TWI649441B - 沉積源組件及包含其之設備 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種用於在設置於腔體中之基板上沉積沉積材料之沉積源組件，沉積源組件包含：設置在腔體中的沉積源，沉積源被配置以在基板上沉積沉積材料；通過腔體之至少一側壁之電極，電極被配置以提供電源至沉積源；設置在電極及腔體之側壁之間之絕緣體；以及設置在絕緣體上以覆蓋絕緣體之至少一部份之絕緣帽。

Description

沉積源組件及包含其之設備 相關申請案之交互參照

本申請案係主張於2013年5月6日提申之韓國專利申請號第10-2013-0050805之優先權及效益，其於各方面併入作為參考如同於本文所提出。

例示性實施例係關於一種沉積源組件及包含其之設備，並且更精確的，是關於一種用於沉積型製造技術可在大型基板量產製程中採用而具提高產率之沉積源組件、以及包含其之設備。

移動電子裝置，如手機、筆記本電腦、個人數位助理、平板電腦等，典型地包含用於提供使用者視覺資訊，如圖像或影像的顯示裝置，以支持多種功能。隨著傳統上用來與所述視覺資訊互動之各種部件消除化或小型化(例如，物理按鈕，開關等)，顯示裝置本身對移動電子裝置變得越來越重要。此外，顯示裝置已經發展到可彎曲至一定角度或程度。

在傳統顯示裝置中，有機發光顯示裝置至少部份因具有廣視角、良好的對比度及快速響應時間而受到關注。一般而言，有機發光 顯示裝置可藉由堆疊或沉積各種層而形成，各種層可包含由在陰極電極及陽極電極之間所設置之有機材料形成的發光層。典型地，發光層被設置在陽極電極上，且陰極電極被設置在發光層上。值得注意的是，陰極電極及陽極電極以及發光層可藉由蒸鍍及沉積金屬材料或有機材料而形成。為了沉積金屬材料或有機材料，通常使用具有含有加熱器安裝於其中之沉積源的坩堝。使用加熱器以加熱金屬或有機材料，且從而蒸鍍用於沉積的金屬或有機材料。

傳統的，坩堝可包含用於從外部源供應電力以加熱加熱器的電極，且包含在沉積設備的腔體內將電極絕緣的絕緣體。因為至少一部分應用於實行沉積製程的熱及壓力程度，介電崩潰可能在絕緣體中發生，其可能在金屬材料沉積於絕緣體上時增強。

在先前技術部份中公開的上述資訊僅用於增強對本發明的背景的理解，且因此其可能包含不構成本國具有通常知識者已習知的先前技術的資訊。

例示性實施例提供一種能輕易地製造、輕易地應用於大型基板的量產製程，且具有提昇的產率及沉積效率之沉積源組件。

另外的態樣將於下文中之詳細描述來闡述，且部份將從本公開顯而易見，或可藉由本發明的實行來理解。

根據例示性實施例，一種用於在設置於腔體中之基板上沉積沉積材料之沉積源組件，其包含：設置在腔體中的沉積源，沉積源被配置以在基板上沉積沉積材料；通過腔體之至少一側壁之電極，電極被 配置以提供電源至沉積源；設置在電極及腔體之側壁之間之絕緣體；以及設置在絕緣體上以覆蓋絕緣體之至少一部份之絕緣帽。

根據例示性實施例，一種配置以將沉積材料沉積在目標基板上之設備，其包含：包含內部腔室區域及延伸至內部腔室區域之第一開孔的腔體；設置在第一開孔中之絕緣體，絕緣體包含至少延伸至內部腔室區域之第二開孔；設置在絕緣體上之末端之絕緣帽，末端設置在內部腔室區域中，絕緣帽包含與第二開孔搭配設置之第三開孔；以及透過第二開孔及第三開孔延伸進入內部腔室區域之電極，電極被配置以提供電源以蒸發沉積材料。

前述概括敘述及之後詳細敘述為例示性及解釋性的，且旨在提供如申請專利範圍所定義的本發明之更進一步的解釋。

A‧‧‧部份

F‧‧‧煙塵

1、30‧‧‧基板

10‧‧‧有機發光顯示裝置

100‧‧‧沉積源組件

110‧‧‧腔體

120‧‧‧沉積源

130‧‧‧電極

140‧‧‧絕緣體

150、150a、150b、150c‧‧‧絕緣帽

151‧‧‧基底

152‧‧‧突部

31‧‧‧絕緣膜

40‧‧‧薄膜電晶體

50‧‧‧電容

60‧‧‧有機發光裝置

41‧‧‧半導體主動層

32‧‧‧閘極絕緣膜

33‧‧‧層間介電質

34‧‧‧保護膜

35‧‧‧像素定義膜

42‧‧‧閘極電極

43‧‧‧源極及汲極電極

51、61‧‧‧第一電極

52、62‧‧‧第二電極

63‧‧‧有機層

被包含以提供本發明之進一步理解並且被併入並構成本說明書的一部分之附圖示出本發明的例示性實施例，並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。

第1圖係為根據例示性實施例的沉積源組件的視圖。

第2圖係為根據例示性實施例的第1圖的部份A的放大圖。

第3A圖、第3B圖及第3C圖係為根據例示性實施例之第1圖的沉積源組件之絕緣帽150的各種形狀的視圖。

第4圖係為根據例示性實施例使用第1圖的沉積源組件所製造之主動矩陣式有機發光顯示裝置的剖視圖。

在下面的描述中，為了解釋的目的，許多具體的細節被闡述以便提供各種例示性實施例的全面理解。然而，各種例示性實施例顯而易見的可以在沒有這些具體細節下或具有一或多個等效配置下來實施。在其他實例中，習知的結構及裝置以方塊圖的形式示出，以避免不必要地混淆各種例示性實施例。

在附圖中，層、膜、面板、區域等的尺寸及相對尺寸，也可以為了清楚及描述的目的而放大。此外，類似的參考符號表示相同的元件。

當一個元件或層被稱為「在(on)」另一元件或層「上」，「連接到(connected to)」或「耦合到(coupled to)」另一元件或層時，其可以直接位於其他元件或層上、直接連接到或耦合到其他元件或層，或可以存在中間元件或層。然而，當一個元件或層被稱作「直接在(directly on)」，「直接連接到(directly connected to)」或「直接耦合到(directly coupled to)」另一元件或層時，不存在中間元件或層。對於本公開的目的，「X、Y及Z的至少之一」及「選自由X、Y及Z所組成的群組之至少之一」可以被解釋為僅有X、僅有Y、僅有Z，或X、Y及Z的其中之二或多個如XYZ、XYY、YZ及ZZ的任意組合。相同的參考符號代表相同的元件。如本文所用，術語「及/或」包含相關聯的所列物件的一或多個的任意及所有組合。

雖然用語第一、第二等可在本文中用來描述各種元件、組件、區域、層及/或部分，但是這些元件、組件、區域、層及/或部分不應該被局限於這些用語。這些用語是用於區分一個元件、組件、區域、層、 及/或部份與另一元件、組件、區域、層及/或部份。因此，下文中討論的第一元件、組件、區域、層及/或部分可以在不脫離本揭露的教示下稱為第二元件、組件、區域、層及/或部分。

空間相對術語，如「在...之下」，「以下」，「下」，「上方」，「上部」等，可在本文中用於描述的目的，並且，由此，來描述如圖式中所示的一個元件或特徵與另一個元件或特徵的關係。除了在圖式中描述的方位以外，空間相對術語意在包含裝置於使用、操作及/或製造下的不同方位。例如，如果在圖式中裝置被翻轉，則描述為位於其他元件或特徵「下方」或「之下」的元件或特徵將被定向為在其它元件或特徵「上方」。因此，「下方」之例示性術語可以包括上方及下方兩種方位。此外，該裝置可被另外定位(例如，旋轉90度或者在其它方位)，並且，同樣地，本文使用的空間相對描述係相應地解釋。

本文所用的術語僅用於描述特定實施例的目的，而不旨在是限制性的。如本文所用，單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」旨在也包括複數形式，除非上下文另有明確說明。此外，術語「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包括(includes)」及/或「包括(including)」當在本說明書中使用時，係為指明所述特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在，但是不排除一或多個其它特徵，整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或增加。

各種例示性實施方式係參照作為理想例示性實施例及/或中間結構的示意剖面圖解而於本文中描述。因此，與圖示的形狀，例如，作為製造技術及/或公差之結果之差異是可以預期的。因此，本文所公開 的例示性實施例不應被解釋為僅限於區域所具體示出的形狀，而將包括例如由製造所導致之與形狀之偏差。例如，示出為矩形之植入區域將通常具有圓形或彎曲的特徵及/或注入濃度在其邊緣處的梯度，而不是從植入到非植入區之二元變化。同樣，通過植入形成的埋藏區(buried region)可能導致在埋藏區及進行的表面之間之區域之部份植入。因此，在圖式中示出的區域實際上是示意性的，其形狀並不旨在示出裝置的區域的實際形狀，並且非旨在是限制性的。

除非另有定義，否則本文使用的所有術語(包括技術及科學術語)具有由所屬領域普通技術人員所通常理解之相同含義。術語，例如那些在常用字典中所定義的，應該被解釋為具有與在相關領域的內容中相符的意義的含意，並將不會被解釋為理想化或過於正式的意義，除非在這裡明確地如此定義。

第1圖係為根據例示性實施例的沉積源組件100的視圖。第2圖係為第1圖的部份A的放大圖。

參考第1圖及第2圖，沉積源組件100包含設置在腔體110中的沉積源120、電極130、絕緣體140、及絕緣帽150。雖然將具體參考此特定實施例，但也設想沉積源組件100可以許多形式實現，且包含多個及/或替代構件。例如，設想沉積源組件100的構件可組合，位在分離的結構中，及/或在分離的位置中。

維持在壓力狀態下(例如，真空狀態)設置在腔體110的內側腔室區域中之基板1可為用於有機發光裝置(organic light emitting device,OLED)面板的基板。然而，在本文中敘述的例示性實施例設想為 可被實行以製造任何適合的基板，在基板上可沉積一或多個金屬及/或有機膜。

根據例示性實施例，沉積源120被設置以蒸發用於在基板1上沉積以形成在基板1上的薄膜的沉積材料。具體的，沉積源組件100可為用於形成陰極電極的金屬膜的沉積源組件。用於形成大尺度有機發光顯示裝置的陰極電極的金屬膜的沉積源組件100使用加熱器(未示出)將金屬材料如鋁(Al)加熱及蒸發。沉積源組件100被配置以將蒸發的金屬材料沉積在基板1上以形成薄膜。為此，加熱器可被配置以達到相對的高溫(例如，超過1300℃)，其係典型地應用於蒸發要被沉積的材料。沉積源120可從在使用以蒸發待沉積材料之相對高溫下係相對穩定之金屬材料，如鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)等及/或陶瓷材料，如熱解氮化硼(PBN)、氧化鋁(AlxOy)等形成。

沉積源120可使用由陶瓷材料形成的導件(guide)(未示出)以支撐高溫加熱器。在這種方式中，沉積源120可以固定於(或以其他方式耦合到)在沉積源120的下部中的電極130，以使電流穩定應用到加熱器上。為此，連接到加熱器上的電極130可在腔體110中保持絕緣，電極130可能由任何適合的金屬材料形成。在這種方式中，在腔體110及電極130之間的絕緣可藉由在電極130及腔體110之間置入絕緣體140來維持。

值得注意的是，在如1300℃或更高的溫度下進行之沉積製程期間所產生的金屬微粒煙塵可能因沉積源120的頂部或側部組裝而至少部份進入間隙。因此，金屬微粒煙塵可能沉積在設置在電極130及腔體 110之間的絕緣體140上。這可能導致在電極130及腔體110之間的絕緣至少部份地劣化。

即是，在真空腔體110中所產生的沉積材料的煙塵，如鋁在高溫下劇烈地移動且在各種自由度下行進。沉積材料的蒸發可在沉積源120中持續地發生，且一些蒸發的沉積材料可被沉積在沉積源120的內部構件上。或者，用於形成沉積源120的導電材料可在高溫下被蒸發成煙塵且接著沉積在沉積源120的內部構件上。因此，沉積在沉積源120內部的導電材料可能劣化加熱器(未示出)與用於支撐加熱器的沉積源120的構件特別是絕緣體140之間的絕緣性。在這種方式下，加熱器的電阻可能提昇且中斷通過電極130的電流。這可能避免(或降低)加熱器的正常運作。換言之，因為沉積的導電材料，加熱器可能無法維持應用於蒸發沉積材料之1300℃或更高的高溫。

為了避免(或降低)在絕緣體140上或在加熱器及沉積源120的構件之間的沉積材料的沉積，沉積源組件100可進一步包含帽型的絕緣帽150。絕緣帽150可被設置在絕緣體140的上表面，絕緣帽150可至少一部分作用為避免(或降低)由沉積材料設在絕緣體140上或在加熱器及沉積源120的構件之間所導致的介電崩潰。絕緣帽150的配置及功能將搭配第2圖、第3A圖、第3B圖及第3C圖而更詳細的描述。

值得注意的是，電源可從外部源提供以加熱沉積源120(或供電至設置於其中的加熱器)。因此，配置以提供電源以加熱沉積源120的電極130可被形成以通過腔體110的至少一側壁。即是，腔體110的側壁包含形成通過其中之第一開孔，絕緣體140縱向地延伸通過此第一開 孔，且電極130縱向地延伸通過絕緣體140。電極130可由任何適合的導電構件形成，導電構件可為通過腔體110的底面之桿型(或其他適合的配置)。由於沉積源120被設置在腔體110中且電源供應器(未示出)設置在腔體110的外部，電極130可傳送從電源供應器接收的電力至沉積源120。

根據例示性實施例，絕緣體140設置在電極130及腔體110的側壁之間，且將電極130與腔體110隔絕。電極130通過的第一開孔被形成在腔體110的底面。在這種方式下，絕緣體140可放入第一開孔且可延伸超過第一開孔。絕緣體140可被形成具有接近「I」形狀的剖面形狀，且可附接於腔體110的側壁的內表面及外表面以密封腔體110。電極130可通過之第二開孔可形成於絕緣體140之中央部份。為此，因為電極130通過絕緣體140，且從而與腔體110間隔開，絕緣體140被配置以在電極130及腔體110之間提供絕緣性。

在例示性實施例中，絕緣帽150被形成以覆蓋絕緣體140的至少一側，從而限制沉積材料沉積在絕緣體140上的量。被絕緣帽150覆蓋之絕緣體140的末端被設置在腔體110的內側腔室區域中。絕緣帽150包含在第一方向上延伸的第一部份以及在第二方向上延伸的第二部份。例如，絕緣帽150包含設置在絕緣體140的頂面上且縱向地在第一方向上延伸的基底151、以及形成以在第二方向上從基底151突出的突部152。突部152形成以朝向腔體110的底面突出以減少在絕緣帽150及腔體110的底面之間的空間。此有助於避免(或降低)腔體110中所產生之沉積材料的煙塵，如鋁，沉積在絕緣體140上。絕緣帽150可被形成使得絕緣帽150 的突部152的一個末端與腔體110的底面間隔1至5mm。絕緣帽150可由任何適合的絕緣材料形成，如陶瓷材料，以保護絕緣體140。

如第2圖中所示，根據例示性實施例，絕緣帽150被配置以避免(或降低)導電沉積材料的煙塵F沉積在沉積源120的內部構件上，如絕緣體140及加熱器(未示出)，以維持內部構件絕緣，即便導電沉積材料的煙塵F可能分別沉積在絕緣帽150及腔體110的表面上。若兩電極130僅有其中之一裝載絕緣帽150，則沉積在腔體110的表面上的導電材料也可能沉積在絕緣體140的表面，其可能導致介電崩潰。因此，絕緣帽150可與各絕緣體140搭配應用。

此外，雖然未示出於圖中，絕緣帽150的內側表面的至少一部分及/或絕緣體140可為帶螺紋的。為此，電極130的外側表面的至少一部份也可為帶螺紋的方式，以契合絕緣體140及/或絕緣帽150之螺紋。因此，絕緣體140、絕緣帽150、及/或電極130的螺紋的契合可應用以進一步將腔體110的內部區域(或腔室)從腔體110之外部區域(或周圍環境)隔絕，且從而能夠穩定在腔體110之內側腔室區域內的壓力環境的維持。此外，在絕緣體140內的第二開孔及在絕緣帽150內的第三開孔可為同圓心的或基本上同圓心地彼此對齊。

第3A圖、第3B圖及第3C圖是根據例示性實施例之第1圖的絕緣帽150的各種形狀的視圖。如第3A圖、第3B圖及第3C圖所示，絕緣帽150可具有各種形狀。電極端典型地藉由組合螺栓與螺母而形成。在這樣的方式中，電極端可具有形成在其中的圓孔以在螺栓與螺母之間設置電極。此外，只要在設置電極時保持間隙在絕緣體140及腔體110之間， 則絕緣帽可具有任何適合的橫截面形狀，如第3A圖中所示的圓截面絕緣帽150a、第3B圖中所示的方形截面絕緣帽150b或第3C圖中所示的多邊形截面絕緣帽150c。

根據例示性實施例，絕緣體140的介電特性可由於在高溫下蒸發的沉積材料如鋁及形成沉積源120之金屬材料可沉積在絕緣帽150上而非在絕緣體140上而得以避免(或減少)劣化，且在此方式下，沉積源組件100的壽命得以延長。

再者，第3A圖、第3B圖及第3C圖之示例僅為性質說明性，且因此絕緣帽150的橫截面形狀可以任何適合的配置形成，只要其保留了本文中所描述的功能。在此方式下，絕緣帽150的橫截面可對應於任何適合的自由形式及/或幾何形狀。

第4圖是根據例示性實施例使用沉積源組件100所製造之主動矩陣式有機發光顯示裝置的剖視圖。

參考第4圖，主動矩陣式有機發光顯示裝置10被形成在基板30上。基板30可由任何適合的透明材料形成，例如，玻璃、塑膠、或金屬材料。絕緣膜31如緩衝層形成在基板30上。

如第4圖中所示，薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)40、電容50、及有機發光裝置60被形成在絕緣膜31上。

可以預定圖樣被形成或配置之半導體主動層41被形成在絕緣膜31上。半導體主動層41被閘極絕緣膜32覆蓋。半導體主動層41可以任何適合的p型或n型半導體材料形成。

TFT 40的閘極電極42被形成在閘極絕緣膜32上且面對半導體主動層41。層間介電質33被形成在閘極電極42上。在形成層間介電質33之後，閘極絕緣膜32及層間介電質33被蝕刻(或圖樣化)以形成部份地暴露半導體主動層41的一或多個接觸孔。

源極及汲極電極43被形成在層間介電質33上以接觸透過接觸孔暴露的半導體主動層41的一部份。保護膜34覆蓋源極及汲極電極43，且源極及汲極電極43部份地藉由蝕刻/圖樣化製程暴露。獨立的絕緣膜(未示出)可被形成在保護膜34上以用於將保護膜34平坦化。

電容50包含第一電極51及第二電極52。層間介電質33被設置在第一電極51及第二電極52之間。值得注意的是透過電容50儲存的電壓可被提供至薄膜電晶體40的一或多個電極，例如，一或多個閘極電極42以及源極及汲極電極43。

有機發光裝置60可被配置以發出任何適合的顏色，如紅色、綠色、藍色等的光，取決於有機發光裝置60的電流及/或材料。在此方式下，有機發光裝置60可被配置以顯示預定的圖像資訊。有機發光裝置60包含設置在保護膜34上的第一電極61。第一電極61被電性連接於薄膜電晶體40的源極及汲極電極43的其中之一。

根據例示性實施例，像素定義膜35被形成在第一電極61上。開口被形成在像素定義膜35中以暴露第一電極61的一部份。包含發光層的有機層63被形成在由像素定義膜35中的開口所定義的區域中。第二電極62被形成在有機層63上。

像素定義膜35被配置以定義各像素且可由有機材料形成，像素定義膜35可被配置以將具有第一電極61形成於其上的基板30的表面平坦化，且特別是將保護膜34的表面平坦化。

第一電極61及第二電極62是彼此絕緣的，且施加不同極性的電壓至包含發光層的有機層63。在此方式中，基於藉由不同極性的電壓輸入到發光層的電流，發光層被配置以發出預定波長的光。

根據例示性實施例，包含發光層的有機層63可由低或高分子量有機材料形成。當使用低分子量有機材料時，有機層63可具有包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)及/或電子注入層(EIL)的單一或多層結構。例如，有機材料可包含，例如，銅酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N，N'-二苯基聯苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(Alq₃)等。

值得注意的是，在有機層被形成之後，第二電極62可由相同沉積製程形成。

在例示性實施例中，第一電極61可作用為陽極電極，且第二電極62可作用為陰極電極。可替代的，第一電極61可作用為陰極電極，且第二電極62可作用為陽極電極。第一電極61可被圖樣化以對應於各像素區域，而第二電極62可被形成以覆蓋所有像素。在此方式中，第二電極62可作為共用電極。

第一電極61可為透明電極或反射電極。當第一電極為透明電極時，第一電極61可由氧化鋁鋅(AZO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)等形成。亦可設 想一或多個本質導電聚合物(intrinsically conductive polymers,ICP)可被應用，如，聚苯胺、聚(3,4-二氧乙基噻吩)聚(苯乙烯磺酸)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate),PEDOT：PSS)等。當第一電極61為反射電極時，第一電極可藉由從銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)等或其化合物形成反射層，且在反射層上形成AZO、GZO、ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、聚苯胺、PEDOT：PSS等的層而形成。第一電極61可由藉由例如濺鍍來形成層接著藉由例如微影來圖樣化而形成。然而，可設想應用任一或多個適合的製造技術。

根據例示性實施例，第二電極62可被形成作為透明電極或反射電極。當第二電極62是透明電極時，第二電極62可被使用作為陰極電極，且在此方式中，可由沉積具有低功函數的金屬如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)等或其化合物在有機層63的表面上，且形成AZO、GZO、ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、聚苯胺、PEDOT：PSS或類似物之輔助電極層或匯流電極線在其上而形成。當第二電極62是反射電極時，第二電極62可以通過沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg等或其化合物來形成在有機層63上。在這種方式中，沉積可以與用來形成有機層63相同的方法來實行。

在例示性實施例中，第二電極62可使用第1圖中示出的沉積源組件100或包含其之設備來形成。即是，使用沉積源組件100，沉積源組件100包含設置在腔體110中以噴灑(或沉積)沉積材料在目標表面上的沉積源120、形成以通過腔體110以供應用於加熱沉積源120的電源的 電極130、設置在電極130及腔體110之間以阻擋其間的接觸的絕緣體140以及形成在絕緣體140的一側以覆蓋絕緣體140的至少一部份的絕緣帽150，透過第1圖中所示的沉積源組件100所沉積的沉積材料可如第1圖所示被沉積在基板1上。

亦可設想沉積源組件100或包含沉積源組件100的設備根據例示性實施例可用於形成第一電極61，且亦可被應用於從各種材料形成一或多個其他層，不論是金屬材料或有機材料。

根據例示性實施例，沉積材料如鋁、以及形成沉積源120的金屬材料可在高溫下被蒸發且沉積在保護絕緣體140的絕緣帽150上，從而避免(或降低)介電特性劣化的可能性。在此方式中，沉積源120的使用壽命可被延長。

雖然某些例示性實施例及實行已經在本文中描述，然而其他自本描述的實施例及修改將是顯而易見的。因此，本發明並不局限於這些實施例，而為本申請專利範圍及各種明顯的修改及等效配置的更廣範疇。

Claims (20)

1. 一種用於在設置於腔體中之基板上沉積沉積材料之沉積源組件，該沉積源組件包含：一沉積源，設置在該腔體中，該沉積源被配置以在該基板上沉積該沉積材料；一電極，通過該腔體之至少一側壁，該電極被配置以提供一電源至該沉積源；一絕緣體，設置在該電極及該腔體之該側壁之間；以及一絕緣帽，設置在該絕緣體上以覆蓋該絕緣體之至少一部份；其中該絕緣帽包含一基底以及一突部，該基底突出超過該絕緣體並完全地覆蓋該絕緣體的面對該沉積源的頂面，並且該突部沿著遠離該沉積源的方向突出至該絕緣體的側面的上部。
2. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源組件，其中該沉積源係配置以沉積一金屬材料。
3. 如申請專利範圍第2項所述之沉積源組件，其中該沉積材料包含鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)以及其化合物之至少之一。
4. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源組件，其中：該腔體之該側壁包含從中穿透所形成之一開孔；該絕緣體縱向地延伸穿過該開孔；以及該電極縱向地延伸穿過該絕緣體。
5. 如申請專利範圍第4項所述之沉積源組件，其中該絕緣體係附著於該腔體之該側壁之一內表面及一外表面。
6. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源組件，其中該絕緣帽包含：該基底，直接設置在該絕緣體上且縱向地在一第一方向上延伸；以及該突部，從該基底在一第二方向上突出。
7. 如申請專利範圍第6項所述之沉積源組件，其中該第二方向朝向該腔體之一底面延伸。
8. 如申請專利範圍第7項所述之沉積源組件，其中該突部之一末端與該腔體之該底面間隔隔開。
9. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源組件，其中該絕緣帽被配置以避免該沉積材料被沉積在該絕緣體上。
10. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源組件，其中該絕緣帽包含一陶瓷材料。
11. 一種配置以將沉積材料沉積在目標基板上之設備，其包含：一腔體，係包含：一內部腔室區域；以及一第一開孔，延伸至該內部腔室區域；一絕緣體，設置在該第一開孔中，該絕緣體包含至少延伸至該內部腔室區域之一第二開孔；一絕緣帽，係設置在該絕緣體之一末端上，該末端被設置在該內部腔室區域中，該絕緣帽包含與該第二開孔搭配設置之一第三開孔；以及一電極，透過該第二開孔及該第三開孔延伸進入該內部腔室區域，該電極被配置以提供一電源以蒸發該沉積材料；其中該絕緣帽包含一基底以及一突部，該基底突出超過該絕緣體並完全地覆蓋該絕緣體的面對該沉積源的頂面，並且該突部沿著遠離該沉積源的方向突出至該絕緣體的側面的上部。
12. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該沉積材料係為一金屬材料或一有機材料。
13. 如申請專利範圍第12項所述之設備，其中該沉積材料包含鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)以及其化合物之至少之一。
14. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該第二開孔及該第三開孔為基本上同心對齊的。
15. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該絕緣體係耦合於該腔體之一內表面及一外表面。
16. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該絕緣帽包含：一第一部份，縱向地在一第一方向上延伸遠離該電極；以及一第二部份，在一第二方向上從該第一部份突出。
17. 如申請專利範圍第16項所述之設備，其中該第二方向朝向包含該第一開孔之該腔體之一表面延伸。
18. 如申請專利範圍第17項所述之設備，其中該第二部份之一末端與包含該第一開孔之該腔體之該表面間隔隔開。
19. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該絕緣帽被配置以至少限制在該絕緣體上沉積之蒸發之該沉積材料之量。
20. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該絕緣帽包含一陶瓷材料。