TWI629775B - 影像感測器封裝及影像感測器封裝製作方法 - Google Patents

影像感測器封裝及影像感測器封裝製作方法 Download PDF

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Abstract

一種影像感測器封裝包含：一影像感測器，其具有安置於一半導體材料中之一像素陣列；及一透明屏蔽物，其黏附至該半導體材料。該像素陣列安置於該半導體材料與該透明屏蔽物之間。一光阻擋層安置於該透明屏蔽物之凹入區域中，且該等凹入區域安置於該透明屏蔽物之一被照射側上。該光阻擋層經安置以防止光自該透明屏蔽物之邊緣反射離開而進入該影像感測器中。

Description

影像感測器封裝及影像感測器封裝製作方法
本發明大體而言係關於影像感測器，且特定而言但非排他地係關於邊緣反射減少。
影像感測器已變得無所不在。其廣泛地用於數位靜態相機、蜂巢式電話、安全攝像機以及醫學、汽車及其他應用中。用於製造影像感測器之技術一直持續快速地進步。舉例而言，對較高解析度及較低功率消耗之需求已促進了此等裝置之進一步小型化及整合。
電子封裝係電機工程領域中之一子學科。封裝係指構建至電子裝置中之保護性特徵。微電子封裝必須考慮到免於機械磨損、過熱、靜電放電之保護且考慮到成本以及其他因素。儘管諸多消費型電子器件可使用經受時間考驗之封裝方法，但當前技術水平之電子裝置可需要高度專門化封裝以便使裝置恰當地工作。
由於影像感測器按比例縮小，因此其封裝必須按比例縮小。然而，封裝之按比例縮小出現與微電子裝置之按比例縮小類似之問題。新的較小封裝組件可不如過去較大組件那般有效地耗散熱，且可由於現代裝置之小型大小而使舊式組裝技術無效。因此，電子封裝需要跟上下伏半導體裝置之進步。
101‧‧‧影像感測器封裝
103‧‧‧透明屏蔽物
103A‧‧‧透明屏蔽物/第一透明屏蔽物
103B‧‧‧第二透明屏蔽物
105‧‧‧光阻擋層
111‧‧‧壩狀物
121‧‧‧像素陣列
131‧‧‧半導體材料
141‧‧‧高折射率材料
200‧‧‧方法
203‧‧‧透明屏蔽物
205‧‧‧光阻擋層
211‧‧‧像素陣列
221‧‧‧像素陣列
231‧‧‧半導體材料
300‧‧‧方法
303‧‧‧透明屏蔽物
305‧‧‧光阻擋層
311‧‧‧半導體材料
321‧‧‧像素陣列
331‧‧‧半導體材料
400‧‧‧方法
403‧‧‧透明屏蔽物
405‧‧‧光阻擋層
411‧‧‧壩狀物
421‧‧‧像素陣列
431‧‧‧半導體材料
500‧‧‧方法
503A‧‧‧第一透明屏蔽物
503B‧‧‧第二透明屏蔽物
505‧‧‧光阻擋層
511‧‧‧壩狀物
521‧‧‧像素陣列
531‧‧‧半導體材料
541‧‧‧高折射率材料
A-A’‧‧‧線
本發明之非限制性及非窮盡性實例係參考以下各圖加以闡述，其中除非另有規定，否則貫穿各個視圖相似元件符號指代相似零件。
圖1A至圖1N係根據本發明之教示之影像感測器封裝之俯視圖及剖面圖之圖解說明。
圖2A至圖2C圖解說明根據本發明之教示之一影像感測器封裝製作方法。
圖3A至圖3C圖解說明根據本發明之教示之一影像感測器封裝製作方法。
圖4A至圖4B圖解說明根據本發明之教示之一影像感測器封裝製作方法。
圖5A至圖5C圖解說明根據本發明之教示之一影像感測器封裝製作方法。
貫穿圖式之數個視圖，對應元件符號指示對應組件。熟習此項技術者將瞭解，圖中之元件係為簡單及清晰起見而圖解說明，且未必按比例繪製。舉例而言，為幫助改良對本發明之各種實施例之理解，在各圖中某些元件之尺寸可相對於其他元件被放大。而且，通常不繪示一商業上可行之實施例中有用或必需之常見而眾所周知之元件以便促進對本發明之此等各種實施例之一較不受阻礙之觀看。
本文中闡述用於邊緣反射減少之一設備及方法之實例。在以下說明中，陳述眾多特定細節以提供對實例之一透徹理解。然而，熟習相關技術 者將認識到，本文中所闡述之技術可在不具有特定細節中之一或多者之情況下實踐或者可藉助其他方法、組件、材料等來實踐。在其他例項中，未詳細展示或闡述眾所周知之結構、材料或操作以避免使特定態樣模糊。
在本說明書通篇提及「一項實例」或「一項實施例」意指結合實例闡述之一特定特徵、結構或特性包含在本發明之至少一項實例中。因此，在本說明書通篇各處中出現之片語「在一項實例中」或「在一項實施例中」未必皆指同一實例。此外，在一或多項實例中可以任何適合方式組合該等特定特徵、結構或特性。
在本說明書通篇，使用數個技術術語。此等術語將呈現其在其所屬技術中之普通含義，除非本文中另外具體定義或其使用之內容脈絡將另外清晰地暗示。
圖1A至圖1N係影像感測器封裝101之俯視圖及剖面圖之圖解說明。圖1A至圖1N中所繪示之所有實施例共用共同組件，即：透明屏蔽物103、光阻擋層105、像素陣列121、半導體材料131及壩狀物(dam)111。如將展示，根據本發明之教示，可將此等組件重新配置成各種組態；然而，所有組態皆具有一類似基本結構。雖然本文中繪示諸多實例，但未圖解說明其他實例以避免使特定態樣模糊。
圖1A繪示影像感測器封裝101之一俯視圖。在所繪示實例中，光阻擋層105被配置成沿著透明屏蔽物103之邊緣伸展之兩個條帶。
圖1B圖解說明在沿著線A-A’切割時圖1A中之影像感測器封裝101之一剖面。如所展示，影像感測器包含安置於半導體材料131中之像素陣列121。透明屏蔽物103黏附至半導體材料131(利用壩狀物111)，且像素陣列121安置於半導體材料131與透明屏蔽物103之間。一虛空/氣隙安置於像 素陣列121與透明屏蔽物103之間。光阻擋層105安置於透明屏蔽物103之凹入區域中，且凹入區域安置於透明屏蔽物103之一被照射側上。更具體而言，凹入區域安置於透明屏蔽物103之相對橫向邊緣上，且凹入區域之寬度大於凹入區域凹入至透明屏蔽物103中之深度。
在所繪示實例中，透明屏蔽物103之橫向邊界延伸超過像素陣列121之橫向邊界，且凹入區域及光阻擋層105安置於透明屏蔽物103的延伸超過像素陣列121之橫向邊界之部分中。換言之，在所繪示實例中，像素陣列121橫向延伸跨越或佔據半導體材料131之僅一部分且透明屏蔽物103與半導體材料131共同延伸。凹入區域及光阻擋層105安置於透明屏蔽物103不在像素陣列121正上方之區中，使得影像光不受阻礙地到達像素陣列121。像素陣列121與影像主體之間的光學路徑無阻礙。在某些實例中，透明屏蔽物103之厚度可係自像素陣列121之一近邊緣至透明屏蔽物103之一近邊緣之距離之1.5至2倍。在某些實例中，壩狀物111之高度可係透明屏蔽物103之厚度之大約1/10。
光阻擋層105經安置以防止光自透明屏蔽物103之邊緣反射離開而進入影像感測器中。在所繪示實例中，光阻擋層105經定位使得入射於影像感測器封裝101上之光無法自透明屏蔽物103之一邊緣反射離開，而是被引導至像素陣列121中。入射於影像感測器封裝101上之將被反射至像素陣列121中之光由光阻擋層105吸收。此藉由減少自透明屏蔽物103之邊緣反射離開之眩光量而幫助減輕由像素陣列121產生之影像中之非所要光學效應。
圖1C繪示影像感測器封裝101之另一實例之一俯視圖。影像感測器封裝101類似於圖1A及圖1B之影像感測器封裝101之處在於在所繪示實例 中，光阻擋層105被配置成平行於透明屏蔽物103之邊緣之兩個條帶。然而，光阻擋層105之該兩個條帶自透明屏蔽物103之邊緣偏移出一距離。
圖1D展示在沿著線A-A’切割時圖1C中之影像感測器封裝101之一剖面。如所繪示，凹入區域及光阻擋層105被安置成距透明屏蔽物103之邊緣一距離，且凹入區域之寬度小於凹入區域至透明屏蔽物103中之深度。如所展示，凹入區域延伸至透明屏蔽物103中足夠遠，使得入射於影像感測器封裝101上之影像光無法自透明屏蔽物103之邊緣反射離開且反射至像素陣列121中。
圖1E繪示影像感測器封裝101之又一實例之一俯視圖。圖1E中之影像感測器封裝101類似於圖1C及圖1D之影像感測器封裝101之處在於光阻擋層105配置成平行於透明屏蔽物103之邊緣之條帶且該等條帶與該等邊緣隔開。然而，圖1E中之凹入區域在透明屏蔽物103之相對橫向側上被配置成一偏移交錯圖案。在所繪示實例中，光阻擋層105之條帶在水平方向上部分地重疊以防止光到達透明屏蔽物103之邊緣。此類型之圖案可稱為「翹曲浮凸結構」
圖1F展示在沿著線A-A’切割時圖1E中之影像感測器封裝101之一剖面。如所繪示，凹入區域及光阻擋層105被安置成距透明屏蔽物103之邊緣一距離，且凹入區域之寬度小於凹入區域凹入至透明屏蔽物103中之深度。如所展示，凹入區域延伸至透明屏蔽物103中足夠遠，使得入射於影像感測器封裝101上之影像光無法自透明屏蔽物103之邊緣反射離開且反射至像素陣列121中。在某些實例中，凹入區域延伸至透明屏蔽物103中達穿過透明屏蔽物103之通路之3/4。
圖1G圖解說明影像感測器封裝101之又一實例之一俯視圖。根據本 發明之教示，圖1G中所繪示之影像感測器封裝101亦與先前所闡述實例具有諸多類似性。應注意，圖1G並非一真正俯視圖，此乃因已省略一第二透明屏蔽物103B以避免使下伏結構(參見圖1H)模糊。在所圖解說明實例中，光阻擋層105被配置成平行於一透明屏蔽物103A之邊緣之兩個條帶。
圖1H展示在沿著線A-A’切割時圖1G中之影像感測器封裝101之一剖面。如所繪示，像素陣列121安置於半導體材料131中且第一透明屏蔽物103A黏附至半導體材料131。像素陣列121安置於半導體材料131與第一透明屏蔽物103A之間。第一透明屏蔽物103A安置於像素陣列121與第二透明屏蔽物103B之間。光阻擋層105安置於第一透明屏蔽物103A與第二透明屏蔽物103B之間。如在先前實例中，光阻擋層105經安置以防止光自第一透明屏蔽物103A(及/或第二透明屏蔽物103B)之邊緣反射離開而進入像素陣列121中。
如所展示，第一透明屏蔽物103A及第二透明屏蔽物103B之橫向邊界延伸超過像素陣列121之橫向邊界。光阻擋層105安置於第一透明屏蔽物103A及第二透明屏蔽物103B延伸超過像素陣列121之橫向邊界之部分之間。換言之，光阻擋層105安置於影像光被引導於像素陣列121處之通路之外。
在所繪示實例中，高折射率材料141安置於第一透明屏蔽物103A與第二透明屏蔽物103B之間。高折射率材料141亦橫向安置於光阻擋層105之兩個部分之間。在一項實例中，高折射率材料141可係一玻璃、其他氧化物或聚合物。
圖1I圖解說明影像感測器封裝101之一俯視圖。應注意，圖1I並非一真正俯視圖，此乃因已省略第二透明屏蔽物103B以避免使下伏結構(參見 圖1J)模糊。在所繪示實例中，光阻擋層105被配置成沿著第一透明屏蔽物103A之邊緣水平伸展之兩個條帶。
圖1J展示在沿著線A-A’切割時圖1I中之影像感測器封裝101之一剖面。圖1J中之影像感測器封裝101類似於圖1G及圖1H中之影像感測器封裝101之處在於光阻擋層105安置於第一透明屏蔽物103A與第二透明屏蔽物103B之間、位於第一透明屏蔽物103A之延伸超過像素陣列121之橫向邊界之部分上方。然而，圖1J中之光阻擋層105安置於第二透明屏蔽物103B中之凹入區域中，且凹入區域安置於與被照射側相對的第二透明屏蔽物103B之一側上。此外，凹入區域之寬度大於凹入區域凹入至第二透明屏蔽物103B中之深度。
在一或多項實例中，第一透明屏蔽物103A及第二透明屏蔽物103B包含玻璃，且光阻擋層105包含一聚合物或其他有機材料。有機材料可係可光學交聯或可熱交聯的且可包含吸收可見且甚至不可見電磁光譜之大部分的小分子染料。
圖1K圖解說明影像感測器封裝101之一俯視圖。在所繪示實例中，光阻擋層105被配置成沿著透明屏蔽物103之邊緣水平伸展之兩個條帶。
圖1L圖解說明在沿著線A-A’切割時圖1K中之影像感測器封裝101之一剖面。如所展示，透明屏蔽物103包含安置於透明屏蔽物103之相對橫向邊緣上之凹入區域。不同於其他實例，凹入區域之剖面係三角形的。在所繪示實例中，凹入區域被光阻擋層105完全填充，使得光阻擋層105之表面與透明屏蔽物103之表面齊平。
圖1M圖解說明類似於圖1K及圖1L之影像感測器封裝101之影像感測器封裝101之一俯視圖。在所繪示實例中，光阻擋層105被配置成沿著透 明屏蔽物103之邊緣水平伸展之兩個條帶。
圖1N圖解說明在沿著線A-A’切割時圖1M中之影像感測器封裝101之一剖面。如所展示，透明屏蔽物103包含安置於透明屏蔽物103之相對橫向邊緣上之凹入區域。如同圖1L，凹入區域之剖面係三角形的。然而，在所繪示實例中，凹入區域之僅一部分包含光阻擋層105，且光阻擋層105不與透明屏蔽物103之頂部表面齊平。
圖2A至圖2C圖解說明影像感測器封裝製作之一方法200。某些或所有步驟在方法200中出現之次序不應視為限制性的。而是，受益於本發明之熟習此項技術者將理解，可以未圖解說明之各種次序或甚至並行地執行方法200中之某些步驟。此外，方法200可省略特定步驟以便避免使特定態樣模糊。替代地，方法200可包含在本發明之某些實施例/實例中可不必要之額外步驟。
圖2A圖解說明提供包含安置於半導體材料231中之一像素陣列221之一影像感測器及黏附至半導體材料231之一透明屏蔽物203。像素陣列221安置於半導體材料231與透明屏蔽物203之間。圖2A中亦繪示移除透明屏蔽物203之部分以在透明屏蔽物203中形成凹入區域。透明屏蔽物203之橫向邊界延伸超過像素陣列221之橫向邊界，且凹入區域安置於透明屏蔽物203延伸超過像素陣列221之橫向邊界之部分中。
如所展示，影像感測器係複數個影像感測器中之一者，且凹入區域安置於複數個影像感測器中之個別影像感測器之間。在所繪示實例中，藉由雷射開槽而移除透明屏蔽物203之部分，且凹入區域係實質上矩形的。然而，取決於雷射強度，凹入區域可係半球形或具有圓形邊緣之矩形。
圖2B圖解說明利用光阻擋層205來填充凹入區域。熟習此項技術者將 瞭解，可使用諸多不同技術來將光阻擋層205沈積至透明屏蔽物203中之凹槽中。舉例而言，可經由一施配方法來沈積光阻擋層205，其中將光阻擋層205直接注入至凹入區域中。相反地，可藉由在透明屏蔽物203上製作一模版(其與凹入區域對準)且將光阻擋層205印刷至模版/凹入區域中之間隙中而沈積光阻擋層205。隨後，可自透明屏蔽物203之表面移除模版。
將光阻擋層205沈積至凹入區域中且然後自透明屏蔽物203之表面移除殘餘光阻擋層有利於在後續裝置製作步驟中維持光阻擋層205之完整性。此外，若在透明屏蔽物203之表面上(而非在凹入區域中)沈積光阻擋層205且然後蝕刻該光阻擋層以產生光學孔隙，則光阻擋層205可被蝕刻劑底切，此產生一受損裝置架構。因此，當前製作程序給出優於替代選項之許多優點。
圖2C繪示在凹入區域中切割透明屏蔽物203。切割延伸穿過光阻擋層205、透明屏蔽物203及半導體材料231。如所展示，通過切割穿過影像感測器封裝架構之所有層，形成兩個單獨封裝之影像感測器，其中光阻擋層205安置於透明屏蔽物203之邊緣上之凹入區域中。此技術提供用以製作具有一穩健抗邊緣反射架構之影像感測器封裝之一簡單方式。
圖3A至圖3C圖解說明影像感測器封裝製作之一方法300。某些或所有步驟在方法300中出現之次序不應視為限制性的。而是，受益於本發明之熟習此項技術者將理解，可以未圖解說明之各種次序或甚至並行地執行方法300中之某些步驟。此外，方法300可省略特定步驟以便避免使特定態樣模糊。替代地，方法300可包含在本發明之某些實施例/實例中可不必要之額外步驟。
如同圖2A，圖3A繪示提供包含安置於半導體材料311中之一像素陣列321之一影像感測器及黏附至半導體材料331之一透明屏蔽物303。已移除透明屏蔽物303之部分以在透明屏蔽物303中形成凹入區域。在所繪示實例中，藉由機械鋸移除透明屏蔽物303之凹入區域。因此，凹入區域係實質上三角形的。然而，取決於鋸片之角度/幾何形狀，凹入區域之幾何形狀可係圓形、方形或諸如此類。
圖3B繪示利用光阻擋層305來填充凹入區域。在所繪示實例中，凹入區域係完全利用光阻擋層305來填充，使得光阻擋層305與透明屏蔽物303之表面齊平。然而，在未繪示之其他實例中，光阻擋層305不與透明屏蔽物303之表面齊平。光阻擋層305可具有均勻厚度且安置於凹入區域之壁上(參見圖1N)。
圖3C繪示在凹入區域中切割透明屏蔽物303。切割延伸穿過光阻擋層305、透明屏蔽物303及半導體材料331。如所展示，藉由切割穿過影像感測器封裝架構之所有層，形成兩個單獨封裝之影像感測器，其中光阻擋層305安置於透明屏蔽物303之邊緣上之凹入區域中。
圖4A至圖4B圖解說明影像感測器封裝製作之一方法400。某些或所有步驟在方法400中出現之次序不應視為限制性的。而是，受益於本發明之熟習此項技術者將理解，可以未圖解說明之各種次序或甚至並行地執行方法400中之某些步驟。此外，方法400可省略特定步驟以便避免使特定態樣模糊。替代地，方法400可包含在本發明之某些實施例/實例中可不必要之額外步驟。
在圖4A中，已提供且組裝透明屏蔽物403、像素陣列421、半導體材料431及壩狀物411以形成一部分完整影像感測器封裝。而且，已經由一 蝕刻程序移除透明屏蔽物403之部分以形成凹入區域。在一項實例中，利用一光阻劑來將透明屏蔽物403之表面圖案化且然後經由一濕式蝕刻或幹式蝕刻而在透明屏蔽物403中蝕刻出凹入區域。在一項實例中，在透明屏蔽物403之相對橫向側上將凹入區域蝕刻成一偏移交錯圖案(例如，參見圖1E)。
圖4B繪示利用光阻擋層405來回填所蝕刻凹入區域。此可藉由將光阻擋層405塗佈至透明屏蔽物403之表面上且然後自該表面移除過多光阻擋層405而實現。在一項實例中，光阻擋層405包含吸收可見光譜中之大部分波長之一有機材料。
圖5A至5B圖解說明影像感測器封裝製作之一方法500。某些或所有步驟在方法500中出現之次序不應視為限制性的。而是，受益於本發明之熟習此項技術者將理解，可以未圖解說明之各種次序或甚至並行地執行方法500中之某些步驟。此外，方法500可省略特定步驟以便避免使特定態樣模糊。替代地，方法500可包含在本發明之某些實施例/實例中可不必要之額外步驟。
在圖5A中，已提供且組裝第一透明屏蔽物503A、像素陣列521、半導體材料531及壩狀物511以形成一部分完整影像感測器封裝。像素陣列521安置於半導體材料531中，且第一透明屏蔽物503A黏附至半導體材料531。
圖5B圖解說明沈積安置於像素陣列521之橫向邊緣與第一透明屏蔽物503A之橫向邊緣之間的光阻擋層505。另外，高折射率材料541與像素陣列521光學對準且安置於第一透明屏蔽物503A上。在一項實例中，沈積高折射率材料541包含沈積玻璃。
圖5C繪示在影像感測器封裝上放置第二透明屏蔽物503B，使得光阻擋層505安置於第一透明屏蔽物503A與第二透明屏蔽物503B之間。
在未繪示之一項實例中，第二透明屏蔽物503B具有安置於第二透明屏蔽物503B之橫向邊緣上之凹入區域，且光阻擋層505沈積於該等凹入區域中。另外，高折射率材料541可安置於光阻擋層505與第一透明屏蔽物503A之間。
包含發明摘要中所闡述內容之本發明之所圖解說明實例之以上說明並非意欲係窮盡性的或將本發明限制於所揭示之精確形式。儘管出於說明性目的而在本文中闡述了本發明之特定實例，但如熟習相關技術者將認識到，可在本發明之範疇內做出各種修改。
可根據以上詳細說明對本發明做出此等修改。不應將以下申請專利範圍中所使用之術語理解為將本發明限制於本說明書中所揭示之特定實例。而是，本發明之範疇將完全由隨附申請專利範圍來確定，申請專利範圍將如請求項解釋之既定原則來加以理解。

Claims (25)

  1. 一種影像感測器封裝，其包括：一影像感測器，其包含安置於一半導體材料中之一像素陣列；一透明屏蔽物(transparent shield)，其黏附至(adhered to)該半導體材料，其中該像素陣列安置於該半導體材料與該透明屏蔽物之間；及一光阻擋層，其安置於該透明屏蔽物之凹入區域(recessed regions)中，其中該等凹入區域安置於該透明屏蔽物之一被照射側(illuminated side)上，且其中該光阻擋層經安置以防止光自該透明屏蔽物之邊緣反射離開而進入該像素陣列中。
  2. 如請求項1之影像感測器封裝，其中該透明屏蔽物之橫向邊界延伸超過該像素陣列之橫向邊界，且其中該等凹入區域及該光阻擋層安置於該透明屏蔽物的延伸超過該像素陣列之該等橫向邊界之部分中。
  3. 如請求項1之影像感測器封裝，其中該等凹入區域安置於該透明屏蔽物之相對橫向邊緣上，且其中該等凹入區域之一寬度大於該等凹入區域凹入至該透明屏蔽物中之一深度。
  4. 如請求項1之影像感測器封裝，其中該等凹入區域被安置成距該透明屏蔽物之該等邊緣一距離，且其中該等凹入區域之一寬度小於該等凹入區域凹入至該透明屏蔽物中之一深度。
  5. 如請求項4之影像感測器封裝，其中該等凹入區域在該透明屏蔽物之相對橫向側上被配置成一偏移交錯圖案。
  6. 如請求項1之影像感測器封裝，其中該等凹入區域安置於該透明屏蔽物之相對橫向邊緣上，且其中該等凹入區域之一剖面係三角形的。
  7. 如請求項6之影像感測器封裝，其中僅該凹入區域之一部分包含該光阻擋層。
  8. 一種影像感測器封裝，其包括：一影像感測器，其包含安置於一半導體材料中之一像素陣列；一第一透明屏蔽物，其黏附至該半導體材料，其中該像素陣列安置於該半導體材料與該第一透明屏蔽物之間；一第二透明屏蔽物，其中該第一透明屏蔽物安置於該像素陣列與該第二透明屏蔽物之間；及一光阻擋層，其安置於該第一透明屏蔽物與該第二透明屏蔽物之間，其中該光阻擋層經安置以防止光自該第一透明屏蔽物之邊緣反射離開而進入該像素陣列中。
  9. 如請求項8之影像感測器封裝，其中該第一透明屏蔽物及該第二透明屏蔽物之橫向邊界延伸超過該像素陣列之橫向邊界，且其中該光阻擋層安置於該第一透明屏蔽物及該第二透明屏蔽物的延伸超過該像素陣列之該等橫向邊界之部分之間。
  10. 如請求項8之影像感測器封裝，其進一步包括一高折射率材料，該高折射率材料安置於該第一透明屏蔽物與該第二透明屏蔽物之間且橫向安置於該光阻擋層之兩個部分之間。
  11. 如請求項8之影像感測器封裝，其中該光阻擋層安置於該第二透明屏蔽物中之凹入區域中，其中該等凹入區域安置於與一被照射側相對的該第二透明屏蔽物之一側上，且其中該等凹入區域之一寬度大於該等凹入區域凹入至該第二透明屏蔽物中之一深度。
  12. 如請求項8之影像感測器封裝，其中該第一透明屏蔽物及該第二透明屏蔽物包含玻璃，且其中該光阻擋層包含一聚合物。
  13. 一種影像感測器封裝製作方法，其包括：提供包含安置於一半導體材料中之一像素陣列之一影像感測器及黏附至該半導體材料之一透明屏蔽物，其中該像素陣列安置於該半導體材料與該透明屏蔽物之間；移除該透明屏蔽物之部分以在該透明屏蔽物中形成凹入區域，其中該透明屏蔽物之橫向邊界(lateral bounds)延伸超過(extend beyond)該像素陣列之橫向邊界，且其中該等凹入區域安置於該透明屏蔽物的延伸超過該像素陣列之該等橫向邊界之部分中；及利用一光阻擋層來填充該等凹入區域。
  14. 如請求項13之方法，其中該影像感測器係複數個影像感測器中之一者，且其中該等凹入區域安置於該複數個影像感測器中之個別影像感測器之間。
  15. 如請求項14之方法，其進一步包括在該等凹入區域中切割該透明屏蔽物，其中一切割延伸穿過該光阻擋層及該透明屏蔽物。
  16. 如請求項14之方法，其中藉由一機械鋸移除該透明屏蔽物之部分且該等凹入區域係實質上三角形的。
  17. 如請求項14之方法，其中藉由雷射開槽移除該透明屏蔽物之部分且該等凹入區域係實質上矩形的。
  18. 如請求項13之方法，其中移除該透明屏蔽物之部分包含蝕刻該透明屏蔽物。
  19. 如請求項18之方法，其中該等凹入區域在該透明屏蔽物之相對橫向側上被蝕刻成一偏移交錯圖案。
  20. 如請求項13之方法，其中該光阻擋層包含吸收一可見光譜中之大部分波長之一有機材料。
  21. 一種影像感測器封裝製作方法，其包括：提供包含安置於一半導體材料中之一像素陣列之一影像感測器及黏附至該半導體材料之一第一透明屏蔽物，其中該像素陣列安置於該半導體材料與該第一透明屏蔽物之間；沈積(depositing)安置於該像素陣列之橫向邊緣與該第一透明屏蔽物之橫向邊緣之間的一光阻擋層；及在該影像感測器封裝上放置(placing)一第二透明屏蔽物，其中該光阻擋層安置於該第一透明屏蔽物與該第二透明屏蔽物之間。
  22. 如請求項21之方法，其進一步包括沈積一高折射率材料，該高折射率材料與該像素陣列光學對準且安置於該第一透明屏蔽物與該第二透明屏蔽物之間。
  23. 如請求項22之方法，其中沈積該高折射率材料包含沈積玻璃。
  24. 如請求項21之方法，其中該第二透明屏蔽物具有安置於該第二透明屏蔽物之橫向邊緣上之凹入區域，且其中該光阻擋層沈積於該等凹入區域中。
  25. 如請求項24之方法，其進一步包括沈積安置於該光阻擋層與該第一透明屏蔽物之間的一高折射率材料。
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