KR20160124364A - 광배향막 및 액정 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

광배향막 및 액정 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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정진수
강석훈
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Abstract

본 발명은 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA)와 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나와 디아민의 공중합체, 그리고 알킬렌기(-CnH2n-, n은 자연수)를 포함하는 가교제를 포함하는 광배향제를 기판에 도포하는 단계, 상기 기판에 도포된 상기 광배향제를 프리 베이크(pre-bake)하는 단계, 상기 프리 베이크 처리된 광배향제를 하드 베이크(hard-bake)하는 단계, 상기 하드 베이크 처리된 광배향제에 광원을 조사하여 광배향제를 광배향하는 단계, 및 상기 광원을 조사한 광배향제를 2차 베이크하는 단계를 포함하며, 상기 광배향제를 기판에 도포하는 단계에서, 상기 기판의 가장자리부에 도포되는 상기 광배향제는 상기 기판의 중심부에 도포되는 상기 광배향제 대비 30~70중량%를 도포하는 광배향막의 제조 방법을 제공한다.

Description

광배향막 및 액정 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING PHOTO ALIGNMENT FILM AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 광배향막 및 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로 광배향막의 재작업 (rework)성이 우수한 광배향막 및 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 소자가 화상을 구현하기 위해서는 즉, 액정이 투명 도전 유리 사이에서 외부 전기장에 의해 스위칭되도록 하기 위해서는 액정과 투명 도전 유리전극 사이의 계면에서 액정을 일정 방향으로 배향시켜야만 한다. 액정 배향의 균일성 정도는 액정 디스플레이의 화질의 우수성을 결정짓는 가장 중요한 요소이다.
종래 액정을 배향시키는 통상적인 방법으로 유리 등의 기판에 폴리이미드와 같은 고분자막을 도포하고, 이 표면을 나일론이나 폴리에스테르 같은 섬유로 일정한 방향으로 문지르는 러빙(rubbing) 방법이 있다. 그러나, 러빙 방법은 섬유질과 고분자막이 마찰될 때 미세한 먼지나 정전기가 발생할 수 있고, 이것들은 액정 패널 제조시 심각한 문제를 야기시킬 수 있다.
상기 문제를 해결하기 위해 최근에는 광조사에 의해 고분자막에 이방성(비등방성, anisotropy)을 유도하고 이를 이용해 액정을 배열하고자 하는 광배향법이 연구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광배향막의 제조 시 광배향제의 물성, 열처리 조건 및 광배향제의 도포 조건의 조정을 통해 재작업(rework)성이 우수한 광배향막 및 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에 따르면, 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA)와 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나와 디아민의 공중합체, 그리고 알킬렌기(-CnH2n-, n은 자연수)를 포함하는 가교제를 포함하는 광배향제를 기판에 도포하는 단계, 상기 기판에 도포된 상기 광배향제를 프리 베이크(pre-bake)하는 단계, 상기 프리 베이크 처리된 광배향제를 하드 베이크(hard-bake)하는 단계, 상기 하드 베이크 처리된 광배향제에 광원을 조사하여 광배향제를 광배향하는 단계, 및 상기 광원을 조사한 광배향제를 2차 베이크하는 단계를 포함하며, 상기 광배향제를 기판에 도포하는 단계에서, 상기 기판의 가장자리부에 도포되는 상기 광배향제는 상기 기판의 중심부에 도포되는 상기 광배향제 대비 30~70중량%를 도포하는 광배향막의 제조 방법을 제공한다.
상기 광배향제는 유기 용매를 더 포함하며, 상기 광배향제의 점도는 27~33cP(centi-poise)로 형성할 수 있다.
상기 프리 베이크 단계는 상기 광배향제를 55~65℃의 온도에서 60~80초간 열처리할 수 있다.
상기 하드 베이크 단계는 상기 광배향제를 200~250℃의 온도에서 1000~1500초간 열처리할 수 있다.
상기 광원을 조사하는 단계는 230 나노미터 이상 380 나노미터 이하의 범위를 갖는 자외선을 사용하여 수행할 수 있다.
상기 2차 베이크 단계는 200~250℃에서 1000~1500초간 열처리할 수 있다.
상기 기판 중심부 및 가장자리부의 상기 광배향막의 두께 비율은 1:1~1:2로 형성할 수 있다.
상기 기판 중심부의 상기 광배향막은 700~900Å 두께로 형성할 수 있다.
상기 기판 가장자리부의 상기 광배향막은 1400~1800Å 두께로 형성할 수 있다.
상기 광배향막 세정액을 사용하여 상기 광배향막을 제거하는 단계, 및 상기 광배향막을 재형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA)는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하고, 상기 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체는 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2에서 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 또는 알킬기이고, X1 내지 X4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
상기 디아민은 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
상기 공중합체는 폴리아믹산을 포함할 수 있다.
상기 가교제는 하기 화학식 6 내지 하기 화학식 9로 표현되는 화합물들 중 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00004
[화학식 7]
Figure pat00005
[화학식 8]
Figure pat00006
[화학식 9]
Figure pat00007
상기 화학식 6 내지 상기 화학식 9에서 n은 2 내지 11의 자연수이고, m1 내지 m4는 서로 독립적으로 1 내지 4의 자연수이며, A1 및 A2는 서로 독립적으로
Figure pat00008
,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
(여기서, R은 H 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기), 탄소수 6 내지 30의 방향족 화합물(aromatic compound) 또는 탄소수 4 내지 20의 지방족 고리 화합물이며, A3은
Figure pat00011
또는 탄소수 6 내지 30의 방향족 화합물 또는 탄소수 4 내지 20의 지방족 고리 화합물이고, A4, A5 및 A6는 서로 독립적으로 단일 결합, -CH2-, -COO-, -OCO-, -S-, -O-, -CH2CH2O-, -OCH2CH2-, 탄소수 6 내지 30의 방향족 화합물 또는 탄소수 4 내지 20의 지방족 고리 화합물이며, X1 내지 X12는 서로 독립적으로 -OH, -NH2, 아크릴레이트기, 메타크릴레이트기, 비닐기 또는
Figure pat00012
를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터 위에 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막 위에 절연막을 사이에 두고 위치하는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 위에 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA)와 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나와 디아민의 공중합체, 그리고 알킬렌기(-CnH2n-, n은 자연수)를 포함하는 가교제를 포함하는 광배향제를 도포하는 단계, 상기 광배향제를 프리 베이크(pre-bake)하는 단계, 상기 프리 베이크 처리된 광배향제를 하드 베이크(hard-bake)하는 단계, 상기 하드 베이크 처리된 광배향제에 광원을 조사하여 광배향제를 광배향하는 단계, 및 상기 광원을 조사한 광배향제를 2차 베이크하는 단계를 포함하며, 상기 광배향제를 도포하는 단계에서, 상기 제1 기판의 가장자리부에 도포되는 상기 광배향제는 상기 제1 기판의 중심부에 도포되는 상기 광배향제 대비 30~70중량%를 도포하는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
이상과 같이 본 발명의 실시예에 따른 광배향막 및 액정 표시 장치의 제조 방법은 광배향막의 제조 시 광배향제의 물성, 열처리 조건 및 광배향제의 도포 조건의 조정을 통해 광배향막의 표면 두께의 단차를 최소화시킬 수 있고, 이로 인해 광배향막의 재작업(rework)성이 우수한 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향제가 분해되는 과정을 나타낸 구조식이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막이 등방성이서 이방성으로 변화되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막과 비교예에 따른 광배향막의 가장자리부를 촬영한 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 절단선 VI-VI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막의 제조 방법에 대해 도 1을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 순서도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막의 제조 방법은 광배향제를 기판에 도포하는 단계(S101), 기판에 도포된 광배향제를 55~65℃에서 프리 베이크(pre bake)하는 단계(S102), 프리 베이크된 광배향제를 200~250℃서 하드 베이크(hard bake)(S103) 하는 단계, 하드 베이크 처리된 광배향제를 자외선(UV)을 조사하는 단계(S104), 및 자외선(UV)을 조사한 광배향제를 200~250℃에서 2차 베이크하는 단계(S105)를 포함하며, 각 단계는 이하에서 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향제를 기판에 도포하는 단계(S101)부터 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광배향제는 (a) 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 와 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나의 화합물과 디아민의 공중합체 그리고 (b) 알킬렌기(-CnH2n-, n은 자연수)를 포함하는 가교제를 포함한다.
여기서, 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA)는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물일 수 있고, 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체는 하기 화학식 2로 표현되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00013
[
[화학식 2]
Figure pat00014
상기 화학식 2에서 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 또는 알킬기이고, X1 내지 X4 중 적어도 하나는 수소가 아니다. 사이클로부탄디안하이드라이드 유도체는 하기 화학식 2-1 및 하기 화학식 2-2로 표현되는 화합물일 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure pat00015
[화학식 2-2]
Figure pat00016
본 발명의 일 실시예에 따른 디아민은 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00017
디아민은 상기 화학식 3으로 표현되는 화합물에 한정되지 않고, 상기 화학식 3에서 고리 탄소에 연결된 수소가 알킬기, 할로겐, 황 등으로 치환된 화합물, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,5-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 4,4′-디아미노비페닐, 3,3′-디메틸-4,4′-디아미노비페닐, 3,3′-디메톡시-4,4′-디아미노비페닐, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐에테르, 2,2′-디아미노디페닐프로판, 비스(3,5-디에틸4-아미노페닐)메탄, 디아미노디페닐술폰, 디아미노벤조페논, 디아미노나프탈렌, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4′-비스(4-아미노페녹시)디페닐술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 등의 방향족 디아민, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 비스(4-아미노-3-메틸시클로헥실)메탄 등의 지환식 디아민 및 테트라메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 지방족 디아민 등일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광배향제의 공중합체는 하기 화학식 4 및 하기 화학식 5로 표현되는 반복 단위 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00018
[화학식 5]
Figure pat00019
상기 화학식 5에서 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 또는 알킬기이고, X1 내지 X4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 가교제는 하기 화학식 6 내지 화학식 9로 표현되는 화합물들 중 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00020
[화학식 7]
Figure pat00021
[화학식 8]
Figure pat00022
[화학식 9]
Figure pat00023
상기 화학식 6 내지 화학식 9에서 n은 2 내지 11의 자연수이고, m1 내지 m4는 각각 독립적으로 1 내지 4의 자연수이다.
상기 화학식 6 내지 화학식 9에서 A1 및 A2는 서로 독립적으로
Figure pat00024
,
Figure pat00025
,
Figure pat00026
(여기서, R은 H 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기), 탄소수 6 내지 30의 방향족 화합물(aromatic compound) 또는 탄소수 4 내지 20의 지방족 고리 화합물이며, A3은
Figure pat00027
또는 탄소수 6 내지 30의 방향족 화합물 또는 탄소수 4 내지 20의 지방족 고리 화합물이고, A4, A5 및 A6는 서로 독립적으로 단일 결합, -CH2-, -COO-, -OCO-, -S-, -O-, -CH2CH2O-, -OCH2CH2-, 탄소수 6 내지 30의 방향족 화합물 또는 탄소수 4 내지 20의 지방족 고리 화합물이다. 여기서, 방향족 화합물은 예시로 특별히 제한되는 것은 아니지만 페닐기, 알킬 치환된 페닐, 불소 치환된 페닐, 바이페닐, 나프탈렌, 안트라센, 펜타센일 수 있고, 지방족 고리 화합물은 예시로 특별히 제한되는 것은 아니지만 사이클로헥산, 사이클로부탄, 사이클로펜탄일 수 있다.
상기 화학식 6 내지 화학식 9에서 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11 및 X12는 서로 독립적으로 -OH, -NH2, 아크릴레이트기, 메타크릴레이트기, 비닐기 또는
Figure pat00028
를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 가교제는 광배향제 전체 함량에 대략 3중량% 이상 10중량% 이하로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 5중량% 이상 7중량% 이하로 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 가교제는 하기 화학식 10으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 10]
Figure pat00029
상기 화학식 10에서 n은 3 내지 11의 자연수이고, X13 및 X14는 각각 독립적으로 -(CH2)m-O-, -O-(CH2)m-, -(CH2)m-S-, -S-(CH2)m- (여기서, m은 1 내지 10의 자연수임),
Figure pat00030
, 탄소수 6 내지 30의 방향족 화합물 또는 탄소수 4 내지 20의 지방족 고리 화합물이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 가교제는 하기 화학식 11로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 11]
Figure pat00031
이처럼, 본 발명의 일 실시예에 따른 가교제는 유연기(flexible group)에 해당하는 알킬렌기(-CH2-)를 포함하기 때문에, 본 발명의 일 실시예에 따른 가교제가 첨가된 광배향제를 사용하여 형성된 광배향막은 막경도를 개선하면서 잔상 악화를 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광배향제는 (a) 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 와 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나의 화합물과 디아민의 공중합체 그리고 (b) 알킬렌기(-CnH2n-, n은 자연수)를 포함하는 가교제가 용매에 혼합된 형태로 사용될 수 있다.
용매는 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 및 2-부틸 셀로솔브(BC) 중 선택된 1종 이상을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기 용매로서 사이클로펜탄올(cyclopentanol); 1-클로로부탄, 클로로벤젠, 1,1-디클로로에탄, 1,2-디클로로에탄, 클로로포름, 1,1,2,2-테트라클로로에탄 등의 할로겐계 용매; 디에틸에테르, 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥산 등의 에테르계 용매; 메틸에틸케톤(MEK), 아세톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 등의 아세테이트계 용매; 초산에틸 등의 에스테르계 용매; γ-부티로락톤 의 아세테이트계 용매; 초산에틸 등의 에스테르계 용매등의 락톤계 용매; 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 등의 카보네이트계 용매; 트리에틸아민, 피리딘 등의 아민계 용매; 아세토니트릴 등의 니트릴계 용매; N,N'-디메틸포름아미드(DMF), N,N'-디메틸아세트아미드(DMAc), 테트라메틸요소 등의 아미드계 용매; 니트로메탄, 니트로벤젠 등의 니트로계 용매; 디메틸 설폭사이드(DMSO), 설포란 등의 설파이드계 용매; 헥사메틸인산아미드, 트리n-부틸인산 등의 인산계 용매가 있으며, 1 개 이상의 용매가 혼합되어 사용될 수 있다.
이렇게, 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 와 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나의 화합물과 디아민의 공중합체가 용매에 혼합되어 폴리아믹산을 형성할 수 있으며, 폴리아믹산에 가교제를 첨가하여 폴리아믹산과 가교제를 포함하는 광배향제가 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광배향제의 점도는 27~33cP(centi-poise)로 형성될 수 있다. 광배향제의 점도는 폴리아믹산과 가교제의 농도 조절을 통해 조절 가능하다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향제를 기판에 도포하게 되는데, 기판의 가장자리부에는 기판의 중심부에 도포되는 광배향제의 양 대비 30~70중량%의 광배향제만을 도포한다. 즉, 기판의 중심부에 도포되는 광배향제 대비 기판의 가장자리부에는 적은 양의 광배향제를 도포한다.
여기서, 기판의 가장자리부는 광배향막을 형성하고자 하는 기판의 최외곽부 0.5~ 1.5mm 정도를 의미하고, 기판의 중심부는 기판의 가장자리부를 제외한 나머지 영역을 의미한다.
다음으로, 기판에 도포된 광배향제를 프리 베이크(pre bake)하는 단계(S102)에 대해서 설명한다.
기판의 중심부 및 가장자리부에 서로 상이한 양으로 도포된 광배향제를 55~65℃의 온도에서 60~80초간 열원(heating source)를 이용한 열을 가하여 프리 베이크를 수행할 수 있다.
이는 55℃ 미만의 온도에서 프리 베이크를 수행할 경우 용매의 제거가 충분히 되지 않거나 광배향제가 기판 전면에 고르게 도포되지 않을 수 있으며, 65℃ 초과의 온도에서 프리베이크를 수행할 경우 광배향막의 형성이 급격히 이루어져 지나치게 경화될 수 있기 때문이다.
프리 베이크 단계를 통해 용매가 제거될 수 있고, 광배향제가 기판 전면에 도포되어 광배향막이 형성될 수 있다.
그 다음, 프리 베이크 된 광배향제를 하드 베이크(hard bake)(S103) 단계를 수행한다.
프리 베이크를 수행한 광배향제를 200~250℃의 온도에서 1000~1500초간 열원을 이용한 열을 가하여 하드 베이크를 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴리아믹산과 가교제를 포함하는 광배향제는 하드 베이크 단계에서 폴리아믹산은 폴리이미드로 변할 수 있고, 가교제가 에스터화 반응(esterification)을 하여 폴리이미드와 결합될 수 있다.
다음으로, 하드 베이크 처리된 광배향제에 편광된 광을 조사하는 단계(S104)를 통해 광배향제를 일정한 방향성을 갖는 광배향막을 형성할 수 있다. 여기서 광은 자외선(UV)일 수 있다.
이 때, 조사되는 광은 230 나노미터 이상 380 나노미터 이하의 범위를 갖는 자외선을 사용할 수 있다. 바람직하게는 254 나노미터의 자외선을 사용할 수 있다. 상기 편광된 광은 0.20 J/cm2 이상 1.0 J/cm2 이하의 에너지를 포함할 수 있고, 바람직하게는 0.40J/cm2 이상 0.50J/cm2 이하의 에너지를 포함할 수 있다.
그 다음, 광을 조사한 광배향제를 2차 베이크하는 단계(S105)를 수행하여 광배향막을 더욱 완전하게 경화시키고, 광분해된 분자가 재배열(rearrangement)하여 배향성을 증가시킬 수 있다.
2차 베이크 단계는 200~250℃에서 1000~1500초간 열원을 이용한 열을 가하여 수행할 수 있다.
이렇게 형성된 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막은 기판의 중심부의 두께 및 기판의 가장자리부 두께의 비율이 1:1~ 1:2로 형성될 수 있다.
구체적으로 기판의 중심부에 형성된 광배향막의 두께는 700~900Å 일 수 있으며, 기판의 가장자리부에 형성된 광배향막의 두께는 1400~1800Å 일 수 있으나, 기판의 중심부 및 가장자리부의 두께 비율이 1:1~ 1:2 범위 내라면 이에 한정되지 않는다.
일반적으로, 광배향제를 기판 전면에 고르게 동일한 양을 도포하여 광배향막을 형성할 경우 공정 단계에 따라 광배향제가 기판의 가장자리 부분으로 많이 몰려 형성되게 되며, 이로 인해 기판의 중심부 광배향막과 대비할 때, 기판의 가장자리부 광배향막의 두께가 지나치게 두껍게 형성될 수 있다.
실제 측정 결과, 기판의 중심부 광배향막의 두께가 800Å 정도인 경우에 기판의 가장자리부 광배향막의 두께는 3배 이상 더 두꺼운 2500Å 정도로 형성되는 것을 확인할 수 있다.
기판의 가장자리부 광배향막의 두께가 지나치게 두껍게 형성된 경우, 광배향막의 불량으로 인해 광배향막을 제거하고 재형성하는 재작업(rework) 과정에서 가장자리부 광배향막이 완전히 제거되기 어려운 문제점이 있다.
재작업 과정에서 광배향막 세정액에 의해 불량 광배향막이 완전히 제거되지 못할 경우, 완전히 제거되지 않은 가장자리부 광배향막은 잔류 세정액을 머금고 있을 수 있으며, 그 위에 새로운 광배향막이 재형성될 경우 표시 장치의 테두리 얼룩, 잔상 등의 표시 불량을 유발할 수 있다.
이에 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막의 제조 방법은 낮은 점도의 광배향제의 사용하고, 프리 베이크를 다소 낮은 온도에서 수행하고, 기판의 중심부에 도포되는 광배향제 대비 기판의 가장자리부에는 적은 양의 광배향제를 도포하는 제조 과정을 통해서 기판의 가장자리부 광배향막의 두께가 두껍게 형성되는 것을 방지할 수 있다.
이렇게 기판의 가장자리부 광배향막의 두께를 기존 광배향막 대비 얇게 형성함으로써, 광배향막의 재작업 과정에서 발생할 수 있는 불량을 미연에 방지할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참고하여, 본 발명의 실시예에 따른 광배향제의 분해 과정 및 이방성으로 변화되는 과정에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향제가 분해되는 과정을 나타낸 구조식이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막이 등방성이서 이방성으로 변화되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 2를 참고하면, 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA)와 디아민(diamine)이 공중합하여 폴리아믹산을 형성한 이후에 베이크 공정을 통해 폴리이미드(Unit 1)를 형성하고, 폴리이미드에 UV 조사하면 말레이미드(Unit 1')를 형성한다.
도 3은 도 2에 도시한 폴리이미드(Unit 1)를 포함하는 고분자 주쇄가 편광된 UV 조사에 따라 분해되어 배향하는 것을 나타낸다. 도 3을 참고하면, 등방성 고분자 주쇄에 편광된 UV를 조사하면 편광 방향(흡수축 방향)으로 광분해가 일어나서 편광에 수직한 방향으로 광배향막이 배향될 수 있다. 여기서, 노광량이 너무 작으면 분해율이 작아 배향성이 저하될 수 있다. 반대로, 노광량이 너무 커지면 분해율이 커져 편광 방향뿐만 아니라 다른 방향으로도 분해가 일어나서 배향성이 저하될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향제에 포함되는 가교제는 유연한(flexible) 성질을 가지기 때문에, 2차 베이크 과정에서 광분해 분자들의 재배열이 원활하게 진행될 수 있다.
그러면, 도 4를 참고하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막의 제조 방법에 의해 제조된 광배향막과 기존의 광배향막의 두께를 비교한 실험 결과에 대해서 살펴본다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막(b)과 비교예에 따른 광배향막(a)의 가장자리부를 촬영한 사진이다.
비교예는 점도가 40cP인 광배향제를 사용하였으며, 프리 베이크를 75℃에서 수행하였고, 기판의 중심부와 가장자리부에 균일한 양의 광배향제를 도포한 것 이 외에는 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막의 제조 방법과 동일한 과정을 통해 광배향막을 제조하였다.
도 4에 도시된 바와 같이, 비교예에 따른 기판의 가장자리부 광배향막은 두껍게 형성되어 단차를 형성하고 있는 반면에, 본 발명의 실시예에 따른 기판의 가장자리부 광배향막은 비교적 얇게 형성되어 있어 단차가 관찰되지 않는 것을 확인할 수 있었다.
이하에서는 도 5 및 도 6을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막을 포함하는 액정 표시 장치에 대해서 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 6은 도 5의 절단선 VI-VI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주보는 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)과 그 사이 주입되어 있는 액정층(3)을 포함한다.
먼저, 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 제1 기판(110) 위에 게이트선(121)을 포함하는 게이트 도전체가 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 전극(124) 및 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 게이트선(121)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 게이트선(121)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
게이트선(121) 위에는 규소 질화물(SiNx) 또는 규소 산화물(SiOx) 등으로 이루어지는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층막 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어진 반도체층(154)이 위치한다. 반도체층(154)은 산화물 반도체로 형성될 수도 있다.
반도체층(154) 위에는 저항성 접촉 부재(163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 인(phosphorus) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 쌍을 이루어 반도체층(154) 위에 배치될 수 있다. 반도체층(154)이 산화물 반도체인 경우, 저항성 접촉 부재(163, 165)는 생략 가능하다.
저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 소스 전극(173)을 포함하는 데이터선(171)과 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다.
데이터선(171)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다. 데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다.
이 때, 데이터선(171)은 액정 표시 장치의 최대 투과율을 얻기 위해서 굽어진 형상을 갖는 굴곡부를 가질 수 있으며, 굴곡부는 화소 영역의 중간 영역에서 서로 만나 V자 형태를 이룰 수 있다.
소스 전극(173)은 데이터선(171)의 일부이고, 데이터선(171)과 동일선 상에 배치된다. 드레인 전극(175)은 소스 전극(173)과 나란하게 뻗도록 형성되어 있다. 따라서, 드레인 전극(175)은 데이터선(171)의 일부와 나란하다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층(154) 부분에 형성된다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 데이터선(171)과 동일선 상에 위치하는 소스 전극(173)과 데이터선(171)과 나란하게 뻗어 있는 드레인 전극(175)을 포함함으로써, 데이터 도전체가 차지하는 면적을 넓히지 않고도 박막 트랜지스터의 폭을 넓힐 수 있게 되고, 이에 따라 액정 표시 장치의 개구율이 증가할 수 있다.
데이터선(171)과 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다.
데이터 도전체(171, 173, 175), 게이트 절연막(140), 그리고 반도체(154)의 노출된 부분 위에는 제1 보호막(180a)이 배치되어 있다. 제1 보호막(180a)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질 등으로 이루어질 수 있다.
제1 보호막(180a) 위에는 제2 보호막(180b)이 형성되어 있다. 제2 보호막(180b)은 유기 절연물로 이루어질 수 있다.
제2 보호막(180b)은 색필터일 수 있다. 제2 보호막(180b)이 색필터인 경우, 제2 보호막(180b)은 기본색(primary color) 중 하나를 고유하게 표시할 수 있으며, 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색 등 삼원색 또는 황색(yellow), 청록색(cyan), 자홍색(magenta) 등을 들 수 있다. 도시하지는 않았지만, 색필터는 기본색 외에 기본색의 혼합색 또는 백색(white)을 표시하는 색필터를 더 포함할 수 있다. 제2 보호막(180b)이 색필터인 경우에는 후술한 상부 표시판(200)에서 색필터(230)는 생략할 수 있다. 본 실시예와 달리 제2 보호막(180b)은 유기 절연 물질로 형성하고, 제1 보호막(180a)과 제2 보호막(180b) 사이에 색필터(미도시)를 형성할 수도 있다.
제2 보호막(180b) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 면형(planar shape)으로서 기판(110) 전면 위에 통판으로 형성되어 있을 수 있고, 드레인 전극(175) 주변에 대응하는 영역에 배치되어 있는 개구부(138)를 가진다. 즉, 공통 전극(270)은 판 형태의 평면 형태를 가질 수 있다.
인접 화소에 위치하는 공통 전극(270)은 서로 연결되어, 표시 영역 외부에서 공급되는 일정한 크기의 공통 전압을 전달 받을 수 있다.
공통 전극(270) 위에는 절연막(180c)이 위치한다. 절연막(180c)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질 등으로 이루어질 수 있다.
절연막(180c) 위에는 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 데이터선(171)의 굴곡부와 거의 나란한 굴곡변(curved edge)을 포함한다. 화소 전극(191)은 복수의 절개부(91)를 가지며, 이웃하는 절개부(91)에 사이에 위치하는 복수의 가지 전극(192)을 포함한다.
화소 전극(191)은 제1 전기장 생성 전극 또는 제1 전극이고, 공통 전극(270)은 제2 전기장 생성 전극 또는 제2 전극이다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 프린지 필드 등을 형성할 수 있다.
제1 보호막(180a), 제2 보호막(180b), 그리고 절연막(180c)에는 드레인 전극(175)을 드러내는 제1 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적 전기적으로 연결되어, 드레인 전극(175)으로부터 전압을 인가 받는다.
화소 전극(191)과 절연층(180c) 위에는 제1 배향막(alignment layer)(11)이 형성되어 있다. 제1 배향막(11)은 광배향막을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 배향막(11)은 앞에서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 광배향막을 포함한다.
상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제2 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며 빛샘을 막아준다.
제2 기판(210) 위에는 또한 복수의 색필터(230)가 형성되어 있다. 하부 표시판(100)의 제2 보호막(180b)이 색필터인 경우, 또는 하부 표시판(100)에 색필터를 형성한 경우에 상부 표시판(200)의 색필터(230)는 생략될 수 있다. 또한, 상부 표시판(200)의 차광 부재(220) 역시 하부 표시판(100)에 형성될 수 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 (유기) 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)가 노출되는 것을 방지하고 평탄면을 제공한다. 덮개막(250)은 생략할 수 있다.
덮개막(250) 위에는 제2 배향막(21)이 형성되어 있다. 제2 배향막(21)은 앞에서 설명한 제1 배향막(11)과 동일한 물질 및 방법으로 형성할 수 있다.
본 실시예에서 액정층(3)은 음의 유전율 이방성 또는 양의 유전율 이방성을 가지는 액정을 포함할 수 있다.
액정층(3)의 액정은 그 장축 방향이 표시판(100, 200)에 평행하게 배열될 수 있다.
화소 전극(191)은 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받고, 공통 전극(270)은 표시 영역 외부에 배치되어 있는 공통 전압 인가부로부터 일정한 크기의 공통 전압을 인가 받는다.
전기장 생성 전극인 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 전기장을 생성함으로써 두 전기장 생성 전극(191, 270) 위에 위치하는 액정층(3)의 액정은 전기장의 방향과 수직하거나 평행한 방향으로 회전할 수 있다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 회전 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 편광이 달라진다.
이처럼, 하나의 표시판(100) 위에 두 개의 전기장 생성 전극(191, 270)을 형성함으로써, 액정 표시 장치의 투과율을 높아지고, 광시야각을 구현할 수 있다.
도시한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 공통 전극(270)이 면형의 평면 형태를 가지고, 화소 전극(191)이 복수의 가지 전극을 가지지만, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 화소 전극(191)이 면형이 평면 형태를 가지고, 공통 전극(270)이 복수의 가지 전극을 가질 수도 있다.
본 발명은 두 개의 전기장 생성 전극이 제1 기판(110) 위에 절연층을 사이에 두고 중첩하며, 절연층 아래에 형성되어 있는 제1 전기장 생성 전극이 면형의 평면 형태를 가지고, 절연층 위에 형성되어 있는 제2 전기장 생성 전극이 복수의 가지 전극을 가지는 모든 다른 경우에 적용 가능하다.
이상과 같이 본 발명의 실시예에 따른 광배향막 및 액정 표시 장치의 제조 방법은 광배향막의 제조 시 광배향제의 물성, 열처리 조건 및 광배향제의 도포 조건의 조정을 통해 광배향막의 표면 두께의 단차를 최소화시킬 수 있고, 이로 인해 광배향막의 재작업(rework)성이 우수한 장점이 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
154: 반도체층 163, 165: 저항성 접촉 부재
171: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180a, 180b, 180c: 보호막
191: 화소 전극 270: 공통 전극

Claims (20)

  1. 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA)와 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나와 디아민의 공중합체, 그리고 알킬렌기(-CnH2n-, n은 자연수)를 포함하는 가교제를 포함하는 광배향제를 기판에 도포하는 단계,
    상기 기판에 도포된 상기 광배향제를 프리 베이크(pre-bake)하는 단계,
    상기 프리 베이크 처리된 광배향제를 하드 베이크(hard-bake)하는 단계,
    상기 하드 베이크 처리된 광배향제에 광원을 조사하여 광배향제를 광배향하는 단계, 및
    상기 광원을 조사한 광배향제를 2차 베이크하는 단계를 포함하며,
    상기 광배향제를 기판에 도포하는 단계에서,
    상기 기판의 가장자리부에 도포되는 상기 광배향제는 상기 기판의 중심부에 도포되는 상기 광배향제 대비 30~70중량%를 도포하는 광배향막의 제조 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 광배향제는 유기 용매를 더 포함하며,
    상기 광배향제의 점도는 27~33cP(centi-poise)로 형성하는 광배향막의 제조 방법.
  3. 제2항에서,
    상기 프리 베이크 단계는 상기 광배향제를 55~65℃의 온도에서 60~80초간 열처리하는 광배향막의 제조 방법.
  4. 제3항에서,
    상기 하드 베이크 단계는 상기 광배향제를 200~250℃의 온도에서 1000~1500초간 열처리하는 광배향막의 제조 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 광원을 조사하는 단계는 230 나노미터 이상 380 나노미터 이하의 범위를 갖는 자외선을 사용하여 수행하는 광배향막의 제조 방법.
  6. 제5항에서,
    상기 2차 베이크 단계는 200~250℃에서 1000~1500초간 열처리하는 광배향막의 제조 방법.
  7. 제3항에서,
    상기 기판 중심부 및 가장자리부의 상기 광배향막의 두께 비율은 1:1~1:2로 형성하는 광배향막의 제조 방법.
  8. 제7항에서,
    상기 기판 중심부의 상기 광배향막은 700~900Å 두께로 형성하는 광배향막의 제조 방법.
  9. 제8항에서,
    상기 기판 가장자리부의 상기 광배향막은 1400~1800Å 두께로 형성하는 광배향막의 제조 방법.
  10. 제7항에서,
    상기 광배향막 세정액을 사용하여 상기 광배향막을 제거하는 단계, 및
    상기 광배향막을 재형성하는 단계를 더 포함하는 광배향막의 제조 방법.
  11. 제3항에서,
    상기 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA)는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하고, 상기 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체는 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함하는 광배향막의 제조 방법.
    [화학식 1]
    Figure pat00032

    [화학식 2]
    Figure pat00033

    상기 화학식 2에서 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 또는 알킬기이고, X1 내지 X4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
  12. 제11항에서,
    상기 디아민은 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물을 포함하는 광배향막의 제조 방법.
    [화학식 3]
    Figure pat00034
  13. 제12항에서,
    상기 공중합체는 폴리아믹산을 포함하는 광배향막의 제조 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 가교제는 하기 화학식 6 내지 하기 화학식 9로 표현되는 화합물들 중 적어도 하나의 화합물을 포함하는 광배향막의 제조 방법.
    [화학식 6]
    Figure pat00035

    [화학식 7]
    Figure pat00036

    [화학식 8]
    Figure pat00037

    [화학식 9]
    Figure pat00038

    상기 화학식 6 내지 상기 화학식 9에서 n은 2 내지 11의 자연수이고, m1 내지 m4는 서로 독립적으로 1 내지 4의 자연수이며, A1 및 A2는 서로 독립적으로
    Figure pat00039
    ,
    Figure pat00040
    ,
    Figure pat00041
    (여기서, R은 H 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기), 탄소수 6 내지 30의 방향족 화합물(aromatic compound) 또는 탄소수 4 내지 20의 지방족 고리 화합물이며, A3은
    Figure pat00042
    또는 탄소수 6 내지 30의 방향족 화합물 또는 탄소수 4 내지 20의 지방족 고리 화합물이고, A4, A5 및 A6는 서로 독립적으로 단일 결합, -CH2-, -COO-, -OCO-, -S-, -O-, -CH2CH2O-, -OCH2CH2-, 탄소수 6 내지 30의 방향족 화합물 또는 탄소수 4 내지 20의 지방족 고리 화합물이며, X1 내지 X12는 서로 독립적으로 -OH, -NH2, 아크릴레이트기, 메타크릴레이트기, 비닐기 또는
    Figure pat00043
    를 포함한다
  15. 제1 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,
    상기 박막 트랜지스터 위에 보호막을 형성하는 단계,
    상기 보호막 위에 절연막을 사이에 두고 위치하는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계,
    상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 위에 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA)와 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나와 디아민의 공중합체, 그리고 알킬렌기(-CnH2n-, n은 자연수)를 포함하는 가교제를 포함하는 광배향제를 도포하는 단계,
    상기 광배향제를 프리 베이크(pre-bake)하는 단계,
    상기 프리 베이크 처리된 광배향제를 하드 베이크(hard-bake)하는 단계,
    상기 하드 베이크 처리된 광배향제에 광원을 조사하여 광배향제를 광배향하는 단계, 및
    상기 광원을 조사한 광배향제를 2차 베이크하는 단계를 포함하며,
    상기 광배향제를 도포하는 단계에서,
    상기 제1 기판의 가장자리부에 도포되는 상기 광배향제는 상기 제1 기판의 중심부에 도포되는 상기 광배향제 대비 30~70중량%를 도포하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 광배향제의 점도는 27~33cP(centi-poise)로 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 프리 베이크 단계는 상기 광배향제를 55~65℃의 온도에서 60~80초간 열처리하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 제1 기판 중심부 및 가장자리부의 상기 광배향막의 두께 비율은 1:1~1:2로 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 제1 기판 중심부의 상기 광배향막은 700~900Å 두께로 형성하고,
    상기 제1 기판 가장자리부의 상기 광배향막은 1400~1800Å 두께로 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제18항에서,
    상기 광배향막 세정액을 사용하여 상기 광배향막을 제거하는 단계, 및
    상기 광배향막을 재형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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