TWI655482B - 液晶顯示器及其製造方法 - Google Patents

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李美禾
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Abstract

本發明係提供一種液晶顯示器，其包含：第一基板；設置於第一基板上的薄膜電晶體；連接到薄膜電晶體的第一電極；以及設置於第一電極上的第一配向層，其中第一配向層包含含有環丁烷四甲酸二酐及環丁烷四甲酸二酐衍生物的共聚合物的液晶光配向劑。

Description

液晶顯示器及其製造方法
本發明係關於液晶光配向劑、包含液晶光配向劑的液晶顯示器以及其製造方法。
於液晶顯示元件中，為了顯示影像，即是說，通過外部電場而切換透明導電玻璃之間的液晶，液晶必須於液晶與透明導電玻璃之間的介面中以預定的方向而對準。液晶校正的一致性的程度是決定液晶顯示器的顯示品質的重要因素。
於對準液晶的傳統方法中，使用了摩擦法，其中聚合物層如聚亞醯胺層被塗覆於基板如玻璃上，而表面係使用纖維材料如尼龍或聚酯而在預定的方向上摩擦。然而，當纖維材料及聚合物層被互相摩擦時，微小顆粒或靜電放電(electrostatic discharge,ESD)可能會產生，導致於製造液晶顯示面板期間的嚴重問題。
本發明提供將殘像及層強度最佳化的液晶光配向劑，包含液晶光配向劑的液晶顯示器及其製造方法。
於一個例示性實施例中，提供一種含有環丁烷四甲酸二酐(cyclobutane dianhydride)及環丁烷四甲酸二酐衍生物的共聚合物的液晶光配向劑。
共聚合物包含由化學式A所表示的環丁烷四甲酸二酐、由化學式B所表示的環丁烷四甲酸二酐衍生物及二胺的反應產物。
於化學式B中，R1、R2、R3及R4獨立地為氫、氟或有機化合物，以及R1、R2、R3及R4中的至少一個不為氫。
共聚合物包含由化學式C所表示的重複單元：
於化學式C中，R5、R6及R7獨立地表示耦合到二胺的兩個胺基的二胺的核心結構，而A及B分別為單元1或單元2。
於化學式C中，單元1比單元2的比例可為約20：80至約80：20。
較佳地，於化學式C中，單元1比單元2的比例為約40：60至約60：40。
於另一例示性實施例中，提供一種液晶顯示器，其包含：第一基板；設置於第一基板上的薄膜電晶體；連接到薄膜電晶體的第一電極及設置於第一電極上的第一配向層，其中第一配向層包含含有環丁烷四甲酸二酐及環丁烷四甲酸二酐衍生物的共聚合物的液晶光配向劑。
共聚合物包含由化學式A所表示的環丁烷四甲酸二酐、由化學式B所表示的環丁烷四甲酸二酐衍生物及二胺的反應產物。
於化學式B中，R1、R2、R3及R4獨立地為氫、氟或有機化合物，以及R1、R2、R3及R4中的至少一個不為氫。
共聚合物包含由化學式C所表示的重複單元：
於化學式C中，R5、R6及R7獨立地表示耦合到二胺中兩個胺基的二胺的核心結構，而A及B分別為單元1或單元2。
液晶顯示器進一步包含設置於第一基板上的第二電極、設置於第一電極與第二電極之間的絕緣層，其中第一電極包含複數個分支電極，而第二電極具有平面形狀。
複數個分支電極重疊於平面狀的第二電極。
設置於薄膜電晶體與第二電極之間的鈍化層被進一步包含，其中薄膜電晶體通過定義於鈍化層及絕緣層內的接觸孔而連接到第一電極。
液晶顯示器進一步包含面向第一基板的第二基板，於第二基板上的第二配向層，以及於第一基板與第二基板之間的液晶層，其中液晶層包含液晶分子，而其中第二配向層包含與第一配向層相同的材料。
於一個例示性實施例中，提供一種製造液晶顯示器的方法，其包含：於第一基板上形成薄膜電晶體；於薄膜電晶體上形成鈍化層；於鈍化層上形成第一電極、第二電極及絕緣層，其中絕緣層形成於第一電極與第二電極之間；於第一電極或第二電極上塗覆液晶光配向劑，其中液晶光配向劑是環丁烷四甲酸二酐及環丁烷四甲酸二酐衍生物的共聚合物；烘烤被塗覆的液晶光配向劑；並照射液晶光配向劑以形成第一配向層。
該方法進一步包含於面向第一基板的第二基板上塗覆液晶光配向劑，烘烤被塗覆於第二基板上的被塗覆的液晶光配向劑，並照射液晶光配向劑以形成第二配向層。
照射包含將液晶光配向劑曝露於具有240奈米至380奈米的波長的紫外光線中。
第一配向層及第二配向層的液晶光配向劑包含含有由化學式A所表示的環丁烷四甲酸二酐、由化學式B所表示的環丁烷四甲酸二酐衍生物及二胺的反應產物的共聚合物。
於化學式B中，R1、R2、R3及R4獨立地為氫、氟或有機化合物，以及R1、R2、R3及R4中的至少一個不為氫。
共聚合物包含由化學式C所表示的重複單元：
於化學式C中，R5、R6及R7獨立地表示耦合到二胺中兩個胺基的二胺的核心結構，而A及B分別為單元1或單元2。
第一電極包含複數個分支電極，而第二電極具有平面形狀。
複數個分支電極重疊於平面狀的第二電極。
該方法進一步包含於鈍化層及絕緣層中形成接觸孔，其中薄膜電晶體及第一電極通過接觸孔而連接。
根據一個例示性實施例，配向層使用為環丁烷四甲酸二酐及環丁烷四甲酸二酐衍生物的共聚合物的光配向劑而形成，從而實現具有最佳化的殘像及提高的層強度的液晶顯示器。
3‧‧‧液晶層
10‧‧‧LCD
11‧‧‧第一配向層
21‧‧‧第二配向層
91‧‧‧切口
100‧‧‧下面板
110‧‧‧第一基板
120‧‧‧通道
121‧‧‧閘極線
124‧‧‧閘極電極
138‧‧‧開口
140‧‧‧閘極絕緣層
154‧‧‧半導體層
163/165‧‧‧歐姆接觸
171‧‧‧數據線
173‧‧‧源極電極
175‧‧‧汲極電極
180a‧‧‧第一鈍化層
180b‧‧‧第二鈍化層
180c‧‧‧絕緣層
185‧‧‧接觸孔
191‧‧‧像素電極
192‧‧‧分支電極
200‧‧‧上面板
210‧‧‧第二基板
220‧‧‧光阻擋構件
230‧‧‧濾色器
250‧‧‧外罩
270‧‧‧共同電極
本公開的以上及其它特點將藉由參照附圖更詳細地描述其例示性實施例而變得更顯而易見，其中：第1圖是本發明的液晶顯示器的例示性實施例的俯視圖。
第2圖是沿第1圖的II-II線所截取的剖面圖。
第3圖是顯示分解率(%)相對於UV曝光量(焦耳)的曲線圖。
第4圖是顯示殘像(角)相對於曝光量(焦耳)的曲線圖。
第5圖是顯示各向異性的程度相對於曝光量的曲線圖。
本發明現在將參照附圖更充分地描述於下文中，其中展示不同的實施例。然而，本發明可以許多不同的形式實施，並且不應解釋為受限於本文中所闡述的實施例。更確切地說，提供這些實施例使得本公開將會全面及完整， 並且將充分地傳達本發明的範圍給那些本領域中的通常知識者。於全文中類似的參考符號表示類似的元件。
其將理解的是，當元件被稱為於另一元件「上(on)」時，其可以是直接於另一元件上或其間可存在中間元件。相反，當元件被稱為「直接於其上(directly on)」另一元件時，則不存在中間元件。
其將理解的是，雖然用語「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」等可用於本文中以描述不同的元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些用語所限制。這些用語僅用於從另一元件、部件、區域、層或部分中區分一個元件、部件、區域、層或部分。因此，以下所討論的「第一元件(first element)」、「部件(component)」、「區域(region)」、「層(layer)」或「部分(section)」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分，而不背離本文所教示。
本文所用的術語只是為了描述特定實施例的目的，而並不旨在限制。如本文中所用，除非內容另有明確指出，否則單數形式的「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」旨在包括包含「至少一個(at least one)」的複數形式。「或(or)」表示「及/或(and/or)」。如本文所用，用語「及/或(and/or)」包括一個或多個相關聯的所列項目的任何及所有組合。其將進一步理解的是，當用語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」或「包括(includes)」及/或「包括(including)」使用於本說明書中時，那就表明所陳述的特點、區域、整數、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但並不排除一個或多個其它特點、區域、整數、步驟、操作、元件、部件及/或其群組的存在或新增。
此外，相對用語如「下(lower)」或「底(bottom)」及「上(upper)」或「頂(top)」，可以使用於本文中以描述如附圖中所示的一個元件與另一元件的關係。其將理解的是，除了於附圖中所描述的方位外，相對用語旨在涵蓋裝 置的不同方位。例如，如果於其中一圖中的裝置被翻轉，則被描述為於另一元件「下(lower)」側的元件將隨之被定位為於另一元件的「上(upper)」側。因此，基於附圖的特定方位，例示性用語「下(lower)」可以涵蓋「下(lower)」及「上(upper)」兩種方位。同樣地，如果於其中一圖中的裝置被翻轉，則被描述為於另一元件「下(below)」或「之下(beneath)」的元件將隨之被定位為於另一元件「上面(above)」。因此，例示性用語「下(below)」或「之下(beneath)」可以涵蓋上面及下面兩種方位。
於本文中所用的「約(about)」或「近似地(approximately)」是包含所述數值，以及所屬技術領域中具有通常知識者所測定之特定數值之可接受誤差範圍內的值，係考慮到測量的問題以及關於特定量之測量之誤差(也就是，測量系統的限制)。例如，「大約(about)」可以表示於一個或多個標準差之內，或於所陳述值的±30%、20%、10%、5%之內。
除非另有定義，否則於本文中所用的所有用語(包括技術性及科學性用語)具有與本公開所屬技術領域中的通常知識者所通常理解的相同含義。其將進一步理解的是，除非於本文中如此明確地定義，否則例如那些於常用字典中所定義的用語，應該被理解為具有與相關領域內容及本公開內容中的含義相一致的含義，並將不會被理解為理想化或過度地解釋。
例示性實施例參照為理想化實施例示意圖的剖面示意圖而描述於本文中。因此，例如製造技術及/或公差所導致的附圖形狀的變化是被預期的。因此，於本文中所描述的實施例不應該被解釋為受限於如本文中所示區域的特定形狀，而是包含例如來自製造所導致的形狀偏差。例如，被表示或描述為平坦的區域，通常可以具有粗糙及/或非線性的特點。而且，所表示的銳角可以是圓滑的。因此，於圖中所示的區域本質上是示意性的，而其形狀並不旨在表示區域的精確形狀，也不旨在限制本申請專利範圍的範疇。
為了校正顯示裝置中的液晶，研究已經導向光校正方法的發展，其中各向異性藉由光照射而提供到聚合物層以校正液晶。使用於光校正方法的材料是具有光學功能反應性的聚合物，如偶氮苯(azobenzene)、香豆素(cumarin)、查耳酮(chalcone)及桂皮酸鹽(cinnamate)。這些聚合物與光學異構物被各向異性地作用或藉由照射與偏振光而光交聯，使得各向異性聚合物形成於聚合物層的表面上，從而於預定的方向上校正液晶。
於下文中，本發明將參照附圖而詳細描述。
第1圖是根據本發明的例示性實施例的液晶顯示器(「LCD」)的俯視圖。第2圖是沿第1圖的II-II線所截取的剖面圖。
參照第1圖及第2圖，LCD 10包含下面板100及上面板200，以及放入於其間的液晶層3。
首先，下面板100將被描述。
包含閘極線121的閘極導體係設置於由透明玻璃或塑料所製成的第一基板110上。
閘極線121包含閘極電極124及用於與另一層或外部驅動電路連接的端部(未示出)。閘極線121可以由鋁(Al)或鋁合金、銀(Ag)或銀合金、銅(Cu)或銅合金、鉬(Mo)或鉬合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦(Ti)所製成。閘極線121可以具有多層結構(未示出)，其包含具有不同的物理性質的至少兩個導電層。
由氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiO x)所製成的閘極絕緣層140係設置於閘極線121上。閘極絕緣層140可以具有多層結構(未示出)，其包含具有不同的物理性質的至少兩個絕緣層。
由非晶矽或多晶矽所製成的半導體層154係設置於閘極絕緣層140上。半導體層154可以包含氧化物半導體材料。
歐姆接觸163及165係設置於半導體層154上。歐姆接觸163及165可以由一種材料例如於其上被摻有高濃度的n-型雜質如磷的n+氫化非晶矽，或一種矽化物所製成。歐姆接觸163及165可以設置成一對於半導體層154上。當半導體層154包含氧化物半導體材料時，歐姆接觸163及165可被省略。
包含數據線171、源極電極173及汲極電極175的數據導體係設置於歐姆接觸163及165以及閘極絕緣層140上。
數據線171包含用於與另一層或外部驅動電路連接的寬端部(未示出)。數據線171傳輸數據訊號並主要延伸於垂直方向上以交叉於閘極線121。
數據線171可以具有擁有彎曲形狀的第一彎曲部分，以獲得液晶顯示器的最大透光度。第一彎曲部分可定位於像素區的中間區域以形成V形。被彎曲以形成與第一彎曲部分的預定角度的第二彎曲部分，可進一步定位於像素區的中間區域內。
源極電極173對應於數據線171的一部分，並設置於與數據線171相同的線上。汲極電極175設置成延伸平行於源極電極173。所以，汲極電極175是平行於數據線171的一部分。
閘極電極124、源極電極173及汲極電極175與半導體154一起形成薄膜電晶體(「TFT」)，而薄膜電晶體的通道120設置於源極電極173與汲極電極175之間的半導體154上。
根據本發明的例示性實施例的LCD包含設置於與數據線171相同的線上的源極電極173及延伸平行於數據線171的汲極電極175，以使薄膜電晶體的寬度可以於不增加數據導體的面積下而變寬，從而增加LCD的孔徑比。
數據線171及汲極電極175可以由耐火金屬例如鉬、鉻、鉭、鈦或其合金所製成，並可以具有包含耐火金屬層及低電阻導電層的多層結構(未示出)。一個多層結構的例子包括含有鉻、鉬或鉬合金的下層及鋁或鋁合金的上層的雙層，以及包含鉬或鉬合金的下層、鋁或鋁合金的中間層及鉬或鉬合金的上層的三層。
第一鈍化層180a設置於數據導體(171、173及175)、閘極絕緣層140及半導體154的露出的部分上。第一鈍化層180a可以由有機絕緣材料或無機絕緣材料所製成。
第二鈍化層180b形成於第一鈍化層180a上。第二鈍化層180b可以由有機絕緣材料所製成。
第二鈍化層180b可以是濾色器。當第二鈍化層180b為濾色器時，第二鈍化層180b可以固有地顯示原色或副色的其中之一。原色的例子包括三原色如紅、綠及藍，而副色的例子包括黃、青及洋紅。雖然未示出，濾色器可以進一步包括一種顯示原色或白色的混合色的濾色器。當第二鈍化層180b為濾色器時，濾色器230可以於稍後將描述的上面板200中省略。
共同電極270設置於第二鈍化層180b上。共同電極270具有平面形狀，可以設置於作為平板的整個第一基板110上，而開口138可以定義於共同電極270中對應於汲極電極175的周邊的區域內。也就是說，共同電極270可以具有平面形狀，如排除任何被定義於其中的切口。
設置於相鄰像素上的共同電極270係互相連接以接收從顯示區外部所提供的預定水平的共同電壓。
絕緣層180c設置於共同電極270上。絕緣層180c可以包含有機絕緣材料或無機絕緣材料。
像素電極191設置於絕緣層180c上。像素電極191包含基本上平行於數據線171的第一彎曲部分及第二彎曲部分的彎曲邊緣。複數個切口91定義於像素電極191中，而像素電極191包含設置於相鄰切口91之間並由切口91所定義的複數個分支電極192。
像素電極191是第一場產生電極或第一電極，而共同電極270是第二場產生電極或第二電極。像素電極191與共同電極270形成水平電場。
接觸孔185定義於第一鈍化層180a、第二鈍化層180b及絕緣層180c中並曝露汲極電極175。像素電極191通過第一接觸孔185而物理性及電性地連接到汲極電極175，以接收來自汲極電極175的電壓。
第一配向層11設置於像素電極191及絕緣層180c上。第一配向層11包含作為光反應性材料的液晶光配向劑。
於一個例示性實施例中，第一配向層11包含含有環丁烷四甲酸二酐(cyclobutane dianhydride,CBDA)及環丁烷四甲酸二酐衍生物的共聚合物的液晶光配向劑。更具體地說，共聚合物包含由化學式A所表示的環丁烷四甲酸二酐、由化學式B所表示的環丁烷四甲酸二酐衍生物及二胺的反應產物。
於化學式B中，R1、R2、R3及R4獨立地為氫、氟或有機化合物，以及R1、R2、R3及R4之間的至少一個不為氫。於化學式B中，R1、R2、R3及R4獨立地為氫、氟或具有1至6的碳數的烷基或烷氧基。
於一個例示性實施例中，化學式B可以由化學式B-1所表示。
於一個例示性實施例中，二胺是芳香族二胺、脂環族二胺及脂肪族二胺中的至少一種，芳香族二胺如對苯二胺(p-phenylenediamine)、間苯二胺(m-phenylenediamine)、2,5-二胺基甲苯(2,5-diaminotoluene)、2,6-二胺基甲苯(2,6-diaminotoluene)、4,4'-二胺基聯苯(4,4'-diaminobiphenyl)、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯(3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl)、3,3'-二甲氧基-4,4'-二胺基聯苯(3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl)、二胺基二苯甲烷(diaminodiphenylmethane)、二胺基二苯基醚(diaminodiphenylether)、2,2'-二胺基二苯基丙烷(2,2'-diaminodiphenylpropane)、雙(3,5-二乙基4-胺苯基)甲烷(bis(3,5-diethyl4-aminophenyl)methane)、二胺二苯碸(diaminodiphenyl sulfone)、二胺基二苯酮(diaminobenzophenone)、二胺基萘(diaminonaphthalene)、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯(1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene)、1,4-雙(4-胺基苯基)苯(1,4-bis(4-aminophenyl)benzene)、9,10-雙(4-胺基苯基)蒽(9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene)、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene)、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)二苯基碸(4,4'-bis(4-aminophenoxy)diphenylsulfone)、2,2-雙[4-(4胺基苯氧基)苯基]丙烷 (2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane)、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷(2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane)、2,2-雙[4-(4胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane)，脂環族二胺如雙(4-胺基環己基)甲烷(bis(4-aminocyclohexyl)methane)、雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷(bis(4-amino-3-methylcyclohexyl)methane)，以及脂肪族二胺如四亞甲二胺(tetramethylenediamine)、六亞甲二胺(hexamethylenediamine)，然而二胺並不受限於此。
於一個例示性實施例中，共聚合物可以包含由化學式C所表示的重複單元。
於化學式C中，R5、R6及R7獨立地表示耦合到二胺的兩個胺基(-NH2)的二胺的核心部分，而A及B可以為單元1或單元2。
於化學式C中，單元1與單元2的比例可以為約20：80至約80：20，並更具體地，約40：60至約60：40。配向層的殘像特性及強度特性可以藉由調節於共聚合物中單元1與單元2的比例而控制。
形成配向層的方法現在將描述。
包含環丁烷四甲酸二酐及環丁烷四甲酸二酐衍生物的共聚合物的液晶光配向劑被塗覆於像素電極191上。然後，被塗覆的光配向劑被烘烤。烘烤可以通過預烘烤及硬烘烤兩個步驟而進行。
然後，偏振光照射於液晶光配向劑上以形成第一配向層11。所照射的光可以是具有約240奈米至約380奈米的波長的紫外光線，明確地來說，是大於240奈米至少於380奈米的波長。於一個實施例中，具有約254奈米的波長的紫外光線可以被使用。要增加第一配向層的校正特性，第一配向層11可以被烘烤再多一次。
上面板200現在將描述。
光阻擋構件220設置於由透明玻璃或塑料所製成的第二基板210上。光阻擋構件220也被稱作黑矩陣並防止漏光。
複數個濾色器230設置於第二基板210上。當下面板100的第二鈍化層180b為濾色器時，上面板200的濾色器230可以省略。上面板200的光阻擋構件220也可以設置於下面板100中。
外罩250設置於濾色器230及光阻擋構件220上。外罩250可以由有機絕緣材料所製成，並且防止濾色器230被曝露及提供了平坦的表面。外罩250可以省略。
第二配向層21設置於外罩250上。第二配向層21包含可以為液晶光配向劑的光反應性材料。第二配向層21可以使用如第一配向層11所描述的相同材料及相同方法而設置。
液晶層3可以包含具有正介電質各向異性的液晶材料。
液晶層3的液晶分子可以被校正，使得晶體的長軸平行於兩個顯示面板(100及200)的表面。
像素電極191係從汲極電極175被供給數據電壓，而共同電極270係從設置於顯示區外部的共同電壓施加單元被供給預定水平的共同電壓。
像素電極191及共同電極270作為場產生電極以產生電場，使得液晶層3的液晶分子被旋轉於平行於電場方向的方向上。穿過液晶層的光的偏振會根據液晶分子的決定的旋轉方向而改變。
如上所述，藉由形成兩個場產生電極，也就是於顯示面板100上的像素電極191及共同電極270，液晶顯示器的透光度會增加而寬視角可以實現。
根據說明的例示性實施例的LCD，共同電極270具有平面形狀而像素電極191具有複數個分支電極。可選地，於其他實施例中，像素電極191可以具有平面形狀而共同電極270可以具有複數個分支電極。
應用於實例中的本發明的LCD，其中兩個場產生電極經由於第一基板110上的絕緣層而重疊，於絕緣層下的第一場產生電極具有平面形狀，而於絕緣層上的第二場產生電極具有複數個分支電極。
於第3圖至第5圖中，比較例1包含使用100%的環丁烷四甲酸二酐所形成的光配向層、比較例2包含使用100%的環丁烷四甲酸二酐衍生物所形成的光配向層，而例示性實施例包含使用比例為50：50的環丁烷四甲酸二酐及環丁烷四甲酸二酐衍生物的共聚合物所形成的光配向層。
第3圖是顯示光配向層的分解率(即是比率)相對於UV曝光量的曲線圖。參照第3圖，於比較例2中的光配向層的分解率相比於比較例1中的光配向層的分解率較為高，而例示性實施例的光配向層具有介於比較例1的分解率與比較例2的分解率之間的分解率。於一個例示性實施例中，當於光配向層中環丁烷四甲酸二酐的量相比於環丁烷四甲酸二酐衍生物是增加時，分解率可能會增加，而當環丁烷四甲酸二酐的量是減低時，分解率也可能會減低。
第4圖是顯示所獲得殘像相對於UV曝光量的曲線圖。參照第4圖，殘像由角度所表示，其中於液晶分子已藉由開啟電壓而校正之後，當電壓關閉時，液晶分子不會回歸到其原來的位置。隨著角度增加而變得太大時，殘像會變得更加嚴重。參照第4圖中殘像(角度)分佈相對於曝光量，如箭頭所示，於由環丁烷四甲酸二酐衍生物(比較例2)所製成的配向層的殘影分佈中的殘影相比於由環丁烷四甲酸二酐(比較例1)所製成的配向層的殘影分佈中的殘影會改善。
第5圖是顯示各向異性相對於UV曝光量的曲線圖。如第5圖中所示，由環丁烷四甲酸二酐(比較例1)所製成的配向材料的各向異性分佈相比於由環丁烷四甲酸二酐衍生物(比較例2)所製成的配向材料的各向異性分佈為較小。因此，由環丁烷四甲酸二酐衍生物所製成的配向材料的各向異性分佈相比於由環丁烷四甲酸二酐所製成的配向材料的各向異性分佈為較大，並因此，殘影會改善。
於配向層中，殘像特性及層強度特性都是同樣重要的。殘像特性指出液晶分子由於電壓開啟而已校正之後，一旦電壓已關閉，液晶分子會回歸到其原本的位置。層強度特性指出配向層被外力搖晃而變得漂離。當配向層為軟時，殘像特性會改善，而當配向層為硬時，層強度特性會改善。換句話說，殘像特性及層強度特性具有一種權衡的關係。於本例示性實施例中，當液晶光配向劑中的環丁烷四甲酸二酐的含量增加，層強度會增加而分解率會減低。而且，當液晶光配向劑中的環丁烷四甲酸二酐衍生物的含量增加時，配向特性及殘像特性會改善。
因此，當形成本文所述的液晶光配向劑時，殘像特性及層強度特性可以藉由控制液晶光配向劑中的環丁烷四甲酸二酐及環丁烷四甲酸二酐衍生物的含量而最佳化。
當本發明已經結合了目前所被認為是實用的例示性實施例而描述時，應當理解的是，本發明並不受限於所公開的例示性實施例，相反地，旨在覆蓋包含於所附申請專利範圍的精神及範圍內的各種修改及等效佈置。

Claims (8)

  1. 一種液晶顯示器，其包含：一第一基板；一薄膜電晶體，係設置於該第一基板上；一第一電極，係連接到該薄膜電晶體；一第一配向層，係設置於該第一電極上；一第二基板，面向該第一基板，且在該第一配向層上；以及一液晶層，設置於該第一基板與該第二基板之間；其中該第一配向層包含一液晶光配向劑，該液晶光配向劑包含環丁烷四甲酸二酐及環丁烷四甲酸二酐衍生物的一共聚合物，其中該共聚合物包含由化學式C所表示的一重複單元：其中於化學式C中，R1、R2、R3及R4獨立地為氫、氟或一有機化合物，R1、R2、R3及R4中的至少一個不為氫，R1、R2、R3及R4中的至少一個為氟，R5、R6及R7獨立地為耦合到二胺的兩個胺基的該二胺的一核心結構，而A及B獨立地為一單元1或一單元2，其中，該單元1與該單元2的比例為約40：60至約60：40。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器，進一步包含：一第二電極，係設置於該第一基板上；一絕緣層，係設置於該第一電極與該第二電極之間，其中該第一電極包含複數個分支電極，而該第二電極具有一平面形狀。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示器，其中該複數個分支電極重疊於平面狀的該第二電極。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示器，進一步包含位於該薄膜電晶體與該第二電極之間的一鈍化層，其中該薄膜電晶體係通過定義於該鈍化層及該絕緣層中的一接觸孔而連接到該第一電極。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器，進一步包含：一第二配向層，設置於該第二基板上，其中該第二配向層包含如同該第一配向層的一相同材料。
  6. 一種製造液晶顯示器的方法，其包含：形成一薄膜電晶體於一第一基板上；形成一鈍化層於該薄膜電晶體上；形成一第一電極、一第二電極及一絕緣層於該鈍化層上，其中該絕緣層係形成於該第一電極與該第二電極之間；塗覆一液晶光配向劑於該第一電極上或於該第二電極上，其中該液晶光配向劑包含環丁烷四甲酸二酐及環丁烷四甲酸二酐衍生物的一共聚合物；烘烤被塗覆的該液晶光配向劑；照射該液晶光配向劑以形成一第一配向層；形成在第一配向層上且面向該第一基板的一第二基板；以及形成設置於該第一基板與該第二基板之間的一液晶層；其中該共聚合物包含由化學式C所表示的一重複單元：其中於化學式C中，R1、R2、R3及R4獨立地為氫、氟或一有機化合物，R1、R2、R3及R4中的至少一個不為氫，R1、R2、R3及R4中的至少一個為氟，R5、R6及R7獨立地為耦合到二胺的兩個胺基的該二胺的一核心結構，而A及B獨立地為一單元1或一單元2，其中，該單元1與該單元2的比例為約40：60至約60：40。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，進一步包含：塗覆該液晶光配向劑於該第二基板上；烘烤被塗覆於該第二基板上的被塗覆的該液晶光配向劑；以及照射該液晶光配向劑以形成一第二配向層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中照射係包含將該液晶光配向劑曝露到具有約240奈米至約380奈米的波長的紫外光線中。
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