TWI644146B - Optical member and backlight unit and liquid crystal display device using the same - Google Patents

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TWI644146B
TWI644146B TW106108881A TW106108881A TWI644146B TW I644146 B TWI644146 B TW I644146B TW 106108881 A TW106108881 A TW 106108881A TW 106108881 A TW106108881 A TW 106108881A TW I644146 B TWI644146 B TW I644146B
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中村恒三
細川和人
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種能實現具有優異之耐久性且具有高演色性之液晶顯示裝置的光學構件。本發明之光學構件具有波長轉換層及黏著劑層,波長轉換層及/或黏著劑層包含波長選擇吸收材料。波長轉換層例如包含基質與分散於基質中之量子點。量子點例如包含於515nm~550nm範圍之波長帶域中具有發光中心波長之第1量子點、與於605nm~650nm範圍之波長帶域中具有發光中心波長之第2量子點。

Description

光學構件以及使用該光學構件之背光單元及液晶顯示裝置
本發明關於光學構件、背光單元及液晶顯示裝置。更詳細而言,本發明關於具有至少任一者包含波長選擇吸收材料之波長轉換層及黏著劑層的光學構件、以及使用該光學構件之背光單元及液晶顯示裝置。
背景技術 作為低耗電且省空間之影像顯示裝置,液晶顯示裝置的普及非常驚人。伴隨著液晶顯示裝置的普及,亦持續要求液晶顯示裝置的薄型化、大型化及高精細。再者,近年來對液晶顯示裝置的高演色化(廣色域化)之需求正在增強。作為以高演色化為目標的技術例如可列舉:使用紅(R)、綠(G)、藍(B)三色LED光源的技術、將藍色或紫外光LED與波長轉換材料加以組合的技術。且有人提出將具有特定發光光譜的光源與具有特定波長選擇吸收性的薄膜加以組合的技術(專利文獻1)。然而,此等技術要實現所期望的高演色化(廣色域化)仍有其困難,正追求進一步改善。
先行技術文獻 專利文獻1:國際公開第2011/135909號說明書
發明概要 發明欲解決之課題 本發明是為解決上述先前問題而完成者,其目的在於提供一種能實現具有優異之耐久性且具有高演色性之液晶顯示裝置的光學構件。
用以解決課題之方法 本發明之光學構件具有波長轉換層及黏著劑層,該波長轉換層及/或該黏著劑層包含波長選擇吸收材料。 於一實施形態中,僅上述波長轉換層包含上述波長選擇吸收材料。於另一實施形態中,僅上述黏著劑層包含上述波長選擇吸收材料。於又一實施形態中,上述波長轉換層及上述黏著劑層皆包含上述波長選擇吸收材料。 於一實施形態中,上述光學構件於上述黏著劑層之與上述波長轉換層相反之側,進一步具有反射型偏光件。 於一實施形態中,上述波長轉換層包含基質與分散於該基質中之量子點。 於一實施形態中,上述量子點包含第1量子點及第2量子點。於一實施形態中,上述第1量子點於515nm~550nm範圍之波長帶域中具有發光中心波長,上述第2量子點於605nm~650nm範圍之波長帶域中具有發光中心波長。 於一實施形態中,上述波長選擇吸收材料包含第1波長選擇吸收材料及第2波長選擇吸收材料。於一實施形態中,上述第1波長選擇吸收材料於470nm~510nm範圍之波長帶域中具有吸收極大波長,上述第2波長選擇吸收材料於560nm~610nm範圍之波長帶域中具有吸收極大波長。 於一實施形態中,上述光學構件在上述波長轉換層之至少一側設置有阻隔薄膜。 於一實施形態中,上述光學構件在上述反射型偏光件與上述黏著劑層之間進一步具有折射率為1.30以下之低折射率層。 於一實施形態中,上述光學構件於上述反射型偏光件與上述黏著劑層之間進一步具有至少一個稜鏡片。 於一實施形態中,上述光學構件於上述反射型偏光件之與上述黏著劑層相反之側,進一步具有包含吸收型偏光件之偏光板。 根據本發明之另一態樣,提供一種背光單元。該背光單元具有光源與配置在該光源之視辨側之上述光學構件。 於一實施形態中,上述光源發出藍色~紫外區域之光。 根據本發明之又一態樣,提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置具有液晶單元、配置於該液晶單元之視辨側之視辨側偏光板、配置於該液晶單元之與視辨側相反之側之背面側偏光板、及配置於該背面側偏光板外側之上述光學構件。根據另一實施形態之液晶顯示裝置具有液晶單元、配置於該液晶單元之視辨側之偏光板、及配置於該液晶單元之與視辨側相反之側之上述光學構件。
發明效果 根據本發明,於具有波長轉換層及設置於該波長轉換層表面之黏著劑層之光學構件中,藉由於該波長轉換層及黏著劑層中之至少一個導入波長選擇吸收材料,可獲得能夠實現具有優異之耐久性且具有高演色性之液晶顯示裝置的光學構件。
用以實施發明之形態 A. 光學構件之整體構造 首先,關於光學構件之整體構造,參照圖式說明代表性的實施形態。於各圖式中相同構成要件賦予相同符號,省略重複說明。又,為了容易觀看,圖式中各層的厚度比率與實際不同。再者,關於光學構件之構成要件於B項~H項中詳細地進行說明。
圖1是說明本發明之一實施形態之光學構件之概略剖面圖。光學構件100具有波長轉換層10及黏著劑層20。波長轉換層10代表性者包含基質與分散於該基質中之波長轉換材料。於本發明之實施形態中,波長轉換層10及/或黏著劑層20包含波長選擇吸收材料。如此,於包含波長轉換層之光學構件中,藉由組合使用波長轉換材料與波長選擇吸收材料,可實現所期望之高亮度化及高演色化(或廣色域化)。更詳細而言,可僅波長轉換層10包含波長選擇吸收材料,亦可僅黏著劑層20包含波長選擇吸收材料,亦可波長轉換層10及黏著劑層20兩者皆包含波長選擇吸收材料。代表性者,波長轉換層10或黏著劑層20中任一者包含波長選擇吸收材料。藉由波長轉換層10包含波長選擇吸收材料,可實現薄型化、構件削減及低成本化。藉由黏著劑層20包含波長選擇吸收材料,具有品質提高、以及波長轉換功能及波長吸收功能之高效率化等優點。
波長轉換層10可僅包含一種波長轉換材料,亦可包含二種以上(例如二種、三種、四種以上)。於一實施形態中,波長轉換層可包含二種波長轉換材料(第1波長轉換材料及第2波長轉換材料)。此時,第1波長轉換材料宜於515nm~550nm範圍之波長帶域中具有發光中心波長,第2波長轉換材料宜於605nm~650nm範圍之波長帶域中具有發光中心波長。因此,第1波長轉換材料可被激發光(於本發明中為來自背光光源之光)激發,發出綠色光,第2波長轉換材料可發出紅色光。藉由形成於如此波長帶域具有發光中心波長之提取紅色光及綠色光的波長轉換層,可實現優異之色相。進而,藉由將如此波長轉換層與偏光板一體化,可進一步抑制顯示不均。
波長選擇吸收材料如上所述,可僅包含於波長轉換層10,亦可僅包含於黏著劑層20,亦可包含於波長轉換層10及黏著劑層20兩者。波長選擇吸收材料可僅使用一種,亦可使用二種以上(例如二種、三種、四種以上)。於一實施形態中,可使用二種波長選擇吸收材料(第1波長選擇吸收材料及第2波長選擇吸收材料)。此時,第1波長選擇吸收材料宜於470nm~510nm範圍之波長帶域中具有吸收極大波長,第2波長選擇吸收材料宜於560nm~610nm範圍之波長帶域中具有吸收極大波長。藉由使用如此之二種波長選擇吸收材料,可自光學構件提取具有可明確區別藍色光、綠色光及紅色光之波峰的光譜的光。即,可提取藍色光與綠色光獨立不混色、且綠色光與紅色光獨立不混色之光。藉由組合使用上述二種波長轉換材料與二種波長選擇吸收材料,可發揮相乘效果,實現非常優異之高演色性。
光學構件中之波長轉換材料與波長選擇吸收材料之調配比,例如可相對於波長轉換材料100重量份以0.01重量份~100重量份之比率調配波長選擇吸收材料。
圖2是說明本發明之另一實施形態之光學構件之概略剖面圖。光學構件101於波長轉換層10之至少一側設置有阻隔薄膜。於圖式例中,於波長轉換層10之兩側設置有阻隔薄膜31、32。
圖3是說明本發明之又一實施形態之光學構件之概略剖面圖。光學構件102於黏著劑層20之與波長轉換層10相反之側進而具有反射型偏光件40。即,於光學構件102中,反射型偏光件40經由黏著劑層20貼合於波長轉換層10。
圖4是說明本發明之又一實施形態之光學構件之概略剖面圖。光學構件103於反射型偏光件40與黏著劑層20之間進而具有低折射率層50。即,於光學構件103中,低折射率層50經由黏著劑層20貼合於波長轉換層10。低折射率層50之折射率宜為1.30以下。
圖5是說明本發明之又一實施形態之光學構件之概略剖面圖。光學構件104於反射型偏光件40與黏著劑層20之間進而具有至少一個稜鏡片。於圖式例中,設置有二個稜鏡片(第1稜鏡片60及第2稜鏡片70)。於圖式例中,第1稜鏡片60經由黏著劑層20貼合於波長轉換層10。即,本實施形態之光學構件104組入二個稜鏡片60、70且將從波長轉換層10至反射型偏光件40為止一體化。如此藉由將稜鏡片組入光學構件而一體化,可排除稜鏡片與鄰接層之間的空氣層,故可有助於液晶顯示裝置之薄型化。液晶顯示裝置之薄型化因為擴大設計的選擇幅度,故商業價值較大。進而,藉由將稜鏡片一體化,因為可避免將稜鏡片安裝於面光源裝置(背光單元、實質上為導光板)時之摩擦而使稜鏡片受傷,故可防止起因於該傷之顯示混濁,且可獲得機械強度優異之液晶顯示裝置。進而,藉由於如此經一體化之光學構件組入波長轉換層,在將光學構件應用於液晶顯示裝置時可良好地抑制顯示不均。第1稜鏡片60代表性者具有基材部61與稜鏡部62。第2稜鏡片70代表性者具有基材部71與稜鏡部72。第1稜鏡片60及第2稜鏡片70分別具有波長轉換層10側之平坦的第1主面(基材部61、71之平坦面)、及與波長轉換層10相反側之具有凹凸形狀之第2主面(具有由排列於與低折射率層相反側之複數個柱狀的單元稜鏡63、73所形成之凸部的面)。於本實施形態中,第1稜鏡片60之第2主面之單元稜鏡63所形成之凸部貼合於第2稜鏡片70之第1主面(基材部71之平坦面)。結果於第1稜鏡片60之第2主面之凹部與第2稜鏡片70之第1主面之間設定有空隙部。藉由形成如此構造,將光學構件應用於液晶顯示裝置時可同時實現優異之色相與抑制顯示不均。再者,為求方便,於本說明書中有時將此稜鏡片(實質上為單元稜鏡)之僅藉由凸部的接著稱為「點接著」。第2稜鏡片70例如被點接著於反射型偏光件40。
圖6是說明本發明之又一實施形態之光學構件之概略剖面圖。光學構件105於反射型偏光件40之與黏著劑層20相反之側進而具有偏光板80。偏光板80代表性者具有吸收型偏光件81、配置於吸收型偏光件81一側之保護層82、及配置於吸收型偏光件81另一側之保護層83。根據目的的不同,亦可省略偏光板80之第1保護層82及第2保護層83中之一者。例如,反射型偏光件40可作為吸收型偏光件81之保護層而發揮作用時,亦可省略第2保護層83。
於一實施形態中,本發明之光學構件可為長條狀。即,光學構件之構成要件(例如波長轉換層、黏著劑層、阻隔薄膜、反射型偏光件、低折射率層、第1及第2稜鏡片、偏光板)可為長條狀。長條狀之光學構件因為可藉由捲對捲製程製造,故製造效率優異。
光學構件之各構成要件於未特別說明之情形,可經由任意適當的接著層(例如接著劑層、黏著劑層:未圖示)而積層。
上述實施形態可適當地組合,上述實施形態之構成要件中亦可由該技術領域者加入明顯的改變。例如,亦可同時設置圖4之低折射率層50與圖5之稜鏡片60及/或70。此時,稜鏡片可配置於低折射率層50與反射型偏光件40之間。進而,此時亦可於稜鏡片與反射型偏光件之間設置其他的低折射率層。又例如亦可於圖4~圖6實施形態中省略反射型偏光件。又例如亦可於圖4~圖6實施形態中設置圖2的阻隔薄膜31及/或32。進而,亦可將各構成要件置換成光學上等價的構造。
B. 波長轉換層 波長轉換層10如上所述,代表性者包含基質與分散於該基質中之波長轉換材料。
B-1. 基質 構成基質之材料(以下亦稱為基質材料)宜具有低的氧穿透性及透溼性、高的光穩定性及化學穩定性、具有特定折射率、具有優異透明性、及/或對波長轉換材料具有優異的分散性。基質可為樹脂薄膜,亦可為黏著劑。
B-1-1. 樹脂薄膜 基質為樹脂薄膜之情形,可使用任意適當的樹脂作為構成樹脂薄膜之樹脂。具體而言,樹脂可為熱塑性樹脂、亦可為熱硬化性樹脂、亦可為活性能量線硬化性樹脂。作為活性能量線硬化性樹脂,可列舉:電子束硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、可見光硬化型樹脂。作為樹脂之具體例,可列舉:環氧樹脂、(甲基)丙烯酸酯(例如甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯)、降冰片烯、聚乙烯、聚(乙烯丁醛)、聚(乙酸乙烯酯)、聚脲、聚胺基甲酸酯、胺基聚矽氧(AMS)、聚苯基甲基矽氧烷、聚苯基烷基矽氧烷、聚二苯基矽氧烷、聚二烷基矽氧烷、倍半矽氧烷、氟化聚矽氧、乙烯基及氫化物取代聚矽氧、苯乙烯系聚合物(例如聚苯乙烯、胺基聚苯乙烯(APS)、聚(丙烯腈乙烯苯乙烯)(AES))、經與二官能性單體交聯之聚合物(例如二乙烯苯)、聚酯系聚合物(例如聚對苯二甲酸乙二酯)、纖維素系聚合物(例如三乙酸纖維素)、氯乙烯系聚合物、醯胺系聚合物、醯亞胺系聚合物、乙烯醇系聚合物、環氧系聚合物、聚矽氧系聚合物、丙烯酸胺基甲酸酯系聚合物。此等可單獨使用亦可組合(例如摻合、共聚合)使用。此等樹脂亦可於形成薄膜後實施延伸、加熱、加壓等處理。較佳為熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂,更佳為熱硬化性樹脂。其原因為可適合應用於利用捲對捲製程製造本發明光學構件之情形。
B-1-2. 黏著劑 基質為黏著劑之情形,可使用任意適當的黏著劑作為黏著劑。黏著劑宜具有透明性及光學各向同性。作為黏著劑之具體例,可列舉:橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、環氧系黏著劑、纖維素系黏著劑。較佳為橡膠系黏著劑或丙烯酸系黏著劑。
橡膠系黏著劑(黏著劑組成物)之橡膠系聚合物為於室溫附近之溫度範圍表現橡膠彈性之聚合物。作為較佳的橡膠系聚合物(A),可列舉:苯乙烯系熱塑性彈性體(A1)、異丁烯系聚合物(A2)及其組合。
作為苯乙烯系熱塑性彈性體(A1),例如可列舉:苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS、SIS之氫化物)、苯乙烯-乙烯-丙烯嵌段共聚物(SEP、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物之氫化物)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIBS)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)等苯乙烯系嵌段共聚物。此等中,由於分子兩末端具有聚苯乙烯嵌段,以聚合物之形式具有高的凝集力之方面來看,較佳為苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS、SIS之氫化物)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIBS)。亦可使用市售品作為苯乙烯系熱塑性彈性體(A1)。作為市售品之具體例,可列舉Kuraray(股)製之SEPTON、HYBRAR、旭化成化學(股)製之Tuftec、Kaneka(股)製之SIBSTAR。
苯乙烯系熱塑性彈性體(A1)之重量平均分子量宜為5萬~50萬左右、較佳為5萬~30萬左右、更佳為5萬~25萬左右。若苯乙烯系熱塑性彈性體(A1)之重量平均分子量於此範圍內,由於可兼具聚合物之凝集力與黏彈性,故而為佳。
苯乙烯系熱塑性彈性體(A1)中之苯乙烯含量宜為5重量%~70重量%左右、較佳為5重量%~40重量%左右、更佳為10重量%~20重量%左右。若苯乙烯系熱塑性彈性體(A1)中之苯乙烯含量於此範圍內,由於可一面藉由苯乙烯部位保持凝集力一面藉由軟質段確保黏彈性,故而為佳。
作為異丁烯系聚合物(A2),可列舉包含異丁烯作為構成單體且重量平均分子量(Mw)較佳為50萬以上者。異丁烯系聚合物(A2)可為異丁烯之均聚物(聚異丁烯、PIB),亦可為以異丁烯作為主單體之共聚物(即以超過50莫耳%之比率共聚合異丁烯之共聚物)。作為此種共聚物,例如可列舉:異丁烯與正丁烯之共聚物、異丁烯與異戊二烯之共聚物(例如普通丁基橡膠、氯化丁基橡膠、溴化丁基橡膠、局部交聯丁基橡膠等丁基橡膠類)、此等硫化物或改性物(例如經以羥基、羧基、胺基、環氧基等官能基改性者)等。此等中,由於主鏈中不含雙鍵且耐候性優異之方面來看,較佳為聚異丁烯(PIB)。亦可使用市售品作為異丁烯系聚合物(A2)。作為市售品之具體例,可列舉BASF公司製之OPPANOL。
異丁烯系聚合物(A2)之重量平均分子量(Mw)宜為50萬以上、較佳為60萬以上、更佳為70萬以上。又,重量平均分子量(Mw)之上限宜為500萬以下、較佳為300萬以下、更佳為200萬以下。藉由使異丁烯系聚合物(A2)之重量平均分子量為50萬以上,可成為高溫保管時之耐久性更優異之黏著劑組成物。
黏著劑(黏著劑組成物)中之橡膠系聚合物(A)之含量,於黏著劑組成物之總固形物成分中宜為30重量%以上、較佳為40重量%以上、更佳為50重量%以上、尤佳為60重量%以上。橡膠系聚合物含量之上限,較佳為95重量%以下、更佳為90重量%以下。
於橡膠系黏著劑中亦可將上述橡膠系聚合物(A)與其他橡膠系聚合物組合後使用。作為其他橡膠系聚合物之具體例,可列舉:丁基橡膠(IIR)、丁二烯橡膠(BR)、丙烯腈-丁二烯橡膠(NBR)、EPR(二元系乙烯-丙烯橡膠)、EPT(三元系乙烯-丙烯橡膠)、丙烯酸橡膠、胺基甲酸酯橡膠、聚胺基甲酸酯系熱塑性彈性體;聚酯系熱塑性彈性體;聚丙烯與EPT(三元系乙烯-丙烯橡膠)之聚合物摻合物等之摻合物系熱塑性彈性體。其他橡膠系聚合物之調配量相對於上述橡膠系聚合物(A)100重量份宜為10重量份左右以下。
丙烯酸系黏著劑(黏著劑組成物)之丙烯酸系聚合物,代表性者含有(甲基)丙烯酸烷基酯作為主成分,且根據目的而共聚合的成分可包含:含有芳香環之(甲基)丙烯酸酯、含有醯胺基之單體、含有羧基之單體及/或含有羥基之單體。於本說明書中所謂「(甲基)丙烯酸酯」指丙烯酸酯及/或丙烯酸甲酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯可例示直鏈狀或支鏈狀烷基之碳數1~18者。含有芳香環之(甲基)丙烯酸酯為於其構造中包含芳香環構造,且包含(甲基)丙烯醯基之化合物。作為芳香環可列舉苯環、萘環或聯苯環。含有芳香環之(甲基)丙烯酸酯可滿足耐久性(特別是對透明導電層之耐久性)且改善因周邊部的反白所造成的顯示不均。含有醯胺基之單體為於其構造中含有醯胺基且含有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性不飽和雙鍵之化合物。含有羧基之單體為於其構造中含有羧基且含有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性不飽和雙鍵之化合物。含有羥基之單體為於其構造中含有羥基且含有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性不飽和雙鍵之化合物。丙烯酸系黏著劑之詳細內容例如記載於日本特開2015-199942號公報中,該公報之記載作為參考援用於本說明書中。
B-2. 波長轉換材料 波長轉換材料可控制波長轉換層之波長轉換特性。作為波長轉換材料可採用任意適當的構成。例如波長轉換材料可為量子點亦可為螢光體。於一實施形態中,第1波長轉換材料及第2波長轉換材料可均為量子點。於另一實施形態中,第1波長轉換材料或第2波長轉換材料中之一者可為量子點,另一者可為螢光體。例如第1波長轉換材料可為量子點,第2波長轉換材料可為螢光體。於又一實施形態中,第1波長轉換材料及第2波長轉換材料可均為螢光體。
波長轉換層中之波長轉換材料之含量(使用二種以上時之合計含量),相對於基質材料100重量份宜為0.01重量份~50重量份、較佳為0.01重量份~35重量份、更佳為0.01重量份~30重量份。若波長轉換材料之含量於此範圍內,可實現所有RGB之色相平衡優異之液晶顯示裝置。
B-2-1. 量子點 量子點可單獨使用,亦可組合二種以上(例如二種、三種、四種以上)後使用。例如藉由適當地組合具有不同發光中心波長之量子點後使用,可形成實現具有所期望之發光中心波長之光的波長轉換層。量子點之發光中心波長可利用量子點之材料及/或組成、粒子尺寸、形狀等而進行調整。於一實施形態中,可使用二種量子點(第1量子點及第2量子點)。藉由適當地組合此等,若使特定波長之光(來自背光光源之光)入射及通過波長轉換層,可實現於所期望之波長帶域具有發光中心波長之光。例如第1量子點宜於515nm~550nm範圍之波長帶域中具有發光中心波長,第2量子點宜於605nm~650nm範圍之波長帶域中具有發光中心波長。因此,第1量子點可被激發光(於本發明中為來自背光光源之光)激發,發出綠色光,第2量子點可發出紅色光。若為此種構成,藉由根據需要進一步組合能發出藍色光之量子點,於將光學構件應用於液晶顯示裝置時可抑制顯示不均且實現優異之色相。
量子點可以任意適當的材料構成。量子點宜由無機材料、較佳為無機導體材料或無機半導體材料構成。作為半導體材料例如可列舉II-VI族、III-V族、IV-VI族及IV族半導體。作為具體例可列舉:Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包含鑽石)、P、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdSeZn、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si3 N4 、Ge3 N4 、Al2 O3 、(Al、Ga、In)2 (S、Se、Te)3 、Al2 CO。此等可單獨使用亦可組合二種以上使用。量子點亦可包含p型摻雜物或n型摻雜物。又,量子點亦可具有核殼構造。於該核殼構造中,可根據目的於殼的周圍形成任意適當的功能層(單一層或複數層),亦可於殼表面進行表面處理及/或化學改性。
作為量子點之形狀,可根據目的採用任意適當的形狀。作為具體例可列舉真球狀、鱗片狀、板狀、橢圓球狀、不定形。
量子點之尺寸可根據所期望之發光波長採用任意適當的尺寸。量子點之尺寸代表性者為1nm~20nm、較佳為1nm~10nm、更佳為2nm~8nm。若量子點之尺寸於此範圍內,綠色及紅色分別表現鮮明的發光,可實現高演色性。例如綠色光可於量子點尺寸7nm左右發光,紅色光可於3nm左右發光。再者,量子點之尺寸在量子點例如為真球狀時為平均粒徑,為真球狀以外的形狀時為沿該形狀之最小軸之尺寸。
量子點之詳細內容例如記載於日本特開2012-169271號公報、日本特開2015-102857號公報、日本特開2015-65158號公報、日本特表2013-544018號公報、日本特表2010-533976號公報,此等公報之記載內容作為參考援用於本說明書中。量子點亦可使用市售品。
B-2-2. 螢光體 作為螢光體可根據目的使用能發出所期望顏色之光的任意適當的螢光體。作為具體例可列舉紅色螢光體、綠色螢光體。
作為紅色螢光體,例如可例舉經以Mn4+ 活化之複合氟化物螢光體。所謂複合氟化物螢光體指含有至少一個配位中心(例如下述之M),被作為配位子而起作用之氟化物離子包圍,並視需要藉由相對離子(例如下述之A)而補償電荷之配位化合物。作為其具體例,可列舉:A2 [MF5 ]:Mn4+ 、A3 [MF6 ]:Mn4+ 、Zn2 [MF7 ]:Mn4+ 、A[In2 F7 ]:Mn4+ 、A2 [M’F6 ]:Mn4+ 、E[M’F6 ]:Mn4+ 、A3 [ZrF7 ]:Mn4+ 、Ba0.65 Zr0.35 F2.70 :Mn4+ 。其中,A為Li、Na、K、Rb、Cs、NH4 或其組合。M為Al、Ga、In或其組合。M’為Ge、Si、Sn、Ti、Zr或其組合。E為Mg、Ca、Sr、Ba、Zn或其組合。較佳為配位中心之配位數為6之複合氟化物螢光體。關於此種紅色螢光體之詳細內容記載於例如日本特開2015-84327號公報中。該公報之記載內容全體作為參考援用於本說明書中。
作為綠色螢光體,例如可例舉包含具有β型Si3 N4 結晶構造之矽鋁氮氧化物(Sialon)之固溶體作為主成分之化合物。較佳為進行使此種矽鋁氮氧化物結晶中所包含之氧量成為特定量(例如0.8質量%)以下之處理。藉由進行此處理,可獲得波峰寬度較窄、發出鮮明光之綠色螢光體。關於此種綠色螢光體之詳細內容記載於例如日本特開2013-28814號公報中。該公報之記載內容全體作為參考援用於本說明書中。
B-3. 波長選擇吸收材料 波長轉換層如上所述可包含波長選擇吸收材料。作為波長選擇吸收材料之代表例可例舉波長選擇吸收性色素。作為波長選擇吸收性色素可使用任意適當的波長選擇吸收性色素。作為波長選擇吸收性色素之具體例,可列舉:蒽醌系、三苯基甲烷系、萘醌系、硫靛系、芘酮系、苝系、方酸(squarylium)系、青色素系、紫質系、吖卟啉系、酞青素系、亞酞青系、醌茜系、聚甲炔系、若丹明系、奧斯若(oxonol)系、苯酮系、偶氮系、咕噸系、甲亞胺系、喹吖啶酮系、二噁嗪系、吡咯並吡咯二酮系、蒽吡啶酮系、異吲哚啉酮系、陰丹酮系、靛系、硫靛系、喹啉黃系、喹啉系、三苯基甲烷系之化合物。
波長選擇吸收材料如上所述可單獨使用,亦可組合二種以上使用。於一實施形態中,如上所述可使用二種波長選擇吸收材料(第1波長選擇吸收材料及第2波長選擇吸收材料)。此時,第1波長選擇吸收材料宜於470nm~510nm範圍之波長帶域中具有吸收極大波長,第2波長選擇吸收材料宜於560nm~610nm範圍之波長帶域中具有吸收極大波長。若為如此構成,可良好地防止紅色光與綠色光、及綠色光與藍色光的混色。藉由此種效果與上述量子點之效果的相乘效果,可實現非常優異之演色性。作為第1波長選擇吸收材料,例如可列舉:蒽醌系、肟系、萘醌系、醌茜系、奧斯若系、偶氮系、咕噸系、酞青素系之化合物。作為第2波長選擇吸收材料,例如可列舉:靛系、若丹明系、喹吖啶酮系、紫質系之化合物。
波長選擇吸收材料較佳為亦可具有發光性。藉由使用具有發光性之波長選擇吸收材料,具有可使亮度提升之優點。
僅波長轉換層包含波長轉換材料時,波長轉換層中之波長選擇吸收材料之含量(使用二種以上時為合計之含量),相對於基質材料100重量份宜為0.01重量份~100重量份、較佳為0.01重量份~50重量份。若為此範圍,可兼具高亮度與高色域。
B-4. 其他 波長轉換層亦可視需要進一步含有任意適當的添加材。作為添加材,例如可列舉:光擴散材料、對光賦予各向異性之材料、使光偏光化之材料。作為光擴散材料之具體例,可列舉:由丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、苯乙烯系樹脂或此等之共聚合系樹脂所構成之微粒子。作為對光賦予各向異性之材料及/或使光偏光化之材料之具體例,可列舉:長軸與短軸之雙折射不同之橢圓球狀微粒子、核殼型微粒子、積層型微粒子。添加劑之種類、數量、調配量等可視目的而適當地設定。
波長轉換層例如可藉由塗佈包含基質材料、波長轉換材料與視需要之波長選擇吸收材料及/或添加材之液狀組成物而形成。例如基質材料為樹脂之情形,波長轉換層可藉由將包含基質材料、波長轉換材料與視需要之波長選擇吸收材料及/或添加材、溶劑及聚合起始劑之液狀組成物塗佈於任意適當的支持體,接著使之乾燥及/或硬化而形成。溶劑及聚合起始劑可依照所使用之基質材料(樹脂)種類而適當地設定。作為塗佈方法可使用任意適當的塗佈方法。作為具體例可列舉:簾塗法、浸塗法、旋轉塗佈法、印刷塗佈法、噴塗法、狹縫式塗佈法、輥塗法、斜板式塗佈法、刮刀塗佈法、凹版塗佈法、線棒法。硬化條件可根據所使用之基質材料(樹脂)種類及組成物之組成等而適當設定。再者,將量子點添加於基質材料時,可以粒子狀態添加,亦可以以分散於溶劑中之分散液之狀態添加。波長轉換層亦可形成於阻隔薄膜上。
形成於支持體之波長轉換層可轉印於光學構件之其他構成要件(例如阻隔薄膜、低折射率層、稜鏡片、反射型偏光件)。
波長轉換層可為單一層,亦可為積層構造。波長轉換層具有積層構造時,代表性者為各層可包含具有不同發光特性之波長轉換材料。
波長轉換層之厚度(具有積層構造時之總厚度)宜為1μm~500μm、較佳為100μm~400μm。若波長轉換層之厚度於此範圍,可獲得轉換效率及耐久性優異。波長轉換層具有積層構造時之各層厚度宜為1μm~300μm、較佳為10μm~250μm。
無論基質為樹脂薄膜或黏著劑之情形,波長轉換層宜對於氧及/或水蒸氣具有阻隔功能。於本說明書中所謂「具有阻隔功能」是指控制侵入波長轉換層之氧及/或水蒸氣之穿透量,而將量子點與氧及/或水蒸氣實質上地隔絕。波長轉換層藉由對量子點本身賦予例如核殼型、四足型等立體構造,而可展現阻隔功能。又,波長轉換層藉由適當地選擇基質材料而可展現阻隔功能。較好的是,波長轉換層藉由調配經有機化處理之層狀矽酸鹽(有機化處理層狀矽酸鹽)而可展現阻隔功能。又,於設置下述阻隔薄膜時,可進一步促進波長轉換層之阻隔功能。
上述有機化處理層狀矽酸鹽可適當地將層狀矽酸鹽有機化處理而獲得。該層狀矽酸鹽例如具有積層有數百~數千片板狀結晶(例如厚度1nm)之積層構造,該板狀結晶由二層之氧化矽四面體層、及存在於二層之氧化矽四面體層間之鎂八面體層或鋁八面體層構成。作為層狀矽酸鹽,例如可列舉:膨潤石、膨土、蒙脫石、高嶺土等。
上述層狀矽酸鹽之厚度宜為0.5nm~30nm、較佳為0.8nm~10nm。層狀矽酸鹽之長邊長度宜為50nm~1000nm、較佳為300nm~600nm。再者,所謂層狀矽酸鹽之長邊指構成層狀矽酸鹽之邊中最長的邊。
上述層狀矽酸鹽之縱橫比(厚度T與長邊長度L之比L/T)宜為25以上、較佳為200以上。藉由使用縱橫比較高之層狀矽酸鹽,即使層狀矽酸鹽之添加量較少,亦可獲得阻氣性較高之波長轉換層。又,若層狀矽酸鹽之添加量較少,可獲得透明性較高且柔軟性優異之波長轉換層。層狀矽酸鹽之縱橫比之上限通常為300。
有機化處理層狀矽酸鹽較佳即使在200℃以上、更佳230℃以上、更佳230℃~400℃的溫度下亦不會著色。有機化處理層狀矽酸鹽較佳即使於230℃加熱10分鐘亦不會著色。於本說明書中所謂「不會著色」指以目視確認有機化處理層狀矽酸鹽沒有著色。
有機化處理是藉由將原本存在於層狀矽酸鹽中板狀結晶間之無機陽離子(例如Na+ 、Ca2+ 、Al3+ 、Mg2+ )使用作為有機化處理劑之適當的鹽進行陽離子交換而進行。作為使用於上述陽離子交換之有機化處理劑,例如可列舉含氮雜環式四級銨鹽、四級磷鎓鹽。較佳為使用四級咪唑鎓鹽、三苯基磷鎓鹽等。經使用此等鹽進行有機化處理之層狀矽酸鹽,其耐熱性優異、即使於高溫下(例如200℃以上)亦不會著色。又,該有機化處理層狀矽酸鹽於波長轉換層中之分散性優異。若使用分散性較高之有機化處理層狀矽酸鹽,可形成透明性、阻氣性及韌性較高之波長轉換層。更好的是,使用四級咪唑鎓鹽作為上述有機化處理劑。由於四級咪唑鎓鹽耐熱性更優異,故若使用經以四級咪唑鎓鹽進行有機化處理之層狀矽酸鹽,可獲得即使於高溫下著色更少之波長轉換層。
用作上述有機化處理劑之鹽之相對陰離子,例如為Cl- 、B- 、Br- 。該相對陰離子較佳為Cl- 或B- 、更佳為Cl- 。包含此種相對離子之鹽與原本存在於層狀矽酸鹽之無機陽離子之交換性優異。
用作上述有機化處理劑之鹽宜具有長鏈烷基。該烷基之碳數較佳為4以上、更佳為6以上、最佳為8~12。若使用具有長鏈烷基之鹽,該鹽會將層狀矽酸鹽中板狀結晶間擴大,使該結晶間之相互作用減弱,其結果有機化處理層狀矽酸鹽之分散性提高。若有機化處理層狀矽酸鹽之分散性提高,可形成透明性及阻氣性較高之波長轉換層。
有機化處理層狀矽酸鹽之厚度宜為0.5nm~30nm、較佳為0.8nm~20nm、更佳為1nm~5nm。
上述有機化處理層狀矽酸鹽例如可使層狀矽酸鹽與作為有機化處理劑之鹽分散於任意適當的溶劑(例如水)中,於特定條件下進行攪拌而獲得。作為上述有機化處理劑之鹽之添加量,相對於原本存在層狀矽酸鹽中之陽離子,於莫耳基準下宜為1.1倍以上、較佳為1.2倍以上、更佳為1.5倍以上。層狀矽酸鹽是否經有機化處理可藉由X射線繞射分析測定層狀矽酸鹽之層間距離,藉由層間距離之擴大而確認。
上述有機化處理層狀矽酸鹽之調配量,相對於基質材料(代表性者為樹脂或黏著劑固形物成分)100重量份,宜為1重量份~30重量份、較佳為3重量份~20重量份、更佳為3重量份~15重量份、尤佳為5重量份~15重量份。若為此範圍,可獲得阻氣性及透明性優異、且著色較少之波長轉換層。
波長轉換層之換算成厚度50μm之水蒸氣穿透率(透溼度)宜為100g/(m2 .day)以下、較佳為80g/(m2 .day)以下。
C. 黏著劑層 黏著劑層20可以任意適當的黏著劑構成。構成黏著劑層20之黏著劑如同關於波長轉換層之基質材料於B-1-2項所說明。
黏著劑層如上所述可包含波長選擇吸收材料。僅黏著劑層包含波長轉換材料時,黏著劑層中之波長選擇吸收材料之含量(使用二種以上時為合計之含量),相對於黏著劑之固形物成分100重量份,較佳為0.01重量份~100重量份、更佳為0.1重量份~10重量份。若為此範圍,可一面維持黏著劑之耐久性,一面實現高亮度及高色域化。關於波長選擇吸收材料之詳細內容,如同與波長轉換層相關聯之於上述B項所說明。再者,波長轉換層及黏著劑層兩者包含波長選擇吸收材料時,波長轉換層及黏著劑層中之波長選擇吸收材料之總含量,相對於波長轉換層之基質材料及黏著劑層之黏著劑之固形物成分之合計100重量份,較佳為0.01重量份~100重量份。
D. 阻隔薄膜 阻隔薄膜宜對於氧及/或水蒸氣具有阻隔功能。藉由設置阻隔薄膜,可防止因氧及/或水蒸氣所造成之量子點劣化,其結果可達成波長轉換層功能之長壽命化。阻隔薄膜之氧穿透率宜為10cm3 /(m2 .day.atm)以下、較佳為1cm3 /(m2 .day.atm)以下、更佳為0.1cm3 /(m2 .day.atm)以下。氧穿透率可於25℃、0%RH之氛圍下,藉由根據JIS K7126之測定法而測定。阻隔薄膜之水蒸氣穿透率(透溼度)宜為1g/(m2 .day)以下、較佳為0.1g/(m2 .day)以下、更佳為0.01g/(m2 .day)以下。水蒸氣穿透率可於40℃、90%RH之氛圍下,藉由根據JIS K7129之測定法而測定。
阻隔薄膜代表性者為於樹脂薄膜例如積層金屬蒸鍍膜、金屬或矽之氧化物膜、氮氧化膜或氮化膜、金屬箔而成之積層薄膜。根據光學構件之構成的不同,亦可省略樹脂薄膜。樹脂薄膜最好能夠具有阻隔功能、透明性及/或光學各向同性。作為此種樹脂之具體例,可列舉:環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂。較佳為環狀烯烴系樹脂(例如降冰片烯系樹脂)、聚酯系樹脂(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET))、丙烯酸系樹脂(例如於主鏈中具有內酯環或戊二醯亞胺環等環狀構造之丙烯酸系樹脂)。此等樹脂之阻隔功能、透明性及光學各向同性之平衡優異。
作為金屬蒸鍍膜之金屬,例如可列舉:In、Sn、Pb、Cu、Ag、Ti。作為金屬氧化物,例如可列舉:ITO、IZO、AZO、SiO2 、MgO、SiO、SixOy、Al2 O3 、GeO、TiO2 。作為金屬箔,例如可列舉鋁箔、銅箔、不鏽鋼箔。
作為阻隔薄膜,亦可使用活性阻隔薄膜。活性阻隔薄膜為與氧反應、積極地吸收氧之薄膜。活性阻隔薄膜有市售。作為市售品之具體例,可列舉:東洋紡之「OXYGUARD」、三菱瓦斯化學之「AGELESS-OMAC」、共同印刷之「OXYCATCH」、Kuraray「EVAL AP」。
阻隔薄膜之厚度例如為50nm~50μm。
E. 反射型偏光件 反射型偏光件40具有穿透特定偏光狀態(偏光方向)之偏光,反射除此之外的偏光狀態之光的功能。反射型偏光件40可為直線偏光分離型,亦可為圓偏光分離型。以下,就直線偏光分離型之反射型偏光件舉例進行說明。再者,作為圓偏光分離型之反射型偏光件,例如可列舉將膽固醇液晶固定化之薄膜與λ/4板之積層體。
圖7為反射型偏光件之一例之概略立體圖。反射型偏光件為交替積層有具有雙折射性之層A與實質上不具有雙折射性之層B而成之多層積層體。例如,此種多層積層體之層之總數可為50~1000。於圖示例中,A層之x軸方向之折射率nx大於y軸方向之折射率ny,B層之x軸方向之折射率nx與y軸方向之折射率ny實質上相同。因此,A層與B層之折射率差於x軸方向較大,於y軸方向實質上為零。其結果,x軸方向成為反射軸、y軸方向成為穿透軸。A層與B層之x軸方向上之折射率差宜為0.2~0.3。再者,x軸方向與反射型偏光件之製造方法中之反射型偏光件之延伸方向對應。
上述A層宜由藉由延伸展現雙折射性之材料構成。作為此種材料之代表例,可列舉:萘二羧酸聚酯(例如聚萘二甲酸乙二酯)、聚碳酸酯及丙烯酸系樹脂(例如聚甲基丙烯酸甲酯)。較佳為聚萘二甲酸乙二酯。上述B層宜由即使延伸亦實質上不展現雙折射性之材料構成。作為此種材料之代表例,可列舉萘二羧酸與對苯二甲酸之共聚酯。
反射型偏光件係於A層與B層之界面穿透具有第1偏光方向之光(例如p波),反射具有與第1偏光方向正交之第2偏光方向之光(例如s波)。經反射之光於A層與B層之界面,一部分以具有第1偏光方向之光之形式穿透,一部分以具有第2偏光方向之光之形式反射。藉由於反射型偏光件之內部反覆多次如此之反射及穿透,可提高光之利用效率。
於一實施形態中,如圖7所示,反射型偏光件亦可包含作為波長轉換層10側之最外層的反射層R。藉由設置反射層R,可將最終未被利用之返回到反射型偏光件最外部之光進一步利用,故可進一步提高光之利用效率。反射層R代表性者利用聚酯樹脂層之多層構造展現反射功能。
反射型偏光件之整體厚度可根據目的、反射型偏光件所包含之層之合計數等而適當地設定。反射型偏光件之整體厚度宜為10μm~150μm。
於一實施形態中,反射型偏光件40於光學構件100中以穿透與偏光板80之穿透軸平行之偏光方向之光之方式配置。即,反射型偏光件40以其穿透軸成為與偏光板80之穿透軸方向大致平行方向之方式配置。藉由成為如此構造,可將被偏光板80吸收之光進行再利用,可進一步提高利用效率,且亮度亦可提高。
反射型偏光件代表性者可組合共擠出與橫向延伸而製作。共擠出可以任意適當的方式進行。例如可為進料區塊方式、亦可為多歧管方式。例如將於進料區塊中構成A層之材料與構成B層之材料擠出,接著使用倍增器而多層化。又,此種多層化裝置為該業者所周知。接著,將所得之長條狀之多層積層體代表性者朝與搬送方向垂直之方向(TD)延伸。構成A層之材料(例如聚萘二甲酸乙二酯)藉由該橫向延伸而僅於延伸方向之折射率增大,其結果展現雙折射性。構成B層之材料(例如萘二羧酸與對苯二甲酸之共聚酯)即使藉由該橫向延伸亦無論哪一個方向之折射率皆不增大。結果可獲得於延伸方向(TD)具有反射軸、於搬送方向(MD)具有穿透軸之反射型偏光件(TD對應於圖7之x軸方向、MD對應於y軸方向)。再者,延伸操作可使用任意適當的裝置進行。
作為反射型偏光件,例如可使用日本特表平9-507308號公報所記載者。
反射型偏光件可直接使用市售品,亦可將市售品二次加工(例如延伸)後使用。作為市售品例如可列舉3M公司製之商品名DBEF、3M公司製之商品名APF。
F. 低折射率層 低折射率層50之折射率如上所述宜為1.30以下。低折射率層50之折射率宜儘可能地接近空氣之折射率(1.00)。具體而言,低折射率層50之折射率宜為1.20以下、較佳為1.15以下。低折射率層之折射率之下限例如為1.01。若低折射率層之折射率於此範圍,可實現排除空氣層而實現顯著的薄型化且具有高亮度之液晶顯示裝置。
低折射率層代表性者於內部具有空隙。低折射率層之空隙率可取任意適當的值。上述空隙率例如為5%~99%、較佳為25%~95%。藉由空隙率為上述範圍內,可使低折射率層之折射率充份地低,且可獲得高之機械強度。
作為上述於內部具有空隙之低折射率層,例如可由具有粒子狀、纖維狀、平板狀之至少一個形狀之構造構成。形成粒子狀之構造體(構成單元)可為實心粒子亦可為中空粒子,具體而言可列舉:聚矽氧粒子或具有微細孔之聚矽氧粒子、二氧化矽中空奈米粒子或二氧化矽中空奈米球等。纖維狀之構成單元例如為直徑為奈米尺寸之奈米纖維,具體而言可列舉纖維素奈米纖維或氧化鋁奈米纖維等。平板狀之構成單元例如可列舉奈米黏土,具體而言可列舉奈米尺寸之膨土(例如KUNIPIA F「商品名」)等。又,於本發明之空隙構造體中,形成前述微細的空隙構造之單一構造單元或由一種或複數種組成之構成單元彼此包含經由觸媒作用例如直接地或間接地化學結合之部分。再者,於本發明中所謂構成單元彼此「間接地結合」指構成單元彼此經由構成單元量以下之少量的黏結劑成分結合。所謂構成單元彼此「直接地結合」指構成單元彼此不經由黏結劑成分等而直接結合。
作為構成低折射率層之材料,可採用任意適當的材料。作為上述材料,例如可採用國際公開第2004/113966號說明書、日本特開2013-254183號公報及日本特開2012-189802號公報所記載之材料。具體而言,例如可列舉:二氧化矽系化合物;水解性矽烷類、以及其部分水解物及脫水縮合物;有機聚合物;含有矽烷醇基之矽化合物;藉由使矽酸鹽接觸酸或離子交換樹脂而獲得之活性二氧化矽;聚合性單體(例如(甲基)丙烯酸系單體、及苯乙烯系單體);硬化性樹脂(例如(甲基)丙烯酸系樹脂、含氟樹脂及胺基甲酸酯樹脂);及此等的組合。
作為上述有機聚合物,例如可列舉:聚烯烴類(例如聚乙烯及聚丙烯)、聚胺基甲酸酯類、含氟聚合物(例如以含氟單體單元與用以賦予交聯反應性之構成單元作為構成成分之含氟共聚物)、聚酯類(例如聚(甲基)丙烯酸衍生物(於本說明書中所謂(甲基)丙烯酸指丙烯酸及甲基丙烯酸,全部「(甲基)」皆以此含義使用))、聚醚類、聚醯胺類、聚醯亞胺類、聚脲類、及聚碳酸酯類等。
上述材料宜包含二氧化矽系化合物;水解性矽烷類、以及其部分水解物及脫水縮合物。
作為上述二氧化矽系化合物,例如可列舉:SiO2 (無水矽酸);包含SiO2 與選自由Na2 O-B2 O3 (硼矽酸)、Al2 O3 (氧化鋁)、B2 O3 、TiO2 、ZrO2 、SnO2 、Ce2 O3 、P2 O5 、Sb2 O3 、MoO3 、ZnO2 、WO3 、TiO2 -Al2 O3 、TiO2 -ZrO2 、In2 O3 -SnO2 、及Sb2 O3 -SnO2 所構成群組中之至少一個化合物的化合物(上述「-」表示為複合氧化物)。
作為上述水解性矽烷類,例如可列舉:含有亦可具有取代基(例如氟)之烷基之水解性矽烷類。上述水解性矽烷類、以及其部分水解物及脫水縮合物宜為烷氧基矽烷及倍半矽氧烷。
烷氧基矽烷可為單體亦可為低聚物。烷氧基矽烷單體宜具有三個以上烷氧基。作為烷氧基矽烷單體,例如可列舉:甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、四丙氧基矽烷、二乙氧基二甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、及二甲基二乙氧基矽烷。作為烷氧基矽烷低聚物,較好的是藉由上述單體之水解及縮聚而獲得之縮聚物。藉由使用烷氧基矽烷作為上述材料,可獲得具有優異之均勻性之低折射率層。
倍半矽氧烷為由通式RSiO1.5 (其中R表示有機官能基)表示之網狀聚矽氧烷之總稱。作為R,例如可列舉:烷基(可為直鏈亦可為支鏈、碳數為1~6)、苯基、及烷氧基(例如甲氧基及乙氧基)。作為倍半矽氧烷之構造,例如可列舉:梯型及籠型。藉由使用倍半矽氧烷作為上述材料,可獲得具有優異之均勻性、耐候性、透明性及硬度之低折射率層。
作為上述粒子可採用任意適當的粒子。上述粒子代表性者由二氧化矽系化合物構成。
二氧化矽粒子之形狀例如可藉由以穿透式電子顯微鏡進行觀察而確認。上述粒子之平均粒徑例如為5nm~200nm、較佳為10nm~200nm。藉由具有上述構成,可獲得折射率足夠低之低折射率層且可維持低折射率層之透明性。再者,於本說明書中,所謂平均粒徑設為自藉由氮吸附法(BET法)測得之比表面積(m2 /g),利用平均粒徑=(2720/比表面積)之公式所得到之值(參照日本特開平1-317115號)。
作為獲得低折射率層之方法,例如可列舉:日本特開2010-189212號公報、日本特開2008-040171號公報、日本特開2006-011175號公報、國際公開第2004/113966號說明書及此等參考文獻所記載之方法。具體而言,可列舉:使二氧化矽系化合物;水解性矽烷類、以及其部分水解物及脫水縮合物之至少任一者水解及縮聚之方法、使用多孔質粒子及/或中空微粒子之方法、以及利用回彈現象生成氣凝膠層之方法、使用將利用溶膠凝膠法獲得之凝膠粉碎、且以觸媒等使上述粉碎液中之微細孔粒子彼此化學性結合之粉碎凝膠之方法等。然而,低折射率層並不限定於此製造方法,可藉由任何製造方法製造。
低折射率層之霧度例如為0.1%~30%、較佳為0.2%~10%。
低折射率層之機械強度例如宜為藉由BEMCOT(註冊商標)之耐擦傷性為60%~100%。
低折射率層與波長轉換層之間之錨固力並無特別限制,例如為0.01N/25mm以上、較佳為0.1N/25mm以上、更佳為1N/25mm以上。再者,為了提高上述機械強度及錨固力,可於形成塗膜前後或與任意適當的接著層或其他構件貼合前後之步驟,實施底塗處理、加熱處理、加溼處理、UV處理、電暈處理、電漿處理等。
低折射率層50之厚度宜為100nm~5000nm、較佳為200nm~4000nm、更佳為300nm~3000nm、尤佳為500nm~2000nm。若低折射率層之厚度於此範圍內,可實現對於可見光區域之光展現光學性充分功能且具有優異之耐久性之低折射率層。
G. 稜鏡片 G-1. 第1稜鏡片 如上所述,第1稜鏡片60代表性者具有基材部61與稜鏡部62。於本發明之光學構件配置於液晶顯示裝置之背光側時,第1稜鏡片60將自背光單元出射之偏光光於保持其偏光狀態之情形下,藉由稜鏡部62內部之全反射等以於液晶顯示裝置之大致法線方向具有最大強度之偏光光之形式導向偏光板。基材部61亦可根據目的及稜鏡片之構成而加以省略。例如,低折射率層50可作為稜鏡片之支持構件而發揮功能之情形,基材部61可省略。再者,所謂「大致法線方向」包含自法線方向偏移特定角度內之方向、例如自法線方向±10°之範圍內之方向。
G-1-1. 稜鏡部 於一實施形態中,第1稜鏡片60(實質上為稜鏡部62)如上所述,由在與波長轉換層10相反之側排列複數個成凸之柱狀之單元稜鏡63而構成。較佳為單元稜鏡63為柱狀,其長度方向(稜線方向)朝向與偏光板之穿透軸大致正交方向或大致平行方向。於本說明書中,所謂「實質上正交」及「大致正交」之表達包含二個方向所成之角度為90°±10°之情形、較佳為90°±7°、更佳為90°±5°。所謂「實質上平行」及「大致平行」之表達包含二個方向所成之角度為0°±10°之情形、較佳為0°±7°、更佳為0°±5°。進而,於本說明書中僅表示「正交」或「平行」時為可包含實質上正交或實質上平行之狀態。再者,第1稜鏡片60亦可以單元稜鏡63之稜線方向與偏光板之穿透軸形成特定角度之方式配置(所謂斜向配置)。藉由採用如此構成,有時可進一步良好地防止雲紋產生。作為斜向配置之範圍,宜為20°以下、較佳為15°以下。
在可獲得本發明效果之範圍內,單元稜鏡63之形狀可採用任意適當的構成。單元稜鏡63於平行於其排列方向且平行於其厚度方向之剖面,其剖面形狀可為三角形狀,亦可為其他形狀(例如三角形之一個或兩個斜面具有傾斜角不同之複數個平坦面之形狀)。作為三角形狀,可為相對於通過單元稜鏡之頂點並垂直於片材面之直線為非對稱之形狀(例如不等邊三角形),亦可為相對於該直線為對稱之形狀(例如等腰三角形)。進而,單元稜鏡之頂點可為經取倒角之曲面狀,亦可為前端被切割成平坦面而成為剖面梯形形狀。單元稜鏡63之詳細形狀可根據目的而適當地設定。例如,可採用日本特開平11-84111號公報記載之構成作為單元稜鏡63。
單元稜鏡63之高度可全部單元稜鏡皆相同高度,亦可具有不同高度。單元稜鏡具有不同高度之情形時,於一實施形態中單元稜鏡具有二個高度。若為如此構成,因為僅高度較高的單元稜鏡能進行點接著,故藉由調整高度較高的單元稜鏡之位置及數量,可以所期望之程度實現點接著。例如,可交替配置高度較高的單元稜鏡與高度較低的單元稜鏡,亦可高度較高(或較低)的單元稜鏡每隔三個、每隔四個、每隔五個等配置,亦可根據目的不規則地配置,亦可全部隨機地配置。於另一實施形態中,單元稜鏡具有三個以上的高度。若為如此構成,可調整進行點接著之單元稜鏡對接著劑之填埋程度,結果可以更精密的程度實現點接著。
G-1-2. 基材部 於第1稜鏡片60設置基材部61時,可藉由將單一材料進行擠出成型等而一體地形成基材部61與稜鏡部62,亦可於基材部用薄膜上賦予稜鏡部的形狀。基材部之厚度宜為25μm~150μm。若為如此厚度可獲得優異之操作性及強度。
作為構成基材部61之材料,可根據目的及稜鏡片之構成而採用任意適當的材料。於基材部用薄膜上賦予稜鏡部的形狀時,作為基材部用薄膜之具體例,可列舉:藉由三醋酸纖維素(TAC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之(甲基)丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂所形成之薄膜。該薄膜宜為未延伸薄膜。
以單一材料一體形成基材部61與稜鏡部62時,作為該材料可使用與於基材部用薄膜上賦予稜鏡部的形狀時之稜鏡部形成用材料相同的材料。作為稜鏡部形成用材料,例如可列舉環氧丙烯酸酯系或胺基甲酸酯丙烯酸酯系之反應性樹脂(例如游離輻射硬化性樹脂)。於形成一體構成之稜鏡片時,可使用PC、PET等聚酯樹脂、PMMA、MS等丙烯酸系樹脂、環狀聚烯烴等光穿透性熱塑性樹脂。
基材部61宜具有實質上的光學各向同性。於本說明書中所謂「具有實質上的光學各向同性」意指相位差值小至不會對液晶顯示裝置之光學特性實質上的給予影響之程度。例如基材部之面內相位差Re宜為20nm以下、較佳為10nm以下。再者,面內相位差Re為於23℃下以波長590nm之光測得之面內相位差值。面內相位差Re以Re=(nx-ny)×d表示。於此,nx為於光學構件之面內,折射率成為最大之方向(即遲相軸方向)之折射率,ny為於該面內與遲相軸垂直之方向(即進相軸方向)之折射率,d為光學構件之厚度(nm)。
進而,基材部61之光彈性係數宜為-10×10-12 m2 /N~10×10-12 m2 /N、較佳為-5×10-12 m2 /N~5×10-12 m2 /N、更佳為-3×10-12 m2 /N~3×10-12 m2 /N。
G-2. 第2稜鏡片 於一實施形態中,如上所述,第1稜鏡片60與第2稜鏡片70藉由點接著而貼合。藉由成為如此構造,將光學構件應用於液晶顯示裝置時可實現機械強度優異、具有高亮度、抑制顯示不均及具有優異色相之液晶顯示裝置。第2稜鏡片之構造、功能等如同關於第1稜鏡片於G-1項所說明。
採用上述所謂的點接著之技術意義如下。應用於液晶顯示裝置之波長轉換層將入射之藍色~藍紫色光之一部分轉換為綠色光及紅色光,將一部分以藍色光之形式直接出射,藉此由紅色光、綠色光及藍色光之組合實現白色光。又,應用於液晶顯示裝置之波長轉換層因為構成材料及光吸收的關係,大多為黃色~橙色。稜鏡片代表性者藉由利用其復歸反射而補償於僅有波長轉換層時不足的色轉換效率,用於使亮度及色相提高。於此,由於稜鏡片具有使擴大的光聚光於正面方向之功能,故關於斜向不能充分實現高的轉換效率,結果斜向之色相露出波長轉換層的顏色,看起來為黃色~橙光,常導致液晶顯示裝置之顯示品質降低。藉由採用點接著,於該點接著部分的空氣層被排除,聚光性減少,光擴大至周圍。即,與單純地載置(獨立放置)稜鏡片之構成相比,使光擴散至周圍,結果可改善正面及斜向(特別是斜向)的色相。藉由調整點接著之程度(例如點接著部分之數量、位置、點接著所使用之接著劑之厚度),可實現於正面及斜向二個方向之亮度及色相所期望的平衡。此外,藉由調整點接著之程度而形成具有特定空隙度之空隙部,可進一步實現優異之亮度及色相。
H. 偏光板 如上所述偏光板80代表性者具有吸收型偏光件81、配置於吸收型偏光件81一側之保護層82及配置於吸收型偏光件81另一側之保護層83。
H-1. 偏光件 作為吸收型偏光件81可採用任意適當的偏光件。例如形成偏光件之樹脂薄膜可為單層樹脂薄膜,亦可為二層以上之積層體。
作為由單層樹脂薄膜構成之偏光件之具體例,可列舉:對聚乙烯醇(PVA)系薄膜、部分縮甲醛化PVA系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜實施利用碘或二色性染料等二色性物質之染色處理及延伸處理而成者、PVA之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系配向薄膜等。由光學特性優異之觀點,較佳為使用將PVA系薄膜以碘染色、進行單軸延伸所獲得之偏光件。
上述利用碘之染色,例如藉由將PVA系薄膜浸漬於碘水溶液而進行。上述單軸延伸之延伸倍率宜為3~7倍。延伸可於染色處理後進行,亦可一面染色一面進行。又,亦可延伸後進行染色。視需要對PVA系薄膜實施膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。例如於染色前將PVA系薄膜浸漬於水中進行水洗,藉此不僅可洗淨PVA系薄膜表面之髒污或抗黏著劑,亦可使PVA系薄膜膨潤,防止染色不均等。
作為使用積層體所獲得之偏光件之具體例,可列舉:使用樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂薄膜)之積層體、或樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體所獲得之偏光件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體所獲得之偏光件,例如可利用以下方法而製得:將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材、使之乾燥,而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層,得到樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體;將該積層體延伸及染色,將PVA系樹脂層作為偏光件。於本實施形態中,代表性的延伸為包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中後進行延伸。進而,視需要,在硼酸水溶液中延伸之前,延伸進一步可包含將積層體於高溫(例如95℃以上)下進行空中延伸。所得之樹脂基材/偏光件之積層體可直接使用(即可將樹脂基材作為偏光件之保護層)、亦可將樹脂基材自樹脂基材/偏光件之積層體剝離,根據目的於該剝離面積層任意適當的保護層後使用。此種偏光件之製造方法之詳細內容例如記載於日本特開2012-73580號公報中。該公報之全體記載作為參考援用於本說明書中。
偏光件之厚度宜為15μm以下、較佳為1μm~12μm、更佳為3μm~12μm、尤佳為3μm~8μm。若偏光件之厚度於此範圍,可良好地抑制加熱時之捲曲,及可獲得良好加熱時之外觀耐久性。
偏光件宜於波長380nm~780nm中之任一波長表現吸收二色性。偏光件之單體穿透率如上所述為43.0%~46.0%、較佳為44.5%~46.0%。偏光件之偏光度宜為97.0%以上、較佳為99.0%以上、更佳為99.9%以上。
上述單體穿透率及偏光度可使用分光光度計進行測定。作為上述偏光度之具體測定方法可測定上述偏光件之平行穿透率(H0 )及垂直穿透率(H90 ),利用公式:偏光度(%)={(H0 -H90 )/(H0 +H90 )}1/2 ×100而求出。上述平行穿透率(H0 )為將二片相同的偏光件以彼此吸收軸成為平行之方式重疊而製作之平行型積層偏光件之穿透率值。又,上述垂直穿透率(H90 )為將二片相同的偏光件以彼此吸收軸垂直之方式重疊而製作之垂直型積層偏光件之穿透率值。再者,此等穿透率為利用JIS Z 8701-1982之2度視野(C光源)進行視感度修正後之Y值。
H-2. 保護層 保護層由可使用作為偏光板之保護薄膜之任意適當的薄膜形成。作為該薄膜之主成分材料之具體例,可列舉:三醋酸纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、或聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降冰片烯、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等透明樹脂等。且亦可列舉:(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。此外,例如亦可列舉矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又,亦可使用日本特開2001-343529號公報(WO01/37007)所記載之聚合物薄膜。作為該薄膜之材料,例如可使用含有於側鏈具有取代或非取代之亞胺基之熱塑性樹脂與於側鏈具有取代或非取代之苯基及硝基之熱塑性樹脂的樹脂組成物,例如可列舉具有由異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺所構成之交替共聚物與丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組成物。該聚合物薄膜例如可為上述樹脂組成物之擠出成型物。各保護層52及53可相同、亦可不同。
保護層之厚度宜為20μm~100μm。保護層可經由接著層(具體而言為接著劑層、黏著劑層)積層於偏光件,亦可密著(不經由接著層)積層於偏光件。接著劑層可由任意適當的接著劑形成。作為接著劑,例如可列舉以聚乙烯醇系樹脂作為主成分之水溶性接著劑。以聚乙烯醇系樹脂作為主成分之水溶性接著劑宜可進而含有金屬化合物膠體。金屬化合物膠體可為金屬化合物微粒子分散於分散介質中者,亦可為因微粒子之同種電荷之相互排斥而靜電穩定化、永久具有穩定性者。在不對偏光特性等光學特性帶來不良影響下,形成金屬化合物膠體之微粒子之平均粒徑可為任意適當的值。較佳為1nm~100nm、更佳為1nm~50nm。其原因為可使微粒子均勻地分散於接著劑層中,確保接著性,且可抑制裂點。又,所謂「裂點」指於偏光件與保護層之界面產生之局部的凹凸缺陷。
I. 背光單元 上述A項~H項所記載之本發明之光學構件可組裝於背光單元中。因此,本發明亦包含該背光單元。背光單元為配置於液晶面板之背面側,自背面側照明液晶面板之照明裝置。背光單元可採用任意適當的構成。例如背光單元可為側發光方式、亦可為直下方式。採用直下方式時,背光單元例如具有光源、反射薄膜、擴散板與上述光學構件。採用側發光方式時,背光單元可進而具有導光板與光反射板。上述光學構件可配置於光源之視辨側(於側發光方式時為導光板之視辨側)。光源可根據目的而採用任意適當的構造。於一實施形態中,光源發出藍色~紫外線區域的光。若為如此構造,可實現兼具高亮度及高色域化。因為背光單元之具體構造為該業界所周知,故省略詳細說明。
J. 液晶顯示裝置 根據本發明之又一態樣,提供一種液晶顯示裝置。在光學構件不含偏光板之實施形態中,液晶顯示裝置具有液晶單元、配置於該液晶單元之視辨側之視辨側偏光板、配置於該液晶單元之與視辨側相反之側之背面側偏光板、配置於該背面側偏光板之外側之上述A項~H項所記載之光學構件、及配置於該光學構件外側之背光單元。在光學構件包含偏光板之實施形態中,液晶顯示裝置具有液晶單元、配置於該液晶單元之視辨側之偏光板、配置於該液晶單元之與視辨側相反之側之上述A項~H項所記載之光學構件、及配置於該光學構件外側之背光單元。因為液晶單元之構造及驅動模式等為該業界所周知,故省略具體的說明。
實施例 以下,利用實施例具體地說明本發明,但本發明並不限定於此等實施例。
<實施例1> (波長轉換層) 於100重量份的作為橡膠系聚合物之聚異丁烯(PIB)中調配10重量份的作為黏著賦予劑之氫化萜烯酚(商品名:YS Polystar TH130、軟化點:130℃、羥值:60、YASUHARA化學(股)製)、3重量份的作為綠色波長轉換材料之由InP系核構成之粒徑10nm以下且發光中心波長530nm之量子點、0.3重量份的作為紅色波長轉換材料之由InP系核構成之粒徑20nm以下且發光中心波長630nm之量子點,以固形物成分成為18重量%之方式以甲苯溶劑進行調整,調製出具有波長轉換材料之黏著劑組成物(溶液)。   另一方面,作為阻隔薄膜使用在厚度100μm之PET薄膜(商品名:COSMOSHINE A4300、東洋紡(股)製)之單面經濺鍍處理AZO及SiO2 之薄膜。將上述獲得之黏著劑組成物以塗佈機塗佈於阻隔薄膜之濺鍍處理面,形成黏著劑塗佈層。接著,使塗佈層於120℃乾燥三分鐘,形成黏著劑層,製作黏著劑層厚度為50μm之黏著片。進而,於黏著片之黏著面以濺鍍處理面與黏著劑層相接之方式貼合與上述相同的阻隔薄膜,得到阻隔薄膜/波長轉換層/阻隔薄膜之片材。 (反射型偏光件) 將SHARP公司製40型TV(製品名:AQUOS、型號:LC40-Z5)分解,從背光構件取出反射型偏光件。將設置於該反射型偏光件兩面之擴散層去除,作為本實施例之反射型偏光件。 (偏光板之製作) 將以聚乙烯醇作為主成分之高分子薄膜[Kuraray製 商品名「9P75R(厚度:75μm、平均聚合度:2,400、皂化度99.9莫耳%)」]一面於水浴中浸漬一分鐘一面於搬送方向延伸至1.2倍後,於碘濃度0.3重量%之水溶液中浸漬一分鐘,藉此一面染色一面於搬送方向以完全未延伸之薄膜(原長)為基準延伸至3倍。接著,將該延伸薄膜一面浸漬於硼酸濃度4重量%、碘化鉀濃度5重量%之水溶液中,一面於搬送方向進一步延伸至原長基準計的6倍,於70℃乾燥二分鐘,藉此獲得偏光件。 另一方面,於三醋酸纖維素(TAC)薄膜(Konicaminolta公司製、製品名「KC4UW」、厚度:40μm)之單面塗佈含氧化鋁膠體之接著劑,將其利用捲對捲製程以兩者之搬送方向成為平行之方式積層於上述獲得之偏光件之單面。再者,含氧化鋁膠體之接著劑是相對於100重量份的具有乙醯乙醯基之聚乙烯醇系樹脂(平均聚合度1200、皂化度98.5莫耳%、乙醯乙醯化度5莫耳%),將50重量份的羥甲基三聚氰胺溶解於純水中,調製固形物成分濃度3.7重量%之水溶液,相對於100重量份該水溶液加入18重量份的以固形物成分濃度10重量%含有具有正電荷之氧化鋁膠體(平均粒徑15nm)的水溶液調製而成。接著,在偏光件之相反側之面亦同樣地利用捲對捲製程以其等搬送方向成為平行之方式積層上述塗佈有含氧化鋁膠體之接著劑之TAC薄膜,之後於55℃乾燥六分鐘。藉此,獲得具有TAC薄膜/偏光件/TAC薄膜之構造之偏光板。 (光學構件之製作) 將上述獲得之偏光板、反射型偏光件與上述片材(阻隔薄膜/波長轉換層/阻隔薄膜)經由丙烯酸系黏著劑貼合,獲得具有偏光板/黏著劑層/反射型偏光件/黏著劑層/阻隔薄膜/波長轉換層/阻隔薄膜之構造之光學構件。 (背光) 使用LED均勻發光面照明(Aitecsystem股份有限公司製、TMN-4系列)。 (液晶面板) 使用自SHARP公司製40型TV(製品名:AQUOS、型號:LC40-Z5)取出之液晶單元。
使用與上述獲得之光學構件同等特性,就使用上述背光及液晶面板時自光學構件提取之光之光譜進行模擬。更詳細而言,模擬使用就光源、波長轉換層、背光及液晶面板實際測得之特性,進而加入於590nm具有吸收極大波長之波長選擇吸收材料之特性,計算所輸出之各單色(RGB)之色度座標(x,y)。於色度座標之計算上使用等色函數。將結果顯示於圖8。
<實施例2> 除了於模擬中進而加入於480nm具有吸收極大波長之波長選擇吸收材料進行計算外,以與實施例1相同方式進行評價。將結果顯示於圖9。
<比較例1> 除了於模擬中以不含波長選擇吸收材料之狀態之形式進行計算外,以與實施例1相同方式進行評價。將結果分別作為實施例1及2之參考顯示於圖8及圖9。
<評價> 由圖8及圖9可明白,藉由組合使用量子點(波長轉換材料)與波長選擇吸收材料,自光學構件提取之光之光譜於580nm附近之波谷顯著變深。此表示紅色光與綠色光之混色得到抑制。進而,由圖9可明白,藉由進而加入於480nm具有吸收極大波長之波長選擇吸收材料,上述光譜之480nm附近之波谷變深,綠色光與藍色光之混色亦得到抑制。其結果,可知色域(與各單色(RGB)之色度座標連結所形成之三角形之面積相對應),相對於BT2020之面積,實施例1為67.71%、實施例2為68.18%、比較例1為62.98%,實施例之色域顯著獲得改善。如此,根據本發明之實施例,可實現高演色化或廣色域化。
產業上之可利用性 本發明之光學構件及使用該光學構件之背光單元適合使用於液晶顯示裝置。使用如此之光學構件及/或背光單元的液晶顯示裝置可用於行動資訊終端(PDA)、行動電話、手錶、數位相機、行動遊戲機等行動機器、電腦螢幕、筆記型電腦、影印機等OA機器、攝影機、液晶電視、微波爐等家庭用電器、倒車監視器、汽車導航系統用監視器、汽車音響等車載用機器、商業店舖用資訊用螢幕等展示機器、監視用螢幕等警備機器、看護用螢幕、醫療用螢幕等看護/醫療機器等各種用途。
10‧‧‧波長轉換層
20‧‧‧黏著劑層
31‧‧‧阻隔薄膜
32‧‧‧阻隔薄膜
40‧‧‧反射型偏光件
50‧‧‧低折射率層
60‧‧‧第1稜鏡片
61‧‧‧基材部
62‧‧‧稜鏡部
63‧‧‧單元稜鏡
70‧‧‧第2稜鏡片
71‧‧‧基材部
72‧‧‧稜鏡部
73‧‧‧單元稜鏡
80‧‧‧偏光板
81‧‧‧吸收型偏光件
82‧‧‧保護層
83‧‧‧保護層
100‧‧‧光學構件
101‧‧‧光學構件
102‧‧‧光學構件
103‧‧‧光學構件
104‧‧‧光學構件
105‧‧‧光學構件
圖1是說明本發明之一實施形態之光學構件之概略剖面圖。 圖2是說明本發明之另一實施形態之光學構件之概略剖面圖。 圖3是說明本發明之又一實施形態之光學構件之概略剖面圖。 圖4是說明本發明之又一實施形態之光學構件之概略剖面圖。 圖5是說明本發明之又一實施形態之光學構件之概略剖面圖。 圖6是說明本發明之又一實施形態之光學構件之概略剖面圖。 圖7是可用於本發明之光學構件之反射型偏光件之一例之概略立體圖。 圖8是顯示從實施例1及比較例1之光學構件提取之光之光譜的比較圖。 圖9是顯示從實施例2及比較例1之光學構件提取之光之光譜的比較圖。

Claims (18)

  1. 一種光學構件,具有波長轉換層及黏著劑層,該波長轉換層及/或該黏著劑層包含波長選擇吸收材料;該波長選擇吸收材料係選自於由蒽醌系、三苯基甲烷系、萘醌系、硫靛系、芘酮系、苝系、方酸(squarylium)系、青色素系、紫質系、吖卟啉系、酞青素系、亞酞青系、醌茜系、聚甲炔系、若丹明系、奧斯若(oxonol)系、苯酮系、偶氮系、咕噸系、甲亞胺系、喹吖啶酮系、二噁嗪系、吡咯並吡咯二酮系、蒽吡啶酮系、異吲哚啉酮系、陰丹酮系、靛系、硫靛系、喹啉黃系、喹啉系及三苯基甲烷系化合物以及該等化合物之組合所構成的群組。
  2. 如請求項1之光學構件,其中僅前述波長轉換層包含前述波長選擇吸收材料。
  3. 如請求項1之光學構件,其中僅前述黏著劑層包含前述波長選擇吸收材料。
  4. 如請求項1之光學構件,其中前述波長轉換層及前述黏著劑層皆包含前述波長選擇吸收材料。
  5. 如請求項1至4中任一項之光學構件,其於前述黏著劑層之與前述波長轉換層相反之側,進一步具有反射型偏光件。
  6. 如請求項1至4中任一項之光學構件,其中前述波長轉換層包含基質與分散於該基質中之量子點。
  7. 如請求項6之光學構件,其中前述量子點 包含第1量子點及第2量子點。
  8. 如請求項7之光學構件,其中前述第1量子點於515nm~550nm範圍之波長帶域中具有發光中心波長,前述第2量子點於605nm~650nm範圍之波長帶域中具有發光中心波長。
  9. 如請求項1至4中任一項之光學構件,其中前述波長選擇吸收材料包含第1波長選擇吸收材料及第2波長選擇吸收材料。
  10. 如請求項9之光學構件,其中前述第1波長選擇吸收材料於470nm~510nm範圍之波長帶域中具有吸收極大波長,前述第2波長選擇吸收材料於560nm~610nm範圍之波長帶域中具有吸收極大波長。
  11. 如請求項1至4中任一項之光學構件,其於前述波長轉換層之至少一側設置有阻隔薄膜。
  12. 如請求項5之光學構件,其於前述反射型偏光件與前述黏著劑層之間進一步具有折射率為1.30以下之低折射率層。
  13. 如請求項5之光學構件,其於前述反射型偏光件與前述黏著劑層之間進一步具有至少一個稜鏡片。
  14. 如請求項5之光學構件,其於前述反射型偏光件之與前述黏著劑層相反之側,進一步具有包含吸收型偏光件之偏光板。
  15. 一種背光單元,具有:光源;及 如請求項1至14中任一項之光學構件,其配置於該光源之視辨側。
  16. 如請求項15之背光單元,其中前述光源發出藍色至紫外區域之光。
  17. 一種液晶顯示裝置,具有:液晶單元;視辨側偏光板,其配置於該液晶單元之視辨側;背面側偏光板,其配置於該液晶單元之與視辨側相反之側;及如請求項1至13中任一項之光學構件,其配置於該背面側偏光板外側。
  18. 一種液晶顯示裝置,具有:液晶單元;視辨側偏光板,其配置於該液晶單元之視辨側;及如請求項14之光學構件,其配置於該液晶單元之與視辨側相反之側。
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