TWI643702B - 化學機械拋光設備 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種化學機械拋光設備，包括：一拋光機平台、一電極薄膜、一研磨墊以及一晶圓載具。電極薄膜具有一第一單一電極結構，且電極薄膜設置於拋光機平台上。研磨墊設置於電極薄膜上。晶圓載具設置於拋光機平台的上方。第一單一電極結構形成一具有第一相同極性的電場至所述研磨墊。

Description

化學機械拋光設備

本發明涉及一種化學機械拋光設備，特別是涉及一種使用電極薄膜以形成一電場的化學機械拋光設備。

化學機械拋光設備被廣泛應用於半導體晶圓表面平坦化之中，化學機械拋光設備主要是通過將晶片放置於研磨墊上以施加一外力，且配合研磨液以輔助晶圓的研磨，藉此以達到平坦化晶圓表面效果。

習知的研磨液中包含有研磨粉體、PH緩衝劑、氧化劑、抑制劑以及界面活性劑等多種化學藥劑，並且通過這些化學藥劑可以與晶圓的表面反應生成易移除的氧化層或鈍化層。

然而，研磨液中的PH緩衝劑通常能夠藉由改變酸、鹼性(即，改變研磨液中的帶電性)，使得研磨粉體粒子間的電性排斥力下降，以維持粉體粒子的懸浮穩定度，但是其提升效果仍然有限，導致半導體晶圓表面的刮傷程度或機械應力的殘留，進而降低研磨效率。

故，如何通過結構設計的改良，來提升化學機械拋光設備的研磨效率，來克服上述的缺失，已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種化學機械拋光設備，以提升整體研磨效率。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種化學機械拋光設備，其包括：一拋光機平台、一電極薄膜、一研磨墊以及一晶圓載具。所述電極薄膜具有一第一單一電極結構，且所述電極薄膜設置於所述拋光機平台上。所述研磨墊設置於所述電極薄膜上。所述晶圓載具設置於所述拋光機平台的上方。所述第一單一電極結構形成一第一相同極性電場至所述研磨墊。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種化學機械拋光設備，其包括：一拋光機平台、一研磨墊、一晶圓載具以及一電極薄膜。所研磨墊設置於所述拋光機平台上。所述晶圓載具設置於所述研磨墊上，且所述晶圓載具有一用於吸附一晶圓的吸附面。所述電極薄膜具有一第一單一電極結構，且所述電極薄膜設置於所述晶圓載具的所述吸附面。所述第一單一電極結構形成一第一相同極性電場至所述研磨墊。

綜上所述，本發明的有益效果在於，本發明實施例所提供的一種化學機械拋光設備，其可通過“第一單一電極結構形成一第一相同極性電場至所述研磨墊”的設計，以提供一單一電場至晶圓以及研磨墊之間，藉此延長研磨液(包含研磨顆粒)存留於研磨墊的時間，或增加研磨顆粒與晶圓接觸的機率，以提升整體研磨效率。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制。

Z、Z’、Z”‧‧‧化學機械拋光設備

1、1’、1”‧‧‧拋光機平台

11、11”‧‧‧上表面

2‧‧‧電極薄膜

21、21a、21b、21c、21d‧‧‧第一單一電極結構

211b‧‧‧平坦部

212b‧‧‧彎折部

211d‧‧‧第一電極導線部

212d‧‧‧第二電極導線部

22‧‧‧基底層

23‧‧‧保護層

2’、2”‧‧‧第一電極薄膜

21’、21”‧‧‧第一單一電極結構

3、3’、3”‧‧‧研磨墊

31、31”‧‧‧下表面

4、4’、4”‧‧‧晶圓載具

41’‧‧‧吸附面

5、5’、5”‧‧‧噴頭

6、6’、6”‧‧‧晶圓

7’‧‧‧第二電極薄膜

71’‧‧‧第二電極結構

8”‧‧‧電場增強結構

81”‧‧‧導電體

81”a、81”b‧‧‧端部

L、L’‧‧‧研磨液

圖1為本發明的化學機械拋光設備的第一實施例的立體分解圖。

圖2為本發明的化學機械拋光設備的第一實施例的使用狀態示意圖。

圖3為圖2的Ⅲ-Ⅲ割面線的其中一剖面示意圖。

圖4為圖2的Ⅲ-Ⅲ割面線的另外一剖面示意圖。

圖5為本發明的化學機械拋光設備的第二實施例的立體分解圖。

圖6為本發明的化學機械拋光設備的第二實施例的使用狀態示意圖。

圖7為圖6的第一單一電極結構形成一正電場且第二電極結構形成一負電場至研磨墊及晶圓之間時，以圖6的Ⅶ-Ⅶ割面線所顯示的剖面示意圖。

圖8為圖6的第一單一電極結構形成一負電場且第二電極結構形成一正電場至研磨墊及晶圓之間時，以圖6的Ⅶ-Ⅶ割面線所顯示的剖面示意圖。

圖9為本發明的電極薄膜中的第一單一電極結構的第一實施例示意圖。

圖10為本發明的電極薄膜中的第一單一電極結構的第二實施例示意圖。

圖11為本發明的電極薄膜中的第一單一電極結構的第三實施例示意圖。

圖12為圖9的XII-XII面線的剖面示意圖。

圖13為本發明的電極薄膜中的第一單一電極結構的第四實施例示意圖。

圖14為本發明的第一單一電極結構的第四實施例的側視圖。

圖15為本發明的化學機械拋光設備的第三實施例的立體分解 圖。

圖16為本發明的電場增強結構的第一實施例的示意圖。

圖17A至圖17G為本發明的電場增強結構的導電體的實施例示意圖。

以下是通過特定的具體實例來說明本發明所公開有關“化學機械拋光設備”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，予以聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的技術範圍。

應理解，雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件或信號等，但此等元件或信號不應受此等術語限制。此等術語乃用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，如本文中所使用，術語「或」視實際情況可能包括相關聯之列出項目中之任一者或者多者之所有組合。

〔第一實施例〕

首先，請參考圖1，圖1為本發明的化學機械拋光設備的第一實施例的立體分解圖。本發明實施例提供一種化學機械拋光設備Z，其包括：一拋光機平台1、一電極薄膜2、一研磨墊3以及一晶圓載具4。其中，電極薄膜2具有一第一單一電極結構21，且電極薄膜2設置於拋光機平台1上。研磨墊3設置於電極薄膜2上。晶圓載具4設置於拋光機平台1的上方。第一單一電極結構21接收一工作電壓後會使得研磨墊3的上方形成一電場。

接續上述，化學機械拋光設備Z於實際操作時，噴頭5會持 續提供研磨液至研磨墊3上。更進一步來說，研磨液會作用於研磨墊3與晶圓6之間。因此，電極薄膜2的第一單一電極結構21與第一單一電極導線(正電極導線或負電極導線)電性連接時，會形成一第一相同極性電場(正電場或負電場)至晶圓6與研磨墊3之間。藉此，第一相同極性電場與研磨液中的粉體粒子相互作用，改變粉體粒子的電荷分布情況，提升整體研磨的均勻度。

值得一提的是，第一實施例中的電極薄膜2可以設置於研磨墊3的下表面31。或者，電極薄膜2可以設置於拋光機平台1的上表面11。抑或是，電極薄膜2可以設置於拋光機平台1內。然而，本發明並不對此作限制。所屬技術領域具有通常知識者可依實際情況與需求自行改變電極薄膜2所設置的位置，以完成本發明。附帶一提，電極薄膜2可以通過完全貼附、部分貼附或放置於其所設置的表面上。

附帶一提，電極薄膜也可以設置於晶圓載具的吸附面，並且電極薄膜中的第一單一電極結構可以形成第一相同極性電場至所述研磨墊。詳言之，電極薄膜還可以設置於晶圓載具與晶圓之間。

詳細來說，請參考圖2，圖2為本發明的化學機械拋光設備的第一實施例的使用狀態示意圖。化學機械拋光設備Z於實際使用操作中，噴頭5會持續提供研磨液至研磨墊3上且晶圓6與研磨墊3直接接觸。此時，第一單一電極結構接收一工作電壓，形成單一電場作用於研磨液中的粉體粒子。藉此，通過晶圓載具4持續地轉動，使得晶圓6與研磨墊3可以均勻地進行研磨。

請參考圖3及圖4，圖3為圖2的Ⅲ-Ⅲ割面線的其中一剖面示意圖。圖4為圖2的Ⅲ-Ⅲ割面線的另外一剖面示意圖。舉例來說，當研磨液L帶正電時。如圖3所示，第一單一電極結構21可以與正電極導線電性連接以形成一正電場，此時研磨液L中的粉體粒子會與正電場相斥而朝向晶圓方向推擠，而增加材料移除率 (MRR，material remote rate)。反之，如圖4所示，第一單一電極結構21可以與負電極導線電性連接以形成一負電場，此時研磨液L粉體粒子會與負電場相吸而朝向拋光墊3方向吸附，進而讓晶圓更平坦。

另外，於其他實施例中，當研磨液帶負電時。第一單一電極結構可以與正電極導線電性連接以形成一正電場，此時研磨液中的粉體粒子會與正電場相吸而朝向拋光墊方向吸附，而讓晶圓更平坦。反之，第一單一電極結構可以與負電極導線電性連接以形成一負電場，此時研磨液粉體粒子會與負電場相斥而而朝向晶圓方向推擠，而增加材料移除率。

於本實施例中，當第一單一電極結構與其中一電極導線連接(正電極導線或負電極導線)時，另一電極導線可以連接於電源供應器或研磨機台上(圖未示)的任何位置。本發明並未針對此作任何限制。舉例來說，另外一電極導線可以設置於化學機械拋光設備的晶圓載具，以下將通過第二實施例作進一步說明。

〔第二實施例〕

請參考圖5，圖5為本發明的化學機械拋光設備的第二實施例的立體分解圖。本發明實施例同樣提供一種化學機械拋光設備Z’，其包括：一拋光機平台1’、一第一電極薄膜2’、一研磨墊3’以及一晶圓載具4’。本實施例所述的化學機械拋光設備Z’的具體結構與前述實施例的化學機械拋光設備Z有相同的結構，且本實施例中的第一電極薄膜2’與前述實施例中的電極薄膜2具有相同的結構以及設置位置，於此不再多加贅述。因此，以下僅針對不同之處進行說明。

復請參考圖5，與圖1之化學機械拋光設備Z不同的是，本實施例另外設置一第二電極薄膜7’於晶圓載具4’以及晶圓6’之間。詳言之，第二電極薄膜7’設置於晶圓載具4’用以吸附一晶圓6’的吸附面41’上。更詳細來說，第二電極薄膜7’具有一第二電極 結構71’以設置於晶圓載具4’的吸附面41’上。附帶一提，第一電極薄膜2’與第二電極薄膜7’可以具有相同或不同的結構變化，下方將會針對薄膜的結構及其相關變化具有詳細的說明。

接續上述，第一單一電極結構21’可以與第一單一電極導線(正電極導線或負電極導線)電性連接，以形成一第一相同極性電場(正電場或負電場)至研磨墊3’上，且第二電極結構71’可以與一第二單一電極導線(負電極導線或正電極導線)電性連接形成一第二相同極性電場(負電場或正電場)至研磨墊3’上。值得一提的是，第一相同極性電場與第二相同極性電場的極性相異。

舉例來說，第一電極薄膜2’的第一單一電極結構21’可以與正電極導線以形成一正電場，或與負電極導線電性連接以形成一負電場。同樣地，第二電極薄膜7’上的第二電極結構71’可以與正電極導線以形成一正電場，或與負電極導線電性連接以形成一負電場。又或者，第一單一電極結構21’或第二電極結構71’中的其中一者單獨形成單一電場，而另外一者不形成任何電場。所屬技術領域具有通常知識者可依實際情況與需求自行調整變化第一單一電極結構21’與第二電極結構71’所需要形成的單一電場，以完成本發明即可。

詳細來說，請參考圖6，圖6為本發明的化學機械拋光設備的第二實施例的使用狀態示意圖。化學機械拋光設備Z’於實際使用操作中，噴頭5’會持續提供研磨液至研磨墊3’上且晶圓6’與研磨墊3’直接接觸。此時，第一單一電極結構、第二電極結構分別接收一工作電壓，以分別形成相異極性的單一電場作用於研磨液中的粉體粒子。藉此，通過晶圓載具4’持續地轉動，可以使得晶圓6’與研磨墊3’均勻地進行研磨。

請參考圖7及圖8，圖7為圖6的第一單一電極結構形成一正電場且第二電極結構形成一負電場至研磨墊及晶圓之間時，以圖6的Ⅶ-Ⅶ割面線所顯示的剖面示意圖。圖8為圖6的第一單一電極 結構形成一負電場且第二電極結構形成一正電場至研磨墊及晶圓之間時，以圖6的Ⅶ-Ⅶ割面線所顯示的剖面示意圖。如圖7所示，當第一單一電極結構21’與正電極導線電性連接，且第二電極結構71’與負電極導線電性連接時，第一單一電極結構21’形成一正電場且第二電極結構71’形成一負電場至研磨墊3’及晶圓6’之間。如圖8所示，當第一單一電極結構21’與負電極導線電性連接，且第二電極結構71’與正電極導線電性連接時，第一單一電極結構21’形成一負電場且第二電極結構71’形成一正電場至研磨墊3’及晶圓6’之間。

詳言之，第一單一電極結構21’以及第二電極結構71’所分別形成的正、負電場會影響研磨液中粉體粒子的電荷分布，進而影響研磨的效率。舉例來說，當研磨液L’帶正電時。復請參考圖7，當第一單一電極結構21’形成一正電場且第二電極結構71’形成一負電場時，研磨液L’中粉體粒子會與第二電極結構71’的負電場相吸，且研磨液L’中粉體粒子會與第一單一電極結構21’的正電場相斥。復請參考圖8，當第一單一電極結構21’形成一負電場且第二電極結構71’形成一正電場時，研磨液L’中粉體粒子會與第一單一電極結構21’的負電場相吸，且研磨液L’中粉體粒子會與第二電極結構21’的正電場相斥。

附帶一提，於本實施例中，第一單一電極結構21’與第二電極結構71’分別提供兩個單一電場，且同時作用於研磨液體的粉體粒子。於其他實施例中，可以依照研磨液中粉體粒子的極性分布以提供單一電場。舉例來說，第一單一電極結構21’只形成一正電場或負電場而第二電極結構71’不提供任何電場。或者，第二電極結構71’只形成一正電場或負電場而第一單一電極結構21’不提供任何電場。所屬技術領域具有通常知識者可依實際情況與需求自行設計第一電極薄膜2’與第二電極薄膜7’的所需要形成的電場，以完成本發明即可。

接著，請參考圖9以及圖10，以下將針對本發明第一實施例中電極薄膜2的第一單一電極結構進行具體說明。圖9為本發明的電極薄膜中的第一單一電極結構的第一實施例示意圖。圖10為本發明的電極薄膜中的第一單一電極結構的第二實施例示意圖。另外，電極薄膜可以為圓形，且平整貼附並完全覆蓋於拋光機平台之上，而電極薄膜中的第一單一電極結構由共平面之金屬導體所形成。第一單一電極結構可以包括多個金屬導線所構成，且多個金屬導線相互共平面設置且彼此分離。

舉例來說，復請參考圖9。第一單一電極結構21a可以由一平面渦漩狀的金屬導線所構成，且金屬導線以等距離寬度朝向圓心方向呈渦漩狀設置，藉以提供一穩定的電場。復請參考圖10，第一單一電極結構21b可以由一平面迷宮狀的金屬導線所構成，且第一單一電極結構21b包含多個平坦部211b以及多個彎折部212b。每一個平坦部211b之間具有固定的間距，以提供一穩定的電場。附帶一提，第一單一電極結構21b的多個彎折部212b可以呈現ㄈ字形、半圓形、弧形等多種不同的形狀態樣。

再者，請參考圖11，圖11為本發明的電極薄膜中的第一單一電極結構的第三實施例示意圖。第一單一電極結構21c可以通過CVD、PVD、塗佈、印刷等製程方法以提供一平面金屬層。並且，平面金屬層可以是由單一金屬材料或不同金屬材料所構成，例如可以選用為銅、銀、鎳、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鋁、鎢、氮化鎢、氮化矽鎢、氮化矽鈦、或氮化矽鉭等。而且，平面金屬層可以為單層金屬層或多層金屬層。然而，本發明並不以上述的金屬材料為限。

附帶一提，復請參閱圖5，本發明第二實施例中的第一電極薄膜2’及第二電極薄膜7’可以具有相同、部分相同或完全不同的電極結構。舉例來說，第一單一電極結構21’以及第二單一電極結構71’都設計為由不同的多個金屬導線所構成的電極結構。或者，第 一單一電極結構21’可以設計為包括多個金屬導線的電極結構，而第二單一電極結構71’則設計為一平面金屬層。所屬技術領域具有通常知識者可依實際情況與需求自行設計第一電極薄膜2’與第二電極薄膜7’的電極結構，只要第一電極薄膜2’與第二電極薄膜7’相互配合以形成一電場，以完成本發明即可。

另外，請參考圖12，圖12為圖9的XII-XII面線的剖面示意圖。電極薄膜2不僅具有第一單一電極結構21，還進一步包括一基底層22以及一保護層23。詳言之，第一單一電極結構21設置於基底層22上且被保護層23所覆蓋。藉由保護層23覆蓋第一單一電極結構21，可以保護第一單一電極結構21不會因為貼附時而受到損傷。再者，保護層23可以為一貼附於研磨墊的下表面上的絕緣膠層。於此，電極薄膜2不需要額外塗佈任何膠體，就能夠直接貼附於研磨墊3，藉此可以增加電極薄膜2的在使用上的便利性。值得一提的是，保護層23可選用有基材或無基材的單面膠、有基材或無基材的雙面膠、光固化膠、熱固化膠或光-熱固化膠，光固化膠可使用紫外光固化膠(Ultraviolet glue)的壓克力係膠體，熱固化膠可為環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽樹脂等。然而，本發明中的保護層23並不以上述材料為限。

本領域技術人員應理解，以上所述只是化學拋光設備一典型實施態樣而已，本發明的後續應用可以在不同的實施態樣上具有各種的變化。

舉例來說，請參考圖13，圖13為本發明的電極薄膜中的第一單一電極結構的第四實施例示意圖。第一單一電極結構21d中具有第一單一電極導線(正電極導線或負電極導線)，且第一單一電極導線包括一第一電極導線部211d以及一與第一電極導線部211d相互交錯設置的第二電極導線部212d。更進一步請參考圖14，圖14為本發明的第一單一電極結構的第四實施例的側視圖。第一電極導線部211d與第二電極導線部212d相對於基底層22具有不同 的高度。換言之，第一電極導線部211d可以完全高於第二電極導線部212d。或者，第一電極導線部211d只有部分高於第二電極導線部212d。所屬技術領域具有通常知識者可依實際情況與需求自行設計第一電極導線部211d與第二電極導線部212d之間的高度變換，只要第一電極導線部211d與第二電極導線部212d交錯設置，以完成本發明即可。

另外，於其他實施例的應用上，還可以提供一電場增強結構。並且，通過電場增強結構可以使得電極薄膜上所形成的電場被增強，藉以提升電場作用於研磨墊上的效果。詳細來說，電場增強單元可以設置於電極薄膜上，以下將通過第三實施例作進一步說明。附帶一提的是，當電極薄膜設置於晶圓載具與晶圓之間時，電場增強結構可以設置於電極薄膜與晶圓之間。換言之，電場增強結構只要能夠與輔助電極薄膜以加強電場作用力即可。

〔第三實施例〕

請參考圖15，圖15為本發明的化學機械拋光設備的第三實施例的立體分解圖。本發明實施例同樣提供一種化學機械拋光設備Z”，其包括：一拋光機平台1”、一第一電極薄膜2”、一研磨墊3”以及一晶圓載具4”。本實施例所述的化學機械拋光設備Z”的具體結構與前述實施例的化學機械拋光設備Z有相同的結構，且本實施例中的第一電極薄膜2”與前述實施例中的電極薄膜2具有相同的結構以及設置位置，於此不再多加贅述。因此，以下僅針對不同之處進行說明。

復請參考圖15，與圖1之化學機械拋光設備Z不同的是，本實施例另外設置一電場增強結構8”設置於第一電極薄膜2”(如申請專利範圍所述之電極薄膜)上。詳言之，電場增強結構8”設置於第一電極薄膜2”以及研磨墊3”之間，且電場增強結構8”具有多個彼此相鄰設置的導電體81”。導電體81”可以為浮接的(floating)的導電電線結構。附帶一提，每一個導電體81”可以具有 完全相同、部分相同或完全不同的結構。

舉例來說，請參考圖17A至17G，圖17A至圖17G為本發明的電場增強結構的導電體的實施例示意圖。導電體81”可以設計為不同的結構，例如：每一個導電體81”具有彼此分離的兩相反末端部(81”a、81”b)。詳細來說，每一個導電體81”具有彼此分離的兩相反末端並且定義出一開口。如圖17A所示，導電體為馬蹄形狀。如圖17B所示，導電體為凹字形狀。如圖17C所示，導電體設計為一口字形狀，且在其中一側具有一開口。如圖17D所示，導電體設計為具有四個L狀的結構，且每一L狀結構交錯設置以形成一具有四邊開口的回字形狀。或者如圖17E至圖17F，每一個導電體81具有彼此分離的兩相反末端部(81”a、81”b)複數個為一組設置。如圖17E所示，導電體設計為由多個圓點狀所組成。如圖17F所示，導電體由多個柱狀組合成一川字形狀。如圖17G所示，導電體設計為由多個立體的錐狀結構所組成。

〔實施例的有益效果〕

綜上所述，本發明的有益效果在於，本發明實施例所提供的一種化學機械拋光設備，其可通過“第一單一電極結構形成一第一相同極性電場至所述研磨墊”的設計，以提供一單一電場至晶圓以及研磨墊之間，藉此延長研磨液存留於研磨墊的時間，以提升整體研磨效率。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，故凡運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (17)

1. 一種化學機械拋光設備，其包括：一拋光機平台；一電極薄膜，所述電極薄膜具有一第一單一電極結構，且所述電極薄膜設置於所述拋光機平台上；一研磨墊，所述研磨墊設置於所述電極薄膜上；以及一晶圓載具，所述晶圓載具設置於所述拋光機平台的上方；其中，所述第一單一電極結構形成一第一相同極性電場至所述研磨墊。
2. 一種化學機械拋光設備，其包括：一拋光機平台；一電極薄膜，所述電極薄膜具有一第一單一電極結構，且所述電極薄膜設置於所述拋光機平台上；一研磨墊，所述研磨墊設置於所述電極薄膜上；一第二電極結構，所述第二電極結構位於所述研磨墊的上方，且所述第二電極結構的位置與所述電極薄膜的位置相互對應；以及一晶圓載具，所述晶圓載具設置於所述拋光機平台的上方；其中，所述第一單一電極結構形成一第一相同極性電場至所述研磨墊。
3. 如請求項2的化學機械拋光設備，其中，所述第二電極結構設置於所述晶圓載具上，所述晶圓載具包含一用於吸附一晶圓的吸附面，並且所述第二電極結構設置於所述晶圓載具的所述吸附面上。
4. 如請求項2的化學機械拋光設備，其中，所述第二電極結構形成一第二相同極性電場至所述研磨墊；其中，所述第一相同極性電場與所述第二相同極性電場的極性相異。
5. 如請求項1的化學機械拋光設備，其中，所述電極薄膜設置於所述研磨墊的下表面。
6. 如請求項1的化學機械拋光設備，其中，所述電極薄膜設置於所述拋光機平台的上表面。
7. 如請求項1的化學機械拋光設備，其中，所述電極薄膜設置於所述拋光機平台內。
8. 如請求項1的化學機械拋光設備，其中，所述電極薄膜還進一步包括一基底層以及一保護層，所述第一單一電極結構設置於所述基底層上且被所述保護層所覆蓋。
9. 如請求項8的化學機械拋光設備，其中，所述保護層為一貼附於所述研磨墊的下表面上的絕緣膠層。
10. 如請求項8的化學機械拋光設備，其中，所述第一單一電極結構包括一第一電極導線部以及一與所述第一電極導線部相互交錯設置的第二電極導線部，且所述第一電極導線部與所述第二電極導線部相對於所述基底層具有不同的高度。
11. 如請求項1的化學機械拋光設備，其中，所述第一單一電極結構為一平面金屬層。
12. 如請求項1的化學機械拋光設備，其中，所述第一單一電極結構包括多個金屬導線，所述多個金屬導線共平面設置且彼此分離。
13. 如請求項1的化學機械拋光設備，其中，所述電極薄膜為圓形，所述電極薄膜平整貼附且完全覆蓋於所述拋光機平台之上，且所述第一單一電極結構由共平面之金屬導體所形成。
14. 如請求項1的化學機械拋光設備，其中，所述化學機械拋光設備還包括一電場增強結構，所述電場增強結構設置於所述電極薄膜上，其中所述電場增強結構具有多個彼此相鄰設置的導電體。
15. 如請求項14的化學機械拋光設備，其中，每一個所述導電體 具有彼此分離的兩相反末端。
16. 一種化學機械拋光設備，其包括：一拋光機平台：一研磨墊，所述研磨墊設置於所述拋光機平台上；一晶圓載具，所述晶圓載具設置於所述研磨墊上，且所述晶圓載具有一用於吸附一晶圓的吸附面；以及一電極薄膜，所述電極薄膜具有一第一單一電極結構，且所述電極薄膜設置於所述晶圓載具的所述吸附面；其中，所述第一單一電極結構形成一第一相同極性電場至所述研磨墊。
17. 如請求項16的化學機械拋光設備，其中，所述化學機械拋光設備還包括一電場增強結構，所述電場增強結構設置於所述電極薄膜下方，其中所述電場增強結構具有多個彼此相鄰設置的導電體。