TWI642516B

TWI642516B - 研磨墊以及研磨方法

Info

Publication number: TWI642516B
Application number: TW106134064A
Authority: TW
Inventors: 王裕標
Original assignee: 智勝科技股份有限公司
Priority date: 2017-10-02
Filing date: 2017-10-02
Publication date: 2018-12-01
Also published as: US20230064962A1; TW201914749A; CN109590897B; US11524389B2; US20190099860A1; US11872671B2; CN109590897A

Abstract

一種研磨墊，適用於研磨物件且包括研磨層以及至少一溝槽。研磨層具有中央區域以及圍繞中央區域的周邊區域。至少一溝槽配置在研磨層中，其中至少一溝槽各具有皆位於周邊區域的兩端點，其中兩端點包括一開放式端點及一封閉式端點。

Description

研磨墊以及研磨方法

本發明是有關於一種研磨墊以及研磨方法，且特別是有關於一種在研磨製程期間可使研磨液滯留時間增長或使研磨所產生的副產物有效排除的研磨墊以及使用所述研磨墊的研磨方法。

在產業的元件製造過程中，研磨製程常被使用來平坦化物件表面的一種技術。藉由提供研磨液於研磨墊上，及壓置物件於研磨墊上並進行相對運動，以進行研磨製程。在研磨的過程，滯留在研磨墊上的研磨液可協助移除物件表面的材料，以達到平坦化的效果。此外，在研磨過程可能產生副產物，例如是研磨所產生的殘屑（debris）或是研磨液與物件表面反應而得的生成物。

對於產業的應用中，有些研磨製程的需求為可使研磨液保持滯留的研磨墊，另外有些研磨製程的需求為可使研磨所產生的副產物有效排除的研磨墊。因此，仍有需求提供不同的研磨墊為產業所選擇，以因應不同研磨製程的需求。

有鑑於此，本發明提供一種研磨墊及研磨方法，使得在研磨製程期間，可使研磨液保持滯留或使研磨所產生的副產物有效排除。

本發明的研磨墊適用於研磨物件且包括研磨層以及至少一溝槽。研磨層具有中央區域以及圍繞中央區域的周邊區域。至少一溝槽配置在研磨層中，其中至少一溝槽各具有兩端點，兩端點皆位於周邊區域，其中兩端點包括開放式端點及封閉式端點。

本發明的研磨墊適用於研磨物件且包括研磨層、至少一溝槽及虛擬延伸直線。研磨層具有中央區域以及圍繞中央區域的周邊區域。至少一溝槽配置在研磨層中，其中至少一溝槽各具有兩端點，兩端點皆位於周邊區域。虛擬延伸直線通過研磨墊之中心且與至少一溝槽之切線方向垂直，其中至少一溝槽非對稱於虛擬延伸直線。

本發明的研磨方法包括以下步驟。提供研磨墊，其中研磨墊如上所述的研磨墊。對物件施加壓力以壓置於研磨墊上。對物件及研磨墊提供相對運動以進行研磨程序。

基於上述，本發明的研磨墊透過所包括的至少一溝槽各具有皆位於周邊區域中的兩個端點，其中兩個端點包括開放式端點及封閉式端點，使得當使用研磨墊對物件進行研磨程序時，可使研磨液保持滯留或使研磨所產生的副產物有效排除，以因應產業不同研磨製程的需求所選擇。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施方式，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是依照本發明的一實施方式的研磨墊的上視示意圖。圖2是圖1中的區域K的立體示意圖。

請同時參照圖1及圖2，研磨墊100包括研磨層102以及至少一個溝槽104配置於研磨層102中，所述至少一個溝槽104例如具有複數個溝槽104（如圖1所示）配置於研磨層102的研磨面PS。另外，研磨墊100具有旋轉軸心C。當使用研磨墊100對物件進行研磨程序時，研磨墊100固定於研磨設備的承載台（未繪示）上，研磨墊100受承載台帶動而沿著旋轉軸心C以旋轉方向R轉動，亦即研磨墊100會以逆時針方向轉動。旋轉軸心C例如是位於研磨墊100的中心，以圖1所示之研磨墊100為圓形為例，旋轉軸心C則例如是位於研磨墊100的圓心。

研磨層102具有中央區域A以及周邊區域B，其中周邊區域B圍繞中央區域A。在一實施方式中，當使用研磨墊100對物件進行研磨程序時，物件在研磨層102上的研磨軌跡位於中央區域A。另外，溝槽104各具有皆位於周邊區域B的兩個端點104a、104b，且溝槽104延伸通過中央區域A。也就是說，在本實施方式中，每一溝槽104會自周邊區域B延伸至中央區域A並在通過中央區域A後再延伸至周邊區域B。換句話說，溝槽104延伸通過物件的研磨軌跡，因此可使容納於溝槽104的研磨液與被研磨的物件充分接觸。此外，在物件研磨完成後，研磨墊100可避免物件移開失敗（de-chuck fail）的問題。周邊區域B的寬度（即半徑方向距離邊緣E的寬度）例如是介於5 mm至80 mm之間，但不以此限定本發明。

另外，研磨層102具有研磨面PS以及與研磨面PS連接的側表面SS。當使用研磨墊100對物件進行研磨程序時，物件會與研磨層102的研磨面PS接觸。也就是說，物件會與研磨層102之位在中央區域A內的研磨面PS接觸。在本實施方式中，研磨層102例如是由聚合物基材所構成，其中聚合物基材可以是聚酯（polyester）、聚醚（polyether）、聚氨酯（polyurethane）、聚碳酸酯（polycarbonate）、聚丙烯酸酯（polyacrylate）、聚丁二烯（polybutadiene）、或其餘經由合適之熱固性樹脂（thermosetting resin）或熱塑性樹脂（thermoplastic resin）所合成之聚合物基材，但本發明並不限於此。

如圖1及圖2所示，溝槽104所具有皆位於周邊區域B的兩個端點104a、104b，其中端點104a為開放式端點，端點104b為封閉式端點。開放式端點104a與研磨層102的側表面SS連接而不具任何端面，封閉式端點104b不與研磨層102的側表面SS連接而具有一個端面X。也就是說，開放式端點104a位於研磨層102的邊緣E，而封閉式端點104b位於研磨層102的內部且與邊緣E之間具有一間距，此間距例如是介於1 mm至70 mm之間，但不以此限定本發明。此外，在圖2所示的實施方式中，封閉式端點104b的端面X為一垂直面，端面X垂直於研磨面PS並轉折連接於溝槽104的底面，但不以此限定本發明。在另外的實施方式中，封閉式端點104b的端面X也可以為一傾斜面並轉折連接於溝槽104的底面，或者封閉式端點104b的端面X也可以為一傾斜面且該傾斜面與溝槽104的底面不具有轉折。也就是說，溝槽104的深度往封閉式端點104b方向逐漸變淺而封閉於與邊緣E之間具有一間距處。

如前文所述，在本實施方式中，研磨墊100的旋轉方向R是以逆時針方向為例，因此對應於研磨墊100之相對運動方向，開放式端點104a為前端點，而封閉式端點104b為後端點。具體而言，對於位於旋轉軸心C右側的溝槽104而言，開放式端點104a（即前端點）位於旋轉軸心C的右上方，而封閉式端點104b（即後端點）位於旋轉軸心C的右下方。對於位於旋轉軸心C左側的溝槽104而言，開放式端點104a（即前端點）位於旋轉軸心C的左下方，而封閉式端點104b（即後端點）位於旋轉軸心C的左上方。具有類似溝槽分布之傳統研磨墊的溝槽兩端點皆為開放式端點，受到慣性力（inertial force）驅動下，研磨液容易自後端點流出傳統研磨墊。相對來說，在本實施方式中，對應於研磨墊100之相對運動方向，由於溝槽104的後端點為封閉式端點104b，可阻擋研磨液自後端點流出研磨墊100。如此一來，相較於傳統研磨墊，本發明的研磨墊100可使研磨液保持滯留，因此對於有些實際的研磨製程而言，本發明的研磨墊100可以得到較高的研磨率進而提升生產效率，或是可以減少研磨液的使用量進而節省成本。

如圖2所示，在本實施方式中，溝槽104具有傾斜深度，其中溝槽104的深度自封閉式端點104b至開放式端點104a逐漸變深。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，溝槽104也可以是不具傾斜深度而具有相同一致的深度。特別值得說明的是，在本實施方式中，溝槽104深度的傾斜度可視研磨墊100旋轉速率做選擇。在一般的研磨製程中，在研磨步驟期間研磨墊100的旋轉速率通常較快，因此產生較大的慣性力，研磨液自前端點往後端點流動的驅動力較大，而減少研磨液自開放的前端點流出，可維持使研磨液保持滯留在研磨墊100上的特性。而在研磨步驟之後的清洗步驟期間，例如以水清洗研磨墊100表面，研磨墊100的旋轉速率較慢（或是停止旋轉），因此所產生慣性力也較小（或是不具慣性力），此時相較於溝槽具有相同一致的深度的情況，具有傾斜深度的溝槽104可提高清洗的效率，藉以減少清洗的水使用量。因此，在本實施方式中，研磨墊100除了可以維持使研磨液保持滯留的特性，還可以提高清洗的效率。

此外，如圖1所示，研磨墊100包括虛擬延伸直線V，虛擬延伸直線V通過研磨墊100之中心且與溝槽104之切線方向垂直，而溝槽104非對稱於虛擬延伸直線V。在此實施方式中，由於溝槽104為直線，而溝槽104之切線方向即為溝槽104本身之方向（即縱向），因此虛擬延伸直線V的延伸方向為橫向通過研磨墊100之直徑方向。具體而言，溝槽104位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為非對稱，也就是溝槽104位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為彼此非鏡像，這是因為溝槽104的一端點為開放式端點104a而另一端點為封閉式端點104b。此外，如圖1及圖2所示，溝槽104可選擇位於虛擬延伸直線V兩側部分的深度為非對稱，也就是溝槽104可選擇位於虛擬延伸直線V兩側部分的深度為彼此非鏡像，這是因為溝槽104的深度自封閉式端點104b至開放式端點104a逐漸變深。

在圖1的實施方式中，雖然溝槽104為直線狀溝槽，但本發明並不以此為限。在其他實施方式中，溝槽104也可以是弧線狀溝槽。另外，在圖1的實施方式中，雖然溝槽104的分布形狀為平行線狀（parallel lines shape），但本發明並不以此為限。在其他實施方式中，研磨墊所包括具有兩端點的溝槽之分布形狀也可以是不平行線狀（non-parallel lines shape）、XY格子線狀（XY grid lines shape）、交叉線狀（cross-hatched lines shape）、同心弧線狀（concentric arcs shape）、不同心弧線狀（eccentric arcs shape）、不規則弧線狀（irregular arcs shape）或其組合，或者是平行線狀與前所列舉的各種分布形狀的組合，其中溝槽的開放式端點為前端點，封閉式端點為後端點。以下，將參照圖3及圖4對其他變化態樣進行詳細說明。

圖3是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的上視示意圖。請同時參照圖3及圖1，圖3的研磨墊200與圖1的研磨墊100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明即不再贅述。值得一提的是，研磨層202、溝槽204及端點204a、204b可與圖1的實施方式中對應者（即研磨層102、溝槽104及端點104a、104b）相同或相似，故相關說明即不再贅述。另外，研磨墊200之局部的立體示意圖請參考圖2。以下，將就研磨墊200與研磨墊100之間的差異處進行說明。

請參照圖3，研磨墊200包括配置於研磨層202中的至少一個溝槽206，所述至少一個溝槽206例如具有複數個溝槽206（如圖3所示）配置於研磨層202的研磨面PS。詳細而言，溝槽206各具有皆位於周邊區域B中的兩個端點206a、206b，且溝槽206延伸通過中央區域A。也就是說，在本實施方式中，每一溝槽206會自周邊區域B延伸至中央區域A並在通過中央區域A後再延伸至周邊區域B。換句話說，溝槽206延伸通過物件的研磨軌跡，因此可使容納於溝槽206的研磨液與被研磨的物件充分接觸。此外，在物件研磨完成後，研磨墊200可避免物件移開失敗的問題。周邊區域B的寬度（即半徑方向距離邊緣E的寬度）例如是介於5 mm至80 mm之間，但不以此限定本發明。

基於圖1及圖2的實施方式可知，在本實施方式中，溝槽206所具有皆位於周邊區域B的兩個端點206a、206b，其中端點206a為開放式端點，端點206b為封閉式端點。開放式端點206a與研磨層202的側表面SS連接而不具任何端面，封閉式端點206b不與研磨層202的側表面SS連接而具有一個端面X。也就是說，開放式端點206a位於研磨層202的邊緣E，而封閉式端點206b位於研磨層202的內部且與邊緣E之間具有一間距，此間距例如是介於1 mm至70 mm之間，但不以此限定本發明。此外，基於圖1及圖2的實施方式可知，在一實施方式中，封閉式端點206b的端面X可為一垂直面，端面X垂直於研磨面PS並轉折連接於溝槽206的底面。在另一實施方式中，封閉式端點206b的端面X可為一傾斜面並轉折連接於溝槽206的底面。在又一實施方式中，封閉式端點206b的端面X也可以為一傾斜面且該傾斜面與溝槽206的底面不具有轉折。也就是說，溝槽206的深度往封閉式端點206b方向逐漸變淺而封閉於與邊緣E之間具有一間距處。

在本實施方式中，彼此平行且不相連的多個溝槽204與彼此平行且不相連的多個溝槽206相互交叉而構成格子狀溝槽，藉此可改善研磨液傳輸效率。也就是說，在本實施方式中，透過包括互相交叉的兩組溝槽（即多個溝槽204與多個溝槽206)，研磨液在研磨墊200上的傳輸效率可提升。

在本實施方式中，研磨墊200的旋轉方向R是以逆時針方向為例，因此對應於研磨墊200之相對運動方向，開放式端點206a為前端點，而封閉式端點206b為後端點。也就是說，在本實施方式中，對應於研磨墊200之相對運動方向，開放式端點204a與開放式端點206a為前端點，而封閉式端點204a與封閉式端點206b為後端點。具體而言，對於位於旋轉軸心C右側的溝槽204而言，開放式端點204a（即前端點）位於旋轉軸心C的右上方，而封閉式端點204b（即後端點）位於旋轉軸心C的右下方。對於位於旋轉軸心C左側的溝槽204而言，開放式端點204a（即前端點）位於旋轉軸心C的左下方，而封閉式端點204b（即後端點）位於旋轉軸心C的左上方。此外，對於位於旋轉軸心C上側的溝槽206而言，開放式端點206a（即前端點）位於旋轉軸心C的左上方，而封閉式端點206b（即後端點）位於旋轉軸心C的右上方。對於位於旋轉軸心C下側的溝槽206而言，開放式端點206a（即前端點）位於旋轉軸心C的右下方，而封閉式端點206b（即後端點）位於旋轉軸心C的左下方。具有類似溝槽分布之傳統研磨墊的溝槽兩端點皆為開放式端點，受到慣性力驅動下，研磨液容易自後端點流出傳統研磨墊。相對來說，在本發明的實施方式中，對應於研磨墊200之相對運動方向，由於溝槽204、206的後端點為封閉式端點204b、206b，可阻擋研磨液自後端點流出研磨墊200。相較於傳統研磨墊，本發明的研磨墊200可使研磨液保持滯留，因此對於有些實際的研磨製程而言，本發明的研磨墊200可以得到較高的研磨率進而提升生產效率，或是可以減少研磨液的使用量進而節省成本。

基於圖1及圖2的實施方式可知，在本實施方式中，與溝槽204相同，溝槽206也可具有傾斜深度，其中溝槽206的深度自封閉式端點206b至開放式端點206a逐漸變深。也就是說，溝槽206可具有如圖2所示的結構。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，溝槽206也可以是不具傾斜深度而具有相同一致的深度。特別值得說明的是，在本實施方式中，溝槽206深度的傾斜度可視研磨墊200旋轉速率做選擇。在一般的研磨製程中，在研磨步驟期間研磨墊200的旋轉速通常率較快，因此產生較大的慣性力，研磨液自前端點往後端點流動的驅動力較大，而減少研磨液自開放的前端點流出，可維持使研磨液保持滯留在研磨墊200上的特性。而在研磨步驟之後的清洗步驟期間，例如以水清洗研磨墊200表面，研磨墊200的旋轉速率較慢（或是停止旋轉），因此所產生慣性力也較小（或是不具慣性力），此時相較於溝槽具有相同一致的深度的情況，研磨墊200透過具有傾斜深度的溝槽204、206可提高清洗的效率，藉以減少清洗的水使用量。因此，在本實施方式中，研磨墊200除了可以維持使研磨液保持滯留的特性，還可以提高清洗的效率。

此外，如圖3所示，研磨墊200包括虛擬延伸直線V1、V2。虛擬延伸直線V1通過研磨墊200之中心且與溝槽204之切線方向垂直，而溝槽204非對稱於虛擬延伸直線V1。虛擬延伸直線V2通過研磨墊200之中心且與溝槽206之切線方向垂直，而溝槽206非對稱於虛擬延伸直線V2。在此實施方式中，由於溝槽204為直線，而溝槽204之切線方向即為溝槽204本身之方向（即縱向），因此虛擬延伸直線V1的延伸方向為橫向通過研磨墊200之直徑方向。此外，由於溝槽206為直線，而溝槽206之切線方向即為溝槽206本身之方向（即橫向），因此虛擬延伸直線V2的延伸方向為縱向通過研磨墊200之直徑方向。具體而言，溝槽204、206分別位於虛擬延伸直線V1、V2兩側部分的配置為非對稱，也就是溝槽204、206分別位於虛擬延伸直線V1、V2兩側部分的配置為彼此非鏡像，這是因為溝槽204、206的一端點為開放式端點204a、206a，而另一端點為封閉式端點204b、206b。此外，基於圖1及圖2的實施方式可知，溝槽204、206可選擇分別位於虛擬延伸直線V1、V2兩側部分的深度為非對稱，也就是溝槽204、206可選擇分別位於虛擬延伸直線V1、V2兩側部分的深度為彼此非鏡像，這是因為溝槽204、206的深度可自封閉式端點204b、206b至開放式端點204a、206a逐漸變深。

圖4是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的上視示意圖。請同時參照圖4及圖1，圖4的研磨墊300與圖1的研磨墊100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明即不再贅述。值得一提的是，研磨層302可與圖1的實施方式中對應者（即研磨層102）相同或相似，故相關說明即不再贅述。另外，研磨墊300之局部的立體示意圖請參考圖2。以下，將就研磨墊300與研磨墊100之間的差異處進行說明。

請參照圖4，研磨墊300包括配置於研磨層302中的至少一個溝槽304，所述至少一個溝槽304例如具有複數個溝槽304（如圖4所示）配置於研磨層302的研磨面PS。詳細而言，溝槽304各具有皆位於周邊區域B中的兩個端點304a、304b，且溝槽304延伸通過中央區域A。也就是說，在本實施方式中，每一溝槽304會自周邊區域B延伸至中央區域A並在通過中央區域A後再延伸至周邊區域B。換句話說，溝槽304延伸通過物件的研磨軌跡，因此可使容納於溝槽304的研磨液與被研磨的物件充分接觸。此外，在物件研磨完成後，研磨墊300可避免物件移開失敗的問題。周邊區域B的寬度（即半徑方向距離邊緣E的寬度）例如是介於5 mm至80 mm之間，但不以此限定本發明。

基於圖1及圖2的實施方式可知，在本實施方式中，溝槽304所具有皆位於周邊區域B的兩個端點304a、304b，其中端點304a為開放式端點，端點304b為封閉式端點。開放式端點304a與研磨層302的側表面SS連接而不具任何端面，封閉式端點304b不與研磨層302的側表面SS連接而具有一個端面X。也就是說，開放式端點304a位於研磨層302的邊緣E，而封閉式端點304b位於研磨層302的內部且與邊緣E之間具有一間距，此間距例如是介於1 mm至70 mm之間，但不以此限定本發明。此外，基於圖1及圖2的實施方式可知，在一實施方式中，封閉式端點304b的端面X可為一垂直面，端面X垂直於研磨面PS並轉折連接於溝槽304的底面。在另一實施方式中，封閉式端點304b的端面X可為一傾斜面並轉折連接於溝槽304的底面。在又一實施方式中，封閉式端點304b的端面X也可以為一傾斜面且該傾斜面與溝槽304的底面不具有轉折。也就是說，溝槽304的深度往封閉式端點304b方向逐漸變淺而封閉於與邊緣E之間具有一間距處。

在本實施方式中，每一溝槽304為圓弧線狀溝槽，且其圓心Z與研磨墊300的旋轉軸心C不相重疊。更詳細而言，在本實施方式中，多個溝槽304為具有不同半徑之同心圓弧線狀溝槽。

在本實施方式中，研磨墊300的旋轉方向R是以逆時針方向為例，因此對應於研磨墊300之相對運動方向，開放式端點304a為前端點，而封閉式端點304b為後端點。具體而言，由於溝槽304位於旋轉軸心C右側，開放式端點304a（即前端點）位於旋轉軸心C的上方，而封閉式端點304b（即後端點）位於旋轉軸心C的下方。具有類似溝槽分布之傳統研磨墊的溝槽兩端點皆為開放式端點，受到慣性力驅動下，研磨液容易自後端點流出傳統研磨墊。相對來說，在本發明的實施方式中，對應於研磨墊300之相對運動方向，由於溝槽304的後端點為封閉式端點304b，可阻擋研磨液自後端點流出研磨墊300。相較於傳統研磨墊，本發明的研磨墊300可使研磨液保持滯留，因此對於有些實際的研磨製程而言，本發明的研磨墊300可以得到較高的研磨率進而提升生產效率，或是可以減少研磨液的使用量進而節省成本。

基於圖1及圖2的實施方式可知，在本實施方式中，溝槽304可具有傾斜深度，其中溝槽304的深度自封閉式端點304b至開放式端點304a逐漸變深。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，溝槽304也可以是不具傾斜深度而具有相同一致的深度。特別值得說明的是，溝槽304深度的傾斜度可視研磨墊300旋轉速率做選擇。在一般的研磨製程中，在研磨步驟期間研磨墊300的旋轉速率通常較快，因此產生較大的慣性力，研磨液自前端點往後端點流動的驅動力較大，而減少研磨液自開放的前端點流出，可維持使研磨液保持滯留在研磨墊300上的特性。而在研磨步驟之後的清洗步驟期間，例如以水清洗研磨墊300表面，研磨墊300的旋轉速率較慢（或是停止旋轉），因此所產生慣性力也較小（或是不具慣性力），此時相較於溝槽具有相同一致的深度的情況，研磨墊300透過具有傾斜深度的溝槽304可提高清洗的效率，藉以減少清洗的水使用量。如此一來，研磨墊300除了可以維持使研磨液保持滯留的特性，還可以提高清洗的效率。

在本實施方式中，研磨墊300可選擇包括配置於研磨層302中的至少一個溝槽306，所述至少一個溝槽306例如具有複數個溝槽306（如圖4所示）配置於研磨層302的研磨面PS。詳細而言，每一溝槽306為環狀溝槽，且以圓心Z為中心呈現同心排列。也就是說，在本實施方式中，溝槽304與溝槽306具有相同的圓心Z，但本發明不以此為限。

此外，如圖4所示，研磨墊300包括虛擬延伸直線V，虛擬延伸直線V通過研磨墊300之中心且與溝槽304之切線方向垂直，而溝槽304非對稱於虛擬延伸直線V。在此實施方式中，由於溝槽304為圓弧線狀，且其圓心Z與研磨墊300的中心（即旋轉軸心C）不相重疊並具有一橫向的位移量，因此通過研磨墊300之中心且與溝槽304之切線方向垂直的虛擬延伸直線V的延伸方向為橫向通過研磨墊300之直徑方向。具體而言，溝槽304位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為非對稱，也就是溝槽304位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為彼此非鏡像，這是因為溝槽304的一端點為開放式端點304a，而另一端點為封閉式端點304b。此外，基於圖1及圖2的實施方式可知，溝槽304可選擇位於虛擬延伸直線V兩側部分的深度為非對稱，也就是溝槽304可選擇位於虛擬延伸直線V兩側部分的深度為彼此非鏡像，這是因為溝槽304的深度可自封閉式端點304b至開放式端點304a逐漸變深。另外，研磨墊300之環狀溝槽306（如圖4所示）則對稱於虛擬延伸直線V，也就是環狀溝槽306位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為彼此鏡像。

圖5是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的上視示意圖。請同時參照圖5及圖4，圖5的研磨墊400與圖4的研磨墊300相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明即不再贅述。值得一提的是，研磨層402、溝槽404、溝槽406及端點404a、404b可與圖4的實施方式中對應者（即研磨層302、溝槽304、溝槽306及端點304a、304b）相同或相似，故相關說明即不再贅述。另外，研磨墊400之局部的立體示意圖請參考圖2。以下，將就研磨墊400與研磨墊300之間的差異處進行說明。

請參照圖5，研磨墊400包括配置於研磨層402中的至少一個溝槽408，所述至少一個溝槽408例如具有複數個溝槽408（如圖5所示）配置於研磨層402的研磨面PS。詳細而言，溝槽408各具有皆位於周邊區域B中的兩個端點408a、408b，且溝槽408延伸通過中央區域A。也就是說，在本實施方式中，每一溝槽408會自周邊區域B延伸至中央區域A並在通過中央區域A後再延伸至周邊區域B。換句話說，溝槽408延伸通過物件的研磨軌跡，因此可使容納於溝槽408的研磨液與被研磨的物件充分接觸。此外，在物件研磨完成後，研磨墊400可避免物件移開失敗的問題。周邊區域B的寬度（即半徑方向距離邊緣E的寬度）例如是介於5 mm至80 mm之間，但不以此限定本發明。

基於圖1及圖2的實施方式可知，在本實施方式中，溝槽408所具有皆位於周邊區域B的兩個端點408a、408b，其中端點408a為開放式端點，端點408b為封閉式端點。開放式端點408a與研磨層402的側表面SS連接而不具任何端面，封閉式端點408b不與研磨層402的側表面SS連接而具有一個端面X。也就是說，開放式端點408a位於研磨層402的邊緣E，而封閉式端點408b位於研磨層402的內部且與邊緣E之間具有一間距，此間距例如是介於1 mm至70 mm之間，但不以此限定本發明。此外，基於圖1及圖2的實施方式可知，在一實施方式中，封閉式端點408b的端面X可為一垂直面，端面X垂直於研磨面PS並轉折連接於溝槽408的底面。在另一實施方式中，封閉式端點408b的端面X可為一傾斜面並轉折連接於溝槽408的底面。在又一實施方式中，封閉式端點408b的端面X也可以為一傾斜面且該傾斜面與溝槽408的底面不具有轉折。也就是說，溝槽408的深度往封閉式端點408b方向逐漸變淺而封閉於與邊緣E之間具有一間距處。

在本實施方式中，每一溝槽408為圓弧線狀溝槽。詳細而言，在本實施方式中，溝槽404與溝槽408具有相同的圓心Z，但本發明不以此為限。更詳細而言，在本實施方式中，多個溝槽408為具有不同半徑之同心圓弧線狀溝槽。

在本實施方式中，研磨墊400的旋轉方向R是以逆時針方向為例，因此對應於研磨墊400之相對運動方向，開放式端點408a為後端點，而封閉式端點408b為前端點。也就是說，在本實施方式中，對應於研磨墊400之相對運動方向，開放式端點404a與封閉式端點408b為前端點，而封閉式端點404a與開放式端點408a為後端點。換句話說，研磨墊400所包括的溝槽404、408區分為兩部分，其中第一部分為溝槽404，其開放式端點404a為前端點且封閉式端點404b為後端點，而第二部分為溝槽408，其封閉式端點408b為前端點且開放式端點408a為後端點。具體而言，由於溝槽404位於旋轉軸心C右側，開放式端點404a（即前端點）位於旋轉軸心C的上方，而封閉式端點404b（即後端點）位於旋轉軸心C的下方。此外，由於溝槽408位於旋轉軸心C右側，開放式端點408a（即後端點）位於旋轉軸心C的下方，而封閉式端點408b（即前端點）位於旋轉軸心C的上方。

在本實施方式中，溝槽408的設置皆為相鄰於溝槽404。具體而言，兩個溝槽408為溝槽404所間隔（如圖5所示），但本發明不以此為限，兩個溝槽408亦可選擇彼此相鄰。在本實施方式的具有兩端點的複數個溝槽中，第一部分的溝槽為溝槽404，而第二部分的溝槽為溝槽408，此為本實施方式的範圍所涵蓋，並不限定於特定的設置排列方式。

對於有些特定的研磨製程，研磨時會產生少量的副產物，因此這類研磨製程有能夠排除副產物以避免造成物件汙染（contamination）或缺陷（defect）的需求。產業界使用的具有類似溝槽分布之傳統研磨墊的溝槽兩端點皆為開放式端點，受到慣性力驅動下，研磨所產生的副產物容易自後端點流出傳統研磨墊，但卻使得研磨液無法滯留在傳統研磨墊上而影響生產效率。在本實施方式中，對應於研磨墊400之相對運動方向，溝槽408的封閉式端點408b為前端點，開放式端點408a為後端點，而溝槽404的封閉式端點404b為後端點，開放式端點404a為前端點。因此，當使用研磨墊400對物件進行研磨程序時，在受到慣性力驅動下，研磨所產生的副產物能夠從溝槽408的後端點（即開放式端點408a）處有效排除的同時，溝槽404的後端點（即封閉式端點404b）可阻擋研磨液流出研磨墊400，使得研磨液的流場能自溝槽404溢流至研磨面PS以得到較高的研磨率，並將研磨所產生的副產物流至溝槽408以排出研磨墊400，因此能提升研磨液的使用效率。相較於傳統研磨墊，本發明的研磨墊400可同時使研磨液保持滯留及使副產物排除，因此對於有些會產生少量的副產物的研磨製程而言，本發明的研磨墊400可以得到較高的研磨率進而提升生產效率，並且可以避免副產物造成物件汙染或缺陷。

基於圖1及圖2的實施方式可知，在本實施方式中，與溝槽404相同，溝槽408也可具有傾斜深度，其中溝槽408的深度自封閉式端點408b至開放式端點408a逐漸變深。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，溝槽408也可以是不具傾斜深度而具有相同一致的深度。特別值得說明的是，由於溝槽408設計的主要功能為排除研磨所產生的副產物，因此溝槽408深度的傾斜度可選擇較溝槽404深度的傾斜度大。此外，溝槽408深度的傾斜度可視副產物產生的量及研磨墊400旋轉速率做選擇，其中當溝槽408深度的傾斜度較大及研磨墊400旋轉速率較快時相對地可排除較多的副產物。在一般的研磨製程中，在研磨步驟之後的清洗步驟期間，例如以水清洗研磨墊400表面，研磨墊400的旋轉速率較慢（或是停止旋轉），因此所產生慣性力也較小（或是不具慣性力），此時相較於溝槽具有相同一致的深度的情況，研磨墊400透過具有傾斜深度的溝槽404、408可提高清洗的效率，藉以減少清洗的水使用量。

此外，如圖5所示，研磨墊400包括虛擬延伸直線V，虛擬延伸直線V通過研磨墊400之中心且與溝槽404、408之切線方向垂直，而溝槽404、408非對稱於虛擬延伸直線V。在此實施方式中，由於溝槽404、408為圓弧線狀，且其圓心Z與研磨墊400的中心（即旋轉軸心C）不相重疊並具有一橫向的位移量，因此通過研磨墊400之中心且與溝槽404、408之切線方向垂直的虛擬延伸直線V的延伸方向為橫向通過研磨墊400之直徑方向。具體而言，溝槽404、408位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為非對稱，也就是溝槽404、408位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為彼此非鏡像，這是因為溝槽404、408的一端點為開放式端點404a、408a，而另一端點為封閉式端點404b、408b。此外，基於圖1及圖2的實施方式可知，溝槽404、408可選擇位於虛擬延伸直線V兩側部分的深度為非對稱，也就是溝槽404、408可選擇位於虛擬延伸直線V兩側部分的深度為彼此非鏡像，這是因為溝槽404、408的深度可自封閉式端點404b、408b至開放式端點404a、408a逐漸變深。另外，研磨墊400之環狀溝槽406（如圖5所示）則對稱於虛擬延伸直線V，也就是環狀溝槽406位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為彼此鏡像。

此外，在圖5的實施方式中，雖然溝槽404、408的分布形狀為同心弧線狀，但本發明並不以此為限。在其他實施方式中，研磨墊所包括具有兩端點的溝槽之分布形狀也可以是平行線狀、不平行線狀、XY格子線狀、交叉線狀、不同心弧線狀、不規則弧線狀或其組合，或者是同心弧線狀與前所列舉的各種分布形狀的組合，其中所述溝槽區分為第一部分及第二部分，第一部分的溝槽的開放式端點為前端點且封閉式端點為後端點，而第二部分的溝槽的封閉式端點為前端點且開放式端點為後端點。

圖6是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的上視示意圖。請同時參照圖6及圖4，圖6的研磨墊500與圖4的研磨墊300相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明即不再贅述。值得一提的是，研磨層502及溝槽506可與圖4的實施方式中對應者（即研磨層302及溝槽306）相同或相似，故相關說明即不再贅述。另外，研磨墊500之局部的立體示意圖請參考圖2。以下，將就研磨墊500與研磨墊300之間的差異處進行說明。

請參照圖6，研磨墊500包括配置於研磨層502中的至少一個溝槽504，所述至少一個溝槽504例如具有複數個溝槽504（如圖6所示）配置於研磨層502的研磨面PS。詳細而言，溝槽504各具有皆位於周邊區域B中的兩個端點504a、504b，且溝槽504延伸通過中央區域A。也就是說，在本實施方式中，每一溝槽504會自周邊區域B延伸至中央區域A並在通過中央區域A後再延伸至周邊區域B。換句話說，溝槽504延伸通過物件的研磨軌跡，因此可使容納於溝槽504的研磨液與被研磨的物件充分接觸。此外，在物件研磨完成後，研磨墊500可避免物件移開失敗的問題。周邊區域B的寬度（即半徑方向距離邊緣E的寬度）例如是介於5 mm至80 mm之間，但不以此限定本發明。

基於圖1及圖2的實施方式可知，在本實施方式中，溝槽504所具有皆位於周邊區域B的兩個端點504a、504b，其中端點504a為開放式端點，端點504b為封閉式端點。開放式端點504a與研磨層502的側表面SS連接而不具任何端面，封閉式端點504b不與研磨層502的側表面SS連接而具有一個端面X。也就是說，開放式端點504a位於研磨層502的邊緣E，而封閉式端點504b位於研磨層502的內部且與邊緣E之間具有一間距，此間距例如是介於1 mm至70 mm之間，但不以此限定本發明。此外，基於圖1及圖2的實施方式可知，在一實施方式中，封閉式端點504b的端面X可為一垂直面，端面X垂直於研磨面PS並轉折連接於溝槽504的底面。在另一實施方式中，封閉式端點504b的端面X可為一傾斜面並轉折連接於溝槽504的底面。在又一實施方式中，封閉式端點504b的端面X也可以為一傾斜面且該傾斜面與溝槽504的底面不具有轉折。也就是說，溝槽504的深度往封閉式端點504b方向逐漸變淺而封閉於與邊緣E之間具有一間距處。

在本實施方式中，每一溝槽504為圓弧線狀溝槽，且其圓心Z與研磨墊500的旋轉軸心C不相重疊。更詳細而言，在本實施方式中，多個溝槽504為具有不同半徑之同心圓弧線狀溝槽。

在本實施方式中，研磨墊500的旋轉方向R是以逆時針方向為例，因此對應於研磨墊500之相對運動方向，開放式端點504a為後端點，而封閉式端點504b為前端點。具體而言，由於溝槽504位於旋轉軸心C右側，開放式端點504a（即後端點）位於旋轉軸心C的下方，而封閉式端點504b（即前端點）位於旋轉軸心C的上方。

對於有些特定的研磨製程，因研磨時所產生的副產物較多，需有效排除副產物以避免造成物件汙染（contamination）或缺陷（defect）。產業界使用的研磨設備中，通常具有圍繞研磨平台以防止研磨液或副產物濺到四周的防濺罩（splash guard），但因為所產生的副產物較多，累積在防濺罩上的副產物可能因為回濺作用而附著到研磨墊的側表面。在本實施方式中，由於對應於研磨墊500之相對運動方向，封閉式端點504b為前端點，而開放式端點504a為後端點，故當使用研磨墊500對物件進行研磨程序時，在受到慣性力驅動下，研磨所產生的副產物能夠從後端點（即開放式端點504a）處有效排除。

另一方面，具有類似溝槽分布之傳統研磨墊的溝槽兩端點皆為開放式端點，受到慣性力驅動下，部分回濺到研磨墊側表面的副產物反而經由開放式的前端點而帶回到研磨墊上，而造成物件汙染或缺陷。相對來說，在本實施方式中，對應於研磨墊500之相對運動方向，由於溝槽504的前端點為封閉式端點504b，可避免部分回濺到側表面SS的副產物再次被帶回到研磨墊500上。因此，相較於傳統研磨墊，對於研磨時所產生副產物較多的研磨製程而言，本發明的研磨墊500可以使研磨所產生的副產物有效排除，並避免造成物件汙染或缺陷。

基於圖1及圖2的實施方式可知，在本實施方式中，溝槽504可具有傾斜深度，其中溝槽504的深度自封閉式端點504b至開放式端點504a逐漸變深。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，溝槽504也可以是不具傾斜深度而具有相同一致的深度。特別值得說明的是，由於溝槽504設計的主要功能為排除研磨所產生的副產物，因此溝槽504深度的傾斜度可視副產物產生的量及研磨墊500旋轉速率做選擇，其中當溝槽504深度的傾斜度較大及研磨墊500旋轉速率較快時相對地可排除較多的副產物。在一般的研磨製程中，在研磨步驟之後的清洗步驟期間，例如以水清洗研磨墊500表面，研磨墊500的旋轉速率較慢（或是停止旋轉），因此所產生慣性力也較小（或是不具慣性力），此時相較於溝槽具有相同一致的深度的情況，研磨墊500透過具有傾斜深度的溝槽504可提高清洗的效率，藉以減少清洗的水使用量。

此外，如圖6所示，研磨墊500包括虛擬延伸直線V，虛擬延伸直線V通過研磨墊500之中心且與溝槽504之切線方向垂直，而溝槽504非對稱於虛擬延伸直線V。在此實施方式中，由於溝槽504為圓弧線狀，且其圓心Z與研磨墊500的中心（即旋轉軸心C）不相重疊並具有一橫向的位移量，因此通過研磨墊500之中心且與溝槽504之切線方向垂直的虛擬延伸直線V的延伸方向為橫向通過研磨墊500之直徑方向。具體而言，溝槽504位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為非對稱，也就是溝槽504位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為彼此非鏡像，這是因為溝槽504的一端點為開放式端點504a，而另一端點為封閉式端點504b。此外，基於圖1及圖2的實施方式可知，溝槽504可選擇位於虛擬延伸直線V兩側部分的深度為非對稱，也就是溝槽504可選擇位於虛擬延伸直線V兩側部分的深度為彼此非鏡像，這是因為溝槽504的深度可自封閉式端點504b至開放式端點504a逐漸變深。另外，研磨墊500之環狀溝槽506（如圖6所示）則對稱於虛擬延伸直線V，也就是環狀溝槽506位於虛擬延伸直線V兩側部分的配置為彼此鏡像。

此外，在圖6的實施方式中，雖然溝槽504的分布形狀為同心弧線狀，但本發明並不以此為限。在其他實施方式中，研磨墊所包括具有兩端點的溝槽之分布形狀也可以是平行線狀、不平行線狀、XY格子線狀、交叉線狀、不同心弧線狀、不規則弧線狀或其組合，或者是同心弧線狀與前所列舉的各種分布形狀的組合，其中溝槽的封閉式端點為前端點，開放式端點為後端點。

前述各實施方式中，研磨墊的相對運動方向皆以逆時針旋轉方向做說明，但本發明並不限於此。在另外的實施方式中，依據不同研磨設備的設計，研磨墊的相對運動方向也可以是順時針旋轉方向，前述各實施方式所繪示之溝槽的前端點則變成後端點，後端點則變成前端點。除此之外，在其他實施方式中，研磨墊的相對運動方向更可以是公轉軌道運動方向、線型運動方向或其他運動方向，則溝槽的前端點及後端點位置也隨之有不同的分布位置。另外，前述各實施方式中的各溝槽皆以等間距所繪示，但並非用以限定本發明的範圍，各溝槽也可選擇不完全等間距。此外，前述各實施方式中所舉出其對應的研磨製程僅為可能的產業應用例子，但並非用以限定本發明的範圍，前述各實施方式中所設計的研磨墊也可選擇用於其他研磨製程。

圖7是依照本發明的一實施方式的研磨方法的流程圖。此研磨方法適用於研磨物件。詳細而言，此研磨方法可應用於製造工業元件的研磨製程，例如是應用於電子產業的元件，其可包括半導體、積體電路、微機電、能源轉換、通訊、光學、儲存碟片、及顯示器等元件，而製作這些元件所使用的物件可包括半導體晶圓、ⅢⅤ族晶圓、儲存元件載體、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但並非用以限定本發明的範圍。

請參照圖7，首先，進行步驟S10，提供研磨墊。詳細而言，在本實施方式中，研磨墊可以是前述實施方式中所述的任一種研磨墊，例如研磨墊100、200、300、400、500。而所述研磨墊100、200、300、400、500的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

接著，進行步驟S12，對物件施加壓力。藉此，物件會被壓置於所述研磨墊上，並與所述研磨墊接觸。詳細而言，如前文所述，物件會與研磨層102、202、302、402、502的研磨面PS接觸。另外，對物件施加壓力的方式例如是使用能夠固持物件的載具來進行。

之後，進行步驟S14，對所述物件及所述研磨墊提供相對運動，以利用所述研磨墊對所述物件進行研磨程序，而達到平坦化的目的。詳細而言，對物件及研磨墊提供相對運動的方法例如是：透過承載台進行旋轉來帶動固定於承載台上的研磨墊沿旋轉方向R轉動。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400、500‧‧‧研磨墊

102、202、302、402、502‧‧‧研磨層

104、204、206、304、306、404、406、408、504、506‧‧‧溝槽

104a、104b、204a、204b、206a、206b、304a、304b、404a、4046、408a、408b、504a、504b‧‧‧端點

A‧‧‧中央區域

B‧‧‧周邊區域

C‧‧‧旋轉軸心

E‧‧‧邊緣

PS‧‧‧研磨面

R‧‧‧旋轉方向

SS‧‧‧側表面

S10、S12、S14‧‧‧步驟

X‧‧‧端面

Z‧‧‧圓心

V、V1、V2‧‧‧虛擬延伸直線

K‧‧‧區域

圖1是依照本發明的一實施方式的研磨墊的上視示意圖。圖2是圖1中的區域K的立體示意圖。圖3是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的上視示意圖。圖4是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的上視示意圖。圖5是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的上視示意圖。圖6是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的上視示意圖。圖7是依照本發明的一實施方式的研磨方法的流程圖。

Claims

一種研磨墊，適用於研磨物件，所述研磨墊包括：研磨層，所述研磨層具有中央區域以及圍繞所述中央區域的周邊區域；以及至少一溝槽，配置在所述研磨層中，所述至少一溝槽各具有兩端點皆位於所述周邊區域，其中所述兩端點包括一開放式端點及一封閉式端點，且其中所述至少一溝槽延伸通過所述中央區域。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述研磨層具有研磨面以及與所述研磨面連接的側表面，所述開放式端點與所述研磨層的所述側表面連接，所述封閉式端點不與所述研磨層的所述側表面連接且具有一端面。
如申請專利範圍第2項所述的研磨墊，其中所述端面為一垂直面或一傾斜面。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述物件在所述研磨層上的研磨軌跡位於所述中央區域。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽的深度自所述封閉式端點至所述開放式端點逐漸變深。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中對應於所述研磨墊之相對運動方向，所述開放式端點為前端點，所述封閉式端點為後端點。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中對應於所述研磨墊之相對運動方向，所述封閉式端點為前端點，所述開放式端點為後端點。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽包括複數個溝槽，所述複數個溝槽區分為第一部分及第二部分，其中對應於所述研磨墊之相對運動方向：所述第一部分的所述開放式端點為前端點，所述封閉式端點為後端點；以及所述第二部分的所述封閉式端點為前端點，所述開放式端點為後端點。
如申請專利範圍第8項所述的研磨墊，其中所述第一部分的深度自所述封閉式端點至所述開放式端點逐漸變深且具有第一深度傾斜度，所述第二部分的深度自所述封閉式端點至所述開放式端點逐漸變深且具有第二深度傾斜度，其中所述第二深度傾斜度大於所述第一深度傾斜度。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽為直線狀溝槽或弧線狀溝槽。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽為圓弧線狀溝槽，所述研磨墊具有旋轉軸心，且所述圓弧線狀溝槽的圓心與所述旋轉軸心不相重疊。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽的分布形狀為平行線狀、不平行線狀、XY格子線狀、交叉線狀、同心弧線狀、不同心弧線狀、不規則弧線狀或其組合。
一種研磨墊，適用於研磨物件，所述研磨墊包括：研磨層，所述研磨層具有中央區域以及圍繞所述中央區域的周邊區域；至少一溝槽，配置在所述研磨層中，所述至少一溝槽各具有兩端點皆位於所述周邊區域，且所述至少一溝槽延伸通過所述中央區域；以及虛擬延伸直線，通過所述研磨墊之中心且與所述至少一溝槽之切線方向垂直，其中所述至少一溝槽非對稱於所述虛擬延伸直線。
如申請專利範圍第13項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽位於所述虛擬延伸直線兩側部分的配置為彼此非鏡像。
如申請專利範圍第13項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽位於所述虛擬延伸直線兩側部分的深度為彼此非鏡像。
如申請專利範圍第13項所述的研磨墊，其中所述兩端點包括一開放式端點及一封閉式端點。
如申請專利範圍第16項所述的研磨墊，其中所述研磨層具有研磨面以及與所述研磨面連接的側表面，所述開放式端點與所述研磨層的所述側表面連接，所述封閉式端點不與所述研磨層的所述側表面連接且具有一端面。
如申請專利範圍第17項所述的研磨墊，其中所述端面為一垂直面或一傾斜面。
如申請專利範圍第16項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽的深度自所述封閉式端點至所述開放式端點逐漸變深。
如申請專利範圍第16項所述的研磨墊，其中對應於所述研磨墊之相對運動方向，所述開放式端點為前端點，所述封閉式端點為後端點。
如申請專利範圍第16項所述的研磨墊，其中對應於所述研磨墊之相對運動方向，所述封閉式端點為前端點，所述開放式端點為後端點。
如申請專利範圍第16項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽包括複數個溝槽，所述複數個溝槽區分為第一部分及第二部分，其中對應於所述研磨墊之相對運動方向：所述第一部分的所述開放式端點為前端點，所述封閉式端點為後端點；以及所述第二部分的所述封閉式端點為前端點，所述開放式端點為後端點。
如申請專利範圍第22項所述的研磨墊，其中所述第一部分的深度自所述封閉式端點至所述開放式端點逐漸變深且具有第一深度傾斜度，所述第二部分的深度自所述封閉式端點至所述開放式端點逐漸變深且具有第二深度傾斜度，其中所述第二深度傾斜度大於所述第一深度傾斜度。
如申請專利範圍第13項所述的研磨墊，其中所述物件在所述研磨層上的研磨軌跡位於所述中央區域。
如申請專利範圍第13項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽為直線狀溝槽或弧線狀溝槽。
如申請專利範圍第13項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽為圓弧線狀溝槽，所述研磨墊具有旋轉軸心，且所述圓弧線狀溝槽的圓心與所述旋轉軸心不相重疊。
如申請專利範圍第26項所述的研磨墊，更包括至少一環狀溝槽。
如申請專利範圍第27項所述的研磨墊，其中所述至少一環狀溝槽對稱於所述虛擬延伸直線。
如申請專利範圍第27項所述的研磨墊，其中所述至少一環狀溝槽的圓心與所述圓弧線狀溝槽的圓心相重疊，且所述至少一環狀溝槽的圓心與所述旋轉軸心不相重疊。
如申請專利範圍第13項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽的分布形狀為平行線狀、不平行線狀、XY格子線狀、交叉線狀、同心弧線狀、不同心弧線狀、不規則弧線狀或其組合。
一種研磨方法，包括：提供研磨墊，所述研磨墊如申請專利範圍第1至12項中任一項所述的研磨墊；對所述物件施加壓力以壓置於所述研磨墊上；以及對所述物件及所述研磨墊提供相對運動以進行所述研磨程序。
一種研磨方法，包括：提供研磨墊，所述研磨墊如申請專利範圍第13至30項中任一項所述的研磨墊；對所述物件施加壓力以壓置於所述研磨墊上；以及對所述物件及所述研磨墊提供相對運動以進行所述研磨程序。