≦y≦1；AlGaN 代表Al _xGa _(1-x)N，其中，0≦x≦1；AlAsSb 代表 AlAs _xSb _(1-x)，其中，0≦x≦1；InGaP代表In _xGa _1-xP，其中，0≦x≦1；InGaAsP代表In _xGa _1-xAs _1-yP _y，其中，0≦x≦1, 0≦y≦1；InGaAsN 代表 In _xGa _1-xAs _1-yN _y，其中，0≦x≦1，0≦y≦1；AlGaAsP代表Al _xGa _1-xAs _1-yP _y，其中，0≦x≦1，0≦y≦1；InGaAs代表In _xGa _1-xAs，其中，0≦x≦1。

於第一實施例中，由俯視觀之，發光疊層1具有一長邊1a及一短邊1b連接於長邊1a，短邊1b的長度與長邊1a的長度的比值較佳可約為0.15～0.45，使發光疊層1呈現一狹長型的俯視外觀，且發光元件100之發光疊層1的上表面積可進一步小於0.5 mm ²，或者小於0.35 mm ²，例如發光疊層1具有0.26 mm ²的上表面積。第一實施例的發光元件100由於具有小面積、狹長形發光疊層1，因此特別適用於某些領域，例如可安裝於背光單元的發光模組中，以作為手機、平板電腦、筆記型電腦等3C產品的背光單元，且當狹長形的發光疊層1搭配本發明實施例的透明導電層2時，能使電流更均勻散佈於發光疊層1中，進而增加發光元件100的發光效率，但本發明不以此為限。第一實施例的發光元件100之發光疊層1係具有相對稱的二長邊1a及相對稱的二短邊1b，且各長邊1a之兩端連接於短邊1b。此外，由俯視觀之，第一實施例的發光元件100之高台區15在沿著長邊1a的方向上具有一長度L，在沿著短邊1b的方向上具有一第一寬度W1及一第二寬度W2小於第一寬度W1。較佳的，於一實施例中的發光元件100之第一寬度W1與長度L的比值約為0.14～0.4，第二寬度W2與長度L的比值約為0.12～0.35，如此可進一步提升發光元件100的發光效率。在此需要說明的是，上述「沿著長邊1a方向」係與第1圖的y軸同方向，「沿著短邊1b方向」係與第1圖的x軸同方向。

請繼續參照第1、2圖，發光元件100可以選擇性地包含一基板3，發光疊層1位於基板3上，於第一實施例中，第一半導體層11、活性結構13及第二半導體層12係依序堆疊於基板3上，基板3可用以支撐發光疊層1，藉此增加發光元件100整體的機械強度，但基板3的功能可以不以此為限。於第一實施例中，基板3具有一第一邊31及一第二邊32小於第一邊31，第一邊31係與發光疊層1的長邊1a相對應，且第二邊32與短邊1b相對應，由俯視觀之，基板3的形狀大致與發光疊層1相同，且基板3的輪廓大致重合發光疊層1的外輪廓，然而，在另一實施例中，基板3的輪廓亦可位於發光疊層1的外輪廓之外，本發明不以此為限。第一實施例中之基板3可以是一透明基板、一導電基板或一絕緣基板，在此並不設限。第一實施例中之發光疊層1可以透過有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD) 、分子束磊晶法(MBE) 或氫化物氣相磊晶法 (HVPE) 等磊晶方法成長於基板3或另一成長基板上，若是在成長基板上生成的發光疊層1則可藉由基板轉移技術，將發光疊層1接合至基板3並可選擇性地移除所述成長基板或予以保留。於第一實施例中的發光元件100之發光疊層1係直接成長於基板3上，且發光疊層1及基板3之間可以選擇設有一緩衝層(圖未示)，緩衝層可以包含多晶、單晶材料，例如緩衝層之材料可包含氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)等；或者，在另一實施例中，發光疊層1透過基板轉移技術接合於基板3，緩衝層可以作為黏著層以將發光疊層1固定於透明基板3上，在此情況下，緩衝層的材料可以包含透明之高分子材料、氧化物、氮化物或氟化物等。另外，第一實施例中之基板3的材料可以為但並不限於透明絕緣材料如藍寶石(Sapphire)、鑽石(Diamond)、玻璃(Glass)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)、環氧樹脂（Epoxy）、氮化鋁(AlN)、或者可以為透明導電氧化物(TCO)如氧化鋅(ZnO) 、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎵(Ga ₂O ₃)、氧化鋰鎵(LiGaO ₂)、氧化鋰鋁(LiAlO ₂)或氧化鎂鋁(MgAl ₂O ₄)等，或者可以為半導體材料如碳化矽(SiC)、砷化鎵 (GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP) 、硒化鋅(ZnSe)、硒化鋅(ZnSe)或磷化銦(InP)等，或者可以為金屬材料如鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)或鎢(W)等元素或上述元素的組合。

如第1圖和第2圖所示，第一實施例中的透明導電層2設於發光疊層1上，透明導電層2具有一第二外輪廓21形成於發光疊層1的第一外輪廓151內，換言之，由俯視觀之，第二外輪廓21係較第一外輪廓151靠近發光元件100的幾何中心C，使第二外輪廓21位於第一外輪廓151圈繞的範圍之內，且由第二外輪廓21所圍設的面積小於由第一外輪廓151所圍設的面積，即透明導電層2之一上表面積小於高台區15之一上表面積。於一實施例中，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有一間距d約為11 mm ～28 mm，或者間距d為13 mm～26 mm，或者間距d為17mm～25 mm；再一實施例中，間距d與短邊1b的比值為約0.04～0.15；又一實施例中，透明導電層2的上表面積不超過高台區15上表面積的約85%，其中較佳的，透明導電層2的上表面積不小於高台區12上表面積的約62%，如此可使電流藉由透明導電層2的設置而得以更均勻分布於發光疊層1中。較佳的，本發明又一實施例的透明導電層2的上表面積約為65%～82%的高台區18上表面積，如此可使透明導電層2具有良好的電流傳導功效，同時亦能避免產生不必要的遮光。於第一實施例中的發光元件100，由俯視觀之，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間的最小距離在發光元件100的每一處都相同，即間距d為定值，舉例來說，靠近長邊1a的第一外輪廓151與第二外輪廓21的之間距離大致等於靠近短邊1b的第一外輪廓151與第二外輪廓21之間的距離。在第一實施例中，透明導電層2的第二外輪廓21的形狀與發光疊層1的第一外輪廓151的形狀相似，使第一外輪廓151適形地(conformably)形成與第二外輪廓21外；在另一實施例中，第二外輪廓21與第一外輪廓151的形狀可以不同，使第一外輪廓151非適形地形成於第二外輪廓21之外，本發明之第二外輪廓21的形狀並不以此為限。於第一實施例中，發光元件100之透明導電層2另具有一第二內輪廓22位於第二外輪廓21之內，由俯視觀之，第二內輪廓22可為一任意形狀，例如為圓形或橢圓形，且相對一電極墊的位置設置(電極墊的相關結構詳如下述)，使電極墊下方至少部分區域不具有透明導電層2，而能夠避免電流直接由電極墊透過透明導電層2注入發光疊層1中，並使電流得以擴散到發光疊層1遠離電極墊的區域，藉此增加透明導電層2的電流擴散能力。一般的發光元件之透明導電層在發光疊層上方的覆蓋率高，例如覆蓋率大於94%，且透明導電層的輪廓與高台區的輪廓間距小，例如輪廓不大於8 mm，即便透明導電層2具有高透光率，當大部分的發光疊層被透明導電層所遮蔽時，仍會導致發光效率不佳。第一實施例所揭露的發光元件100，係在保持電流散佈能力的同時降低了透明導電層2的遮光效應，使發光元件100在發光效率上有顯著提升。以上所述的「覆蓋率」，是指一般發光元件的透明導電層的上表面積佔高台區的上表面積的百分比；另外，高台區15及透明導電層2的上表面積可在取得發光元件100的放大影像(例如：經光學顯微鏡或電子顯微鏡放大發光元件100之影像)後，再經由影像處理以分別獲得由第一外輪廓151所圈繞的面積以及由第二外輪廓21所圈繞的面積，影像處理的方式係可以透過電腦軟體積分或人工積分計算，在此係不多加限制。其中，當透明導電層2具有第二內輪廓22時，透明導電層2的上表面積為第二外輪廓21與第二內輪廓22之間的區域的上表面積。

本發明之第一實施例的透明導電層2可以選擇透過濺鍍(sputter)形成於第二半導體層12上方，但不以此為限。於一實施例中，透明導電層2係對活性結構13之放射光具有85%以上之穿透率，以及8Ï10 ^-4(Ω-cm)以下的電阻率(Resistivity)。又一實施例中，透明導電層2包含一材質例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、氧化銦鋅(IZO)、類鑽碳薄膜(DLC)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋁鋅(GAZO)或石墨烯(Graphene)等，或由上述任兩種以上的材料組合而成，本發明並不以此為限。

請參照表1，此為本發明不同實施例的發光元件 (第A1～A4組)與對照組的發光元件的發光特性比較表，其中各實施例的發光疊層1的長邊1a為1143 mm且短邊1b為225 mm，其中短邊長度與長邊長度的比值為0.197，由俯視觀之，本表中各實施例的發光元件呈現狹長形。對照組的第一外輪廓及第二外輪廓之間的間距為8 mm，第A1～A4組的間距d則分別為13 mm、18 mm、23 mm及28 mm，由此表可知第A1～A4組的亮度表現皆優於對照組，其中，第A3組的亮度提升效果最顯著。由此可知，在本發明不同實施例的發光元件中，當間距d為 11mm至 28 mm，使透明導電層2上表面積佔高台區15上表面積的62%～85%時，較間距為8 mm、透明導電層上表面積佔高台區上表面積超過85%的發光元件具有更良好的發光效率。

請再參照表2，此為本發明又一不同實施例的發光元件以間距作為變數時的發光特性表，表2所示的發光疊層具有長邊為1016 mm且短邊為560 mm ，其中短邊長度與長邊長度的比值為0.55，由俯視觀之，本表中各實施例的發光元件不同於表1實施例中的狹長形，本表實施例之發光元件大致呈現方形。此表呈現出對照組及第B組的間距d分別為8 mm及13 mm時的發光特性，此時，對照組及第B組的透明導電層2上表面積佔高台區15上表面積分別為90.08%及84.35%，由表2所呈現的數據中，第B組的亮度表現反而不及於對照組。表2可以得知：當增加間距d時，意即降低透明導電層2的上表面積佔高台區15上表面積的比例至小於85%時，方形的發光元件亮度提升的現象並不顯著。故本發明的發光元件中，較佳的，在短邊與長邊的比值約為0.15～0.45時，若調整透明導電層2的面積為高台區15的面積的62%～85%時，具有提升發光元件發光效率的功效。

第3圖及第4圖分別為本發明第二、三實施例之發光元件200、300的俯視示意圖，第二、三實施例的發光元件200、300中，各構件以及構件之間的關係與第一實施例的發光元件100相似，不同的是，其中，發光疊層1的第一外輪廓151與透明導電層2的第二外輪廓21之間的間距d並非為定值，且包含至少兩個不同數值，意即，發光元件200、300的第一外輪廓151與第二外輪廓21的最小距離在發光元件200、300的每一處並非相同，例如在第二實施例中，間距d包含一第一間距d1及一第二間距d2不同於第一間距d1。詳言之，如第3圖所示，本實施例之發光元件100在沿著長邊1a方向上(即圖面上的y軸方向)，在一側的第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有第一間距d1，而在沿著短邊1b方向上(即圖面上的x軸方向)，在又一側的第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有第二間距d2，第一間距d1與第二間距d2不同，例如本實施例的第一間距d1大於第二間距d2，或例如在另一實施例中，第二間距d2亦可大於第一間距d1，本發明並不以此為限。又舉例來說，由俯視觀之，本實施例或下述各實施例的發光疊層1均具有二長邊1a及二短邊1b，而於一實施例中，在靠近其一長邊1a的一側上，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有一間距d，而在靠近另一長邊1a的一側上以及在靠近任一短邊1b的一側上，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有相同的另一間距d’，且間距d’不同於間距d；在又一實施例中，在靠近任一長邊1a的一側上，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有相同的一間距d，而在靠近任一短邊1b的一側上，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有相同的另一間距d’，且間距d’不同於間距d；再一實施例中，靠近其一長邊1a的一側上及靠近其一短邊1b的一側上，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有相同的一間距d，而在靠近另一長邊1a的一側上及靠近另一短邊1b的一側上，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有相同的另一間距d’，且間距d’不同於間距d；又一實施例中，靠近任一長邊1a的一側上以及靠近任一短邊1b的一側上，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間分別具有不同的間距d；再一實施例中，在靠近其一短邊1b的一側上，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有一間距d，而在靠近另一短邊1b的一側上以及在靠近任一長邊1a的一側上，第一外輪廓151與第二外輪廓21之間具有相同的另一間距d’，且間距d’不同於間距d。

第4圖所示為本發明第三實施例之發光元件300的俯視示意圖。本發明之實施例中的發光元件300另外包含一電極組4具有一第一電極41及一第二電極42分別電性連接於第二半導體層12及第一半導體層11，第一電極41具有一第一電極墊411且第二電極42具有一第二電極墊421，第一電極墊411與第二電極墊421設於發光疊層1的同一面，形成一水平式發光結構，然而，在其他實施例中，第一電極墊411及第二電極墊421亦可以形成於發光疊層1的相對兩面，形成一垂直式發光結構。詳言之，第三實施例中，第一電極41設於高台區15且與第二半導體層12電性連接，第二電極42設於凹陷區14且與暴露出的第一半導體層11電性連接，發光疊層1具有相對的一第一端111及一第二端112，第一端111及第二端112係位於靠近發光疊層1的二短邊1b，且第一電極墊411及第二電極墊421分別設於第一端111及第二端112上。在靠近第一電極墊411的第一外輪廓151與第二外輪廓21之間有一第三間距d3，靠近第二電極墊421的第一外輪廓151與第二外輪廓21之間有一第四間距d4，第三間距d3不同於第四間距d4。詳言之，如第4圖所示，第一外輪廓151具有一點A1，由點A1到第一電極墊411的距離相較於其他第一外輪廓151的任一點到第一電極墊411的距離短，且第二外輪廓21具有一點B1，同樣地，由點B1到第一電極墊411的距離相較於其他第二外輪廓21的任一點到第一電極墊411的距離短，而點A1與點B1之間的距離即為上述的第三間距d3；第一外輪廓151具有一點A2，由點A2到第二電極墊421的距離相較於其他第一外輪廓151的任一點到第二電極墊421的距離短，且第二外輪廓21具有一點B2，由點B2到第二電極墊421的距離相較於其他第二外輪廓21的任一點到第二電極墊421的距離短，而點A2與點B2之間的距離即為上述的第四間距d4。在本實施例中，第三間距d3大於第四間距d4，係在維持良好的電流擴散能力的前提下，進一步縮減靠近於第一端111的透明導電層2的面積，藉由部分移除遮蔽發光的透明導電層2，達到增加發光效率的功效。更詳言之，本實施例中，第三間距d3約為11~28 mm，而第四間距d4約為3～15 mm，但本發明並不以此為限，在另一實施例中，第三間距d3約為12~35 mm，而第四間距d4約為11~28 mm，亦可達成相近的效果。此外，由俯視觀看本實施例之發光元件300，第一電極墊411或第二電極墊421的輪廓係部分對齊於第一外輪廓151。本實施例藉由第一外輪廓151的形狀係與電極組4的設置位置互相搭配，可獲得良好的電流散佈能力及發光效率。

請參照第5圖之第四實施例之發光元件400的俯視示意圖。本實施例的發光元件400中的各構件以及構件之間的關係與第一實施例的發光元件100相似，惟具有不同形態的電極組4。電極組4的第一電極41另包含一第一延伸電極412連接於第一電極墊411，第二電極42另包含一第二延伸電極422連接於第二電極墊421上，第一延伸電極412位於高台區15且第二延伸電極422位於凹陷區14，透過第一延伸電極412及第二延伸電極422係可以使外部電流更均勻地擴散至發光疊層1中。在第一至三實施例中，第一延伸電極412與第二延伸電極422係大致平行，然而，第四實施例的發光元件400則具有互相不平行或一端相近、一端遠離的第一延伸電極412及第二延伸電極422。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，考量到不可避免的製程誤差，上述之第一外輪廓151及第二外輪廓21的間距d可能存在一誤差範圍(例如1～2 mm)，因此，當記載「間距d約為11 mm～28 mm」時，本領域具有通常知識者應能了解，間距d為9 mm～30 mm也為本發明之所涵蓋。各實施例之單獨或實施例間所揭示之部分或全部技術特徵的組合，皆屬本發明所揭示的內容，且任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400 發光元件 1 發光疊層 1a 長邊 1b 短邊 11 第一半導體層 12 第二半導體層 13 活性結構 14 凹陷區 15 高台區 151 第一外輪廓 111 第一端 112 第二端 2 透明導電層 21 第二外輪廓 22 第二內輪廓 3 基板 31 第一邊 32 第二邊 4 電極組 41 第一電極 411 第一電極墊 412 第一延伸電極 42 第二電極 421 第二電極墊 422 第二延伸電極 S 側邊 d 、d’間距 d1 第一間距 d2 第二間距 d3 第三間距 d4 第四間距 C 幾何中心 L 長度 W1 第一寬度 W2 第二寬度

第1圖是本發明的第一實施例之一發光元件的俯視示意圖。

第2圖是第1圖之發光元件沿A-A’線的剖視示意圖。

表1是本發明不同實施例的發光元件的發光特性對照表。

表2是本發明又一不同實施例的發光元件之發光特性對照表。

第3圖是本發明的第二實施例之一發光元件的俯視示意圖。

第4圖是本發明的第三實施例之一發光元件的俯視示意圖。

第5圖是本發明的第四實施例之一發光元件的俯視示意圖。

(無)

Claims

一發光元件，包含：一發光疊層，包含一高台區及一凹陷區，且該高台區具有一第一外輪廓；以及一透明導電層位於該發光疊層之高台區上；其中，由俯視觀之，該透明導電層具有一第二外輪廓在該第一外輪廓之內，且該透明導電層的上表面積不超過該高台區的上表面積之約85%；其中，該發光疊層具有一長邊及一短邊，該短邊與該長邊的比值為0.15~0.45。
一種如請求項第1項所述的發光元件，其中，該第一外輪廓與該第二外輪廓之間具有一間距，該間距約為11~28μm。
一種如請求項第1項所述的發光元件，其中，該發光疊層具有一長邊及一短邊，且該第一外輪廓與該第二外輪廓之間具有一間距，該間距與該短邊比值約為0.04~0.15。
一種如請求項第1項所述的發光元件，其中，該第一外輪廓與該第二外輪廓之間具有一間距，該間距為定值。
一種如請求項第1項所述的發光元件，更包含一第一延伸電極位於該發光疊層之高台區上，及一第二延伸電極位於該發光疊層之凹陷區上，且由俯視觀之，該第二延伸電極不平行於該第一延伸電極。
一種如請求項第1項所述的發光元件，其中，由俯視觀之，該透明導電層的該上表面積不小於該高台區的該上表面積之約62%。
一種如請求項第1項所述的發光元件，其中，更包含一第一電極墊及一第二電極墊設置於該發光疊層的同一面上，且由俯視觀之，該第一電極墊或該第二電極墊的輪廓部分對齊於該第一外輪廓。
一種如請求項第1項所述的發光元件，其中，該發光疊層具有一長邊及一短邊，且由俯視觀之，沿著該長邊方向上，該第一外輪廓與該第二外輪廓具有一第一間距，沿著該短邊方向上，該第一外輪廓與該第二外輪廓具有一第二間距不同於該第一間距。
一種如請求項第1項所述的發光元件，其中，更包含一第一電極墊及一第二電極墊分別設置於該發光疊層的相對兩端，且靠近該第一電極墊的該第一外輪廓與該第二外輪廓之間有一第三間距，靠近該第二電極墊的第一外輪廓與該第二外輪廓之間有一第四間距不同於該第三間距。