CN107342301A - 图像传感器封装及其制作方法 - Google Patents
图像传感器封装及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107342301A CN107342301A CN201710066831.2A CN201710066831A CN107342301A CN 107342301 A CN107342301 A CN 107342301A CN 201710066831 A CN201710066831 A CN 201710066831A CN 107342301 A CN107342301 A CN 107342301A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transparent shielding
- shielding thing
- thing
- transparent
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本申请案涉及一种图像传感器封装及其制作方法。一种图像传感器封装包含：图像传感器，其具有安置于半导体材料中的像素阵列；及透明屏蔽物，其粘附到所述半导体材料。所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间。光阻挡层安置于所述透明屏蔽物的凹入区域中，且所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的被照射侧上。所述光阻挡层经安置以防止光从所述透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述图像传感器中。
Description
技术领域
本发明大体来说涉及图像传感器，且特定来说但非排他地，涉及边缘反射减少。
背景技术
图像传感器已变得无所不在。其广泛地用于数码静态相机、蜂窝式电话、安全摄像机以及医学、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术一直继续快速地进展。举例来说，对较高分辨率及较低功率消耗的需求已促进了这些装置的进一步小型化及集成。
电子封装是电气工程领域中的次学科。封装是指构建到电子装置中的保护性特征。微电子封装必须考虑到保护以免于机械磨损、过多热、静电放电及成本以及其它。尽管许多消费性电子器件可使用经受时间考验的封装方法，但当前技术水平电子装置可需要高度专门化封装以便使装置恰当地工作。
由于图像传感器按比例缩小，因此其封装必须按比例缩小。然而，封装的按比例缩小呈现与微电子装置的按比例缩小类似的问题。新的较小封装组件可不如较旧的较大组件那般有效地耗散热，且可由于现代装置的小型大小而使旧式组装技术无效。因此，电子封装需要跟上下伏半导体装置的进展。
发明内容
在一个方面中，本发明提供一种图像传感器封装。所述图像传感器封装包括：图像传感器，其包含安置于半导体材料中的像素阵列；透明屏蔽物，其粘附到所述半导体材料，其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间；以及光阻挡层，其安置于所述透明屏蔽物的凹入区域中，其中所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的被照射侧上，且其中所述光阻挡层经安置以防止光从所述透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述像素阵列中。
在另一方面中，本发明提供一种图像传感器封装。所述图像传感器封装包括：图像传感器，其包含安置于半导体材料中的像素阵列；第一透明屏蔽物，其粘附到所述半导体材料，其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述第一透明屏蔽物之间；第二透明屏蔽物，其中所述第一透明屏蔽物安置于所述像素阵列与所述第二透明屏蔽物之间；以及光阻挡层，其安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间，其中所述光阻挡层经安置以防止光从所述第一透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述像素阵列中。
在又一方面中，本发明提供一种图像传感器封装制作方法。所述方法包括：提供包含安置于半导体材料中的像素阵列的图像传感器及粘附到所述半导体材料的透明屏蔽物，其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间；去除所述透明屏蔽物的部分以在所述透明屏蔽物中形成凹入区域，其中所述透明屏蔽物的横向边界延伸超过所述像素阵列的横向边界，且其中所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的延伸超过所述像素阵列的所述横向边界的部分中；以及用光阻挡层填充所述凹入区域。
在又一方面中，本发明提供一种图像传感器封装制作方法。所述方法包括：提供包含安置于半导体材料中的像素阵列的图像传感器及粘附到所述半导体材料的第一透明屏蔽物，其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述第一透明屏蔽物之间；沉积安置于所述像素阵列的横向边缘与所述第一透明屏蔽物的横向边缘之间的光阻挡层；以及在所述图像传感器封装上放置第二透明屏蔽物，其中所述光阻挡层安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间。
附图说明
参考以下各图描述本发明的非限制性及非穷尽性实施例，其中除非另有规定，否则贯穿各个视图相似参考编号指代相似部件。
图1A到1N是根据本发明的教示的图像传感器封装的俯视图及横截面图的图解说明。
图2A到2C图解说明根据本发明的教示的图像传感器封装制作的方法。
图3A到3C图解说明根据本发明的教示的图像传感器封装制作的方法。
图4A到4B图解说明根据本发明的教示的图像传感器封装制作的方法。
图5A到5C图解说明根据本发明的教示的图像传感器封装制作的方法。
贯穿图式的数个视图，对应元件符号指示对应组件。所属领域的技术人员将了解，图中的元件是为简单及清晰起见而图解说明的，且未必按比例绘制。举例来说，为帮助改进对本发明的各种实施例的理解，各图中的元件中的一些元件的尺寸可相对于其它元件被放大。而且，通常不描绘商业上可行的实施例中有用或必需的常见而众所周知的元件以便促进对本发明的这些各种实施例的较不受阻碍的观看。
具体实施方式
本文中描述用于边缘反射减少的设备及方法的实例。在以下描述中，陈述众多特定细节以便提供对实例的透彻理解。然而，相关领域的技术人员将认识到，本文中所描述的技术可在不具有特定细节中的一或多者的情况下实践或者可借助其它方法、组件、材料等来实践。在其它实例中，未详细展示或描述众所周知的结构、材料或操作以避免使某些方面模糊。
贯穿本说明书，对“一个实例”或“一实施例”的提及意指结合所述实例描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实例中。因此，贯穿本说明书在各个地方中出现的短语“在一个实例中”或“在一个实施例中”未必全部是指同一实例。此外，可在一或多个实例中以任何适合方式组合所述特定特征、结构或特性。
贯穿本说明书，使用数个技术术语。这些术语将呈现其在其所属领域中的普通含义，除非本文中另外具体定义或其使用的上下文将另外清晰地暗示。
图1A到1N是图像传感器封装101的俯视图及横截面图的图解说明。图1A到1N中所描绘的所有实施例共享共用组件，即：透明屏蔽物103、光阻挡层105、像素阵列121、半导体材料131及坝(dam)111。如将所展示，根据本发明的教示，可将这些组件重新布置成多种配置；然而，所有配置均具有类似基本结构。虽然本文中描绘许多实例，但未图解说明其它实例以避免使某些方面模糊。
图1A描绘图像传感器封装101的俯视图。在所描绘实例中，光阻挡层105布置成沿着透明屏蔽物103的边缘伸展的两个条带。
图1B图解说明在沿着线A-A’切割时图1A中的图像传感器封装101的横截面。如所展示，图像传感器包含安置于半导体材料131中的像素阵列121。透明屏蔽物103粘附到半导体材料131(利用坝111)，且像素阵列121安置于半导体材料131与透明屏蔽物103之间。空的/空气间隙安置于像素阵列121与透明屏蔽物103之间。光阻挡层105安置于透明屏蔽物103的凹入区域中，且凹入区域安置于透明屏蔽物103的被照射侧上。更具体来说，凹入区域安置于透明屏蔽物103的相对横向边缘上，且凹入区域的宽度大于凹入区域到透明屏蔽物103中的深度。
在所描绘实例中，透明屏蔽物103的横向边界延伸超过像素阵列121的横向边界，且凹入区域及光阻挡层105安置于透明屏蔽物103的延伸超过像素阵列121的横向边界的部分中。换句话说，在所描绘实例中，像素阵列121横向延伸跨越或占据半导体材料131的仅部分且透明屏蔽物103与半导体材料131共同延伸。凹入区域及光阻挡层105安置于透明屏蔽物103的不在像素阵列121正上方的区中，使得图像光在其到像素阵列121的通路上不受阻碍。像素阵列121与图像主体之间的光学路径无阻碍。在一些实例中，透明屏蔽物103的厚度可为从像素阵列121的近边缘到透明屏蔽物103的近边缘的距离的1.5到2倍。在一些实例中，坝111的高度可为透明屏蔽物103的厚度的大约1/10。
光阻挡层105经安置以防止光从透明屏蔽物103的边缘反射脱离而进入图像传感器中。在所描绘实例中，光阻挡层105经定位，使得入射于图像传感器封装101上的光无法从透明屏蔽物103的边缘反射脱离，且可被引导到像素阵列121中。入射于图像传感器封装101上的将被反射到像素阵列121中的光由光阻挡层105吸收。此举有助于通过减少从透明屏蔽物103的边缘反射脱离的眩光的量而减轻由像素阵列121产生的图像中的不想要光学效应。
图1C描绘图像传感器封装101的另一实例的俯视图。图像传感器封装101类似于图1A及1B的图像传感器封装101在于，在所描绘实例中，光阻挡层105布置成平行于透明屏蔽物103的边缘的两个条带。然而，光阻挡层105的两个条带从透明屏蔽物103的边缘偏移达一距离。
图1D展示图1C中的图像传感器封装101在沿着线A-A’切割时的横截面。如所描绘，凹入区域及光阻挡层105被安置成距透明屏蔽物103的边缘达一距离，且凹入区域的宽度小于凹入区域到透明屏蔽物103中的深度。如图所示，凹入区域延伸到透明屏蔽物103中足够远，使得入射于图像传感器封装101上的图像光无法从透明屏蔽物103的边缘反射脱离且反射到像素阵列121中。
图1E描绘图像传感器封装101的又一实例的俯视图。图1E中的图像传感器封装101类似于图1C及1D的图像传感器封装101之处在于光阻挡层105布置成平行于透明屏蔽物103的边缘的条带且所述条带与所述边缘隔开。然而，图1E中的凹入区域在透明屏蔽物103的相对横向侧上布置成偏移交错图案。在所描绘实例中，光阻挡层105的条带在水平方向上部分地重叠以防止光到达透明屏蔽物103的边缘。此类型的图案可称为“翘曲浮凸结构”。
图1F展示在沿着线A-A’切割时图1E中的图像传感器封装101的横截面。如所描绘，凹入区域及光阻挡层105被安置成距透明屏蔽物103的边缘一距离，且凹入区域的宽度小于凹入区域到透明屏蔽物103中的深度。如所展示，凹入区域延伸到透明屏蔽物103中足够远，使得入射于图像传感器封装101上的图像光无法从透明屏蔽物103的边缘反射脱离且反射到像素阵列121中。在一些实例中，凹入区域延伸到透明屏蔽物103中达穿过透明屏蔽物103的通路的3/4。
图1G图解说明图像传感器封装101的仍另一实例的俯视图。根据本发明的教示，图1G中所描绘的图像传感器封装101也与先前所描述实例共享许多类似性。应注意，图1G并非真正俯视图，这是因为已省略第二透明屏蔽物103B以避免使下伏结构(参见图1H)模糊。在所图解说明实例中，光阻挡层105布置成平行于透明屏蔽物103A的边缘的两个条带。
图1H展示在沿着线A-A’切割时图1G中的图像传感器封装101的横截面。如所描绘，像素阵列121安置于半导体材料131中且第一透明屏蔽物103A粘附到半导体材料131。像素阵列121安置于半导体材料131与第一透明屏蔽物103A之间。第一透明屏蔽物103A安置于像素阵列121与第二透明屏蔽物103B之间。光阻挡层105安置于第一透明屏蔽物103A与第二透明屏蔽物103B之间。如在先前实例中，光阻挡层105经安置以防止光从第一透明屏蔽物103A(及/或第二透明屏蔽物103B)的边缘反射脱离进入像素阵列121中。
如所展示，第一透明屏蔽物103A及第二透明屏蔽物103B的横向边界延伸超过像素阵列121的横向边界。光阻挡层105安置于第一透明屏蔽物103A及第二透明屏蔽物103B的延伸超过像素阵列121的横向边界的部分之间。换句话说，光阻挡层105安置于引导于像素阵列121处的图像光的通路之外。
在所描绘实例中，高折射率材料141安置于第一透明屏蔽物103A与第二透明屏蔽物103B之间。高折射率材料141还横向安置于光阻挡层105的两个部分之间。在一个实例中，高折射率材料141可为玻璃、其它氧化物或聚合物。
图1I图解说明图像传感器封装101的俯视图。应注意，图1I并非真正俯视图，这是因为已省略第二透明屏蔽物103B以避免使下伏结构(参见图1J)模糊。在所描绘实例中，光阻挡层105布置成沿着第一透明屏蔽物103A的边缘水平伸展的两个条带。
图1J展示在沿着线A-A’切割时图1I中的图像传感器封装101的横截面。图1J中的图像传感器封装101类似于图1G及1H中的图像传感器封装101之处在于光阻挡层105安置于第一透明屏蔽物103A与第二透明屏蔽物103B之间、位于第一透明屏蔽物103A的延伸超过像素阵列121的横向边界的部分上方。然而，图1J中的光阻挡层105安置于第二透明屏蔽物103B中的凹入区域中，且凹入区域安置于第二透明屏蔽物103B的与被照射侧相对的侧上。此外，凹入区域的宽度大于凹入区域到第二透明屏蔽物103B中的深度。
在一或多个实例中，第一透明屏蔽物103A及第二透明屏蔽物103B包含玻璃，且光阻挡层105包含聚合物或其它有机材料。有机材料可为可光学或热交联的并可包含吸收可见且甚至不可见电磁光谱的大部分的小分子染料。
图1K图解说明图像传感器封装101的俯视图。在所描绘实例中，光阻挡层105布置成沿着透明屏蔽物103的边缘水平伸展的两个条带。
图1L图解说明在沿着线A-A’切割时图1K中的图像传感器封装101的横截面。如所展示，透明屏蔽物103包含安置于透明屏蔽物103的相对横向边缘上的凹入区域。不同于其它实例，凹入区域的横截面是三角形的。在所描绘实例中，凹入区域用光阻挡层105完全填充，使得光阻挡层105的表面与透明屏蔽物103的表面齐平。
图1M图解说明类似于图1K及1L的图像传感器封装101的图像传感器封装101的俯视图。在所描绘实例中，光阻挡层105布置成沿着透明屏蔽物103的边缘水平伸展的两个条带。
图1N图解说明在沿着线A-A’切割时图1M中的图像传感器封装101的横截面。如所展示，透明屏蔽物103包含安置于透明屏蔽物103的相对横向边缘上的凹入区域。如同图1L，凹入区域的横截面是三角形的。然而，在所描绘实例中，凹入区域的仅一部分包含光阻挡层105，且光阻挡层105不与透明屏蔽物103的顶部表面齐平。
图2A到2C图解说明图像传感器封装制作的方法200。一些或所有步骤在方法200中出现的次序不应视为限制性的。而是，受益于本发明的所属领域的技术人员将理解，可以未图解说明的多种次序或甚至并行地执行方法200中的一些步骤。此外，方法200可省略某些步骤以便避免使某些方面模糊。替代地，方法200可包含在本发明的一些实施例/实例中可不必要的额外步骤。
图2A图解说明提供图像传感器，包含安置于半导体材料231中的像素阵列221及粘附到半导体材料231的透明屏蔽物203。像素阵列221安置于半导体材料231与透明屏蔽物203之间。图2A中还描绘去除透明屏蔽物203的部分以在透明屏蔽物203中形成凹入区域。透明屏蔽物203的横向边界延伸超过像素阵列221的横向边界，且凹入区域安置于透明屏蔽物203的延伸超过像素阵列221的横向边界的部分中。
如所展示，图像传感器是多个图像传感器中的一者，且凹入区域安置于多个图像传感器中的个别图像传感器之间。在所描绘实例中，通过激光开槽而去除透明屏蔽物203的部分，且凹入区域大体上为矩形的。然而，取决于激光强度，凹入区域可为半球形的或具有圆形边缘的矩形。
图2B图解说明用光阻挡层205填充凹入区域。所属领域的技术人员将了解，可使用许多不同技术来将光阻挡层205沉积到透明屏蔽物203中的凹槽中。举例来说，可经由施配方法来沉积光阻挡层205，其中将光阻挡层205直接注入到凹入区域中。相反地，可通过在透明屏蔽物203上制作模版(所述模版与凹入区域对准)且将光阻挡层205印刷到模版/凹入区域中的间隙中而沉积光阻挡层205。可随后从透明屏蔽物203的表面去除模版。
将光阻挡层205沉积到凹入区域中且接着从透明屏蔽物203的表面去除残余光阻挡层有利于在后续装置制作步骤中维持光阻挡层205的完整性。此外，如果在透明屏蔽物203的表面上(而非在凹入区域中)沉积光阻挡层205且接着蚀刻所述光阻挡层以产生光学孔口，那么光阻挡层205可被蚀刻剂底切，从而导致受损的装置架构。因此，当前制作程序给出优于替代选项的许多优点。
图2C描绘在凹入区域中切割透明屏蔽物203。切割延伸穿过光阻挡层205、透明屏蔽物203及半导体材料231。如所展示，通过切割穿过图像传感器封装架构的所有层，形成两个单独封装的图像传感器，其中光阻挡层205安置于透明屏蔽物203的边缘上的凹入区域中。此技术提供用以制作具有稳健抗边缘反射架构的图像传感器封装的简单方式。
图3A到3C图解说明图像传感器封装制作的方法300。一些或所有步骤在方法300中出现的次序不应视为限制性的。确切来说，受益于本发明的所属领域的技术人员将理解，可以未图解说明的多种次序或甚至并行地执行方法300中的一些步骤。此外，方法300可省略某些步骤以便避免使某些方面模糊。替代地，方法300可包含在本发明的一些实施例/实例中可能不必要的额外步骤。
如同图2A，图3A描绘提供图像传感器，包含安置于半导体材料311中的像素阵列321及粘附到半导体材料331的透明屏蔽物303。已去除透明屏蔽物303的部分以在透明屏蔽物303中形成凹入区域。在所描绘实例中，通过机械锯而去除透明屏蔽物303的凹入区域。因此，凹入区域大体上为三角形的。然而，取决于锯片的角度/几何形状，凹入区域的几何形状可为圆形、正方形的或诸如此类。
图3B描绘用光阻挡层305填充凹入区域。在所描绘实例中，凹入区域用光阻挡层305完全填充，使得光阻挡层305与透明屏蔽物303的表面齐平。然而，在未描绘的其它实例中，光阻挡层305不与透明屏蔽物303的表面齐平。光阻挡层305可为均匀厚度且安置于凹入区域的壁上(参见图1N)。
图3C描绘在凹入区域中切割透明屏蔽物303。切割延伸穿过光阻挡层305、透明屏蔽物303及半导体材料331。如所展示，通过切割穿过图像传感器封装架构的所有层，形成两个单独封装的图像传感器，其中光阻挡层305安置于透明屏蔽物303的边缘上的凹入区域中。
图4A到4B图解说明图像传感器封装制作的方法400。一些或所有步骤在方法400中出现的次序不应视为限制性的。而是，受益于本发明的所属领域的技术人员将理解，可以未图解说明的多种次序或甚至并行地执行方法400中的一些步骤。此外，方法400可省略某些步骤以便避免使某些方面模糊。替代地，方法400可包含在本发明的一些实施例/实例中可不必要的额外步骤。
在图4A中，已提供且组装透明屏蔽物403、像素阵列421、半导体材料431及坝411以形成部分完整图像传感器封装。而且，已经由蚀刻工艺去除透明屏蔽物403的部分以形成凹入区域。在一个实例中，利用光致抗蚀剂来图案化透明屏蔽物403的表面且接着经由湿法或干法蚀刻将凹入区域蚀刻到透明屏蔽物403中。在一个实例中，在透明屏蔽物403的相对横向侧上将凹入区域蚀刻成偏移交错图案(例如，参见图1E)。
图4B描绘用光阻挡层405回填所蚀刻凹入区域。此可通过将光阻挡层405涂覆到透明屏蔽物403的表面上且接着从所述表面去除过多光阻挡层405而完成。在一个实例中，光阻挡层405包含吸收可见光谱中的大部分波长的有机材料。
图5A到5B图解说明图像传感器封装制作的方法500。一些或所有步骤在方法500中出现的次序不应视为限制性的。而是，受益于本发明的所属领域的技术人员将理解，可以未图解说明的多种次序或甚至并行地执行方法500中的一些步骤。此外，方法500可省略某些步骤以便避免使某些方面模糊。替代地，方法500可包含在本发明的一些实施例/实例中可不必要的额外步骤。
在图5A中，已提供且组装第一透明屏蔽物503A、像素阵列521、半导体材料531及坝511以形成部分完整图像传感器封装。像素阵列521安置于半导体材料531中，且第一透明屏蔽物503A粘附到半导体材料531。
图5B图解说明沉积安置于像素阵列521的横向边缘及第一透明屏蔽物503A的横向边缘之间的光阻挡层505。另外，高折射率材料541与像素阵列521光学对准且安置于第一透明屏蔽物503A上。在一个实例中，沉积高折射率材料541包含沉积玻璃。
图5C描绘在图像传感器封装上放置第二透明屏蔽物503B，使得光阻挡层505安置于第一透明屏蔽物503A与第二透明屏蔽物503B之间。
在未描绘的一个实例中，第二透明屏蔽物503B具有安置于第二透明屏蔽物503B的横向边缘上的凹入区域，且光阻挡层505沉积于所述凹入区域中。另外，高折射率材料541可安置于光阻挡层505与第一透明屏蔽物503A之间。
包含发明摘要中所描述内容的本发明的所图解说明实例的以上描述并非打算为穷尽性的或将本发明限制于所揭示的精确形式。尽管出于说明性目的而在本文中描述了本发明的特定实例，但如相关领域的技术人员将认识到，可在本发明的范围内做出各种修改。
可鉴于以上详细描述对本发明做出这些修改。所附权利要求书中所使用的术语不应理解为将本发明限制于本说明书中所揭示的特定实例。而是，本发明的范围将完全由所附权利要求书来确定，所述权利要求书将根据权利要求解释的既定原则来加以理解。
Claims (25)
1.一种图像传感器封装，其包括：
图像传感器，其包含安置于半导体材料中的像素阵列；
透明屏蔽物，其粘附到所述半导体材料，其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间；及
光阻挡层，其安置于所述透明屏蔽物的凹入区域中，其中所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的被照射侧上，且其中所述光阻挡层经安置以防止光从所述透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述像素阵列中。
2.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中所述透明屏蔽物的横向边界延伸超过所述像素阵列的横向边界，且其中所述凹入区域及所述光阻挡层安置于所述透明屏蔽物的延伸超过所述像素阵列的所述横向边界的部分中。
3.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的相对横向边缘上，且其中所述凹入区域的宽度大于所述凹入区域到所述透明屏蔽物中的深度。
4.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中所述凹入区域被安置成距所述透明屏蔽物的所述边缘一距离，且其中所述凹入区域的宽度小于所述凹入区域到所述透明屏蔽物中的深度。
5.根据权利要求4所述的图像传感器封装，其中所述凹入区域在所述透明屏蔽物的相对横向侧上布置成偏移交错的图案。
6.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的相对横向边缘上，且其中所述凹入区域的横截面是三角形的。
7.根据权利要求6所述的图像传感器封装，其中所述凹入区域的仅一部分包含所述光阻挡层。
8.一种图像传感器封装，其包括：
图像传感器，其包含安置于半导体材料中的像素阵列；
第一透明屏蔽物，其粘附到所述半导体材料，其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述第一透明屏蔽物之间；
第二透明屏蔽物，其中所述第一透明屏蔽物安置于所述像素阵列与所述第二透明屏蔽物之间；及
光阻挡层，其安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间，其中所述光阻挡层经安置以防止光从所述第一透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述像素阵列中。
9.根据权利要求8所述的图像传感器封装，其中所述第一透明屏蔽物及所述第二透明屏蔽物的横向边界延伸超过所述像素阵列的横向边界，且其中所述光阻挡层安置于所述第一透明屏蔽物及所述第二透明屏蔽物的延伸超过所述像素阵列的所述横向边界的部分之间。
10.根据权利要求8所述的图像传感器封装，其进一步包括高折射率材料，所述高折射率材料安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间且横向安置于所述光阻挡层的两个部分之间。
11.根据权利要求8所述的图像传感器封装，其中所述光阻挡层安置于所述第二透明屏蔽物中的凹入区域中，其中所述凹入区域安置于所述第二透明屏蔽物的与被照射侧相对的侧上，且其中所述凹入区域的宽度大于所述凹入区域到所述第二透明屏蔽物中的深度。
12.根据权利要求8所述的图像传感器封装，其中所述第一透明屏蔽物及所述第二透明屏蔽物包含玻璃，且其中所述光阻挡层包含聚合物。
13.一种图像传感器封装制作方法，其包括：
提供包含安置于半导体材料中的像素阵列的图像传感器及粘附到所述半导体材料的透明屏蔽物，其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间；
移除所述透明屏蔽物的数个部分以在所述透明屏蔽物中形成凹入区域，其中所述透明屏蔽物的横向边界延伸超过所述像素阵列的横向边界，且其中所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的延伸超过所述像素阵列的所述横向边界的部分中；及
用光阻挡层填充所述凹入区域。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述图像传感器是多个图像传感器中的一者，且其中所述凹入区域安置于所述多个图像传感器中的个别图像传感器之间。
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在所述凹入区域中切割所述透明屏蔽物，其中切割延伸穿过所述光阻挡层及所述透明屏蔽物。
16.根据权利要求14所述的方法，其中通过机械锯而移除所述透明屏蔽物的部分且所述凹入区域大体上为三角形的。
17.根据权利要求14所述的方法，其中通过激光开槽而移除所述透明屏蔽物的部分且所述凹入区域大体上为矩形的。
18.根据权利要求13所述的方法，其中移除所述透明屏蔽物的部分包含蚀刻所述透明屏蔽物。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述凹入区域在所述透明屏蔽物的相对横向侧上被蚀刻成偏移交错的图案。
20.根据权利要求13所述的方法，其中所述光阻挡层包含吸收可见光谱中的大部分波长的有机材料。
21.一种图像传感器封装制作方法，其包括：
提供包含安置于半导体材料中的像素阵列的图像传感器及粘附到所述半导体材料的第一透明屏蔽物，其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述第一透明屏蔽物之间；
沉积安置于所述像素阵列的横向边缘与所述第一透明屏蔽物的横向边缘之间的光阻挡层；及
在所述图像传感器封装上放置第二透明屏蔽物，其中所述光阻挡层安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间。
22.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括沉积高折射率材料，所述高折射率材料与所述像素阵列光学对准且安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间。
23.根据权利要求22所述的方法，其中沉积所述高折射率材料包含沉积玻璃。
24.根据权利要求21所述的方法，其中所述第二透明屏蔽物具有安置于所述第二透明屏蔽物的横向边缘上的凹入区域，且其中所述光阻挡层沉积于所述凹入区域中。
25.根据权利要求24所述的方法，其进一步包括沉积安置于所述光阻挡层与所述第一透明屏蔽物之间的高折射率材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910047847.8A CN110034141B (zh) | 2016-05-02 | 2017-02-07 | 图像传感器封装及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/144,194 | 2016-05-02 | ||
| US15/144,194 US9608023B1 (en) | 2016-05-02 | 2016-05-02 | Edge reflection reduction |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910047847.8A Division CN110034141B (zh) | 2016-05-02 | 2017-02-07 | 图像传感器封装及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107342301A true CN107342301A (zh) | 2017-11-10 |
| CN107342301B CN107342301B (zh) | 2019-02-22 |
Family
ID=58359569
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710066831.2A Active CN107342301B (zh) | 2016-05-02 | 2017-02-07 | 图像传感器封装及其制作方法 |
| CN201910047847.8A Active CN110034141B (zh) | 2016-05-02 | 2017-02-07 | 图像传感器封装及其制作方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910047847.8A Active CN110034141B (zh) | 2016-05-02 | 2017-02-07 | 图像传感器封装及其制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US9608023B1 (zh) |
| CN (2) | CN107342301B (zh) |
| TW (1) | TWI629775B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7103832B2 (ja) * | 2018-04-18 | 2022-07-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 受光素子、及び、受光素子の製造方法 |
| JP2021019024A (ja) * | 2019-07-17 | 2021-02-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| KR20220060380A (ko) | 2020-11-04 | 2022-05-11 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 패키지 |
| WO2024111248A1 (ja) * | 2022-11-24 | 2024-05-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体パッケージ、光学装置、および、半導体パッケージの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104078479A (zh) * | 2014-07-21 | 2014-10-01 | 格科微电子（上海）有限公司 | 图像传感器的晶圆级封装方法和图像传感器封装结构 |
| CN105393356A (zh) * | 2013-07-25 | 2016-03-09 | 索尼公司 | 固体图像传感器、固体图像传感器制造方法和电子设备 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW353150B (en) * | 1994-05-13 | 1999-02-21 | Thomson Consumer Electronics | Liquid crystal display device |
| US6429036B1 (en) * | 1999-01-14 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Backside illumination of CMOS image sensor |
| JP4046067B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2008-02-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| US7091124B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming vias in microelectronic devices, and methods for packaging microelectronic devices |
| JP4641820B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2011-03-02 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| TWI373665B (en) * | 2008-12-25 | 2012-10-01 | Au Optronics Corp | Touch panel structure |
| KR101313028B1 (ko) | 2010-12-21 | 2013-10-02 | 니폰샤신인사츠가부시키가이샤 | 커버 유리 일체형 센서 |
| TWI636557B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-09-21 | 新力股份有限公司 | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic device |
| CN104571668B (zh) * | 2013-10-26 | 2018-03-16 | 祥达光学（厦门）有限公司 | 触控面板及其制造方法 |
-
2016
- 2016-05-02 US US15/144,194 patent/US9608023B1/en active Active
-
2017
- 2017-02-07 CN CN201710066831.2A patent/CN107342301B/zh active Active
- 2017-02-07 CN CN201910047847.8A patent/CN110034141B/zh active Active
- 2017-02-07 TW TW106103888A patent/TWI629775B/zh active
- 2017-02-10 US US15/430,071 patent/US9966404B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-04 US US15/945,530 patent/US10147751B2/en active Active
- 2018-04-04 US US15/945,541 patent/US10211243B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105393356A (zh) * | 2013-07-25 | 2016-03-09 | 索尼公司 | 固体图像传感器、固体图像传感器制造方法和电子设备 |
| CN104078479A (zh) * | 2014-07-21 | 2014-10-01 | 格科微电子（上海）有限公司 | 图像传感器的晶圆级封装方法和图像传感器封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110034141A (zh) | 2019-07-19 |
| US20180226447A1 (en) | 2018-08-09 |
| US20170317124A1 (en) | 2017-11-02 |
| US10147751B2 (en) | 2018-12-04 |
| US10211243B2 (en) | 2019-02-19 |
| CN110034141B (zh) | 2023-03-07 |
| US9608023B1 (en) | 2017-03-28 |
| CN107342301B (zh) | 2019-02-22 |
| US20180226448A1 (en) | 2018-08-09 |
| TW201740551A (zh) | 2017-11-16 |
| TWI629775B (zh) | 2018-07-11 |
| US9966404B2 (en) | 2018-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107342301A (zh) | 图像传感器封装及其制作方法 | |
| CN203192864U (zh) | 封装的陶瓷元件 | |
| US8876304B2 (en) | Imaging assembly | |
| CN107689424A (zh) | 掩模板、oled显示基板的封装方法、结构及显示装置 | |
| CN100383978C (zh) | 用于形成图像传感器的方法 | |
| CN104103653B (zh) | 形成用于图像传感器的双尺寸微透镜的方法 | |
| CN106653782A (zh) | Cmos图像传感器结构及其形成方法 | |
| US10868276B2 (en) | Display panel, display device, and fabrication method thereof | |
| DE112018001963T5 (de) | Festkörperbildgebungsvorrichtung | |
| CN105870145A (zh) | 影像传感器封装结构及其晶圆级制备方法 | |
| CN103972252A (zh) | 包含透明像素和硬掩模的彩色滤光器 | |
| WO2017045134A1 (en) | Screen-printing mask, method for fabricating the same, and related packaging method | |
| CN106575657A (zh) | 固体摄像装置及其制造方法 | |
| JP7086822B2 (ja) | 表示装置、及びその製造方法 | |
| CN108550597B (zh) | 成像装置和电子设备 | |
| CN107403815A (zh) | 光学装置和光电模块以及用于制造光学装置和光电模块的方法 | |
| CN205789975U (zh) | 影像传感器封装结构 | |
| CN111969028B (zh) | 显示面板及显示设备 | |
| KR100881496B1 (ko) | 패턴층을 갖춘 기판 구조 및 그 제조방법 | |
| RU2018146602A (ru) | Глубокая печать на микрооптических устройствах и способ создания таких устройств | |
| CN116802586A (zh) | 显示装置 | |
| CN113272467A (zh) | 掩模板 | |
| JP3841060B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN110024139A (zh) | 用于制造光电子部件的方法及光电子部件 | |
| WO2023281847A1 (ja) | モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |