TWI650777B - 在導電高分子上形成線路的方法及可撓式觸控裝置 - Google Patents

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Abstract

一種在導電高分子上形成線路的方法包含以下操 作。在基板上形成導電高分子層。接著，在導電高分子層上形成金屬氧化層。繼續於金屬氧化層上形成金屬層。於金屬層上形成第一圖案化光阻層，且第一圖案化光阻層具有至少一開口暴露金屬層的第一部分。使用第一蝕刻液蝕刻金屬層暴露的所述第一部分以及對應所述第一部分下方的導電高分子層和金屬氧化層。接著，在移除第一圖案化光阻層後，形成第二圖案化光阻層以暴露出金屬層的第二部分。使用第二蝕刻液蝕刻金屬層暴露出的第二部分。

Description

在導電高分子上形成線路的方法及可撓式觸控裝置
本發明是有關一種在導電高分子上形成線路的方法以及一種可撓式觸控裝置。
現今的智慧型手機、平板電腦等終端需求，刺激觸控技術朝向薄厚度、窄邊框與低成本產品發展。目前市面上各式各樣具有窄邊框的產品，其邊框寬度皆取決於金屬導線的線寬與線距。一般網版印刷技術所得到的線寬約為60~80微米，凹版印刷技術所得到的線寬約為30~50微米，銀將印刷技術所得到的線寬約為20~30微米，最普遍的黃光蝕刻製程則是15微米。然而，在使用黃光蝕刻製程的操作中，常用的蝕刻液容易造成產品的電性異常。此外，形成的細金屬導線也容易產生附著性不佳而剝離的問題。
本發明之一態樣係提供一種在導電高分子上形成線路的方法，包含下列操作。首先，在基板上形成導電高分子層。接著，在導電高分子層上形成金屬氧化層。繼續於金屬氧化層上形成金屬層。然後，在金屬層上形成第一圖案化光阻層，且第一圖案化光阻層具有至少一開口暴露金屬層的第一部分。使用第一蝕刻液蝕刻金屬層暴露的所述第一部分以及對應所述第一部分下方的導電高分子層和金屬氧化層。接著，在移除第一圖案化光阻層後，形成第二圖案化光阻層以暴露出金屬層的第二部分。使用第二蝕刻液蝕刻金屬層暴露出的第二部分。
根據本發明之某些實施方式，導電高分子層包含聚(3,4-乙烯二氧吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)。
根據本發明之某些實施方式，金屬氧化層包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化銦鎵(IGO)。
根據本發明之某些實施方式，第一蝕刻液包含王水或硝酸。
根據本發明之某些實施方式，第二蝕刻液包含氯化鐵或氯化銅。
本發明之另一態樣係提供一種可撓式觸控裝置，其包含第一基板、第一觸控電極、第一周邊導線以及第二觸控電極。第一基板包含第一感測區及第一周邊區。第一周邊區位於第一感測區的一側。第一觸控電極位於第一基板的第一感測區。第一觸控電極包含第一導電高分子層和第一氧化金屬層。第一周邊導線位於第一基板的第一周邊區。第一周邊導線包含 第二導電高分子層、第二氧化金屬層和一第一金屬層，其中第一金屬層位於第一導電高分子層上方，且第二氧化金屬層夾設於第二導電高分子層與第一金屬層之間。第二觸控電極與第一觸控電極之間形成一電容。
根據本發明之某些實施方式，可撓式觸控裝置更包含第二基板。第二基板包含第二感測區及第二周邊區。第二周邊區位於第二感測區的一側。第二觸控電極配置在第二感測區內。第一及第二觸控電極分別具有第一長軸方向及第二長軸方向，且第一長軸方向實質上垂直於第二長軸方向。
根據本發明之某些實施方式，可撓式觸控裝置更包含第二周邊導線。第二周邊導線位於第二基板之第二周邊區內。
根據本發明之某些實施方式，第一周邊導線具有第一厚度，且第一觸控電極具有第二厚度。第一厚度大於第二厚度。
根據本發明之某些實施方式，第一導電高分子層的材料與第二導電高分子層的材料相同，且第一氧化金屬層的材料與第二氧化金屬層的材料相同。
110‧‧‧基板
120‧‧‧導電高分子層
130‧‧‧金屬氧化層
140‧‧‧金屬層
142‧‧‧第一部分
144‧‧‧第二部分
236‧‧‧第一金屬層
240‧‧‧第二觸控電極
242‧‧‧第三導電高分子層
244‧‧‧第三金屬氧化層
250‧‧‧第二基板
252‧‧‧第二感測區
150‧‧‧第一圖案化光阻層
152‧‧‧開口
200‧‧‧可撓式觸控裝置
210‧‧‧第一基板
212‧‧‧第一感測區
214‧‧‧第一周邊區
220‧‧‧第一觸控電極
222‧‧‧第一導電高分子層
224‧‧‧第一氧化金屬層
230‧‧‧第一周邊導線
232‧‧‧第二導電高分子層
234‧‧‧第二氧化金屬層
160‧‧‧第二圖案化光阻層
254‧‧‧第二周邊區
260‧‧‧第二周邊導線
262‧‧‧第四導電高分子層
264‧‧‧第四金屬氧化層
266‧‧‧第二金屬層
270‧‧‧黏著層
280‧‧‧蓋板
T1、T2‧‧‧厚度
A-A、B-B、C-C‧‧‧剖線
X‧‧‧第一長軸方向
Y‧‧‧第二長軸方向
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施方式能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下： 第1圖繪示根據本發明某些實施方式之在導電高分子上形成線路之製造階段的剖面示意圖。
第2圖繪示根據本發明某些實施方式之在導電高分子上形成線路之製造階段的剖面示意圖。
第3圖繪示根據本發明某些實施方式之在導電高分子上形成線路之製造階段的剖面示意圖。
第4圖繪示根據本發明某些實施方式之在導電高分子上形成線路之製造階段的剖面示意圖。
第5圖繪示根據本發明某些實施方式之在導電高分子上形成線路之製造階段的剖面示意圖。
第6圖繪示根據本發明某些實施方式之在導電高分子上形成線路之製造階段的剖面示意圖。
第7圖繪示根據本發明某些實施方式之在導電高分子上形成線路之製造階段的剖面示意圖。
第8圖繪示根據本發明某些實施方式之可撓式觸控裝置的上視示意圖。
第9圖繪示根據本發明某些實施方式之可撓式觸控裝置的剖面示意圖。
為了使本揭示內容之敘述更加詳盡與完備，可參照所附之圖式及以下所述各種實施方式，圖式中相同之號碼代表相同或相似之元件。
本發明之一態樣是提供一種在導電高分子上形成線路的方法。舉例來說，此方法可應用於觸控裝置。第1圖至第7圖繪示本發明某些實施方式之在導電高分子上形成線路的方法在不同製程階段的剖面示意圖。請參照的1圖，首先，形成導電高分子層120於基板110上。在本發明之一些實施方式中，利用水滴角量測儀器，量測液體在導電高分子層120的角度(即水滴角，或稱接觸角)。水滴角係指於液體、固體、氣體等表面之交接處，液面切線與固體面之夾角。在本發明之某些實施方式中，導電高分子層120的材料包含聚3,4-乙烯二氧吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，PEDOT)、奈米銀線(silver nanowire，AgNW)、聚3,4-乙烯二氧吩/聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate)，PEDOT：PSS)、奈米碳管(carbon nanotube，CNT)或石墨烯(Graphene)，但不以此為限。在本發明之一實施例中，構成導電高分子層120的材料為聚3,4-乙烯二氧吩/聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate)，PEDOT：PSS)。舉例來說，採用PEDOT：PSS形成導電高分子層120具有以下的優點：PEDOT：PSS為透明無色、低成本且具有環境穩定性。此外，相較於其他常用的金屬氧化物，PEDOT：PSS對基板之黏合性更佳，且PEDOT：PSS具有較低的表面折射率和較高的光透射率。在本發明之某些實施方式中，基板110的材料包含聚亞醯胺(Polyimide，PI)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚醚碸(Poly(ether sulfones)，PES)、聚乙二醇對苯二 甲酸酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚芳香酯(Polyarylate，PAR)或玻璃纖維強化塑膠(Fiber Reinforced Plastics，FRP)，但不以此為限。在本發明之某些實施方式中，導電高分子層120可以利用濺射(sputtering)法、真空蒸鍍(vacuum evaporation)法、離子鍍法、物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)法、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法、塗覆法或印刷法等方式形成在基板110上。
請參照第2圖。接著，在導電高分子層120上形成金屬氧化層130。在本發明之一些實施方式中，利用水滴角量測儀器，量測液體在金屬氧化層130上的角度(即水滴角，或稱接觸角)。金屬氧化層130係在後續蝕刻製程中當作保護層，用以保護下方的導電高分子層120不受蝕刻液(例如氯化鐵蝕刻液或氯化銅蝕刻液)的傷害，下文將更詳細的描述。此外，金屬氧化層130亦可當作密著層，使得後續形成的金屬層140可以緊固地形成在導電高分子層120上而不易剝離，下文將更詳細的描述。具體的說，構成金屬氧化層130的材料須為透明、導電、光穿透率大於88%且片電阻(sheet resistance)小於500ohm/sq的金屬氧化物。在本發明之某些實施方式中，金屬氧化層130的材料包含氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)或氧化銦鎵(Indium Gallium Oxide，IGO)，但不以此為限。在一些實施方式中，金屬氧化層130的厚度介於20奈米(nm)至5奈米之間。根據多 個實施例，當金屬氧化層130的厚度大於某一數值，例如20nm，會導致穿透率降低、片電阻下降，但會增加額外的製造成本。反之，當金屬氧化層130的厚度小於某一數值，例如5nm，則會使得後續形成的金屬線路與導電高分子層120之間的附著力不足，進而造成金屬線路的剝離，下文將更詳細的敘述。在本發明之某些實施方式中，金屬氧化層130可以利用濺射(sputtering)法、真空蒸鍍(vacuum evaporation)法、離子鍍法、物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)法、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法、塗覆法或印刷法等方式形成在導電高分子層120上。
請參照第3圖。接著，形成金屬層140於金屬氧化層130上。在本發明之一些實施方式中，利用水滴角量測儀器，量測液體在金屬層140上的角度(即水滴角，或稱接觸角)。在本發明之某些實施方式中，金屬層140的材料包含銅(copper，Cu)、銀(silver，Ag)、銅合金(copper alloy)、銀合金(silver alloy)或金(gold，Au)，但不以此為限。在本發明之一實施例中，構成金屬層140的材料為銅。在本發明之某些實施方式中，金屬層140可以利用濺射(sputtering)法、真空蒸鍍(vacuum evaporation)法、離子鍍法、物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)法、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法、塗覆法或印刷法等方式形成在金屬氧化層130上。
在本發明之一實施例中，構成導電高分子層120的材料為PEDOT：PSS，構成金屬氧化層130的材料為ITO， 且構成金屬層140的材料為Cu。舉例來說，包含PEDOT：PSS的導電高分子層120，其水滴角介於15度至40度之間；包含ITO的金屬氧化層130，其水滴角介於50度至70度之間；以及包含Cu的金屬層140，其水滴角介於75度至90度之間。根據上述水滴角的量測結果可知，包含PEDOT：PSS的導電高分子層120的水滴角角度與包含ITO的金屬氧化層130的水滴角角度較相近，表示兩者的液體表面張力(即表面能)大致相同，進而可以增加兩者之間的附著能力。此外，包含ITO的金屬氧化層130的水滴角角度與包含Cu的金屬層140的水滴角角度較相近，表示兩者的液體表面張力(即表面能)大致相同，進而可以增加兩者之間的附著能力。根據本發明之一比較例，其不包含ITO的金屬氧化層130，則會發現包含PEDOT：PSS的導電高分子層120的水滴角角度與包含Cu的金屬層140的水滴角角度之間差異較大，表示兩者的液體表面張力(即表面能)完全不同，容易產生不穩定性。換句話說，包含PEDOT：PSS的導電高分子層120與包含Cu的金屬層140之間的附著能力較差。
請參照第4圖及第5圖。形成第一圖案化光阻層150於金屬層140上。具體的說，金屬層140具有第一部分142及第二部分144，且第一圖案化光阻層150覆蓋金屬層140的第二部分144。第一圖案化光阻層150具有一個或多個開口152暴露金屬層140的第一部分142。然後，使用第一蝕刻液蝕刻金屬層140暴露的第一部分142以及對應至第一部分142下方的導電高分子層120和金屬氧化層130。具體的說，第一次微影蝕刻的主要目的在於形成觸控裝置中感測區內的線路圖 案，並同時定義出觸控裝置中非感測區(邊框)的金屬線路寬度。在本發明之一些實施方中，第一蝕刻液包含王水(aqua regia)或硝酸(nitric acid)。接著，在完成觸控裝置中感測區的線路圖案後，將第一圖案化光阻層150全面移除。
請參照第6圖。接著，形成第二圖案化光阻層160以暴露出金屬層140的第二部分144。具體的說，金屬層140的第二部分144係位於觸控裝置中的感測區內，亦即，觸控裝置中非感測區(邊框)的金屬層140會被第二圖案化光阻層160所覆蓋。
請參照第7圖。然後，使用第二蝕刻液蝕刻金屬層140暴露出來的第二部分144。具體的說，第二蝕刻液僅移除金屬層140的第二部分144。由於導電高分子層120的表面被金屬氧化層130所覆蓋，因此，導電高分子層120並非全面性地接觸第二蝕刻液，故對導電高分子層120的電性傷害不大。值得注意的是，第二次微影蝕刻的主要目的在於保留觸控裝置中非感測區(邊框)的金屬線路。此外，本發明之多個實施方式中，使用微影蝕刻製程可以形成細金屬線路，其線寬/線距約為15微米(um)/10微米(um)，以提升窄邊框產品的競爭力。在本發明之一些實施方中，第二蝕刻液包含氯化鐵或氯化銅。
本發明之另一態樣係提供一種可撓式觸控裝置200。第8圖繪示根據本發明某些實施方式之可撓式觸控裝置200的上視示意圖。第9圖繪示根據本發明某些實施方式之可撓式觸控裝置的剖面示意圖。第8圖繪示的剖線A-A、剖線B-B 與剖線C-C，分別對應至第9圖繪示之實施方式的可撓式觸控裝置200剖面A-A、剖面B-B與剖面C-C。請同時參照第8圖及第9圖。可撓式觸控裝置200包含第一基板210、第一觸控電極220、第一周邊導線230以及第二觸控電極240。具體的說，第一基板210包含第一感測區212及第一周邊區214，且第一周邊區214位於第一感測區212的一側、兩側或周圍。在本發明之某些實施方式中，基板210的材料包含聚亞醯胺(Polyimide，PI)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚醚碸(Poly(ether sulfones)，PES)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚芳香酯(Polyarylate，PAR)或玻璃纖維強化塑膠(Fiber Reinforced Plastics，FRP)，但不以此為限。
請參照第8圖及第9圖。第一觸控電極220位於第一基板210的第一感測區212內。具體的說，第一觸控電極220包含第一導電高分子層222和第一氧化金屬層224。在本發明之某些實施方式中，第一觸控電極220的形狀可以為菱形、圓形、矩形或其他形狀。在本發明之某些實施方式中，第一導電高分子層222的材料包含聚3,4-乙烯二氧吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，PEDOT)、奈米銀線(silver nanowir，AgNW)、聚3,4-乙烯二氧吩/聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate)，PEDOT：PSS)、奈米碳管(carbon nanotube，CNT)或石墨烯(Graphene)，但不以此為限。在本發明之一實施例中， 構成第一導電高分子層222的材料為PEDOT：PSS。在本發明之某些實施方式中，第一氧化金屬層224的材料包含氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)或氧化銦鎵(Indium Gallium Oxide，IGO)，但不以此為限。
請參照第8圖及第9圖。第一周邊導線230位於第一基板210的第一周邊區214內。具體的說，第一周邊導線230包含第二導電高分子層232、第二氧化金屬層234和第一金屬層236，其中第一金屬層236位於第一導電高分子層232上方，且第二氧化金屬層234夾設於第二導電高分子層232與第一金屬層236之間。在本發明之某些實施方式中，構成第二導電高分子層232和第二氧化金屬層234的材料與構成第一導電高分子層222和第一氧化金屬層224的材料相同。在本發明之一實施例中，構成第二導電高分子層232的材料為PEDOT：PSS。在本發明之某些實施方式中，第一金屬層236的材料包含銅(copper，Cu)、銀(silver，Ag)、銅合金(copper alloy)、銀合金(silver alloy)或金(gold，Au)，但不以此為限。
在本發明之某些實施方式中，第一周邊導線230具有第一厚度T1，第一觸控電極220具有第二厚度T2，且第一厚度T1大於第二厚度T2。由第9圖可以清楚看出，第一厚度T1大於第二厚度T2的原因在於：第一周邊導線230相較於第一觸控電極220多了一層第一金屬層236。
請參照第8圖及第9圖。第二觸控電極240與第一觸控電極220之間形成電容。具體的說，當使用者的手指靠近 時，影響了第一觸控電極220和第二觸控電極240之間的電容耦合，從而通過相應晶片(圖未示)的訊號處理可以檢測出手指觸摸的相應位置。在本發明之某些實施方式中，第二觸控電極240包含第三導電高分子層242和第三氧化金屬層244。在本發明之某些實施方式中，第三導電高分子層242的材料包含聚3,4-乙烯二氧吩/聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate)，PEDOT：PSS)。在本發明之一實施例中，構成第三導電高分子層242的材料為PEDOT：PSS。在本發明之某些實施方式中，第三氧化金屬層244的材料包含氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)或氧化銦鎵(Indium Gallium Oxide，IGO)，但不以此為限。在本發明之某些實施方式中，第二觸控電極240的形狀可以為菱形、圓形、矩形或其他形狀。
在本發明之某些實施方式中，可撓式觸控裝置200可以更包含第二基板250。第二基板250包含第二感測區252及第二周邊區254，其中第二周邊區254位於第二感測區252的一側。舉例來說，第二觸控電極240可以配置在第二感測區252內。第一及第二觸控電極220和240分別具有第一長軸方向y及第二長軸方向x，且第一長軸方向y實質上垂直於第二長軸方向x。在一些實施方式中，第二基板250可以空間上將第一觸控電極220與第二觸控電極240間隔開。
在本發明之某些實施方式中，可撓式觸控裝置200可以更包含第二周邊導線260。第二周邊導線260位於第二 基板250之第二周邊區254內。在一些實施方式中，第二周邊導線260包含第四導電高分子層262、第四氧化金屬層264和第二金屬層266，其中第二金屬層266位於第四導電高分子層262上方，且第四氧化金屬層264夾設於第四導電高分子層262與第二金屬層266之間。在本發明之某些實施方式中，構成第四導電高分子層262和第四氧化金屬層264的材料與構成第三導電高分子層242和第三氧化金屬層244的材料相同。在本發明之一實施例中，構成第四導電高分子層262的材料為PEDOT：PSS。在本發明之某些實施方式中，第二金屬層266的材料包含銅(copper，Cu)、銀(silver，Ag)、銅合金(copper alloy)、銀合金(silver alloy)或金(gold，Au)，但不以此為限。
在本發明之某些實施方式中，第二周邊導線260和第一周邊導線230分別位於可撓式觸控裝置200的第二和第一周邊區254和214內。在本發明之某些實施方式中，由第9圖可以清楚看出，由於第二周邊導線260相較於第二觸控電極240多了一層第二金屬層266，因此，第二周邊導線260的厚度大於第二觸控電極240的厚度。
在本發明之某些實施方式中，可撓式觸控裝置200可以更包含蓋板280，其位於第一基板210的上方。在包含第二基板250的實施方式中，蓋板280位於第一基板210和第二基板250的上方。在本發明之某些實施方式中，蓋板280的材料係包含透明絕緣的高分子材料，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醯亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、 聚醚碸(PES)、聚醚醚酮(PEEK)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯(PP)、聚醯胺(PA)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，但不以此為限。
在本發明之某些實施方式中，可撓式觸控裝置200可以更包含黏著層270。黏著層270可以設置於蓋板280與第二基板250之間和/或第二基板250與第一基板210之間。在本發明之某些實施方式中，黏著層270的材料包含光學透明黏著劑(optically clear adhesive，OCA)、光學透明樹脂(optically clear resin，OCR)或壓敏黏著劑(pressure sensitive adhesive，PSA)。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，以上所述僅為本發明之較佳實施方式，並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (9)

  1. 一種在導電高分子上形成線路的方法，包含：形成一導電高分子層於一基板上；形成一金屬氧化層於該導電高分子層上；形成一金屬層於該金屬氧化層上；形成一第一圖案化光阻層於該金屬層上，該第一圖案化光阻層具有至少一開口暴露該金屬層的一第一部分；使用一第一蝕刻液蝕刻該金屬層暴露的該第一部分以及對應該第一部分下方的該導電高分子層和該金屬氧化層；移除該第一圖案化光阻層；形成一第二圖案化光阻層以暴露出該金屬層的一第二部分；以及使用一第二蝕刻液蝕刻該金屬層暴露出的該第二部分。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該導電高分子層包含聚(3,4-乙烯二氧吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該金屬氧化層包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化銦鎵(IGO)。
  4. 如請求項1述之方法，其中該第一蝕刻液包含王水或硝酸。
  5. 如請求項1述之方法，其中該第二蝕刻液包含氯化鐵或氯化銅。
  6. 一種可撓式觸控裝置，包含：一第一基板，包含一第一感測區及一第一周邊區位於該第一感測區的一側；一第一觸控電極，位於該第一基板之該第一感測區，該第一觸控電極包含一第一導電高分子層和一第一氧化金屬層；一第一周邊導線，位於該第一基板之該第一周邊區，該第一周邊導線包含一第二導電高分子層、一第二氧化金屬層和一第一金屬層，其中該第一金屬層位於該第一導電高分子層上方，且該第二氧化金屬層夾設於該第二導電高分子層與該第一金屬層之間；一第二觸控電極，與該第一觸控電極之間形成一電容；以及一第二基板，包含一第二感測區及一第二周邊區位於該第二感測區的一側，該第二觸控電極配置在該第二感測區，其中該第一及該第二觸控電極分別具有一第一長軸方向及一第二長軸方向，且該第一長軸方向實質上垂直於該第二長軸方向。
  7. 如請求項6所述之可撓式觸控裝置，更包含一第二周邊導線，位於該第二基板之該第二周邊區。
  8. 如請求項6所述之可撓式觸控裝置，其中該第一周邊導線具有一第一厚度，該第一觸控電極具有一第二厚度，且該第一厚度大於該第二厚度。
  9. 如請求項6所述之可撓式觸控裝置，其中該第一導電高分子層的材料與該第二導電高分子層的材料相同，且該第一氧化金屬層的材料與該第二氧化金屬層的材料相同。
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