TWI634221B - 電化學元件之製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種電化學元件之製造方法，其可包含下列步驟：在電弧電漿鍍膜設備之電漿源之陽極上設置欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料；以及以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程以形成電化學元件之金屬氧化物薄膜；以及透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至金屬氧化物薄膜。

Description

電化學元件之製造方法
本發明係有關於一種電化學元件之製造方法，特別是一種利用電弧電漿鍍膜技術鍍製欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料之電化學元件之製造方法。
近年來全球溫室效應嚴重，如何節能已是世界各國主要目標之一。現代建築上，玻璃窗已被廣泛應用，當大量應用於建築物及交通工具時會產生高熱，如何避免此缺點是節能的重點之一。
智慧窗(Smart Window)採用電致變色元件，其為一種低耗能之電化學元件，所以非常適合用於節能建築；智慧窗可依據室內使用者所需要的亮度和溫度主動調節可見光及輻射熱的穿透率，因此，此智慧窗在未來節能建築發展上極具市場潛力。另外，電致變色元件在未來還會衍生出許多不同的應用。
二次電池也是一種電化學元件，從智慧手機、相機、汽車及各種工業設備都需要使用二次電池；另外，物聯網(IoT)、可穿戴式裝置和環境感測器都需要新的外形與設計，而這是傳統的電池技術根本無法提供的。而在未來，因此二次電池的應用也會繼續增加。
然而，由於上述電化學元件的製作上需要複雜的真空薄膜製程，導致上述電化學元件的生產成本大幅提高，因此上述電化學元件至現今仍無法 普及。
現有市面上常見之電化學元件產品採用金屬氧化物為主體，故這些電化學元件往往因磁控電漿鍍膜技術的速率偏低使這些電化學元件在無法大量量產。
此外，這些電化學元件的製程中需要於金屬氧化物薄膜摻雜金屬離子。然而，藉由外部注入金屬離子的方式達成金屬離子摻雜會大幅地增加製程成本，且會增加製程的不穩定性。在另一方面，由製作靶材時直接引入的低熔點金屬摻雜更往往造成靶材本身的不穩定以及增加製作靶材的困難，且亦受到低鍍膜速率的限制，因此也會增加整體製程困難度。
因此，如何提出一種電化學元件之製造方法，能夠有效改善習知技藝之電化學元件之製造方法的各種問題已成為一個刻不容緩的問題。
有鑑於上述習知技藝之問題，本發明之其中一目的就是在提供一種電化學元件之製造方法，以解決習知技藝之電化學元件之製造方法的各種問題。
根據本發明之其中一目的，提出一種電化學元件之製造方法，其可包含下列步驟：提供導電基板；在電弧電漿鍍膜設備之電漿源之陽極上設置欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料；以及以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製陽極薄膜於導電基板上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至陽極薄膜。
在一較佳的實施例中，電化學元件之製造方法更可包含下列步驟：以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製離子傳導層於陽極薄膜上，並可同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲 摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至離子傳導層。
在一較佳的實施例中，電化學元件之製造方法更可包含下列步驟：以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製陰極薄膜於離子傳導層上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至陰極薄膜。
在一較佳的實施例中，電化學元件之製造方法更可包含下列步驟：以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製導電薄膜於陰極薄膜上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至導電薄膜。
在一較佳的實施例中，陽極薄膜可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，離子傳導層可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，陰極薄膜可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，導電薄膜可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，電化學元件可為二次電池或電致變色元件。
根據本發明之其中一目的，又提出一種電化學元件之製造方法，其可包含下列步驟：提供導電基板；在電弧電漿鍍膜設備之電漿源之陽極上設置欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料；以及以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製陰極薄膜於導電基板上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至陰極薄膜。
在一較佳的實施例中，電化學元件之製造方法更可包含下列步驟：以 電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製離子傳導層於陰極薄膜上，並可同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至離子傳導層。
在一較佳的實施例中，電化學元件之製造方法更可包含下列步驟：以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製陽極薄膜於離子傳導層上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至陽極薄膜。
在一較佳的實施例中，電化學元件之製造方法更可包含下列步驟：以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製導電薄膜於陽極薄膜上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至導電薄膜。
在一較佳的實施例中，陽極薄膜可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，離子傳導層可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，陰極薄膜可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，導電薄膜可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，電化學元件可為二次電池或電致變色元件。
根據本發明之其中一目的，再提出一種電化學元件之製造方法，其可包含下列步驟：在電弧電漿鍍膜設備之電漿源之陽極上設置欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料；以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程以形成電化學元件之金屬氧化物薄膜；以及透過電弧電漿鍍膜製程時產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料摻雜至 金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，金屬氧化物薄膜可形成於導電基板上。
在一較佳的實施例中，金屬氧化物薄膜可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，金屬氧化物薄膜可為陽極薄膜、離子傳導層、陰極薄膜或導電薄膜。
在一較佳的實施例中，金屬材料或金屬氧化物材料可經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至金屬氧化物薄膜。
在一較佳的實施例中，電化學元件可為二次電池或電致變色元件。
承上所述，依本發明之電化學元件之製造方法，其可具有一或多個下述優點：
(1)本發明之一實施例中，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，因此可有效地提升鍍膜率及沉積速度，使電化學元件之成本降低，且可以大量量產。
(2)本發明之一實施例中，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料於電弧電漿鍍膜製程直接摻雜至金屬氧化物薄膜，因此可減少製程的複雜度以進一步減少成本。
(3)本發明之一實施例中，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，故可有效提升摻雜型金屬氧化物薄膜之離子傳導速度及元件反應時間，因此可改善電化學元件之特性。
(4)本發明之一實施例中，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，故可使摻雜型金屬氧化物薄膜具有奈料多孔結構，因此可進一步改善電化學元件之特性。
(5)本發明之一實施例中，電化學元件之製造方法可利用於各種不同的 電化學元件，故應用上更為廣泛。
1‧‧‧電化學元件
11‧‧‧導電基板
12‧‧‧陽極薄膜
13‧‧‧離子傳導層
14‧‧‧陰極薄膜
15‧‧‧導電薄膜
S21~S26、S41~S46‧‧‧步驟流程
第1圖 係為本發明之電化學元件之第一實施例之示意圖。
第2圖 係為本發明之第一實施例之電化學元件之製造方法之流程圖。
第3圖 係為本發明之電化學元件之第二實施例之示意圖。
第4圖 係為本發明之第二實施例之電化學元件之製造方法之流程圖。
以下將參照相關圖式，說明依本發明之電化學元件之製造方法之實施例，為了清楚與方便圖式說明之故，圖式中的各部件在尺寸與比例上可能會被誇大或縮小地呈現；為使便於理解，下述實施例中之相同元件係以相同之符號標示來說明。
請參閱第1圖，其係為本發明之電化學元件之第一實施例之示意圖。如圖所示，電化學元件1可包含導電基板11、陽極薄膜12、離子傳導層13、陰極薄膜14及導電薄膜15。
陽極薄膜12可設置於導電基板11上。
離子傳導層13可設置於陽極薄膜12上。
陰極薄膜14可設置於離子傳導層13上。
導電薄膜15可設置於陰極薄膜14上。
在本實施例，陽極薄膜12、離子傳導層13、陰極薄膜14及導電薄膜15可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
本實施例之電化學元件1可透過電弧電漿鍍膜技術鍍製陽極薄膜12、離子傳導層13、陰極薄膜14及導電薄膜15於導電基板11上；其中，在電弧電漿鍍膜設備之電漿源之陽極上可設置欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料，並可同時利用電弧電漿鍍膜設備執行電弧電漿鍍膜製程產生之電子 加熱電漿源之陽極的現象將此欲摻雜之金屬材料摻雜至陽極薄膜12、離子傳導層13、陰極薄膜14及導電薄膜15中；在較佳的實施例中，上述金屬材料或金屬氧化物材料可為Li、Mg、Na或其氧化物等等。
首先，使用者可以利用電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製陽極薄膜12於導電基板11上；而由於電弧電漿鍍膜設備之陽極上設置有欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料，因此在鍍製陽極薄膜12於導電基板11上時，可同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至陽極薄膜12。
同樣的，使用者可以利用電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製離子傳導層13於陽極薄膜12上，而在鍍製離子傳導層13於陽極薄膜12上時，可同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至離子傳導層13。
接下來，使用者可以利用電弧電漿鍍膜設備鍍製陰極薄膜14於離子傳導層13上，而在鍍製陰極薄膜14於離子傳導層13上時，可同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至陰極薄膜14。
最後，使用者可以利用電弧電漿鍍膜設備鍍製導電薄膜15於陰極薄膜14上，而在鍍製導電薄膜15於陰極薄膜14上時，可同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將金屬材料或金屬氧化物材料經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至導電薄膜15；如此即可完成電化學元件1的製程。如前述，本實施例之電化學元件1之製造方法可用於形成電化學元件1的任一層，均應包含於本發明之申請專利範圍中。
由上述可知，本實施例之電化學元件1之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，因此可有效地提升鍍膜率及沉積速度，使電化學元件1之成本降低，且可以大量量產。此外，本實施例之電化學元件1之製造方法可利用電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料直接摻雜至金屬氧化物薄膜，因此可減少製程的複雜度以進一步減少成本。另外，本實施例之電化學元件1之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，故可有效提升摻雜型金屬氧化物薄膜之離子傳導速度及元件反應時間，因此可改善電化學元件1之特性。由上述可知，本實施例之電化學元件1之製造方法確實可以改善習知技藝之缺點。
當然，上述僅為舉例，本實施例之電化學元件1之結構及電化學元件1之製造方法可依實際需求進行變化，本發明並不以此為限。
值得一提的是，電化學元件的製作上需要複雜的真空薄膜製程，導致上述電化學元件的生產成本大幅提高，因此上述電化學元件至現今仍無法普及；此外，市面上常見之電化學元件產品採用金屬氧化物為主體，故這些電化學元件往往因磁控電漿鍍膜技術的速率偏低使這些電化學元件在無法大量量產。根據本發明之實施例，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，因此可有效地提升鍍膜率及沉積速度，使電化學元件之成本降低，且可以大量量產。
此外，市面上常見之電化學元件的製程中需要於金屬氧化物薄膜摻雜金屬離子；然而，藉由外部注入金屬離子的方式達成金屬離子摻雜會大幅地增加製程成本，且會增加製程的不穩定性；在另一方面，由製作靶材時直接引入的低熔點金屬摻雜更往往造成靶材本身的不穩定以及增加製作靶材的困難，且亦受到低鍍膜速率的限制，因此也會增加整體製程困難度。 相反的，根據本發明之實施例，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料於鍍膜製程直接摻雜至金屬氧化物薄膜，因此可減少製程的複雜度以進一步減少成本。
此外，根據本發明之實施例，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，故可有效提升摻雜型金屬氧化物薄膜之離子傳導速度及元件反應時間，因此可改善電化學元件之特性。
另外，根據本發明之實施例，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，故可使摻雜型金屬氧化物薄膜具有奈料多孔結構，因此可進一步改善電化學元件之特性。
再者，根據本發明之實施例，電化學元件之製造方法可利用於各種不同的電化學元件，故應用上更為廣泛。由上述可知，本發明實具進步性之專利要件。
請參閱第2圖，其係為本發明之第一實施例之電化學元件之製造方法之流程圖。如圖所示，本實施例之電化學元件1之製造方法可包含下列步驟：
在步驟S21中，提供導電基板。
在步驟S22中，在電弧電漿鍍膜設備之電漿源陽極上設置欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料。
在步驟S23中，以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製陽極薄膜於導電基板上，並可同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將金屬材料或金屬氧化物材料摻雜至陽極薄膜。
在步驟S24中，以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製離子傳導層於陽極薄膜上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿 源之陽極的現象將金屬材料或金屬氧化物材料摻雜至離子傳導層。
在步驟S25中，以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製陰極薄膜於離子傳導層上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的陽極現象將金屬材料或金屬氧化物材料摻雜至陰極薄膜。
在步驟S26中，以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製導電薄膜於陰極薄膜上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將金屬材料或金屬氧化物材料摻雜至導電薄膜。
當然，上述僅為舉例，本實施例之電化學元件1之結構及電化學元件1之製造方法可依實際需求進行變化，本發明並不以此為限。
請參閱第3圖，其係為本發明之電化學元件之第二實施例之示意圖。如圖所示，電化學元件1可包含導電基板11、陰極薄膜14、離子傳導層13、陽極薄膜12及導電薄膜15。
陰極薄膜14可設置於導電基板11上。
離子傳導層13可設置於陰極薄膜14上。
陽極薄膜12可設置於離子傳導層13上。
導電薄膜15可設置於陽極薄膜12上。
同樣的，在本實施例，陰極薄膜14、離子傳導層13、陽極薄膜1214及導電薄膜15可為摻雜型金屬氧化物薄膜。
本實施例之電化學元件1可透過電弧電漿鍍膜技術鍍製陰極薄膜14、離子傳導層13、陽極薄膜12及導電薄膜15於導電基板11上；其中，在電弧電漿鍍膜設備之電漿源之陽極上可設置欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料，並可同時利用電弧電漿鍍膜設備執行電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將此欲摻雜之金屬材料摻雜至陰極薄膜14、離子傳導層13、陽極薄膜12及導電薄膜15中。
由上述可知，與前述實施例不同的是，本實施例是先鍍製陰極薄膜14於導電基板11，再鍍製離子傳導層13於陰極薄膜14上，然後鍍製陽極薄膜12於離子傳導層13上，最後鍍製導電薄膜15於陽極薄膜12上。
當然，上述僅為舉例，本實施例之電化學元件1之結構及電化學元件1之製造方法可依實際需求進行變化，本發明並不以此為限。
請參閱第4圖，其係為本發明之第二實施例之電化學元件之製造方法之流程圖。如圖所示，本實施例之電化學元件1之製造方法可包含下列步驟：
在步驟S41中，提供導電基板。
在步驟S42中，在電弧電漿鍍膜設備之電漿源陽極上設置欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料。
在步驟S43中，以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製陰極薄膜於導電基板上，並可同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將金屬材料或金屬氧化物材料摻雜至陰極薄膜。
在步驟S44中，以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製離子傳導層於陰極薄膜上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將金屬材料或金屬氧化物材料摻雜至離子傳導層。
在步驟S45中，以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製陽極薄膜於離子傳導層上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的陽極現象將金屬材料或金屬氧化物材料摻雜至陽極薄膜。
在步驟S46中，以電弧電漿鍍膜設備透過電弧電漿鍍膜製程鍍製導電薄膜於陽極薄膜上，並同時透過電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將金屬材料或金屬氧化物材料摻雜至導電薄膜。
如前述，本實施例之電化學元件1之製造方法可用於形成電化學元件1 的任一層，均應包含於本發明之申請專利範圍中。
當然，上述僅為舉例，本實施例之電化學元件1之結構及電化學元件1之製造方法可依實際需求進行變化，本發明並不以此為限。
綜上所述，根據本發明之實施例，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，因此可有效地提升鍍膜率及沉積速度，使電化學元件之成本降低，且可以大量量產。
又，根據本發明之實施例，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜製程產生之電子加熱電漿源之陽極的現象將欲摻雜之金屬材料或金屬氧化物材料於鍍膜製程直接摻雜至金屬氧化物薄膜，因此可減少製程的複雜度以進一步減少成本。
此外，根據本發明之實施例，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，故可有效提升摻雜型金屬氧化物薄膜之離子傳導速度及元件反應時間，因此可改善電化學元件之特性。
另外，根據本發明之實施例，電化學元件之製造方法可利用電弧電漿鍍膜技術鍍製摻雜型金屬氧化物薄膜，故可使摻雜型金屬氧化物薄膜具有奈料多孔結構，因此可進一步改善電化學元件之特性。
再者，根據本發明之實施例，電化學元件之製造方法可利用於各種不同的電化學元件，故應用上更為廣泛。
可見本發明在突破先前之技術下，確實已達到所欲增進之功效，且也非熟悉該項技藝者所易於思及，其所具之進步性、實用性，顯已符合專利之申請要件，爰依法提出專利申請，懇請 貴局核准本件發明專利申請案，以勵創作，至感德便。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。其它任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應該包含於後附之申請專利 範圍中。

Claims (19)

  1. 一種電化學元件之製造方法，係包含下列步驟：提供一導電基板；在一電弧電漿鍍膜設備之一電漿源之一陽極上設置欲摻雜之一金屬材料或一金屬氧化物材料；以及以該電弧電漿鍍膜設備透過一電弧電漿鍍膜製程鍍製一陽極薄膜於該導電基板上，並同時透過該電弧電漿鍍膜製程時產生之電子加熱該電漿源之該陽極的現象將欲摻雜之該金屬材料或該金屬氧化物材料摻雜至該陽極薄膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電化學元件之製造方法，更包含下列步驟：以該電弧電漿鍍膜設備透過該電弧電漿鍍膜製程鍍製一離子傳導層於該陽極薄膜上，並同時透過該電弧電漿鍍膜製程時產生之電子加熱該電漿源之該陽極的現象將欲摻雜之該金屬材料或該金屬氧化物材料摻雜至該離子傳導層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電化學元件之製造方法，更包含下列步驟：以該電弧電漿鍍膜設備透過該電弧電漿鍍膜製程鍍製一陰極薄膜於該離子傳導層上，並同時透過該電弧電漿鍍膜製程時產生之電子加熱該電漿源之該陽極的現象將欲摻雜之該金屬材料或該金屬氧化物材料摻雜至該陰極薄膜。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之電化學元件之製造方法，更包含下列步驟：以該電弧電漿鍍膜設備透過該電弧電漿鍍膜製程鍍製一導電薄膜於 該陰極薄膜上，並同時透過該電弧電漿鍍膜製程時產生之電子加熱該電漿源之該陽極的現象將欲摻雜之該金屬材料或該金屬氧化物材料摻雜至該導電薄膜。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電化學元件之製造方法，其中該陽極薄膜、該離子傳導層、該陰極薄膜及該導電薄膜係為一摻雜型金屬氧化物薄膜。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之電化學元件之製造方法，其中該金屬材料或該金屬氧化物材料係經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至該陽極薄膜、該離子傳導層、該陰極薄膜及該導電薄膜。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電化學元件之製造方法，其中該電化學元件係為一二次電池或一電致變色元件。
  8. 一種電化學元件之製造方法，係包含下列步驟：提供一導電基板；在一電弧電漿鍍膜設備之一電漿源之一陽極上設置欲摻雜之一金屬材料或一金屬氧化物材料；以及以該電弧電漿鍍膜設備透過一電弧電漿鍍膜製程鍍製一陰極薄膜於該導電基板上，並同時透過該電弧電漿鍍膜製程時產生之電子加熱該電漿源之該陽極的現象將欲摻雜之該金屬材料或該金屬氧化物材料摻雜至該陰極薄膜。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之電化學元件之製造方法，更包含下列步驟：以該電弧電漿鍍膜設備透過該電弧電漿鍍膜製程鍍製一離子傳導層於該陰極薄膜上，並同時透過該電弧電漿鍍膜製程時產生之電子加熱該電漿源之該陽極的現象將欲摻雜之該金屬材料或該金屬氧化物材料 摻雜至該離子傳導層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電化學元件之製造方法，更包含下列步驟：以該電弧電漿鍍膜設備透過該電弧電漿鍍膜製程鍍製一陽極薄膜於該離子傳導層上，並同時透過該電弧電漿鍍膜製程時產生之電子加熱該電漿源之該陽極的現象將欲摻雜之該金屬材料或該金屬氧化物材料摻雜至該陽極薄膜。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電化學元件之製造方法，更包含下列步驟：以該電弧電漿鍍膜設備透過該電弧電漿鍍膜製程鍍製一導電薄膜於該陽極薄膜上，並同時透過該電弧電漿鍍膜製程時產生之電子加熱該電漿源之該陽極的現象將欲摻雜之該金屬材料或該金屬氧化物材料摻雜至該導電薄膜。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之電化學元件之製造方法，其中該陽極薄膜、該離子傳導層、該陰極薄膜及該導電薄膜係為一摻雜型金屬氧化物薄膜。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之電化學元件之製造方法，其中該金屬材料或該金屬氧化物材料係經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至該陽極薄膜、該離子傳導層、該陰極薄膜及該導電薄膜。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之電化學元件之製造方法，其中該電化學元件係為一二次電池或一電致變色元件。
  15. 一種電化學元件之製造方法，係包含下列步驟：在一電弧電漿鍍膜設備之一電漿源之一陽極上設置欲摻雜之一金屬材料或一金屬氧化物材料； 以該電弧電漿鍍膜設備透過一電弧電漿鍍膜製程以形成該電化學元件之一金屬氧化物薄膜；以及透過該電弧電漿鍍膜製程時產生之電子加熱該電漿源之該陽極的現象將欲摻雜之該金屬材料或該金屬氧化物材料摻雜至該金屬氧化物薄膜；其中該金屬氧化物薄膜係形成於一導電基板上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之電化學元件之製造方法，其中該金屬氧化物薄膜係為一摻雜型金屬氧化物薄膜。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之電化學元件之製造方法，其中該金屬氧化物薄膜係為一陽極薄膜、一離子傳導層、一陰極薄膜或一導電薄膜。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之電化學元件之製造方法，其中該金屬材料或該金屬氧化物材料係經由熱蒸發方式與電漿混和摻雜至該金屬氧化物薄膜。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之電化學元件之製造方法，其中該電化學元件係為一二次電池或一電致變色元件。
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