TWI653428B - 以非破壞和明白的方式測量整塊介電材料之厚度或測量整塊介電材料中的特徵之深度的方法和設備以及影像形成方法 - Google Patents

Abstract

揭示的是整塊介電材料厚度的增進測量。微波輻射在介電常數有所改變的介面(譬如部件的後壁)被部分反射。反射的微波在至少二個分開的偵測器之每一者結合了部分的出發束。造成一對正弦或近似正弦波。厚度或深度測量的增進是利用了在分享共同微波來源之偵測器的多個正弦或近似正弦駐波之間的相位和振幅關係。這些關係則用於測定訊號和厚度或深度之間的明白關係。

Description

以非破壞和明白的方式測量整塊介電材料之厚度或測量整塊介電材料中的特徵之深度的方法和設備以及影像形成方法

本發明關於介電材料中的特徵深度、介電材料的厚度之非破壞性測定的設備和方法，以及關於將如此測定的厚度資訊用於整塊介電材料的非破壞性評估(nondestructive evaluation，NDE)。

對於測試整塊介電材料的裂隙、缺陷、不規則和其他特徵之改良的非破壞性手段，尤其對於當給定僅能靠近檢視下之部件的一側時來測定整塊介電材料的絕對厚度，有未滿足的需求。附帶而言，對於當整塊介電材料的厚度是已知時來測定密度(或孔隙度)變化之改良的非破壞性手段，有未滿足的需求。舉例而言，對於以三維體積來審視介電材料並且測量厚度和厚度改變二者之改良的非破壞性手段，有未滿足的需求。對於已經服務一段時間之製造的介電構件而言，剩餘厚度常常重要之處在於作為 構件之剩餘壽命的指示；但是當僅可接近構件的一表面時，測量厚度可以是困難的。密度也可以是製造的介電構件之可服務性的主要指示，因為密度常常直接關聯於構件的強度。雖然製造之部件的尺寸常常是已知的或易於測量，但是更難的是測定密度和密度變化。對於整塊介電材料的厚度是已知時而非破壞性測定其密度和密度改變的改良手段，有未滿足的需求。

舉例而言，對於測量介電貯槽和管路中的剩餘壁厚度之增進的非破壞性手段，有未滿足的需求。(本發明具有許多應用，並且不限於檢視貯槽和管路。)

現代化學處理常常涉及使用介電材料做成的構件。常見的介電材料產品形式包括纖維強化塑膠(常常稱為「玻璃纖維」(fiberglass)或「FRP」)的管路和容器。這些材料通常也用於現代基礎建設，例如飲用水和廢水處理。對於非破壞性測量此種材料厚度的改良手段，特別是對於當製品保持在服務中並且僅可接近介電構件之一側時所可以採用的手段，有未滿足的需求。(本發明具有許多應用，並且不限於檢視FRP。)

由於常常用於多樣製程之流體的腐蝕性或研磨性，故壁厚度常常隨著時間而變小，而為服務所引發之劣化的直接結果。這些服務引發的厚度改變是難以透過習用的手段而被非破壞性偵測。

很想要的是測試方法應為非破壞性的，並且不論設施是正在運作或空閒，該方法都應為可用的。再者，因為構件外面的接近空間可以是有限的，並且構件的幾何型態可以是複雜的，所以偵測機器之必須接觸構件(或在構件附近)的任何部分應該夠小以容納於可得的空間和幾何型態。

當要測試的構件是由金屬做成時，可以使用良好建立的超音 波檢視技術。然而，超音波檢視無法有效用於強化的介電材料，因為結構纖維幾乎散射所有的聲音能量，並且返回極少可用的訊號。複合材料做的篩網或織物強烈的散射和分散超音波，以致所得的反射有極多雜音。渦電流測量或磁性測量在這些材料也不太行，因為這些材料不導電。

照相術也不是特別有用。雖然X光照相術可以用於偵測整塊密度的改變或偵測厚度的改變，但是它須要接近檢視下之構件的二側。這使X光照相術對於許多構件的服務中檢視是無效的。

對於測量密度的改良方法有未滿足之需求的另一範例落在工程陶瓷複合物的領域。於此種複合物，強化纖維和基質都是由陶瓷材料所做成。典型而言，纖維係編織或另外安排到支持結構裡，在此裡面則以化學方法來沉積基質。基質典型而言是反覆的沉積。導致沉積的化學反應發生於接續的步驟，而每個步驟沉積額外的陶瓷材料到強化纖維之間的空隙。由於纖維的位置和部件的外邊界不改變，故部件的空隙度隨著每次重複而減低(並且其密度對應的增加)。當部件是高度工程化並且其實體尺寸受到緊密控制時，以英吋或毫米所測量的實體厚度一般是已知於緊密的容限裡。因為部件的強度典型而言是其密度的函數，所以會很想要具有改良的非破壞性手段來測量密度。超音波方法對於測定此種材料的密度而言沒有效，這是因為音波被強化纖維散射的緣故。渦電流或磁性方法也不能使用，因為陶瓷複合物整塊是非導體。雖然密度的改變可以由照相術所偵測，但是陶瓷複合物應用中有興趣的改變典型而言是太小而不能被習用的照相術所解析。附帶而言，照相術須要接近部件的二側，為此緣故則在許多環境下不是可接受的方法。

微波測試技術的概觀是在A.Bahr的微波非破壞性測試方法(1982年)。

幾種微波非破壞性測試技術係揭示於A.Lucian等人的「檢視非金屬材料和複合物之微波NDT科技的發展」(航空和武器系統構件和材料之非破壞性評估的第六屆研討會會議錄，第199~232頁，德州San Antonio，1967年)。

J.Kurian等人的「基於微處理器的儀器所支持之用於非金屬介質的微波非破壞性裂隙/缺陷偵測系統」(微波功率和電磁能量期刊，第24冊第74~78頁，1989年)揭示偵測輪胎中之缺陷的方法，其係測量來自輪胎裡之二極發送天線的微波穿過胎面的穿透度，而穿透度是由偵測器的線性陣列所偵測。穿透度的差異性速率則關聯於厚度的改變或缺陷。

C.Howell等人的「低成本工業AM-CW微波距離感測器在工業控制的應用」(無日期)揭示微波距離感測器以測量從約15公分到約6公尺遠的物體距離，其係測量反射自物體的返回振幅調變過之微波訊號的相位角。

美國專利第3,278,841號揭示微波裂隙偵測系統，其特別用於大的固態推進燃料的火箭發動機。微波從內部的推進燃料所透射、從金屬箱殼反射、由偏移於微波發送器的接收器所偵測。接收訊號的強度不規則係關聯於推進燃料中的裂隙或其他瑕疵。

美國專利第4,520,308號揭示用於測量介電材料之厚度的系統，其測量沿著相鄰於正在測量厚度之材料的微波條線導體所透射之微波的相位移。也見美國專利第4,123,703號。

美國專利第2,999,982號揭示微波偵測緊緻材料(例如拋光玻璃)中的非均質性之基於都卜勒(Doppler)效應的方法。相對為高的掃描速度係用於產生都卜勒效應。於一給定的範例，玻璃相對於偵測器的速度是每秒650公分。

美國專利第3,144,601號揭示微波偵測非導電材料(例如玻璃片和板)中之非均質性的方法。偵測係進行如下：單純測量反射微波的回音；測量穿透物體後的強度損失；或者混合入射波和反射波以生成拍音，特別是當正在審視的材料是在行進時(亦即偵測反射微波的頻率之都卜勒位移)。

美國專利第3,271,668號揭示使用微波來測量來自固態介電材料主體之表面的逐漸磨損速率；舉例而言，測量固態火箭發動機的燃燒輪廓。微波透射穿過燃料(或其他材料)，其表面將某些微波反射回到偵測器。入射微波和反射微波的相對相位則隨著從微波發送器到燃燒燃料表面的距離改變而變化，這允許將到燃料表面的距離測定成時間的函數。

美國專利第4,707,652號揭示偵測整塊材料中之雜質的技術，其測量入射在整塊材料上的微波輻射之散射的改變。

美國專利第4,514,680號揭示偵測木材中之節瘤的方法，其從二個相同強度但有180度相位移的來源發送微波穿過木材。在木材的相對側偵測到透射的微波。如果木材沒有節瘤，則在偵測器的微波場是空的；但是如果存在節瘤，則在偵測器之微波輻射的相位和振幅便有所更動。

美國專利第4,581,574號揭示測定具有導電表面的介電材料之平均介電常數的方法，其將微波從二個換能器發送到一片材料裡，並且測量反射微波的能量。藉由沿著該片平面上的多個路徑來測量平均介電常 數，則可以識別出該片裡之變化的位置。

美國專利第4,274,288號揭示測量表面裂隙(例如裂縫)之深度的聲波干涉方法。

美國專利第4,087,746號揭示測定介電材料中之光學異向性的方法，其測量透射穿過材料之微波的極化改變。

美國專利第6,172,510號揭示藉由聚焦到層狀材料之標靶部分上的微波輻射來探查標靶部分，其係調整天線的位置和指向並且建立用於天線發出之探查輻射的反射之單一傾斜入射路徑。沿著傾斜入射路徑獲得輻射訊號的測量，以提供評估和偵測正在探查的結構之標靶部分中的缺陷。

A.Khanfar等人的「使用模糊邏輯技術的微波近場非破壞性偵測和特徵化與混凝土結構中的解散」(複合結構，英國Elsevier，第62冊第335~339頁，2003年)揭示用於混凝土結構中之解散/裂隙偵測和評估的近場微波非破壞性測試技術。操作頻率和避開距離或可最佳化以達成對於存在的解散有最大的敏感度，該解散係視為額外層並且其改變有效反射係數的性質(相位和大小)。改變取決於解散的厚度和位置。多個頻率測量或可用於獲得解散位置和厚度資訊。模糊邏輯模型則描述將反射係數的相位、操作頻率、避開距離關聯於解散的厚度和深度。

S.Ganchev等人的「玻璃強化聚合複合物中之缺陷的微波偵測」(SPIE會議錄-美國光學工程國際學會，第2275冊第11~20頁，1994年)揭示使用微波來偵測玻璃強化聚合複合物中的缺陷和裂隙。避開距離和頻率係研究作為增加偵測敏感度的手段。

非破壞性測試介電構件之先前的微波方法採用實際的駐波。見美國專利第6,359,446、7,777,499、6,653,847、8,035,400號。這些方法雖然對於在小範圍(正被檢視之材料中加或減1/4個波長「λ」)來偵測和特徵化厚度或密度的改變是有效的，不過於某些情況下可以給出模糊的結果。對於厚度或密度的幾個不同值可以對應於測量輸出的單一值。儘管這些稍早方法代表了有所改良，不過第8,035,400號專利坦承：「解讀干涉儀訊號上可以有模糊性，因為在間隔半波長的整數倍之試片裡的點可能起初不是彼此區分，這是由於從此等點所反射的波有相同相位的緣故(在此討論的波長是在材料裡，其一般異於空氣或真空中的波長，而取決於折射率)。」提出的一種解決方案是「如果選擇頻率以減少橫越試片厚度所需的波長數目，則吾人可以在選擇的深度範圍以最小的模糊性來增進敏感度。於試片厚度是小於(較佳而言是實質小於)半波長的特殊情形，成像可以針對試片裡之單一、極窄的厚度帶做最佳化。」然而，當試片的厚度可以是波長的幾倍時，沒有提出對於解決這些模糊性之更一般問題的解決方案。對於可以解決在測量整塊介電厚度、密度或特徵之此種模糊性的改良測試方法，有未滿足的需求。

也見美國專利第5,539,322、5,574,379、5,216,372、6,005,397、3,025,463、4,344,030、4,754,214、5,384,543、7,190,177號；日本專利第61274209號摘要；以及國際專利公告案第9710514號。

我已經發現測定整塊介電材料之深度和厚度的改良高解析度方法和設備。我已經發現解析深度或厚度之模糊性的新穎方式，該模糊 性在稍早基於干涉儀的非破壞性測量技術是懸而未決的。該新穎的方法可以用高精確度來明白的解析深度和厚度。單色輻射(較佳而言是微波輻射，更佳而言是在5~50GHz頻率範圍的微波)係用於審視樣品。微波在介電常數有所改變的每個特徵被部分反射(譬如隨著微波束遭遇檢視下之試片的後壁來測量厚度改變，而變化試片後壁與微波來源和偵測器之間的距離)。於較佳具體態樣，設備包括單一微波來源和二或更多個偵測器。偵測器之間的(多個)距離(因此和其相位關係)是已知的(或可以測量)。部分的透射束係結合了檢視下之試片所反射的訊號。雖然這二個訊號具有相同的頻率，但是振幅和相位可以有所不同。訊號在每個偵測器的位置結合以產生干涉圖案，而圖案隨著試片厚度改變而改變，或者隨著試片相對於偵測器的位置改變而改變。對於每個偵測器而言，審視用的輻射可以視為如同正弦(或近似正弦)駐波。如果吾人僅使用單一偵測器，則偵測器輸出和樣品厚度之間的關係會產生模糊的厚度測量，而隨著厚度改變，厚度中每1/4個波長(或λ/4)便發生相同的輸出值(假設所有其他的參數保持不變)。無論偵測器的間距為何(間距是否以距離或相位來測量)，單純以多個偵測器來重複測量不會解決模糊性。

如本說明書和申請專利範圍所使用，除非上下文明確另有所指，否則例如「厚度」、「深度」和類似的辭彙應理解成在第一例中指稱以用於進行檢視之微波能量的波長之單位(λ)所測量的距離，其中該波長是檢視下之材料中的有效波長，其一般將異於空氣(或真空)中的波長。轉換到其他方便的單位(譬如毫米、公分、英吋)可以如所要的輕易進行。基本而言，依據本發明的起初測定係測定單位波長於正被檢視之材料中的數目，而再轉 換成次要的或衍生自因此測定之波長數目的其他測量單位。

我已經發現將多個偵測器之輸出「組合」(combining)成新穎相位圖的方法，該相位圖可以解決測量厚度、深度……所固有的模糊性。簡單的範例將示範：考慮二個偵測器隔開λ/4(基於空氣中之λ)的具體態樣。(該技術可以一般化為大於二的偵測器數目以及不是λ/4的偵測器間距。一般而言，增加偵測器的數目將改善解析度。)為了此示範，微波來源(和偵測器)到試片正面之間的距離將維持固定的。因此正面和偵測器之間的相位關係是固定的。附帶而言，正面反射對於在每個偵測器之訊號的貢獻係保持固定的相位和振幅，即使厚度變化亦然。來自二偵測器的輸出訊號在厚度領域做週期性的變化，其係正弦的或近似正弦的變化。對於個別的偵測器而言，這週期性行為在推測的厚度中產生模糊性。本發明允許解決模糊性。偏好的是選擇二偵測器之間的間距，使得當一偵測器的輸出是在其自己最大值和最小值之間的一半時，另一偵測器輸出的絕對值是最大的。(最大值和最小值之間的這點可以等於或不等於零，其視特殊情形中所設定的空位置而定。)替代而言，偏好的是選擇二偵測器之間的間距，使得當對於一偵測器之駐波的切線之斜率為零時，在另一偵測器上之駐波的切線之斜率的絕對值是最大的。為了示範，在輸出訊號是精確正弦的假設理想情形，偵測器之間的較佳間距會使得二偵測器之間的相位差是90°+(n×180°)，其中n是整數(它可以是正、負或零)。

當二偵測器的輸出訊號相對於彼此而繪出時(未必成時間的直接函數，也未必成距離的直接函數，但是相對於彼此)。舉例而言，在「A」偵測器的電壓為「X」值並且在「B」偵測器的電壓是對應的「Y」值之(X,Y)資 料對，則所得的圖一般將是橢圓(或近似橢圓)，如圖1示意所示。(如果二偵測器輸出的相對敏感度是相同的，則橢圓或可甚至是圓形。)每次材料的厚度改變λ/2，則(X,Y)資料點重複並且繞著該橢圓通過。來自二偵測器之輸出的這組合延伸出從λ/4到λ/2而達2倍之用於測量厚度的明白範圍。如果直線從橢圓上的任何點畫到中央，則從該線到x軸(或任何其他通過原點的固定線)的角度對應於λ/2範圍裡的厚度。

事實上，圖1所示的理想化橢圓相位圖係過度簡化，因為它忽視也隨著厚度改變而發生之微波能量的損失。對於特殊類型的介電材料而言，衰減增加成樣品厚度的函數。如圖2所示，衰減損失將圖1理論上無損失的相位平面橢圓轉換成更類似橢圓螺線的東西。這些損失事實上對於測量過程是有益的，因為它們提供可以萃取的額外資訊。於圖2的相位平面螺線，注意(X,Y)的數值不重複。相位平面螺旋曲線本身不交叉，意謂圖1所示之厚度的週期模糊性(其當僅考慮多個偵測器的相對相位時存在)是藉由在相位平面空間中繪出由來自多個偵測器之訊號所代表的(X,Y)座標而消除，而訊號的振幅隨著樣品厚度增加而減少。(事實上，如優先權案美國專利臨時申請案第61/882,288號之附錄的圖5所示，即使有新穎的相位平面分析，有時仍然可以有肇因於來自邊界之微波做內部反射的模糊性區域。即使當存在此種複雜性，相位平面分析中的多數測量仍產生明白明白的厚度/深度測定。)

厚度的明顯改變(以材料中的微波波長為單位所測量)可以肇因於尺度的真實改變(譬如以英吋或公分來測量)或密度改變(其引起折射率改變和因此有波長改變)。除非上下文明確另有所指，否則如本揭示和申 請專利範圍所用的，「厚度」一詞應理解為是指材料的外觀厚度，而如以審視用之輻射波長的單位所測量。換言之，「厚度」是外觀厚度，其可以同時是物體的真實尺度及其密度和折射率之函數，而可以變化成位置的函數。本發明提供非破壞性測定試片厚度(或特徵深度)的設備和方法，其以被檢視之材料裡的波長單位來測量，並且使用如此測定的厚度資訊在整塊介電材料的非破壞性評估(NDE)。材料的折射率取決於其化學組成。折射率也變化成密度的函數，即使具有固定的化學組成亦然。折射率與密度的相依性導致電磁能量隨著它傳播經過變化密度的區域而有波長的改變。因此可以測定尺度是已知之試片中的電磁駐波之位置改變的能力便允許測定折射率，因此還有密度(或孔隙度，其係反比關聯於密度)。

偵測器可以在相對於試片之任何想要的速度來掃描，並且掃描速度甚至不須是均勻的。新穎的偵測技術不是基於頻率的都卜勒位移(其肇因於運動)，而是基於具有實質相同頻率的反射微波和參考微波之間的干涉，在此干涉是由位置的改變(與運動本身無關)所引起。

新穎的技術可以偵測基本上任何介電材料中之厚度的改變和介電常數的改變(其在介電質中舉例而言可以肇因於密度或孔隙度的改變)。該技術也可以成功使用在包含導電構件但是其架構使之整體為非導體的複合材料上，舉例而言為碳纖維複合物。

新穎的方法和設備已經成功的測試於原型具體態樣。微波發送器/偵測器是小的，並且輕易適合用於存取空間可以受到限制的環境。

來自處理訊號(來自偵測器)的計算厚度值可以繪成3維圖中的「Z」，其中「X」和「Y」是在試片表面上的直角座標，以產生厚度圖。(也可 以使用其他座標系統以取代正交的直角座標系統，以方便於被檢視之特殊試片的形狀，舉例而言為圓柱形座標、超環面座標、球形極座標……。)於替代性具體態樣，第四維度可以加到圖中，而使用顏色的色彩變化以指出試片中存在缺陷。

如果想要的話，吾人可以判定以特殊換能器來做穿過厚度的檢視對於特殊試片是否是可行的，其係將換能器置放成靠著試片的一表面並且在試片的遠側上移動一物體。如果微波能量完全穿透試片，則物體在試片遠側上的位置改變應該在觀察之換能器訊號中產生改變。於此種情形，厚度測量應該是可能的。

圖1顯示相位平面圖，其將偵測器A和B的輸出電壓以二維顯示成資料對(X,Y)，而針對二個偵測器和偵測器間距為λ/4的情形。這圖是針對材料中不發生衰減的假設理想化情形。

圖2顯示相位平面圖，其將偵測器A和B的輸出電壓以二維顯示成資料對(X,Y)，而針對二個偵測器和偵測器間距為λ/4的情形。雖然這圖也是針對假設的理想化情形，但是它代表更寫實的系統，其中微波能量由於衰減而在檢視的材料中損失(而如時常稱為材料之「損失正切」(loss tangent)的函數)。

圖3示意顯示從相位平面螺線到其中央的距離為樣品厚度的函數。

圖4顯示使用二個偵測器所實驗測量的厚度領域。

圖5顯示實驗測量的相位平面圖。

圖6示意顯示玻璃纖維楔形物的截面，其係用於在深度範圍來測試原型具體態樣。

圖7示意顯示依據本發明之設備的原型具體態樣。

於超音波技術中產生雜訊反射圖案的物質(例如玻璃纖維)可以用新穎的微波技術而在低雜訊程度下來檢視。舉例而言，新穎的技術輕易偵測玻璃纖維或陶瓷複合物中的厚度改變。

本發明有許多潛在的使用領域。舉一例來說，本發明可以用於檢視纖維強化塑膠(fiber-reinforced plastic，FRP)管路。市售可得的FRP管路是複雜的複合結構，其典型而言包含變化組成、密度和介電常數的許多層。當微波指引朝向FRP管路時，反射是從不同介電常數的材料之間的所有介面返回。返回訊號是許多不同波形的疊加，其基本上頻率相同，但是一般而言相位和振幅有所不同。一般來說，檢視的是材料的完全厚度，並且微波打到的所有介面皆對返回的波形有所貢獻。本發明能夠以高精確度、正確度、可重複性來測量此種材料中的剩餘厚度。

出發輻射的一部分與反射波形的混合則導致複雜的駐波形。(波形是「停駐的」(standing)，亦即無變化，其類似振動的弦，只要換能器和試片的相對位置保持不改變即可，但是一般它將隨著那些位置變化而變化。)對應於單一偵測器的駐波波形來自檢視裝置(換能器)，然後經常通過中間介質(例如空氣)，再通到試片裡。隨著波形通過具有不同折射率之試片的構件，波長改變但頻率保持固定。折射率愈高，電磁能量傳播得愈慢，波長則變得愈短。

本發明使用當試片從共同微波來源被照射時的多個偵測器所側量之相位和振幅的組合，而能夠明白的測定厚度。

圖7示意顯示依據本發明之設備的原型具體態樣。原型設備包括換能器，其具有單一微波來源(發送器)和二個偵測器。偵測器輸出二個通道的訊號資訊(未顯示)。偵測器在傳播方向上分開差不多0.12英吋(0.30公分)，其對應於差不多1/4個波長。來自二偵測器的訊號轉移到訊號調整電子器件，在此它們被放大、濾波、調整之後才送到類比對數位轉換器(analog-to-digital converter，ADC)。有二個位置編碼器「X-Pos」和「Y-Pos」(未顯示)，其輸出也送到ADC。ADC將包含二通道之訊號資訊與X和Y位置資料的數位資料傳送到處理電腦，其則生成有興趣之選擇區域的影像。

於原型設備，來自二個分開之偵測器的輸出電壓係在顯示和分析電腦中結合。於未來的具體態樣，這資料處理將由位在換能器本身上面的專屬處理器來進行。

玻璃纖維楔形物係建構成用於原型測試；截面示意的示範於圖6。掃描該楔形物以確認或可收集可接受的資料並且確認原型具體態樣如預期的運作。

<換能器>

較佳的換能器是基於剛氏(Gunn)二極體的微波收發器。譬如見：B.Hale(編輯)，1989年無線電業餘者ARRL手冊，第32~57和32~58頁(第66版，1988年)；微波剛氏多工器：介紹(多位作者，無日期)；M/A-COM半導體產品，可變電容調整的剛氏多工收發器「前端」(1985年)；微波協會，商用之可變電容調整的剛氏振盪收發器(1977年)。用於本發明之原型具體態 樣的換能器是可調整之10、25或35GHz的收發器(如果想要的話，頻率或可更高或更低，譬如5~50GHz)。收發器或可配合或不配合波導區段來使用。偵測器具有二個微波頻率二極體而併入成組件的部件。偵測器二極體位在出發輻射束裡而在換能器外罩的孔洞和正面之間。換能器的頻率穩定，並且僅需5~10伏特直流電源供應器以產生想要的微波輸出能量。它安裝於外罩中，其或可由手來移動，或者在未來具體態樣，其將較佳而言是由自動檢視裝置(機器人)來移動。

換能器包括機械手段以控制避開距離；避開距離較佳而言是維持固定的。換能器經由多導體纜線而連接到訊號處理電子器件、資料獲取硬體、成像和分析電腦。

換能器也連接到位置編碼器系統以測定換能器的X和Y位置。位置編碼器輸出則饋到電腦以用於試片的成像和分析。

<訊號處理和電力供應>

於原型具體態樣，偵測二極體位在出發微波束之路徑裡的固定位置，如此則輸出訊號維持固定的振幅和頻率，而如每個偵測二極體所見。替代而言，偵測二極體的位置或可為可變的，而與變化的避開距離無關。微波從換能器輻射到被測試的試片。每次微波束來到不同介電常數的材料之間的介面(譬如空氣和試片之間的介面，或整塊試片和當中的裂隙或特徵之間的介面)，則部分的微波能量被透射，並且部分被反射。反射的部分取決於入射角、材料之間的介電常數差異(其關聯於折射率)、表面紋路和其他因素。審視用之束的某些反射部分則返回到換能器，在此它由(多個)偵測器二極體所偵測。雖然反射訊號和透射訊號有相同的頻率，但是(一般 而言)在振幅和相位上都有所差異。這些簡單的正弦波或近似正弦波在(多個)偵測二極體加在一起(混合)，以產生隨著檢視下的樣品(或部分樣品)改變而改變的直流電壓。多數的試片具有許多介面，這產生許多反射訊號。然而，無論反射訊號的複雜性為何，當換能器相對於試片的位置和審視用的頻率都維持固定時，(多個)偵測器二極體輸出產生固定的直流電壓。這固定的直流電壓有時稱為「訊號」(signal)。「訊號」可以包括來自多個偵測器的多個成分。

訊號經由有線連接而轉移到訊號處理電子器件。觀察的訊號在訊號處理電子器件的輸入處典型而言是在1~100毫伏特的等級。訊號是藉由稍早所述的資料獲取系統而從類比轉換成數位形式。類比訊號被數位化以使訊號電壓有最大的解析度。

對於換能器之固有頻率穩定度和低雜訊所會允許的極小缺陷而言，直接將訊號引入資料獲取系統會具有減小的解析度。放大器因此包括於訊號處理構件中，而在ADC之前。放大器改良訊號解析度達到大於100倍，同時維持可接受的訊噪比。

資料獲取系統支援八個差異連接的類比輸入通道，每個具有其自己的負訊號連接。至少二條類比通道係用於輸入放大的訊號。額外的數位通道則用於來自X和Y位置編碼器的輸入。一般而言，偏好收集換能器之X和Y位置二者的位置資訊。然而，有時從單一位置編碼器來收集位置資訊便足夠。舉例而言，當收集正圓柱形之試片的資料時，換能器可以繞著圓柱體做徑向轉動，同時以已知的速率沿著圓柱體軸向下進行。則Y位置是X位置的直接函數，並且單一位置編碼器可以就足夠。

當來自多個位置上之掃描的資料以適當比例做圖形化顯示時，所得的影像顯示試片中的厚度改變。典型而言，收集的資料組包含要比單一影像所方便代表的更多細節。因此選擇有興趣的區域，並且針對訊號來改變比例和顏色梯度(或灰階)而生成影像，以清楚的視覺顯示有興趣的特徵。選擇避開間距以獲得想要的深度解析度，其是微波之頻率和試片之折射率的函數。當使用具有多個偵測器(而非單一偵測器)的換能器時，可以減少掃描的數目，因為在不同深度所最佳化的多個影像可以由來自單一掃描的資料所生成。

用於微波產生器的電源供應器包括在5和12伏特直流之間經調節的低電壓供應器，其能夠供應足以驅動剛氏二極體的電流。5~12伏特傳遞到換能器外罩，電力則在此傳遞到換能器。相同的電源供應器係建構成提供放大器、位置編碼器、資料獲取系統所需的電壓。用於資料獲取系統的電力也或可經由USB介面而由筆記型電腦來提供。

<訊號分析和厚度的測定>

新穎的技術是部份基於以下原理：具有不同介電常數的材料之間的介面(舉例而言包括整體厚度的改變)係作為微波反射物。當藉由測量在不同X和Y位置的訊號而做出掃描並且資料係用於生成影像時，可以直接顯示這些厚度的改變(如顯示成試片的厚度圖)。

在以原型裝置做掃描期間，同時收集關於二條訊號通道之數值(X位置和Y位置)的資訊。這些資料由電腦處理以產生訊號的二維影像。

<本發明克服的障礙>

從相位平面螺線上的點到其中央的距離稱為「向量大小」 (vector magnitude)，其或多或少隨著厚度而做指數性改變(在較低厚度變得較長，並且在較高厚度變得較短-見圖3)。當有效通道增益是相同的並且二偵測器之間的有效相位差是精確的λ/4(空氣中的λ)時，則發生這理想的指數行為。由於向量大小和相位角的組合係用於明白的測定厚度，故理想而言，換能器係定位成使得偵測器之間的有效相位角是λ/4。

如果微波傳播或可確實正確的描述成單純的平面波傳播，則二偵測器之間的最佳距離(在傳播方向)會單純為λ/4。然而，當真實換能器建造成具有偵測器之間的簡單λ/4位移並做測試時，觀察結果不如預期。微波在有限換能器裡的傳播事實上既非理想化球形波前，也非理想化平面波前，但卻是在這二個理想化情況之間的複雜混合。結果，偵測器之間的最佳距離不是單純的λ/4，就如吾人可能起初所預期的。最佳距離反而可以針對特殊波長和特殊波導而實驗的測定。當偵測器被最佳化的定位時，向量大小差不多隨著厚度做指數性變化，並且不隨著厚度改變而實質振盪。

額外的複雜性在於相位平面圖僅當用於放大來自所有偵測器之訊號的有效增益是相等時才是真正的對稱。然而，不像偵測器有錯誤之實體放置的情形，當使用不同的增益時，不相等的增益比例可以在後處理中加以修正。

以先前的微波檢視技術而言，有時必須調整偵測器訊號的「空」(null)或偏移電壓以避免訊號飽和與削波。當空電壓針對任一或二偵測器而改變時，相位平面圖的中央也將移動。這複雜性已經使得使用先前的微波檢視技術來明白的測定厚度變得困難或不可能，因為對於任何真實樣品 而言，僅可獲得極小部分的相位平面螺線。(的確，如果厚度沒改變，則僅單一點是已知的。)如果不知道中央的位置，則無法計算向量大小，並且無法測定厚度。相對而言，於本發明，空或偏移電壓較佳而言係維持固定，如此則相位平面螺線的中央是已知的，並且向量大小和厚度可以明白的測定。

實施本發明的較佳方法是如上述的在相位平面空間中繪出點，並且將那些點實驗性的關聯於獨特的距離。然而，熟於此技藝者將體認達成相同結果的其他方法在數學上係等同於該較佳方法。為了本說明書和申請專利範圍的目的，任何數學上相等的方法係視為相同於該較佳方法，而是要在本發明如所界定的範圍裡。

在此併入本說明書所引述之所有參考文獻的完整揭示以為參考，包括優先權案(美國專利臨時申請案第61/882,288號)和優先權案的附錄。萬一有不可調和的衝突，然而將由本說明書來掌控。

Claims (19)

1. 一種以非破壞和明白的方式測量整塊介電材料之厚度或測量整塊介電材料中的特徵之深度或此二者的方法；該方法包括以下步驟：(a)從微波來源產生微波，其中該等微波具有實質固定的頻率；(b)將所產生的該等微波的第一部分指引到該材料以產生駐波；其中該駐波是以下的函數：該等微波的波長、從該來源到該材料之最近表面的距離、從該來源到該材料之最遠表面的距離、或從該來源到該材料裡之特徵的距離；(c)在至少二個不同的偵測器當中每一者，將所反射的該等微波與所產生的該等微波的第二部分混合，以對於該等偵測器的每一者產生干涉訊號；其中該等偵測器在空間上彼此位移；其中該干涉訊號是該材料之該厚度的函數、或該材料裡之特徵深度的函數、或此二者；且其中由於該等偵測器之間的該空間位移之結果，不同的偵測器在該等微波的該頻率下有相位差；(d)對於在該材料之上或之中的一或更多個位置當中每一者，測定在相位平面空間的點，其座標對應於該等干涉訊號的大小和符號，該等干涉訊號係針對該一或更多個位置之每一者而產生在該等偵測器之每一者之處；以及(e)對於在該材料之上或之中的該一或更多個位置的每一者，將該相位平面空間所測定的該點關聯於該材料在每個位置的獨特厚度、或關聯於該材料裡之特徵的獨特深度、或此二者。
2. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該方法係用於測量該材料的該 厚度。
3. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該方法係用於測量該材料中之特徵的深度。
4. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該厚度的測量、該深度的測量或此二者的解析度係實質小於該等微波的該波長。
5. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該材料是複合材料。
6. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該等偵測器當中至少一對之間的該相位差是該等微波之四分之一波長。
7. 如申請專利範圍第1項的方法，其中在多個不同的微波頻率之每一者重複該方法，以增進對於不同物質之間的區別解析度，其隨著微波頻率函數的輻射具有差異性回應。
8. 一種影像形成方法，其包括以下步驟：執行步驟(a)至(e)：(a)從微波來源產生微波，其中該等微波具有實質固定的頻率；(b)將所產生的該等微波的第一部分指引到該材料以產生駐波；其中該駐波是以下的函數：該等微波的波長、從該來源到該材料之最近表面的距離、從該來源到該材料之最遠表面的距離、或從該來源到該材料裡之特徵的距離；(c)在至少二個不同的偵測器當中每一者，將所反射的該等微波與所產生的該等微波的第二部分混合，以對於該等偵測器的每一者產生干涉訊號；其中該等偵測器在空間上彼此位移；其中該干涉訊號是該材料之該厚度的函數、或該材料裡之特徵深度的函數、或此二者；且其中由於該等偵 測器之間的該空間位移之結果，不同的偵測器在該等微波的該頻率下有相位差；(d)對於在該材料之上或之中的位置，測定在相位平面空間的點，其座標對應於該等干涉訊號的大小和符號，該等干涉訊號係針對該位置而產生在該等偵測器之每一者之處；(e)將該相位平面空間因而測定的該點關聯於該材料在該位置的獨特厚度、或關聯於該材料裡之特徵的獨特深度、或此二者；以及(f)對於在該材料上或材料中的多個位置來重複步驟(d)和(e)，並且形成影像，其對於該等多個位置之每一者圖形化顯示該厚度的改變、或圖形化顯示該等特徵的深度、或此二者；藉此該影像視覺上顯示該材料的該厚度、或該材料裡之該等特徵的位置、或此二者。
9. 如申請專利範圍第8項的方法，其中該影像是二維的。
10. 如申請專利範圍第8項的方法，其中該影像是三維的。
11. 如申請專利範圍第8項的方法，其中該影像是三維的，以及其中該影像經由該影像的顏色改變而額外顯示第四維度，其中該顏色的變化指出該材料中存在缺陷。
12. 一種以非破壞和明白的方式測量整塊介電材料之厚度或測量整塊介電材料當中特徵之深度或此二者的設備；該設備包括：(a)實質固定頻率的微波產生器；其中該產生器係調適成將該等產生微波的第一部分指引到該材料以生成駐波；其中該駐波是以下的函數：該等微波的波長、從該來源到該材料之最近表面的距離、從該來源到該材料之最遠表面的距離、或從該來源到該材料裡之特徵的距離； (b)至少二個不同的偵測器，其空間上彼此位移，其中該等偵測器的每一者係調適成將所反射的該等微波加上所產生的該等微波的第二部分，以針對該等偵測器的每一者來產生干涉圖案；其中該干涉圖案是該材料之該厚度的函數、或該材料裡的該特徵之深度的函數、或此二者；其中由於該等偵測器之間的該位移的結果，該等不同的偵測器在該等微波的該頻率下有相位差；以及(c)電腦，其經程式化為：對於在該材料上或該材料中的一或更多個位置，測定在相位平面空間的點，其座標對應於在該等偵測器之每一者而對於該一或更多個位置所產生之該等干涉訊號的大小和符號；以及對於該一或更多個位置的每一者，將該相位平面空間中所測定的該點關聯於該材料在每個位置的獨特厚度、或關聯於該材料裡之該特徵的獨特深度、或此二者。
13. 如申請專利範圍第12項的設備，其中該電腦經程式化為：對於在該材料之上或之中的多個位置，測定該材料的該厚度、或該材料中之該特徵的深度、或此二者；以及對於該等多個位置的每一者形成影像，其圖形化顯示該厚度的改變、或圖形化顯示該特徵的深度、或此二者；藉此該影像視覺上顯示該材料的該厚度、或該材料裡之該特徵的位置、或此二者。
14. 如申請專利範圍第13項的設備，其中該影像是二維的。
15. 如申請專利範圍第13項的設備，其中該影像是三維的。
16. 如申請專利範圍第13項的設備，其中該影像經由該影像的顏色改變而額外顯示資訊的第四維度，其中該顏色的變化指出該材料中存在缺陷。
17. 如申請專利範圍第12項的設備，其中該設備係調適成以實質小於該 等微波之該波長的解析度來測量厚度、特徵深度、或此二者。
18. 如申請專利範圍第12項的設備，其中該等偵測器當中至少一對之間的該相位差是該等微波之四分之一波長。
19. 如申請專利範圍第12項的設備，其中該設備經程式化為在多個不同的微波頻率之每一者重複該厚度或深度測量，以增進對於不同物質之間的區別解析度，其隨著微波頻率函數的輻射具有差異性回應。