TWI634616B - 半導體用治具、半導體的保護層針孔測試用的治具及方法 - Google Patents

Abstract

一種半導體用治具，包括底座與一對耳部。所述底座的表面上具有多數個溝槽。每一所述溝槽中具有多數個第一貫孔。所述一對耳部相對設置在所述底座的外緣且自所述底座的所述表面向上延伸，每一耳部具有開孔。

Description

半導體用治具、半導體的保護層針孔測試用的治具及方法

本發明實施例是有關於一種半導體製程用治具及半導體之保護層針孔測試方法。

半導體元件廣泛使用於電子產品中。半導體元件的頂層通常會沉積一層保護層來保護。保護層中若有針孔或裂紋等缺陷，很可能會導致半導體元件報廢（failure）。因此，保護層在整個半導體製程中扮演非常重要的角色。

為了確保保護層的品質，在形成保護層之後通常會進行針孔測試。針孔測試的方法是將已經沉積保護層的半導體晶圓裁切成數片之後，每一次只將一片試片浸置於酸液中來進行。由於每一次僅浸置一片試片，不僅耗時，且耗費大量的化學品。而且，若是保護層的品質不佳、有缺陷，則無法及時改善製程。

本發明實施例提供一種半導體製程用治具，可以同時裝載多片半導體晶圓所切割的多片試片。

本發明實施例提供一種半導體之保護層針孔測試用之治具，可以同時裝載多片半導體晶圓所切割的多片試片，以同時進行針孔測試。

本發明實施例提供一種半導體之保護層針孔測試方法，可以對多片半導體晶圓所切割的多片試片同時進行針孔測試，以提升速率，節省製程的時間，並節省酸液的使用。

本發明一些實施例提供一種半導體用治具，包括底座與一對耳部。所述底座的表面上設有多數個溝槽，其中每一所述溝槽中具有多數個第一貫孔。所述耳部相對設置在所述底座的外緣且自所述底座的所述表面向上延伸，每一所述耳部具有開孔。

本發明另一些實施例提供一種半導體之保護層針孔測試用之治具，包括底座、一對耳部以及可拆卸式上蓋。底座，具有相對的第一表面與第二表面，所述底座的所述第一表面上設有多數個溝槽，其中所述溝槽沿著第二方向平行設置，用以載置多數片試片，且每一溝槽中具有多數個第一貫孔，貫穿所述底座的所述第二表面。耳部，沿著通過所述底座中心之第一方向，相對設置在所述底座的外緣。每一耳部包括主體部，自所述底座的所述第一表面向第三方向延伸；以及延伸部，自所述主體部的頂部向所述第三方向延伸且具有開孔，其中所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向不同。所述可拆卸式上蓋具有凸部、一對卡槽以及插孔。所述一對卡槽的位置與所述延伸部的位置相對應，可以使得所述耳部的所述延伸部穿過而凸出於所述可拆卸式上蓋的頂面，且使得所述可拆卸上蓋可以被支撐在所述主體部上，所述凸部位於所述一對卡槽之間，所述插孔貫穿所述可拆卸式上蓋。

本發明另一些實施例提供一種半導體之保護層針孔測試方法，包括下列步驟。提供多數片半導體晶圓。將所提供的所述半導體晶圓裁切成多數片試片。將所述多數片試片同時浸置於酸液中。

本發明實施例之半導體製程用治具，可以同時裝載多片半導體晶圓所切割的多片試片。

本發明實施例之半導體之保護層針孔測試用之治具，可以同時裝載多片半導體晶圓所切割的多片試片，以同時進行針孔測試。

本發明實施例之半導體的保護層針孔測試方法，可以對多片半導體晶圓所切割的多片試片同時進行針孔測試，以提升速率，節省製程的時間，並節省酸液的使用。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

以下揭露內容提供用於實施所提供的標的之不同特徵的許多不同實施例或實例。以下所描述的構件及配置的具體實例是為了以簡化的方式傳達本揭露為目的。當然，這些僅僅為實例而非用以限制。舉例來說，於以下描述中，在第一特徵上方或在第一特徵上形成第二特徵可包括第二特徵與第一特徵形成為直接接觸的實施例，且亦可包括第二特徵與第一特徵之間可形成有額外特徵使得第二特徵與第一特徵可不直接接觸的實施例。為了簡單及清楚起見，各種特徵可任意地繪示為不同尺寸。此外，本揭露在各種實例中可重複使用元件符號以及/或字母。元件符號的重複使用是為了簡單及清楚起見，且並不表示所欲討論的各個實施例及/或配置本身之間的關係。

另外，為了易於描述附圖中所繪示的一個構件或特徵與另一組件或特徵的關係，本文中可使用例如「在...下」、「在...下方」、「下部」、「在…上方」、「上部」及類似術語的空間相對術語。除了附圖中所繪示的定向之外，所述空間相對術語意欲涵蓋元件在使用或操作時的不同定向。設備可被另外定向（旋轉90度或在其他定向），而本文所用的空間相對術語相應地作出解釋。

本發明一些實施例的半導體製程用治具可以用於半導體製程中。在一些實施例中，半導體製程用治具可以用來裝載多片試片，以使多片試片同時進行半導體製程中的各種測試。

圖1A是本發明一些實施例的一種半導體製程用治具的示意圖。圖1B是圖1A的側視圖。圖1C是圖1A的上視圖。圖1D是圖1C切線I-I的剖面圖。圖1E是圖1C切線II-II的剖面圖。圖1F是圖1A的下視圖。圖2A是本發明一些實施例的一種半導體製程用治具的示意圖。圖2B是圖2A的側視圖。圖2C是圖2A切線III-III的剖面圖。圖3A至圖3D為依照本發明一些實施例的數種半導體製程用治具的上視圖。

請參照圖1A與圖1B，在一些實施例中，半導體製程用治具100包括底座10以及耳部40。請參照圖2A與圖2B，在另一實施例中，半導體治100a具100除了包括底座10以及耳部40之外，還包括可拆卸式上蓋60。在一些實施例中，底座10以及耳部40是一體成形。在其他實施例中，底座10以及耳部40分別為個體，且耳部40經由組裝而固定在底座10上。可拆卸式上蓋60可拆卸，且其可與耳部40組裝在一起，而在可拆卸式上蓋60的底面60b與底座10的第一表面10a之間形成試片容置空間。半導體製程用治具100的材料可以是耐化學品之材料，例如是耐酸或是耐鹼的材料。耐酸或是耐鹼的材料可以是聚合物，例如是聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）。

請參照圖1A與圖2A，在一些實施例中，底座10投影在第一方向a1與第二方向a2所構成的平面上的形狀可以是圓形、橢圓形或矩形。底座10的大小與待測的試片的數量以及尺寸有關。在一些實施例中，以12吋的半導體晶圓來說，其每一片半導體晶圓可以裁切成4片試片。底座10上表面設有多個溝槽（或稱狹縫）12。多個溝槽12可以共同載置4片半導體晶圓切割後所形成的16片試片，甚至更多試片。每一溝槽12可以載置一個或是多個試片。在一些實施例中，多個溝槽12之中的每一溝槽12都可以載置至少一試片。在另一些實施例中，多個溝槽12之中的一些溝槽12可以載至試片；多個溝槽12之中的另一些溝槽12或一個溝槽12可以不載置試片。每一片試片的長度例如為13cm~15cm，寬度例如為3.5mm~4mm。在一些示範實施例中，底座10的直徑或寬度範圍例如是200mm左右。底座10的厚度範圍例如是10mm~15mm。

請參照圖1A、圖1C、圖1E、圖2A與圖2C，底座10的第一表面10a（或稱為正面）上設有多數個溝槽12。溝槽12可以用來載置自半導體晶圓裁切下來的試片。在一些實施例中，溝槽12的數目大於或等於16。在一些示範例中，溝槽12的數目範圍例如是16~20。若溝槽12的數目夠多，已有足夠數目的溝槽12，有一些溝槽12可以用來載置試片，而另一些溝槽12可以不用來載置試片。

請參照圖1A與圖2A，溝槽12的形狀可以彼此相同或相異。請參照圖1C，在一些實施例中，溝槽12可以是沿著第二方向a2延伸的直條，直條彼此之間平行排列。請參照圖3A，在其他實施例中，每一溝槽12可以是直條，直條彼此之間不是平行排列。在另一些實施例中，每一溝槽12可以是由直條與其他形狀的條狀物所構成。其他形狀例如是波紋狀、鋸齒狀或其組合。

請參照圖1C與圖1E，溝槽12的深度dp1範圍例如是6mm~8m。溝槽12的寬度W1與試片的厚度有關。換言之，溝槽12的寬度W1與半導體晶圓的厚度有關。在一些實施例中，溝槽12的寬度W1範圍例如2.9mm至3.1mm。在一些實施例中，多數個溝槽12的寬度W1大致相等（如圖1C所示）。若溝槽12的數目夠多，已有足夠數目的溝槽12的寬度為W1，以同時載置多個試片，也可以有一些溝槽14的寬度為W11，W11可以大於或小於W1（如圖3B所示）。

請參照圖1C，再者，溝槽12的間距P1可以相同或是相異。相鄰兩個溝槽12之間的島13的寬度W2可以相同或是相異。溝槽12的間距P1範圍例如是7.8mm~8.2mm。溝槽12之間的島13的寬度W2範圍是4.9mm~5.1mm。

請參照圖1C與圖3C，溝槽12的長度L1大於試片的長度。多數個溝槽12的長度L1可以彼此相同（如圖3C）或是相異（如圖1C）。在一些實施例中，以12吋的半導體晶圓來說，其每一片試片的長度為13cm~15cm，溝槽12的長度L1範圍例如是90mm至180mm。若溝槽12的數目夠多，已有足夠數目的溝槽12的長度L1大於試片的長度，也可以有一些溝槽12的長度L11小於試片的長度（如圖1C所示），而這一些溝槽12則不用來載置試片。

請參照圖1C、圖1E與圖1F，每一溝槽12中具有多數個第一貫孔16。所述第一貫孔16貫穿底座10的第二表面10b（或稱背面）。請參照圖1F，從底座10的第二表面10b觀看，第二表面10b上分布著多個第一貫孔16。請參照圖1E，第一貫孔16的深度dp2範圍例如是1.5mm~3.5nm。第一貫孔16的形狀可以彼此相同或相異。第一貫孔16的形狀例如是圓形、橢圓形、三角形、矩形、多邊形或其組合。第一貫孔16的尺寸或大小可以相同或相異。第一貫孔16的直徑或是邊長範圍例如是2.5mm至3.5mm。每一溝槽12中的第一貫孔16的間距P2可以相同或相異。換言之，每一溝槽12中的第一貫孔16可以等距分布或非等距分布。在另一實施例中，第二表面10b上的第一貫孔16均勻分布。亦即，相鄰溝槽12中的相鄰第一貫孔16其彼此之間的距離是相等的或是不相等的。

請參照圖3D，在一些實施例中，底座10具有足夠的機械強度時，相鄰兩溝槽12之間的島13中也可以具有多數個第二貫孔18。第二貫孔18的深度範圍與底座10的厚度範圍大致相同。第二貫孔18的形狀可以彼此相同或相異。第二貫孔18的形狀可以與第一貫孔16的形狀相同或是相異。第二貫孔18的形狀例如是圓形、橢圓形、三角形、矩形、多邊形或其組合。第二貫孔18的尺寸或大小可以相同或相異。第二貫孔18的直徑或是邊長範圍例如是2.5mm至3.5mm。每一島13中的第二貫孔18的間距可以相同或相異。換言之，每一島13中的第二貫孔18可以等距分布或非等距分布。此外，相鄰島13中的相鄰第二貫孔18其彼此之間的距離是相等的或是不相等的。

請參照圖3C，在另一些實施例中，底座10中溝槽12以及島13以外的區域中也可以形成第三貫孔20。第三貫孔20的深度範圍與底座10的厚度範圍相同。第三貫孔20的形狀可以彼此相同或相異。第三貫孔20的形狀可以與第一貫孔16的形狀相同或是相異。第三貫孔20的形狀例如是圓形、橢圓形、三角形、矩形、多邊形或其組合。第三貫孔20的尺寸或大小可以相同或相異。第三貫孔20的直徑或是邊長範圍例如是2.5mm至3.5mm。第三貫孔20的間距可以相同或相異。換言之，第三貫孔20可以等距分布或非等距分布。

請參照圖1A至圖1D、圖2A至圖2C，兩個耳部40相對設置在底座10的外緣，且自底座10的第一表面10a沿著第二方向a2與第三方向a3延伸。第三方向a3可以與底座10的第一表面10a夾一個角度a，角度a例如是小於或等於90°。在一些實施例中，耳部40設置在通過底座10中心點C的第一方向a1上。第一方向a1、第二方向a2以及第三方向a3不同。在一些實施例中，第一方向a1、所述第二方向a2以及第三方向a3彼此垂直。在一示範實例中，底座10中心點C為原點，且第一方為X軸，第二方向a2為Y軸，第三方向a3為Z軸時，耳部40設置在+X軸與-X軸上，且靠近底座10的外緣處，並且向Y軸與Z軸方向延伸。在一些實施例中，在+X軸上的耳部40與底座10中心點C的距離d2與在-X軸上的耳部40與底座10中心點C的距離d1相同。亦即耳部40以等距設置在+X軸與-X軸上。

請參照圖1A至圖1D、圖2A至圖2C，在一些實施例中，每一耳部40包括主體部42與延伸部46。在一些實施例中，主體部42與延伸部46是一體成形。在其他實施例中，主體部42與延伸部46分別為個體並經由組裝而成耳部40。主體部42設置在底座10的第一表面10a上。延伸部46自主體部42的頂面向第三方向a3延伸。在一些實例中，主體部42的寬度W3大於或等於延伸部46的寬度W4，主體部42的長度L3大於延伸部46的長度L4。換言之，請參照圖1C，在一些實施例中，主體部42投影在底座10的第一表面10a上的形狀是矩形，延伸部46投影在底座10的第一表面10a上的形狀也是矩形，且主體部42投影在底座10的第一表面10a上的面積大於延伸部46投影在底座10的第一表面10a上的面積。換言之，在一些實施例中，主體部42具有未被延伸部46覆蓋的裸露面42a投影在底座10的第一表面10a上的形狀是U型、O型或I型。舉例來說，當延伸部46位於主體部42頂面的右側或左側，且延伸部46的寬度W4小於主體部42的寬度W3且延伸部46的長度L4小於主體部42的長度L3時，裸露面42a為U型，如圖1A所示；當延伸部46位於主體部42頂面的中心處，且延伸部46的寬度W4與長度L4與小於主體部42的寬度W3與長度L3時，則裸露面42a為O型；當延伸部46位於主體部42頂面的右側或左側，且延伸部46的寬度W4小於主體部42的寬度W3且延伸部46的長度L4等於主體部42的長度L3時，則裸露面42a為I型。主體部42的裸露面42a將做為與可拆卸式上蓋60接觸的接觸面。

另外，請參照圖1B，主體部42的高度h3與試片的寬度大小有關。舉例來說，以12吋的半導體晶圓來說，其每一片半導體晶圓可切割成4片長度13cm~15cm且寬度為3.8~4.2cm的試片。在一示範實例中，主體部42的高度h3範圍是50mm~60mm；延伸部46的高度h4範圍是45~55mm。亦即，耳部40的高度H範圍是85mm~105mm。

再者，請參照圖1A、圖1B、圖2A以及圖2B，延伸部46具有開孔50。在一些實施例中，主體部42投影在第二方向a2以及第三方向a3所構成的平面上的形狀是矩形或梯形，延伸部46投影在第二方向a2以及第三方向a3所構成的平面上的形狀是環狀，環的形狀可以是外方內圓環或是內外皆為圓的環。開孔50的形狀例如是圓形、橢圓形、三角形、矩形或多邊形。開孔50的直徑或是邊長範圍例如是15mm至25mm。此外，延伸部46的頂角可以是直角、倒角、或圓角。

請參照圖2A至圖2C，在一些實施例中可拆卸式上蓋60投影在第一方向a1與第二方向a2所構成的平面上的形狀可以與底座10相同或是相似。在一些實施例中，可拆卸式上蓋60投影在第一方向a1與第二方向a2所構成的平面上的形狀可以是圓形、橢圓形、矩形。在一些實施例中可拆卸式上蓋60投影在第一方向a1與第二方向a2所構成的平面上的大小可以與底座10相同或是相近。可拆卸式上蓋60的直徑或寬度範圍例如是200mm。可拆卸式上蓋60的厚度範圍例如是10mm~15mm。

請參照圖1A、圖1B、圖2A以及圖2B，可拆卸式上蓋60具有凸部62以及一對卡槽64。在一些實施例中，凸部62可以是位於可拆卸式上蓋60的中心處。凸部62可方便手持，用以移動可拆卸式上蓋60。兩個卡槽64位於凸部62的兩側。卡槽64的位置與延伸部46的位置相對應，且卡槽64的形狀與大小可以使得耳部40的延伸部46穿過而凸出於可拆卸式上蓋60的頂面60a。可拆卸式上蓋60的底面60b可與主體部42的裸露面42a接觸，藉由主體部42的裸露面42a支撐，而在可拆卸式上蓋60的底面60b與底座10的第一表面10a之間形成試片容置空間。在一些實施例中，可拆卸式上蓋60還具有插孔66。插孔66的形狀例如是圓形、橢圓形、三角形、矩形或多邊形。溫度計可以插入插孔66，以在進行針孔測試時測量所使用之酸液的溫度。

上述的半導體製程用治具100以及100a可以做為半導體的保護層針孔測試用的治具，以用於半導體的保護層的針孔測試（pinhole test）中。

圖4為依照一些實施例的一種針孔測試的流程圖。圖5A至圖5E為依照一些實施例的一種針孔測試的剖面圖。

請參照圖4與圖5A，步驟400，提供多數片半導體晶圓80。在一些實施例中，提供4片半導體晶圓80。半導體晶圓80例如是12吋晶圓。此外，每一半導體晶圓80例如是已形成保護層82的基底81。在至少一實施例中，基底202為矽基底。在一些實施例中，基底81為絕緣層上有矽（silicon on insulating layer，SOI）基底或藍寶石上有矽silicon on sapphire，SOS）基底。基底81包括合適的元素半導體，例如鍺或鑽石；合適的化合物半導體，例如碳化矽、氮化鎵、砷化鎵或磷化銦；或合適的合金半導體，例如矽鍺、矽錫、砷化鋁鎵或砷磷化鎵。保護層82例如是氧化矽、氮化矽、聚醯亞胺（PI）或其組合。半導體基底81與保護層82之間可以是已經形成積體電路元件、隔離結構、金屬內連線、接墊（pade）等。

請參照圖4與圖5B，步驟402，將所提供的多數片半導體晶圓80裁切成多數片試片80a。在一些實施例中，每一半導體晶圓80裁切成4片試片80a。4片半導體晶圓80共裁切成16片試片80a。每一片試片的長度例如為13cm~15cm，寬度例如為3.5mm~4mm。

請參照圖4、圖5C以及圖5D，步驟404，將多片試片80a同時浸置於酸液中。在一些實施例中，將多片試片80a浸置於酸液中的方法包括步驟406與步驟408。

請參照圖4與圖5C，步驟406，將多數片（例如16片）試片80a裝載於半導體製程用治具100a中。更詳細地說，將多數片（例如16片）試片80a分別插入／嵌置於半導體製程用治具100a的底座10的溝槽12（圖1C），使試片80a豎立在底座10上。接著，手持可拆卸式上蓋60的凸部62，將可拆卸式上蓋60的卡槽64對準耳部40的延伸部46，並往下放置，使耳部40的延伸部46穿過可拆卸式上蓋60的卡槽64而凸出於可拆卸式上蓋60的頂面60a，且使得可拆卸式上蓋60可以藉由主體部42的裸露面42a支撐，而與底座10的第一表面10a維持一定距離。

請參照圖4與圖5D，步驟406，將裝載著試片80a的半導體製程用治具100a置於酸槽200之中。更詳細地說，手指可穿過開孔50，抓住耳部40的延伸部46，將載著多數片試片80a的半導體製程用治具100置於酸槽200之中，以同時進行多數片試片（16片試片）80a的針孔測試。針孔的測試是將試片浸沒於加熱的酸液202來進行。在一些實施例中，酸液202是在半導體製程用治具100a置於酸槽200之前先加入於酸槽200之中。半導體製程用治具100a置入於酸槽200時，酸液202可以透過底座10的第一貫孔16（圖1C）、第二貫孔18（圖3D）、第三貫孔20（圖3C）流通。在另一些實施例中，酸液202是在半導體製程用治具100a置於酸槽200之後再加入於酸槽200之中。酸液202例如是磷酸。酸液80a加熱至測試的溫度並維持一段時間。加熱程序可以使用例如是加熱板來進行。在進行加熱程序之前，或在進行加熱的過程中將溫度計204，穿過插孔66，插入酸槽200之中，以測量酸液202的溫度。溫度計204可以是熱電偶溫度計。

本發明實施例之半導體製程用治具可以同時進行多片半導體晶圓（例如是4片半導體晶圓，16片試片）的針孔測試。由於試片是豎立著插入於溝槽之中，因此試片的位置可以固定，試片之間具有一定的距離，不會疊壓在一起。本發明實施例之可拆卸式的上蓋可以避免酸液溢出，確保操作人員的安全。經過實驗證實，本發明實施例的方法可以提升針孔測試的速率，節省製程的時間，提升產量（throughput）並節省酸液的使用。

雖然本實施例及其優點已詳細說明如上，本領域具有通常知識者應理解，在不悖離所附申請專利範圍限定的實施例之精神和範疇內可對本文做出各種改變、置換以及變更。另外，本發明之範疇並不限於本文中所述的製程、機器、製造、物質組成、構件、方法、操作以及步驟之特定實施例。本領域具有通常知識者將容易從本揭露中理解現今存在或往後研發的製程、機器、製造、物質組成、構件、方法、操作或步驟，如本文中所描述的對應實施例可根據本揭露使用，以進行實質上相同功能或達到實質上相同效果。因此，所附申請專利範圍旨在包括像是製程、機器、製造、物質組成、構件、方法、操作或步驟的範疇。此外，構成單獨實施例的每個申請專利範圍以及各種申請專利範圍與實施例的組合皆為本揭露的範圍。

10：底座 10a：第一表面 10b：第二表面 12、14：溝槽 13：島 16：第一貫孔 18：第二貫孔 20：第三貫孔 40：耳部 42：主體部 42a：裸露面 46：延伸部 50：開孔 60：可拆卸式上蓋 60a：頂面 60b：底面 62：凸部 64：卡槽 66：插孔 80：導體晶圓 81：基底 82：保護層 80a：試片 100、100a：半導體製程用治具 200：酸槽 202：酸液 204：溫度計 a1：第一方向 a2：第二方向 a3：第三方向 d1、d2：距離 dp1、dp2：深度 W1、W2、W3、W4、W11：寬度 P1、P2：間距 L1、L3 、L4、L11：長度 h3、h4、H：高度 C：中心點 a：夾角 I-I、II-II、III-III：切線

圖1A是本發明一些實施例的一種半導體製程用治具的示意圖。 圖1B是圖1A的側視圖。 圖1C是圖1A的上視圖。 圖1D是圖1C切線I-I的剖面圖。 圖1E是圖1C切線II-II的剖面圖。 圖1F是圖1A的下視圖。 圖2A是本發明一些實施例的一種半導體製程用治具的示意圖。 圖2B是圖2A切線III-III的剖面圖。 圖2C是圖2A的正視圖。 圖3A至圖3D為依照本發明一些實施例的數種半導體製程用治具的上視圖。 圖4為依照本發明一些實施例的一種針孔測試的流程圖。 圖5A至圖5E為依照一些實施例的一種針孔測試的剖面圖。

Claims (10)

1. 一種半導體用治具，包括：底座，所述底座的表面上具有多數個溝槽，其中每一所述溝槽中設有多數個第一貫孔；以及一對耳部，相對設置在所述底座的外緣且自所述底座的所述表面向上延伸，每一所述耳部具有開孔。
2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體用治具，每一所述耳部更包括主體部與延伸部，所述延伸部自所述主體部的頂部向上延伸。
3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體用治具，更包括可拆卸式上蓋。
4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體用治具，其中所述可拆卸式上蓋具有凸部、一對卡槽以及插孔，所述一對卡槽的位置與所述延伸部的位置相對應，可以使得所述延伸部穿過而凸出於所述可拆卸式上蓋，且使得所述可拆卸式上蓋被支撐在所述主體部上，所述凸部位於所述一對卡槽之間，所述插孔貫穿所述可拆卸式上蓋。
5. 一種半導體之保護層針孔測試用之治具，包括：底座，具有相對的第一表面與第二表面，所述底座的所述第一表面上設有多數個溝槽，其中所述多數個溝槽沿著第二方向平行設置，用以載置多數片試片，且每一所述溝槽中具有多數個第一貫孔，貫穿所述底座的所述第二表面；一對耳部，沿著通過所述底座中心之第一方向，相對設置在所述底座的外緣，其中每一所述耳部包括： 主體部，自所述底座的所述第一表面向第三方向延伸；以及延伸部，自所述主體部的頂部向所述第三方向延伸且具有開孔，其中所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向不同；以及可拆卸式上蓋，具有凸部、一對卡槽以及插孔，其中所述一對卡槽的位置與所述延伸部的位置相對應，可以使得所述耳部的所述延伸部穿過而凸出於所述可拆卸式上蓋，且使得所述可拆卸式上蓋被支撐在所述主體部上，所述凸部位於所述一對卡槽之間，所述插孔貫穿所述可拆卸式上蓋。
6. 如申請專利範圍第5項所述之半導體之保護層針孔測試用之治具，其中每一所述溝槽中的所述第一貫孔等距分布。
7. 如申請專利範圍第5項所述之半導體之保護層針孔測試用之治具，其中相鄰兩個所述溝槽之間的島具有多數個第二貫孔。
8. 一種半導體之保護層針孔測試方法，包括：提供多數片半導體晶圓，每一所述半導體晶圓上已形成保護層；將所提供的每一所述半導體晶圓裁切成多數片試片；以及將所述多數片試片嵌置於半導體製程用治具中，並將所述多數片試片同時浸置於酸液中。
9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體之保護層針孔測試方法，其中將所述多數片試片浸置於酸液中的步驟包括：將裝載著所述多數片試片的所述半導體製程用治具置於酸槽中。
10. 如申請專利範圍第9項所述之半導體之保護層針孔測試方法，其中將所述半導體製程用治具包括如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之治具。