TWI658763B - 製造導線之方法 - Google Patents
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Abstract
一種製造導線之方法，包含形成第一金屬層於承載基板上。形成第二金屬層於第一金屬層上。形成複數條第一導線於第二金屬層上。形成保護層於第一導線之相對兩側壁上。移除曝露之第二金屬層之一部分，以曝露部分第一金屬層。移除曝露之第一金屬層之一部分。移除保護層。
Description
本揭露是關於一種形成導線之方法，且特別是關於一種形成超細導線之方法。
電路板是電子裝置中一種重要的元件。電路板的功能是用來界定在一固體表面上的預定圖案。在電子裝置不斷追求尺寸縮小的趨勢下，電路板上導線的線寬與導線之間的距離於是變得越來越小。
一般而言，常在基板上電鍍種子層以增加金屬層，如銅層，與基板之間的附著力。但當線寬與線距小於10微米時，由於導線的線寬越來越細，導線之間的線距越來越小，加上導線之間的線距難以一致，常會出現線距較為密集的區域之線路區尚未蝕刻開，而線距較為空曠的區域的線路已被蝕刻成斷路或線路浮離，進而影響元件之效能。因此，需要一種改良的技術以克服上述之問題。
本揭露之一實施方式為一種製造導線之方法，包
含形成第一金屬層於承載基板上。形成第二金屬層於第一金屬層上。形成複數條第一導線於第二金屬層上。形成保護層於第一導線之相對兩側壁上。移除曝露之第二金屬層之一部分，以曝露部分第一金屬層。移除曝露之第一金屬層之一部分。移除保護層。
本揭露透過在導線之相對兩側壁上形成保護層，使得導線與在蝕刻製程的期間不會受到側向的蝕刻，因而使最終導線具有穩定之品質。此外，也可避免具有較高蝕刻速率之導線在蝕刻製程期間因過度蝕刻而造成斷路或線路浮離之問題。另一方面，本揭露更藉由在導線之上方形成覆蓋層，使得導線之上表面在蝕刻製程的期間不會受到縱向的蝕刻，因而使最終導線具有穩定之品質。
100、200、300‧‧‧承載基板
100A、200A、300A‧‧‧第一區
100B、200B、300B‧‧‧第二區
102、104、202、204、302、304‧‧‧金屬層
110、210‧‧‧光阻層
122、124、222、224、322、324‧‧‧導線
130、230、330‧‧‧保護層
132、134、232、234、332、334‧‧‧導線
240‧‧‧覆蓋層
350、350a‧‧‧第一光阻層
350’、360’‧‧‧待移除部分
360、360a‧‧‧第二光阻層
d11、d12、d13、d14‧‧‧距離
R11、R12、R13、R14、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R31、R32、R33、R34‧‧‧溝槽
W11、W12‧‧‧寬度
閱讀以下詳細敘述並搭配對應之圖式，可了解本揭露之多個態樣。應注意，根據業界中的標準做法，多個特徵並非按比例繪製。事實上，多個特徵之尺寸可任意增加或減少以利於討論的清晰性。
第1A圖至第1H圖為本揭露之部分實施例之導線的製造方法在不同步驟的剖面示意圖。
第2A圖至第2J圖為本揭露之部分實施例之導線的製造方法在不同步驟的剖面示意圖。
第3A圖至第3L圖為本揭露之部分實施例之導線的製造方法在不同步驟的剖面示意圖。
以下揭露提供眾多不同的實施例或範例，用於實施本案提供的主要內容之不同特徵。下文描述一特定範例之組件及配置以簡化本揭露。當然，此範例僅為示意性，且並不擬定限制。舉例而言，以下描述「第一特徵形成在第二特徵之上方或之上」，於實施例中可包括第一特徵與第二特徵直接接觸，且亦可包括在第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵使得第一特徵及第二特徵無直接接觸。此外，本揭露可在各範例中重複使用元件符號及/或字母。此重複之目的在於簡化及釐清，且其自身並不規定所討論的各實施例及/或配置之間的關係。
此外，空間相對術語，諸如「下方(beneath)」、「以下(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」等等在本文中用於簡化描述，以描述如附圖中所圖示的一個元件或特徵結構與另一元件或特徵結構的關係。除了描繪圖示之方位外，空間相對術語也包含元件在使用中或操作下之不同方位。此設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他方位上)，而本案中使用之空間相對描述詞可相應地進行解釋。
第1A圖至第1H圖為本揭露之部分實施例之導線的製造方法在不同步驟的剖面示意圖。
請參照第1A圖。提供一承載基板100(carrier substrate)，例如是印刷電路板、玻璃基板、陶瓷基板、矽基
板、塑膠基板、複合基板等等，但不限於此。承載基板100具有第一區100A及第二區100B。其中第一區100A及第二區100B可以是承載基板100上互相連接的兩個區域，亦可以是承載基板100不同位置的兩個區域。於部分實施例中，承載基板100例如為一印刷電路板之內層基板，用以承載後續步驟所製作之導線線路，承載基板100可用樹脂片(Prepreg)製成，例如是以玻璃環氧基樹脂為材質之FR-4基板、以雙順丁烯二酸醯亞胺(Bismaleimide-Triazine；BT)樹脂為材質之BT基板等，或為配置於多個導線層上之一絕緣層，其材質例如為環氧樹脂或其他絕緣材料。
接著，於承載基板100上方形成金屬層102及金屬層104。於部分實施例中，是先於承載基板100上方形成金屬層102，再於金屬層102上方形成金屬層104。金屬層102及金屬層104可使用適合的沉積方法形成，例如濺鍍(sputter)，或是其他適合之沉積技術。於部分實施例中，金屬層102之材料可為鈦(Ti)、鈦鎢(TiW)合金等，其厚度範圍例如是5~200奈米(nm)，較佳例如是約為50奈米(nm)，但不限於此。另一方面，金屬層104之材料可為金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)、鋅(Zn)、鋁(Al)、鎳(Ni)、錫(Sn)等金屬、或其合金、或者是由導電高分子材料其中一種所製成，其厚度範圍例如是50~700奈米(nm)，較佳例如是約為300奈米(nm)，但不限於此。於部分實施例中，金屬層102可作為金屬層104與承載基板100之間的附著層，以增加金屬層104與承載基板100之間的附著力。而金屬層104作為後續形成導線製程(例如：電鍍)之種子層(Seed
layer)，故金屬層104亦可稱為種子層104。
請參照第1B圖。形成光阻層110於承載基板100、金屬層102及金屬層104上方。光阻層110經圖案化，使得承載基板100之第一區100A內的光阻層110具有複數個溝槽R11，而承載基板100之第二區100B內的光阻層110具有複數個溝槽R12。光阻層110之溝槽R11及R12曝露下方金屬層104之上表面。於部分實施例中，光阻層110之材料可為光阻(photoresist)，並可使用光微影製程(photo lithography)圖案化光阻層110，例如曝光(photography)及顯影(development)製程。
溝槽R11具有寬度W11，而溝槽R12具有寬度W12。於部分實施例中，寬度W11實質上約略等於寬度W12，然本揭露並不限定於此。於其他實施方式中，寬度W11可不同於寬度W12。另一方面，兩相鄰之溝槽R11之間的距離為d11，而兩相鄰之溝槽R12之間的距離為d12。於部分實施例中，距離d11小於距離d12。換句話說，承載基板100之第一區100A內兩相鄰溝槽R11的間距小於承載基板100之第二區100B內兩相鄰溝槽R12的間距。
請參照第1C圖。分別在光阻層110之溝槽R11以及R12內形成導線122及124。於部分實施例中，導線122及124的形成方法可藉由將溝槽R11及R12下方所曝露之金屬層104作為種子層。並以適合的技術，例如電鍍，分別在溝槽R11及R12填補導電材料。而填補溝槽R11內之導電材料形成導線122，填補溝槽R12內之材料形成導線122。換句話說，導線122及124
實質上可於同一製程形成的。於部分實施例中，導線122及124之材料可相同於金屬層104之材料，例如金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)、鋅(Zn)、鋁(Al)、鎳(Ni)、錫(Sn)等金屬、或其合金、或者是由導電高分子材料其中一種所製成。
請參照第1D圖。將光阻層110(如第1C圖所示)移除，以曝露導線122、124之相對兩側壁，以及部分金屬層104之上表面。如前述所提及，由於承載基板100之第一區100A內兩相鄰溝槽R11的間距小於承載基板100之第二區100B內兩相鄰溝槽R12的間距(第1C圖所示)。因此，兩相鄰之導線122之間的距離d13小於兩相鄰之導線124之間的距離d14。
請參照第1E圖。於承載基板100上方形成保護層130，其厚度範圍例如是5~300奈米(nm)，較佳例如是約為50奈米(nm)，但不限於此。。保護層130可採用具有階梯覆蓋之製程形成，例如真空濺鍍、化學鍍、蒸鍍或上述之組合。因此，保護層130實質上是共形地(conformal)形成在導線122、124，以及金屬層104曝露之上表面。具體而言，保護層130覆蓋了導線122及124之上表面及側表面，並覆蓋了金屬層104之曝露的上表面。
保護層130之材料與導線122、124之材料較佳具有蝕刻選擇性，以在後續的製程(如：蝕刻)可保護導線122及124。保護層130可為金屬、金屬氧化物，或上述之組合。於部分實施例中，上述金屬是選自於鎢(W)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銅(Cu)、釩(V)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鈮(Nb)或其合金其中一種所製成，而金屬氧
化物分別是由鎢(W)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銅(Cu)、釩(V)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鈮(Nb)或其合金其中一種氧化所製成。然應注意，保護層130與導線122、124應選用不同之材料以提供選擇性。於部分實施例中，保護層130之材料可與金屬層102之材料相同。
請參照第1F圖。移除部分保護層130，使得殘餘之保護層130附著在導線122及124之相對兩側壁上。換句話說，移除部分保護層130係指移除保護層130之附著在金屬層104之上表面的部分。在移除部分保護層130之後，兩相鄰的導線122之間具有溝槽R13，而兩相鄰的導線124之間具有溝槽R14，其中溝槽R13及溝槽R14的兩端分別是由導線122及124上之保護層130所定義。另一方面，溝槽R13及溝槽R14之底部是由金屬層104所定義。
於部分實施例中，位於導線122及124之上表面的保護層130亦被移除，例如第1F圖所示。也就是說，在移除部分保護層130後，部分金屬層104之上表面，以及導線122及124之上表面皆曝露。於其他實施例中，導線122及124之上表面的保護層130並未完全移除。亦即，仍有部分的保護層130殘留於導線122及124之上表面。保護層130可使用適當之方法移除，例如，一或多個蝕刻製程(etching)。於部分實施例中，蝕刻製程為非等向性(anistropic)蝕刻製程，例如雷射蝕刻。於變化實施例中，亦可使用非等向性電漿蝕刻製程，但不限於此。
請參照第1G圖。經由溝槽R13及溝槽R14，移除部
分金屬層104，使得部分金屬層102之上表面自溝槽R13及溝槽R14曝露。於部分實施例中，金屬層104可使用適當之方法移除，例如，一或多個蝕刻製程。於部分實施例中，蝕刻製程可為等向性(isotropic)，例如濕蝕刻。於部分實施例中，蝕刻製程可為非等向性蝕刻製程，例如乾蝕刻。殘餘的金屬層104位於導線122、124底下與金屬層102之間且與其互相接觸。換句話說，移除部分金屬層104之步驟需經調控，使得導線122、124與金屬層102之間的金屬層104不能被截斷，避免產生線路浮離的情形。
請參照第1H圖。移除保護層130以及移除部分金屬層102。其中移除保護層130使得導線122及124之相對兩側壁曝露。另一方面，移除部分金屬層102使得部分承載基板100之上表面曝露。在移除製程之後，殘餘之金屬層102、104，以及導線122可合併稱為導線132。另一方面，殘餘之金屬層102、104，以及導線124可合併稱為導線134。
於部分實施例中，金屬層102可使用適當之方法移除，例如，一或多個蝕刻製程。於部分實施例中，蝕刻製程可為等向性(isotropic)，例如濕蝕刻。於部分實施例中，蝕刻製程可為非等向性蝕刻製程，例如乾蝕刻。殘餘的金屬層102位於金屬層104與承載基板100之間且與其互相接觸。換句話說，移除部分金屬層102之步驟需經調控，使得金屬層104與承載基板100之間的金屬層102不能被截斷，避免產生線路浮離的情形。於部分實施例中，由於金屬層102與保護層130可由相同材料製成(例如：鈦、鈦鎢合金等)，故金屬層102與保
護層130可使用一個蝕刻製程同時移除金屬層102與保護層130。
如先前所提及，依據線路布局(layout)之設計，兩相鄰之導線122之間距小於兩相鄰之導線124之間距。然而，由於部分製程，例如蝕刻，是對承載基板100之第一區100A及第二區100B同時進行，故不同間距之導線122及124會具有不同之蝕刻速率。舉例來說，具有較大線距之導線124之蝕刻速率會大於較小線距之導線122之蝕刻速率。本揭露透過在導線122與124之相對兩側壁上形成保護層130，使得導線122與124在蝕刻製程的期間不會受到側向的蝕刻，因而使最終導線132及134具有穩定之品質。此外，也可避免具有較高蝕刻速率之導線124在蝕刻製程期間因過度蝕刻而造成斷路或線路浮離之問題。
第2A圖至第2J圖為本揭露之部分實施例之導線的製造方法在不同步驟的剖面示意圖。第2A圖至第2J圖之部分製造步驟與第1A圖至第1H圖所描述之內容類似。因此，為簡化起見，相似之描述於後續討論將不再贅述。
請參照第2A圖，其中第2A圖類似於第1A圖。提供一承載基板200，其中承載基板200具有第一區200A及第二區200B。接著，分別於承載基板200上方形成金屬層202及金屬層204。
請參照第2B圖，其中第2B圖類似於第1B圖。形成光阻層210於承載基板200、金屬層202及金屬層204上方。光阻層210經圖案化，使得承載基板200之第一區200A內的光
阻層210具有複數個溝槽R21，而承載基板200之第二區200B內的光阻層210具有複數個溝槽R22。光阻層210之溝槽R21及R22曝露下方金屬層204之上表面。類似於第1B圖，相鄰兩溝槽R21之間距小於兩溝槽R22之間距。
請參照第2C圖。分別在光阻層210之溝槽R21以及R22(第2B圖所示)內形成導線222及224。導線222及224之形成方法及材料類似於第1C圖所描述之內容，下方將不再贅述。於本實施例中，導線222及224並未填滿光阻層210之溝槽R21以及R22。導線222及224上方之溝槽R21以及R22之未被填補的部分於後續討論中分別稱為溝槽R23及溝槽R24，其中溝槽R23及溝槽R24之底部是由導線222及224所定義。
請參照第2D圖。於溝槽R23及溝槽R24內形成覆蓋層240。換句話說，覆蓋層240覆蓋導線222及224之上表面，以在後續的製程，例如蝕刻，作為導線222及224之上表面的保護層。於部分實施例中，覆蓋層240可使用適合的方法形成，例如電鍍。覆蓋層240可為金屬、金屬氧化物，或上述之組合。於部分實施例中，上述金屬是選自於鎢(W)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銅(Cu)、釩(V)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鈮(Nb)或其合金其中一種所製成，而金屬氧化物分別是由鎢(W)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銅(Cu)、釩(V)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鈮(Nb)或其合金其中一種氧化所製成。然應注意，覆蓋層240與導線222、224應選用不同之材料以提供選擇性。
請參照第2E圖，其中第2E圖類似於第1D圖。將
光阻層210(如第2D圖所示)移除，以曝露導線222、224之側表面，以及部分金屬層204之上表面。在移除光阻層210之後，覆蓋層240仍附著於導線222、224之上表面。
請參照第2F圖，其中第2F圖類似於第1E圖。於承載基板200上方形成保護層230。保護層230實質上是共形地(conformal)形成在覆蓋層240之上表面、導線222、224之側表面，以及金屬層204曝露之上表面。於部分實施例中，保護層230與覆蓋層240之材料不同，以提供蝕刻選擇性。
請參照第2G圖，其中第2G圖類似於第1F圖。移除部分保護層230，使得殘餘之保護層230附著在導線222、224，以及覆蓋層240之相對兩側壁上。在移除部分保護層230之後，兩相鄰的導線222之間具有溝槽R25，而兩相鄰的導線224之間具有溝槽R26，其中金屬層204之上表面自溝槽R25及溝槽R26曝露。於部分實施例中，覆蓋層240上方之保護層230亦被移除，使得覆蓋層240之上表面曝露。曝露之覆蓋層240在後續的製程步驟中可保護下方之導線222及224。
請參照第2H圖。經由溝槽R25及溝槽R26，移除部分金屬層204及金屬層202。於部分實施例中，可藉由一個或多個蝕刻製程，移除金屬層204及金屬層202，使得承載基板200之部分上表面自溝槽R25及溝槽R26中曝露。應了解，移除金屬層204及金屬層202之步驟需經調控，使得導線222及224和承載基板200之間的金屬層204及金屬層202不能被截斷。
請參照第2I圖。移除保護層230(如第2H圖所示)。在移除保護層230後。導線222及224之相對兩側壁曝露。
於部分實施例中，由於保護層230與覆蓋層240具有蝕刻選擇性，故在移除保護層230之後，覆蓋層240仍保留在導線222及224之上方。
請參照第2J圖。移除覆蓋層240(如第2I圖所示)。於部分實施例中，覆蓋層240可使用適當之方法移除，例如，一或多個蝕刻製程。於部分實施例中，蝕刻製程可為等向性(isotropic)，例如濕蝕刻。於部分實施例中，蝕刻製程可為非等向性蝕刻製程，例如乾蝕刻。在移除製程之後，殘餘之金屬層202、204，以及導線222可合併稱為導線232。另一方面，殘餘之金屬層202、204，以及導線224可合併稱為導線234。
如前述所提及，本揭露藉由在導線222及224之側表面形成保護層230，使得導線222與224在蝕刻製程的期間不會受到側向的蝕刻，因而使最終導線232及234具有穩定之品質。此外，也可避免具有較高蝕刻速率之導線224在蝕刻製程期間因過度蝕刻而造成斷路或線路浮離之問題。另一方面，本揭露更藉由在導線222及224之上方形成覆蓋層240，使得導線222及224之上表面在蝕刻製程的期間不會受到縱向的蝕刻，因而使最終導線232及234具有穩定之品質。
第3A圖至第3L圖為本揭露之部分實施例之導線的製造方法在不同步驟的剖面示意圖。其中類似於第1A圖至第1H圖，以及第2A圖至第2J圖之部分製造步驟與結構相於後續討論將不再贅述。
請參照第3A圖，其中第3A圖類似於第1A圖。提供一承載基板300，其中承載基板300具有第一區300A及第二
區300B。接著，分別於承載基板300上方形成金屬層302及金屬層304。
請參照第3B圖。於金屬層304上方形成第一光阻層350。第一光阻層350可使用適合的方式形成於金屬層304上方，例如是壓合、塗佈、旋塗(spin coating)等方式。於部分實施例中，第一光阻層350可為溶劑型光阻。例如，第一光阻層350可由I-線(I-Line)光阻、氟化氪(KrF)光阻、氟化氬(ArF)光阻、氟二量體(F2)光阻、極紫外光(Extreme Ultraviolet；EUV)光阻或電子束(Electron-Beam；EB)光阻及其組合所構成。於部分實施例中，第一光阻層350之厚度範圍約0.1微米(μm)至約10微米(μm)。
請參照第3C圖。於第一光阻層350上方形成第二光阻層360。於部分實施例中，第二光阻層360例如可為水溶性光阻，其基本成分包括聚合物、光活性化合物、抑制劑、交聯劑、以及溶劑等。
上述之聚合物例如可為水溶性聚合物，占水溶性光阻之重量百分比介於約4%至約8%之間，例子如聚乙烯醇縮乙醛(polyvinylacetal)、聚乙烯基吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone；PVP)、聚烯丙酸(polyallylic Acid)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol；PVA)、聚乙烯亞胺(polyethyleneimine)、聚環氧乙烷(polyethylene oxide；PEO)、以及聚乙烯基胺(polyvinylamine)等，但不限於此。
上述之光活性化合物例如可為水溶性光酸產生劑(photo acid generator；PAG)，且此光活性化合物占水溶性光阻之重量百分比介於0.01%至0.1%之間，例如嗡鹽衍生物(onium salt derivative)與三氮苯衍生物(triazinederivative)等，更佳者為嗡鹽衍生物PAG2087與PAG-C。
上述之抑制劑例如可為水溶性胺類(amine)，且此光活性化合物佔水溶性光阻之濃度介於約百萬分之1(parts per million；ppm)至約30ppm之間，例如乙胺(ethylamine)、二甲胺(dimethylamine)、二乙胺(diethylamine)、三甲胺(trimethylamine)、三乙胺(triethylamine)、正丙胺(n-propylamine)、異丙胺(isopropylamine)、第二丁胺(s-butylamine)、第三丁胺(t-butylamine)、環己胺(cyclohexylamine)、乙二胺(ethylenediamine)、六亞甲二胺(hexamethylenediamine)、乙醇胺(monoethanolamine；MEA)、二乙醇胺(diethanolamine；DEA)、三乙醇胺(triethanolamine；TEA)、正丁基二乙醇胺(n-butyldiethanolamine)、四甲基氫氧化銨(tetra-methyl ammonium hydroxide；TMAH)、四丁基氫氧化銨(tetra-butyl ammonium hydroxide；TBAH)與膽鹼(choline)等。
上述之交聯劑例如可為水溶性交聯劑，且此交聯劑佔水溶性光阻之重量百分比介於0.5%至2%之間，例如尿素衍生物(urea derivative)與三聚氰胺衍生物
(melamine derivative)。
溶劑例如可以至少包括去離子水(de-ionized water；D.I.W)，其中去離子水佔水溶性光阻之重量百分比介於85%至90%之間。根據本發明之水溶性光阻，溶劑更可以由去離子水與異丙醇所組成，其中異丙醇佔水溶性光阻之重量百分比介於4%至7%之間。
請參照第3D圖。對第一光阻層350以及第二光阻層360進行曝光，以分別在第一光阻層350以及第二光阻層360中定義出之待移除部分350’及待移除部分360’。於部分實施例中，可使用特定波長之光源、極紫外光或電子束同時對第一光阻層350以及第二光阻層360同時進行曝光。當第一光阻層350以及第二光阻層360為負型光阻時，曝光的範圍為待移除部分350’及待移除部分360’以外之部分。當第一光阻層350以及第二光阻層360為正型光阻時，曝光的範圍為待移除部分350’及待移除部分360’。
請參照第3E圖。將第二光阻層360之待移除部分360’(第3D圖所示)移除。待移除部分360’可藉由適合之方法移除，例如顯影。移除由於第二光阻層360與第一光阻層350之材料不同，例如為水溶性光阻與溶劑型光阻。因此第二光阻層360不會與第一光阻層350互相混合，在顯影時可以使用水溶性去膜液來顯影出預定之光阻圖案。在移除待移除部分360’之後，殘餘之圖案化第二光阻層360於後續討論中稱為第二光阻層360a。
請參照第3F圖。將第一光阻層350之待移除部分
350’(第3D圖所示)移除。待移除部分350’可藉由適合之方法移除，例如顯影。於部分實施例中，由於第一光阻層350為溶劑型光阻，故可使用適當之顯影溶劑將待移除部分350’移除。於其他實施例中，亦可使用蝕刻的方式，例如雷射蝕刻，來移除第一光阻層350之待移除部分350’。在移除待移除部分350’之後，殘餘之圖案化第一光阻層350於後續討論中稱為第一光阻層350a。
其中承載基板300之第一區300A中，第一光阻層350a與第二光阻層360a內具有複數個溝槽R31。而承載基板300之第二區300B中，第一光阻層350a與第二光阻層360a內具有複數個溝槽R32。類似於第1B圖所述之內容，兩相鄰之溝槽R31之間的距離小於兩相鄰之溝槽R32之間的距離。
請參照第3G圖。分別在第一光阻層350a與第二光阻層360a之溝槽R31以及R32內形成導線322及324，其中相鄰兩導線322之間距小於相鄰兩導線324之間距。導線322及324之形成方法及材料類似於第1C圖所描述之內容，下方將不再贅述。
請參照第3H圖。移除第二光阻層360a(第3G圖所示)。第二光阻層360a可使用水溶性去膜液來移除。移除第二光阻層360a之後，導線322及324之側表面以及第一光阻層350a曝露。於部分實施例中，第一光阻層350a附著於導線322及324之側表面的底部。
請參照第3I圖。形成保護層330於導線322及324上方。保護層330實質上覆蓋了導線322及324之側表面以及上
表面。一部分之保護層330形成至第一光阻層350a之上表面。在形成保護層330之後，兩相鄰之導線322之間具有溝槽R33，而兩相鄰之導線324之間具有溝槽R34。於部分實施例中，保護層330可使用電鍍、化學鍍，或是浸鍍等方式形成。於部分實施例中，保護層330的形成具有選擇性，故保護層330大體而言是附著在導線322及324之外露的表面。換句話說，第一光阻層350a之部分上表面曝露於溝槽R33及溝槽R34。
請參照第3J圖。將第一光阻層350a(第3I圖所示)移除。在移除第一光阻層350a之後，金屬層304之上表面曝露。於部分實施例中，由於第一光阻層350a略為覆蓋導線322及324之側壁的底部。故第一光阻層350a移除後，導線322及324之側壁的底部亦曝露。
請參照第3K圖，其中第3K圖類似於第1G圖。經由溝槽R33及溝槽R34，移除部分金屬層304，使得部分金屬層302之上表面自溝槽R33及溝槽R34曝露。殘餘的金屬層304位於導線322、324與金屬層302之間且與其互相接觸。
請參照第3L圖，其中第3L圖類似於第1H圖。移除保護層330以及移除部分金屬層302。其中移除保護層330使得導線322及324之相對兩側壁曝露。在移除製程之後，殘餘之金屬層302、304，以及導線322可合併稱為導線332。另一方面，殘餘之金屬層302、304，以及導線324可合併稱為導線334。於部分實施例中，保護層330與金屬層302可同時移除。
如前述所提及，本揭露藉由形成第一光阻層350及第二光阻層360，並形圖案化以形成複數個溝槽R31及R32。
分別在溝槽R31及R32內形成導線322及324。接著移除第二光阻層360，並在導線322及324之側壁以及上表面形成保護層330，使得導線322與324在蝕刻製程的期間不會受到側向或是縱向的蝕刻，因而使最終導線332及334具有穩定之品質。此外，也可避免具有較高蝕刻速率之導線324在蝕刻製程期間因過度蝕刻而造成斷路或線路浮離之問題。
上文概述了若干實施例的特徵，以便本領域熟習此項技藝者可更好地理解本揭示案的態樣。本領域熟習此項技藝者應當瞭解到他們可容易地使用本揭示案作為基礎來設計或者修改其他製程及結構，以實行相同目的及/或實現相同優勢的。本領域熟習此項技藝者亦應當瞭解到，此類等效構造不脫離本揭示案的精神及範疇，以及在不脫離本揭示案的精神及範疇的情況下，其可對本文進行各種改變、取代及變更。
Claims (17)
- 一種製造導線之方法，包含：形成一第一金屬層於一承載基板上；形成一第二金屬層於該第一金屬層上；形成複數條第一導線於該第二金屬層上；形成一保護層於該些第一導線之相對兩側壁上，其中該保護層之材料相同於該第一金屬層之材料；移除曝露的部分該第二金屬層，然後曝露出部分該第一金屬層；移除曝露的部分該第一金屬層；以及移除該保護層。
- 如請求項1所述之方法，其中該方法包含同時移除該第一金屬層與該保護層。
- 如請求項1所述之方法，其中形成該保護層包含：共形地形成該保護層於該些第一導線及該第二金屬層上；以及移除部分該保護層，使得剩餘之該保護層附著於該第一導線之相對兩側壁上，並曝露部分該第二金屬層之上表面。
- 如請求項3所述之方法，其中移除部分該保護層使得該些第一導線之上表面曝露。
- 如請求項1所述之方法，其中形成該些第一導線包含：在該第二金屬層上方形成一圖案化光阻層，其中該圖案化光阻層具有複數個溝槽；以及在該些溝槽中填補一導電材料，以形成該些第一導線。
- 如請求項5所述之方法，其中在形成該些第一導線之後，更包含分別在該些第一導線上方的該些溝槽中形成複數個覆蓋層。
- 如請求項6所述之方法，更包含在移除該保護層之後，移除該些覆蓋層。
- 如請求項6所述之方法，其中形成該保護層包含：共形地形成該保護層於該些第一導線、該第二金屬層，以及該些覆蓋層上；以及移除部分該保護層，使得剩餘該保護層附著於該第一導線之相對兩側壁上，並曝露部分該第二金屬層之上表面。
- 如請求項8所述之方法，其中移除部分該保護層使得該些覆蓋層之上表面曝露。
- 如請求項1所述之方法，其中形成該些第一導線包含：在該第二金屬層上方形成一第一光阻層；在該第一光阻層上方形成一第二光阻層；圖案化該第一光阻層及該第二光阻層，以在該第一光阻層及該第二光阻層中形成複數個溝槽；以及在該些溝槽中填補導電材料。
- 如請求項10所述之方法，其中形成該些溝槽包含：對第一光阻層以及該第二光阻層進行曝光，以在該第一光阻層中定義出複數個第一待移除部分，以及在該第二光阻層中定義出複數個第二待移除部分；移除該些第二待移除部分；以及移除該些第一待移除部分。
- 如請求項11所述之方法，其中該第一光阻層為溶劑型光阻，而該第二光阻層為水溶性光阻。
- 如請求項10所述之方法，更包含在形成該保護層之前，移除該第二光阻層以曝露該些第一導線。
- 如請求項13所述之方法，更包含在移除經由該保護層曝露之該第二金屬層之一部分之前，移除該第一光阻層。
- 如請求項14所述之方法，其中移除該第一光阻層使得該些第一導線之相對兩側壁的底部曝露。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二金屬層與該保護層具有蝕刻選擇性。
- 如請求項1所述之方法，其中該承載基板包含一第一區與一第二區，且該些第一導線位於該第一區，該方法更包含：形成複數條第二導線於該第二區之該第二金屬層上，其中兩相鄰之該些第一導線之間距小於兩相鄰之該些第二導線之間距；以及形成該保護層於該些第二導線之相對兩側壁上。
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