TWI648428B - Plating treatment device and plating treatment method - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種鍍敷處理裝置，其 係可以防止於鍍敷處理可使用鍍敷液之時間的縮短。
在鍍敷處理裝置(1)中，藉由鍍敷液供給部 (53)對基板(W1)供給在特定之濃度範圍發揮特定之鍍敷性能的鍍敷液，且該鍍敷液具有被調整成特定之鍍敷處理溫度未滿之初期溫度，和被調整成到達至特定之鍍敷處理溫度之時點的鍍敷液之濃度成為特定之濃度範圍之下限值以上並且特定之濃度範圍之中央值以下的初期濃度，之後藉由鍍敷液加熱部(63)將對基板(W1)供給的鍍敷液加熱至特定之鍍敷處理溫度。

Description

鍍敷處理裝置及鍍敷處理方法
本發明係關於鍍敷處理裝置及鍍敷處理方法。再者，本發明係關於記錄有實行本發明之鍍敷處理方法之程式的記憶媒體。
鍍敷液係在特定之濃度範圍發揮特定之鍍敷性能。於建浴鍍敷液之時，鍍敷液之濃度從一開始，被調整成特定之鍍敷性能被發揮之特定的濃度範圍。而且，鍍敷液之濃度在鍍敷處理之期間，被管理在特定之鍍敷性能被發揮的特定之濃度範圍。在專利文獻1中記載有鍍敷液之濃度管理方法及濃度管理系統。
在專利文獻2中記載有分批式鍍敷處理裝置。在分批式鍍敷處理裝置中，於鍍敷處理槽被建浴有被調整成特定之鍍敷性能被發揮的特定之濃度範圍的鍍敷液，在鍍敷處理槽中，同時進行對複數的基板之鍍敷處理。鍍敷液中之鍍敷成分藉由鍍敷處理被消耗，當鍍敷液之濃度下降時，鍍敷成分被補充，在鍍敷處理槽中進行重複的鍍敷處理。在分批式鍍敷處理裝置中，雖然水分從鍍 敷處理槽中之鍍敷液蒸發，但是由於鍍敷處理槽中之鍍敷液之量多，故比起水分蒸發所導致的鍍敷液之濃度增加，鍍敷成分消耗所導致的鍍敷液之濃度減少比較顯著，鍍敷處理槽中之鍍敷液之濃度有減少的傾向。
在專利文獻3中記載有單片式鍍敷處理裝置。在單片式鍍敷處理裝置中，對一片基板，供給被調整成特定之鍍敷性能被發揮的特定之濃度範圍的鍍敷液，對一片基板進行鍍敷處理。對一片基板供給的鍍敷液之量，係比起在分批式鍍敷處理裝置中之鍍敷處理槽中之鍍敷液之量小很多的量。因此，比起鍍敷成分消耗所導致的鍍敷液之濃度減少，水分蒸發所導致的鍍敷液之濃度增加比較顯著，對一片基板供給的鍍敷液之濃度有增加的傾向。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-253453號公報
[專利文獻2]日本特開2013-104118號公報
[專利文獻3]日本特開2013-112845號公報
在單片式鍍敷處理裝置中，對一片基板，供給具有被調整成特定之鍍敷處理溫度未滿的初期溫度，和被調整成特定之鍍敷性能被發揮的特定之濃度範圍的初期 濃度之鍍敷液之後，將所供給的鍍敷液加熱至特定之鍍敷處理溫度，且藉由加熱至特定之鍍敷處理溫度之鍍敷液，進行鍍敷處理之情況下，鍍敷液到達至特定之鍍敷處理溫度為止之期間，鍍敷液中之鍍敷成分幾乎不被消耗，另外，由於鍍敷液中之水分蒸發，故鍍敷液之濃度增加。鍍敷液到達至特定之鍍敷處理溫度之後，雖然鍍敷液中之鍍敷成分被消耗，但因為鍍敷液之加熱持續，故鍍敷液之濃度上升。即是，由於比起鍍敷液中之鍍敷成分消耗所導致的鍍敷液之濃度下降，鍍敷液中之水分蒸發所導致的鍍敷液之濃度增加比較大，故在鍍敷液之溫度到達至特定之鍍敷處理溫度之後，鍍敷液之濃度也增加。鍍敷液雖然能夠使用至特定之濃度範圍的上限值，但是由於在到達至特定之鍍敷處理溫度的時點，鍍敷液之濃度已增加，故鍍敷液之濃度到達至特定之濃度範圍之上限值為止的時間，即是於鍍敷處理可以使用鍍敷液之時間被縮短。
在此，本發明之目的係提供可以防止於鍍敷處理可以使用鍍敷液之時間縮短的鍍敷處理裝置及鍍敷處理方法，以及記錄有實行該鍍敷處理方法之程式的記憶媒體。
本發明包含以下之發明。
(1)一種鍍敷處理裝置，其係具備以特定之鍍敷處理溫度對基板進行鍍敷處理的鍍敷處理部，和控制上述鍍敷 處理部之動作的控制部，該鍍敷處理裝置之特徵在於：上述鍍敷處理部具備：鍍敷液供給部，其係對上述基板，供給在特定之濃度範圍發揮特定之鍍敷性能的鍍敷液；和鍍敷液加熱部，其係將對上述基板供給的上述鍍敷液加熱至上述特定之鍍敷處理溫度，從上述鍍敷液供給部對上述基板供給之上述鍍敷液，具有被調整成上述特定之鍍敷處理溫度未滿之初期溫度，和被調整成藉由上述鍍敷液加熱部被加熱而到達至上述特定之鍍敷處理溫度之時點的上述鍍敷液之濃度成為上述特定之濃度範圍之下限值以上並且上述特定之濃度範圍之中央值以下的初期濃度，上述控制部係控制上述鍍敷液供給部及上述鍍敷液加熱部，以使對上述基板供給一次特定量之上述鍍敷液之後，被供給的上述鍍敷液被加熱至上述特定之鍍敷處理溫度，且藉由被加熱至上述特定之鍍敷處理溫度的上述鍍敷液，進行上述鍍敷處理。
(2)如(1)所載之鍍敷處理裝置，其中上述初期濃度被調整成到達至上述特定之鍍敷處理溫度之時點之上述鍍敷液之濃度成為上述特定之濃度範圍之下限值附近。
(3)如(1)或(2)所載之鍍敷處理裝置，其中上述初期濃度被調整成上述特定之濃度範圍之下限值未滿。
(4)如(1)~(3)中之任一者所載之鍍敷處理裝置，其中上述鍍敷處理部具備被設置在上述基板之上方的頂板， 對上述基板供給之上述鍍敷液藉由上述鍍敷液加熱部被加熱之時，在上述基板和上述頂板之間，形成從對上述基板供給的上述鍍敷液產生的水蒸氣滯留之空間。
(5)一種鍍敷處理方法，其係以特定之鍍敷處理溫度對基板進行鍍敷處理，該鍍敷處理方法之特徵在於，包含：鍍敷液供給工程，其係對上述基板供給在特定之濃度範圍發揮特定之鍍敷性能的鍍敷液，且上述鍍敷液具有被調整成上述特定之鍍敷處理溫度未滿之初期溫度，和被調整成到達至上述特定之鍍敷處理溫度之時點的上述鍍敷液之濃度成為上述特定之濃度範圍之下限值以上並且上述特定之濃度範圍之中央值以下的初期濃度；和鍍敷液加熱工程，其係將對上述基板供給的上述鍍敷液加熱至上述特定之鍍敷處理溫度，在上述鍍敷液供給工程中，對上述基板供給一次特定量之上述鍍敷液，在上述鍍敷液加熱工程中，將在上述鍍敷液供給工程被供給之上述鍍敷液加熱至上述特定之鍍敷處理溫度，且藉由被加熱至上述特定之鍍敷處理溫度的上述鍍敷液，進行上述鍍敷處理。
(6)如(5)所載之鍍敷處理方法，其中上述初期濃度被調整成到達至上述特定之鍍敷處理溫度之時點之上述鍍敷液之濃度成為上述特定之濃度範圍之下限值附近。
(7)如(5)或(6)所載之鍍敷處理方法，其中上述初期濃 度被調整成上述特定之濃度範圍之下限值未滿。
(8)如(5)~(7)中之任一者所載之鍍敷處理方法，其中上述鍍敷液加熱工程，係在於上述基板和被設置在上述基板之上方的頂板之間，形成從對上述基板供給的上述鍍敷液產生的水蒸氣滯留之空間的狀態下被進行。
(9)一種記錄有程式之記憶媒體，該程式係在藉由用以控制鍍敷處理裝置之動作的電腦被實行時，上述電腦控制上述鍍敷處理裝置而實行(5)~(8)中之任一項所載之鍍敷處理方法。
若藉由本發明時，提供可以防止鍍敷液之能夠鍍敷處理時間之縮短的鍍敷處理裝置及鍍敷處理方法，以及記錄有實行該鍍敷處理方法之程式的記憶媒體。
1‧‧‧鍍敷處理裝置
2‧‧‧鍍敷處理單元
3‧‧‧控制部
5‧‧‧鍍敷處理部
53‧‧‧鍍敷液供給部
61‧‧‧頂板
63‧‧‧鍍敷液加熱部
W1‧‧‧基板
M1‧‧‧鍍敷液
S‧‧‧空間
圖1為表示與本發明之一實施型態有關之鍍敷處理裝置之構成的概略圖。
圖2為表示圖1所示之鍍敷處理裝置所具備之鍍敷處理單元之構成的概略俯視圖。
圖3為表示圖2所示之鍍敷處理單元所具備之鍍敷處理部之構成的概略剖面圖。
以下參照圖面，針對本發明之實施型態予以說明。
<鍍敷處理裝置之構成>
參照圖1，說明與本發明之一實施型態有關之鍍敷處理裝置之構成。圖1為表示與本發明之一實施型態有關之鍍敷處理裝置之構成的概略圖。
如圖1所示般，與本發明之一實施型態有關之鍍敷處理裝置1具備鍍敷處理單元2、控制鍍敷處理單元2之動作的控制部3。
鍍敷處理單元2係對基板進行各種處理。針對鍍敷處理單元2所進行的各種處理於後述。
控制部3係例如電腦，具備動作控制部和記憶部。動作控制部係由例如CPU(Central Processing Unit)構成，藉由讀出並實行被記憶於記憶部之程式，控制鍍敷處理單元2之動作。記憶部係由例如RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、硬碟等之記憶裝置所構成，記憶控制在鍍敷處理單元2中被實行的各種處理的程式。並且，即使程式為被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體者亦可，即使為從其記憶媒體被安裝至記憶部者亦可。就藉由電腦可讀取之記憶媒體而言，可舉出例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。在記錄媒體中，記錄有藉由用以控制鍍敷處理裝 置1之動作的電腦被實行時，電腦控制鍍敷處理裝置1而實行後述之鍍敷處理方法的程式。
<鍍敷處理單元之構成>
參照圖2，說明鍍敷處理單元2之構成。圖2為表示鍍敷處理單元2之構成的概略俯視圖。另外，圖2中之虛線表示基板。
鍍敷處理單元2具備搬入搬出站21，和與搬入搬出站21鄰接設置的處理站22。
搬入搬出站21具備載置部211、與載置部211鄰接設置的搬運部212。
在載置部211被載置有以水平狀態收容複數片之基板的複數搬運容器(以下，記載成「載體C」)。
搬運部212具備搬運機構213和收授部214。搬運機構213具備保持基板之保持機構，被構成能夠朝向水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心做旋轉。
處理站22具備鍍敷處理部5。在本實施型態中，雖然處理站22所具有的鍍敷處理部5的數量為2以上，但即使為1亦可。鍍敷處理部5被配列在在特定方向延伸之搬運路221的兩側。
在搬運路221設置有搬運機構222。搬運機構222具備保持基板之保持機構，被構成能夠朝向水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心做旋轉。
以下，將被搬入至鍍敷處理部5之前的基板 稱為「基板W0」，將被搬入至鍍敷處理部5之後的基板，即從鍍敷處理部5被搬出之前的基板稱為「基板W1」，將從鍍敷處理部5被搬出之後的基板稱為「基板W2」。
在鍍敷處理單元2中，搬入搬出站21之搬運機構213係在載體C和收授部214之間進行基板W0、W2之搬運。具體而言，搬運機構213係從被載置於載置部211的載體C取出基板W0，且將取出的基板W0載置於收授部214。再者，搬運機構213取出藉由處理站22之搬運機構222被載置於收授部214的基板W2，且收容至載置部211之載體C。
在鍍敷處理單元2中，處理站22之搬運機構222係在收授部214和鍍敷處理部5之間、鍍敷處理部5和收授部214之間進行基板W0、W2的搬運。具體而言，搬運機構222係取出被載置於收授部214之基板W0，且將取出之基板W0搬入至鍍敷處理部5。再者，搬運機構222係從鍍敷處理部5取出基板W2，且將取出的基板W2載置於收授部214。
<鍍敷處理部之構成>
參照圖3，說明鍍敷處理部5之構成。圖3為表示鍍敷處理部5之構成的概略剖面圖。
鍍敷處理部5係以特定之鍍敷處理溫度對基板W1進行鍍敷處理。鍍敷處理部5進行的鍍敷處理係無 電解鍍敷處理。鍍敷處理部5進行的基板處理只要含有鍍敷處理就不特別加以限定。因此，即使在鍍敷處理部5進行的基板處理含有鍍敷處理以外之基板處理亦可。在本實施型態中，在鍍敷處理部5進行的基板處理含有鍍敷處理，和在鍍敷處理之前進行的前處理。
鍍敷處理部5具備腔室51，在腔室51內進行包含鍍敷處理的基板處理。
鍍敷處理部5具備保持基板W1的基板保持部52。基板保持部52具備在腔室51內在垂直方向延伸的旋轉軸521，和被安裝於旋轉軸521之上端部的轉台522，和被設置在轉台522之上面外周部，支撐基板W1之外緣部的夾具523，和使旋轉軸521旋轉驅動的驅動部524。
基板W1在被支撐於夾具523，且從轉台522之上面些許間隔開之狀態下，被水平保持於轉台522。在本實施型態中，藉由基板保持部52進行的基板W1之保持方式，雖然係藉由可動之夾具523把持基板W1之外緣部的所謂機械式夾具型，但是即使為真空吸附基板W1之背面的所謂真空夾具型亦可。
旋轉軸521之基端部藉由驅動部524被支撐成可旋轉，旋轉軸521之前端部，將轉台522支撐成水平。當旋轉軸521旋轉時，被安裝在旋轉軸521之上端部的轉台522旋轉，依此，在被支撐於夾具523之狀態下，被保持於轉台522之基板W1旋轉。控制部3控制驅動部524，控制基板W1之旋轉時序、旋轉速度、旋轉時間 等。
鍍敷處理部5係具備對被保持於基板保持部52之基板W1供給鍍敷液M1之鍍敷液供給部53。鍍敷液供給部53具備對被保持於基板保持部52之基板W1，吐出鍍敷液M1之噴嘴531，和對噴嘴531供給鍍敷液M1之鍍敷液供給源532。在鍍敷液供給源532所具有的液槽貯留鍍敷液M1，在噴嘴531，從鍍敷液供給源532，通過在其中間設置有閥533等之流量調整器的供給管路534，供給鍍敷液M1。控制部3控制鍍敷液供給部53，且控制鍍敷液M1之供給時序、供給量等。
鍍敷液M1係自觸媒型(還原型)無電解鍍敷用的鍍敷液。鍍敷液M1含有鈷(Co)離子、鎳(Ni)離子、鎢(W)離子、銅(Cu)離子、鈀(Pd)離子、金(Au)離子等之金屬離子、次磷酸、二甲基胺硼烷等之還原劑。另外，在自觸媒型(還原型)無電解鍍敷中，鍍敷液M1中之金屬離子藉由以鍍敷液M1中之還原劑之氧化反應被釋放出之電子而被還元，藉此作為金屬析出，形成金屬膜(鍍敷膜)。鍍敷液M1即使含有添加劑等亦可。作為藉由使用鍍敷液M1之鍍敷處理所產生的金屬膜(鍍敷膜)，可舉出例如CoWB、CoB、CoWP、CoWBP、NiWB、NiB、NiWP、NiWBP等。金屬膜(鍍敷膜)中之P來自包含P之還原劑(例如，次磷酸)，鍍敷膜中之B來自包含B之還原劑(例如，二甲基胺硼烷)。
從鍍敷液供給部53被供給之鍍敷液M1(即 是，被貯留在鍍敷液供給源532所具有之液槽的鍍敷液M1)係在特定之濃度範圍發揮特定之鍍敷性能的鍍敷液。鍍敷液M1是否發揮特定之鍍敷性能，藉由使用特定量之鍍敷液M1，以特定之鍍敷處理溫度進行特定時間之無電解鍍敷處理之情況下，是否取得特定之性狀(例如，厚度30~100nm)之金屬膜(鍍敷膜)來判斷。
雖然在鍍敷液M1含有複數種類之成分，但是為了使鍍敷液M1發揮特定之鍍敷性能，各成分之濃度需要在特定之濃度範圍內。即是，針對鍍敷液M1含有的各成分，為了發揮特定之鍍敷性能存在有需要的特定之濃度範圍。各成分之特定之濃度範圍係因應鍍敷液M1之組成等而被適當決定。在鍍敷液M1含有的所有成分中，特定之濃度範圍之上限值和下限值的差為最小之成分的濃度被定義成「鍍敷液M1之濃度」。因此，在特定之濃度範圍之上限值和下限值之差為最小之成分，為形成金屬膜(鍍敷膜)之金屬離子之情況下，金屬離子之濃度為「鍍敷液M1之濃度」、金屬離子之特定之濃度範圍為「鍍敷液M1之特定之濃度範圍」，在特定之濃度範圍之上限值和下限值之差為最小之成分為還原劑之情況下，還原劑之濃度為「鍍敷液M1之濃度」、還原劑之特定之濃度範圍為「鍍敷液M1之特定之濃度範圍」。以下，將鍍敷液M1之特定之濃度範圍記載成CL(%)~CH(%)。
從鍍敷液供給部53被供給之鍍敷液M1(即是，被貯留在鍍敷液供給源532所具有之液槽的鍍敷液 M1)之濃度及溫度，分別被稱為「初期濃度」及「初期溫度」，與對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53被供給之後的鍍敷液M1之濃度及溫度做區別。
對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53供給鍍敷液M1之後，被供給之鍍敷液M1之濃度及溫度變化。鍍敷液M1之濃度藉由鍍敷液M1中之水分蒸發，及/或藉由鍍敷液M1中之鍍敷成分被消耗而變化，鍍敷液M1之溫度藉由鍍敷液M1以鍍敷液加熱部63加熱而變化。具體而言，從對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53供給鍍敷液M1之時點，至被供給之鍍敷液M1藉由鍍敷液加熱部63被加熱而到達至特定之鍍敷處理溫度之時點為止之期間，鍍敷液M1中之鍍敷成分幾乎不被消耗，另外，由於鍍敷液M1中之水分蒸發，鍍敷液M1之濃度上升。鍍敷液M1到達至特定之鍍敷處理溫度之後，雖然鍍敷液M1中之鍍敷成分被消耗，但因為藉由鍍敷液加熱部63進行的加熱持續，故鍍敷液M1之濃度上升。即是，由於比起鍍敷液M1中之鍍敷成分之消耗所導致的鍍敷液M1之濃度下降，鍍敷液M1中之水分蒸發所導致的鍍敷液M1之濃度增加較大，故在鍍敷液M1之溫度到達至特定之鍍敷處理溫度之後，鍍敷液M1之濃度也上升，最終到達至特定之濃度範圍之上限值(即是，CH(%))。
鍍敷液M1之初期溫度被調整成特定之鍍敷處 理溫度未滿。鍍敷處理溫度係鍍敷反應(鍍敷液M1中之金屬離子，藉由以鍍敷液M1中之還原劑之氧化反應被釋放出的電子而被還原，藉此作為金屬析出的反應)進行的溫度，例如60℃~70℃。鍍敷液M1之初期溫度為例如23~27℃。
鍍敷液M1之初期濃度被調整成到達至特定之鍍敷處理溫度之時點的鍍敷液M1之濃度成為特定之濃度範圍之下限值(即是，CL(%))以上並且特定之濃度範圍之中央值(即是，(CL+CH)/2)以下。
當將鍍敷液M1之初期濃度設為X(%)，將對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53被供給之鍍敷液M1之量(鍍敷液供給部53係供給一次特定量之鍍敷液M1之後，至以該鍍敷液M1進行的鍍敷處理結束為止，不補充新的鍍敷液M1)設為Y(mL)，將在從對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53供給鍍敷液M1之時點，至被供給之鍍敷液M1藉由鍍敷液加熱部63被加熱而到達至特定之鍍敷處理溫度之時點為止之期間，從被供給之鍍敷液M1蒸發之水分量設為Z(mL)時，到達至特定之鍍敷處理溫度之時點之鍍敷液M1之濃度(%)係以(X×Y)/(Y-Z)表示。由於到達至特定之鍍敷處理溫度之時點之鍍敷液M1之濃度(%)為CL以上且(CL+CH)/2以下，故CL≦(X×Y)/(Y-Z)≦(CL+CH)/2成立。藉由變形該式，鍍敷液M1之初期濃度X(%)以CL(1-Z/Y)≦X≦(CL+CH)(1-Z/Y)/2表示。
由於Z/Y係1未滿，故鍍敷液M1之初期濃度(%)之下限值的CL(1-Z/Y)係CL未滿。
Z/Y=1-2CL/(CL+CH)之時，作為鍍敷液M1之初期濃度(%)之上限值的(CL+CH)(1-Z/Y)/2與CL相等。
Z/Y>1-2CL/(CL+CH)之時，作為鍍敷液M1之初期濃度(%)之上限值的(CL+CH)(1-Z/Y)/2係CL未滿。
Z/Y<1-2CL/(CL+CH)之時，作為鍍敷液M1之初期濃度(%)之上限值的(CL+CH)(1-Z/Y)/2超過CL。
因此，雖然鍍敷M1之初期濃度(%)之下限值經常係CL未滿，但是鍍敷M1之初期濃度(%)之上限值也有CL未滿之情況，也有與CL相等之情況，也有超過CL之情況。
到達至特定之鍍敷處理溫度之時點的鍍敷液M1之濃度越接近於特定之濃度範圍之下限值(即是，CL(%))，到達至特定之濃度範圍之上限值(即是，CH(%))為止之時間，即是於鍍敷處理可以使用鍍敷液M1之時間變長。從如此之點來看，到達至特定之鍍敷處理溫度之時點的鍍敷液M1之濃度，較佳為在特定之濃度範圍之下限值(即是，CL(%))附近，更佳為在特定之濃度範圍之下限值(即是，CL(%))。
由於到達至特定之鍍敷處理溫度之時點之鍍敷液M1之濃度較初期濃度高，故在鍍敷液M1之初期濃度(%)為CL以上之情況下，難以將到達至特定之鍍敷處理溫度之時點的鍍敷液M1之濃度，調整成特定之濃度範圍之下限值(即是，CL(%))附近。因此，鍍敷液M1之初期濃 (%)以特定之濃度範圍之下限值(即是，CL(%))未滿為佳。
鍍敷液供給部53係於供給一次特定量之鍍敷液M1之後，至以該鍍敷液M1進行的鍍敷處理結束為止，不供給新的鍍敷液M1。從鍍敷液供給部53供給一次的鍍敷液M1之量，係基板W1之直徑為300mm之情況下，較佳為20~200mL，更佳為30~100mL。對一片基板W1進行鍍敷處理係以從鍍敷液供給部53供給一次的特定量之鍍敷液M1來進行。即是，對一片基板W1進行的鍍敷處理，在被供給至基板W1之鍍敷液M1到達至鍍敷處理溫度之時點開始，在從基板W1排出該鍍敷液M1之時點結束。另外，鍍敷液M1係到達至特定之濃度範圍之上限值(即是，CH(%))之前，從基板W1排出。由於從鍍敷供給部53被供給之鍍敷液M1之溫度係較特定之鍍敷處理溫度低的溫度，故在對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53供給鍍敷液M1之時點，鍍敷處理不開始，或即使開始也非常的緩慢。對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53供給鍍敷液M1之後，在被供給的鍍敷液M1藉由鍍敷液加熱部63被加熱而到達至特定之鍍敷處理溫度之時點，開始鍍敷處理。而且，在鍍敷處理之期間，鍍敷液M1之溫度藉由鍍敷液加熱部63被維持在特定之鍍敷處理溫度。如此一來，藉由被加熱至特定之鍍敷處理溫度之鍍敷液M1進行鍍敷處理。
在鍍敷液供給源532所具有的液槽連接有在 其中間設置有泵535及加熱部536之循環管路537。液槽中之鍍敷液M1一面在循環管路537循環一面被加熱至貯留溫度。「貯留溫度」係較在鍍敷液M1中之自反應所導致的金屬離子之析出進行的溫度(鍍敷處理溫度)低，並且較常溫高的溫度。在本實施型態中，雖然液槽中之鍍敷液M1被加熱至貯留溫度，但是液槽中之鍍敷液M1即使為常溫亦可。在本實施型態中，可以防止鍍敷液M1在液槽中被加熱至鍍敷處理溫度之情況下，可能產生的於液槽中之鍍敷液M1中之還原劑之去活、成分之蒸發等，依此，可以增長鍍敷液M1之壽命。
在鍍敷液供給源532所具有的液槽，從貯留含有鍍敷液M1之各種成分之藥液L1之藥液供給源538a，通過在中間設置有閥等之流量調整器538b之供給管路538c而被供給藥液L1。再者，在鍍敷液供給源532所具有的液槽，從貯留稀釋藥液L1之稀釋液L2的稀釋液供給源539a，通過在中間設置有閥等之流量調整器539b之供給管路539c而被供給稀釋液。稀釋液L2例如為純水。藉由從藥液供給源538a被供給之藥液L1與從稀釋液供給源539a被供給之稀釋液L2，在液槽中混合，調製鍍敷液M1。此時，以鍍敷液M1之濃度成為特定濃度之方式，藥液L1之流量藉由流量調整器538b被調整，稀釋液L2之流量藉由流量調整器539b被調整。
在本實施型態中，雖然使用含有鍍敷液M1中之所有成分的一個藥液L1，但是即使使用含有鍍敷液M1 中之一部分之成分的2個以上之藥液亦可。另外，各藥液含有的成分被調整成以2個以上之藥液作為全體而含有鍍敷液M1中之所有成分。於使用含有鍍敷液M1中之一部分之成分的2個以上之藥液之情況下，設置有貯留各藥液之2個以上之藥液供給源，於鍍敷液供給源532所具有的液槽，係從2個以上之藥液供給源，通過在中間設置有閥等之流量調整器的供給管路而被供給各藥液。而且，藉由從2個以上之藥液供給源被供給之各藥液與從稀釋液供給源539a被供給之稀釋液L2，在液槽中混合，調製鍍敷液M1。此時，以鍍敷液M1之濃度成為特定濃度之方式，各藥液之流量藉由流量調整器被調整，稀釋液L2之流量藉由流量調整器539b被調整。
即使在鍍敷液供給源532所具有的液槽中，設置有除去鍍敷液M1中之溶存氧及溶存氫的脫氣部(無圖示)亦可。脫氣部例如可以對液槽內供給氮等之惰性氣體，且使氮等之惰性氣體溶解於鍍敷液M1中，將已溶存在鍍敷液M1中之氧、氫等之其他之氣體排出至鍍敷液M1之外部。從鍍敷液M1被排出之氧、氫等之氣體可以藉由排氣部(無圖示)從液槽排出。即使在循環管路537中間設置有過濾器(無圖示)亦可，藉由在循環管路537中間設置過濾器，可以除去鍍敷液M1所含的各種雜質。即使在循環管路537設置監視鍍敷液M1之特性的監視部(無圖示)亦可。作為監視部，例如可舉出監視鍍敷液M1之溫度的溫度監視部、監視鍍敷液M1之pH的pH監視部等。
鍍敷處理部5具備驅動噴嘴531之噴嘴移動機構54。噴嘴移動機構54具有機械臂541、沿著機械臂541能夠移動之驅動機構內裝型之移動體542、使機械臂541旋轉及升降的旋轉升降機構543。噴嘴531被安裝於移動體542。噴嘴移動機構54係可以使噴嘴531在被保持於基板保持部52之基板W1之中心之上方的位置和基板W1之周緣之上方的位置之間移動，而且可以使移動至在俯視觀看下位於後述之杯體57之外側的待機位置。控制部3係控制噴嘴移動機構54，且控制噴嘴531之移動時序、移動後之位置等。
鍍敷處理部5具備對被保持於基板保持部52之基板W1，分別供給觸媒液N1、洗淨液N2及沖洗液N3之觸媒液供給部55a、洗淨液供給部55b及沖洗液供給部55c。另外，是否設置觸媒液供給部55a可以因應鍍敷液M1之種類而適當決定。即是，按鍍敷液M1之種類的不同，省略觸媒液供給部55a亦可。
觸媒液供給部55a具備對被保持於基板保持部52之基板W1，吐出觸媒液N1之噴嘴551a，和對噴嘴551a供給觸媒液N1之觸媒液供給源552a。在觸媒液供給源552a所具有的液槽貯留觸媒液N1，在噴嘴551a，從觸媒液供給源552a，通過在其中間設置有閥553a等之流量調整器的供給管路554a，供給觸媒液N1。控制部3控制觸媒液供給部55a，且控制觸媒液N1之供給時序、供給量等。
洗淨液供給部55b具備對被保持於基板保持部52之基板W1，吐出洗淨液N2之噴嘴551b，和對噴嘴551b供給洗淨液N2之洗淨液供給源552b。在洗淨液供給源552b所具有的液槽貯留洗淨液N2，在噴嘴551b，從洗淨液供給源552b，通過在其中間設置有閥553b等之流量調整器的供給管路554b，供給洗淨液N2。控制部3控制洗淨液供給部55b，且控制洗淨液N2之供給時序、供給量等。
沖洗液供給部55c具備對被保持於基板保持部52之基板W1，吐出沖洗液N3之噴嘴551c，和對噴嘴551c供給沖洗液N3之沖洗液供給源552c。在沖洗液供給源552c所具有的液槽貯留沖洗液N3，在噴嘴551c，從沖洗液供給源552c，通過在其中間設置有閥553c等之流量調整器的供給管路554c，供給沖洗液N3。控制部3控制沖洗液供給部55c，且控制沖洗液N3之供給時序、供給量等。
觸媒液N1、洗淨液N2及沖洗液N3係在使用鍍敷液M1之鍍敷處理前進行的前處理用之前處理液。
觸媒液N1包含對於鍍敷液M1中之還原劑之氧化反應具有觸媒活性之金屬離子(例如，鈀(Pd)離子、鉑(Pt)離子、金(Au)離子等)。在無電解鍍敷處理中，為了開始鍍敷液M1中之金屬離子之析出，初期覆膜表面(即是，基板之被鍍敷面)需要對於鍍敷液M1中之還原劑之氧化反應具有充分之觸媒活性。因此，有按鍍敷液M1之種類不 同，於使用鍍敷液M1而開始鍍敷處理之前，以觸媒液N1處理基板之被鍍敷面，且在基板之被鍍敷面形成具有觸媒活性之金屬膜為佳之情形。於開始鍍敷處理之前，是否進行藉由觸媒液N1所致之處理，可以因應鍍敷液M1之種類而適當決定。即是，按鍍敷液M1之種類的不同，省略藉由觸媒液N1所致之處理亦可。具有觸媒活性之金屬膜之形成藉由置換反應而產生。在置換反應中，構成基板之被鍍敷面的金屬(例如，被形成在基板之被鍍敷面的銅配線中之銅)成為還原劑，觸媒液N1中之金屬離子(例如Pd離子)在基板之被鍍敷面上還原析出。
作為洗淨液N2，例如可以使用蘋果酸，琥珀酸，檸檬酸，丙二酸等之有機酸、被稀釋成不使基板之被鍍敷面腐蝕之程度的濃度之氫氟酸(DHF)(氟化氫之水溶液)等。
作為沖洗液N3，例如可以使用純水等。
鍍敷處理部5具有驅動噴嘴551a~551c之噴嘴移動機構56。噴嘴移動機構56具有機械臂561、沿著機械臂561能夠移動之驅動機構內裝型之移動體562、使機械臂561旋轉及升降的旋轉升降機構563。噴嘴551a~551c被安裝於移動體562。噴嘴移動機構56係可以使噴嘴551a~551c在被保持於基板保持部52之基板W1之中心之上方的位置和基板W1之周緣之上方的位置之間移動，而且可以使移動至在俯視觀看下位於後述之杯體57之外側的待機位置。在本實施型態中，噴嘴551a~551c 雖然藉由共同的機械臂被保持，但是即使成為個別被保持於不同的機械臂而可以獨立移動亦可。控制部3係控制噴嘴移動機構56，且控制噴嘴551a~551c之移動時序、移動後之位置等。
鍍敷處理部5具備具有排出口571a、571b、571c之杯體57。杯體57被設置在基板保持部52之周圍，承接從基板W1飛散之各種處理液(例如，鍍敷液、洗淨液、沖洗液等)。在杯體57設置有使杯體57在上下方向驅動之升降機構58，和將從基板W1飛散之各種處理液分別集中於排出口571a、571b、571c而排出的液排出機構59a、59b、59c。例如，從基板W1飛散之鍍敷液M1從液排出機構59a被排出，從基板W1飛散之觸媒液N1從液排出機構59b被排出，從基板W1飛散之洗淨液N2及沖洗液N3從液排出機構59c被排出。控制部3係控制升降機構58，且控制杯體57之升降時序、升降後之位置等。
鍍敷處理部5具備被設置在被保持於基板保持部52之基板W1之上方的頂板61，和使頂板61在上下方向及水平方向驅動的升降機構62。頂板61係在基板W1之上方被配置成從基板W1間隔開。頂板61之平面形狀係與基板W1之平面形狀對應的平面形狀(例如，圓形狀)，頂板61之尺寸被調整成可以覆蓋基板W1之表面之略全區域。頂板61之平面形狀及尺寸只要係可以在基板W1和頂板61之間形成空間，就不用特別限定，可以適當 變更。例如，頂板61之平面形狀即使為矩形狀等亦可。另外，頂板61不具有能夠成為從鍍敷液M1產生之水蒸氣的流路之貫通孔、開口部等。控制部3係控制升降機構62，且控制頂板61之移動時序、移動後之位置等。
頂板61係成為藉由升降機構62相對於杯體57能夠獨立升降。依此，對基板保持部52進行的基板之搬入及搬出變得容易。
升降機構62係可在基板W1之表面之略全區域被頂板61覆蓋之位置，和基板W1之表面之略全區域不被頂板61覆蓋之位置之間，使頂板61水平移動。再者，升降機構62藉由使頂板61移動至基板W1之表面之略全區域被頂板61覆蓋的位置之後，使頂板61在上下方向移動，可以調整基板W1和頂板61之距離(被形成在基板W1和頂板61之間的空間S之容積)。對被保持於基板保持部52之基板W1之從各種噴嘴的液體供給，係在使頂板61水平移動至基板W1之表面之略全區域不被頂板61覆蓋之位置之後被進行。對基板W1供給的鍍敷液M1之加熱，係在使頂板61移動至基板W1之表面之略全區域被頂板61覆蓋之位置，調整基板W1和頂板61之距離(被形成在基板W1和頂板61之間的空間S之容積)之後被進行。
藉由在使頂板61移動至基板W1之表面之略全區域被頂板61覆蓋的位置之後，調整基板W1和頂板61之距離，在被保持於基板保持部52之基板W1，和被 配置在其上方之頂板61之間，形成空間S。雖然空間S之周圍被杯體57包圍，但不被杯體57密閉，空間S與外部空間(腔室51內之空間)連通。當對被保持於基板保持部52之基板W1供給的鍍敷液M1中之水分蒸發時，從鍍敷液M1產生的水蒸氣，暫時滯留在該空間S之後，流出至外部空間。因此，對被保持於基板保持部52之基板W1供給之鍍敷液M1中之水分之蒸發連續產生。藉由調整空間S之容積(例如，被保持於基板保持部52之基板W1和頂板61之距離)，可以調整從鍍敷液M1之水分的蒸發量。例如，藉由縮小空間S之容積，可以縮小從鍍敷液M1之水分的蒸發量。依此，可以防止水分的蒸發所導致的鍍敷液M1之濃度的快速增加。滯留在空間S之水蒸氣藉由鍍敷液加熱部63，成為加熱對被保持於基板保持部52之基板W1供給的鍍敷液35之時的熱媒。被保持於基板保持部52之基板W1和頂板61之距離，藉由頂板之設定溫度、加熱後之鍍敷液到達溫度、鍍敷液之升溫速度、基板上之鍍敷液量等被適當控制。
在頂板61設置有加熱對被保持於基板保持部52之基板W1供給的鍍敷液M1的鍍敷液加熱部63。另外，被保持於基板保持部52之基板W1也藉由鍍敷液加熱部63被加熱。鍍敷液加熱部63具有電熱線、燈加熱器(例如，LED燈加熱器)等之加熱器。在本實施型態中，鍍敷液加熱部63所具有之加熱器被埋設在頂板61之內部。在本實施型態中，雖然鍍敷液加熱部63係從被保持於基 板保持部52之基板W1之上方，加熱基板W1上之鍍敷液M1，但是鍍敷液加熱部63即使從被保持於基板保持部52之基板W1之下方加熱基板W1上之鍍敷液M1亦可。在此情況下，藉由被保持於基板保持部52之基板W1被加熱，基板W1上之鍍敷M1被加熱。例如，鍍敷液加熱部63可以設置在基板保持部52之轉台522。控制部3控制鍍敷液加熱部63，且控制加熱時序、加熱溫度、加熱時間等。
<鍍敷處理方法>
以下，針對藉由鍍敷處理裝置1被實施之鍍敷處理方法進行說明。藉由鍍敷處理裝置1被實施之鍍敷處理方法包含對基板W1進行鍍敷處理的鍍敷工程。鍍敷工程中之鍍敷處理藉由鍍敷處理部5被實施。鍍敷處理部5之動作藉由控制部3被控制。藉由鍍敷處理裝置1被實施之鍍敷處理方法即使包含鍍敷工程以外之工程亦可。
首先，進行基板搬入工程。在基板搬入工程中，基板W1被搬入至鍍敷處理部5。控制部3控制搬運機構213，從被載置於載置部211之載體C取出基板W0，將取出之基板W0載置於收授部214，同時控制搬運機構222，而取出被載置於收授部214之基板W0，將所取出之基板W0搬入至鍍敷處理部5。
於基板搬入工程之後，進行基板保持工程。在基板保持工程中，被搬入至鍍敷處理部5之基板W1被 保持於基板保持部52。控制部3係控制升降機構58，使杯體57下降至特定位置，同時控制升降機構62，使頂板61水平移動至基板W1之表面之略全區域不被頂板61覆蓋的位置。依此，搬運機構222能夠觸及基板保持部52。控制部3控制搬運機構222，在基板保持部52載置基板W1。基板W1係在其外緣部藉由夾具523被支撐之狀態下，被水平保持於轉台522上。
於基板保持工程之後，進行鍍敷工程。鍍敷工程中之鍍敷處理係對被保持於基板保持部52之基板W1進行。鍍敷處理部5即使於鍍敷工程前，進行對基板W1施予前處理的前處理工程亦可。前處理工程可以包含洗淨工程，和在洗淨工程後進行的第1沖洗工程。再者，前處理工程可以包含在第1沖洗工程後進行的觸媒液供給工程。再者，前處理工程可以包含在觸媒液供給工程後進行的第2沖洗工程。
在洗淨工程中，洗淨被保持於基板保持部52之基板W1。控制部3係一面控制驅動部524，以特定速度使被保持於基板保持部52之基板W1旋轉，一面控制洗淨液供給部55b，使噴嘴551b位於基板W1之上方，從噴嘴551b對基板W1供給洗淨液N2。被供給至基板W1之洗淨液N2藉由隨著基板W1之旋轉的離心力，在基板W1之表面擴散。依此，附著於基板W1之附著物等會從基板W1被除去。從基板W1飛散之洗淨液N2經由杯體57之排出口571c及液排出機構59c而被排出。於開始洗 淨工程之時，控制部3控制升降機構58，調整杯體57之位置，以使杯體57之排出口571c之位置成為與基板W1之外周端緣相向之位置。
在第1沖洗工程中，洗淨後之基板W1被沖洗。控制部3係一面控制驅動部524，以特定速度使被保持於基板保持部52之基板W1旋轉，一面控制沖洗液供給部55c，使噴嘴551c位於基板W1之上方，從噴嘴551c對基板W1供給沖洗液N3。被供給至基板W1之沖洗液N3藉由隨著基板W1之旋轉的離心力，在基板W1之表面擴散。依此，殘存在基板W1上之洗淨液N2被沖洗。從基板W1飛散之沖洗液N3經由杯體57之排出口571c及液排出機構59c而被排出。於開始第1沖洗工程之時，控制部3控制升降機構58，調整杯體57之位置，以使杯體57之排出口571c之位置成為與基板W1之外周端緣相向之位置。
在觸媒液供給工程中，在沖洗後之基板W1形成具有觸媒活性之金屬膜(觸媒層)。控制部3係一面控制驅動部524，以特定速度使被保持於基板保持部52之基板W1旋轉，一面控制觸媒液供給部55a，使噴嘴551a位於基板W1之上方，從噴嘴551a對基板W1供給觸媒液N1。被供給至基板W1之觸媒液N1藉由隨著基板W1之旋轉的離心力，在基板W1之表面擴散。依此，在基板W1之被鍍敷面(例如，被形成在基板W1之表面的銅配線)上形成具有觸媒活性之金屬膜(例如，Pd膜)。從基板W1 飛散之觸媒液N1經由杯體57之排出口571b及液排出機構59b而被排出。於開始觸媒液供給工程之時，控制部3控制升降機構58，調整杯體57之位置，以使杯體57之排出口571b之位置成為與基板W1之外周端緣相向之位置。
在第2沖洗工程中，觸媒層形成後之基板W1被沖洗。控制部3係一面控制驅動部524，以特定速度使被保持於基板保持部52之基板W1旋轉，一面控制沖洗液供給部55c，使噴嘴551c位於基板W1之上方，從噴嘴551c對基板W1供給沖洗液N3。被供給至基板W1之沖洗液N3藉由隨著基板W1之旋轉的離心力，在基板W1之表面擴散。依此，殘存在基板W1上之觸媒液N1被沖洗。從基板W1飛散之沖洗液N3經由杯體57之排出口571c及液排出機構59c而被排出。於開始第2沖洗工程之時，控制部3控制升降機構58，調整杯體57之位置，以使杯體57之排出口571c之位置成為與基板W1之外周端緣相向之位置。
因應所需，於進行上述前處理工程之後，進行鍍敷工程。在鍍敷工程中，控制部3係一面控制驅動部524，以低速度(對基板W1供給的鍍敷液M1不從基板W1飛散之速度)使被保持於基板保持部52之基板W1旋轉，或是一面維持在使被保持於基板保持部52之基板W1停止之狀態，一面控制鍍敷液供給部53，而使噴嘴531位於基板W1之上方，從噴嘴531對基板W1供給鍍敷液 M1。控制部3係控制鍍敷液供給部53，從噴嘴531對基板W1供給一次特定量之鍍敷液M1之後，至藉由該鍍敷液M1進行的鍍敷處理結束為止，不供給新的鍍敷液M1。
由於從鍍敷供給部53被供給之鍍敷液M1之溫度係較特定之鍍敷處理溫度低的溫度，故在對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53供給鍍敷液M1之時點，鍍敷液M1不發揮特定之鍍敷性能，鍍敷反應不開始，或即使開始也非常的緩慢。
對被保持於基板保持部52之基板W1供給鍍敷液M1之後，控制部3控制升降機構62，使頂板61水平移動至基板W1之表面之略全區域被頂板61覆蓋之位置為止之後，使頂板61下降，而使頂板61接近於基板W1。依此，對基板W1供給之鍍敷液M1藉由鍍敷液加熱部63而被加熱之時，在被保持於基板保持部52之基板W1和頂板61之間形成空間S。雖然空間S之周圍被杯體57包圍，但不被杯體57密閉，空間S與外部空間連通。控制部3係在使頂板61接近於基板W1之後，控制鍍敷液加熱部63，將被供給至基板W1之鍍敷液M1加熱至特定之鍍敷處理溫度。控制部3即使對供給鍍敷液M1之前的基板W1進行藉由鍍敷液加熱部63進行的加熱亦可。在此情況下，控制部3係控制升降機構62，使頂板61水平移動至基板W1之表面之略全區域被頂板61覆蓋的位置之後，使頂板61下降，且使頂板61接近於基板W1， 接著，控制鍍敷加熱部63，而進行對基板W1之預備性的加熱。
對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53供給鍍敷液M1之後，在被供給的鍍敷液M1藉由鍍敷液加熱部63被加熱而到達至特定之鍍敷處理溫度之時點，鍍敷液M1發揮特定的鍍敷性能，開始鍍敷處理。控制部3控制鍍敷液加熱部63，在鍍敷處理之期間，將鍍敷液M1之溫度維持在特定之鍍敷處理溫度。依此，在基板W1之被鍍敷面(在進行觸媒液供給工程之情況下，被形成在基板W1之表面之具有觸媒活性的金屬膜(例如，Pd膜))上，形成鍍敷膜。
如此一來，藉由被加熱至特定之鍍敷處理溫度的鍍敷液M1，進行對一片基板W1之鍍敷處理。即是，控制部3係控制鍍敷液供給部53，及鍍敷液加熱部63，以使對被保持於基板保持部52之基板W1，供給一次特定量之鍍敷液M1之後，被供給之鍍敷液M1藉由鍍敷液加熱部63被加熱至特定之鍍敷處理溫度，藉由被加熱至特定之鍍敷處理溫度的鍍敷液M1，進行鍍敷處理。
對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53供給鍍敷液M1之後，被供給的鍍敷液M1藉由鍍敷液加熱部63被加熱，依此鍍敷液M1中之水分蒸發，從鍍敷液M1產生的水蒸氣滯留在空間S。雖然空間S之周圍被杯體57包圍，但不被杯體57密閉，空間S與外部空間(腔室51內之空間)連通。從鍍敷液M1產生之 水蒸氣暫時滯留在空間S之後，流出至外部空間。因此，鍍敷液M1中之水分之蒸發連續產生。藉由調整空間S之容積(例如，被保持於基板保持部52之基板W1和頂板61之距離)，可以調整從鍍敷液M1之水分的蒸發量。例如，藉由縮小空間S之容積，可以縮小從鍍敷液M1之水分的蒸發量。依此，可以防止水分的蒸發所導致的鍍敷液M1之濃度的快速增加。被保持於基板保持部52之基板W1和頂板61之距離，藉由頂板之設定溫度、加熱後之鍍敷到達溫度、鍍敷液之升溫速度、基板上之鍍敷液量等被適當控制。
對被保持於基板保持部52之基板W1，從鍍敷液供給部53供給鍍敷液M1之後，被供給的鍍敷液M1藉由鍍敷液加熱部63被加熱，依此鍍敷液M1之溫度上升，同時鍍敷液M1中之水分蒸發，鍍敷液M1之濃度上升。依此，到達至特定之鍍敷處理溫度之時點的鍍敷液M1之濃度成為特定之濃度範圍之下限值(即是，CL(%))以上並且特定之濃度範圍之中央值(即是，(CL+CH)/2)以下。
鍍敷液M1之溫度到達至特定之鍍敷處理溫度之後，雖然鍍敷液M1之鍍敷成分被消耗，但因為藉由鍍敷液加熱部63進行的加熱持續，故鍍敷液M1之濃度上升。即是，由於比起鍍敷液M1中之鍍敷成分消耗所導致的鍍敷液M1之濃度下降，鍍敷液M1中之水分蒸發所導致的鍍敷液M1之濃度增加較大，故在鍍敷液M1到達至特定之鍍敷處理溫度之後，鍍敷液M1之濃度也上升，最 終到達至特定之濃度範圍之上限值(即是，CH(%))。
到達至特定之鍍敷處理溫度之時點的鍍敷液M1之濃度越接近於特定之濃度範圍之下限值(即是，CL(%))，到達至特定之濃度範圍之上限值(即是，CH(%))為止之時間，即是於鍍敷處理可以使用鍍敷液M1之時間變長。
控制部3係在鍍敷液M1之濃度到達至特定之濃度範圍之上限值(即是，CH(%))之前，從基板W1排出鍍敷液M1，而結束鍍敷處理。於結束鍍敷處理之時，控制部3控制升降機構62，使頂板61上升至特定位置之後，使頂板61水平移動至基板W1之表面之略全區域不被頂板61覆蓋的位置。之後，控制部3係一面控制驅動部524，以特定速度使被保持於基板保持部52之基板W1旋轉，一面控制沖洗液供給部55c，使噴嘴551c位於基板W1之上方，從噴嘴551c對基板W1供給沖洗液N3。基板W1上之鍍敷液M1及沖洗液N3藉由隨著基板W1之旋轉的離心力從基板W1飛散，從基板W1飛散之鍍敷液M1及沖洗液N3經由杯體57之排出口571a及液排出機構59a而被排出。於結束鍍敷處理之時，控制部3控制升降機構58，調整杯體57之位置，以使杯體57之排出口571a之位置成為與基板W1之外周端緣相向之位置。
在鍍敷處理部5中，於鍍敷工程後，進行使基板W1乾燥之乾燥工程為佳。在乾燥工程中，可藉由自然乾燥，藉由使基板W1旋轉，或藉由對基板W1噴吹乾 燥用溶媒或乾燥用氣體，使基板W1乾燥。
於鍍敷工程後，進行基板搬出工程。在基板搬出工程中，鍍敷處理後之基板W2從鍍敷處理部5被排出。此時，控制部3控制搬運機構222，從鍍敷處理部5取出基板W2，將取出的基板W2載置於收授部214，同時控制搬運機構213，取出被載置於收授部214之基板W2，且收容至載置部211之載體C。

Claims (9)

  1. 一種鍍敷處理裝置，其係具備以特定之鍍敷處理溫度對基板進行鍍敷處理的鍍敷處理部，和控制上述鍍敷處理部之動作的控制部，該鍍敷處理裝置之特徵在於：上述鍍敷處理部具備：鍍敷液供給部，其係對上述基板，供給在特定之濃度範圍發揮特定之鍍敷性能的鍍敷液；和鍍敷液加熱部，其係將對上述基板供給的上述鍍敷液加熱至上述特定之鍍敷處理溫度，從上述鍍敷液供給部對上述基板供給之上述鍍敷液，具有被調整成上述特定之鍍敷處理溫度未滿之初期溫度，和被調整成藉由上述鍍敷液加熱部被加熱而到達至上述特定之鍍敷處理溫度之時點的上述鍍敷液之濃度成為上述特定之濃度範圍之下限值以上並且上述特定之濃度範圍之中央值以下的初期濃度，上述控制部係控制上述鍍敷液供給部及上述鍍敷液加熱部，以使對上述基板供給一次特定量之上述鍍敷液之後，被供給的上述鍍敷液被加熱至上述特定之鍍敷處理溫度，且藉由被加熱至上述特定之鍍敷處理溫度的上述鍍敷液，進行上述鍍敷處理。
  2. 如請求項1所載之鍍敷處理裝置，其中上述初期濃度被調整成到達至上述特定之鍍敷處理溫度之時點之上述鍍敷液之濃度成為上述特定之濃度範圍之下限值附近。
  3. 如請求項1或2所載之鍍敷處理裝置，其中上述初期濃度被調整成上述特定之濃度範圍之下限值未滿。
  4. 如請求項1或2所載之鍍敷處理裝置，其中上述鍍敷處理部具備被設置在上述基板之上方的頂板，對上述基板供給之上述鍍敷液藉由上述鍍敷液加熱部被加熱之時，在上述基板和上述頂板之間，形成從對上述基板供給的上述鍍敷液產生的水蒸氣滯留之空間。
  5. 一種鍍敷處理方法，其係以特定之鍍敷處理溫度對基板進行鍍敷處理，該鍍敷處理方法之特徵在於，包含：鍍敷液供給工程，其係對上述基板供給在特定之濃度範圍發揮特定之鍍敷性能的鍍敷液，且上述鍍敷液具有被調整成上述特定之鍍敷處理溫度未滿之初期溫度，和被調整成到達至上述特定之鍍敷處理溫度之時點的上述鍍敷液之濃度成為上述特定之濃度範圍之下限值以上並且上述特定之濃度範圍之中央值以下的初期濃度；和鍍敷液加熱工程，其係將對上述基板供給的上述鍍敷液加熱至上述特定之鍍敷處理溫度，在上述鍍敷液供給工程中，對上述基板供給一次特定量之上述鍍敷液，在上述鍍敷液加熱工程中，將在上述鍍敷液供給工程被供給之上述鍍敷液加熱至上述特定之鍍敷處理溫度，且 藉由被加熱至上述特定之鍍敷處理溫度的上述鍍敷液，進行上述鍍敷處理。
  6. 如請求項5所載之鍍敷處理方法，其中上述初期濃度被調整成到達至上述特定之鍍敷處理溫度之時點之上述鍍敷液之濃度成為上述特定之濃度範圍之下限值附近。
  7. 如請求項5或6所載之鍍敷處理方法，其中上述初期濃度被調整成上述特定之濃度範圍之下限值未滿。
  8. 如請求項5或6所載之鍍敷處理方法，其中上述鍍敷液加熱工程，係在於上述基板和被設置在上述基板之上方的頂板之間，形成從對上述基板供給的上述鍍敷液產生的水蒸氣滯留之空間的狀態下被進行。
  9. 一種記錄有程式之記憶媒體，該程式係在藉由用以控制鍍敷處理裝置之動作的電腦被實行時，上述電腦控制上述鍍敷處理裝置而實行請求項5至8中之任一項所載之鍍敷處理方法。
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