CN107431049A - 包括电子封装件的光学模块的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一些形式包括一种电子封装件，该电子封装件包括光探测接收器IC和接收器IC。该电子封装件包括围绕光探测接收器IC和接收器IC的模塑件。光探测接收器IC和接收器IC彼此相邻但互不接触。其它形式包括一种光学模块，该光学模块包括衬底以及被安装在衬底上的电子封装件。电子封装件包括被围绕在模塑件内的光探测接收器IC和接收器IC。光探测接收器IC和接收器IC彼此相邻但互不接触。其它形式包括一种方法，该方法包括形成模塑件，该模塑件包括彼此相邻但互不接触的光探测接收器IC和接收器IC。光探测接收器IC包括在模塑件的表面上暴露出的光学部件。

Description

包括电子封装件的光学模块的制造方法
技术领域
文中描述的实施例总体上涉及一种制造电子封装件的方法，更具体而言，涉及一种制造包括电子封装件的光学模块的方法。
背景技术
光学模块不断地被重新设计，以便以降低的功耗和组件成本提供更高的带宽密度。作为示例，需要一种采用光子器件并且能够携带大量数据的光学模块。对于板间应用和芯片间应用而言，高带宽光学模块是解决数据中心系统中不断增大的数据流量问题的关键。
常规封装架构通常需要多管芯系统，该多管芯系统通常需要至少三种封装配置。一种封装配置包括叠置管芯，其中，存在发射器集成电路(下文简称IC)的直接附接，该IC包括直接附接到硅光子发射器管芯的分布式驱动器。另一种封装配置通常包括所处位置靠近光探测接收器IC的接收器IC。又一种封装配置通常包括附接到封装衬底(例如，通过倒装芯片附接)的功率管理IC。
通常在硅光子发射器和光探测接收器IC上存在光学部件。作为示例，在光纤阵列之间可能存在与硅光子发射器和光探测接收器IC上的光学I/O区域的被动对准。硅光子发射器和光探测接收器IC上的这些光学I/O区域通常从安装硅光子发射器和光探测接收器IC的衬底伸出。
常规光学模块的缺陷之一是存在精细间距倒装芯片互连区域，以用于实现高密度管芯叠置和较高的RF性能，尤其是在发射器IC与硅光子发射器管芯之间，以及用于将光探测接收器IC和接收器IC安装至衬底。通常，与用于将光探测接收器IC和接收器IC连接至衬底的精细间距互连(例如，80um间距)相比，硅光子发射器和功率管理IC以大凸点互连间距附接到衬底。用于各种部件的互连的尺寸之间的这些差异以及精细间距互连的使用一般会使得对于形成常规光学模块的部件难以具有高的组件产量、鲁棒的可靠性和良好的信号完整性。
附图说明
图1是现有技术光学模块。
图2是示例性光学模块。
图3是示出了可以在图2所示的光学模块中使用的示例性电子封装件的截面图。
图4是在电子封装件仅被部分地制造的情况下图2所示的示例性电子封装件的顶视图。
图5是沿线5-5截取的图4所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。
图6是图4所示的示例性部分地制造的电子封装件的晶圆级顶视图。
图7是沿线7-7截取的图6所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。
图8是在电子封装件被进一步制造的情况下图7所示的示例性电子封装件的顶视图。
图9是沿线9-9截取的图8所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。
图10是在电子封装件被进一步制造的情况下图9所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。
图11是在电子封装件被进一步制造的情况下图10所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。
图12是在电子封装件被进一步制造的情况下图11所示的示例性电子封装件的顶视图。
图13是沿线13-13截取的图12所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。
图14是在电子封装件被进一步制造的情况下图13所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。
图15是在电子封装件被进一步制造的情况下图14所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。
图16是在电子封装件被进一步制造的情况下图16所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。
图17是制造电子封装件以及包括该电子封装件的光学模块的方法的流程图。
图18是包含本文所述的电子封装件、光学模块和/或方法的至少其中之一的电子装置的方框图。
具体实施方式
下述说明和附图对具体实施例进行了充分地说明，以使得本领域技术人员能够对其进行实践。其它实施例可以包含结构、逻辑、电气、工艺及其它变化。一些实施例的部分和特征可以包含在其它实施例的部分或特征中或者替代其它实施例的部分或特征。权利要求中阐述的实施例涵盖这些权利要求的所有可得等效方案。
本申请中使用的取向术语(例如，“水平”)是相对于与晶圆或衬底的常规平面或表面平行的平面定义的，而不管晶圆或衬底的取向如何。术语“竖直”是指垂直于如上定义的“水平”的方向。诸如“在……上”、“侧”(如“侧壁”中)、“上部”、“下部”、“在……上方”以及“在……下方”之类的介词是相对于晶圆或衬底的顶部表面上的常规平面或表面定义的，而不管晶圆或衬底的取向如何。
本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法能够提供一种光学模块(或者包括(例如，采用嵌入式晶圆级球栅阵列(下文称为eWLB)技术)被形成到单个模塑件中的光探测接收器IC以及接收器IC的光学模块的子部件)。文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法可以提供：(i)高吞吐量；(ii)高产量(例如，通过包含前置光学模块(pre-opticalmodule)子部件测试能力)以及(iii)用于硅光子模块的低成本组件，该硅光子模块能够被电气地、电子地和/或光学地集成到光学模块中。
作为示例，采用eWLB扇出型封装结构可以提供(i)高的组件吞吐量；(ii)提供光探测接收器IC与接收器IC之间的高速电连接的晶圆级再分布层(RDL)；以及(iii)在光探测接收器IC的整个高密度操作带宽上对光探测接收器IC和接收器IC子部件的预组件(pre-assembly)可测试性。
在图1所示的现有技术光学模块10中，光探测接收器IC 12和接收器IC 13被单独安装至衬底14。光探测接收器IC 12从衬底14伸出。这一伸出(参见尺寸OH)经常导致光学模块10的可靠性问题。
本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法可以显著地缓解常规光学模块中存在的光探测接收器IC伸出问题。减少了伸出问题，这是因为与常规光学模块相比在文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法中包括光探测接收器IC的模塑件具有更大的表面积。
此外，降低了与制造本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法相关联的管芯应用过程的数量(即，从四个管芯降到了三个管芯)。这一管芯应用过程的数量的降低可以简化与制造文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法相关联的制造过程。
本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法还可以缓解与将光探测接收器IC和接收器IC安装至光学模块衬底相关联的管芯碎裂问题。常规光学模块中的光探测接收器IC和接收器IC经常由于底部填充溢出的原因而具有与将光探测接收器IC和接收器IC安装至光学模块衬底相关联的管芯碎裂问题。
此外，降低了在本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法中使用任何铜柱的需求。作为示例，可以消除制造常规光学模块中通常与光探测接收器IC和接收器IC一起使用的铜柱的许多困难，因为可以使用再分布层(下文简称RDL)在光探测接收器IC与接收器IC之间发送高速信号。
还可以对本文中描述的示例性电子封装件和方法进行晶圆级测试。这种进行晶圆级测试的能力可以是相对于常规电子封装件的改进，在常规电子封装件中，通常要单独地对光探测接收器IC和接收器IC进行测试。
图2是示例性光学模块20。图3是示出了可以在图2所示的光学模块20中使用的示例性电子封装件30的截面图。
电子封装件30包括光探测接收器IC 32和接收器IC 33。模塑件35围绕光探测接收器IC 32和接收器IC 33。光探测接收器IC 32和接收器IC 33彼此相邻但互不接触。模塑件35内的光探测接收器IC 32和接收器IC 33的相对位置部分地取决于电子封装件30的总尺寸和配置以及光探测接收器IC 32和接收器IC 33的总尺寸和配置。
在一些形式中，光学部件37可以在模塑件35的部分36上暴露出。作为示例，光学部件可以包括微透镜阵列。此外，模塑件35的包括暴露出的光学部件37的部分36可以在模塑件35的表面39上。
而且，如图4和图5所示，电子封装件30还可以包括位于模塑件35的表面39上的电连接38A和38B。一些电连接38A电连接到光探测接收器IC 32，一些电连接38B电连接到接收器IC 33。
应当指出，“位于模塑件35的表面39上”可以指物件被(i)直接附接(或者安装)至模塑件35的表面39；(ii)直接附接(或者安装)至模塑件35的表面39上的钝化层；(iii)直接附接(或者安装)至模塑件35的表面39的部分以及模塑件35的表面39上的钝化层的部分；(iv)直接附接(或者安装)至模塑件35的表面39上的另一类型的层；或者(v)直接附接(或安装)至模塑件35的表面39的部分和/或模塑件35的表面39上的钝化层的部分和/或模塑件35的表面39上的另一类型的层。物件可以(或者不可以)被直接安装至模塑件35的表面39或者安装到模塑件35的表面39上的一个或多个不同层上的类型和方式将部分地取决于电子封装件30是如何制造的以及使用电子封装件30的应用(连同其它因素)。
在电子封装件30的一些形式中，电子封装件30中的模塑件35的表面可以包括附加的电连接，用于连接到模塑件35内的其它电子部件或者附接到模塑件35。此外，电连接38A、38B可以包括被配置用于间接(或直接)连接到焊球59的焊盘(参见图3和图17)。
如图3以及图12-17中所示，电子封装件30还可以包括电再分布层42，其将电连接38A中的一些电连接至电连接38B中的一些，电连接38A电连接到光探测接收器IC 32，电连接38B电连接到接收器IC 33。在一些形式中，电再分布层42可以包括多个电再分布层，其将电连接38A中的一些电连接至电连接38B中的一些，电连接38A电连接到光探测接收器IC32，电连接38B电连接到接收器IC 33。电再分布层42的配置和尺寸将部分取决于光探测接收器IC 32、接收器IC 33和模塑件35的尺寸和配置(连同其它因素)。
如图2所示，光学模块20包括衬底50，其中电子封装件30被安装在衬底50上。电子封装件30可以是文中描述的电子封装件30中的任何电子封装件。
光学模块20还可以包括被安装至衬底50的光子发射器管芯51。此外，光学模块20还可以包括叠置到光子发射器管芯51上并且电连接至光子发射器管芯51的发射器IC 52。应当指出，光子发射器管芯51和发射器IC 52的尺寸、类型和配置将部分地取决于使用光学模块20的应用。
在一些形式中，光学模块20还可以包括被安装在衬底50上的功率管理IC 53(参见图2)。功率管理IC 53可以被配置为向光子发射器管芯51、发射器IC 52、光探测接收器IC32以及接收器IC 33中的一者或多者供电。光子发射器管芯51和发射器IC 52的尺寸、类型和配置将部分地取决于使用光学模块20的应用以及光学模块20中包括的光子发射器管芯51、发射器IC 52、光探测接收器IC 32和接收器IC 33的类型。
光探测接收器IC 32可以包括从衬底50伸出的部分34。此外，光子发射器管芯51(以及可能地发射器IC 52)可以均包括从衬底50伸出的部分55(参见图2中的尺寸OH)。光探测接收器IC 32的部分34以及光子发射器管芯51(以及可能地发射器IC 52)的部分55从衬底50伸出的程度部分地取决于光探测接收器IC 32和光子发射器管芯51中包括的光学部件37的数量。
图17示出了形成包括电子封装件30的光学模块20的示例性方法[1700]的流程图。图4-16示出了图17所示的方法[1700]的各个部分的对应组件。
方法[1700]包括[1710]形成包括光探测接收器IC 32和接收器IC 33的模塑件35，光探测接收器IC 32和接收器IC 33彼此相邻但互不接触。光探测接收器IC 32包括在模塑件35的表面39上暴露出的光学部件37。
方法[1700]还包括[1720]用第一导电层46覆盖模塑件35，以使得第一导电层46包括模塑件35的表面39上的电连接38A、38B(例如，参见图4-6，其中，图6示出了晶圆级的操作)。
可以采用电镀(或者某种其它类型的沉积)将第一导电层46附接到模塑件35。应当指出，可以按照任何已知的或者未来找到的方式(例如，蚀刻)来图案化第一导电层46。
第一导电层46包括电连接38A中的一些以及电连接38B中的一些，电连接38A可以电连接至光探测接收器IC 32，电连接38B可以电连接至接收器IC 33。
图7-11示出了用于形成电子封装件30的其它潜在制造工艺。作为示例，可以用构建层覆盖图案化的第一导电层36，该构建层然后将被图案化以便在构建层中形成开口。此外，可以用第二导电层覆盖图案化的构建层，该第二导电层对图案化的构建层中的开口进行填充以将第二导电层电连接至第一图案化的导电层46。
方法[1700]还包括[1730]用电再分布层42覆盖模塑件35，该电再分布层将光探测接收器IC 32电连接至接收器IC 33(例如，参见图12-17)。电再分布层42可以是第二导电层的部分，并且将电连接38A中的一些电连接到电连接38B中的一些，电连接38A电连接至光探测接收器IC 32，电连接38B电连接至接收器IC 33。在一些形式中，电再分布层42可以包括多个电再分布层。
可以将电再分布层42图案化，然后用阻焊剂覆盖电再分布层42，然后该阻焊剂被图案化以便在阻焊剂中形成开口。电接触59(例如，焊球)可以被置于阻焊剂中的开口内。电接触59被电连接至第一导电层46。
如图2所示，方法[1700]还可以包括[1740]将模塑件35附接到衬底50，以使得光探测接收器IC 32的暴露出的光学部件37(图2中不可见)从衬底50伸出。模塑件35从衬底伸出的程度将部分地取决于：(i)光探测接收器IC 32上的暴露出的光学部件37的数量和位置；以及(ii)光探测接收器IC 32和接收器IC 33的尺寸(连同其它因素)。
方法[1700]还可以包括[1750]将光子发射器管芯51附接到衬底50以及[1760]将发射器IC 52叠置到光子发射器管芯51上，以使得发射器IC 52被电连接至光子发射器管芯51。方法[1700]还可以包括[1770]将功率管理IC 53附接到衬底50，以使得功率管理IC 53被配置为向光子发射器管芯51、发射器IC 52、光探测接收器IC 32和接收器IC 33供电。
在一些形式中，[1750]将光子发射器管芯51附接到衬底50可以包括将光子发射器管芯51附接到衬底50以使得光子发射器管芯51中的光学部件(图2中不可见)从衬底50伸出。光子发射器管芯51从衬底50伸出的程度将部分地取决于：(i)光子发射器管芯51上的暴露出的光学部件的数量；以及(ii)光子发射器管芯51以及叠置发射器IC 52的尺寸(连同其它因素)。
本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法可以促进包括模塑件的电子封装件被集成为光学模块，该模塑件具有形成于其中的光探测接收器IC和接收器IC。这样的电子封装件(例如，在采用eWLB时)向光学模块的这种集成可以提供高吞吐量、低成本和高的组件产量。该集成还可以提供尺寸上更加紧凑的光学模块，并提供用于实现高性能计算的电子/光学互连。
图18是包含文中描述的光学模块、电子封装件和/或方法的至少其中之一的电子装置1800的方框图。电子装置1800仅仅是其中可以采用本发明的实施例的电子系统的一个示例。电子装置1800的示例包括但不限于个人计算机、平板计算机、移动电话、游戏设备、MP3或者其它数字音乐播放器等。在这一示例中，电子装置1800包括数据处理系统，该数据处理系统包括用以耦接系统的各个部件的系统总线1802。系统总线1802在电子装置1800的各个部件之间提供通信链路，并且可以被实施为单条总线或者总线的组合，或者可以按照任何其它适当的方式来实施系统总线1802。
在一个实施例中，电子封装件1810包括可以是任何类型的处理器1812。文中采用的“处理器”一词指代任何类型的计算电路，例如但不限于微处理器、微控制器、复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器、图形处理器、数字信号处理器(DSP)、多核处理器或者任何其它类型的处理器或处理电路。
可以包括在电子封装件1810中的其它类型的电路为定制电路或专用集成电路(ASIC)等，例如，用于诸如移动电话、平板计算机、膝上型计算机、双向无线电和类似的电子系统之类无线设备的一个或多个电路(例如，通信电路1814)。该IC可以执行任何其它类型的功能。
电子装置1800还可以包括外部存储器1820，该外部存储器1820又可以包括适于特定应用的一个或多个存储器元件，例如，随机存取存储器(RAM)形式的主存储器1822、一个或多个硬盘驱动器1824和/或操纵可移动介质1826的一个或多个驱动器，该可移动介质1826例如是光盘(CD)、闪存卡以及数字视频盘(DVD)等。
电子装置1800还可以包括显示设备1816、一个或多个扬声器1818以及键盘和/或控制器1830，其可以包括鼠标、追踪球、触摸屏、语音识别设备或者允许系统用户向电子装置1800输入信息以及从电子装置1800接收信息的任何其它设备。
为了更好地说明本文中公开的方法、电子封装件和光学模块，在此提供了实施例的非限制性列表。
示例1包括一种电子封装件。所述电子封装件包括光探测接收器IC和接收器IC。所述电子封装件包括围绕所述光探测接收器IC和所述接收器IC的模塑件。所述光探测接收器IC和所述接收器IC彼此相邻但互不接触。
示例2包括根据示例1所述的电子封装件，其中，所述模塑件包括其中所述光探测接收器IC上的光学部件被暴露出的部分。
示例3包括根据示例1-2中任一项所述的电子封装件，还包括位于所述模塑件的表面上的电连接。一些电连接被电连接至所述光探测接收器IC，而一些电连接被电连接至所述接收器IC。
示例4包括根据示例1-3中任一项所述的电子封装件，其中，所述模塑件的包括暴露出的光学部件的所述部分位于所述模塑件的表面上。
示例5包括根据示例1-4中任一项所述的电子封装件，其中，所述电连接包括被配置用于连接到焊球的焊盘。
示例6包括根据示例1-5所述的电子封装件，还包括电再分布层，所述电再分布层将与所述光探测接收器IC电连接的所述电连接中的一些电连接至与所述接收器IC电连接的所述电连接中的一些。
示例7包括根据示例2-6所述的电子封装件，其中，所述光学部件包括微透镜阵列。
示例8包括一种光学模块。所述光学模块包括衬底以及被安装在所述衬底上的电子封装件。所述电子封装件包括被围绕在模塑件内的光探测接收器IC和接收器IC。所述光探测接收器IC和所述接收器IC彼此相邻但互不接触。
示例9包括根据示例8所述的光学模块，其中，所述模塑件包括其中所述光探测接收器IC上的光学部件被暴露出的部分。
示例10包括根据示例8-9中任一项所述的光学模块，其中，所述电子封装件还包括：位于所述模塑件的表面上的电连接，其中，一些电连接被电连接至所述光探测接收器IC，而一些电连接被电连接至所述接收器IC；以及电再分布层，所述电再分布层将与所述光探测接收器IC电连接的所述电连接中的一些电连接至与所述接收器IC电连接的所述电连接中的一些，并且其中，所述电连接包括被配置用于连接至焊球的焊盘。
示例11包括根据示例8-10中任一项所述的光学模块，其中，所述模塑件的包括暴露出的光学部件的所述部分位于所述模塑件的表面上。
示例12包括根据示例8-11所述的光学模块，还包括：光子发射器管芯，所述光子发射器管芯被安装至所述衬底；以及发射器IC，所述发射器IC叠置到所述光子发射器管芯上并且被电连接至所述光子发射器管芯。
示例13包括根据示例8-12中任一项所述的光学模块，还包括被安装在所述衬底上的功率管理IC，其中，所述功率管理IC被配置为向所述光子发射器管芯、发射器IC、光探测接收器IC和接收器IC供电。
示例14包括根据示例8-13中任一项所述的光学模块，其中，所述光探测接收器IC包括从所述衬底伸出的部分。
示例15包括根据示例8-14中任一项所述的光学模块，其中，所述光子发射器管芯包括从所述衬底伸出的部分。
示例16是一种包括形成模塑件的方法，所述模塑件包括彼此相邻但互不接触的光探测接收器IC和接收器IC，所述光探测接收器IC中的光学部件在所述模塑件的表面上暴露出来。
示例17包括根据示例16所述的方法，还包括用导电层覆盖所述模塑件，以使得所述导电层被电连接至所述光探测接收器IC和所述接收器IC；以及用电再分布层覆盖所述模塑件，所述电再分布层将所述光探测接收器IC电连接至所述接收器IC。
示例18包括根据示例16-17中任一项所述的方法，还包括将所述模塑件附接到衬底，以使得暴露出的光学部件从所述衬底伸出。
示例19包括根据示例16-18中任一项所述的方法，还包括：将光子发射器管芯附接到所述衬底；将发射器IC叠置到所述光子发射器管芯上，以使得所述发射器IC被电连接至所述光子发射器管芯；以及将功率管理IC附接到所述衬底，以使得所述功率管理IC向所述光子发射器管芯、所述发射器IC、所述光探测接收器IC和所述接收器IC中的一者或多者供电。
示例20包括根据示例16-19中任一项所述的方法，其中，将所述光子发射器管芯附接到所述衬底包括：将所述光子发射器管芯附接到所述衬底，以使得所述光子发射器管芯中的光学部件从所述衬底伸出。
这一概述旨在提供本主题的非限制性示例，其并非旨在提供排他性的或者穷尽的解释。包括具体实施方式，以提供与方法有关的其它信息。
上面的具体实施方式包括对附图的参考，该附图形成了具体实施方式的一部分。附图通过例示的方式示出了其中能够实践本发明的具体实施例。文中又将这些实施例称为“示例”。这样的示例可以包括除了示出和描述的元素以外的元素。然而，本发明人还设想了其中仅提供所示出或描述的那些元件的示例。此外，本发明人还设想了使用针对文中示出或描述的特定示例(或其一个或多个方面)或者针对文中示出或描述的其它示例(或其一个或多个方面)所示出或描述的这些元素(或其一个或多个方面)的任何组合或排列的示例。
在本文中，如在专利文献中常见的，使用词语“一”或“一个”以包括一个或不只一个，其独立于“至少一个”或者“一个或多个”的任何其它实例或用法。在本文中，使用“或”一词表示非排他性的，或者使得“A或B”包括“A而非B”、“B而非A”以及“A和B”，除非另外指出。在本文中，词语“包括”和“在……中”被用作相应词语“包含”和“其中”的同义词。而且，在所附权利要求中，词语“包括”、“包含”是开放性的，即，权利要求中除了在系统、设备、物品、组分、公式化表述或过程之后列出的元素之外还包括其它元素的系统、设备、物品、组分、公式化表述或过程仍然被认为落在该权利要求的范围内。此外，在所附权利要求中，词语“第一”、“第二”和“第三”等仅用作标签，而非旨在对其对象强加数字要求。
上述说明旨在是说明性的而非限制性的。例如，可以将上述示例(或者其一个或多个方面)相互结合使用。例如在本领域技术人员查阅上述说明之后可以使用其它实施例。
根据37C.F.R.§1.72(b)提供了摘要，以使读者能够迅速确定技术公开的实质。应当理解，所提交的摘要并非用于阐明或限制权利要求的范围或含义。
此外，在上面的具体实施方式中，可以将各个特征组合一起以简化本公开内容。这不应被解释为意指未要求保护的公开特征对于任何权利要求是必要的。相反，本发明的主题可以存在于特定公开实施例的部分而非全部特征中。因此，在每个权利要求本身作为一个单独的实施例的情况下，所附权利要求书由此被并入到具体实施方式部分中，并且可以设想这样的实施例可以按照各种组合或排列而相互组合。应当参考所附权利要求连同权利要求的等效形式的整个范围一起来确定本发明的范围。

Claims (20)

1.一种电子封装件，包括：
光探测接收器IC；
接收器IC；以及
模塑件，所述模塑件围绕所述光探测接收器IC和所述接收器IC，其中，所述光探测接收器IC和所述接收器IC彼此相邻但互不接触。
2.根据权利要求1所述的电子封装件，其中，所述模塑件包括其中所述光探测接收器IC上的光学部件被暴露出的部分。
3.根据权利要求2所述的电子封装件，还包括位于所述模塑件的表面上的电连接，其中，一些电连接被电连接至所述光探测接收器IC，而一些电连接被电连接至所述接收器IC。
4.根据权利要求3所述的电子封装件，其中，所述模塑件的包括暴露出的光学部件的所述部分位于所述模塑件的表面上。
5.根据权利要求3所述的电子封装件，其中，所述电连接包括被配置用于连接至焊球的焊盘。
6.根据权利要求3所述的电子封装件，还包括电再分布层，所述电再分布层将与所述光探测接收器IC电连接的所述电连接中的一些电连接至与所述接收器IC电连接的所述电连接中的一些。
7.根据权利要求2所述的电子封装件，其中，所述光学部件包括微透镜阵列。
8.一种光学模块，包括：
衬底；
电子封装件，所述电子封装件被安装在所述衬底上，其中，所述电子封装件包括被围绕在模塑件内的光探测接收器IC和接收器IC，其中，所述光探测接收器IC和所述接收器IC彼此相邻但互不接触。
9.根据权利要求8所述的光学模块，其中，所述模塑件包括其中所述光探测接收器IC上的光学部件被暴露出的部分。
10.根据权利要求9所述的光学模块，其中，所述电子封装件还包括：位于所述模塑件的表面上的电连接，其中，一些电连接被电连接至所述光探测接收器IC，而一些电连接被电连接至所述接收器IC；以及电再分布层，所述电再分布层将与所述光探测接收器IC电连接的所述电连接中的一些电连接至与所述接收器IC电连接的所述电连接中的一些，并且其中，所述电连接包括被配置用于连接至焊球的焊盘。
11.根据权利要求9所述的光学模块，其中，所述模塑件的包括暴露出的光学部件的所述部分位于所述模塑件的表面上。
12.根据权利要求8所述的光学模块，还包括：
光子发射器管芯，所述光子发射器管芯被安装至所述衬底；
发射器IC，所述发射器IC叠置到所述光子发射器管芯上并且被电连接至所述光子发射器管芯。
13.根据权利要求12所述的光学模块，还包括功率管理IC，所述功率管理IC被安装在所述衬底上，其中，所述功率管理IC被配置为向所述光子发射器管芯、发射器IC、光探测接收器IC和接收器IC供电。
14.根据权利要求12所述的光学模块，其中，所述光探测接收器IC包括从所述衬底伸出的部分。
15.根据权利要求14所述的光学模块，其中，所述光子发射器管芯包括从所述衬底伸出的部分。
16.一种包括形成模塑件的方法，所述模塑件包括彼此相邻但互不接触的光探测接收器IC和接收器IC，所述光探测接收器IC中的光学部件在所述模塑件的表面上暴露出来。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
用导电层覆盖所述模塑件，以使得所述导电层被电连接至所述光探测接收器IC和所述接收器IC；以及
用电再分布层覆盖所述模塑件，所述电再分布层将所述光探测接收器IC电连接至所述接收器IC。
18.根据权利要求16所述的方法，还包括将所述模塑件附接到衬底，以使得暴露出的光学部件从所述衬底伸出。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括：
将光子发射器管芯附接到所述衬底；
将发射器IC叠置到所述光子发射器管芯上，以使得所述发射器IC被电连接至所述光子发射器管芯；以及
将功率管理IC附接到所述衬底，以使得所述功率管理IC向所述光子发射器管芯、所述发射器IC、所述光探测接收器IC和所述接收器IC中的一者或多者供电。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，将所述光子发射器管芯附接到所述衬底包括：将所述光子发射器管芯附接到所述衬底，以使得所述光子发射器管芯中的光学部件从所述衬底伸出。
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