TWI623863B - 壓力感測輸入裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明涉及壓力感測技術領域，特別涉及一種壓力感測輸入裝置及其製造方法。該壓力感測輸入裝置中包括一第一基板及一第一導電層，該第一導電層具有第一壓力感測電極，該第一壓力感測電極用於偵測施加導電層上壓力的大小，第一壓力感測電極由奈米銀線薄膜形成。所述的製造方法為採用奈米銀線溶液製造具有奈米銀線薄膜導電層的壓力感測輸入裝置。

Description

壓力感測輸入裝置及其製造方法

本發明涉及壓力感測技術領域，特別涉及一種壓力輸入裝置及其製造方法。

消費者產品，例如，行動電話、移動導航系統、移動遊戲裝置以及移動媒體播放機等，正在尋找新的輸入方法。現今通常使用的觸控裝置是一種通過觸摸方式接收輸入信號的感應裝置。理想的觸控裝置不僅能夠感應觸摸位置，而且還能感應觸摸壓力，這種壓力感測為觸摸輸入提供了一個額外的自由度，並能適應不同的輸入方法，如手寫筆，手指，以及戴著手套的手指等。因此，同時實現壓力和位置的觸摸感應技術應運而生，並得到了業界的廣泛關注。該技術是利用氧化銦錫(簡稱為ITO)材料通過黃光工藝製程進行製備的。然而，由於黃光工藝製程複雜、設備成本高，同時，ITO材料脆性大，且銦是一種昂貴的稀有金屬，在大自然的存儲量比較小，其價格比較昂貴，氧化銦錫作為觸控裝置的檢測電極在很大程度上提升了製造成本，致使該種觸控裝置的整體製造成本高，其在一定程度上抑制了產業的發展。此 外，採用ITO薄膜作為觸控的導電膜也存在如下的問題：(1)隨著電阻及應用尺寸變大，電極間的電流傳送速率變慢，從而導致相應速度(指接觸指尖到檢測出該位置的時間)變慢；(2)由ITO形成的導電膜在被施加壓力時，僅發生單層形變，電阻變化率較小，壓力感測的精度較差。

綜上所述，尋找一種新的方案能夠解決ITO所存在的價格昂貴，工藝複雜，抗損性能差等缺點成為業界的努力方向。

為克服現有輸入裝置中存在的ITO脆性大，價格昂貴，工藝複雜，抗損性能差等的缺點，本發明提供了一種壓力感測輸入裝置及其製造方法。

本發明解決技術問題的技術方案是提供一種壓力感測輸入裝置，包括：第一基板；第一導電層，設置於第一基板，第一導電層包括複數個第一壓力感測電極，第一壓力感測電極由奈米銀線薄膜形成，第一壓力感測電極用於偵測施加第一導電層上壓力的大小；壓力感測晶片，與第一壓力感測電極電連接，壓力感測晶片通過檢測第一壓力感測電極在受到壓力後產生的電阻變化量實現對壓力大小的檢測。

優選地，奈米銀線薄膜包括奈米銀線和基質，當奈米銀線薄膜受到觸壓時，奈米銀線薄膜發生形變，且奈米銀線搭接點增多，電阻變化率增大。

優選地，奈米銀線薄膜包括暗色添加劑顆粒， 暗色添加劑顆粒的粒徑為20nm~800nm。

優選地，第一導電層的厚度為10nm~5μm，其透光率至少為90%，其霧度小於3%，其方阻小於150ohm/sq，其折射率為1.3~2.5。

優選地，第一壓力感測電極為曲線狀、折線狀、繞線式放射狀、繞線式螺旋狀中的任一種或多種。

優選地，第一壓力感測電極的應變計因數大於0.5。

優選地，第一壓力感測電極能實現多點壓力偵測。

優選地，壓力輸入裝置進一步包括複數個第一觸控感應電極，第一導電層包括第一壓力感測配置區和第一觸控感應配置區，第一觸控感應電極位於第一觸控感應配置區，第一壓力感測電極位於第一壓力感測配置區，其中第一壓力感測配置區與第一觸控感應配置區面積互補。

優選地，第一壓力感測電極與至少部分第一觸控感應電極在同一製程中形成，第一壓力感測電極與第一觸控感應電極於第一基板的同一平面上。

優選地，第一壓力感測電極的線寬為第一觸控感應電極的線寬的0.5~0.8倍。

優選地，第一壓力感測配置區設於第一觸控感測配置區的第一觸控感測電極之間或設於第一觸控感測配置區的周圍。

優選地，第一觸控感測電極進一步包括間隔設 置的第一方向觸控感測電極及第二方向觸控感測電極，第一壓力感測電極設置於第一方向觸控感測電極及第二方向觸控感測電極之間。

優選地，壓力輸入裝置進一步包括第二基板及第二導電層，第二導電層設於第二基板表面，第二導電層包括複數個第二觸控感應電極和/或第二壓力感測電極；第一觸控感測電極與第二觸控感應電極用於檢測多點觸控。

優選地，壓力輸入裝置還包括至少一光學匹配層，光學匹配層的折射率為1.1~1.6，光學匹配層位於第一導電層和第一基板之間。

優選地，第一基板為一保護蓋板，用以作為第一導電層的保護外蓋，保護蓋板具有第一表面及相對設置的第二表面，第一表面供使用者施加一觸壓動作。

本發明解決技術問題的技術方案是提供又一種壓力感測輸入裝置的製造方法，製造方法包括以下步驟：步驟S1：提供第一基板；步驟S2：在第一基板的其中一表面上塗布奈米銀線薄膜；及步驟S3：將奈米銀線薄膜蝕刻形成第一壓力感測電極與第一觸控感應電極圖案。

與現有技術相比，本發明中的壓力感測輸入裝置的第一導電層由奈米銀線薄膜形成，其具有價格低，當受到壓力作用時電阻變化大，且撓性好等優點。另外，當壓力感測輸入裝置的第一導電層由奈米銀線薄膜形成時，其可以採用簡單的塗布工藝來代替傳統ITO黃光工藝，其簡化了觸控面板的製作工藝的同時，設備成本降低，大大降低了成本 和提高了效率。

10‧‧‧壓力感測輸入裝置

11‧‧‧第一基板

100‧‧‧壓力感測輸入裝置

100’‧‧‧壓力感測輸入裝置

101‧‧‧第一基板

1010‧‧‧第一導電層

1011‧‧‧第一壓力感測電極

1012‧‧‧第一觸控感應電極

1013‧‧‧第一方向觸控感應電極

602‧‧‧第一基板

603‧‧‧保護蓋板

604‧‧‧第一觸控感應配置區

605‧‧‧第一壓力感測配置區

70‧‧‧壓力感測輸入裝置

71‧‧‧保護蓋板

72‧‧‧第一導電層

721‧‧‧第一壓力感測電極

722‧‧‧第一觸控感應電極

1014‧‧‧第二方向觸控感應電極

1015‧‧‧絕緣塊

102‧‧‧第一觸控感測配置區

1021‧‧‧第一壓力感測電極

103‧‧‧第一壓力感測配置區

110‧‧‧奈米銀線薄膜結構

1101‧‧‧奈米銀線

1103‧‧‧基質

1105‧‧‧奈米銀線薄膜

1107‧‧‧第一基板

13‧‧‧第一導電層

131‧‧‧第一壓力感測電極

132‧‧‧第一電極連接線

14‧‧‧壓力感測晶片

141‧‧‧惠斯通電橋電路

20‧‧‧壓力感測輸入裝置

201‧‧‧第一導電層

202‧‧‧第一壓力感測電極

203‧‧‧壓力感測電極信號線

2031‧‧‧發送線

2032‧‧‧接收線

40‧‧‧壓力感測輸入裝置

401‧‧‧第一導電層

402‧‧‧第一基板

73‧‧‧第一基板

75‧‧‧第二導電層

751‧‧‧第二觸控感應電極

76‧‧‧第二基板

80‧‧‧壓力感測輸入裝置

8013‧‧‧第一方向觸控感應電極

80131‧‧‧第一方向觸控感應電極凸出部

8014‧‧‧第二方向觸控感應電極

80141‧‧‧第二方向觸控感應電極凸出部

8015‧‧‧第一電極連接線

802‧‧‧第一基板

8021‧‧‧第一壓力感測電極

803‧‧‧第一導電層

8031‧‧‧第一觸控感應電極

804‧‧‧第一觸控感應配置區

805‧‧‧第一壓力感測配置區

90‧‧‧壓力感測輸入裝置

902‧‧‧第一觸控感應電極

903‧‧‧第一壓力感測電極

91‧‧‧第一基板

92‧‧‧第一導電層

921‧‧‧第一方向觸控感應電極

403‧‧‧保護層

50‧‧‧壓力感測輸入裝置

501‧‧‧第一導電層

502‧‧‧第一基板

503‧‧‧光學匹配層

60‧‧‧壓力感測輸入裝置

601‧‧‧第一導電層

6011‧‧‧第一觸控感應電極

6012‧‧‧第一壓力感測電極

9211‧‧‧第一觸控感應導接段

922‧‧‧第一方向壓力感測電極

9221‧‧‧第一連接段

923‧‧‧第二方向觸控感應電極

9231‧‧‧第二觸控感應導接段

9241‧‧‧第二連接段

924‧‧‧第二方向壓力感測電極

925‧‧‧第一絕緣結構

S1、S2、S3‧‧‧步驟

第1圖是本發明奈米銀線薄膜的截面結構示意圖。

第2圖是本發明奈米銀線薄膜的平面示意圖。

第3圖是本發明奈米銀線薄膜的觸控原理內部結構示意圖。

第4A圖是本發明壓力感測輸入裝置第一實施例的結構示意圖。

第4B圖是第4A圖中導電層的正視示意圖。

第5圖是本發明壓力感測輸入裝置第二實施例的導電圖案平面示意圖。

第6圖是本發明壓力感測輸入裝置第三實施例的剖面結構示意圖。

第7圖是本發明壓力感測輸入裝置第四實施例的剖面結構示意圖。

第8A圖是本發明壓力感測輸入裝置第五實施例的結構示意圖。

第8B圖是第8A圖的沿B-B方向的剖面結構示意圖。

第9圖是本發明壓力感測輸入裝置第六實施例的立體爆炸結構示意圖。

第10A圖是本發明壓力感測輸入裝置第七實施例的立體爆炸結構示意圖。

第10B圖是第10A圖中第一導電層局部的平面結構示意圖。

第11A圖是本發明壓力感測輸入裝置第八實施例的結構示意圖。

第11B圖是第11A圖中I處放大示意圖。

第12A圖是本發明壓力感測輸入裝置第九實施例的結構示意圖。

第12B圖是第12A圖的又一變形實施例的結構示意圖。

第13A圖是本發明第十實施例壓力感測輸入裝置製造方法流程圖。

第13B圖是本發明第十實施例中蝕刻程度示意圖。

為了使本發明的目的，技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施實例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。

請參閱第1圖與第2圖，係奈米銀線薄膜結構110的剖切結構示意圖，在第一基板1107上設有奈米銀線薄膜1105，該奈米銀線薄膜1105包括嵌入在基質1103中的多根奈米銀線1101，奈米銀線1101排布在基質1103中相互搭接形成導電網路。基質1103是指含奈米銀線1101的溶液在經過塗布等方法設置在第一基板1107上，經過加熱烘乾使得易揮發的物質揮發後，留在第一基板1107上的非奈米銀 線1101物質。奈米銀線1101散佈或嵌入其中，形成導電網路，部分奈米銀線1101從基質1103材料中突出。奈米銀線1101依靠基質1103形成奈米銀線薄膜1105，基質1103可以保護奈米銀線1101免受腐蝕、磨損等外界環境的影響。

其中，奈米銀線1101(silver nano wires，簡稱SNW)的線長為10μm~300μm，優選20μm~100μm，最好其長度為20μm~50μm，奈米銀線1001的線徑(或線寬)小於500nm或小於200nm，100nm，優選為小於50nm，且其長寬比(線長與線徑之比)大於10，優選大於50，更優選大於100，大於400，大於500。此外，奈米銀線1101還可為其他導電金屬奈米線表面及非導電奈米線表面鍍銀的物質。採用奈米銀線薄膜1105形成電極結構具有以下的優點：奈米銀線薄膜1105相較於ITO的價格低，工藝簡單，且撓性好，可耐受彎折等優點，此外，當受到壓力作用時其電阻變化率大，能夠用於壓力感測輸入裝置的壓力電極，且能夠取得較好的效果。第一基板1107一般為透明絕緣材料，本發明此處及下文所述之基板可包括但不受限於：2D或3D基板，剛性基板，如玻璃，強化玻璃，藍寶石玻璃等；也可以是柔性基板，如聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、聚醯亞胺(Polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚丁二酸乙二醇酯(polyethylene glycol succinate，PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚氯乙烯 (Polyvinyl chloride，PVC)、聚丙烯(Polypropylene，PP)及其任意兩者的複合物等材料。透明基板還可為偏光片或濾光片基板。

請參閱第3圖，係本發明奈米銀線壓力感測輸入裝置的結構原理圖，但並不以此為限。當使用者用手指觸壓之後，將致使奈米銀線薄膜1105產生微小形變，相對應的觸壓區的奈米銀線薄膜1105線長將發生變化(因被按壓)，進而影響奈米銀線薄膜1105的等效阻值。此外，由於奈米銀線薄膜1105由奈米銀線1101製備而成，在按壓時，奈米銀線薄膜1105除了有物理形變，在形成奈米銀線薄膜1105的奈米銀線1101之間還可由於壓力的作用，彼此之間距離靠近，使奈米銀線1101之間的空間位置發生變化，搭接點增多，從而導致電阻的變化，該電阻變化量通過壓力感測晶片(圖未示)測出，以實現對壓力大小的檢測。因此，當觸壓的力道不同時，奈米銀線薄膜1105將產生不同的阻值變化。如果觸壓的力道較大，則奈米銀線薄膜1105的阻值具有較大的變化量；相反地，如果觸壓的力道較小，則奈米銀線薄膜1105的阻值具有較小的變化量。因此，藉由測量奈米銀線薄膜1105的阻值變化量，便可判斷出觸壓的力道。

由於奈米銀線薄膜1105通常由相同材料製作而成，奈米銀線薄膜1105的材料選擇應考慮的一個重要參數，即材料的應變計因數(Gage Factor；GF)。材料的應變計因數(Gage Factor；GF)如下計算方式所示：GF=(△R/R)/(△L/L)； 其中，R為導電材料在未被觸壓時的等效阻值，△R為導電材料被觸壓後的阻值變化量，L為導電材料未被觸壓時的線長，△L為導電材料被觸壓後的線長變化量。在一實施例中，為了更好的偵測△R的大小，導電材料的應變計因數GF係大於0.5，用以提供較佳的靈敏度。

請參閱第4A~4B圖，本發明壓力感測輸入裝置第一實施例提供了一種壓力感測輸入裝置10，該壓力感測輸入裝置包括一第一基板11，設置於第一基板11表面的一第一導電層13及壓力感測晶片14。其中，該導電層包括複數個第一壓力感測電極131，該壓力感測晶片14與該第一壓力感測電極131電連接。第一基板11還可以包括以M×N等間距矩陣排布的複數個第一壓力感測電極131，此處列舉少量的第一壓力感測電極131示意。

第一壓力感測電極131用以感測壓力大小，第一壓力感測電極131由奈米銀線薄膜形成。奈米銀線薄膜包括奈米銀線和基質，當奈米銀線薄膜受到觸壓時，該奈米銀線薄膜發生形變，且奈米銀線搭接點增多，電阻變化率增大。第一壓力感測電極的應變計因數大於0.5。

壓力感測晶片14通過檢測第一壓力感測電極131在受到壓力後產生的電阻變化量實現對壓力大小的檢測。壓力感測晶片14與第一壓力感測電極131之間通過多條第一電極連接線132連接。第一電極連接線132的材料不侷限為ITO，還可以為透明的奈米銀線，奈米銅線，石墨烯，聚苯胺，PEDOT：PSS透明導電高分子材料，碳奈米管， 石墨烯等。

在一些實施例中，壓力感測晶片14還可包括惠斯通電橋電路141，惠斯通電橋電路141對第一壓力感測電極131的電阻值的改變進行信號放大處理，進而使得壓力感測晶片14可以更加精確的檢測出外接壓力的大小，從而進行後續不同的控制信號輸出。

第一導電層13的方阻小於150ohm/sq，其折射率為1.3~2.5，更優為1.35~1.8，其厚度約為10nm~5μm，優選為20nm~3μm，更優為50nm~200nm。

第一導電層13的透光率或清晰度可由以下參數定量的限定：透光率和霧度。透光率是指通過介質傳輸的入射光的百分比，第一導電層13的透光率至少為80%，還可為90%，甚至可以高達95%~97%。霧度是光漫射的指數，霧度是指入射光中分離出來並在傳輸的過程中散射的光的數量百分比，霧度是指由於第一導電層13中的奈米銀線表面光漫射造成的雲霧狀或混濁的外觀。螢幕的霧度問題會導致在室外場景光線照射的情況下，螢幕反射光強烈，嚴重的時候會使得使用者看不清螢幕。在本發明的實施例中霧度不會超過3%，甚至可以達到不超過1.5%。

優選地，第一壓力感測電極131為細長的線體狀，其線寬為3~500μm，優選為3~100μm。

在本實施例中，該第一壓力感測電極131的橫截面為矩形，第一壓力感測電極131被觸壓後的阻值變化量△R的變化主要依賴於第一壓力感測電極131被觸壓後的線 長變化量△L。在另外的實施例中，當第一壓力感測電極131做成具有較小長寬比的方形，橢圓形及其他不規則圖形的時候，△R的變化將主要依賴於第一壓力感測電極131的形變量，而不僅僅單一的依賴於△L。

在另外的實施例變形中，第一基板11可為保護蓋板(圖未示)，用以作為第一導電層13的保護外蓋，保護蓋板(圖未示)具有第一表面(圖未示)及相對設置的第二表面(圖未示)，該第一導電層13設於保護蓋板(圖未示)的第二表面(圖未示)，而第一表面(圖未示)則供使用者施加一觸壓動作。

請參閱第5圖，本發明壓力感測輸入裝置第二實施例中提供了一種壓力感測輸入裝置20，其包括第一導電層201。該第一導電層201包括以M×N陣列排布的第一壓力感測電極202，此處以示意方式僅列舉少量的第一壓力感測電極202，在實際產品中，第一壓力感測電極202亦可為以半徑為R(R為大於0的正數)的圓周或矩陣陣列排布，也可以為上述兩種方式的結合或其他不規則排布方式。壓力感測輸入裝置20還包括壓力感測晶片(圖未示)。

其中，第一壓力感測電極202為繞線式放射狀，且具有兩個端口。每一第一壓力感測電極202搭配有一壓力感測電極信號線203，該壓力感測電極信號線203包括一發送線2031及一接收線2032，發送線2031搭接到第一壓力感測電極202的其中一端部，接收線2032搭接到第一壓力感測電極202的另一端部，且發送線2031和接收線2032連 接至壓力感測晶片(圖未示)。壓力感測晶片(圖未示)內可設置有前述的惠斯通電橋電路(圖未示)，發送線2301、第一壓力感測電極202、接收線2302與壓力感測晶片(圖未示)形成一可以檢測第一壓力感測電極202受壓時產生阻值變化的結構。

壓力感測電極信號線203的材料可包括但不受限於：ITO、IZO等金屬氧化物類材料，奈米銀線，奈米銅線，石墨烯，聚苯胺或其他導電高分子材料之任意一種或其組合。

請參閱第6圖，本發明壓力感測輸入裝置第三實施例提供了一種壓力感測輸入裝置40，其與第一和第二實施例的區別在於該壓力感測輸入裝置40還包含一保護層403，故，省略這兩個實施例中某些元件的闡述。該壓力感測輸入裝置40包括一第一導電層401、一支撐第一導電層401的第一基板402及至少一保護層403，該保護層403設置在第一導電層401上。該保護層403用於保護第一導電層401，防止第一導電層401表面氧化、腐蝕等直接暴露在外所產生的一系列損壞，而導致導電性降低的問題，同時也有利於保持第一導電層401的平整性，提高其使用壽命。

保護層403的材料可採用高分子材料及氧化物，其具體包括但不限於：聚乙炔、聚苯胺、聚芳撐、聚噻吩、石墨烯、並五苯、聚苯撐乙炔(PPE)、聚對苯撐乙烯(PPV)、聚(3,4-亞乙基二氧吩)(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸(PSS)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)、聚(3-辛基噻吩)(P3OT)、 聚(芳醚碸)、聚(C-61-丁酸-甲酯)(PCBM)、聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基-己氧基)-1,4-苯撐乙烯撐](MEH-PPV)、氮化矽、二氧化矽、類光阻劑等物質或它們的任意組合。

此外，在一些變形的實施例中，保護層403還能具有光學作用，可通過選用具有光學效果的材料作為保護層403，或者在保護層403的材料中摻入光學粒子，以期降低奈米銀線的光線反射，降低其可視性，提高透光率。

請參閱第7圖，本發明壓力感測輸入裝置第四實施例提供了一種壓力感測輸入裝置50，其與第一、第二和第三實施例的區別在於該壓力感測輸入裝置50還包含一光學匹配層503，故，省略這三個實施例中某些元件的闡述。該壓力感測輸入裝置50包括第一導電層501、一支撐第一導電層501的第一基板502及至少一光學匹配層503，該光學匹配層503設置在第一基板502下表面，與設置在第一基板502上表面的第一導電層501相對應設置(此處及後述的「上」或「下」為相對位置，並非絕對定義，同時可以理解為上表面顛倒時也即成為下表面)。

該光學匹配層503為一層低折射率的光學膜，其可以降低奈米銀線的反射，降低壓力感測電極圖案的可視性。低折射率為折射率小於1.6，優選的為1.1~1.6之間，如折射率為1.1、1.25、1.32、1.38、1.46、1.50或1.52。

在另外的變形實施例中，光學匹配層503的位置不受限制，可以放置在壓力感測輸入裝置50中的任意位置。

請參閱第8A~8B圖，本發明壓力感測輸入裝置第五實施例提供了一種壓力感測輸入裝置60，其包括由上至下依次設置的保護蓋板603、第一導電層601及第一基板602。其中，第一基板602用於支撐第一導電層601。

第一導電層601包括一壓力感測配置區605和一與第一壓力感測配置區605面積互補的第一觸控感應配置區604，複數個第一壓力感測電極6012設置於第一壓力感測配置區605內，第一觸控感應配置區604內設有複數個第一觸控感應電極6011。

具體地，在第一導電層601形成的以M×N陣列排布的第一觸控感應電極6011及設置於相鄰第一觸控感應電極6011之間的第一壓力感測電極6012，此處以示意方式僅列舉少量的第一觸控感應電極6011及第一壓力感測電極6012，在實際產品中，第一壓力感測電極6012亦可為以半徑為R(R為大於0的正數)的圓周或矩陣陣列排布，也可以為上述兩種方式的結合或其他不規則排布方式。

其中，第一觸控感應電極6011為菱形。優選，第一壓力感測電極6012為細長的線條狀，其線寬為3~500μm，優選為3~100μm。在本實施例中，第一觸控感應電極6011的線寬優選大於第一壓力感測電極6012，其中，更優的，第一壓力感測電極6012的線寬為第一觸控感應電極6011的線寬的0.5~0.8倍，且在第一基板602的單位面積內，第一壓力感測電極6012的線長大於第一觸控感應電極6011的線長。

本實施例中所提供的壓力感測輸入裝置60可使在觸壓過程中，使第一壓力感測電極6012的形變更大，從而使電阻值變化更為顯著，提高第一導電層601對壓力感測的靈敏度。

在另外的變形實施例中，該第一壓力感測電極6012圖形與第一觸控感應電極6011圖形還可為其它類型的互補關聯設計。

在另外的實施例中，第一壓力感測電極6012能實現多點壓力偵測。

在另外的實施例中，該第一觸控感應電極6012為奈米銀線薄膜形成，其通過與由奈米銀線薄膜形成的第一壓力感測電極6011在同一製程中形成，減少了製程的工序，降低成本。

請參閱第9圖，本發明第六實施例提供了一種壓力感測輸入裝置70，該壓力感測輸入裝置70包括保護蓋板71、第一基板73、第二基板76及分別形成在第一基板73和第二基板76上的第一導電層72和第二導電層75，保護蓋板71具有一第一表面和一第二表面，且第一表面和第二表面相對設置，第一表面供使用者給於按壓動作。第一導電層72位於保護蓋板71和第一基板73之間。第一導電層72包括第一壓力感測電極721和第一觸控感應電極722，該第一壓力感測電極721由奈米銀線薄膜形成，第二導電層75包括間隔均勻設置的第二觸控感應電極751。當使用者施加一觸壓動作給保護蓋板71，作用力傳遞到保護蓋板71之下的第一 導電層72中第一壓力感測電極721，引起該第一壓力感測電極721的形變，從而引起電阻變化，該電阻變化通過壓力感測晶片(圖未示)處理從而確定壓力的大小。此外，當使用者的手指靠近時，影響了第一觸控感應電極722和第二觸控感應電極751之間的電容耦合，從而通過相應晶片處理可檢測出手指觸摸的相應位置。綜上所述，通過第一導電層72對應第一壓力感測電極721和第一觸控感應電極722，以及第二導電層75中對應的第二觸控感應電極751感測出觸壓動作的位置及觸壓的力量，可利用不同的觸壓力量實現不同的功能操作，這樣的設計可以極大的提高使用者使用產品的體驗度和滿意度。

第一觸控感應電極722、第二觸控感應電極751的材料可以為氧化銦錫(ITO)，還可以為奈米銀線，奈米銅線，石墨烯，聚苯胺，PEDOT(聚噻吩的衍生物聚乙撐二氧噻吩)：PSS(聚苯乙烯磺酸鈉)透明導電高分子材料，碳奈米管，石墨烯等。

在另外的實施例中，該第一觸控感應電極722也為奈米銀線薄膜形成，其通過與由奈米銀線薄膜形成的第一壓力感測電極721在同一製程中形成，因而，減少了製程的工序，降低成本。

請參閱第10A~10B圖，本發明壓力感測輸入裝置第七實施例與第一實施例的區別在於：在本實施例中壓力感測輸入裝置80的第一導電層803包括第一觸控感應電極8031及第一壓力感測電極8021，第一觸控感應電極8031 可進一步包括交錯互補間隔設置的第一方向觸控感應電極8013及第二方向觸控感應電極8014。第一導電層803還包括第一觸控感應配置區804及第一壓力感測配置區805。第一方向觸控感應電極8013和第二方向觸控感應電極8014形成在第一觸控感應配置區804，第一壓力感測電極8021形成在第一壓力感測配置區805。

為了有足夠的空間佈設第一壓力感測電極8021，第一觸控感應電極803在基板上所占的空間要相對縮小。第一方向觸控感應電極8013和第二方向觸控感應電極8014分別包括多個沿第二方向延伸的第一方向觸控感應電極凸出部80131和第二方向觸控感應電極凸出部80141，第一方向觸控感應電極8013及第二方向觸控感應電極8014彼此交叉互補，第一方向觸控感應電極凸出部80131和第二方向觸控感應電極凸出部80141間隔設置，形成交錯互補的圖形，設置在第一壓力感測配置區805中的第一壓力感測電極8021曲線彎折狀設置在第一方向觸控感應電極8013和第二方向觸控感應電極8014交叉互補後形成的相應的間隙中，第一壓力感測電極8021與第一方向觸控感應電極8013、第二方向觸控感應電極8014不接觸，從而可以有效避免電信號的干擾，而曲線造型分佈的第一壓力感測電極8021可以大大提高其感應外界壓力及形變能力，進而提高其感測的精確度，為了取得足夠的空間佈設第一壓力感測電極8021及取得較大的電阻變化，生產過程中可以將第一方向觸控感應電極8013和第二方向觸控感應電極8014的線 寬適度縮小並且控制第一壓力感測電極8021的線寬小於第一方向觸控感應電極8013和第二方向觸控感應電極8014的線寬，優選第一壓力感測電極8021的線寬為第一方向觸控感應電極8013或第二方向觸控感應電極8014的線寬0.5~0.8倍。第一方向觸控感應電極凸出部80131和第二方向觸控感應電極凸出部80141的數量形狀及其分佈不限。

第一電極連接線8015分別從使第一壓力感測電極8021兩端引出，連接到壓力感測晶片(圖未示)，第一電極連接線8015的材料不侷限為ITO，還可以為銀、奈米銀、IZO(ZnO：In)、AZO(ZnO：Al)、GZO(ZnO：Ga)、IGZO(In：Ga：Zn)、奈米銅線、石墨烯、聚苯胺、PEDOT/PSS透明導電高分子材料/碳奈米管/石墨烯等，此時第一基板802至少兩邊可以做成無邊框設計，得到無邊框觸控輸入裝置。

在本實施例中，可實現在同一層導電層(如第一導電層803)上實現觸控位置與壓力的同時感測，且可在一次印刷中同時完成第一觸控感應電極8031(包括第一方向觸控感測電極8013及第二方向觸控感應電極8014)和第一壓力感測電極8021的製作，大大簡化了製程，降低了成本。

請參閱第11A~11B圖，本發明壓力感測輸入裝置第八實施例提供了一種壓力感測輸入裝置90，該壓力感測輸入裝置90包括第一基板91及設置在第一基板91上的第一導電層92，第一導電層92包括第一觸控感應電極902、第 一壓力感測電極903及第一絕緣結構925，該第一觸控感應電極902包括第一方向觸控感應電極921與第二方向觸控感應電極923，第一壓力感測電極903包括第一方向壓力感測電極922與第二方向壓力感測電極924。其中，該第一方向觸控感應電極921位於該第一絕緣結構925相對應的兩側，且該第一方向觸控感應電極921為交錯分佈；該第一方向壓力感測電極922位於該第一絕緣結構925相對應的兩側，且該第一方向壓力感測電極922為交錯分佈；該第二方向觸控感應電極923位於該第一絕緣結構925相對應的兩側，且第二方向觸控感應電極923為交錯分佈；第二方向壓力感測電極924位於該第一絕緣結構925相對應的兩側，且該第二方向壓力感測電極924為交錯分佈。

具體來說，本實施例中第一方向觸控感應電極921的第一觸控感應導接段9211與第一方向壓力感測電極922的第一連接段9221相互連接，且第二方向觸控感應電極923的第二觸控感應導接段9231與第二方向壓力感測電極924的第二連接段9241相互連接，即第一方向觸控感應電極921與第一方向壓力感測電極922之間以及第二方向觸控感應電極923與第二方向壓力感測電極924之間不必維持電性絕緣，使用同一條導線電性導通。在部分實施方式中，第一連接段9221與第一觸控感應導接段9211可為非一體式結構的兩條導線分別進行導通，第二連接段9241與第二觸控感應導接段9231為非一體式結構的兩條導線分別進行導通，但其實施方式不以此為限。

當然，在其他實施例中，第一壓力感測電極903和第一觸控感應電極902不一定是交錯排布，也可將相應第一壓力感測電極903和第一觸控感應電極902呈對稱的方式設置，並不以此為限，任何位置的變化均屬於本發明範圍。

在本實施例中，在第一基板91的第一導電層92上實現觸控感應與壓力感測，一方面，可以節省製備的材料，使得壓力感測輸入裝置整體的厚度得以減薄，另一方面，第一壓力感測電極903與第一觸控感應電極902在同一平面上，還可以防止壓力感測輸入裝置在執行壓力觸控感應時信號的相互影響，從而保證壓力值感測與觸控感應的精準度。

請參閱第12A圖，本發明壓力感測輸入裝置第九實施例提供了一種壓力感測輸入裝置100，該奈米銀線壓力感測輸入裝置100為結合了具有第一壓力感測電極1011的壓力感測輸入裝置100的單層架橋結構，其中，壓力感測輸入裝置100將第一壓力感測電極1011設計成與單層架橋結構中的電極共面。第一導電層1010包括第一觸控感應配置區102及第一壓力感測配置區103。第一觸控感應電極1012設置在第一觸控感應配置區102內，相鄰第一觸控感應電極1012之間交錯互補且存在一定間距，第一壓力感測電極1011設置在第一觸控感應電極1012之間的第一壓力感測配置區103。第一壓力感測配置區103設於第一觸控感測配置區102的第一觸控感測電極1012之間。第一壓力感測電極1011可為一定線寬的不規則線條，第一壓力感測電極 1011不限定於折線，其還可以是曲線等。

在本實施例中，具有第一壓力感測電極1011的壓力感測輸入裝置100包括第一基板101及設置在第一基板101上的第一導電層1010，該第一導電層1010包括若干個等間距排布的第一觸控感應電極1012及設置在第一觸控感應電極1012之間的第一壓力感測電極1011。第一壓力感測電極1011可為一個或以上。更進一步地，第一壓力感測電極1011可設置在第一觸控感應電極1012之間的第一壓力感測配置區103。其中，該第一觸控感應電極1012可分為第一方向觸控感應電極1013及第二方向觸控感應電極1014，該第一方向觸控感應電極1013與第二方向觸控感應電極1014之間的重疊的區域通過連接絕緣塊1015絕緣。第一觸控感應電極1012與第一壓力感測電極1011之間互不接觸，可以防止壓力感測輸入裝置在執行壓力觸控感應時信號的相互影響，避免干擾，從而保證壓力值感測與觸控感應的精準度。

在本實施例中，第一觸控感應電極1012與第一壓力感測電極1011排布形成一個均勻分佈的電極圖形。在按壓的時候，第一壓力感測電極1011除了有物理形變，奈米銀線之間也會因為壓力彼此靠近，從而導致電阻發生變化，這樣的設計可以有效提高觸壓動作所帶來的電阻值變化的顯著程度。

此外，在本實施例中，在同一第一基板101的同一第一導電層1010上同時實現觸控感應與壓力感測，且 可在一次印刷中同時完成第一觸控感應電極1012和第一壓力感測電極1011的製作，從而簡化製程，降低製作成本。

如第12B圖中所示，本發明壓力感測輸入裝置第九實施例的又一變形實施例中，提供一種壓力感測輸入裝置100’，其與第一壓力感測輸入裝置100的區別在於：第一導電層1010上第一壓力感測配置區103設於第一觸控感測配置區102的周圍，具體為第一基板101上第一觸控感測配置區102的周圍的透明區域。

第一壓力感測配置區103內設置的第一壓力感測電極1021與第一觸控感應配置區102內設置的第一觸控感應電極1012之間互不接觸且形狀互補。

在另外的變形實施例中，第一壓力感測電極1021的數量、形狀及分佈不受限制。

請參閱第13A~13B圖，本發明第十實施例提供了一種壓力感測輸入裝置的製造方法，該製造方法用於製造本發明第五實施例壓力感測輸入裝置60，該製造方法可以包括以下步驟：S1：提供一第一基板602；S2：在第一基板602的其中一表面上塗布奈米銀線薄膜形成一第一導電層601；及S3：在該奈米銀線薄膜上形成第一壓力感測電極6012及第一觸控感應電極6011圖案。

上述方法中還可包括步驟S4：及提供一透明絕緣的保護蓋板603於其上。

上述步驟S1中，第一基板602為整個壓力感測輸入裝置60提供支撐；其中，第一基板602的水滴角的角度為0°~30°，更優選的小於0°~10°。

上述步驟S2~S3可採用蝕刻方法，係在第一基板602上塗布奈米銀線溶液後蝕刻獲得所需的電極圖案，具體包括步驟S211，在第一基板602的其中一表面上塗布奈米銀線薄膜；及步驟S212將奈米銀線薄膜蝕刻形成第一壓力感測電極與第一觸控感應電極圖案。

在步驟S211中，包括在步驟S1中提供的第一基板602上塗覆奈米銀線薄膜，形成整面導通的第一導電層601。

其中，該奈米銀線薄膜中的奈米銀線的線長為10μm~300μm，優選20μm~100μm，最好其長度20μm~50μm，奈米銀線801的線徑小於500nm或小於200nm，100nm，優選為小於50nm，且其長寬比大於100，優選大於400，更優選大於500。其中，疏水溶劑比重為10%~20%之間。

此外，在第一基板602上形成第一導電層601的奈米銀線薄膜中都可加入暗色物質添加劑顆粒。其中，暗色物質添加劑顆粒可包括亞微米級(細微性直徑為100nm~1μm)的碳粉、鐵粉、氧化鐵或氧化銅中的至少一種或幾種的組合。

暗色添加劑顆粒的粒徑為20nm~800nm，其粒徑還可進一步優選為40nm~600nm，更優為50nm~500nm。

暗色添加劑顆粒占奈米銀線薄膜的重量百分比的範圍為5%~40%，其範圍優選為10%~35%，更優選為10%~30%。暗色添加劑顆粒的加入，能夠大大降低奈米銀線的可視性，大大提高了產品的外觀。

上述塗布的具體方法具體包括但不受限於：噴墨塗布工藝、撒播塗布工藝、凹版印刷塗布工藝、凸版印刷塗布工藝、柔印塗布工藝、奈米壓印塗布工藝、絲網印刷塗布工藝、刮刀塗布工藝、狹縫式擠壓塗布工藝(Slot die coating)、旋轉塗布工藝、棒狀塗布工藝、滾筒塗布工藝、線棒塗布工藝或浸漬塗布工藝。

其中，以狹縫式擠壓塗布工藝為例，具體步驟為在操作塗布時會採用設備將奈米銀線懸浮溶液放置在第一基板602上，附著有奈米銀線懸浮溶液的加注輥向順時針方向旋轉，設備的第一端按照一個方向不停的塗布到第二端後，再做回程運動，從第二端朝著第一端不停的運動。採用狹縫式擠壓塗布並往復塗布的方式，使得奈米銀線懸浮溶液均勻和完整地塗覆在基板上。如有需要，狹縫式擠壓塗布可以與第一端和第二端的連線呈一定的設計角度(15°~85°)進行往復塗布。採用狹縫式擠壓塗布工藝進行塗布操作，可進一步提高奈米銀線懸浮溶液在第一基板602上塗布的精度和均勻性。

在步驟S212中，包括對形成的第一導電層601上的奈米銀線薄膜進行蝕刻處理形成預期的第一壓力感測配置區605及第一觸控感應配置區604，其中，蝕刻是指利 用光刻膠膜(掩膜)的覆蓋和保護作用，以化學反應或物理作用的方法去除沒有覆有光刻膠膜(掩膜)保護的區域，完成圖形轉移的目的。在本發明中是採用蝕刻在已形成的第一導電層601上區分出的第一觸控感應配置區604與第一壓力感測配置區605。蝕刻的方法包括：DES(Developing、Etching、Stripping，顯影、蝕刻及剝膜)蝕刻、濕法蝕刻、氧化蝕刻、鐳射蝕刻或電弧高頻感應蝕刻等。

其中，DES蝕刻包括顯影、蝕刻及剝膜三大部分；顯影是指將未曝光的部分溶解，曝光部分保留；蝕刻是指將裸露的部分蝕刻掉，從而獲得所需的圖形；剝膜是將圖形上的幹膜溶解並沖洗乾淨。

濕法蝕刻是指採用化學溶液腐蝕物無膠保護的膜，並生成可溶於水的副產物，其具體可分為塗覆光刻膠、蝕刻劑浸泡、清洗、剝膜等過程。

氧化蝕刻是指將預想的導電區域遮蔽，置於濕氣富氧和H₂S環境中，將非導電區域的奈米銀線氧化成非導電金屬氧化物。

鐳射蝕刻是指採用鐳射鐳射將非導電區域奈米銀線鐳射掉，從而形成非導電區域。

電弧高頻感應蝕刻是指採用高頻電弧轟擊非導電區域的奈米銀線，使該區域的奈米銀線氣化從而形成非導電區域。

更進一步地，如第13B圖中所示，圖案蝕刻可分為完全蝕刻或非完全蝕刻。其中，完全蝕刻是指將導電區 域之外的其他導電材料完全去除，此蝕刻方法會導致蝕刻區域與非蝕刻區域色差較明顯。而非完全蝕刻為將導電區域與非導電區域之間區域部分去除。從而使導電區域與非導電區域斷開，但是不去除非導電區域的導電材料。非完全蝕刻與完全蝕刻相比較，可使蝕刻區電極與非蝕刻區電極色差較小，產品的外觀效果較好。

在上述步驟S2~S3還可以採用壓印法，係在第一基板602上塗布形成透明絕緣層(圖未示)，後再於透明絕緣層上壓印形成圖案化凹槽(圖未示)，並在該圖案化凹槽(圖未示)中填充奈米銀線溶液，獲得所需的電極圖案。

壓印法首先需提供相應網格圖案的模具(圖未示)，其中，該網格圖案中網格單元的形狀為正三邊形、正方形、菱形、矩形、平行四邊形或曲邊四邊形、正六邊形、多邊形、不規則形狀等，其具體的實施步驟如下：

步驟S221，在步驟S1中提供的第一基板602上形成透明絕緣層。在第一基板602上形成一透明絕緣層(圖未示)。該透明絕緣層(圖未示)的厚度為大於等於第一導電層601的厚度，即大於等於10nm~50μm，優選為大於等於20nm~10μm，更優為大於等於50nm~200nm。

步驟S222，在透明絕緣層(圖未示)上製作出與模具(圖未示)中網格圖案相應的圖案化凹槽(圖未示)。

步驟S223，在所形成的圖案化凹槽(圖中未示)中填充奈米銀線溶液。

步驟S224，固化圖案化凹槽(圖中未示)內的奈米銀 線溶液，獲得由奈米銀線薄膜形成的第一導電層601。

在某些情況下(如溢膠、平整度不佳等)，還可選擇進行拋光工藝。去除透明絕緣層(圖未示)表面多餘的奈米銀線，只保留圖案化凹槽(圖未示)中的奈米銀線，從而形成第一導電層601；該拋光工藝可以採用機械拋光、化學電解或化學腐蝕中的任意一種或其組合。

上述壓印法將傳統導電膜的面狀的分佈形式變為線狀的分佈形式，有助於增長感應電極，尤其是第一壓力感測電極的線長，從而增加第一壓力感測電極及第一觸控感應電極的感應靈敏度。

採用本實施例中所述之製造方法製備獲得的壓力感測輸入裝置60中第一導電層601的透光率至少為80%，甚至可以高達91%~92%。此外，由於加入了暗色物質添加劑顆粒，可以有效減少奈米銀線壓力感測輸入裝置60中奈米銀線的光線反射，降低其可視性。

與現有技術相比，第一，本發明中提供了一種壓力感測輸入裝置，壓力感測輸入裝置包括複數個由奈米銀線薄膜形成的壓力感測電極，其中，奈米銀線薄膜由奈米銀線和基質構成，其在受到壓力後相互擠壓導致奈米銀線電阻發生變化。與現有技術中採用ITO材料製備感應電極相比，ITO材料僅能實現單層形變。而在本發明中，當使用者施加一觸壓動作，作用力傳遞到第一導電層後，導電層中的各對應壓力感測電極產生相應動作，奈米銀線相應發生物理形變，此外，由於構成壓力感測電極的奈米銀線薄膜由基質和 嵌入或散佈其中的奈米銀線形成，其中，奈米銀線的線長為10μm~300μm，其線徑(或線寬)小於500nm，且其線長與線徑之比大於10，在按壓本發明所提供的壓力感測輸入裝置的過程中，相對應的奈米銀線的壓力感測電極在發生物理形變之外，由於按壓力的作用，其微觀奈米銀線之間的空間位置也會改變。具體地，在按壓時，奈米銀線之間由於壓力的作用，彼此之間距離靠近，使奈米銀線之間的空間位置發生變化，奈米銀線搭接點增多，從而導致電阻的變化。

奈米級銀線之間的微觀空間位置的變化與物理形變共同作用，帶來更為顯著的電阻值變化，由壓力感測輸入裝置中的壓力感測晶片對信號進行處理，從而計算獲得觸壓動作的位置及觸壓的力量大小，並進一步實現不同的觸壓力量可實現的不同的功能操作，相較於採用其它材料製備而成的壓力感測電極，本發明所提供的奈米銀線感應電極具有更好的觸壓靈敏度。

第二，本發明提供的奈米銀線壓力感測膜中具有共面設置的壓力感測電極及觸控感應電極，在一個奈米銀線壓力感測膜中可以同時實現壓力檢測及觸控位置檢測的功能。兼顧二維座標和三維觸壓力度的精準檢測，從而提高壓力觸控產品的使用者使用滿意度。

第三，本發明所提供的奈米銀線的壓力感測輸入裝置中可包括兩層及以上的導電層，導電層可包括壓力感測電極與觸控感應電極中的至少一種。其中，將壓力感測電極與觸控感應電極(包括第一觸控感應電極及第二觸控感應 電極)整合在同一個壓力感測輸入裝置中，相較於傳統的將壓力感測層與觸控屏疊加的結構，具有更薄的厚度及更佳的透光率等優點。此外，本發明所提供的壓力感測輸入裝置中壓力感測電極與觸控感應電極採用互補不重疊的形狀設計，在降低壓力感測輸入裝置厚度的同時亦提高壓力感測輸入裝置下設置的顯示模組的可視性的效果。壓力感測輸入裝置中還可進一步包括保護層或光學匹配層，從而可以根據需求獲得性能更佳的壓力感測膜及壓力觸控。

第四，本發明中還提供了一種具有由奈米銀線形成的壓力感測電極的奈米銀線壓力感測輸入裝置的製造方法，可實現在同一基板上同時製備壓力感測電極及觸控感應電極，可以大大簡化製程，降低製作的成本。本發明中用於製造壓力感測輸入裝置的奈米銀線溶液中加入粒徑大小為50nm~500nm的暗色物質添加劑顆粒，由於暗色物質添加劑顆粒加入，可以有效減少奈米銀線壓力感測輸入裝置中奈米銀線的光線反射，降低其可視性。

其中，本發明所提供的奈米銀線壓力感測輸入裝置的製造方法中的其中一種方法採用直接在透明絕緣層上成形圖案，且該透明絕緣層可根據需要從基板上取下或保留其上。區別於現有技術中必須將導電微圖案成型在基板上的特徵。如此對於基板的材料特性要求就大大降低，不管是柔性基板還是剛性基板，只需在透明絕緣層上轉印出圖案化的凹槽後，塗刷奈米銀線溶液，然後固化即可形成所需導電微圖案。由此來看，對於基板的材料特性要求大大降低。

更進一步地，本發明所提供的奈米銀線壓力感測輸入裝置的製造方法還可以採用蝕刻方式製備導電層，蝕刻可分為完全蝕刻與非完全蝕刻，完全蝕刻是指將導電圖形之外的其他導電材料完全去除，此蝕刻方法會導致蝕刻區域與非蝕刻區域色差較明顯。而非完全蝕刻指將該區域蝕刻成與電極結構區域隔離的區域，從而使導電圖形與非導電區域之間不接觸，但是不去除非導電區域的導電材料。非完全蝕刻與完全蝕刻相比較，可使蝕刻區電極與非蝕刻區電極色差較小，產品的外觀效果較好。

以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的原則之內所作的任何修改，等同替換和改進等均應包含本發明的保護範圍之內。

Claims (14)

1. 一種壓力感測輸入裝置，包括：一第一基板；一第一導電層，設置於該第一基板，該第一導電層包括複數個第一壓力感測電極，該些第一壓力感測電極由一奈米銀線薄膜形成，且該第一壓力感測電極的應變計因數大於0.5，該些第一壓力感測電極用於偵測施加於該第一導電層上一壓力的大小；以及一壓力感測晶片，與該些第一壓力感測電極電連接，該壓力感測晶片通過檢測該第一壓力感測電極在受到壓力後產生的電阻變化量實現對該壓力大小的檢測。
2. 如請求項1所述之壓力感測輸入裝置，其中該奈米銀線薄膜包括複數條奈米銀線和一基質，當該奈米銀線薄膜受到觸壓時，該奈米銀線薄膜發生形變，且該些奈米銀線搭接點增多，電阻變化率增大。
3. 如請求項2所述之壓力感測輸入裝置，其中該奈米銀線薄膜包括複數個暗色添加劑顆粒，該些暗色添加劑顆粒的粒徑為20nm~800nm。
4. 如請求項1所述之壓力感測輸入裝置，其中該第一導電層的厚度為10nm~5μm，其透光率至少為 90%，其霧度小於3%，其方阻小於150ohm/sq，其折射率為1.3~2.5。
5. 如請求項1所述之壓力感測輸入裝置，其中該第一壓力感測電極為曲線狀、折線狀、繞線式放射狀、繞線式螺旋狀中的任一種或多種。
6. 如請求項1所述之壓力感測輸入裝置，其中該第一壓力感測電極能實現多點壓力偵測。
7. 如請求項1所述之壓力感測輸入裝置，進一步包括複數個第一觸控感應電極，該第一導電層包括一第一壓力感測配置區和一第一觸控感應配置區，該些第一觸控感應電極位於該第一觸控感應配置區，該些第一壓力感測電極位於該第一壓力感測配置區，其中該第一壓力感測配置區與該第一觸控感應配置區面積互補。
8. 如請求項7所述之壓力感測輸入裝置，其中該些第一壓力感測電極與至少部分該些第一觸控感應電極在同一製程中形成，該些第一壓力感測電極與該些第一觸控感應電極於該第一基板的同一平面上。
9. 如請求項7所述之壓力感測輸入裝置，其中該些第一壓力感測電極的線寬為該些第一觸控感應電極的線寬的0.5~0.8倍。
10. 如請求項7所述之壓力感測輸入裝置，其中該第一壓力感測配置區設於該第一觸控感測配置區的該些第一觸控感測電極之間或設於該第一觸控感測配置區的周圍。
11. 如請求項7所述之壓力感測輸入裝置，其中該第一觸控感測電極進一步包括間隔設置的複數個第一方向觸控感測電極及複數個第二方向觸控感測電極，該些第一壓力感測電極設置於該些第一方向觸控感測電極及該些第二方向觸控感測電極之間。
12. 如請求項7中所述之壓力感測輸入裝置，進一步包括一第二基板及一第二導電層，該第二導電層設於該第二基板表面，該第二導電層包括複數個第二觸控感應電極和/或複數個第二壓力感測電極，該些第一觸控感測電極與該些第二觸控感應電極用於檢測多點觸控。
13. 如請求項1~12中任一項所述之壓力感測輸入裝置，進一步包括至少一光學匹配層，該光學匹配層的 折射率為1.1~1.6，該光學匹配層位於該第一導電層和該第一基板之間。
14. 如請求項13所述之壓力感測輸入裝置，其中該第一基板為一保護蓋板，用以作為該第一導電層的保護外蓋，該保護蓋板具有一第一表面及相對設置的一第二表面，該第一表面供使用者施加一觸壓動作。