TWI627894B - 使用奈米材料的電磁波防護帶 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種使用奈米材料的電磁波防護帶，其包括：一承載基板、一第一奈米結構、一第二奈米結構以及一絕緣包覆結構。承載基板具有一第一表面以及一與第一表面彼此相反設置的第二表面。第一奈米結構設置在承載基板的第一表面上。第二奈米結構設置在承載基板的第二表面上。承載基板、第一奈米結構以及第二奈米結構全部被絕緣包覆結構所完全包覆。藉此，本發明使用奈米材料的電磁波防護帶可提供電磁波防護功能或者是抗電磁波干擾(EMI)功能。

Description

使用奈米材料的電磁波防護帶
本發明係有關於一種電磁波防護帶，尤指一種使用奈米材料的電磁波防護帶。
現今科技蓬勃發展，許多相關於電子方面的產品相繼問世，同時也早已充斥在我們的生活當中，舉凡電腦、電視、行動電話等不勝枚舉，同時伴隨著大量電子產品的持續開發與運算效能的不斷提昇，相對於電子產品運作時所產生的各頻段電磁波已對人體造成重大的潛在危害風險，目前各國已開始針對各種電子產品製定更嚴格的電磁波干擾管制標準；同時外在環境的物理靜電也容易藉由人體傳導而直接打入電子產品內部，造成經常性的產品故障。
為了防制各類電子產品所產生的電磁波干擾以及靜電導入所採取的解決方案，目前許多的產品除了在機體主板進行具有少量降低電磁波之線路布局及增加吸收靜電突波電子元件外，同時會在電子產品的機構部件，進行電磁波干擾防蔽與靜電導通的處理，例如：筆記型電腦、行動電話、液晶螢幕等產品的外殼設有防電磁波干擾與靜電導通的披覆裝置，而目前的披覆裝置處理工法所知者有噴塗導電漆方式、無電解電鍍方式、金屬板隔離方式、真空鍍膜方式。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供 一種使用奈米材料的電磁波防護帶。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供的一種使用奈米材料的電磁波防護帶，其包括：一承載基板、一第一奈米結構、一第二奈米結構以及一絕緣包覆結構。所述承載基板具有一第一表面以及一與所述第一表面彼此相反設置的第二表面。所述第一奈米結構設置在所述承載基板的所述第一表面上。所述第二奈米結構設置在所述承載基板的所述第二表面上。所述承載基板、所述第一奈米結構以及所述第二奈米結構全部被所述絕緣包覆結構所完全包覆。
較佳地，所述承載基板為金屬板或金屬箔，所述承載基板具有多個第一微凹區域及多個第二微凹區域，多個所述第一微凹區域設置在所述承載基板的所述第一表面上且排列成一第一預定圖案，多個所述第二微凹區域設置在所述承載基板的所述第二表面上且排列成一第二預定圖案，且所述第一預定圖案與所述第二預定圖案是相同或相異；其中，所述第一奈米結構包括多個設置在所述承載基板的所述第一表面上的第一奈米結構群組以及一設置在所述承載基板的所述第一表面上且覆蓋多個所述第一奈米結構群組的第一填充覆蓋體，多個所述第一奈米結構群組分別設置在多個所述第一微凹區域上且分別從多個所述第一微凹區域向外延伸而出，且每一個所述第一奈米結構群組具有至少一第一奈米管或第一奈米片；其中，所述第二奈米結構包括多個設置在所述承載基板的所述第二表面上的第二奈米結構群組以及一設置在所述承載基板的所述第二表面上且覆蓋多個所述第二奈米結構群組的第二填充覆蓋體，多個所述第二奈米結構群組分別設置在多個所述第二微凹區域上且分別從多個所述第二微凹區域向外延伸而出，且每一個所述第二奈米結構群組具有至少一第二奈米管或第二奈米片；其中，所述絕緣包覆結構包括相互配合的一第一絕緣包覆層及一第二絕緣包覆層。
較佳地，至少一所述第一奈米管或所述第一奈米片垂直於所述承載基板的所述第一表面，且多個所述第一奈米結構群組依據所述第一預定圖案以排列成一相似於所述第一預定圖案的第一佈局圖案；其中，至少一所述第二奈米管或所述第二奈米片垂直於所述承載基板的所述第二表面，且多個所述第二奈米結構群組依據所述第二預定圖案以排列成一相似於所述第二預定圖案的第二佈局圖案。
較佳地，至少一所述第一奈米管或所述第一奈米片相對於所述承載基板的所述第一表面傾斜一第一預定角度，且多個所述第一奈米結構群組依據所述第一預定圖案以排列成一相似於所述第一預定圖案的第一佈局圖案；其中，至少一所述第二奈米管或所述第二奈米片相對於所述承載基板的所述第二表面傾斜一第二預定角度，且多個所述第二奈米結構群組依據所述第二預定圖案以排列成一相似於所述第二預定圖案的第二佈局圖案。
較佳地，所述承載基板為金屬板或金屬箔，所述第一奈米結構包括至少一設置在所述承載基板的所述第一表面上的第一奈米結構鍍層或者多個依序堆疊設置在所述承載基板的所述第一表面上的第一奈米結構鍍層，且所述第二奈米結構包括至少一設置在所述承載基板的所述第二表面上的第二奈米結構鍍層或者多個依序堆疊設置在所述承載基板的所述第二表面上的第二奈米結構鍍層；其中，所述絕緣包覆結構包括相互配合的一第一絕緣包覆層及一第二絕緣包覆層。
較佳地，所述承載基板為聚合物網狀結構，所述第一奈米結構包括至少一設置在所述承載基板的所述第一表面上的第一奈米結構鍍層或者多個依序堆疊設置在所述承載基板的所述第一表面上的第一奈米結構鍍層，且所述第二奈米結構包括至少一設置在所述承載基板的所述第二表面上的第二奈米結構鍍層或者多個依序堆疊設置在所述承載基板的所述第二表面上的第二奈米結構鍍 層；其中，所述絕緣包覆結構包括相互配合的一第一絕緣包覆層及一第二絕緣包覆層。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種使用奈米材料的電磁波防護帶，其包括：一第一奈米結構以及一絕緣包覆結構，其中所述第一奈米結構被所述絕緣包覆結構所完全包覆。
較佳地，所述第一奈米結構由一片狀奈米材料層或者多個依序堆疊的片狀奈米材料層所組成，且所述絕緣包覆結構包括相互配合的一第一絕緣包覆層及一第二絕緣包覆層。
較佳地，所述第一奈米結構由一網狀奈米材料層或者多個依序堆疊的網狀奈米材料層所組成，且所述絕緣包覆結構包括相互配合的一第一絕緣包覆層及一第二絕緣包覆層。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種使用奈米材料的電磁波防護帶，其包括：一第一承載基板、一第二承載基板、一第一奈米結構、一第二奈米結構以及一黏著層。所述第一承載基板及所述第二承載基板相互連接以形成一絕緣包覆結構。所述第一奈米結構設置在所述第一承載基板上。所述第二奈米結構設置在所述第二承載基板上。所述黏著層設置在所述第一奈米結構及所述第二奈米結構之間，其中所述第一奈米結構及所述第二奈米結構被所述絕緣包覆結構所包覆。其中，所述第一承載基板及所述第二承載基板都由聚合物材料所製成，且所述第一奈米結構及所述第二奈米結構都由奈米吸波材料所製成。
本發明的有益效果可以在於，本發明實施例所提供的使用奈米材料的電磁波防護帶，其可通過“所述第一奈米結構設置在所述承載基板的所述第一表面上，所述第二奈米結構設置在所述承載基板的所述第二表面上，且所述承載基板、所述第一奈米結構以及所述第二奈米結構全部被所述絕緣包覆結構所完全包覆”或 者“所述第一奈米結構被所述絕緣包覆結構所完全包覆”或者“所述第一奈米結構設置在所述第一承載基板上，所述第二奈米結構設置在所述第二承載基板上，所述黏著層設置在所述第一奈米結構及所述第二奈米結構之間，且所述第一奈米結構及所述第二奈米結構被所述絕緣包覆結構所包覆”的設計，以提供電磁波防護功能(及靜電防護功能)或者是抗電磁波干擾(EMI)功能。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵以及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
Z‧‧‧電磁波防護帶
1‧‧‧承載基板
101‧‧‧第一表面
102‧‧‧第二表面
11‧‧‧第一微凹區域
12‧‧‧第二微凹區域
1A‧‧‧第一承載基板
1B‧‧‧第二承載基板
2‧‧‧第一奈米結構
20‧‧‧第一奈米結構群組
20A‧‧‧第一奈米管
20B‧‧‧第一奈米片
θ1‧‧‧第一預定角度
21‧‧‧第一填充覆蓋體
22‧‧‧第一奈米結構鍍層
23‧‧‧片狀奈米材料層
24‧‧‧網狀奈米材料層
3‧‧‧第二奈米結構
30‧‧‧第二奈米結構群組
30A‧‧‧第二奈米管
30B‧‧‧第二奈米片
θ2‧‧‧第二預定角度
31‧‧‧第二填充覆蓋體
32‧‧‧第二奈米結構鍍層
4‧‧‧絕緣包覆結構
41‧‧‧第一絕緣包覆層
42‧‧‧第二絕緣包覆層
5‧‧‧黏著層
V‧‧‧真空腔體
圖1為本發明第一實施例所揭示的使用奈米材料的電磁波防護帶的側示剖面示意圖。
圖2為本發明第一實施例所揭示的使用奈米材料的電磁波防護帶的承載基板的側示剖面示意圖。
圖3為本發明第一實施例所揭示的使用奈米材料的電磁波防護帶的第一奈米結構及第二奈米結構分別設置在承載基板的兩相反表面上的側示剖面示意圖。
圖4為本發明第二實施例所揭示的使用奈米材料的電磁波防護帶的側示剖面示意圖。
圖5為本發明第三實施例所揭示的使用奈米材料的電磁波防護帶的側示剖面示意圖。
圖6為本發明第四實施例所揭示的使用奈米材料的電磁波防護帶的側示剖面示意圖。
圖7為本發明第五實施例所揭示的使用奈米材料的電磁波防護帶的側示剖面示意圖。
圖8為本發明第六實施例所揭示的使用奈米材料的電磁波防護帶的側示剖面示意圖。
以下是通過特定的具體實例來說明本發明所揭露有關“使用奈米材料的電磁波防護帶”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容瞭解本發明的優點與功效。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的圖式僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，先予敘明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所揭示的內容並非用以限制本發明的技術範疇。
〔第一實施例〕
請參閱圖1所示，本發明第一實施例提供一種使用奈米材料的電磁波防護帶Z，其包括：一承載基板1、一第一奈米結構2、一第二奈米結構3以及一絕緣包覆結構4。承載基板1具有一第一表面101以及一與第一表面101彼此相反設置的第二表面102。第一奈米結構2設置在承載基板1的第一表面101上，並且第二奈米結構3設置在承載基板1的第二表面102上。絕緣包覆結構4包括相互配合的一第一絕緣包覆層41及一第二絕緣包覆層42，並且承載基板1、第一奈米結構2以及第二奈米結構3全部被絕緣包覆結構4所完全包覆。
承上所述，更進一步來說，承載基板1具有多個第一微凹區域11及多個第二微凹區域12，其中多個第一微凹區域11設置在承載基板1的第一表面101上且排列成一第一預定圖案，多個第二微凹區域12設置在承載基板1的第二表面102上且排列成一第二預定圖案，並且第一預定圖案與第二預定圖案可以是相同的或相異的。另外，第一奈米結構2包括多個設置在承載基板1的第一表面101上的第一奈米結構群組20以及一設置在承載基板1的第一表面101上且覆蓋多個第一奈米結構群組20的第一填充覆蓋體21，其中多個第一奈米結構群組20分別設置在多個第一微凹區 域11上且分別從多個第一微凹區域11向外延伸而出，並且每一個第一奈米結構群組20具有至少一第一奈米管20A或第一奈米片20A。此外，第二奈米結構3包括多個設置在承載基板1的第二表面102上的第二奈米結構群組30以及一設置在承載基板1的第二表面102上且覆蓋多個第二奈米結構群組30的第二填充覆蓋體31，其中多個第二奈米結構群組30分別設置在多個第二微凹區域12上且分別從多個第二微凹區域12向外延伸而出，並且每一個第二奈米結構群組30具有至少一第二奈米管30A或第二奈米片30A。
請參閱圖2及圖3所示，關於第一奈米結構2及第二奈米結構3的製作方法，至少可包括下列步驟：首先，如圖2所示，提供一承載基板1，承載基板1具有一第一表面101以及一與第一表面101彼此相反設置的第二表面102，其中承載基板1具有多個第一微凹區域11以及多個第二微凹區域12，多個第一微凹區域11設置在第一表面101上且排列成一第一預定圖案，並且多個第二微凹區域12設置在第二表面102上且排列成一第二預定圖案。舉例來說，承載基板1可為金屬板、金屬箔或者任何類型的金屬基板，並且第一預定圖案與第二預定圖案可以是相同的或者相異的。例如，依據不同的設計需求，第一預定圖案與第二預定圖案可排列成相同的矩陣形狀。
然後，配合圖2及圖3所示，分別形成一第一奈米結構2以及一第二奈米結構3於承載基板1的第一表面101以及第二表面102上，其中第一奈米結構2包括多個分別設置在多個第一微凹區域11上且分別從多個第一微凹區域11向外(向下)延伸而出的第一奈米結構群組20，並且第二奈米結構3包括多個分別設置在多個第二微凹區域12上且分別從多個第二微凹區域12向外(向上)延伸而出的第二奈米結構群組30。
承上所述，更進一步來說，在分別形成第一奈米結構2以及 第二奈米結構3於承載基板1的第一表面101以及第二表面102上的步驟中，更進一步包括：首先，將由鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)以及金屬鹽(例如過飽和金屬鹽)所混合而成的混合溶液(圖未示)塗佈於經化學或物理加工而形成的多個第一微凹區域11以及多個第二微凹區域12內；接著，烘乾混合溶液，並將承載基板1放置於真空腔體V內；然後，如圖3所示，在真空腔體V內，承載基板1的第一表面101以及第二表面102上分別長出第一奈米結構2以及第二奈米結構3，其中多個第一奈米結構群組20可依據第一預定圖案，以排列成一相似於或相同於第一預定圖案的第一佈局圖案，並且多個第二奈米結構群組30可依據第二預定圖案，以排列成一相似於或相同於第二預定圖案的第二佈局圖案。
舉例來說，如圖3所示，每一個第一奈米結構群組20具有至少一第一奈米管20A或第一奈米片20B(圖3以三個第一奈米管20A或第一奈米片20B為例子來作說明)，並且每一個第二奈米結構群組30具有至少一第二奈米管30A或第二奈米片30B(圖3以三個第二奈米管30A或第二奈米片30B為例子來作說明)。更進一步來說，第一奈米管20A以及第二奈米管30A都可以是奈米碳管，並且第一奈米片20B以及第二奈米片30B都可以是奈米石墨烯。
舉例來說，如圖3所示，第一奈米管20A或第一奈米片20B可以大致上垂直於承載基板1的第一表面101，並且多個第一奈米結構群組20可依據第一預定圖案，以排列成一相似於或相同於第一預定圖案的第一佈局圖案。另外，第二奈米管30A或第二奈米片30B可以大致上垂直於承載基板1的第二表面102，並且多個第二奈米結構群組30可依據第二預定圖案，以排列成一相似於或相同於第二預定圖案的第二佈局圖案。
舉例來說，如圖3所示，第一奈米管20A或第一奈米片20B可以相對於承載基板1的第一表面101傾斜一第一預定角度θ1， 並且多個第一奈米結構群組20可依據第一預定圖案，以排列成一相似於或相同於第一預定圖案的第一佈局圖案。另外，第二奈米管30A或第二奈米片30B可以相對於承載基板1的第二表面102傾斜一第二預定角度θ2，並且多個第二奈米結構群組30可依據第二預定圖案，以排列成一相似於或相同於第二預定圖案的第二佈局圖案。
〔第二實施例〕
請參閱圖4所示，本發明第二實施例提供一種使用奈米材料的電磁波防護帶Z，其包括：一承載基板1、一第一奈米結構2、一第二奈米結構3以及一絕緣包覆結構4。由圖4與圖1的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，第一奈米結構2包括至少一設置在承載基板1的第一表面101上的第一奈米結構鍍層22或者多個依序堆疊設置在承載基板1的第一表面101上的第一奈米結構鍍層22，並且第二奈米結構3包括至少一設置在承載基板1的第二表面102上的第二奈米結構鍍層32或者多個依序堆疊設置在承載基板1的第二表面102上的第二奈米結構鍍層32。在第二實施例中，圖4是以“多個依序堆疊設置在承載基板1的第一表面101上的第一奈米結構鍍層22及多個依序堆疊設置在承載基板1的第二表面102上的第二奈米結構鍍層32”為例子來作說明，其中第一奈米結構鍍層22及第二奈米結構鍍層32都可以是通過濺鍍(sputtering)的方式來形成。
〔第三實施例〕
請參閱圖5所示，本發明第三實施例提供一種使用奈米材料的電磁波防護帶Z，其包括：一承載基板1、一第一奈米結構2、一第二奈米結構3以及一絕緣包覆結構4。由圖5與圖1的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最大的差別在於：在第三實施例中，承載基板1為聚合物網狀結構，第一奈米結構2包括至少一設置在承載基板1的第一表面101上的第一奈米結構鍍層22 或者多個依序堆疊設置在承載基板1的第一表面101上的第一奈米結構鍍層22，並且第二奈米結構3包括至少一設置在承載基板1的第二表面102上的第二奈米結構鍍層32或者多個依序堆疊設置在承載基板1的第二表面102上的第二奈米結構鍍層32。在第三實施例中，圖5是以“多個依序堆疊設置在承載基板1的第一表面101上的第一奈米結構鍍層22及多個依序堆疊設置在承載基板1的第二表面102上的第二奈米結構鍍層32”為例子來作說明，其中第一奈米結構鍍層22及第二奈米結構鍍層32都可以是通過塗佈(coating)的方式來形成。
〔第四實施例〕
請參閱圖6所示，本發明第四實施例提供一種使用奈米材料的電磁波防護帶Z，其包括：一第一奈米結構2以及一絕緣包覆結構4，其中絕緣包覆結構4包括相互配合的一第一絕緣包覆層41及一第二絕緣包覆層42，並且第一奈米結構2被絕緣包覆結構4所完全包覆。更進一步來說，第一奈米結構2可由一片狀奈米材料層23或者多個依序堆疊的片狀奈米材料層23所組成。在第四實施例中，圖6是以“第一奈米結構2可由一片狀奈米材料層23所組成”為例子來作說明，其中片狀奈米材料層23可為石墨烯片。
〔第五實施例〕
請參閱圖7所示，本發明第五實施例提供一種使用奈米材料的電磁波防護帶Z，其包括：一第一奈米結構2以及一絕緣包覆結構4，其中絕緣包覆結構4包括相互配合的一第一絕緣包覆層41及一第二絕緣包覆層42，並且第一奈米結構2被絕緣包覆結構4所完全包覆。更進一步來說，第一奈米結構2由一網狀奈米材料層24或者多個依序堆疊的網狀奈米材料層24所組成。在第五實施例中，圖7是以“第一奈米結構2由多個依序堆疊的網狀奈米材料層24所組成”為例子來作說明，其中網狀奈米材料層24可為由石墨烯、碳納米管以及碳等等的奈米材料所編織而成的網狀 層。
〔第六實施例〕
請參閱圖8所示，本發明第六實施例提供一種使用奈米材料的電磁波防護帶Z，其包括：一第一承載基板1A、一第二承載基板1B、一第一奈米結構2、一第二奈米結構3以及一黏著層5。第一承載基板1A及第二承載基板1B相互連接以形成一絕緣包覆結構4。第一奈米結構2設置在第一承載基板1A上，並且第二奈米結構3設置在第二承載基板1B上。黏著層5設置在第一奈米結構2及第二奈米結構3之間，並且第一奈米結構2及第二奈米結構3被絕緣包覆結構4所包覆。舉例來說，第一承載基板1A及第二承載基板1B都可由聚合物材料所製成，並且第一奈米結構2及第二奈米結構3可都由奈米吸波材料所製成，其中奈米吸波材料可為單或多數層金屬(例如Fe,Ni,Al,Si,Zn等等)或金屬氧化物(例如鐵氧體)。
〔實施例的可行功效〕
綜上所述，本發明的有益效果可以在於，本發明實施例所提供的使用奈米材料的電磁波防護帶Z，其可通過“第一奈米結構2設置在承載基板1的第一表面101上，第二奈米結構3設置在承載基板1的第二表面102上，且承載基板1、第一奈米結構2以及第二奈米結構3全部被絕緣包覆結構4所完全包覆”或者“第一奈米結構2被絕緣包覆結構4所完全包覆”或者“第一奈米結構2設置在第一承載基板1A上，第二奈米結構3設置在第二承載基板1B上，黏著層5設置在第一奈米結構2及第二奈米結構3之間，且第一奈米結構2及第二奈米結構3被絕緣包覆結構4所包覆”的設計，以提供電磁波防護功能(及靜電防護功能)或者是抗電磁波干擾(EMI)功能。
以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書以及圖式內容所做的等效 技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

Claims (7)

  1. 一種使用奈米材料的電磁波防護帶，其包括：一承載基板，所述承載基板具有一第一表面以及一與所述第一表面彼此相反設置的第二表面；一第一奈米結構，所述第一奈米結構設置在所述承載基板的所述第一表面上；一第二奈米結構，所述第二奈米結構設置在所述承載基板的所述第二表面上；以及一絕緣包覆結構，其中所述承載基板、所述第一奈米結構以及所述第二奈米結構全部被所述絕緣包覆結構所完全包覆。
  2. 如請求項1所述的使用奈米材料的電磁波防護帶，其中，所述承載基板為金屬板或金屬箔，所述承載基板具有多個第一微凹區域及多個第二微凹區域，多個所述第一微凹區域設置在所述承載基板的所述第一表面上且排列成一第一預定圖案，多個所述第二微凹區域設置在所述承載基板的所述第二表面上且排列成一第二預定圖案，且所述第一預定圖案與所述第二預定圖案是相同或相異；其中，所述第一奈米結構包括多個設置在所述承載基板的所述第一表面上的第一奈米結構群組以及一設置在所述承載基板的所述第一表面上且覆蓋多個所述第一奈米結構群組的第一填充覆蓋體，多個所述第一奈米結構群組分別設置在多個所述第一微凹區域上且分別從多個所述第一微凹區域向外延伸而出，且每一個所述第一奈米結構群組具有至少一第一奈米管或第一奈米片；其中，所述第二奈米結構包括多個設置在所述承載基板的所述第二表面上的第二奈米結構群組以及一設置在所述承載基板的所述第二表面上且覆蓋多個所述第二奈米結構群組的第二填充覆蓋體，多個所述第二奈米結構群組分別設置在多個所述第二微凹區域上且分別從多 個所述第二微凹區域向外延伸而出，且每一個所述第二奈米結構群組具有至少一第二奈米管或第二奈米片；其中，所述絕緣包覆結構包括相互配合的一第一絕緣包覆層及一第二絕緣包覆層。
  3. 如請求項2所述的使用奈米材料的電磁波防護帶，其中，至少一所述第一奈米管或所述第一奈米片垂直於所述承載基板的所述第一表面，且多個所述第一奈米結構群組依據所述第一預定圖案以排列成一相似於所述第一預定圖案的第一佈局圖案；其中，至少一所述第二奈米管或所述第二奈米片垂直於所述承載基板的所述第二表面，且多個所述第二奈米結構群組依據所述第二預定圖案以排列成一相似於所述第二預定圖案的第二佈局圖案。
  4. 如請求項2所述的使用奈米材料的電磁波防護帶，其中，至少一所述第一奈米管或所述第一奈米片相對於所述承載基板的所述第一表面傾斜一第一預定角度，且多個所述第一奈米結構群組依據所述第一預定圖案以排列成一相似於所述第一預定圖案的第一佈局圖案；其中，至少一所述第二奈米管或所述第二奈米片相對於所述承載基板的所述第二表面傾斜一第二預定角度，且多個所述第二奈米結構群組依據所述第二預定圖案以排列成一相似於所述第二預定圖案的第二佈局圖案。
  5. 如請求項1所述的使用奈米材料的電磁波防護帶，其中，所述承載基板為金屬板或金屬箔，所述第一奈米結構包括至少一設置在所述承載基板的所述第一表面上的第一奈米結構鍍層或者多個依序堆疊設置在所述承載基板的所述第一表面上的第一奈米結構鍍層，且所述第二奈米結構包括至少一設置在所述承載基板的所述第二表面上的第二奈米結構鍍層或者多個依序堆疊設置在所述承載基板的所述第二表面上的第二奈米結構鍍層；其中，所述絕緣包覆結構包括相互配合的一第一絕緣 包覆層及一第二絕緣包覆層。
  6. 如請求項1所述的使用奈米材料的電磁波防護帶，其中，所述承載基板為聚合物網狀結構，所述第一奈米結構包括至少一設置在所述承載基板的所述第一表面上的第一奈米結構鍍層或者多個依序堆疊設置在所述承載基板的所述第一表面上的第一奈米結構鍍層，且所述第二奈米結構包括至少一設置在所述承載基板的所述第二表面上的第二奈米結構鍍層或者多個依序堆疊設置在所述承載基板的所述第二表面上的第二奈米結構鍍層；其中，所述絕緣包覆結構包括相互配合的一第一絕緣包覆層及一第二絕緣包覆層。
  7. 一種使用奈米材料的電磁波防護帶，其包括：一第一承載基板；一第二承載基板，其中所述第一承載基板及所述第二承載基板相互連接以形成一絕緣包覆結構；一第一奈米結構，所述第一奈米結構設置在所述第一承載基板上；一第二奈米結構，所述第二奈米結構設置在所述第二承載基板上；以及一黏著層，所述黏著層設置在所述第一奈米結構及所述第二奈米結構之間，其中所述第一奈米結構及所述第二奈米結構被所述絕緣包覆結構所包覆；其中，所述第一承載基板及所述第二承載基板都由聚合物材料所製成，且所述第一奈米結構及所述第二奈米結構都由奈米吸波材料所製成。
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