TWI635609B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種有機發光二極體顯示器。本發明提供一種有機發光二極體顯示器，包括：一基板；一緩衝層，位於該基板上；一掃描線，在該緩衝層上沿一水平方向延伸；一中間絕緣層，覆蓋該掃描線；一第一溝槽，具有與該掃描線隔開一預定距離的一區段形狀，並且藉由對該中間絕緣層和該緩衝層進行圖案化來暴露該基板中的一部分；一資料線，在由該第一溝槽露出的該基板上及該中間絕緣層上沿一垂直方向延伸；一鈍化層，覆蓋該資料線和該掃描線；以及一彩色濾光片，填充到該第一溝槽中並沉積在該鈍化層上。

Description

有機發光二極體顯示器
本發明係關於一種有機發光二極體顯示器。本發明特別係關於一種通過增強資料線與陰極之間的絕緣性降低資料線的負載的高品質有機發光二極體顯示器。
近來開發出各種平板顯示器(或“FPD”)來克服重且體積大的陰極射線管(或“CRT”)的許多缺點。平板顯示裝置包括：液晶顯示裝置(或“LCD”)、場發射顯示器(FED)、電漿顯示面板(或“PDP”)、電致發光裝置(或“EL”)等。特別是正在發展對主動通道層採用低溫多晶矽(或LTPS)的高品質平板顯示器。
作為自發光顯示裝置，電致發光裝置具有反應速度非常快，亮度非常高，視角大的優點。電致發光裝置可分為無機發光二極體顯示器和有機發光二極體顯示器。由於具有良好的能量效率，較低的汲極電流和藉由電流控制表示顏色和亮度的容易度，更需要使用有機發光二極體的OLED。
第1圖是說明有機發光二極體的結構圖。如第1圖所示，有機發光二極體包括有機發光材料層以及彼此面對的陰極和陽極，其中該有機發光材料層位於該陰極與該陽極之間。有機發光材料層包括：電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、發光層EML、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL。有機發光二極體係由於在發光層EML中的電洞和電子再結合的激發狀態下形成的激發子的能量而發光。
有機發光二極體由於在發光層EML中來自陽極的電洞和來自陰極的電子再結合的激發狀態下形成的激發子的能量而發光。有機發光二極體顯示器可以藉由控制從有機發光二極體的發光層ELM產生和發出的光的量(或 “亮度”)來表示視頻資料，如第1圖所示。
有機發光二極體顯示器(或OLEDD)可以分類為被動矩陣式有機發光二極體顯示器(或PMOLED)和主動矩陣式有機發光二極體顯示器(或AMOLED)。
主動矩陣式有機發光二極體顯示器(或AMOLED)係藉由使用薄膜電晶體(或TFT)控制施加到有機發光二極體的電流來顯示視頻資料。
第2圖是示出主動矩陣式有機發光二極體顯示器(或AMOLED)中一個像素的結構的示例性電路圖。第3圖是示出根據現有技術之有機發光二極體顯示器(或OLED)的結構的平面圖。第4圖是沿著第3圖的切割線I-I'的剖面圖，用於說明現有技術的底部發光型有機發光二極體顯示器的結構。
參考第2圖和第3圖，主動矩陣式有機發光二極體顯示器包括：開關薄膜電晶體ST、連接到該開關薄膜電晶體ST的驅動薄膜電晶體DT、以及連接到該驅動薄膜電晶體DT的有機發光二極體OLE。像素區域由基板SUB上的掃描線SL、資料線DL和驅動電流線VDD的設置來定義。發光區域由在像素區域內形成的有機發光二極體OLE來定義。
開關薄膜電晶體ST形成在掃描線SL和資料線DL正交的位置。開關薄膜電晶體ST用來選擇連接到開關薄膜電晶體ST的像素。開關薄膜電晶體ST包括：從閘極線GL分支的閘極電極SG、與該閘極電極SG重疊的半導體通道層SA、源極電極SS、和汲極電極SD。驅動薄膜電晶體DT用於驅動設置在由開關薄膜電晶體ST選擇的像素上之有機發光二極體OLE的陽極ANO。
驅動薄膜電晶體DT包括：連接到開關薄膜電晶體ST的汲極電極SD的閘極電極DG、半導體通道層DA、連接到驅動電流線VDD的源極電極DS、以及汲極電極DD。驅動薄膜電晶體DT的汲極電極DD連接到有機發光二極體OLE的陽極ANO。有機發光層OL插入陽極ANO與陰極CAT之間。陰極CAT連接到基極電壓節點VSS。在驅動薄膜電晶體DT的閘極電極DG與驅動電流線VDD之間或驅動薄膜電晶體DT的閘極電極DG與驅動薄膜電晶體DT的汲極電極DD之間形成儲存電容Cst。
參考第4圖，將詳細解釋底部發光型有機發光二極體顯示器。在基板SUB上分別形成開關薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT的閘極電極SG、DG。在閘極電極SG和DG上沉積閘極絕緣體GI。在與閘極電極SG和DG重疊的閘極絕緣體GI上分別形成半導體通道層SA和DA。在半導體通道層SA和DA上形成彼此面對並分離的源極電極SS和DS以及汲極電極SD和DD。開關薄膜電晶體ST的汲極電極SD經由穿過閘極絕緣體GI的接觸孔而連接到驅動薄膜電晶體DT的閘極電極DG。鈍化層PAS沉積在具有開關薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT的基板SUB上。
具有這些薄膜電晶體ST和DT的基板的上表面並不處於平坦和/或平滑的狀態，而是處於具有一些階梯的不平坦和/或凹凸不平的狀態。較佳在具有平坦和/或平滑狀態的表面上塗覆有機發光層OL，以確保優良的發光品質。因此，為了使上表面處於平面和平坦的狀態，在基板SUB的整個表面上沉積覆蓋層OC。
然後，在覆蓋層OC上，形成有機發光二極體OLE的陽極ANO。此處，陽極ANO通過穿過覆蓋層OC和鈍化層PAS的接觸孔而與驅動薄膜電晶體DT的汲極電極DD連接。
在具有陽極ANO的基板SUB上，堤部BN形成在具有開關薄膜電晶體ST、驅動薄膜電晶體DT和各種線路DL、SL和VDD的區域上，用於界定發光區。由堤部BN暴露的陽極ANO的部分，將成為發光區域。在由堤部BN暴露的陽極ANO上，沉積有機發光層OL。在有機發光層OL上，沉積陰極CAT。
間隔物SP設置在具有陰極CAT的基板SUB上。較佳地，間隔物SP設置在界定非發光區域的堤部BN上。利用間隔物SP，將位於上側的封裝板ENC與位於下側的基板SUB結合在一起。為了將封裝板ENC與下基板SUB黏合在一起，可以進一步在封裝板ENC與下基板SUB之間插入黏合層或者黏合劑材料(圖未顯示出)。
對於底部發光型全彩色有機發光二極體顯示器而言，係將從有機發光層OL產生的光照射到基板SUB。因此，較佳的是，在覆蓋層OC與鈍化層PAS之間設置彩色濾光片CF，且陽極ANO由透明材料形成。此外，為了將有機發光層OL的光反射到下方，陰極CAT可以由具有優異反射性的金屬材料製成。此外，有機發光層OL可具有展現白光的有機材料。有機發光層OL和陰極CAT可以沉積在基板SUB的整個最表面上。
陰極CAT是用於維持有機發光二極體OLD的基極電壓的電極。為了在穩定的條件下操作有機發光二極體OLD，較佳的是，基極電壓保持連續的水平而沒有任何波動。因此，較佳通過在基板SUB的最表面上沉積低電阻金屬材料來形成陰極CAT。
參考第4圖，陰極CAT完全地覆蓋資料線DL和驅動電流線VDD。在陰極CAT與資料線DL之間以及陰極CAT與驅動電流線VDD之間，設置鈍化層PAS、覆蓋層OC和堤部BN。為了開發具有超高解析度UHD分辨率或更高的有機發光二極體顯示器，線DL和VDD具有高RC(電阻-電容)負載(或電阻)。
對於如第4圖所示的有機發光二極體顯示器，在陰極CAT與資料線DL之間以及陰極CAT與驅動電流線VDD之間形成的寄生電容占寄生電容總量的至少30%。對於具有超高解析度UHD分辨率的顯示器，信號延遲可能由陰極CAT與資料線DL之間以及陰極CAT與驅動電流線VDD之間的RC負載引起，使得正確的視頻資料可能不會供應至像素。
此外，由於有機發光二極體顯示器具有電流操作的特性，當電壓編程具有偏差時；它會導致亮度的差異。隨著RC負載的增加，資料編程的時間間隔也增加。也就是說，增加資料電壓的充電時間。高速操作受到阻礙。
為了克服上述缺點，本發明的目的是提供一種在超高解析度和高速度操作上具有優異視頻品質的有機發光二極體顯示器。本發明的另一目的是提供一種有機發光二極體顯示器，其中藉由降低陰極與資料線之間以及陰極與驅動電流線之間的寄生電容來減小RC負載。
為了完成上述目的，本發明提供一種有機發光二極體顯示器，包括：一基板；一緩衝層，位於該基板上；一掃描線，在該緩衝層上沿一水平方向延伸；一中間絕緣層，覆蓋該掃描線；一第一溝槽，具有一區段形狀，並以一預定距離與該掃描線隔開，且藉由對該中間絕緣層和該緩衝層進行圖案化來暴露出該基板的一部分；一資料線，在經由第一溝槽暴露出的該基板上和該中間絕緣層上，沿一垂直方向延伸；一鈍化層，覆蓋該資料線和該掃描線；以及一彩色濾光片，填充到該第一溝槽中，並沉積在該鈍化層上。
在一個實施例中，該有機發光二極體顯示器進一步包括：一第二溝槽，具有一區段形狀，並以一預定距離與該掃描線隔開，且藉由對該中間絕緣層和該緩衝層進行圖案化來暴露出該基板的一部分；以及一驅動電流線，與該資料線平行，並在經由該第一溝槽暴露出的該基板上和該中間絕緣層上，沿一垂直方向延伸，其中該鈍化層覆蓋該驅動電流線，以及其中該彩色濾光片填充到該第二溝槽，並沉積在該鈍化層上。
在一個實施例中，該有機發光二極體顯示器還包括：一像素區域，由該掃描線、該資料線和該驅動電流線界定；一覆蓋層，覆蓋該彩色濾光片上之該基板的大部分；一陽極，設置在該覆蓋層上之該像素區域內；一堤部，界定該陽極內的一發光區域；一有機發光層，覆蓋該陽極和該堤部；以及一陰極，沉積在該有機發光層上。
在一個實施例中，該有機發光二極體顯示器更包括：一開關薄膜電晶體，連接在該掃描線與該資料線之間；以及一驅動薄膜電晶體，連接在該驅動電流線與該開關薄膜電晶體之間，其中該陽極連接至該驅動薄膜電晶體。
在一個實施例中，該鈍化層、該彩色濾光片、該覆蓋層、該堤部和該有機發光層係堆疊在該資料線與該陰極之間。
在一個實施例中，該資料線在一垂直方向上延伸，該資料線被埋入該等溝槽中，並且被設置在該資料線與該掃描線重疊的該中間絕緣層上，並且在該等溝槽被設置的一第一位置處的該資料線與該陰極之間的一第一距離比在該資料線與該掃描線重疊的一第二位置處的該資料線與該陰極之間的一第二距離更厚，該厚度差對應於該等溝槽的深度。
在一個實施例中，該彩色濾光片填充到該等溝槽中，並且被設置以與該陽極、該資料線和該驅動電流線重疊。
在一個實施例中，該彩色濾光片在該等溝槽之上具有比在該陽極之下的一第二厚度更厚的一第一厚度，並且該第一厚度與該第二厚度之間的差對應於該等溝槽的深度。
在一個實施例中，複數條該掃描線彼此間隔一預定距離排列，該第一溝槽具有在兩個相鄰的掃描線之間的垂直方向上延伸的一區段形狀，並且複數個該第一溝槽沿著該資料線設置。
本發明提供一種有機發光二極體顯示器，其中藉由在陰極與資料線之間以及在陰極與驅動電流線之間插入具有高介電常數的彩色濾光片來減小寄生電容並降低RC負載。根據本發明，藉由選擇性地去除資料線和驅動電流線下方的絕緣層和緩衝層的一些部分來形成溝槽，使得大部分數資料線和驅動電流線被埋入溝槽中。此外，在資料線和驅動電流線上設置彩色濾光片。結果，陰極與資料線之間以及陰極與驅動電流線之間的絕緣距離最大化。利用這種結構，消除了陰極與資料線之間以及陰極與驅動電流線之間的寄生電容，使得資料線和驅動電流線的RC負載最小化。結果，提高了資料線充電特性，使得該結構適合於超高解析度和高速度操作顯示。對超高解析度UHD分辨率或更高而言，即使陰極與資料線之間以及陰極與驅動電流線之間的重疊部分的面積比增加，也可以消除或最小化寄生電容。因此，可以提供優異的顯示品質。此外，本發明提供一種有機發光二極體顯示器，其中資料信號在高速操作下沒有時間延遲，從而確保了亮度均勻性。
ANO‧‧‧陽極
BN‧‧‧堤部
BUF‧‧‧緩衝層
CAT‧‧‧陰極
CF(B)‧‧‧藍色彩色濾光片
CF(G)‧‧‧綠色彩色濾光片
CF(R)‧‧‧紅色彩色濾光片
CF‧‧‧彩色濾光片
Cst‧‧‧儲存電容
DA‧‧‧半導體通道層
DD‧‧‧汲極電極
DG‧‧‧閘極電極
DH‧‧‧接觸孔
PH‧‧‧接觸孔
DL‧‧‧資料線
DS‧‧‧源極電極
DT‧‧‧驅動薄膜電晶體
EIL‧‧‧電子注入層
EML‧‧‧發光層
ENC‧‧‧封裝板
ETL‧‧‧電子傳輸層
GI‧‧‧閘極絕緣層
HIL‧‧‧電洞注入層
HTL‧‧‧電洞傳輸層
IN‧‧‧中間絕緣層
LDC‧‧‧資料線與陰極之間的距離
LS‧‧‧遮光層
OC‧‧‧覆蓋層
OLE‧‧‧有機發光二極體
OL‧‧‧有機發光層
PAS‧‧‧鈍化層
SA‧‧‧半導體通道層
SD‧‧‧汲極電極
SG‧‧‧閘極電極
SL‧‧‧掃描線
SP‧‧‧間隔物
SS‧‧‧源極電極
ST‧‧‧開關薄膜電晶體
SUB‧‧‧基板
TR‧‧‧溝槽
VDD‧‧‧驅動電流線
VSS‧‧‧基極電壓節點
包含在本說明書中以提供對本發明進一步了解以及併入且構成本說明書的一部分的附圖係用以說明本發明的實施例，以及配合發明說明作為解釋本發明的原理。在圖式中：第1圖是說明現有技術之有機發光二極體的結構的圖；第2圖是說明根據現有技術之有機發光二極體顯示器中一個像素的結構的示例性電路圖；第3圖是說明具有現有技術之薄膜電晶體的有機發光二極體顯示器的結構的平面圖；第4圖是沿著第1圖的切割線I-I'的剖面圖，用於說明現有技術之底部發光型有機發光二極體顯示器的結構；第5圖是說明根據本發明較佳實施例之具有薄膜電晶體的有機發光二極體顯示器的結構的平面圖；以及第6圖是沿第5圖的切割線II-II'的剖面圖，用於說明根據本發明較佳實施例之底部發光型有機發光二極體顯示器的結構。
參考附圖，我們將解釋本發明的較佳實施例。在詳細描述中，相同的附圖標記表示相同的元件。然而，本發明不受這些實施例的限制，但是 可以應用於各種改變或修改而不改變技術精神。在以下的實施方式中，考慮說明容易來選擇元件的名稱，這使得它們可能與實際名稱不同。
在下文中參考第5圖和第6圖，將解釋本發明的較佳實施例。第5圖是示出根據本發明較佳實施例之具有薄膜電晶體的有機發光二極體顯示器的結構的平面圖。第6圖是沿第5圖的切割線II-II'的剖面圖。用於說明根據本發明的較佳實施例的底部發光型有機發光二極體顯示器的結構。
參考第5圖，主動矩陣式有機發光二極體顯示器包括以矩陣方式排列在基板SUB上的複數個像素區域。一個像素區域被界定為由在水平方向上延伸的掃描線SL和在垂直方向上延伸的資料線DL和驅動電流線VDD包圍的區域。在像素區域中，設置開關薄膜電晶體ST、連接到該開關薄膜電晶體ST的驅動薄膜電晶體DT和連接到該驅動薄膜電晶體DT的有機發光二極體OLE。發光區域被界定為在像素區域內形成的有機發光二極體OLE。
開關薄膜電晶體ST形成在掃描線SL和資料線DL正交的位置。開關薄膜電晶體ST用於選擇連接到開關薄膜電晶體ST的像素。開關薄膜電晶體ST包括：從掃描線SL分支的閘極電極SG、與閘極電極SG重疊的半導體通道層SA、源極電極SS和汲極電極SD。
驅動薄膜電晶體DT用於驅動設置在由開關薄膜電晶體ST選擇的像素上的有機發光二極體OLE。驅動薄膜電晶體DT包括：連接到開關薄膜電晶體ST的汲極電極SD的閘極電極DG；半導體通道層DA；連接到驅動電流線VDD的源極電極DS；以及汲極電極DD。
驅動薄膜電晶體DT的汲極電極DD連接到有機發光二極體OLE的陽極ANO。在陽極ANO與陰極CAT之間設置有機發光層OL。基極電壓VSS被提供給陰極CAT。在驅動薄膜電晶體DT的閘極電極DG與驅動電流線VDD之間或驅動薄膜電晶體DT的閘極電極DG與驅動薄膜電晶體DT的汲極電極DD之間形成儲存電容Cst。
在每個像素區域設置彩色濾光片CF。特別地，彩色濾光片CF最好填滿整個像素區域。例如，資料線DL配置在一個像素區域的左側，驅動電流線VDD配置在像素區域的右側。在像素區域的上側和下側分別設置一條掃描線SL。由於一個像素區域具有任何一個彩色濾光片CF，彩色濾光片CF覆蓋資料線DL、驅動電流線VDD、和下掃描線SL，並且填充像素區域的內部。
對於另一示例，一個彩色濾光片CF可以設置在每個像素行處。在這種情況下，彩色濾光片CF可以覆蓋位於左側的資料線DL和位於右側的驅動電流線VDD，從而填充一行像素區域的整個區域。上下掃描線SL都被相同的彩色濾光片CF覆蓋。
當紅色彩色濾光片CF(R)、綠色彩色濾光片CF(G)和藍色彩色濾光片CF(B)中之一被填充在任何一個像素區域中時，紅色彩色濾光片CF(R)、綠色彩色濾光片CF(G)和藍色彩色濾光片CF(B)交替地排列。在某些情況下，可以添加白色彩色濾光片。如第5圖所示，為了方便起見，顯示了在一個像素區域分配一個彩色濾光片CF。
此外，彩色濾光片CF可以不設置在形成薄膜電晶體ST和DT的部分處。例如，彩色濾光片CF可以覆蓋有機發光二極體OLE的陽極ANO，位於左側的資料線DL，位於右側的驅動電流線VDD以及一些掃描線SL，而不覆蓋薄膜電晶體ST和DT和儲存電容Cst。薄膜電晶體ST和DT可以具有接觸孔DH和PH。當彩色濾光片CF覆蓋薄膜電晶體ST和DT時，很難形成接觸孔DH和PH。因此，較佳的是，彩色濾光片CF不覆蓋薄膜電晶體ST和DT。
在下文中，參考第6圖，將詳細解釋底部發光型有機發光二極體顯示器的結構。首先在基板SUB上設置遮光層LS。該遮光層LS用於防止來自外部的光侵入到薄膜電晶體的通道區域中。
對於超高解析度的有機發光二極體顯示器而言，較佳具有高速操作的優點的多晶半導體材料適合用於通道層。對於多晶半導體材料而言，較佳薄膜電晶體具有頂部閘極結構(top gate structure)，以確保製造優點。對於具有頂部閘極結構的薄膜電晶體的底部發光型顯示器的情況，半導體通道層可能容易地暴露於外部光。為了保護通道層免受外部光線的影響，較佳首先在基板SUB上形成遮光層LS，稍後形成薄膜電晶體。
在具有遮光層LS的基板SUB的表面上，沉積緩衝層BUF。在緩衝層BUF上，形成開關薄膜電晶體ST的半導體通道層SA和驅動薄膜電晶體DT的半導體通道層DA。特別地，半導體通道層SA和DA較佳設置在被遮光層LS覆蓋的區域內。在半導體通道層SA和DA的中心部分，形成閘極電極SG和DG，該等閘極電極SG和DG與半導體通道層SA和DA交疊，且在其之間具有閘極絕緣層GI。
中間絕緣層IN沉積在具有半導體通道層SA和DA以及閘極電極SG和DG的基板SUB上。中間絕緣層IN用於確保掃描線SL與資料線DL之間以及掃描線SL與驅動電流線VDD之間的絕緣性。中間絕緣層IN具有接觸孔，用於使一些半導體通道層SA和DA暴露和用於使開關薄膜電晶體ST的閘極SG暴露。利用該等接觸孔，形成溝槽TR。較佳地，通過對中間絕緣層IN和在其下方的緩衝層BUF進行圖案化來形成溝槽TR。
例如，溝槽TR可以具有對應於資料線DL和驅動電流線VDD的形狀的區段形狀(segment shape)。當資料線DL和驅動電流線VDD與掃描線SL交叉時，溝槽TR沿著垂直方向不具有與基板SUB的整個長度交叉的長線。較佳地，溝槽TR在垂直方向上在兩個相鄰的掃描線SL之間具有短區段。複數個溝槽TR沿垂直線形成一系列區段。在溝槽TR內，設置資料線DL和驅動電流線VDD。
資料線DL和驅動電流線VDD的大部分可以直接接觸由溝槽TR暴露的基板SUB的上表面。然而，在與掃描線SL的交叉部分，資料線DL和驅動電流線VDD設置在中間絕緣層IN上。從資料線DL分支的開關薄膜電晶體ST的源極電極SS可以設置在中間絕緣層IN上。此外，從驅動電流線VDD分支的驅動薄膜電晶體DT的源極電極DS也可以設置在中間絕緣層IN上。同樣地，汲極電極SD和DD也可以設置在中間絕緣層IN上。此外，源極電極SS和DS以及汲極電極SD和DD分別通過形成在中間絕緣層IN的接觸孔而與半導體通道層一側的SA和另一側的DA接觸。此外，開關薄膜電晶體ST的汲極電極SD通過形成在中間絕緣層IN的汲極電極接觸孔DH而接觸驅動薄膜電晶體DT的閘極電極DG。
在具有薄膜電晶體ST和DT、資料線DL和驅動電流線VDD的基板SUB的整個表面上沉積鈍化層PAS。該鈍化層PAS可以具有溝槽TR的階梯覆蓋(step coverage)。
彩色濾光片CF設置在鈍化層PAS上。彩色濾光片CF較佳比稍後形成的陽極ANO稍大的面積。此外，彩色濾光片CF較佳覆蓋整個溝槽TR。然而，較佳的是，彩色濾光片CF不覆蓋薄膜電晶體ST和DT。當彩色濾光片CF包括有機材料時，其被塗覆為填充溝槽TR的內部並且在塗覆區域上分布，使得彩色濾光片CF的頂表面在塗覆區域上具有均勻的高度。也就是說，彩色濾光片CF當填充溝槽TR時，可以塗覆在鈍化層PAS上。
在每個像素區域，分配紅色彩色濾光片CF(R)、綠色彩色濾光片CF(G)和藍色彩色濾光片CF(B)中的任何一者。任何一個溝槽TR內，設置一個像素的資料線DL和左下一個像素的驅動電流線VDD。因此，在任何一個溝槽TR內，可以填充兩個彩色濾光片CF。在另一種情況下，在任何一個溝槽TR內，僅任何一個彩色濾光片CF可以被填充。第6圖示出了兩個相鄰彩色濾光片CF填充在任何一個溝槽TR中。
具有薄膜電晶體ST和DT的基板SUB可能具有不平坦表面的狀態。當彩色濾光片CF被設置時，基底的表面可以具有一些平坦的狀態。然而，由於彩色濾光片CF不覆蓋薄膜電晶體ST和DT，因此頂表面仍具有不均勻的狀態。較佳在具有平坦和/或平滑狀態的表面上塗覆有機發光層OL，以確保優良的發光品質。因此，為了使上表面處於平面和平坦的狀態，在基板SUB的整個表面上沉積覆蓋層(或平面層)OC。
在覆蓋層OC上，形成有機發光二極體OLE的陽極ANO。此處，陽極ANO通過形成在覆蓋層OC和鈍化層PAS上的像素接觸孔PH而連接到驅動薄膜電晶體DT的汲極電極DD。
在具有陽極ANO的基板SUB上形成覆蓋開關薄膜電晶體ST、驅動薄膜電晶體DT和線DL、SL以及VDD的堤部BN作為界定發光區域。將陽極ANO的暴露部分界定為發光區域。在具有堤部BN的基板SUB的整個表面上，設置有機發光層OL。在具有有機發光層OL的基板SUB的整個表面上，沉積陰極CAT。
有機發光二極體OLE由堤部BN暴露的陽極ANO、堆疊在陽極ANO上的有機發光層OL和堆疊在發光層OL上的陰極CAT所形成。當將有機發光二極體OLE的光照射到彩色濾光片CF時，形成底部發光型有機發光二極體顯示器。
如第6圖所示，根據本發明的有機發光二極體顯示器具有資料線DL和驅動電流線VDD埋入藉由對中間絕緣層IN和緩衝層BUF進行圖案化所形成的溝槽TR中的結構。此外，具有資料線DL和驅動電流線VDD的溝槽TR被彩色濾光片CF覆蓋。結果，鈍化層PAS、彩色濾光片CF、覆蓋層OC和堤部BN堆疊在陰極CAT與資料線DL之間以及陰極CAT與驅動電流線VDD之間。特別地，當彩色濾光片CF填充到溝槽TR中時，彩色濾光片CF的該部分比其他部分厚。例如，填充溝槽TR的彩色濾光片CF的厚度比堆疊在陽極ANO下方的彩色濾光片CF的厚度及間絕緣層IN和緩衝層BUF的圖案部分的厚度厚。
通過比較第6圖和第4圖，清楚的是根據本發明的資料線DL與陰極CAT之間的距離LDC比根據現有技術的資料線DL與陰極CAT之間的距離LDC長得多。此外，由於與其他元件相比具有較高的介電常數的彩色濾光片CF填充到溝槽TR中，所以在資料線DL與陰極CAT之間將確保優良的絕緣性能。
對於根據本發明的有機發光二極體顯示器而言，可以消除或最小化資料線DL和/或驅動電流線VDD上的RC延遲。結果，資料充電特性優異且適於進行高速操作。對於一個資料線通常用於水平相鄰的兩個像素的DRD結構的情況，資料編程需要比正常結構高兩倍的速度。將本發明的特徵應用於DRD結構，資料信號延遲可以被消除或最小化，從而獲得高速資料編程。也就是說，本發明提供一種具有均勻的亮度特性和高速操作的有機發光二極體顯示器。
此外，當製造具有超高解析度UHD分辨率或更高的有機發光二極體顯示器時，資料線DL和驅動電流線VDD的數量顯著增加。隨著線數的增加，與陰極CAT的重疊部分的總面積增加，使得寄生電容將顯著增加。這會導致資料線上的信號延遲，並且會影響顯示品質的缺陷結果，例如亮度的高差異性。當將本發明的特徵應用於具有超高解析度UHD分辨率或更高的有機發光二極體顯示器時，在陰極CAT與資料線DL之間以及陰極CAT與驅動電流線VDD之間形成的寄生電容將被最小化。因此，本發明提供一種具有超高密度解析度和優異視頻品質的有機發光二極體顯示器。
在本發明的較佳實施例中，用具有頂部閘極薄膜電晶體的底部發光型有機發光二極體顯示器進行了解釋。然而，本發明的特徵可以應用於具有底部閘極薄膜電晶體的底部發光型有機發光二極體顯示器。例如，除了遮光層之外，首先在基板上沉積緩衝層。閘極電極和掃描線形成在緩衝層BUF上。然後，形成閘極絕緣層和半導體通道層。之後，形成源極電極、汲極電極和資料線。在形成資料線之前，藉由圖案化閘絕緣層和緩衝層來形成溝槽，使得資料線被埋入溝槽中。沉積鈍化層和彩色濾光片時，資料線可能被厚彩色濾光片覆蓋。
雖然已經參考附圖詳細描述了本發明的實施例，但是本領域技術人員將會理解，本發明可以以其他具體形式實現，而不改變本發明的技術精神或基本特徵。因此，應當注意，前述實施例在所有方面僅僅是說明性的，而不應被解釋為限制本發明。本發明的範圍由所附申請權利範圍而不是本發明的詳細描述來限定。在申請權利範圍的含義和範圍內作出的所有改變或修改或其均等物應被理解為落在本發明的範圍內。
本申請主張於2016年7月29日提交的韓國專利申請第10-2016-0097461號的優先權和權益，該專利申請的全部內容在此通過引用併入本文中。

Claims (9)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，包括：一基板；一緩衝層，位於該基板上；一掃描線，在該緩衝層上沿一水平方向延伸；一中間絕緣層，覆蓋該掃描線；一第一溝槽，具有一區段形狀，並以一預定距離與該掃描線隔開，且藉由對該中間絕緣層和該緩衝層進行圖案化來暴露出該基板的一部分；一資料線，在經由該第一溝槽暴露出的該基板上和該中間絕緣層上，沿一垂直方向延伸；一鈍化層，覆蓋該資料線和該掃描線；以及一彩色濾光片，填充到該第一溝槽中，並沉積在該鈍化層上。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示器，進一步包括：一第二溝槽，具有一區段形狀，並以一預定距離與該掃描線隔開，且藉由對該中間絕緣層和該緩衝層進行圖案化來暴露出該基板的一部分；以及一驅動電流線，與該資料線平行，並在經由該第一溝槽暴露出的該基板上和該中間絕緣層上，沿一垂直方向延伸，其中，該鈍化層覆蓋該驅動電流線，以及其中，該彩色濾光片填充到該第二溝槽，並沉積在該鈍化層上。
  3. 依據申請專利範圍第2項所述的有機發光二極體顯示器，還包括：一像素區域，由該掃描線、該資料線和該驅動電流線界定；一覆蓋層，覆蓋該彩色濾光片上之該基板的大部分；一陽極，設置在該覆蓋層上之該像素區域內；一堤部，界定該陽極內的一發光區域；一有機發光層，覆蓋該陽極和該堤部；以及一陰極，沉積在該有機發光層上。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述的有機發光二極體顯示器，更包括：一開關薄膜電晶體，連接在該掃描線與該資料線之間；以及一驅動薄膜電晶體，連接在該驅動電流線與該開關薄膜電晶體之間，其中，該陽極連接至該驅動薄膜電晶體。
  5. 依據申請專利範圍第3項所述的有機發光二極體顯示器，其中，該鈍化層、該彩色濾光片、該覆蓋層、該堤部和該有機發光層係堆疊在該資料線與該陰極之間。
  6. 依據申請專利範圍第3項所述的有機發光二極體顯示器，其中，該資料線在一垂直方向上延伸，其中，該資料線被埋入該等溝槽中，並且被設置在該資料線與該掃描線重疊的該中間絕緣層上，以及其中，在該等溝槽被設置的一第一位置處的該資料線與該陰極之間的一第一距離比在該資料線與該掃描線重疊的一第二位置處的該資料線與該陰極之間的一第二距離更厚，該厚度差對應於該等溝槽的深度。
  7. 依據申請專利範圍第3項所述的有機發光二極體顯示器，其中，該彩色濾光片填充到該等溝槽中，並且被設置以與該陽極、該資料線和該驅動電流線重疊。
  8. 依據申請專利範圍第7項所述的有機發光二極體顯示器，其中，該彩色濾光片在該等溝槽之上具有比在該陽極之下的一第二厚度更厚的一第一厚度，並且該第一厚度與該第二厚度之間的差對應於該等溝槽的深度。
  9. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示器，其中，複數條該掃描線彼此間隔一預定距離排列，其中，該第一溝槽具有在兩個相鄰的掃描線之間的垂直方向上延伸的一區段形狀，以及其中，複數個該第一溝槽沿著該資料線設置。
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