TWI625863B - 製造包括電子封裝體的光學模組之方法 - Google Patents

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Abstract

一些形式包括有一包括有一光偵檢接收器IC與一接收器IC之電子封裝體。該電子封裝體包括有一包圍該光偵檢接收器IC與該接收器IC之模具。該光偵檢接收器IC與該接收器IC係彼此相鄰但彼此未接觸。其他形式包括有一光學模組，該光學模組包括有一基體及一安裝於該基體上之電子封裝體。該電子封裝體包括有一模具內所包圍之一光偵檢接收器IC與一接收器IC。該光偵檢接收器IC與該接收器IC係彼此相鄰但未接觸。其他形式包括有一種方法，該方法包括有形成一模具，該模具包括有彼此相鄰但未接觸之一光偵檢接收器IC與一接收器IC。該光偵檢接收器IC包括有曝露於該模具之一表面上之光學組件。

Description

製造包括電子封裝體的光學模組之方法
本文中所述的實施例大致係有關於一種製造一電子封裝體之方法，並且更具體而言，係有關於一種製造一包括有一電子封裝體的光學模組之方法。
光學模組歷經不斷重新設計，目的是要以較少的電力消耗量及組裝成本來提供更高的頻寬密度。舉一例來說，使用光子裝置並且能夠攜載大量資料的光學模組存在著需求。在電路板接電路板及晶片接晶片的應用方面，高頻寬光學模組是解決資料中心系統中資料流量不斷增加之問題的一個關鍵。
習知的封裝架構通常需要多晶粒系統，該等多晶粒系統典型需要至少三種封裝體組態。一種封裝體組態包括有堆疊之晶粒，一傳送器積體電路(下文稱為IC)直接附接於該等堆疊之晶粒，該傳送器IC包括有一直接附接至一矽光子傳送器晶粒之分散式驅動器。另一封裝體組態典型包括有一與一光偵檢接收器IC緊鄰而置的接收器IC。再另一封裝體組態通常包括有一(例如藉由覆晶附接法)附接至一封裝體基體之電力管理IC。
該矽光子傳送器與該光偵檢接收器IC上通常有光學組件。舉一例來說，纖維陣列之間可被動對準至該矽光子傳送器及該光偵檢接收器IC上的光學I/O區。該矽光子傳送器及該光偵檢接收器IC上的這些光學I/O區典型從安裝有該矽光子傳送器及該光偵檢接收器IC之基體突出。
習知的光學模組有一個缺點，對於高密度晶粒堆疊及更高的RF效能而言，覆晶互連區的間距細小，尤其是在該傳送器IC與該矽光子傳送器晶粒之間，以及安裝光偵檢接收器IC與該接收器IC至該基體，此缺點更加明顯。一般而言，該矽光子傳送器及該電力管理IC係附接至該基體，與用於將光偵檢接收器IC及該接收器IC連接至該基體之細小間距互連(例如80um間距)相比，該基體具有的凸塊互連間距較大。各種組件互連大小之間的這些差異及細小間距互連之使用一般而言，會使形成習知的光學模組之組件難以具有高組裝產出、穩固的可靠性及良好的信號完整性。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種電子封裝體，其包含：一光偵檢接收器IC；一接收器IC；以及包圍該光偵檢接收器IC與該接收器IC的一模具，其中該光偵檢接收器IC與該接收器IC係彼此相鄰但彼此未接觸。
5-5、7-7、9-9、13-13‧‧‧線條
10、20‧‧‧光學模組
12‧‧‧光偵檢接收器IC
13‧‧‧接收器IC
14、50‧‧‧基體
30‧‧‧電子封裝體
32‧‧‧光偵檢接收器IC
33‧‧‧接收器IC
34‧‧‧區段
35‧‧‧模具
36‧‧‧部分
37‧‧‧光學組件
38A、38B‧‧‧電氣連接件
39‧‧‧表面
42‧‧‧電氣重新分布層
46‧‧‧第一傳導層
51‧‧‧光子傳送器晶粒
52‧‧‧傳送器IC
53‧‧‧電力管理IC
55‧‧‧部分
59‧‧‧電氣接點
1700‧‧‧方法
1710~1770‧‧‧步驟
1800‧‧‧電子設備
1802‧‧‧系統匯流排
1810‧‧‧電子封裝體
1812‧‧‧處理器
1814‧‧‧通訊電路
1816‧‧‧顯示裝置
1818‧‧‧揚聲器
1820‧‧‧外部記憶體
1822‧‧‧主記憶體
1824‧‧‧硬碟機
1826‧‧‧可移除式媒體
1830‧‧‧鍵盤及/或控制器
圖1是一先前技術光學模組。
圖2是一例示性光學模組。
圖3是一繪示一例示性電子封裝體之截面圖，該 電子封裝體可在圖2所示之光學模組中使用。
圖4是圖2所示例示性電子封裝體之俯視圖，其中該電子封裝體係經部分製造。
圖5是圖4所示例示性經部分製造電子封裝體沿著線條5-5剖切之截面圖。
圖6是圖4所示例示性經部分製造電子封裝體之晶圓級俯視圖。
圖7是圖6所示例示性經部分製造電子封裝體沿著線條7-7剖切之截面圖。
圖8是圖7所示例示性電子封裝體之俯視圖，其中該電子封裝體係經進一步製造。
圖9是圖8所示例示性經部分製造電子封裝體沿著線條9-9剖切之截面圖。
圖10是圖9所示例示性經部分製造電子封裝體之截面圖，其中該電子封裝體係經進一步製造。
圖11是圖10所示例示性經部分製造電子封裝體之截面圖，其中該電子封裝體係經進一步製造。
圖12是圖11所示例示性電子封裝體之俯視圖，其中該電子封裝體係經進一步製造。
圖13是圖12所示例示性經部分製造電子封裝體沿著線條13-13剖切之截面圖。
圖14是圖13所示例示性經部分製造電子封裝體之截面圖，其中該電子封裝體係經進一步製造。
圖15是圖14所示例示性經部分製造電子封裝體 之截面圖，其中該電子封裝體係經進一步製造。
圖16是圖16所示例示性經部分製造電子封裝體之截面圖，其中該電子封裝體係經進一步製造。
圖17是一種製造一電子封裝體及一包括有該電子封裝體之光學模組的方法之一流程圖。
圖18是一電子設備之一方塊圖，該電子設備合併有本文中所述之電子封裝體、光學模組及方法中之至少一者。
以下說明及圖式充分描述所屬技術領域中具有通常知識者能夠據以實踐的特定實施例。其他實施例可合併有結構化、邏輯性、電氣，程序及其他方面的變更。一些實施例之部分及特徵可包括於其他實施例中，或由其他實施例來替代。申請專利範圍裡提到的實施例含括那些請求項的所有可用均等例。
諸如「水平」等方位術語於本申請書中使用時，係參照一與一晶圓或基體之習知的平面或表面平行的平面來定義，與該晶圓或基體的方位無關。「垂直」一詞意指為一與如以上所定義之水平垂直的方向。諸如「上」、「側」(如位在「側壁」中)、「更高」、「更低」、「上方」及「底下」等介詞係對照位在該晶圓或基體之頂端表面上之習知的平面或表面來定義，與該晶圓或基體的方位無關。
本文中所述之例示性電子封裝體、光學模組及方法可以能夠提供一光學模組(或一光學模組之子組件)，該光 學模組包括有(例如使用嵌埋式晶圓級球柵陣列(下文稱為eWLB)技術)在單一模具內形成之一光偵檢接收器IC及一接收器IC。本文中所述之例示性電子封裝體、光學模組及方法可提供(i)高生產量；(ii)高良率(例如藉由併入前置光學模組子組件測試功能)，以及(iii)用於一矽光子模組之低成本組裝，該矽光子模組可按照電氣方式以電子方式及/或光學方式整合到光學模組內。
舉一例來說，使用一eWLB扇出型封裝結構可提供(i)高組裝生產量；(ii)一在一光偵檢接收器IC與一接收器IC之間提供高速電氣連接性之晶圓級重新分布層(RDL)；以及(iii)一光偵檢接收器IC與接收器IC子組件在該光偵檢接收器IC用之整體高密度操作頻寬裡的預組裝可測試性。
在圖1所示的先前技術光學模組10中，一光偵檢接收器IC 12及一接收器IC 13係各別安裝至一基體14。光偵檢接收器IC 12突出於基體14。此突出(請參照尺寸OH)常使光學模組10出現可靠性問題。
本文中所述的例示性電子封裝體、光學模組及方法可顯著減輕習知的光學模組中存在的光偵檢接收器IC突出問題。相較於習知的光學模組，由於包括有本文中所述之位在例示性電子封裝體中之光偵檢接收器IC、光學模組及方法的模具有更大的表面積，因而得以降低此突出問題。
另外，與本文中所述之製造例示性電子封裝體、光學模組及方法相關聯之晶粒應用處理數目也減少(即從 四個晶粒減少到三個晶粒)。晶粒應用處理數目減少可使得與本文中所述之製造例示性電子封裝體、光學模組及方法相關聯之製造程序流暢。
本文中所述之例示性電子封裝體、光學模組及方法亦可減輕與安裝光偵檢接收器IC及接收器IC至光學模組基體相關聯的晶粒破裂問題。習知的光學模組中的光偵檢接收器IC及接收器IC由於底部填充溢出，因而常具有與安裝光偵檢接收器IC及接收器IC至光學模組基體相關聯的晶粒破裂問題。
另外，待於本文中所述之例示性電子封裝體、光學模組及方法中使用的任何銅柱狀物需求可以降彽。舉一例來說，典型與習知的光學模組中之光偵檢接收器IC及接收器IC配合使用之難以製造之銅柱狀物有許多是可以消除的，因為光偵檢接收器IC與接收器IC之間可使用重新分布層(下文稱為RDL)來發送高速信號。
本文中所述之例示性電子封裝體及方法亦可在一晶圓級進行測試。這種在一晶圓級進行測試的能力可改善習知的電子封裝體，光偵檢接收器IC與接收器IC在習知的電子封裝體典型是個別進行測試。
圖2是一例示性光學模組20。圖3是一繪示一例示性電子封裝體30之截面圖，該電子封裝體可在圖2所示之光學模組20中使用。
電子封裝體30包括有一光偵檢接收器IC 32及一接收器IC 33。一模具35包圍光偵檢接收器IC 32及接收器IC 33。光偵檢接收器IC 32與接收器IC 33係彼此相鄰但彼此未接觸。模具35內光偵檢接收器IC 32與接收器IC 33的相對位置將會部分取決於電子封裝體30的總體大小與組態，以及光偵檢接收器IC 32與接收器IC 33的總體大小與組態。
在一些形式中，光學組件37可在模具35之一部分36上曝露。舉一例來說，光學組件可包括有一微透鏡陣列。另外，包括有曝露之光學組件37之模具35之部分36可位在模具35之一表面39上。
亦如圖4及圖5所示，電子封裝體30可更包括有位在模具35之表面39上的電氣連接件38A、38B。一些電氣連接件38A係電氣連接至光偵檢接收器IC 32，而一些電氣連接件38B係電氣連接至接收器IC 33。
應知，位在模具35之「表面39上」可意指為下列用語：(i)直接附接(或安裝)至模具35之表面39；(ii)直接附接(或安裝)至位在模具35之表面39上的鈍化層；(iii)直接附接(或安裝)至模具35之表面39的一部分及一位在模具35之表面39上之鈍化層的一部分；(iv)直接附接(或安裝)至位在模具35之表面39上之另一類型之層；或(v)直接附接(或安裝)至模具35之表面39的一部分、及/或一位在模具35之表面39上之鈍化層的一部分及/或位在模具35之表面39上之另一類型之層。可(或可不)將項目直接安裝至模具35之表面39或安裝到一或多個位在模具35之表面39上之各種層的類型及方式將會部分取決於如何製造電子封裝體30以及電子封裝體30的應用領域(以及其他因素)。
在電子封裝體30的一些形式中，電子封裝體30中模具35的表面可包括有附加電氣連接件，用於連接至模具35內的其他電子組件，或用於附接至模具35。另外，電氣連接件38A、38B可包括有組配來間接(或直接)連接至焊球59(請參照圖3及圖17)的接墊。
如圖3及圖12至圖17所示，電子封裝體30可更包括有一電氣重新分布層42，該電氣重新分布層將電氣連接至光偵檢接收器IC 32之電氣連接件38A之其中一些電氣連接至電氣連接至接收器IC 33之電氣連接件35B之其中一些。在一些形式中，電氣重新分布層42可包括有複數個電氣重新分布層，該複數個電氣重新分布層將電氣連接至光偵檢接收器IC 32之電氣連接件38A之其中一些電氣連接至電氣連接至接收器IC 33之電氣連接件35B之其中一些。(多個)電氣重新分布層42之組態與大小將會部分取決於模具35、光偵檢接收器IC 32及接收器IC 33之大小與組態(以及其他因素)。
如圖2所示，光學模組20包括有一基體50，基體50上安裝有電子封裝體30。電子封裝體30可以是本文中所述電子封裝體30之任何一者。
光學模組20可更包括有一安裝至基體50之光子傳送器晶粒51。另外，光學模組2可更包括有一堆疊到光子傳送器晶粒51上並且電氣連接至光子傳送器晶粒51之傳送器IC 52。應知光子傳送器晶粒51及傳送器IC 52之大小、類型及組態將會部分取決於光學模組20的應用領域。
在一些形式中，光學模組20可更包括有一安裝於基體50上之電力管理IC 53(請參照圖2)。電力管理IC 53可組配來供應電力至光子傳送器晶粒51、傳送器IC 52、光偵檢接收器IC 32及接收器IC 33之一或多者。光子傳送器晶粒51及傳送器IC 52之大小、類型及組態將會部分取決於光學模組20的應用領域，以及光學模組20中所包括之光子傳送器晶粒51、傳送器IC 52、光偵檢接收器IC 32及接收器IC 33的類型。
光偵檢接收器IC 32可包括有突出於基體50之一區段34。另外，光子傳送器晶粒51(可能還有傳送器IC 52)各可包括有突出於基體50之一部分55(請參照圖2中之尺寸OH)。光偵檢接收器IC 32突出於基體50之區段34及光子傳送器晶粒51(可能還有傳送器IC 52)突出於該基體之(多個)部分55的程度將會部分取決於光偵檢接收器IC 32及光子傳送器晶粒51中所包括之光學組件37的數目。
圖17繪示形成一包括有一電子封裝體30之光學模組20之一例示方法[1700]的一流程圖。圖4至圖16展示圖17所示方法[1700]之部分的對應組裝。
方法[1700]包括有[1710]形成一模具35，該模具包括有彼此相鄰但未彼此接觸之一光偵檢接收器IC 32及一接收器IC 33。光偵檢接收器IC 32包括有曝露於模具35之一表面39上之光學組件37。
方法[1700]更包括有[1720]以一第一傳導層46覆蓋模具35，使得第一傳導層46在模具35之表面39上包括有 電氣連接件38A、38B(例如，請參照圖4至圖6，其中圖6展示在一晶圓級之操作)。
第一傳導層46可使用鍍覆(或一些其他類型之沉積)附接至模具35。應知第一傳導層46可用已知或未來發現之任何方式(例如蝕刻)來製作圖型。
第一傳導層46包括有可電氣連接至光偵檢接收器IC 32之電氣連接件38A中之一些，以及可電氣連接至接收器IC 33之電氣連接件38B中之一些。
圖7至圖11繪示用於形成電子封裝體30之進一步可能製造程序。舉例來說，經製作圖型之第一傳導層36可用一增層來覆蓋，該增層接著進行製作圖型以在該增層中形成開口。另外，經製作圖型之增層可用一第二傳導層來覆蓋，該第二傳導層填充該經製作圖型之增層中的該等開口以將該第二傳導層電氣連接至第一經製作圖型之傳導層46。
方法[1700]更包括有[1730]以一電氣重新分布層42覆蓋模具35，該電氣重新分布層將光偵檢接收器IC 32電氣連接至接收器IC 33(例如請參照圖12至圖17)。電氣重新分布層42可以是該第二傳導層之一部分，並且將電氣連接至光偵檢接收器IC 32之電氣連接件38A之其中一些電氣連接至電氣連接至接收器IC 33之電氣連接件35B之其中一些。在一些形式中，電氣重新分布層42可包括有複數個電氣重新分布層。
電氣重新分布層42可進行製作圖型，並且接著 以一阻焊劑來覆蓋，該阻焊劑接著進行製作圖型以在該阻焊劑中形成開口。電氣接點59(例如焊球)可置放於該阻焊劑中之該等開口內。電氣接點59係電氣連接至第一第二傳導層46。
如圖2所示，方法[1700]可更包括有[1740]附接模具35至一基體50，使得光偵檢接收器IC 32之曝露之光學組件37(圖2中看不到)突出於基體50。模具35突出於該基體的程度將會部分取決於(i)光偵檢接收器IC 32上曝露之光學組件37之數目與位置；以及(ii)光偵檢接收器IC 32與接收器IC 33的大小(以及其他因素)。
方法[1700]可更包括有[1750]附接一光子傳送器晶粒51至基體50，以及[1760]將一傳送器IC 52堆疊到光子傳送器晶粒51上，使得傳送器IC 52電氣連接至光子傳送器晶粒51。方法[1700]可更包括有[1770]附接一電力管理IC 53至基體50，使得電力管理IC 53係組配來供應電力至光子傳送器晶粒51、傳送器IC 52、光偵檢接收器IC 32及接收器IC 33。
在一些形式中，[1750]附接光子傳送器晶粒51至基體50可包括有附接光子傳送器晶粒51至基體50以使得光子傳送器晶粒51中之光學組件(圖2中看不到)從基體50突出。光子傳送器晶粒51突出於基體50的程度將會部分取決於(i)光子傳送器晶粒51上曝露之光學組件的數目；以及(ii)光子傳送器晶粒51與堆疊之傳送器IC 52的大小(以及其他因素)。
本文中所述之例示性電子封裝體、光學模組及方法可促進將一包括有一內有形成一光偵檢接收器IC及接收器IC之模具的電子封裝體整合到一光學模組。將此一電子封裝體(例如若使用ewLB)整合到一光學模組可提供高生產量、低成本及高組裝良率。該整合亦可提供一大小更精巧之光學模組，並且提供一用於高效能運算之電子/光學互連。
圖18是合併有本文中所述之光學模組、電子封裝體及/或方法中之至少一者的一電子設備1800的一方塊圖。電子設備1800只是內可使用本發明之實施例之一電子系統的一個實例。電子設備1800之實例包括有，但不限於個人電腦、平板電腦、行動電話、遊戲裝置、MP3或其他數位音樂播放器等。在這項實例中，電子設備1800包含有一資料處理系統，該資料處理系統包括有一耦合至該系統之各種組件的系統匯流排1802。系統匯流排1802在電子設備1800之各種組件之間提供通訊鏈路，並且可實施成一單一匯流排，實施成匯流排之一組合，或以任何其他適合的方式來實施。
在一項實施例中，電子封裝體1810包括有一可以是任何類型的處理器1812。「處理器」於本文中使用時，意味著任何類型之運算電路，例如但不限於一微處理器、一微控制器、一複雜指令集運算(CISC)微處理器，一精簡指令集運算(RISC)微處理器、一超長指令字元(VLIW)微控制器、圖形處理器、一數位信號處理器(DSP)、多核心處理器、 或任何其他類型的處理器或處理電路。
可包括於電子封裝體1810中之其他類型的電路為一定製電路、一特定應用積體電路(ASIC)、或類似物，舉例而言例如像是行動電話、平板電腦、膝上型電腦、雙向無線電、及類似電子系統之無線裝置中使用的一或多種電路(例如一通訊電路1814)。該IC可進行任何其他類型的功能。
電子設備1800亦可包括有一外部記憶體1820，該外部記憶體進而可包括有一或多個適用於特定應用的記憶體元件，例如形式為隨機存取記憶體(RAM)之一主記憶體1822、一或多個硬碟機1824、及/或一或多個處理諸如光碟(CD)、快閃記憶卡、數位視訊光碟(DVD)、及類似者等可移除式媒體1826之驅動機。
電子設備1800亦可包括有一顯示裝置1816、一或多個揚聲器1818、及一鍵盤及/或控制器1830，該控制器可包括有一滑鼠、軌跡球、觸控螢幕、話音辨識裝置、或任何其他許可一系統使用者輸入資訊到電子設備1800並從該電子設備接收資訊的裝置。
為了更妥適地說明本文中所揭示之方法、電子封裝體及光學模組，這裡提供一非限制實施例清單。
實例1包括有一種電子封裝體。該電子封裝體包括有一光偵檢接收器IC及一接收器IC。該電子封裝體包括有一包圍該光偵檢接收器IC與該接收器IC之模具。該光偵檢接收器IC與該接收器IC係彼此相鄰但彼此未接觸。
實例2包括有如請求項1之電子封裝體，其中該模具包括有一使位在該光偵檢接收器IC上之光學組件曝露的部分。
實例3包括有如實例1至2中任何一實例之電子封裝體，其更包括有位在該模具之一表面上之電氣連接件。一些電氣連接件係電氣連接至該光偵檢接收器IC，而一些電氣連接件係電氣連接至該接收器IC。
實例4包括有如實例1至實例3中任一實例之電子封裝體，其中包括有曝露之光學組件之該模具的該部分位在該模具之一表面上。
實例5包括有如請求項1至4中任一實例之電子封裝體，其中該等電氣連接件包括有組配用於連接至焊球之接墊。
實例6包括有如實例1至實例5之電子封裝體，其更包括有一電氣重新分布層，該電氣重新分布層將該等電氣連接件中電氣連接至該光偵檢接收器IC之一些電氣連接至該等電氣連接件中電氣連接至該接收器IC之一些。
實例7包括有如實例2至實例6之電子封裝體，其中該等光學組件包括有微透鏡陣列。
實例8包括有一種光學模組。該光學模組包括有一基體及一安裝於該基體上之電子封裝體。該電子封裝體包括有一模具內所包圍之一光偵檢接收器IC與一接收器IC。該光偵檢接收器IC與該接收器IC係彼此相鄰但彼此未接觸。
實例9包括有如實例8之光學模組，其中該模具包括有一使位在該光偵檢接收器IC上之光學組件曝露的部分。
實例10包括有如實例8至實例9之光學模組，其中該電子封裝體更包括有位在該模具之一表面上的電氣連接件，其中一些電氣連接件係電氣連接至該光偵檢接收器IC，而一些電氣連接件係電氣連接至該接收器IC，以及包括有一電氣重新分布層，該電氣重新分布層將該等電氣連接件中電氣連接至該光偵檢接收器IC之一些電氣連接至該等電氣連接件中電氣連接至該接收器IC之一些，並且其中該等電氣連接件包括有組配用於連接至焊球之接墊。
實例11包括有如實例8至實例10之光學模組，其中包括有曝露之光學組件之該模具的該部分位在該模具之一表面上。
實例12包括有如實例8至實例11之光學模組，其更包括有一安裝至該基體之光子傳送器晶粒，以及一堆疊到該光子傳送器晶粒上並且電氣連接至該光子傳送器晶粒之傳送器IC。
實例13包括有如實例8至實例12之光學模組，其更包括有一安裝於該基體上之電力管理IC，其中該電力管理IC係組配來供應電力至該光子傳送器晶粒、該傳送器IC、該光偵檢接收器IC及該接收器IC。
實例14包括有如請求項12之光學模組，其中該光偵檢接收器IC包括有一突出於該基體之區段。
實例15包括有如實例8至實例14中任一實例之光學模組，其中該光子傳送器晶粒包括有突出於該基體之一部分。
實例16是一種包括有形成一模具之方法，該模具包括有有彼此相鄰但彼此未接觸之一光偵檢接收器IC與一接收器IC，並且位在該光偵檢接收器IC中之光學組件係曝露於該模具之一表面上。
實例17包括有如實例16之方法，其更包括有利用一傳導層來覆蓋該模具，使得該傳導層係電氣連接至該光偵檢接收器IC與該接收器IC；以及利用一將該光偵檢接收器IC電氣連接至該接收器IC之電氣重新分布層來覆蓋該模具。
實例18包括有如實例16至實例17中任一實例之方法，其更包括有將該模具附接至一基體，使得該等曝露之光學組件突出於該基體。
實例19包括有如實例16至實例18中任一實例之方法，其更包括有將一光子傳送器晶粒附接至該基體；將一傳送器IC堆疊到該光子傳送器晶粒上，使得該傳送器IC係電氣連接至該光子傳送器晶粒；以及將一電力管理IC附接至該基體，使得該電力管理IC提供電力至該光子傳送器晶粒、傳送器IC、光偵檢接收器IC及接收器IC之一或多者。
實例20包括有如實例16至實例19中任一實例之方法，其中將該光子傳送器晶粒附接至該基體包括有附接該光子傳送器晶粒至該基體以使得該光子傳送器晶粒中的 光學組件從該基體突出。
本概述係意欲提供本標的內容之非限制實例，非意欲提供排他或徹底的解釋。包括詳細說明的目的是為了提供與此等方法有關的進一步資訊。
以上詳細說明包括有對附圖之參照，此等附圖形成本詳細說明的一部分。此等圖式以例示方式展示內可實踐本發明之特定實施例。這些實例實施例在本文中亦稱為「實例」。此類實例可包括有除了所示或所述以外的元件。然而，本案發明人亦忖思內僅提供所示或所述該等元件的實例。此外，本案發明人亦忖思對照一特定實例(或其一或多種態樣)或對照本文中所示或所述之其他實例(或其一或多種態樣)，使用所示或所述元件(或其一或多種態樣)之任何組合或排列。
在本文件中，「一」一語如專利文件中常見，係獨立於「至少一個」或「一或多個」之任何其他例子或用法，用於包括有一個或超過一個。在本文件中，「或」一語係用於意指為非排他的或，因此「A或B」包括有「A但非B」、「B但非A」及「A與B」，除非另有所指。在本文件中，「包括有」及「其中」等詞是當作「包含有」及「其中」等各別用語之通俗中文對等詞使用。同樣地，在以下的申請專利範圍中，「包括有」及「包含有」等詞為開放式用語，也就是說，除了一請求項中之一用語後所列以外，還包括有元件之一系統、裝置、物品、組成物、配方或程序，仍視為落在該請求項的範疇內。此外，在以下申請專利範圍中， 「第一」、「第二」及「第三」等詞只是用來當作標籤，非意欲對其物件外加數值要求。
以上說明係意欲為說明性而非限制性。舉例而言，上述實例(或其一或多種態樣)可彼此組合使用。可使用其他實施例，例如可由所屬技術領域中具有通常知識者在檢閱以上說明後來使用。
所提供的「摘要」符合37 C.F.R.§1.72(b)的要求，容許讀者快速確定本技術揭露的性質。是基於瞭解將不會用於解讀或限制申請專利範圍之範疇或意義來提交。
同樣地，在以上的「實施方式」中，可將各種特徵集結在一起讓本揭露更順暢。這不應解讀為意欲表示一未請求專利權之揭示特徵對任一請求項具有重要性。反而，發明性標的內容之範圍可小於一特定揭示之實施例的所有特徵。因此，以下申請專利範圍藉此係併入本「實施方式」，各請求項本身代表一各別的實施例，而且列入考量的是，此類實施例可彼此組合成各種組合或排列。本發明之範疇連同此類請求項給與權利之均等例的全部範疇，應該參照隨附申請專利範圍來判定。

Claims (20)

  1. 一種電子封裝體，其包含：一光偵檢接收器IC；一接收器IC；以及包圍該光偵檢接收器IC與該接收器IC的一模具，其中該光偵檢接收器IC與該接收器IC係彼此相鄰但彼此未接觸。
  2. 如請求項1之電子封裝體，其中該模具包括使位在該光偵檢接收器IC上之光學組件被曝露的一部分。
  3. 如請求項2之電子封裝體，其更包含位在該模具之一表面上的電氣連接件，其中一些電氣連接件係電氣地連接至該光偵檢接收器IC，而一些電氣連接件係電氣地連接至該接收器IC。
  4. 如請求項3之電子封裝體，其中包括曝露之光學組件之該模具的該部分係在該模具之一表面上。
  5. 如請求項3之電子封裝體，其中該等電氣連接件包括用於對焊球的連接所組配之接墊。
  6. 如請求項3之電子封裝體，其更包含一電氣重新分布層，其將該等電氣連接件中電氣地連接至該光偵檢接收器IC之一些電氣地連接至該等電氣連接件中電氣地連接至該接收器IC之一些。
  7. 如請求項2之電子封裝體，其中該等光學組件包括微透鏡陣列。
  8. 一種光學模組，其包含：一基體；安裝於該基體上之一電子封裝體，其中該電子封裝體包括被包圍在一模具內之一光偵檢接收器IC與一接收器IC，其中該光偵檢接收器IC與該接收器IC係彼此相鄰但彼此未接觸。
  9. 如請求項8之光學模組，其中該模具包括使位在該光偵檢接收器IC上之光學組件被曝露的部分。
  10. 如請求項9之光學模組，其中該電子封裝體更包括位在該模具之一表面上的電氣連接件，其中一些電氣連接件係電氣地連接至該光偵檢接收器IC，而一些電氣連接件係電氣地連接至該接收器IC；以及一電氣重新分布層，其將該等電氣連接件中電氣地連接至該光偵檢接收器IC之一些電氣地連接至該等電氣連接件中電氣地連接至該接收器IC之一些，並且其中該等電氣連接件包括組配用於連接至焊球之接墊。
  11. 如請求項9之光學模組，其中包括曝露之光學組件之該模具的該部分位在該模具之一表面上。
  12. 如請求項8之光學模組，其更包含：安裝至該基體之一光子傳送器晶粒；堆疊到該光子傳送器晶粒上並且電氣地連接至該光子傳送器晶粒之一傳送器IC。
  13. 如請求項12之光學模組，其更包含安裝於該基體上之一電力管理IC，其中該電力管理IC係經組配以供應電力至 該光子傳送器晶粒、該傳送器IC、該光偵檢接收器IC及該接收器IC。
  14. 如請求項12之光學模組，其中該光偵檢接收器IC包括突出於該基體之一區段。
  15. 如請求項14之光學模組，其中該光子傳送器晶粒包括突出於該基體之一部分。
  16. 一種包含形成一模具之方法，該模具包含係彼此相鄰但彼此未接觸之一光偵檢接收器IC與一接收器IC，並且在該光偵檢接收器IC中之光學組件係曝露於該模具之一表面上。
  17. 如請求項16之方法，其更包含：以一傳導層來覆蓋該模具，使得該傳導層係電氣地連接至該光偵檢接收器IC與該接收器IC；以及以將該光偵檢接收器IC電氣地連接至該接收器IC之一電氣重新分布層來覆蓋該模具。
  18. 如請求項16之方法，其更包含將該模具附接至一基體，使得經曝露之該等光學組件突出於該基體。
  19. 如請求項18之方法，其更包含：將一光子傳送器晶粒附接至該基體；將一傳送器IC堆疊到該光子傳送器晶粒上，使得該傳送器IC係電氣地連接至該光子傳送器晶粒；以及將一電力管理IC附接至該基體，使得該電力管理IC提供電力至該光子傳送器晶粒、傳送器IC、光偵檢接收器IC及接收器IC中之一或多者。
  20. 如請求項19之方法，其中將該光子傳送器晶粒附接至該基體包括附接該光子傳送器晶粒至該基體以使得該光子傳送器晶粒中的光學組件從該基體突出。
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