TWI645623B - 記憶裝置 - Google Patents

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Abstract

一種記憶裝置，包括一基板、一第一介面連接器、一第二介面連接器以及複數個記憶晶片。該基板包括一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣以及一第四邊緣，該第一邊緣平行於該第三邊緣，該第二邊緣平行於該第四邊緣，該第一邊緣垂直於該第二邊緣，該第一邊緣的長度小於該第二邊緣。第一介面連接器設於該第一邊緣，其中，該第一介面連接器包括複數個第一金手指，該等第一金手指朝一第一方向延伸。第二介面連接器設於該第二邊緣，該第二介面連接器包括複數個第二金手指，該等第二金手指朝一第二方向延伸。

Description

記憶裝置
本發明係有關於一種記憶裝置，特別係有關於一種具有兩種介面連接器之記憶裝置。
習知之具有M.2介面連接器的記憶卡，一般可分為2242(22mm×42mm)、2260(22mm×60mm)、2280(22mm×80mm)等三種尺寸。而，當具有M.2介面連接器的記憶卡欲連接PCIE介面插槽時，該具有M.2介面連接器的記憶卡必須先連接一轉接卡，並透過該轉接卡連接該PCIE介面插槽。基於市場的需求，轉接卡通常與記憶卡搭售，因此大幅提高了記憶卡產品的整體成本。
本發明係為了欲解決習知技術之問題而提供之一種記憶裝置，包括一基板、一第一介面連接器、一第二介面連接器以及複數個記憶晶片。該基板包括一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣以及一第四邊緣，該第一邊緣平行於該第三邊緣，該第二邊緣平行於該第四邊緣，該第一邊緣垂直於該第二邊緣，該第一邊緣的長度小於該第二邊緣。第一介面連接器設於該第一邊緣，其中，該第一介面連接器包括複數個第一金手指，該等第一金手指朝一第一方向延伸。第二介面連接器設於 該第二邊緣，該第二介面連接器包括複數個第二金手指，該等第二金手指朝一第二方向延伸。記憶晶片設於該基板之上，其中，該第二介面連接器在該第一方向上位於該等記憶晶片與該第一介面連接器之間。
在一實施例中，該等記憶晶片係沿該第一方向排列。
在一實施例中，該基板包括一第一表面以及一第二表面，該第一表面相反於該第二表面，該等記憶晶片包括至少一第一快閃記憶體晶片，該第一快閃記憶體晶片設於該第一表面。
在一實施例中，該記憶裝置更包括一控制器，其中，該控制器設於該基板之該第一表面，該控制器在該第一方向上位於該第一快閃記憶體晶片與該第二介面連接器之間。
在一實施例中，該等記憶晶片更包括一動態隨機存取記憶體晶片，該動態隨機存取記憶體晶片設於該基板之該第一表面，其中，該動態隨機存取記憶體晶片在該第一方向上位於該第一快閃記憶體晶片與該控制器之間。
在一實施例中，該等記憶晶片包括複數個第一快閃記憶體晶片，該等第一快閃記憶體晶片設於該第一表面並沿該第一方向排列，該等第一快閃記憶體位於該動態隨機存取記憶體晶片與該第三邊緣之間。
在一實施例中，該記憶裝置更包括至少一被動元件，該被動元件在該第一方向上位於該控制器與該第一介面連接器之間，該被動元件在該第二方向上位於該第二介面連接器 與該第四邊緣之間。
在一實施例中，該被動元件為電容。
在一實施例中，該記憶裝置更包括至少複數個被動元件，該被動元件在該第一方向上位於該控制器與該第一介面連接器之間，該被動元件在該第二方向上位於該第二介面連接器與該第四邊緣之間，該等被動元件沿該第一方向排列。
在一實施例中，該等記憶晶片包括複數個第二快閃記憶體晶片，該等第二快閃記憶體晶片設於該第二表面並沿該第一方向排列。
在一實施例中，該等記憶晶片更包括一動態隨機存取記憶體晶片，該動態隨機存取記憶體晶片設於該基板之該第二表面，該等第二快閃記憶體晶片與該動態隨機存取記憶體晶片沿該第一方向排列。
在一實施例中，該第一介面連接器為一M.2連接器，該第二介面連接器為一PCIE連接器。
在一實施例中，該第二介面連接器具有一連接器高度，該基板具有一基板高度，該連接器高度小於二分之一該基板高度。
在一實施例中，該基板於該第二方向上被等分為一上基板部以及一下基板部，該第二介面連接器僅位於該下基板部。
應用本發明實施例之記憶裝置，由於將兩種不同規格之介面連接器被整合於單一個基板之上，因此毋須使用習知之轉接卡，可大幅節省製造成本。
M1、M2、M3‧‧‧記憶裝置
1‧‧‧第一介面連接器
11‧‧‧第一金手指
2‧‧‧第二介面連接器
21‧‧‧第二金手指
3‧‧‧基板
31‧‧‧第一邊緣
32‧‧‧第二邊緣
33‧‧‧第三邊緣
34‧‧‧第四邊緣
35‧‧‧第一表面
36‧‧‧第二表面
37‧‧‧上基板部
38‧‧‧下基板部
4‧‧‧記憶晶片
41‧‧‧第一快閃記憶體晶片
42‧‧‧第二快閃記憶體晶片
43‧‧‧動態隨機存取記憶體晶片
5‧‧‧控制器
6‧‧‧被動元件
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
H‧‧‧基板高度
h‧‧‧連接器高度
第1A圖係顯示本發明第一實施例之記憶裝置之第一表面。
第1B圖係顯示本發明第一實施例之記憶裝置之第二表面。
第2A圖係顯示本發明第二實施例之記憶裝置之第一表面。
第2B圖係顯示本發明第二實施例之記憶裝置之第二表面。
第3圖係顯示本發明第三實施例之記憶裝置。
參照第1A圖，其係顯示本發明第一實施例之記憶裝置M1，包括一基板3、一第一介面連接器1、一第二介面連接器2以及複數個記憶晶片4。該基板3包括一第一邊緣31、一第二邊緣32、一第三邊緣33以及一第四邊緣34，該第一邊緣31平行於該第三邊緣33，該第二邊緣32平行於該第四邊緣34，該第一邊緣31垂直於該第二邊緣32，該第一邊緣31的長度小於該第二邊緣32。第一介面連接器1至少部分一體成形於該第一邊緣31，其中，該第一介面連接器1包括複數個第一金手指11，該等第一金手11指朝一第一方向X延伸。第二介面連接器2至少部分一體成形於該第二邊緣32，該第二介面連接器2包括複數個第二金手指21，該等第二金手指21朝一第二方向Y延伸。記憶晶片4設於該基板3之上，其中，該第二介面連接器2在該第一方向X上位於該等記憶晶片4與該第一介面連接器1之間。
應用本發明實施例之記憶裝置，由於將兩種不同規格之介面連接器被整合於單一個基板之上，因此毋須使用習知之轉接卡，可大幅節省製造成本。
參照第1A圖，在一實施例中，該等記憶晶片4係沿該第一方向X排列。
參照第1A、1B圖，在一實施例中，該基板3包括一第一表面35以及一第二表面36，該第一表面35相反於該第二表面36，該等記憶晶片4包括至少一第一快閃記憶體晶片41，該第一快閃記憶體晶片41設於該第一表面35。
參照第1A圖，在一實施例中，該記憶裝置M1更包括一控制器5，其中，該控制器5設於該基板3之該第一表面35，該控制器5在該第一方向X上位於該第一快閃記憶體晶片41與該第二介面連接器2之間。在此實施例中，該控制器5透過走線耦接該第一介面連接器1以及該第二介面連接器2。該控制器5在該第一方向X上位於該第一快閃記憶體晶片41與該第二介面連接器2之間，可降低線路的複雜度。
參照第1A圖，在一實施例中，該等記憶晶片4更包括一動態隨機存取記憶體晶片43，該動態隨機存取記憶體晶片43設於該基板3之該第一表面35，其中，該動態隨機存取記憶體晶片43在該第一方向X上位於該第一快閃記憶體晶片41與該控制器5之間，藉此可降低線路的複雜度。
參照第1A圖，在此實施例中，該等記憶晶片包括複數個第一快閃記憶體晶片41，該等第一快閃記憶體晶片41設於該第一表面35並沿該第一方向排列X，該等第一快閃記憶體41位於該動態隨機存取記憶體晶片43與該第三邊緣之間33。
參照第1A圖，在一實施例中，該記憶裝置M1更包括至少一被動元件6，該被動元件6在該第一方向X上位於該控 制器5與該第一介面連接器1之間，該被動元件6在該第二方向Y上位於該第二介面連接器2與該第四邊緣34之間。在此實施例中，被動元件6的設置位置充分的利用了該第二介面連接器2與該第四邊緣34之間的空間。
在一實施例中，該被動元件6為電容。在一實施例中，該記憶裝置M1包括至少複數個被動元件6，該等被動元件6沿該第一方向X排列。然而，上述揭露並未限制本發明，該被動元件6亦可能為其他元件，且其排列方式，依照被動元件6的尺寸及形狀的不同，亦可能有其他變化。
參照第1B圖，在一實施例中，該等記憶晶片4包括複數個第二快閃記憶體晶片42，該等第二快閃記憶體晶片42設於該第二表面36並沿該第一方向X排列。透過將該等第二快閃記憶體晶片42設置於該第二表面36，可進一步提高記憶裝置的儲存容量。
參照第2A、2B圖，其係顯示本發明第二實施例之記憶裝置M2，在此實施例中，該等記憶晶片4之動態隨機存取記憶體晶片43係設於該基板之該第二表面36，該等第二快閃記憶體晶片42與該動態隨機存取記憶體晶片36沿該第一方向X排列。換言之，該第一表面35並未設置動態隨機存取記憶體晶片43。
在另一實施例中，該動態隨機存取記憶體晶片亦可能被省略，即，該記憶裝置M4之記憶晶片4僅僅包括快閃記憶體晶片。該第一表面35以及該第二表面36均未設置動態隨機存取記憶體晶片。
在一實施例中，該第一介面連接器為一M.2連接器，該第二介面連接器為一PCIE連接器。然而，上述揭露並未限制本發明，該第一介面連接器以及該第二介面連接器亦可以為其他規格之連接器。該第一介面連接器適於直接插入連接一第一介面插槽(M.2插槽)，該第二介面連接器適於直接插入連接一第二介面插槽(PCIE插槽)。在一實施中，該記憶裝置一次只會連接一個介面插槽，換言之，該記憶裝置係以可選擇的方式連接該第一介面插槽或該第二介面插槽。
再參照第1A圖，在此實施例中，該第二介面連接器2具有一連接器高度h，該基板具有一基板高度H，該連接器高度h大於等於於二分之一該基板高度H。就另一角度而言，在一實施例中，該基板3於該第二方向Y上被等分為一上基板部37以及一下基板部38，該第二介面連接器2位於該下基板部38以及部分之該上基板部37。
參照第3圖，其係顯示本發明第三實施例之記憶裝置M3，在此實施例中，該第二介面連接器2具有一連接器高度h，該基板具有一基板高度H，該連接器高度h小於二分之一該基板高度H。就另一角度而言，在一實施例中，該基板3於該第二方向Y上被等分為一上基板部37以及一下基板部38，該第二介面連接器2僅位於該下基板部38。在此實施例中，該第二介面連接器2可適於連接PCIE插槽並提供完整的連接功能，但第二介面連接器2的尺寸可能較標準的PCIE連接器略小。由於本發明實施例之記憶裝置的重量較輕，因此即使第二介面連接器2的尺寸較標準的PCIE連接器略小，其仍然可確實的插設於PCIE插槽之中而不會鬆脫。
本發明實施例之基板可以採用2260(22mm×60mm)、2280(22mm×80mm)等規格之基板，其亦可能採用其他規格之基板。
雖然本發明已以具體之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技術者，在不脫離本發明之精神和範圍內，仍可作些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (16)

  1. 一種記憶裝置，包括：一基板，包括一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣以及一第四邊緣，該第一邊緣平行於該第三邊緣，該第二邊緣平行於該第四邊緣，該第一邊緣垂直於該第二邊緣，該第一邊緣的長度小於該第二邊緣；一第一介面連接器，至少部分一體成形於該第一邊緣，其中，該第一介面連接器包括複數個第一金手指，該等第一金手指朝一第一方向延伸；一第二介面連接器，至少部分一體成形於該第二邊緣，該第二介面連接器包括複數個第二金手指，該等第二金手指朝一第二方向延伸；以及複數個記憶晶片，設於該基板之上，其中，該第二介面連接器在該第一方向上位於該等記憶晶片與該第一介面連接器之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之記憶裝置，其中，該等記憶晶片係沿該第一方向排列。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之記憶裝置，其中，該基板包括一第一表面以及一第二表面，該第一表面相反於該第二表面，該等記憶晶片包括至少一第一快閃記憶體晶片，該第一快閃記憶體晶片設於該第一表面。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之記憶裝置，其更包括一控制器，其中，該控制器設於該基板之該第一表面，該控制器在該第一方向上位於該第一快閃記憶體晶片與該第二介面連 接器之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之記憶裝置，其中，該等記憶晶片更包括一動態隨機存取記憶體晶片，該動態隨機存取記憶體晶片設於該基板之該第一表面，其中，該動態隨機存取記憶體晶片在該第一方向上位於該第一快閃記憶體晶片與該控制器之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之記憶裝置，其中，該等記憶晶片包括複數個第一快閃記憶體晶片，該等第一快閃記憶體晶片設於該第一表面並沿該第一方向排列，該等第一快閃記憶體晶片位於該動態隨機存取記憶體晶片與該第三邊緣之間。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之記憶裝置，其更包括至少一被動元件，該被動元件在該第一方向上位於該控制器與該第一介面連接器之間，該被動元件在該第二方向上位於該第二介面連接器與該第四邊緣之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之記憶裝置，其中，該被動元件為電容。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之記憶裝置，其更包括至少複數個被動元件，該被動元件在該第一方向上位於該控制器與該第一介面連接器之間，該被動元件在該第二方向上位於該第二介面連接器與該第四邊緣之間，該等被動元件沿該第一方向排列。
  10. 如申請專利範圍第3項所述之記憶裝置，其中，該等記憶晶片包括複數個第二快閃記憶體晶片，該等第二快閃記憶體晶片設於該第二表面並沿該第一方向排列。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之記憶裝置，其中，該等記憶晶片更包括一動態隨機存取記憶體晶片，該動態隨機存取記憶體晶片設於該基板之該第二表面，該等第二快閃記憶體晶片與該動態隨機存取記憶體晶片沿該第一方向排列。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之記憶裝置，其中，該第一介面連接器為一M.2連接器，該第二介面連接器為一PCIE連接器。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之記憶裝置，其中，該第二介面連接器具有一連接器高度，該基板具有一基板高度，該連接器高度小於二分之一該基板高度。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之記憶裝置，其中，該基板於該第二方向上被等分為一上基板部以及一下基板部，該第二介面連接器僅位於該下基板部。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之記憶裝置，其中，該第一介面連接器適於直接插入連接一第一介面插槽，該第二介面連接器適於直接插入連接一第二介面插槽。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之記憶裝置，其中，該記憶裝置係以可選擇的方式連接該第一介面插槽或該第二介面插槽。
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