TWI639051B - 空白遮罩、相位移轉遮罩之製造方法、相位移轉遮罩、以及半導體元件之製造方法（一） - Google Patents

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Abstract

一種空白遮罩，具有於透光性基板上從該透光性基板側起依序積層有相位移轉膜、遮光膜以及硬遮罩膜之構造；該相位移轉膜係以含有矽之材料所形成，該硬遮罩膜係以含有選自矽以及鉭中至少1以上元素的材料所形成，該遮光膜係以含有鉻之材料所形成，具有積層下層、中間層以及上層之3層的構造，該上層之鉻含有量在該遮光膜之中最多，該中間層之鉻含有量在該遮光膜之中最少，且含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素。

Description

空白遮罩、相位移轉遮罩之製造方法、相位移轉遮罩、以及半導體元件之製造方法(一)
本發明係關於一種半色調型相位移轉遮罩用之空白遮罩、使用此空白遮罩之相位移轉遮罩、以及相位移轉遮罩之製造方法、半導體元件之製造方法。
在半色調型相位移轉遮罩之空白遮罩方面，具有從基板側起積層金屬矽化物系材料之半透光性相位移轉膜、鉻系化合物所構成之鉻膜(遮光膜)、無機系材料所構成之蝕刻遮罩用膜(硬遮罩膜)之構成。使用如此之空白遮罩來製作相位移轉遮罩之情況，首先，以在空白遮罩之表面所形成之阻劑圖案為遮罩而以氟系氣體之乾式蝕刻來使得蝕刻遮罩用膜圖案化，其次以蝕刻遮罩用膜為遮罩以氯與氧之混合氣體之乾式蝕刻來使得遮光膜圖案化，進而以遮光膜之圖案為遮罩以氟系氣體之乾式蝕刻來使得相位移轉膜圖案化(參見國際公開第2004/090635號公報(專利文獻1))。
另一方面，基於一邊維持鉻系化合物所構成之遮光膜之光學特性、一邊提高蝕刻速率之目的，有人提議於鉻系材料含錫來做成遮光膜之構成。於此情況，只要使得遮光膜之上層成為不含錫或是錫含有比為低的層，而使得下層成為高錫含有比之層，由於相對於上層(表面側)之蝕刻速度可僅提高下層(基板側)之蝕刻速度，而可短設定過度蝕刻時間。另一方面，設計基 板側之錫含有比為低的情況，可使得乾式蝕刻時之鉻的監控所做終端檢測更為容易(參見日本特開2013-238776號公報(專利文獻2))。
先前技術文獻
專利文獻1：國際公開第2004/090635號公報
專利文獻2：日本特開2013-238776號公報
專利文獻1所記載之空白遮罩，由鉻系化合物所構成之遮光膜被要求具備將穿透半色調膜之曝光光線降低至既定光量之遮光性能。從此空白遮罩製作相位移轉遮罩之際，於遮光膜形成包含遮光帶之圖案。此外，相位移轉膜與遮光膜之積層構造需要滿足既定光學濃度。同時，此遮光膜在將相位移轉膜以氟系氣體之乾式蝕刻來圖案化而形成相位移轉圖案之時被要求發揮蝕刻遮罩之機能。於相位移轉遮罩之完成階段，一般而言於遮光膜形成遮光圖案等相對疏鬆的圖案。但是，從空白遮罩製作相位移轉遮罩之過程中，遮光膜在對於相位移轉膜形成屬微細轉印圖案的相位移轉圖案之時需要發揮蝕刻遮罩之機能。因此，希望於遮光膜也能以高尺寸精度來形成微細圖案。
為了可對於鉻系化合物所構成之遮光膜利用氯系氣體與氧氣體之混合氣體之乾式蝕刻來高尺寸精度地形成微細圖案，必須縮短在遮光膜結束形成微細圖案為止所需蝕刻時間。可藉由使得遮光膜之厚度變薄來縮短蝕刻時間。但是，如上述般，遮光膜對於曝光光線必須確保既定光學濃度，故使得遮光膜之厚度薄化有其極限。因此，需要提高遮光膜之蝕刻速率。
遮光膜中之鉻含有量愈少、氧含有量愈多則有蝕刻速率愈快之趨勢。但是，隨著遮光膜中鉻含有量變得愈少，構成遮光膜之材料的消衰係數k會變得愈小。亦即，遮光膜之光學濃度會變得愈小。遮光膜對於氯系氣體與氧氣體之混合氣體的乾式蝕刻的蝕刻速率與對於曝光光線之光學濃度之間存在著取捨關係。
另一方面，將氯系氣體與氧氣體之混合氣體用於蝕刻氣體之乾式蝕刻，異向性蝕刻之趨勢小，而等向性蝕刻之趨勢大。因此，將鉻系化合物所構 成之遮光膜加以圖案化之乾式蝕刻之際，蝕刻不僅是從遮光膜之表面側往相位移轉膜側進行，也往遮光膜之側壁方向進行，而容易產生所謂的側蝕刻。此側蝕刻在蝕刻速率愈快的材料愈容易進行。當遮光膜係以蝕刻速率相對快的材料(例如鉻含有量少的材料)所形成之情況，蝕刻側壁會被蝕刻氣體所侵蝕，容易成為遮光膜圖案之截面被挖陷的形狀。當以蝕刻速率相對快的材料來形成遮光膜之情況，若例如圖案尺寸為50nm以下之副解析輔助構造體(Sub-Resolution Assist Feature：SRAF)係以乾式蝕刻形成，則遮光膜圖案與底層膜(相位移轉膜)之接觸面積會變窄，有時圖案會傾倒。
另一方面，當遮光膜係以鉻含有量多的材料所形成之情況，由於蝕刻速率慢，故難以於面內以高精度形成微細圖案。從而，即便於此情況，以遮光膜圖案為遮罩之蝕刻中，要以高形狀精度使得下層之相位移轉膜圖案化會有困難。
是以，本發明之目的在於提供一種半色調型相位移轉遮罩用之空白遮罩，可使得由含鉻之材料所構成之遮光膜以良好的形狀精度、無圖案傾倒的方式來圖案化；並提供一種相位移轉遮罩之製造方法，可使用此空白遮罩以良好精度來形成相位移轉圖案；並且提供一種藉由該方法所得之相位移轉遮罩、以及半導體元件之製造方法。
本發明做為解決上述課題之手段係具有以下之構成。
(構成1)
一種空白遮罩，具有於透光性基板上從該透光性基板側起依序積層有相位移轉膜、遮光膜以及硬遮罩膜之構造；該相位移轉膜係以含有矽的材料所形成；該硬遮罩膜係以含有選自矽以及鉭中至少1以上元素的材料所形成；該遮光膜係以含有鉻之材料所形成，具有積層下層、中間層以及上層之3層的構造；該上層之鉻含有量在該遮光膜之中最多；該中間層之鉻含有量在該遮光膜之中最少，且含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素。
(構成2)
如構成1記載之空白遮罩，其中該中間層之該金屬元素之合計含有量在該遮光膜之中最多。
(構成3)
如構成1或是2記載之空白遮罩，其中該上層以及該下層均不含該金屬元素。
(構成4)
一種空白遮罩，具有於透光性基板上從該透光性基板側起依序積層有相位移轉膜、遮光膜以及硬遮罩膜之構造；該相位移轉膜係以含有矽之材料所形成；該硬遮罩膜係以含有選自矽以及鉭中至少1以上元素的材料所形成；該遮光膜係以含有鉻之材料所形成，具有下層以及上層之積層構造；該上層之鉻含有量較該下層來得多；該下層係以從該相位移轉膜側往該上層側之鉻含有量變少的方式形成組成梯度，且該上層側含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素。
(構成5)
如構成4記載之空白遮罩，其中該下層之上層側之該金屬元素之合計含有量在該遮光膜之中最多。
(構成6)
如構成4或是5記載之空白遮罩，其中該下層之相位移轉膜側以及該上層均不含該金屬元素。
(構成7)
如構成1至6中任一記載之空白遮罩，其中該硬遮罩膜係以含有矽與氧之材料所形成。
(構成8)
如構成1至7中任一記載之空白遮罩，其中該相位移轉膜係以含有矽與氮之材料所形成。
(構成9)
如構成1至8中任一記載之空白遮罩，其中該遮光膜能藉由使用氯系氣體與氧氣體之混合氣體的乾式蝕刻而被圖案化。
(構成10)
如構成1至9中任一記載之空白遮罩，其中該硬遮罩膜以及相位移轉膜能藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻而被圖案化。
(構成11)
一種相位移轉遮罩之製造方法，係使用如構成1至10中任一記載之空白遮罩；具有下述製程：以該硬遮罩膜上所形成之具有相位移轉圖案的阻劑膜為遮罩，藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻，於該硬遮罩膜形成相位移轉圖案之製程；以形成有該相位移轉圖案之硬遮罩膜為遮罩，藉由使用氯系氣體與氧氣體之混合氣體的乾式蝕刻，於該遮光膜形成相位移轉圖案之製程；以形成有該相位移轉圖案之遮光膜為遮罩，藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻，於該相位移轉膜形成相位移轉圖案，且去除該硬遮罩膜之製程；以及去除該硬遮罩膜之後，以該遮光膜上所形成之具有遮光圖案之阻劑膜為遮罩，藉由使用氯氣體與氧氣體之混合氣體的乾式蝕刻，於該遮光膜形成遮光圖案之製程。
(構成12)
一種相位移轉遮罩，具有於透光性基板上從該透光性基板側起依序積層有形成了相位移轉圖案之相位移轉膜、以及形成了遮光圖案之遮光膜之構造；該相位移轉膜係以含有矽之材料所形成；該遮光膜係以含有鉻之材料所形成，具有積層下層，中間層以及上層之3層的構造；該上層之鉻含有量在該遮光膜之中最多；該中間層之鉻含有量在該遮光膜之中最少，且含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素。
(構成13)
如構成12記載之相位移轉遮罩，其中該中間層之該金屬元素之合計含有量在該遮光膜之中最多。
(構成14)
如構成12或是13記載之相位移轉遮罩，其中該上層以及該下層均不含該金屬元素。
(構成15)
一種相位移轉遮罩，具有於透光性基板上從該透光性基板側起依序積層有形成了相位移轉圖案之相位移轉膜、以及形成了遮光圖案之遮光膜之構造；該相位移轉膜係以含有矽之材料所形成；該遮光膜係以含有鉻之材料所形成，具有下層以及上層之積層構造；該上層之鉻含有量較該下層來得多；該下層係以從該相位移轉膜側往該上層側之鉻含有量變少的方式形成組成梯度，且該上層側含有選自銦、錫以及鉭中至少1以上之金屬元素。
(構成16)
如構成15記載之相位移轉遮罩，其中該下層之上層側之該金屬元素之合計含有量在該遮光膜之中最多。
(構成17)
如構成15或是16記載之相位移轉遮罩，其中該下層之相位移轉膜側以及該上層均不含該金屬元素。
(構成18)
如構成12至17中任一記載之相位移轉遮罩，其中該相位移轉膜係以含有矽與氮之材料所形成。
(構成19)
如構成12至18中任一記載之相位移轉遮罩，其中該遮光膜能藉由使用氯系氣體與氧氣體之混合氣體的乾式蝕刻而被圖案化。
(構成20)
如構成12至19中任一記載之相位移轉遮罩，其中該相位移轉膜能藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻而被圖案化。
(構成21)
一種半導體元件之製造方法，具有曝光製程，係使用以構成11記載之相位移轉遮罩之製造方法所製造之相位移轉遮罩，藉由光微影法將該相位移轉遮罩之轉印圖案對於基板上之阻劑膜進行圖案轉印
(構成22)
一種半導體元件之製造方法，具有曝光製程，係使用如構成12至20中任一記載之相位移轉遮罩，藉由光微影法將該相位移轉遮罩之轉印圖案對基板上之阻劑膜進行圖案轉印。
依據具有以上構成之本發明，所得之空白遮罩，於相位移轉膜上具有以含鉻之材料所形成之遮光膜之構成中，可一邊確保此遮光膜經圖案化所得遮光膜圖案之俯視形狀以及光學特性、一邊防止圖案傾倒。藉此，可使用此空白遮罩來製作圖案精度良好的相位移轉遮罩，再者，使用此相位移轉遮罩之半導體元件之製造中，能以良好精度來進行圖案形成。
1,2‧‧‧空白遮罩
3‧‧‧相位移轉遮罩
10‧‧‧透光性基板
11‧‧‧相位移轉膜
13,13’‧‧‧遮光膜
13a,13a’‧‧‧下層
13b‧‧‧中間層
13c‧‧‧上層
15‧‧‧硬遮罩膜
17‧‧‧阻劑膜
20a‧‧‧相位移轉圖案
20c‧‧‧遮光圖案
圖1係顯示本發明之第1實施形態之空白遮罩之構成之截面圖。
圖2係顯示本發明之第2實施形態之空白遮罩之構成之截面圖。
圖3A係顯示本發明之相位移轉遮罩之製造方法之一製造製程圖。
圖3B係顯示本發明之相位移轉遮罩之製造方法之一製造製程圖。
圖3C係顯示本發明之相位移轉遮罩之製造方法之一製造製程圖。
圖3D係顯示本發明之相位移轉遮罩之製造方法之一製造製程圖。
圖4A係顯示本發明之相位移轉遮罩之製造方法之一製造製程圖。
圖4B係顯示本發明之相位移轉遮罩之製造方法之一製造製程圖。
圖4C係顯示本發明之相位移轉遮罩之製造方法之一製造製程圖。
圖5係顯示以實施例1所形成之圖案的截面圖。
圖6係顯示以實施例2所形成之圖案的截面圖。
圖7係顯示以比較例所形成之圖案的截面圖。
到目前為止，伴隨在相位移轉膜所形成之轉印圖案(相位移轉圖案)之微細化，需要阻劑膜之薄膜化。但是，空白遮罩一般係於相位移轉膜之上積層著遮光膜，而形成有相位移轉圖案之阻劑膜則積層於遮光膜之上。因此，首先，必須利用以形成了相位移轉圖案之阻劑膜為遮罩之乾式蝕刻來將遮光膜以乾式蝕刻加以圖案化。當以鉻系材料形成遮光膜之情況，在乾式蝕刻係使用氯系氣體與氧氣體之混合氣體(含氧之氯系氣體)。但是，有機系材料所構成之阻劑膜對於含氧之氯系氣體之乾式蝕刻的耐性低，從而必須增加阻劑膜之厚度。若打算對於厚的阻劑膜形成寬度小的微細圖案，則所形成之阻劑圖案之高度對寬度的比會變得過高，而會有發生阻劑圖案崩壞等之問題。此外，對遮光膜之乾式蝕刻時，阻劑圖案會從圖案上方被蝕刻而逐漸減退，雖不如從上方蝕刻之減膜量那樣的大，但圖案之側壁方向也會被蝕刻(側蝕刻)而減退。在阻劑膜所形成之圖案的線寬必須事先預估側蝕刻所致減退來形成。
為了解決此等問題，近年來，開始使用一種空白遮罩，係於鉻系材料之遮光膜上設置相對於含氧之氯系氣體之乾式蝕刻在和鉻系材料之間具有充分蝕刻選擇性的材料所構成之硬遮罩膜。此空白遮罩，藉由以具有相位移轉圖案之阻劑膜(阻劑圖案)為遮罩的乾式蝕刻，在硬遮罩膜形成相位移轉圖案。然後，以此具有相位移轉圖案之硬遮罩膜為遮罩，對遮光膜進行含氧之氯系氣體之乾式蝕刻，於遮光膜形成相位移轉圖案。一般此硬遮罩膜係以能被氟系氣體之乾式蝕刻所圖案化之材料所形成。由於氟系氣體之乾式蝕刻乃離子主體之蝕刻，故異向性蝕刻之趨勢大。形成有相位移轉圖案之硬遮罩膜的圖案側壁之側蝕刻量小。
由含鉻之材料所構成之遮光膜較以往更需要以蝕刻速率快的材料來形成。但是，以蝕刻速率快的鉻系材料所構成之遮光膜具有容易進行側蝕刻之趨勢。於相位移轉膜形成相位移轉圖案之時所進行的乾式蝕刻，一般係使用氟系氣體。因此，對於相位移轉膜之乾式蝕刻中，無法將側蝕刻量小的硬遮罩膜之圖案當作遮罩來使用，而不得不將側蝕刻量大的遮光膜之圖案當作遮罩來使用。此外，蝕刻速率快的鉻系材料通常鉻含有量少，故有 消衰係數k小的趨勢。若打算以此蝕刻速率快的鉻系材料來形成具有既定光學濃度之遮光膜，則勢必要增加厚度。
當遮光膜係以蝕刻速率慢的材料也是鉻含有量多的材料所形成之情況，可減少遮光膜之厚度。但是，於遮光膜以乾式蝕刻來形成了圖案之時，難以避免發生所做出來的圖案之面內的CD均一性降低的情形。一般，對薄膜進行乾式蝕刻來形成圖案的情況，即便是異向性趨勢大的乾式蝕刻，去除薄膜之蝕刻也不會在俯視區域內同時到達下端。趨勢上，將薄膜以蝕刻去除之俯視區域內的中央側的蝕刻進行相對來得快，而側壁側之蝕刻進行相對來得慢。因此，將薄膜圖案化之時的乾式蝕刻，去除薄膜之俯視區域內的中央側，蝕刻在達到薄膜下端面的階段不會停止，而使得薄膜之側壁側之蝕刻進行，亦即，通常進行著重圖案側壁之蝕刻(過度蝕刻)。
關於使用鉻系材料之遮光膜，成為複數層之積層構造時的較佳各層具體構成，到目前為止有諸多提議。但是，於透光性基板上依序積層有以可被氟系氣體所蝕刻之材料所構成之相位移轉膜、由鉻系材料所構成之遮光膜、以及以可被氟系氣體蝕刻之材料所構成之硬遮罩膜而成的空白遮罩中，針對遮光膜之較佳構成並未被充分檢討。本發明者針對如此之空白遮罩中的遮光膜之較佳構成努力研究。其結果，所達成的結論為：距離硬遮罩膜最近位置的遮光膜之上層選定成對含氧之氯系氣體之乾式蝕刻的蝕刻速率為遮光膜之中最慢的材料為佳。此外，達成的結論為：遮光層之上層以外的層選定成對含氧之氯系氣體之乾式蝕刻的蝕刻速率快的材料為佳。
若以具備相位移轉圖案之硬遮罩膜為遮罩而將遮光膜以含氧之氯系氣體來乾式蝕刻，則從遮光膜之硬遮罩膜側起逐漸蝕刻而形成相位移轉圖案。只要最接近硬遮罩膜之遮光膜之上層係以側蝕刻小的材料(=蝕刻速率慢的材料)來形成，可減少和在硬遮罩膜所形成之相位移轉圖案的差。當上層選定為側蝕刻大的材料(=蝕刻速率快的材料)之情況，雖以乾式蝕刻將上層圖案化之階段之側蝕刻量也許可減少，但當接著對於遮光膜之上層以外之層做蝕刻之時，上層之圖案側壁的側蝕刻之進行會變大，故不佳。
另一方面，若遮光膜之上層以外之層係以對於含氧之氯系氣體的蝕刻速率快的材料所形成，則可縮短將遮光膜之上層以外之層加以圖案化所需 蝕刻時間，也可縮短著重於遮光膜之側壁的過度蝕刻所需時間。藉此，將遮光膜之上層以外之層做乾式蝕刻之時，可降低遮光膜之上層的側蝕刻。
使得遮光膜成為如此構成之情況，以含氧之氯系氣體之乾式蝕刻所形成之遮光膜之圖案側壁容易成為上層側之側蝕刻小但上層以外之層之側蝕刻不斷前進之截面形狀。但是，設置於相位移轉膜上之遮光膜之情況，即便是如此之垂直性不高的截面形狀，以氟系氣體之乾式蝕刻來於相位移轉膜形成相位移轉圖案之際，做為遮罩可充分發揮機能。
以具備相位移轉圖案之遮光膜為遮罩之相位移轉膜之乾式蝕刻，相位移轉膜之蝕刻不限於沿著和相位移轉膜相接之遮光膜下面附近的圖案側壁面來進行。相位移轉膜之乾式蝕刻係適用異向性蝕刻之趨勢高的蝕刻氣體亦即氟系氣體。再者，此氟系氣體所進行之相位移轉膜之乾式蝕刻，通常是對透光性基板內側施加偏壓而積極地拉引氟系氣體之電漿。因此，蝕刻氣體所致蝕刻垂直性更為提高。相位移轉膜之乾式蝕刻中，遮光膜之圖案側壁最突出的部分(遮光膜蝕刻時之側蝕刻最小的部分，亦即於此情況為遮光膜之上層)會成為蝕刻氣體接觸相位移轉膜之攔阻。再者，通過了無遮光膜之空間的蝕刻氣體因被偏壓所拉引，故幾乎不會往遮光膜之側蝕刻進行著的下面附近之側壁側方向來擴展而和相位移轉膜接觸，逐漸蝕刻相位移轉膜。
如以上般，當遮光膜之上層係適用對於含氧之氯系氣體之乾式蝕刻的蝕刻速率慢的材料(鉻含有量多的材料)，而遮光膜之上層以外之層適用對含氧之氯系氣體之乾式蝕刻的蝕刻速率快的材料(鉻含有量少的材料)，則能以相對薄的厚度來滿足做為遮光膜所要求之遮光性能。與此同時，可使得設置於硬遮罩膜之相位移轉圖案被賦予以更小的差異轉印到相位移轉膜之機能。
但是，經查明，若以具備相位移轉圖案(包含圖案尺寸為50nm以下之SRAF圖案)的硬遮罩膜為遮罩，將具有前述積層構造之鉻系材料的遮光膜以含氧之氯系氣體來乾式蝕刻時，會有形成於遮光膜之相位移轉圖案之一部分出現圖案傾倒之情況。
當對於前述般上層以外之層係適用了鉻含有量少的材料之遮光膜以乾式蝕刻來形成了圖案之情況，容易成為遮光膜圖案之兩側側壁從上層側往相位移轉膜側朝內側挖陷的截面形狀。亦即，遮光膜圖案之下面與相位移轉膜之表面之間的接觸面積容易變小。此現象在圖案線寬變細之SRAF圖案尤其顯著。但是，若為了抑制圖案截面之挖陷而增加遮光膜之上層以外之層全體的鉻含有量，則遮光膜全體之蝕刻速率會降低，發生面內之CD均一性降低。
本發明者針對如此之空白遮罩中遮光膜之較佳構成進而努力研究了。其結果，得到的結論為：使得遮光膜成為上層、中間層、下層之3層構造，而具有對於含氧之氯系氣體之乾式蝕刻的各層之蝕刻速率當中，上層為最慢、中間層為最快、下層雖較上層快但比中間層來得慢之特性為佳。此外，針對具有如此特性之遮光膜進行進一步檢討的結果，乃完成了本發明之空白遮罩。亦即，本發明之空白遮罩所具有之構成為：以含鉻之材料所形成之遮光膜成為下層、中間層、上層之3層構造，上層之鉻含有量為遮光膜之中最多，中間層之鉻含有量為遮光膜之中最少，並含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素(以下，此等金屬元素稱為「銦等金屬元素」)。
如此般，若使得遮光膜中上層之鉻含有量最多，可減少上層之側蝕刻量。藉此，可減少於遮光膜之上層所形成之相位移轉圖案與於硬遮罩膜所形成之相位移轉圖案之圖案形狀的差異。此外若使得遮光膜中之中間層之鉻含有量最少、此處係添加銦等金屬元素，則可一邊抑制中間層之光學濃度(消衰係數k)的降低、一邊提高蝕刻速率。此外，若使得遮光膜中之下層之鉻含有量較中間層來得多，則可降低遮光膜圖案下部之側蝕刻而防止圖案之傾倒。
此外，本發明之又一空白遮罩所具有的構成為：使得以含鉻之材料所形成之遮光膜成為下層以及上層之2層構造，使得上層之鉻含有量較下層來得多，並使得下層之鉻含有量從相位移轉膜側往上層側逐漸變少而成為組成梯度，且使得下層中的上層側含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素(銦等金屬元素)。
即便是如此之構成，也可減少上層之側蝕刻量。此外，若使得遮光膜中之下層之鉻含有量從相位移轉膜側往上層側變少來形成組成梯度，則可降低遮光膜圖案下部之側蝕刻而防止圖案之傾倒。此外若於遮光膜之下層中的上層側添加銦等金屬元素，可一邊抑制遮光膜之光學濃度(消衰係數k)於膜厚方向的中間部分(下層之上層側)出現降低、一邊提高蝕刻速率。
以下，基於圖式來說明上述本發明之詳細構成。此外，各圖中對同樣之構成要素係賦予同一符號來說明。
≪第1實施形態之空白遮罩≫
圖1係本發明之第1實施形態之空白遮罩1之要部截面圖。如此圖所示般，空白遮罩1於透光性基板10之一側之主表面S上，從此透光性基板10側起依序積層有相位移轉膜11、遮光膜13、以及硬遮罩膜15。當中，遮光膜13從相位移轉膜11側起依序積層有下層13a、中間層13b、以及上層13c之3層。此外，空白遮罩1於硬遮罩膜15上也可依必要性積層阻劑膜17。以下，說明空白遮罩1之主要構成部之詳細。
<透光性基板10>
透光性基板10係由對於光微影之曝光製程中所用的曝光光線之穿透性良好的材料所構成。當曝光光線使用ArF準分子雷射光(波長：約193nm)之情況，只要以對其具有穿透性之材料來構成即可。做為如此之材料，除了使用合成石英玻璃以外，也可使用鋁矽酸玻璃、鹼石灰玻璃、低熱膨脹玻璃(SiO2-TiO2玻璃等)、其他各種玻璃基板。尤其，石英基板由於相對於ArF準分子雷射光或是在更短波長區域之透明性高，故可特別適用於本發明之空白遮罩。
此外，此處所說光微影之曝光製程乃於使用此空白遮罩1所製作出之相位移轉遮罩的光微影中之曝光製程，以下所說的曝光光線係定為此曝光製程所使用之曝光光線。此曝光光線也可適用ArF準分子雷射光(波長：193nm)、KrF準分子雷射光(波長：248nm)、i線光(波長：365nm)中任一者，基於曝光製程中相位移轉圖案之微細化觀點，將ArF準分子雷射光適用於曝光光線為佳。因此，以下針對將ArF準分子雷射光適用於曝光光線之情況的實施形態來說明。
<相位移轉膜11>
相位移轉膜11所具有的光學特性為：對於曝光轉印製程所用之曝光光線具有既定穿透率，且可使得穿透相位移轉膜之曝光光線與穿透和相位移轉膜之厚度為相同距離之大氣中的曝光光線產生既定相位差。
如此之相位移轉膜11，此處係以含矽(Si)之材料來形成。此外相位移轉膜11除了矽以外以含氮(N)之材料來形成為佳。如此之相位移轉膜11能以使用氟系氣體之乾式蝕刻來圖案化，對於以下說明之以含鉻(Cr)之材料所形成之遮光膜13能具有充分蝕刻選擇性而圖案化。
此外相位移轉膜11只要可藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻來圖案化，則可進而含有選自半金屬元素、非金屬元素、金屬元素中1以上之元素。
當中，半金屬元素除了矽以外可為任一半金屬元素。非金屬元素除了氮以外可為任一非金屬元素，以例如含有選自氧(O)、碳(C)、氟(F)以及氫(H)中一以上元素為佳。金屬元素可舉例如鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈮(Nb)、釩(V)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、釕(Ru)、錫(Sn)、硼(B)、鍺(Ge)。
如此之相位移轉膜11例如以MoSiN構成，以相對於曝光光線(例如ArF準分子雷射光)滿足既定相位差(例如150〔deg〕~180〔deg〕)與既定穿透率(例如1%~30%)的方式分別選定相位移轉膜11之折射率n、消衰係數k以及膜厚，以成為該折射率n以及消衰係數k的方式調整膜材料之組成、膜之成膜條件。
<遮光膜13>
遮光膜13對於曝光轉印製程所用之曝光光線具有既定值以上之光學濃度(OD)，當使用曝光裝置曝光轉印於半導體基板上之阻劑膜之際，用以避免阻劑膜受到該曝光光線之漏光所致影響的方式進行遮光之膜。此外遮光膜13必須適用對於在相位移轉膜11形成相位移轉圖案之際所用蝕刻氣體(氟系氣體)具有充分蝕刻選擇性之材料。此外，遮光膜13之光學濃度(OD)只要相位移轉膜11與遮光膜13合計的光學濃度(OD)成為既定值以上即可，例如以光學濃度(OD)為3.0以上為佳，至少設定為2.8以上。
如此之遮光膜13，此處係以含鉻(Cr)之材料所形成，具有由鉻(Cr)含有量不同的下層13a、中間層13b、以及上層13c之3層所積層之構造。亦即，遮光膜13中鉻(Cr)含有量若以鉻含有量較多而言依序為上層13c、下層13a、中間層13b。形成此遮光膜13之含鉻之材料除了鉻金屬以外，尚可舉出鉻中含有選自氧、氮、碳、硼、氫以及氟中一以上元素之材料。
再者，基於一邊維持光學濃度(OD)、一邊抑制膜全體蝕刻速率之降低的目的，此遮光膜13也可含有選自銦(In)、錫(Sn)、以及鉬(Mo)中至少1以上之金屬元素(銦等金屬元素)。此銦等金屬元素主要含有中間層13b。此外，此遮光膜13以矽(Si)含有量為10原子%以下為佳，5原子%以下為更佳，以不含矽(Si)為尤佳。此乃由於若遮光膜13中之矽含有量多則會大幅降低使用含氧之氯系氣體之蝕刻速率。
如此之遮光膜13，可藉由使用含氧之氯系氣體之乾式蝕刻而圖案化。此外，此遮光膜13在與含矽(Si)材料所形成之相位移轉膜11之間具有充分的蝕刻選擇性，可在幾乎不會對於相位移轉膜11造成損傷的前提下來蝕刻去除遮光膜13。此遮光膜13對於以下說明之由含矽(Si)材料所形成之硬遮罩膜15具有充分的蝕刻選擇性，能以此硬遮罩膜15為遮罩來進行遮光膜13之圖案化。
若考慮以上，則構成遮光膜13之下層13a、中間層13b、以及上層13c分別具有如下構成。
下層13a為設置於最靠近相位移轉膜11側之層。如此之下層13a之鉻含有量較中間層13b來得多。藉此，當使用含氧之氯系氣體之乾式蝕刻來將遮光膜13加以圖案蝕刻而形成遮光膜圖案之際，可使得遮光膜13中之下層13a的蝕刻速率較中間層13b之蝕刻速率來得小。此結果，即便是對於遮光膜13以等向性蝕刻趨勢大的含氧之氯系氣體進行乾式蝕刻之情況，也可降低遮光膜13中之下層13a側蝕刻，可抑制遮光膜13之圖案崩壞。
下層13a之鉻含有量希望為35原子%以上，以40原子%以上為佳，以45原子%以上為更佳。此外，下層13a之鉻含有量希望為55原子%以下，以50原子%以下為佳。
此外下層13a除了含鉻之材料以外也可含有銦等金屬元素，當含有銦等金屬元素之情況相較於中間層13b係成為少量，也可不含。若下層13a不含銦等金屬元素(為容許因污染等所致混入之程度含有量，例如下層13a中之銦等金屬元素之含有量被容許在1原子%以下之範圍)，則可以組成控制良好方式形成下層13a。
下層13a之厚度希望為20nm以下，以18nm以下為佳，以15nm以下為更佳。若下層13a之厚度過厚，則遮光膜13全體對於含氧之氯系氣體之蝕刻速率會降低。下層13a之厚度希望為3nm以上，以5nm以上為佳，以7nm以上為更佳。若下層13a之厚度過薄，則難以減少面內之下層13a的圖案側壁之側蝕刻量差，而無法得到抑制遮光膜13之圖案崩壞的效果。
中間層13b之鉻(Cr)含有量在遮光膜13之中最少，並為含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素(銦等金屬元素)之層。如此之中間層13b主要因著抑制鉻(Cr)含有量而添加了銦等金屬元素之構成，而成為可抑制光學濃度(OD)之降低並提高蝕刻速率之層。如此之中間層13b中的銦等金屬元素之含有量係考慮遮光膜13全體之光學濃度(OD)來設定，當遮光膜13全體為含有銦等金屬元素之情況，係設定為含量較下層13a以及上層13c來得多。
中間層13b中銦等金屬元素之合計含有量M〔原子%〕相對於鉻與銦等金屬元素之合計含有量(Cr+M)〔原子%〕之比率M/(M+Cr)〔%〕希望為5%以上，以7%以上為佳，以10%以上為更佳。此乃由於可提高對於含氧之氯系氣體之乾式蝕刻的蝕刻速率。另一方面，中間層13b中之M/(M+Cr)〔%〕希望為50%以下，以30%以下為佳，以20%以下為更佳。此乃由於銦等金屬元素M相較於鉻在對於藥液洗淨、溫水洗淨之耐性低。
中間層13b中鉻含有量希望為25原子%以上，以30原子%以上為佳，以35原子%以上為更佳。此外，中間層13b中鉻含有量希望為50原子%以下，以45原子%以下為佳，以40%以下為更佳。
中間層13b之厚度希望為35nm以下，以30nm以下為佳，以25nm以下為更佳。中間層13b之厚度希望為10nm以上，以15nm以上為佳，以20nm以上為更佳。
上層13c乃構成遮光膜13最上層之層，主要用來當作決定對下層之相位移轉膜11進行圖案蝕刻之際之蝕刻形狀的層。如此之上層13c之鉻含有量在遮光膜13中最多，鉻濃度希望為60原子%以上，以65原子%以上為佳，以70原子%以上為更佳。此外，上層13c之鉻含有量以90原子%以下為佳，以80原子%以下為更佳。此乃由於，若上層13c之鉻含有量過多，則對於含氧之氯系氣體之蝕刻速率會大幅降低，對於成為蝕刻遮罩而具有相位移轉圖案之硬遮罩膜15的負荷會增大之故。
如此般，若使得遮光膜13中之上層13c之鉻含有量最多，則以使用含氧之氯系氣體之乾式蝕刻來對遮光膜13進行圖案蝕刻以形成遮光膜圖案之際，可將遮光膜13中之上層13c的蝕刻速率抑制在遮光膜13中最小。此結果，將遮光膜13加以圖案蝕刻來形成遮光膜圖案之際，即便蝕刻氣體使用氧氣體而進行著等向性蝕刻之情況，也可將遮光膜13中之上層13c的等向性蝕刻抑制在最小，可保持良好之遮光膜圖案之俯視形狀。
此外，上層13c中除了含鉻之材料以外也可含有銦等金屬元素，當含有銦等金屬元素之情況，相對於中間層13b係成為少量，也可不含。若上層13c不含銦等金屬元素(為容許因污染等所致混入之程度含有量，例如上層13c中之銦等金屬元素之含有量被容許在1原子%以下之範圍)，則可以組成控制良好方式形成上層13c。
此外如此之上層13c，其膜厚希望為3nm以上，以5nm以上為佳。此外，上層13c希望為8nm以下，以5nm以上為佳。藉此，以具有此上層13c之遮光膜圖案為遮罩所進行之相位移轉膜11之圖案蝕刻中，可將上層13c之圖案形狀高精度轉印於相位移轉膜11。
<硬遮罩膜15>
硬遮罩膜15係以對於蝕刻遮光膜13之時所用之蝕刻氣體具有蝕刻耐性之材料所形成之膜。此硬遮罩膜15之膜厚度只要在遮光膜13形成圖案之乾式蝕刻結束為止之間可發揮蝕刻遮罩機能即足夠，基本上不受光學特性之限制。因此，硬遮罩膜15之厚度相較於遮光膜13之厚度可大幅薄化。
硬遮罩膜15之厚度希望為15nm以下，以10nm以下為佳，以8nm以下為更佳。此乃由於若硬遮罩膜15之厚度過厚，則於硬遮罩膜15形成相 位移轉圖案之乾式蝕刻中，成為遮罩之阻劑膜之厚度將變得必要。硬遮罩膜15之厚度希望為3nm以上，以5nm以上為佳。此乃由於若硬遮罩膜15之厚度過薄，則依蝕刻條件(高偏壓之蝕刻等)之不同，於遮光膜13形成相位移轉圖案之乾式蝕刻結束前，硬遮罩膜15之圖案恐有消失之虞。
此外，於此硬遮罩膜15形成圖案之乾式蝕刻中做為蝕刻遮罩使用之有機系材料之阻劑膜17之膜厚度只要在硬遮罩膜15之乾式蝕刻結束為止之間可發揮蝕刻遮罩機能即已足。因此，相較於未設置硬遮罩膜15之以往之構成，藉由設置硬遮罩膜15可使得阻劑膜17之厚度大幅薄化。
如此之硬遮罩膜15可使用含矽(Si)之材料、含鉭(Ta)之材料。硬遮罩膜15中適切的含矽(Si)材料可舉出於矽(Si)含有選自氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)、以及氫(H)中1以上元素之材料。此外，除此以外之硬遮罩膜15中適切的含矽(Si)材料可舉出於矽(Si)以及過渡金屬中含有選自氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)以及氫(H)中1以上元素之材料。此外，此過渡金屬可舉出例如鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈮(Nb)、釩(V)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、釕(Ru)、錫(Sn)。
另一方面，硬遮罩膜15中適切的含鉭(Ta)材料可舉出於鉭(Ta)中含有選自氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)以及氫(H)中1以上元素之材料。此等當中以鉭(Ta)含有氧(O)之材料為尤佳。如此之材料之具體例可舉出氧化鉭(TaO)、氮氧化鉭(TaON)、硼氧化鉭(TaBO)、硼氮氧化鉭(TaBON)等。
此外，硬遮罩膜15除了矽(Si)以外以含氧(O)之材料來形成為佳。如此之硬遮罩膜15在和以含鉻(Cr)材料所形成之遮光膜13之間具有充分的蝕刻選擇性，可在幾乎不對於遮光膜13造成損傷的前提下來蝕刻去除硬遮罩膜15。
構成如此之硬遮罩膜15之材料的具體例可舉出氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)等。硬遮罩膜15由於有和有機系材料之阻劑膜的密接性低的趨勢，故以對硬遮罩膜15之表面施以HMDS(Hexamethyldisilazane)處理來提高表面密接性為佳。
<阻劑膜17>
本發明之空白遮罩1中，相接於硬遮罩膜15之表面使得有機系材料之阻劑膜17以100nm以下之膜厚來形成為佳。對應於DRAM hp32nm世代之微細圖案之情況，有時會在待形成於硬遮罩膜15之相位移轉圖案設置線寬40nm之SRAF(Sub-Resolution Assist Feature)。但是，即便是於此情況也可如前述般藉由設置硬遮罩膜15來抑制阻劑膜17之膜厚，藉此，可使得以此阻劑膜17所構成之阻劑圖案之截面高寬比低至1：2.5。從而，於阻劑膜17之顯影時，可抑制潤洗時等於阻劑圖案出現崩壞、脫離。此外，阻劑膜17之膜厚以80nm以下為更佳。
<空白遮罩1之製造順序>
以上所構成之空白遮罩1係以如下順序製造。首先，準備透光性基板10。此透光性基板10係端面以及主表面S被研磨至既定表面粗度，之後，施以既定洗淨處理以及乾燥處理者。
其次，於此透光性基板10上以濺鍍法來形成相位移轉膜11。於形成相位移轉膜11後，做為後處理係進行既定加熱溫度之退火處理。之後，於相位移轉膜11上以濺鍍法依序形成遮光膜13之下層13a、中間層13b、上層13c，其次以濺鍍法形成硬遮罩膜15。基於濺鍍法之各層之成膜中，係使用以既定組成比含有構成各層材料之濺鍍靶以及濺鍍氣體、進而依必要性使用氬(Ar)以及氦(He)等惰性氣體做為濺鍍氣體來進行成膜。
之後，當此空白遮罩1具有阻劑膜17之情況，係對硬遮罩膜15之表面施以HMDS處理。其次，在硬遮罩膜15被施以HMDS處理過之表面上，藉由旋塗法類之塗佈法來形成阻劑膜17，完成空白遮罩1。
≪第2實施形態之空白遮罩≫
圖2係本發明之第2實施形態之空白遮罩2之要部截面圖。此圖所示空白遮罩2有別於第1實施形態之空白遮罩之處在於遮光膜13’之構成，其餘構成和第1實施形態同樣。因此，此處僅說明遮光膜13’之構成，而省略重複說明。
<遮光膜13’>
第2實施形態之空白遮罩2中的遮光膜13’有別於第1實施形態之空白遮罩中之遮光膜之處在於，第1實施形態之遮光膜為3層構造，相對於此， 第2實施形態之遮光膜13’為下層13a’與上層13c之2層構造，光學濃度(OD)以及其他構成則和第1實施形態同樣。具有如此之2層之積層構造的遮光膜13’和第1實施形態之遮光膜同樣地係由含鉻(Cr)之材料所形成，再者含有選自銦(In)、錫(Sn)、以及鉬(Mo)中至少1以上之金屬元素(銦等金屬元素)。
當中下層13a’從相位移轉膜11側往上層13c側係以鉻(Cr)含有量變少的方式成為組成梯度。
下層13a’內其相位移轉膜11側區域之鉻(Cr)含有量在下層13a’內為最多。藉此，以使用含氧之氯系氣體的乾式蝕刻來將遮光膜13’做圖案蝕刻而形成遮光膜圖案之際，可使得下層13a’中相位移轉膜11側區域的蝕刻速率較除此以外之區域(上層13c側區域)之下層13a’的蝕刻速率來得小。此結果，即便對於遮光膜13’以等向性蝕刻之趨勢大的含氧之氯系氣體來進行乾式蝕刻之情況，也可降低遮光膜13’當中下層13a’之相位移轉膜11側區域的側蝕刻，可抑制遮光膜13’之圖案崩壞。
下層13a’中相位移轉膜11側區域之鉻含有量希望為35原子%以上，以40原子%以上為佳，以45原子%以上為更佳。此外，下層13a’中相位移轉膜11側區域之鉻含有量希望為55原子%以下，以50原子%以下為佳。
此外下層13a’當中相位移轉膜11側區域可含有銦等金屬元素，當含有銦等金屬元素之情況係設定為較下層13a’中之上層13c側區域來得少之量，也可不含(此處所說不含為容許因污染等所致混入之程度含有量，例如下層13a’中之相位移轉膜11側區域的銦等金屬元素之含有量被容許在1原子%以下之範圍)。
下層13a’中相位移轉膜11側區域之厚度希望為20nm以下，以18nm以下為佳，以15nm以下為更佳。下層13a’中相位移轉膜11側區域之厚度若過厚，會降低遮光膜13’全體相對於含氧之氯系氣體的蝕刻速率。下層13a’中相位移轉膜11側區域之厚度希望為3nm以上，以5nm以上為佳，以7nm以上為更佳。若下層13a’中相位移轉膜11側區域之厚度過薄，將難以減少面內之下層13a’的相位移轉膜11側區域之圖案側壁之側蝕刻量差，而難以得到抑制遮光膜13’之圖案崩壞的效果。
下層13a’中之上層13c側區域的鉻(Cr)含有量在遮光膜13’內最少，且含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素(銦等金屬元素)。藉此，可一邊抑制遮光膜13’全體之光學濃度(OD)之降低、一邊提高蝕刻速率。此上層13c側區域之銦等金屬元素之含有量係考慮遮光膜13全體之光學濃度(OD)來設定，當遮光膜13’全體含有銦等金屬元素之情況，係成為最大含有量。
下層13a’之上層13c側區域中，銦等金屬元素之合計含有量M〔原子%〕相對於鉻與銦等金屬元素之合計含有量(Cr+M)〔原子%〕之比率M/(M+Cr)〔%〕希望為5%以上，以7%以上為佳，以10%以上為更佳。此乃由於可提高對於含氧之氯系氣體之乾式蝕刻的蝕刻速率。另一方面，下層13a’之上層13c側區域中之M/(M+Cr)〔%〕希望為50%以下，以30%以下為佳，以20%以下為更佳。此乃由於銦等金屬元素M相較於鉻在對於藥液洗淨、溫水洗淨之耐性低。
下層13a’之上層13c側區域的鉻含有量希望為25原子%以上，以30原子%以上為佳，以35原子%以上為更佳。此外，下層13a’之上層13c側區域的鉻含有量希望為50原子%以下，以45原子%以下為佳，以40%以下為更佳。
下層13a’之上層13c側區域的厚度希望為35nm以下，以30nm以下為佳，以25nm以下為更佳。下層13a’之上層13c側區域的厚度希望為10nm以上，以15nm以上為佳，以20nm以上為更佳。
上層13c和第1實施形態為同樣之構成，鉻含有量在遮光膜13’中最多。藉由設置如此之上層13c，和第1實施形態同樣地，將遮光膜13’做圖案蝕刻來形成遮光膜圖案之際，即便是蝕刻氣體使用氧氣體而進行著等向性蝕刻之情況，可將遮光膜13’之上層13c的等向性蝕刻壓抑在最小，藉由此上層13c可良好保持遮光膜圖案之俯視形狀。
此外，上層13c中除了含鉻之材料以外也可含有銦等金屬元素，當含有銦等金屬元素之情況，相對於中間層13b係成為少量，另也可不含(和第1實施形態同樣)。
<空白遮罩2之製造順序>
以上構成之空白遮罩2之製造順序直到相位移轉膜11之退火處理為止系和第1實施形態同樣。其次，於相位移轉膜11上以濺鍍法形成下層13a’。此時，以下層13a’之相位移轉膜11側區域之銦等金屬元素之含有量較上層13c側區域之銦等金屬元素之含有量來得多的方式形成組成梯度膜而控制成膜裝置。具體而言，首先，在配置有鉻靶與含銦等金屬元素之靶(僅含有銦等金屬元素之靶或是含有鉻與銦等金屬元素雙方元素所構成之靶)這2個靶的濺鍍室內之旋轉台處設置形成有相位移轉膜11之透光性基板10。然後，對濺鍍室內導入成膜氣體，再者對2個靶的雙方施加電壓，於相位移轉膜11上濺鍍成膜出下層13a’之相位移轉膜11側區域。
此外，此濺鍍成膜係從下層13a’之相位移轉膜11側區域的成膜開始到下層13a’之上層13c側區域之表面成膜結束為止之間，讓含有銦等金屬元素之靶的施加電壓逐漸上升。藉此，下層13a’可成為銦等金屬元素之含有量從相位移轉膜11側往上層13c側逐漸增加之組成梯度膜。此外，也可於此下層13a’之濺鍍成膜時，在此濺鍍成膜之過程中進行改變成膜氣體之稀有氣體與反應性氣體之流量等的調整。下層13a’之成膜後，上層13c與硬遮罩膜15分別以和第1實施形態之情況同樣的順序來成膜。此外，當此空白遮罩2具有阻劑膜17之情況，係以和第1實施形態之情況同樣的順序來塗佈形成。藉由以上順序來製造空白遮罩2。
≪相位移轉遮罩之製造方法以及相位移轉遮罩≫
本發明之相位移轉遮罩之製造方法係使用以圖1所說明過之第1實施形態之空白遮罩的相位移轉遮罩之製造方法、或是使用以圖2所說明過之第2實施形態之空白遮罩的相位移轉遮罩之製造方法。
以下，基於圖3A~圖3D以及圖4A~圖4C來說明相位移轉遮罩之製造方法。此外，圖3A~圖3D以及圖4A~圖4C中雖圖示以圖1所說明過之第1實施形態之空白遮罩，但以此等圖3A~圖3D以及圖4A~圖4C所說明之製造方法也同樣適用於使用以圖2所說明過之第2實施形態之空白遮罩的情況。
首先，如圖3A所示般，對於空白遮罩1之阻劑膜17曝光描繪出待形成於相位移轉膜11之相位移轉圖案以及對準標記圖案。此曝光描繪多為使用電子線之情況。此時，以透光性基板10之中央部分做為相位移轉圖案形成區域10a，於此處曝光描繪出和相位移轉圖案對應之圖案。此外，於相位移轉圖案形成區域10a之外周區域10b則不形成相位移轉圖案而是曝光描繪出對準標記等圖案。之後，對阻劑膜17進行PEB處理、顯影處理、後烘烤處理等既定處理，形成具有相位移轉圖案以及對準標記圖案之第1阻劑圖案17a。
其次如圖3B所示般，以第1阻劑圖案17a為遮罩，進行使用了氟系氣體之硬遮罩膜15的乾式蝕刻，於硬遮罩膜15形成硬遮罩圖案15a。之後，去除第1阻劑圖案17a。此外，此處也可不去除阻劑圖案17a使其殘存來進行遮光膜13a之乾式蝕刻。於此情況同樣地遮光膜13a之乾式蝕刻過程中阻劑圖案17a會消失。
其次如圖3C所示般，以硬遮罩圖案15a為遮罩，進行使用了氯系氣體與氧氣體之混合氣體(含氧之氯系氣體)之遮光膜13之乾式蝕刻，將含有鉻以及銦等金屬元素之遮光膜13加以圖案化。藉此，形成遮光膜圖案13aa。
之後，如圖3D所示般，以遮光膜圖案13aa為遮罩，進行使用了氟系氣體之相位移轉膜11之乾式蝕刻，將以含矽材料所形成之相位移轉膜11加以圖案化。藉此，於透光性基板10之相位移轉圖案形成區域10a形成由相位移轉膜11所圖案化而成之相位移轉圖案20a。此外，於透光性基板10之外周區域10b形成貫通遮光膜13與相位移轉膜11之孔形狀的對準標記圖案20b。此外，在以含有如此之矽的材料所形成之相位移轉膜11之乾式蝕刻中，也將以含矽材料所形成之硬遮罩圖案15a予以同時去除。
其次，如圖4A所示般，以覆蓋透光性基板10之外周區域10b的形狀來形成第2阻劑圖案31。此時，首先於透光性基板10上以旋塗法來形成阻劑膜。其次，以覆蓋透光性基板10中外周區域10b之形狀而殘留阻劑膜的方式對該阻劑膜進行曝光，之後對阻劑膜進行顯影處理等既定處理。藉此，以覆蓋透光性基板10中外周區域10b的形狀來形成第2阻劑圖案31。
之後，如圖4B所示般，以第2阻劑圖案31為遮罩，進行使用了氯系氣體與氧氣體之混合氣體的遮光膜13之乾式蝕刻，以覆蓋外周區域10b之帶狀方式形成由遮光膜13所圖案化而成之遮光圖案20c。
其次，如圖4C所示般，去除第2阻劑圖案31，進行洗淨等既定處理。以上，得到相位移轉遮罩3。
此外，以上製造製程中之乾式蝕刻所使用之氯系氣體只要含Cl並無特別限制。例如，氯系氣體可舉出Cl2、SiCl2、CHCl3、CH2Cl2、CCl4、BCl3等。此外，以上製造製程中之乾式蝕刻所使用之氟系氣體只要含F並無特別限制。例如，氟系氣體可舉出CHF3、CF4、C2F6、C4F8、SF6等。尤其，不含C之氟系氣體由於對玻璃基板之蝕刻速率相對低，而可更為減少對玻璃基板造成之損傷。
如此般所得相位移轉遮罩3只要是使用了以圖1所說明過之第1實施形態之空白遮罩1之情況，即可成為於透光性基板10上從透光性基板10側起依序積層有相位移轉圖案20a被形成之相位移轉膜11以及有遮光圖案20c被形成之遮光膜13的構造。於相位移轉膜11與遮光膜13之積層部具有貫通此等之孔形狀的對準標記圖案20b。
當中相位移轉圖案20a被設置於在透光性基板10之中央部分所設定之相位移轉圖案形成區域10a。此外，遮光圖案20c在包圍相位移轉圖案形成區域10a之外周區域10b係形成為包圍相位移轉圖案形成區域10a的帶狀。此外對準標記圖案20b設置於外周區域10b。
此外，只要是使用了以圖2所說明過之第2實施形態之空白遮罩2的情況，也可成為將圖4C所示遮光膜13更換為以圖2所說明過之遮光膜13’之構成的相位移轉遮罩。
以上說明之相位移轉遮罩之製造方法中，係使用第1實施形態之空白遮罩1來製造相位移轉遮罩。因此，使用圖3C所說明之遮光膜13之乾式蝕刻製程中，因著在蝕刻氣體方面使用等向性蝕刻趨勢強的含氧之氯系氣體而進行著側蝕刻。但是，由於遮光膜13中的上層13c為遮光膜13中鉻濃度最高者，而可將側蝕刻之進行壓到最小，減少相對於上層之硬遮罩圖 案15a之圖案形狀的乖離，藉由此上層13c可良好保持遮光膜圖案13aa之俯視形狀。
此外，由於中間層13b之鉻(Cr)含有量在遮光膜13內最少，故雖容易進行側蝕刻，但可提高蝕刻速率，可縮短遮光膜13全體之蝕刻時間。並且，由於含有銦等金屬元素，而可保持遮光膜13全體之光學濃度(OD)。
此外，下層13a由於鉻(Cr)含有量較中間層13b來得多，故蝕刻速率也較中間層13b來得小，可壓低側蝕刻。其結果，可降低遮光膜13之最下層之側蝕刻而抑制遮光膜圖案13aa之圖案之傾倒。
此外，將如以上般經圖案化之遮光膜圖案13aa做為遮罩之相位移轉膜11之蝕刻中，良好形成了平面形狀之遮光膜13之上層13c係成為遮罩，而可減少相對於硬遮罩圖案15a之圖案形狀之乖離來將相位移轉膜11加以圖案化。
此外，即便是使用了第2實施形態之空白遮罩2的相位移轉遮罩之製造中，同樣地將以圖3C所說明之乾式蝕刻製程適用於遮光膜13’之情況下，會因蝕刻氣體使用等向性蝕刻趨勢強之含氧之氯系氣體而進行著側蝕刻。但是，由於遮光膜13’中之上層13c在遮光膜13中之鉻濃度最高，而可將側蝕刻之進行壓到最小，可減少相對於上層之硬遮罩圖案15a之圖案形狀的乖離，可藉由此上層13c來良好地保持遮光膜圖案13aa’之俯視形狀。
此外，下層13a’之上層13c側區域的鉻(Cr)含有量由於在遮光膜13’內為最少，故雖容易進行側蝕刻，但可提高蝕刻速率，可縮短遮光膜13’全體之蝕刻時間。並且，由於含有銦等金屬元素，可維持遮光膜13’全體之光學濃度(OD)。
此外，由於下層13a’之相位移轉膜11側區域的鉻(Cr)含有量較其上層13c側區域來得多，故蝕刻速率小，可壓低側蝕刻。其結果，可降低遮光膜13’最下層之側蝕刻而可抑制遮光膜圖案13aa’之圖案之傾倒。
此外，在如上述般經圖案化之遮光膜圖案13aa’做為遮罩之相位移轉膜11之蝕刻中，俯視形狀被良好形成之遮光膜13’的上層13c成為遮罩，可使得相對於硬遮罩圖案15a之圖案形狀的乖離小之相位移轉膜11進行圖案化。
≪半導體元件之製造方法≫
本發明之半導體元件之製造方法之特徵在於：係使用前面說明過之相位移轉遮罩或是以相位移轉遮罩之製造方法所製造之相位移轉遮罩，對於基板上之阻劑膜曝光轉印出相位移轉遮罩之轉印圖案(相位移轉圖案)。如此之半導體元件之製造方法係以如下方式進行。
首先，準備形成半導體元件之基板。此基板可為例如半導體基板，也可為具有半導體薄膜之基板，再者也可為於此等上部形成有微細加工膜者。於所準備之基板上形成阻劑膜，對此阻劑膜使用本發明之相位移轉遮罩進行圖案曝光，而將形成於相位移轉遮罩之轉印圖案曝光轉印至阻劑膜。此時，曝光光線係使用和構成轉印圖案之相位移轉膜相對應的曝光光線，例如此處係使用ArF準分子雷射光。
以上之後，對於曝光轉印了轉印圖案之阻劑膜進行顯影處理來形成阻劑圖案，以此阻劑圖案為遮罩來對於基板表層施以蝕刻加工或進行導入雜質之處理。處理結束後，去除阻劑圖案。
以上之處理係一邊更換轉印用遮罩一邊於基板上反覆進行，再者進行必要的加工處理，來完成半導體元件。
以上般之半導體元件之製造中，因著使用本發明之相位移轉遮罩或是以相位移轉遮罩之製造方法所製造之相位移轉圖案之形狀精度良好的相位移轉遮罩，而可於基板上形成可充分滿足初期設計規格精度的阻劑圖案。因此，以此阻劑膜之圖案為遮罩，將下層膜加以乾式蝕刻來形成電路圖案的情況，可在避免因精度不足造成配線短路或斷線的前提下來形成高精度之電路圖案。
實施例
以下，基於實施例對本發明之實施形態更具體的說明。
≪實施例1≫
〔空白遮罩之製造〕
以下述方式製造以圖1所說明之第1實施形態之空白遮罩1。首先，準備主表面之尺寸為約152mm×約152mm、厚度為約6.25mm之合成石英玻 璃所構成之透光性基板10。此透光性基板10之端面以及主表面S被研磨至既定表面粗度，之後，施以既定洗淨處理以及乾燥處理。
其次，以下述表1所示各條件，在透光性基板10上依序形成相位移轉膜11、遮光膜13之下層13a、遮光膜13之中間層13b、遮光膜13之上層13c、硬遮罩膜15。濺鍍成膜係使用DC濺鍍方式之單片式成膜裝置。
其中，濺鍍成膜相位移轉膜11之後，做為成膜後之後處理係以450℃進行30分鐘的退火處理。關於退火處理後之相位移轉膜11，係以相位移轉量測定裝置來測定相對於ArF準分子雷射光之波長(約193nm)的穿透率以及相位差，結果穿透率為5.88%，相位差為177.9度。
此外，於相位移轉膜11上依序濺鍍成膜出下層13a、中間層13b、以及上層13c之後，針對此等層所構成之遮光膜13與相位移轉膜11之積層構造，測定對於ArF準分子雷射光之波長(約193nm)的光學濃度(OD)，結果光學濃度(OD)為3.0以上。
此外，測定從透光性基板10到遮光膜13對於曝光裝置之定位所用波長880nm之光的光穿透率，結果光穿透率為50%以下。
於以上之濺鍍成膜後，於硬遮罩膜15之表面施以HMDS處理。接著，利用旋塗法而相接於硬遮罩膜15表面來以膜厚100nm形成出由電子線描繪用化學放大型阻劑(富士薄膜電子材料公司製PRL009)所構成之阻劑膜17。 藉由以上順序，而製造出空白遮罩1(具備有於透光性基板10上依序積層了相位移轉膜11、3層構造之遮光膜13、硬遮罩膜15、以及阻劑膜17之構造)。
〔圖案形成〕
使用所製作之空白遮罩1，採以下順序來製作相位移轉遮罩3。首先，參見圖3A，對阻劑膜17以電子線描繪出第1圖案(包含待形成於相位移轉膜之相位移轉圖案與對準標記圖案)，進行既定顯影處理以及洗淨處理，來形成第1阻劑圖案17a。第1阻劑圖案17a係以形成對應於SRAF圖案之圖案尺寸的40nm寬之線-間距之相位移轉圖案為目的。
其次，如圖3B所示般，以第1阻劑圖案17a為遮罩，進行使用了氟系氣體(CF4)之硬遮罩膜15之乾式蝕刻，於硬遮罩膜15形成硬遮罩圖案15a。之後，去除第1阻劑圖案17a。其次如圖3C所示般，以硬遮罩圖案15a為遮罩，進行使用了氯氣體(Cl2)與氧氣體(O)之混合氣體的遮光膜13之乾式蝕刻，形成遮光膜圖案13aa。此外，此時遮光膜13之各層中的氯氣體(Cl2)與氧氣體(O)之混合氣體所致乾式蝕刻之蝕刻速率，當以上層13c之蝕刻速率為1時，中間層13b之蝕刻速率之比率為1.8。此外，當以上層13c之蝕刻速率為1時，下層13a之蝕刻速率之比率為3.2。
之後，如圖3D所示般，以遮光膜圖案13aa為遮罩，進行使用了氟系氣體(SF6)之相位移轉膜11之乾式蝕刻。藉此，於透光性基板10之相位移轉圖案形成區域10a形成了相位移轉圖案20a。此外，於透光性基板10之外周區域10b形成貫通遮光膜13與相位移轉膜11之孔形狀的對準標記圖案20b。此外，此時硬遮罩圖案15a也被同時去除。
其次，如圖4A所示般，以覆蓋透光性基板10之外周區域10b的形狀來形成第2阻劑圖案31。之後，如圖4B所示般，以第2阻劑圖案31為遮罩，進行使用了氯(Cl2)氣體與氧氣體(O2)之混合氣體的遮光膜13之乾式蝕刻，以覆蓋外周區域10b之帶狀來形成由遮光膜13經圖案化而成之遮光圖案20c。其次，如圖4C所示般，去除第2阻劑圖案31，進行洗淨等既定處理，得到相位移轉遮罩3。
〔遮光膜圖案13aa之評價(相位移轉膜蝕刻前)〕
於以上之圖案形成中，在形成遮光膜圖案13aa並蝕刻相位移轉膜11之前的階段(參見圖3C)，確認了遮光膜圖案13aa之截面形狀。此結果，如圖5所示般，遮光膜圖案13aa之截面形狀在遮光膜圖案13aa之中間層13b處，雖於圖案之壁面見到側蝕刻所致挖陷，但下層13a之側蝕刻則受到了抑制，成為圖案寬度回復之形狀。此外，相對於硬遮罩圖案15a之尺寸，上層13c之尺寸後退小。
此外，於此階段洗淨了遮光膜圖案13aa之後，確認遮光膜圖案13aa之狀態的結果，於遮光膜圖案並未發生傾倒。一般認為此乃由於因於遮光膜13之下層13a確保了圖案寬度，而可確保其與相位移轉膜11之界面的密接性之故。
〔相位移轉圖案20a之評價〕
針對以遮光膜圖案13aa為遮罩之相位移轉膜11之蝕刻所形成之相位移轉圖案20a，評價其形狀的結果，確認了可得到相對於第1阻劑圖案17a之平面形狀之乖離少的圖案形狀。
此外，對此實施例1之相位移轉遮罩3使用AIMS193(CarlZeiss公司製)以波長193nm之曝光光線進行在半導體元件上之阻劑膜做曝光轉印時的轉印像之模擬。驗證此模擬之曝光轉印像的結果，可充分滿足設計規格。從此結果可說即便將此實施例1之相位移轉遮罩3安置於曝光裝置之遮罩平台而曝光轉印至半導體元件上之阻劑膜，最終於半導體元件上所形成之電路圖案也能以高精度形成。
≪實施例2≫
〔空白遮罩之製造〕
以圖2所說明之第2實施形態之空白遮罩2係和實施例1之製作順序同樣地來製作。其中，關於遮光膜13’之濺鍍成膜係使用了在成膜室內設置了鉻(Cr)靶與銦(In)靶這2個靶、且可對該2個靶同時施加電壓之DC濺鍍方式的單片式成膜裝置。遮光膜13’之下層13a’係在僅對鉻靶施加電壓之狀態下來開始下層13a’之濺鍍成膜，慢慢地提高施加於銦靶之電壓之方法來進行。此外，此時之濺鍍氣體係使用氬、氦、氮以及二氧化碳之混合氣體。 藉此，下層13a’被形成為從相位移轉膜11側(組成Cr：O：C：N=57：19：11：13原子%比)往上層13c側(組成Cr：In：O：C：N=45：5：30：9：11原子%比)成為組成梯度之層構造。
此外，遮光膜13’之上層13c(CrN膜組成Cr：N=73：27原子%比)係僅對鉻靶施加電壓而在濺鍍氣體方面使用了氬與氮之混合氣體之濺鍍成膜來進行。
此外，於相位移轉膜11上依序濺鍍成膜出下層13a’、上層13c後，針對由此等層所構成之遮光膜13’與相位移轉膜11之積層構造，測定對於ArF準分子雷射光之波長(約193nm)的光學濃度(OD)，結果光學濃度(OD)為3.0以上。
此外，對波長880nm之光，從透光性基板10到遮光膜13’之光穿透率為50%以下。
〔圖案之形成〕
使用所製作之空白遮罩2，以和實施例1同樣的順序來製作相位移轉遮罩3。
〔遮光膜圖案13aa’之評價(相位移轉膜蝕刻前)〕
和實施例1同樣地確認了遮光膜圖案之截面形狀。此結果，如圖6所示般，遮光膜圖案13aa’之截面形狀在下層13a’之上層13c側，雖於圖案之壁面見到側蝕刻所致挖陷，但下層13a’之相位移轉膜11側的側蝕刻則受到抑制，成為圖案寬度回復之形狀。此外，相對於硬遮罩圖案15a之尺寸，上層13c之尺寸後退小。
此外，確認了洗淨後之遮光膜圖案13aa’之狀態，結果於遮光膜圖案13aa’並未發生傾倒。一般認為此乃由於在下層13a’之相位移轉膜11側可確保圖案寬度，從而可確保了其與相位移轉膜11之界面的密接性。
〔相位移轉圖案20a之評價〕
針對以遮光膜圖案13aa’為遮罩之相位移轉膜11之蝕刻所形成之相位移轉圖案20a，評價其形狀的結果，確認了可得到相對於第1阻劑圖案17a之平面形狀之乖離少的圖案形狀。
此外，對此實施例2之相位移轉遮罩，使用AIMS193(CarlZeiss公司製)以波長193nm之曝光光線進行了曝光轉印於半導體元件上之阻劑膜時之轉印像的模擬。驗證此模擬之曝光轉印像的結果，可充分滿足設計規格。從此結果可說，即便將此實施例2之相位移轉遮罩3安置於曝光裝置之遮罩平台而曝光轉印至半導體元件上之阻劑膜，最終於半導體元件上所形成之電路圖案能以高精度來形成。
≪實施例3≫
〔空白遮罩之製造〕
做為以圖1所說明之第1實施形態之空白遮罩1的其他實施例，係將實施例3之空白遮罩以和實施例1之製作順序同樣地來製作。但是，關於遮光膜13之中間層13b，係以在成膜室內設置鉻(Cr)與錫(Sn)之混合靶(Cr：Sn=90：10原子%比)而將氬、氦、氮以及二氧化碳之混合氣體做為濺鍍氣體之DC濺鍍法來成膜。此中間層13b之組成為Cr：Su：O：C：N=47：6：27：7：13(原子%比)。
此外，於相位移轉膜11上依序濺鍍成膜出下層13a、中間層13b、上層13c後，針對此等層所構成之遮光膜13與相位移轉膜11之積層構造，測定對於ArF準分子雷射光之波長(約193nm)的光學濃度(OD)，結果光學濃度(OD)為3.0以上。
此外，從透光性基板10至遮光膜13為止對波長880nm之光的光穿透率為50%以下。
〔圖案之形成〕
使用所製作之實施例3之空白遮罩1，以和實施例1同樣的順序來製作實施例3之相位移轉遮罩3。
〔遮光膜圖案13aa之評價(相位移轉膜蝕刻前)〕
與實施例1同樣地確認了遮光膜圖案之截面形狀。此結果，如圖5所示般，遮光膜圖案13aa之截面形狀在遮光膜圖案13aa之中間層13b，雖於圖案之壁面見到側蝕刻所致挖陷，但下層13a之側蝕刻則受到抑制，成為圖案寬度回復之形狀。此外，相對於硬遮罩圖案15a之尺寸，上層13c之尺寸後退小。
此外，此階段於洗淨遮光膜圖案13aa之後，確認了遮光膜圖案13aa之狀態，結果於遮光膜圖案並未產生傾倒。一般認為此乃由於在遮光膜13之下層13a確保了圖案寬度，從而確保了其與相位移轉膜11之界面的密接性之故。
〔相位移轉圖案20a之評價〕
針對以遮光膜圖案13aa為遮罩之相位移轉膜11之蝕刻所形成之相位移轉圖案20a，評價其形狀的結果，確認了可得到相對於第1阻劑圖案17a之平面形狀之乖離少的圖案形狀。
此外，對此實施例3之相位移轉遮罩，使用AIMS193(CarlZeiss公司製)以波長193nm之曝光光線進行了曝光轉印於半導體元件上之阻劑膜之時之轉印像的模擬。驗證此模擬之曝光轉印像的結果，可充分滿足設計規格。從此結果可說，即便將此實施例3之相位移轉遮罩3安置於曝光裝置之遮罩平台而曝光轉印至半導體元件上之阻劑膜，最終於半導體元件上所形成之電路圖案能以高精度來形成。
≪實施例4≫
〔空白遮罩之製造〕
做為以圖2所說明之第2實施形態之空白遮罩2之其他實施例，係以和實施例2之製作順序同樣地來製作實施例4之空白遮罩。但是，關於遮光膜13’之濺鍍成膜，係使用了於成膜室內設有鉻(Cr)靶與錫(Sn)靶這2個靶、且可對該2個靶同時施加電壓之DC濺鍍方式之單片式成膜裝置。遮光膜13’之下層13a’係在僅對鉻靶施加電壓之狀態下開始下層13a’之濺鍍成膜，而慢慢地提高對錫靶所施加之電壓的方法來進行。此外，此時之濺鍍氣體係使用氬、氦、氮以及二氧化碳之混合氣體。藉此，下層13a’係形成為從相位移轉膜11側(組成Cr：O：C：N=58：18：10：14原子%比)起往上層13c側(組成Cr：Sn：O：C：N=44：7：28：9：12原子%比)成為組成梯度之層構造。
此外，於相位移轉膜11上依序濺鍍成膜出下層13a’、上層13c之後，針對此等層所構成之遮光膜13’與相位移轉膜11之積層構造，測定對於ArF 準分子雷射光之波長(約193nm)的光學濃度(OD)，結果光學濃度(OD)為3.0以上。
此外，從透光性基板10至遮光膜13’為止對於波長880nm之光的光穿透率為50%以下。
〔圖案之形成〕
使用所製作之實施例4之空白遮罩2，以和實施例1同樣的順序來製作了相位移轉遮罩3。
〔遮光膜圖案13aa’之評價(相位移轉膜蝕刻前)〕
和實施例2同樣地確認了遮光膜圖案之截面形狀。此結果，如圖6所示般，遮光膜圖案13aa’之截面形狀在下層13a’之上層13c側，雖於圖案之壁面見到側蝕刻所致挖陷，但下層13a’之相位移轉膜11側的側蝕刻則受到抑制，成為圖案寬度回復的形狀。此外，相對於硬遮罩圖案15a之尺寸，上層13c之尺寸後退小。
此外，確認了洗淨後之遮光膜圖案13aa’之狀態的結果，於遮光膜圖案13aa’並未發生傾倒。一般認為此乃由於在下層13a’之相位移轉膜11側確保了圖案寬度，從而確保了其與相位移轉膜11之界面的密接性之故。
〔相位移轉圖案20a之評價〕
針對以遮光膜圖案13aa’為遮罩之相位移轉膜11之蝕刻所形成之相位移轉圖案20a，評價其形狀的結果，確認了可得到相對於第1阻劑圖案17a之平面形狀的乖離少之圖案形狀。
此外，對此實施例4之相位移轉遮罩，使用AIMS193(CarlZeiss公司製)以波長193nm之曝光光線進行了曝光轉印至半導體元件上之阻劑膜之時的轉印像之模擬。驗證此模擬之曝光轉印像的結果，可充分滿足設計規格。從此結果可說，即便將此實施例4之相位移轉遮罩3安置於曝光裝置之遮罩平台而曝光轉印至半導體元件上之阻劑膜，最終於半導體元件上所形成之電路圖案能以高精度來形成。
≪比較例≫
〔空白遮罩之製造〕
在實施例1之製作順序上，僅變更遮光膜之成膜條件來製作空白遮罩。遮光膜係以CrOCN膜組成Cr：O：C：N=55：22：12：11原子%比、膜厚46nm之單層構造來形成。
此外，於相位移轉膜上濺鍍成膜出遮光膜之後，針對遮光膜與相位移轉膜之積層構造，測定對於ArF準分子雷射光之波長(約193nm)的光學濃度(OD)，結果光學濃度(OD)為3.0以上。
此外從透光性基板到硬遮罩膜為止對於波長880nm之光的光穿透率為50%以下。
〔圖案之形成〕
使用所製作之空白遮罩，以和實施例1同樣的順序來製作相位移轉遮罩。
〔遮光膜圖案之評價(相位移轉膜蝕刻前)〕
和實施例1同樣地確認了遮光膜圖案之截面形狀。此結果，如圖7所示般，遮光膜圖案50aa之截面形狀朝向相位移轉膜11側成為圖案壁面挖陷深的形狀。此外，相對於硬遮罩圖案15a之尺寸，遮光膜圖案50aa之上層部分的後退量d大，線相較於硬遮罩圖案15a之圖案變細了。
此外，確認了洗淨後之遮光膜圖案50aa之狀態的結果，於遮光膜圖案50aa發生了傾倒。是以，確認了面內各種圖案線寬之遮光膜圖案50aa之狀態，結果未發生圖案傾倒者為圖案寬度80nm以上。一般認為此乃由於遮光膜圖案50aa之截面形狀朝向相位移轉膜11側成為圖案壁面之挖陷深的形狀，因著其與相位移轉膜之接觸面積狹窄，故於遮光膜圖案50aa與相位移轉膜之界面無法確保可承受洗淨之密接狀態之故。
此外，對此比較例1之相位移轉遮罩，使用AIMS193(CarlZeiss公司製)以波長193nm之曝光光線進行了曝光轉印至半導體元件上之阻劑膜時之轉印像之模擬。驗證此模擬之曝光轉印像的結果，確認了被認為是起因於相位移轉圖案內之SRAF圖案之脫落所造成的轉印不良。從此結果可說，當將此比較例之相位移轉遮罩安置於曝光裝置之遮罩平台而曝光轉印至半導體元件上之阻劑膜的情況，最終於半導體元件上所形成之電路圖案會發生不良部位。
以上，針對本發明之較佳實施形態做了說明，但本發明不限於上述實施形態，可在未脫離本發明主旨的範圍進行各種變更，此等當然也包含在本發明之範圍內。
本申請案係以於2014年3月28日提出申請之日本專利申請第2014-69811號作為優先權基礎，而主張其利益，其揭示係全體當作參考文獻納入本案中。

Claims (22)

  1. 一種空白遮罩，具有於透光性基板上從該透光性基板側起依序積層有相位移轉膜、遮光膜以及硬遮罩膜之構造；該相位移轉膜係以含有矽的材料所形成；該硬遮罩膜係以含有選自矽以及鉭中至少1以上元素的材料所形成；該遮光膜係以含有鉻之材料所形成，具有積層下層、中間層以及上層之3層的構造；該上層之鉻含有量在該遮光膜之中最多；該中間層之鉻含有量在該遮光膜之中最少，且含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素。
  2. 如申請專利範圍第1項之空白遮罩，其中該中間層之該金屬元素之合計含有量在該遮光膜之中最多。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之空白遮罩，其中該上層以及該下層均不含該金屬元素。
  4. 一種空白遮罩，具有於透光性基板上從該透光性基板側起依序積層有相位移轉膜、遮光膜以及硬遮罩膜之構造；該相位移轉膜係以含有矽之材料所形成；該硬遮罩膜係以含有選自矽以及鉭中至少1以上元素的材料所形成；該遮光膜係以含有鉻之材料所形成，具有下層以及上層之積層構造；該上層之鉻含有量較該下層來得多；該下層係以從該相位移轉膜側往該上層側之鉻含有量變少的方式形成組成梯度，且該上層側含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素。
  5. 如申請專利範圍第4項之空白遮罩，其中該下層之上層側之該金屬元素之合計含有量在該遮光膜之中最多。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之空白遮罩，其中該下層之相位移轉膜側以及該上層均不含該金屬元素。
  7. 如申請專利範圍第1或4項之空白遮罩，其中該硬遮罩膜係以含有矽與氧之材料所形成。
  8. 如申請專利範圍第1或4項之空白遮罩，其中該相位移轉膜係以含有矽與氮之材料所形成。
  9. 如申請專利範圍第1或4項之空白遮罩，其中該遮光膜能藉由使用氯系氣體與氧氣體之混合氣體的乾式蝕刻而被圖案化。
  10. 如申請專利範圍第1或4項之空白遮罩，其中該硬遮罩膜以及相位移轉膜能藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻而被圖案化。
  11. 一種相位移轉遮罩之製造方法，係使用如申請專利範圍第1至10項中任一項之空白遮罩；具有下述製程：以該硬遮罩膜上所形成之具有相位移轉圖案的阻劑膜為遮罩，藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻，於該硬遮罩膜形成相位移轉圖案之製程；以形成有該相位移轉圖案之硬遮罩膜為遮罩，藉由使用氯系氣體與氧氣體之混合氣體的乾式蝕刻，於該遮光膜形成相位移轉圖案之製程；以形成有該相位移轉圖案之遮光膜為遮罩，藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻，於該相位移轉膜形成相位移轉圖案，且去除該硬遮罩膜之製程；以及去除該硬遮罩膜之後，以該遮光膜上所形成之具有遮光圖案之阻劑膜為遮罩，藉由使用氯氣體與氧氣體之混合氣體的乾式蝕刻，於該遮光膜形成遮光圖案之製程。
  12. 一種相位移轉遮罩，具有於透光性基板上從該透光性基板側起依序積層有形成了相位移轉圖案之相位移轉膜、以及形成了遮光圖案之遮光膜之構造；該相位移轉膜係以含有矽之材料所形成；該遮光膜係以含有鉻之材料所形成，具有積層下層，中間層以及上層之3層的構造；該上層之鉻含有量在該遮光膜之中最多；該中間層之鉻含有量在該遮光膜之中最少，且含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素。
  13. 如申請專利範圍第12項之相位移轉遮罩，其中該中間層之該金屬元素之合計含有量在該遮光膜之中最多。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之相位移轉遮罩，其中該上層以及該下層均不含該金屬元素。
  15. 一種相位移轉遮罩，具有於透光性基板上從該透光性基板側起依序積層有形成了相位移轉圖案之相位移轉膜、以及形成了遮光圖案之遮光膜之構造；該相位移轉膜係以含有矽之材料所形成；該遮光膜係以含有鉻之材料所形成，具有下層以及上層之積層構造；該上層之鉻含有量較該下層來得多；該下層係以從該相位移轉膜側往該上層側之鉻含有量變少的方式形成組成梯度，且該上層側含有選自銦、錫以及鉬中至少1以上之金屬元素。
  16. 如申請專利範圍第15項之相位移轉遮罩，其中該下層之上層側之該金屬元素之合計含有量在該遮光膜之中最多。
  17. 如申請專利範圍第15或16項之相位移轉遮罩，其中該下層之相位移轉膜側以及該上層均不含該金屬元素。
  18. 如申請專利範圍第12或15項之相位移轉遮罩，其中該相位移轉膜係以含有矽與氮之材料所形成。
  19. 如申請專利範圍第12或15項之相位移轉遮罩，其中該遮光膜能藉由使用氯系氣體與氧氣體之混合氣體的乾式蝕刻而被圖案化。
  20. 如申請專利範圍第12或15項之相位移轉遮罩，其中該相位移轉膜能藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻而被圖案化。
  21. 一種半導體元件之製造方法，具有曝光製程，係使用以申請專利範圍第11項之相位移轉遮罩之製造方法所製造之相位移轉遮罩，藉由光微影法將該相位移轉遮罩之轉印圖案對於基板上之阻劑膜進行圖案轉印。
  22. 一種半導體元件之製造方法，具有曝光製程，係使用如申請專利範圍第12至20項中任一項之相位移轉遮罩，藉由光微影法將該相位移轉遮罩之轉印圖案對基板上之阻劑膜進行圖案轉印。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI684822B (zh) * 2015-09-30 2020-02-11 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 空白遮罩、相位移轉遮罩及半導體元件之製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6544943B2 (ja) * 2014-03-28 2019-07-17 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法
JP5779290B1 (ja) * 2014-03-28 2015-09-16 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法
JP6150299B2 (ja) * 2014-03-30 2017-06-21 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
KR102564650B1 (ko) 2015-03-24 2023-08-08 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법
US10018905B2 (en) * 2015-04-06 2018-07-10 S & S Tech Co., Ltd Phase shift blankmask and photomask
WO2018181891A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 凸版印刷株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法
JP6430585B2 (ja) * 2017-05-17 2018-11-28 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
US11048160B2 (en) * 2017-06-14 2021-06-29 Hoya Corporation Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device
KR20190033283A (ko) 2017-09-21 2019-03-29 삼성전자주식회사 메타표면 광학소자 및 그 제조방법
US20200098980A1 (en) * 2018-09-24 2020-03-26 Spin Memory, Inc. Method for forming high density structures with improved resist adhesion to hard mask
JP7214593B2 (ja) 2019-08-13 2023-01-30 キオクシア株式会社 フォトマスクの製造方法
KR102402742B1 (ko) * 2021-04-30 2022-05-26 에스케이씨솔믹스 주식회사 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크
KR102475672B1 (ko) * 2021-11-03 2022-12-07 에스케이씨솔믹스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
KR102535171B1 (ko) * 2021-11-04 2023-05-26 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201007347A (en) 2008-06-25 2010-02-16 Hoya Corp Phase shift mask blank and phase shift mask

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5230971A (en) * 1991-08-08 1993-07-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photomask blank and process for making a photomask blank using gradual compositional transition between strata
US7314690B2 (en) 2003-04-09 2008-01-01 Hoya Corporation Photomask producing method and photomask blank
TW200909997A (en) * 2004-07-09 2009-03-01 Hoya Corp Photomask blank, photomask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method
JP4405443B2 (ja) * 2004-10-22 2010-01-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
DE602006021102D1 (de) 2005-07-21 2011-05-19 Shinetsu Chemical Co Photomaskenrohling, Photomaske und deren Herstellungsverfahren
JP4933753B2 (ja) 2005-07-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
TWI457697B (zh) 2009-01-15 2014-10-21 Shinetsu Chemical Co 光罩製造方法，空白光罩與乾式蝕刻法
JP5653888B2 (ja) 2010-12-17 2015-01-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP5739375B2 (ja) 2012-05-16 2015-06-24 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
JP5795991B2 (ja) 2012-05-16 2015-10-14 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、および位相シフトマスクの製造方法
JP5779290B1 (ja) * 2014-03-28 2015-09-16 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201007347A (en) 2008-06-25 2010-02-16 Hoya Corp Phase shift mask blank and phase shift mask

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI684822B (zh) * 2015-09-30 2020-02-11 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 空白遮罩、相位移轉遮罩及半導體元件之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015146421A1 (ja) 2015-10-01
KR102234352B1 (ko) 2021-03-31
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JP2015194770A (ja) 2015-11-05
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JP2015194724A (ja) 2015-11-05
JP5779290B1 (ja) 2015-09-16
KR20170139695A (ko) 2017-12-19
US20170075210A1 (en) 2017-03-16
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