TWI658259B - 冷陰極電離真空計及冷陰極電離真空計用盒 - Google Patents
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Abstract
提供良好的冷陰極電離真空計及冷陰極電離真空計用盒。一種冷陰極電離真空計,具有:陽極;筒狀的陰極,其以包圍陽極的方式配置;密封部,其將陰極的其中一個開口密封;第1構材,其於陰極的內部與密封部相向,設置貫通孔;分隔部,其將由陰極、密封部、第1構材包圍的空間,分隔為第1構材面臨的第1空間、密封部面臨的第2空間;和光源,其配置於分隔部或第2空間,並發出電磁波;在分隔部的外周部的至少一部分與陰極之間形成間隙。
Description
本發明涉及冷陰極電離真空計及冷陰極電離真空計用盒。
冷陰極電離真空計係如以下者:對設於測定子容器內的放電空間的陽極與陰極之間施加高電壓,引起自放電,從而使氣體電離而測定壓力。並非對陽極與陰極之間施加電壓後馬上產生放電,故優選上促進放電開始。例如,於專利文獻1係設置輝光燈而對陰極照射電磁波,具體而言照射電磁放射線,因光電效應而從陰極予以產生電子,從而予以誘發放電。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平06-26967號公報
[發明所欲解決之問題]
然而,歷來的冷陰極電離真空計不可言之必定良好。例如,存在保養的週期相較下短的情況,此外存在以充分寬的壓力範圍無法獲得穩定的放電特性的情況。
本發明之目的在於,提供良好的冷陰極電離真空計及冷陰極電離真空計用盒。 [解決問題之技術手段]
依實施方式的一觀點時,提供一種冷陰極電離真空計,具有陽極;筒狀的陰極,其以包圍前述陽極的方式配置;密封部,其將前述陰極的其中一個開口密封;第1構材,其於前述陰極的內部與前述密封部相向,設置貫通孔;分隔部,其將由前述陰極、前述密封部、前述第1構材包圍的空間,分隔為前述第1構材面臨的第1空間、前述密封部面臨的第2空間;和光源,其配置於前述分隔部或前述第2空間,並發出電磁波;在前述分隔部的外周部的至少一部分與前述陰極之間形成間隙。
依實施方式的其他觀點時,提供一種冷陰極電離真空計用盒,可卸除地配置於具備陽極、以包圍前述陽極的方式配置的筒狀的陰極、將前述陰極的其中一個開口密封的密封部的冷陰極電離真空計的前述陰極的內部,具備:第1構材,其與前述密封部相向,設置貫通孔;分隔部,其將由前述陰極、前述密封部、前述第1構材包圍的空間,分隔為前述第1構材面臨的第1空間、前述密封部面臨的第2空間;和筒狀的連接部,其與前述第1構材及前述分隔部連結;在前述連接部與前述分隔部之間設置間隙。
依實施方式的再其他觀點時,提供一種冷陰極電離真空計,具備:陽極、筒狀的陰極,其以包圍前述陽極的方式配置;圓盤狀的第1磁性構材,其於前述陰極的內部具有由前述陽極貫穿的貫通孔;和圓盤狀的第2磁性構材,其於前述陰極的內部與前述第1磁性構材相向而配置;前述第1磁性構材及前述第2磁性構材之中的至少一者係中心部的厚度比外周部的厚度厚。
依實施方式的再其他觀點時,提供一種冷陰極電離真空計用盒,可卸除地配置於具有陽極、以包圍前述陽極的方式而配置的筒狀的陰極的冷陰極電離真空計的前述陰極的內部,具備:圓盤狀的第1磁性構材,其於前述陰極的內部具有由前述陽極貫穿的貫通孔;和圓盤狀的第2磁性構材,其於前述陰極的內部與前述第1磁性構材相向而配置;前述第1磁性構材與前述第2磁性構材之中的至少一者係中心部的厚度比外周部的厚度厚。 [對照先前技術之功效]
依本發明時,可提供良好的冷陰極電離真空計及冷陰極電離真空計用盒。
[第1實施方式] 就依第1實施方式之下的冷陰極電離真空計及冷陰極電離真空計用盒利用圖式進行說明。圖1係就依本實施方式之下的真空處理裝置進行繪示的示意圖。圖1係示出依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100安裝於真空處理裝置S的狀態。真空處理裝置S係例如成膜裝置。該成膜裝置方面,舉例如濺鍍裝置、PVD裝置、CVD裝置等。此外,真空處理裝置S亦可為灰化裝置、乾式蝕刻裝置等的表面處理裝置。
如示於圖1,冷陰極電離真空計100具備:測定子102、與測定子102連接的冷陰極電離真空計控制部(真空計操作電路)13。真空處理裝置S具備真空容器101。測定子102係以保持氣密的狀態安裝於真空容器101的壁面的開口部分。具體而言,測定子102係透過凸緣8連接於真空容器101。另外,冷陰極電離真空計控制部13與測定子102可個別設置,亦可一體化。
圖2係就依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100進行繪示的剖面圖。冷陰極電離真空計100係例如反磁控式真空計,惟並非限定於此者。測定子102具備:構成陰極1(cathode)的測定子容器(容器、外殼)103、陽極2(anode)。構成陰極1的測定子容器103係成形為大致圓筒狀(大致管狀)。陽極2係成形為棒狀。大致圓筒狀的陰極1位置設為包圍棒狀的陽極2。透過陽極2與陰極1形成放電空間4。測定子容器103例如由金屬形成。測定子容器103的材料方面,採用例如不鏽鋼等。陽極2係例如由金屬形成。
以包圍測定子容器103的方式環狀地具備形成磁場的磁鐵(磁性手段)3。磁鐵3方面,例如適用鐵氧體磁鐵等的永久磁鐵。
於測定子容器103的其中一個端部12,具備絕緣構材6。透過絕緣構材6使得測定子容器103的其中一個端部(密封部)12被密封。於絕緣構材6係陽極2在保持氣密的狀態下貫穿而被固定。絕緣構材6的材料方面,採用例如氧化鋁陶瓷等。測定子容器103的另一個端部17開放,與真空容器101連接。
於測定子容器103內配置可交換的測定子用盒106。測定子用盒106具備:調整磁場並包圍放電空間4的極片(構材)104、105、成形為如沿著測定子容器103的壁部103a的形狀並包圍放電空間4的壁部107、板狀體20、配置於分隔部的光源蓋25。作成將如此的可交換的測定子用盒106配置於測定子容器103內的原因在於,陰極部分會因離子的衝撞而劣化。此外,於覆蓋光源15的蓋件25,會附著在放電空間4中被濺鍍的陰極構成粒子。
極片(第1構材)104係固定於筒狀的壁部(連接部)107的一端。極片104係位於測定子容器103的另一個端部17與極片(第2構材)105之間。極片104可由磁性體形成,亦可由非磁性體形成。極片104的材料方面採用非磁性體的情況下,磁力線相對於測定子容器103的壁面彎曲,而極片104的材料方面採用磁性體的情況下,磁力線相對於測定子容器103的壁面成為平行。為此,從抑制在測定子容器103內的電子的偏差的觀點言之,極片104的材料方面優選上採用磁性體。極片104的材料方面,例如採用磁性體的不鏽鋼、非磁性體的不鏽鋼等。極片104係與測定子容器103一起構成陰極1。圖3係就測定子102進行繪示的剖面圖。圖3(a)係對應於圖2的I-I線剖面。如示於圖3(a),於極片104係形成複數個開口(開口部)10。測定子102與真空容器101可經由開口10而通氣。
極片105固定於筒狀的壁部107的另一端。極片105位於測定子容器103的其中一個端部(密封部)12與極片104之間。極片105與後述的板狀體(第3構材)20相結合而構成分隔部。極片105如同極片104,可由磁性體形成,亦可由非磁性體形成。極片105的材料方面,如同極片104的材料,例如採用磁性體的不鏽鋼、非磁性體的不鏽鋼等。極片105係與測定子容器103、極片104等一起構成陰極1。圖3(b)對應於圖2的II-II線剖面。如示於圖3(b),於極片105之中央部形成貫通孔11。貫通孔11由棒狀的陽極2貫穿。在陽極2與貫通孔11的內面之間存在間隙14。
壁部107係成形為如沿著測定子容器103的壁部103a的形狀。亦即,壁部107係形成為大致圓筒狀。壁部107係如同極片104、極片105,可由磁性體形成,亦可由非磁性體形成。壁部107的材料方面,如同極片104、極片105,例如採用磁性體的不鏽鋼、非磁性體的不鏽鋼等。壁部107係與測定子容器103、極片104、105等一起構成陰極1。
如上述,測定子容器103、極片104、極片105、壁部107構成陰極1。陽極2位於由極片104、極片105、壁部107包圍的放電空間4內,亦即位於由測定子用盒106包圍的放電空間4內。
可想作由陽極2與陰極1形成的放電空間4被極片105與極片104分隔。亦可想作:由於構成分隔部的極片105及板狀體20,使得由陰極1、密封部12、極片104包圍的空間分隔為極片104面臨的放電空間(第1空間)4、密封部12面臨的空間(第2空間)5。
於極片105係形成供插入光源15用的光源配置部(光源設置部、光源插入部、光源安裝部)22。光源15發出電磁波,例如發出弱穿X射線。光源配置部22係例如形成於極片105的貫通孔。於光源配置部22配置光源15。於光源配置部22亦可設置蓋件25。光源配置部22位於壁部107的附近。光源配置部22與壁部107之間的距離係比光源配置部22與陽極2之間的距離短。亦即,光源15位於壁部107的附近。並且,光源15與壁部107之間的距離比光源15與陽極2之間的距離短。光源15配置於壁部107的附近,故從光源15發出的電磁波在不伴隨能量的大的衰減之下到達至壁部107。為此,由於光電效應,從壁部107容易放出電子(光電子)至放電空間4內。壁部107係陰極1之中至陽極2的距離為最長的部分。為此,使電子從壁部107大量放出時,到達陽極2的移動距離長的電子大量供應至放電空間4。到達陽極2的移動距離長的電子大量供應至放電空間4時,電子23與氣體分子24的衝撞機率變高,可能使至放電開始的時間縮短。
在極片105的放電空間4側具備板狀體(構材、板狀構材)20。於板狀體20之中心部係形成貫通孔20a。板狀體20係於極片105之中央部固定於極片105。板狀體20係形成為例如圓盤狀。在板狀體20的外周部的至少一部分與壁部107之間存在間隙21。從光源15發出的光,亦即電磁波係照射於形成間隙21的壁部107。或者,電磁波可經由間隙21而導入至放電空間4內。從壁部107放出的電子亦可經由間隙21而導入至放電空間4內。光源15係配置於板狀體20與極片105之間。光源15係配置為不會從放電空間4內直視。然而,光源配置為無法從放電空間4內直視光源的至少一部分時,亦能以定位等為目的而使光源15的其他一部分突出至放電空間4內。光源15係以放電空間4之外而配置於構成分隔部的極片105。在本實施方式,以覆蓋光源15的方式配置板狀體20,使得不會從放電空間4內直視光源15。於本實施方式,配置為不會從放電空間4內直視光源15的目的在於,抑制於放電空間4所濺鍍的陰極構成粒子附著於光源15。由於可抑制陰極構成粒子附著於光源15,故光源15可跨長期間將電磁波放出至外部。為此,依本實施方式時,可增長測定子102的壽命。
極片105的放電空間4側的面傾斜。換言之,在極片105的外周部的極片105與板狀體20之間的距離係比在極片105之中心部的極片105與板狀體20之間的距離大。極片105之中央部的厚度係比極片105的外周部的厚度厚。將極片105的放電空間4側的面予以傾斜的原因在於,使從光源15發出的電磁波充分到達至壁部107。
光源15的至少一部分由蓋件25覆蓋。更具體而言光源15由例如圓筒狀的蓋件25覆蓋。蓋件25由例如石英管構成。於本實施方式,透過蓋件25覆蓋光源15的原因在於如以下的理由。從光源15引出的電極26a、26b係透過例如焊接等而固定於設於絕緣構材6的未圖示的電極。為此,於放電空間4所濺鍍的陰極構成粒子附著於光源15本身,光源15無法向外部充分放出電磁波的情況下,不得不亦交換絕緣構材6等。相對於此,在本實施方式係光源15由蓋件25覆蓋,故於放電空間4所濺鍍的陰極構成粒子會附著於蓋件25惟不易附著於光源15。於放電空間4所濺鍍的陰極構成粒子附著於蓋件25的情況下,交換包含蓋件25的測定子用盒106即足夠。為此,依本實施方式時,可有益於保養成本的減低。由於如此的理由,在本實施方式係將光源15透過蓋件25覆蓋。
亦可作成在光源15與蓋件25之中的至少一者塗佈功函數低的材料,具體而言塗佈金屬膜。電磁波入射於功函數低的材料時,更有效地產生電子。因此,只要於光源15、蓋件25等塗佈功函數低的材料,即可予以有效地產生電子。此外,亦可作成在壁部107的內面塗佈功函數比壁部107的材料低的材料。此情況下亦可在實施該塗佈之處予以有效地產生電子。
陽極2係在保持氣密的狀態下貫穿絕緣構材6而固定。陽極2係電性連接於冷陰極電離真空計控制部13。於冷陰極電離真空計控制部13具備:對陽極2施加電壓的電源18、測定流過陽極2的放電電流的放電電流檢測部19。
在本實施方式,係光源15配置於極片105側而非極片104側,故對光源15及陽極2皆可從相同之側供應電力。為此,可將供於對光源15供應電力用的端子在保持氣密的狀態下設置於陽極2在保持氣密的狀態下貫穿的絕緣構材。無須將陽極2、設置對光源15供應電力的端子的絕緣構材配置於個別的場所,故依本實施方式時,可有益於構造的精簡化、低成本化等。
如上述,極片105之中央部的厚度係比極片105的外周部的厚度厚。於本實施方式,極片105之中央部的厚度比極片105的外周部的厚度厚的情形,不僅如上述的意義,亦具有如以下的意義。亦即,於極片105存在貫通孔11。一般情況下,於極片105之中央部存在貫通孔11時,放電空間4之中央部的磁通密度相對變小。相對於此,使極片105之中央部的厚度比極片105的外周部的厚度大時,可使在放電空間4之中央部的磁通密度增加。於高真空下,電子的絕對數少,絕對數少的電子集中於陽極2附近,亦即集中於放電空間4之中央部。為此,使在放電空間4之中央部的磁通密度增加變成促進放電,有益於放電開始時間的縮短等。如此,使極片105之中央部的厚度比極片105的外周部的厚度厚的情形亦可有益於放電開始時間的縮短等。
如上述,極片105的放電空間4側的面傾斜。為此,極片105的厚度從外周部朝中央部逐漸變大。亦即,在本實施方式,極片105的厚度連續變化。從極片105的外周部朝中央部使厚度逐漸增加的情形可有益於IP特性(壓力-放電電流特性)、再現性的提升。
測定子102的一部分可從測定子102卸除而交換。該部分係稱為冷陰極電離真空計用盒。極片104、105、板狀體20、蓋件25可包含於測定子用盒106,亦即可包含於冷陰極電離真空計用盒。
(評價結果) 就依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100的評價結果利用圖式進行說明。圖4係就依比較例之下的冷陰極電離真空計200進行繪示的剖面圖。於依比較例之下的冷陰極電離真空計200,在極片205與絕緣構材6之間配置光源15,光源15位於陽極2的附近。此外,於依比較例之下的冷陰極電離真空計200,極片105的厚度為均勻。
圖5係就依實施例之下,亦即就依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100與依比較例之下的冷陰極電離真空計200的I-P特性,亦即就壓力-放電電流特性進行繪示的圖形。橫軸係壓力,縱軸係放電電流。如從圖5知悉,在依比較例之下的冷陰極電離真空計200方面,無法必定獲得充分線性的特性。相對於此,依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100的情況下,於寬的壓力範圍獲得充分線性的特性。由此,依本實施方式時,可得知可提供可於寬的壓力範圍高精度地進行測定的冷陰極電離真空計100。
圖6係就依實施例之下,亦即就依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100的I-P特性進行繪示的圖形。於圖6係示出經過3次而進行測定的結果。圖7係就依比較例之下的冷陰極電離真空計200的I-P特性進行繪示的圖形。圖7中亦示出經過3次而進行測定的結果。如可從圖7得知,依比較例之下的冷陰極電離真空計200的情況下,I-P特性分布不均。相對於此,如可從圖6得知,依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100的情況下,I-P特性幾乎未分布不均。如可從此情形得知,可得知依本實施方式時可提供再現性良好的冷陰極電離真空計100。
圖8係就依實施例之下,亦即就依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100與依比較例之下的冷陰極電離真空計200的放電開始時間進行繪示的圖形。橫軸示出因0.1Pa的氮而使測定子102內劣化的累積時間。縱軸示出放電開始時間。如可從圖8得知,在依比較例之下的冷陰極電離真空計200方面,僅以25小時的劣化累積時間即超越作為放電開始時間的好壞判定的基準的3秒。相對於此,依本實施方式時,即使超過100小時的劣化累積時間,放電開始時間仍低於作為好壞判定的基準的3秒。由此,依本實施方式時,可得知可實現壽命長的測定子102。另外,作為好壞判定的基準的3秒係方便上設定的基準者,並非指一般的好壞判定的基準。
如此,依本實施方式時,於極片105的放電空間4側具備板狀體20,因板狀體20而無法從放電空間4內直視光源15。為此,依本實施方式時,可抑制於放電空間4所濺鍍的陰極構成粒子附著於光源15,光源15可跨長期放出電磁波。更甚者,在本實施方式,從光源15發出的電磁波容易到達於壁部107。為此,依本實施方式時,可提供放電開始時間短、壽命長的冷陰極電離真空計100。更甚者,在本實施方式,極片105之中央部的厚度比極片105的外周部的厚度厚。更甚者,極片的厚度係從極片的外周部朝中央部逐漸變化。為此,依本實施方式時,可提供可於寬的壓力範圍實現穩定的特性的冷陰極電離真空計100。如此,依本實施方式時,可提供具有良好的特性的冷陰極電離真空計100。
(變形例(其一)) 就依本實施方式的變形例(其一)之下的冷陰極電離真空計100a利用圖9進行說明。圖9係就依本變形例之下的冷陰極電離真空計100a進行繪示的剖面圖。
依本變形例之下的冷陰極電離真空計100a,不僅位於測定子容器103的其中一個端部12側的極片105,位於測定子容器103的另一個端部17側的極片104a的厚度亦從外周部朝中央部逐漸變厚。極片104a的放電空間4側的面傾斜。依本變形例時,極片104a之中央部的厚度比極片104a的外周部的厚度大,故可使在放電空間4之中央部的磁通密度更為增加。為此,依本變形例時,可更加促進放電,有益於放電開始時間的縮短等。更甚者,極片104a的厚度從外周部朝中央部逐漸變化,故獲得穩定的特性。如此,可作成使極片104a的厚度從外周部朝中央部逐漸增加。
(變形例(其二)) 就依基於本實施方式的變形例(其二)之下的冷陰極電離真空計100b利用圖10進行說明。圖10係就依本變形例之下的冷陰極電離真空計100b進行繪示的剖面圖。
依本變形例之下的冷陰極電離真空計100b,位於測定子容器103的其中一個端部12側的極片105,位於測定子容器103的另一個端部17側的極片104b皆以厚度於中央部增加的方式產生階差。如此,亦能以厚度於中央部增加的方式產生階差。於本變形例亦可使在放電空間4之中央部的磁通密度更為增加,可促進放電,可有益於放電開始時間的縮短等。
[第2實施方式] 就依第2實施方式之下的冷陰極電離真空計及冷陰極電離真空計用盒利用圖式進行說明。圖11係就依本實施方式之下的冷陰極電離真空計進行繪示的剖面圖。對與依示於圖1~圖10的第1實施方式之下的冷陰極電離真空計相同的構成要素,附加相同的符號而使說明省略或簡潔。
依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100c係極片105b的形狀不同於第1實施方式的情況。此外,依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100係光源15的配置不同於第1實施方式的情況。在依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100c,不設置板狀體20。
如示於圖11,在極片105b的與放電空間4側相反之側形成光源配置部22a。光源配置部22a,係例如形成於極片105的孔。該孔未貫穿極片105b。於光源配置部22a配置光源15。在本實施方式,係因極片105b而不會從放電空間4內直視光源15。光源配置部22a係如同第1實施方式,位於壁部107的附近。為此,光源15位於壁部107的附近。光源15係配置於密封部12面臨的空間(第2空間)5。
圖12係就依本實施方式之下的冷陰極電離真空計100c的測定子102c進行繪示的剖面圖。圖12係對應於圖11的III-III線剖面。如示於圖12,於極片105b形成開口28,亦即形成切口。形成開口28,故在極片105b的外周部至少一部分與壁部107之間存在間隙27。從光源15發出的光,亦即電磁波可經由間隙27而導入至放電空間4內。從壁部107放出的電子亦可經由間隙27而導入至放電空間4內。
在本實施方式,位於測定子102c的其中一個端部12側的極片105b的與放電空間4側相反之側的面傾斜。為此,於極片105b的外周部,極片105b的與放電空間4側相反之側的面與放電空間4之間的距離變短。為此,依本實施方式時,變得可使從光源15發出的電磁波充分到達於接近壁部107之中的放電空間4之處。
使極片105b之中央部的厚度比極片105b的外周部的厚度大的情形係如同第1實施方式,可有益於使在放電空間4之中央部的磁通密度增加。為此,於本實施方式,亦可促進放電,可實現放電開始時間的縮短等。
如此,可將光源15配置於極片105b的與放電空間4側相反之側。於本實施方式,亦不會從放電空間4內直視光源15,故可抑制於放電空間4所濺鍍的陰極構成粒子附著於光源15,光源15可跨長期放出電磁波。
更甚者,在本實施方式,係極片104的放電空間4側的面與極片105b的放電空間4側的面平行,故放電空間4的形狀為上下左右對稱。如此般使放電空間4為簡易的形狀,亦即作成無凹凸的形狀時,不易引起局部的異常放電。為此,依本實施方式時,可更加抑制測定值的變異性,可使再現性更加良好。
(變形例(其一)) 就依基於本實施方式的變形例(其一)之下的冷陰極電離真空計100d利用圖13進行說明。圖13係就依本變形例之下的冷陰極電離真空計100d的測定子102d進行繪示的剖面圖。
依本變形例之下的冷陰極電離真空計100d,不僅位於測定子容器103的其中一個端部12側的極片105,位於測定子容器103的另一個端部17側的極片104c的厚度亦從外周部朝中央部逐漸變厚。極片104c的與放電空間4側相反之側的面傾斜。依本變形例時,極片104c之中央部的厚度比極片104c的外周部的厚度大,故可使在放電空間4之中央部的磁通密度更為增加。為此,依本變形例時,可更加促進放電,有益於放電開始時間的縮短等。更甚者,極片104c的厚度從外周部朝中央部逐漸變化,故獲得穩定的特性。如此,可作成使極片104c的厚度從外周部朝中央部逐漸增加。
(變形例(其二)) 就依本實施方式的變形例(其二)之下的冷陰極電離真空計利用圖14進行說明。圖14係與圖12不同的實施方式。如示於圖14,於極片105b形成開口28a~28c,亦即形成複數個切口。形成開口28a~28c,故在極片105b與壁部107之間存在間隙27a~27c。從光源15發出的電磁波可經由間隙27a~27c而導入至放電空間4內。從壁部107放出的電子亦可經由間隙27a~27c而導入至放電空間4內。依本變形例時,於寬範圍存在間隙27a~27c,故可將從光源15發出的電磁波、因光電效應而產生的電子更有效地導入至放電空間4內。因此,依本實施方式時,可實現放電開始時間等的進一步的縮短等。
[變形實施方式] 不限於上述實施方式而可進行各種的變形。
例如,於第2實施方式,亦可非使極片104c、105b的面傾斜而透過形成階差從而使極片104c、105b之中央部的厚度比外周部的厚度大。
1‧‧‧陰極
2‧‧‧陽極
4‧‧‧放電空間
15‧‧‧光源
100‧‧‧冷陰極電離真空計
102‧‧‧測定子
103‧‧‧測定子容器
104、105‧‧‧極片
106‧‧‧測定子用盒
107‧‧‧壁部
[圖1] 就依第1實施方式之下的真空處理裝置進行繪示的示意圖。 [圖2] 就依第1實施方式之下的冷陰極電離真空計進行繪示的剖面圖。 [圖3] 就依第1實施方式之下的冷陰極電離真空計的測定子進行繪示的剖面圖。 [圖4] 就依比較例之下的冷陰極電離真空計進行繪示的剖面圖。 [圖5] 就壓力-放電電流特性進行繪示的圖形。 [圖6] 就依本實施方式之下的冷陰極電離真空計的壓力-放電電流特性進行繪示的圖形。 [圖7] 就依比較例之下的冷陰極電離真空計的壓力-放電電流特性進行繪示的圖形。 [圖8] 就放電開始時間進行繪示的圖形。 [圖9] 就依第1實施方式的變形例(其一)之下的冷陰極電離真空計進行繪示的剖面圖。 [圖10] 就依第1實施方式的變形例(其二)之下的冷陰極電離真空計進行繪示的剖面圖。 [圖11] 就依第2實施方式之下的冷陰極電離真空計進行繪示的剖面圖。 [圖12] 就依第2實施方式之下的冷陰極電離真空計的測定子進行繪示的剖面圖。 [圖13] 就依第2實施方式的變形例(其一)之下的冷陰極電離真空計的測定子進行繪示的剖面圖。 [圖14] 就依第2實施方式的變形例(其二)之下的冷陰極電離真空計的測定子進行繪示的剖面圖。
Claims (17)
- 一種冷陰極電離真空計,具有:陽極;筒狀的陰極,其以包圍前述陽極的方式配置;密封部,其將前述陰極的其中一個開口密封;第1構材,其於前述陰極的內部與前述密封部相向,設置貫通孔;分隔部,其將由前述陰極、前述密封部、前述第1構材包圍的空間,分隔為前述第1構材面臨的第1空間、前述密封部面臨的第2空間;和光源,其配置於前述分隔部或前述第2空間,並發出電磁波;在前述分隔部的外周部的至少一部分與前述陰極之間形成間隙。
- 如請求項1之冷陰極電離真空計,其中,前述分隔部包含第2構材、配置於前述第2構材的前述第1空間側的第3構材,前述光源的至少一部分配置於前述第2構材與前述第3構材之間。
- 如請求項2之冷陰極電離真空計,其中,在前述第2構材的外周部的前述第2構材與前述第3構材之間的距離,係比在前述第2構材的中心部的前述第2構材與前述第3構材之間的距離大。
- 如請求項2或3之冷陰極電離真空計,其中,前述間隙係形成於前述第3構材的外周部的至少一部分與前述陰極之間。
- 如請求項1之冷陰極電離真空計,其中,前述分隔部由第2構材所成,前述光源的至少一部分配置於前述第2空間。
- 如請求項2或3項的冷陰極電離真空計,其中,前述第2構材之中心部的厚度比前述第2構材的外周部的厚度厚。
- 如請求項6之冷陰極電離真空計,其中,前述第2構材的厚度從前述第2構材的外周部朝前述第2構材之中心部連續變化。
- 如請求項1或2項的冷陰極電離真空計,其中,前述光源與前述陰極之間的距離比前述光源與前述陽極之間的距離短。
- 如請求項2或3項的冷陰極電離真空計,其中,前述第1構材及前述第2構材係磁性體。
- 如請求項2或3項的冷陰極電離真空計,其中,前述第3構材由非磁性體形成。
- 如請求項1或2項的冷陰極電離真空計,其進一步具備覆蓋前述光源的至少一部分的蓋件。
- 如請求項11之冷陰極電離真空計,其中,於前述蓋件形成金屬膜。
- 如請求項1或2項的冷陰極電離真空計,其中,於前述光源的表面形成金屬膜。
- 一種冷陰極電離真空計用盒,可卸除地配置於具備陽極、以包圍前述陽極的方式配置的筒狀的陰極、將前述陰極的其中一個開口密封的密封部的冷陰極電離真空計的前述陰極的內部,具備:第1構材,其與前述密封部相向,設置貫通孔;分隔部,其將由前述陰極、前述密封部、前述第1構材包圍的空間,分隔為前述第1構材面臨的第1空間、前述密封部面臨的第2空間;和筒狀的連接部,其與前述第1構材及前述分隔部連結;在前述連接部與前述分隔部之間設置間隙。
- 如請求項14之冷陰極電離真空計用盒,其進一步具備光源蓋,該光源蓋以覆蓋配置於前述第2空間的光源的方式配置於前述分隔部。
- 一種冷陰極電離真空計,具備:陽極;筒狀的陰極,其以包圍前述陽極的方式配置;密封部,其將前述陰極的其中一個開口密封;圓盤狀的第1磁性構材,其於前述陰極的內部具有由前述陽極貫穿的貫通孔;和圓盤狀的第2磁性構材,其於前述陰極的內部與前述第1磁性構材相向而配置;前述第1磁性構材及前述第2磁性構材之中的至少一者係中心部的厚度比外周部的厚度厚。
- 一種冷陰極電離真空計用盒,可卸除地配置於具有陽極、以包圍前述陽極的方式而配置的筒狀的陰極的冷陰極電離真空計的前述陰極的內部,具備:圓盤狀的第1磁性構材,其於前述陰極的內部具有由前述陽極貫穿的貫通孔;和圓盤狀的第2磁性構材,其於前述陰極的內部與前述第1磁性構材相向而配置;前述第1磁性構材與前述第2磁性構材之中的至少一者係中心部的厚度比外周部的厚度厚。
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