TWI618920B - Radiant heat sensor - Google Patents
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Abstract
輻射熱感測器(101)，係具有板狀構材(10)、複數個第1導體圖案(41)及複數個第2導體圖案(42)。板狀構材(10)，係具有第1面(10a)與第2面(10b)，且具有由不同之熱電材料所構成的複數個第1熱電構件(31)與複數個第2熱電構件(32)，在沿著第1面的方向，第1熱電構件與第2熱電構件分離而交互地逐一並排，第1熱電構件與第2熱電構件分別構成第1面的一部分。複數個第1導體圖案，係沿著第1面擴展，在板狀構材的第1面，橫跨相鄰之1個第1熱電構件與1個第2熱電構件而配置，構成第1熱電構件與第2熱電構件之間的溫接點部。複數個第2導體圖案，係沿著第1面擴展，在板狀構材的第1面，橫跨相鄰之1個第1熱電構件與1個第2熱電構件而配置，構成第1熱電構件與第2熱電構件之間的溫接點部。
Description
本申請案，係根據2015年8月5日所申請之日本申請案號2015-155131而主張優先權之利益者，其專利申請之所有內容，係藉由引用的方式併入本說明書中。
本發明，係關於使用熱電變換元件檢測輻射熱之熱能的輻射熱感測器者。
作為其中一種輻射熱感測器，有記載於專利文獻1之紅外線感測器。專利文獻1之紅外線感測器，係使用熱電變換元件檢測紅外線者。
[專利文獻1]日本特開2011-18688號公報
然而，本發明者，係對將圖6所示之構造的輻射熱感測器J1作為其中1個使用熱電變換元件的輻射熱感測器進行研討。以下，將該輻射熱感測器稱作研討例的輻射熱感測器J1。其結果，研討例之輻射熱感測器J1，係藉由下述理由，已知檢測感度低。
如圖6所示，研討例之輻射熱感測器J1，係在板狀構材的一面10a中，第1熱電構件J31與第2熱電構件J32直接接觸而交互地並排。以第1熱電構件J31與第2熱電構件J32交互地串聯連接的方式，構成熱電變換元件。第1熱電構件J31與第2熱電構件J32，係在板狀構材的一面10a具有2個接合部J41、J42。2個接合部J41、J42的一方為溫接點部J41，2個接合部J41、J42的另一方為冷接點部J42。
研討例之輻射熱感測器J1，係如下方式檢測輻射熱的熱能。當輻射熱被照射至板狀構材的一面10a側時，則溫接點部J41與冷接點部J42接收因輻射熱而引起的熱。此時，因溫接點部J41與冷接點部J42所接收的熱量不同，故在溫接點部J41與冷接點部J42之間會產生溫度差。而且，第1熱電構件J31與第2熱電構件J32會產生因應溫度差的電輸出。如此一來，藉由電輸出檢測輻射熱之熱能。
作為溫接點部J41與冷接點部J42接收因輻射熱而引起的熱之情形，係可列舉出例如下述情形。指的是如下述之情形：輻射熱感測器J1，係在板狀構材的一面
10a具有吸收輻射熱而發熱的受熱板51與反射輻射熱的反射板52，溫接點部J41從受熱板51接收熱，冷接點部J42從反射板52接收熱。在該情況下，當輻射熱被照射至輻射熱感測器J1時，由於受熱板51吸收輻射熱而產生熱，反射板52反射輻射熱，因此，溫接點部J41從受熱板51所接收的熱量與受熱板51從反射板52所接收的熱量不同。
在此，在研討例之輻射熱感測器J1中，板狀構材之一面10a中之溫接點部J41與冷接點部J42的形狀，係分別為線狀。因此，溫接點部J41與冷接點部J42分別從受熱板51與反射板52接收熱之際的受熱面積小。藉此，導致輻射熱被照射至輻射熱感測器J1時而產生之溫接點部J41與冷接點部J42的溫度差變小，且第1熱電構件J31與第2熱電構件J32產生的電輸出變小。亦即，導致輻射熱感測器J1的檢測感度下降。
本發明，係以提供一種使用熱電變換元件之輻射熱感測器且檢測感度高的輻射熱感測器為目的。
在本發明的一態樣中，具備有：板狀構材，係具有第1面與其相反側之第2面的板狀構材，其具有由不同之熱電材料所構成的複數個第1熱電構件與複數個第2熱電構件，在沿著第1面的方向，複數個第1熱電構件與複數個第2熱電構件分離而交互地逐一並排，複數個第1熱電構件與複數個第2熱電構件分別構成第1面的一部分；
複數個第1導體圖案，沿著第1面擴展，在板狀構材的第1面，橫跨複數個第1熱電構件與複數個第2熱電構件中相鄰之1個第1熱電構件與1個第2熱電構件而配置，構成複數個第1熱電構件與複數個第2熱電構件之間的溫接點部；及複數個第2導體圖案，沿著第1面擴展，在板狀構材的第1面，橫跨複數個第1熱電構件與複數個第2熱電構件中相鄰之1個第1熱電構件與1個第2熱電構件而配置，構成複數個第1熱電構件與複數個第2熱電構件之間的冷接點部，當輻射熱被照射至板狀構材的第1面側時，由於複數個第1導體圖案與複數個第2導體圖案接收因輻射熱而引起的熱，並且複數個第1導體圖案與複數個第2導體圖案接收的熱量不同，因此，在複數個第1導體圖案與複數個第2導體圖案之間會產生溫度差，從而使複數個第1熱電構件與複數個第2熱電構件產生因應溫度差的電輸出。
藉此，由於溫接點部是由第1導體圖案所構成，且冷接點部是由第2導體圖案所構成，因此，與由溫接點部與冷接點部直接接觸而分別接合第1熱電構件與第2熱電構件之際的線狀之接合部所構成的情形相比，可增大溫接點部與冷接點部分別接收熱的受熱面積。因此，可增大溫接點部與冷接點部的溫度差，且可增大第1熱電構件第2熱電構件產生的電輸出。藉此，根據本發明之一態樣，可提供一種檢測感度高的輻射熱感測器。
另外，在本發明之一態樣中，在複數個第1導體圖案與複數個第2導體圖案接收因輻射熱而引起的熱，並且複數個第1導體圖案與複數個第2導體圖案所接收的熱量不同時，係包含有下述的情形。
在例如輻射熱感測器具備有將吸收輻射熱而產生的熱傳遞至複數個第1導體圖案的受熱構件時，係可增大複數個第1導體圖案從受熱構件接收熱之際之溫接點部的受熱面積。
又，在輻射熱感測器之複數個第1導體圖案為比複數個第2導體圖案更吸收輻射熱的構成時，係可增大複數個第1導體圖案接收輻射熱之際之複數個第1導體圖案的受熱面積。
另外，申請專利範圍所記載之各手段之括弧內的符號，係表示與後述之實施形態中記載的具體手段之對應關係的一例。
10a‧‧‧表面
10‧‧‧絕緣基材
10b‧‧‧背面
11‧‧‧第1導孔
12‧‧‧第2導孔
20‧‧‧表面保護構件
20a‧‧‧表面
31‧‧‧第1熱電構件
32‧‧‧第2熱電構件
41‧‧‧第1導體圖案
42‧‧‧第2導體圖案
51‧‧‧受熱板
52‧‧‧反射板
61‧‧‧背面導體圖案
101‧‧‧輻射熱感測器
DR1‧‧‧第1方向
DR3‧‧‧第3方向
UN1‧‧‧熱電變換元件
100‧‧‧輻射熱測定裝置
101‧‧‧輻射熱感測器
102‧‧‧演算部
103‧‧‧顯示部
101a‧‧‧表面
101b‧‧‧背面
10‧‧‧絕緣層
DR2‧‧‧第2方向
31a‧‧‧第1糊膏
32a‧‧‧第2糊膏
J1‧‧‧輻射熱感測器
J31‧‧‧第1熱電構件
J32‧‧‧第2熱電構件
J41‧‧‧溫接點部
J42‧‧‧冷接點部
62‧‧‧背面保護構件
20‧‧‧絕緣層
53‧‧‧底層用導體圖案
54‧‧‧底層用導體圖案
311‧‧‧第1延伸部
312‧‧‧第2延伸部
313‧‧‧第1結合部
C1‧‧‧第1接觸端部
C2‧‧‧第2接觸端部
13‧‧‧隔熱構件
321‧‧‧第3延伸部
322‧‧‧第4延伸部
323‧‧‧第2結合部
C3‧‧‧第3接觸端部
C4‧‧‧第4接觸端部
14‧‧‧隔熱構件
70‧‧‧第1絕緣基材
80‧‧‧第2絕緣基材
71‧‧‧導孔
72‧‧‧導孔
73‧‧‧導孔
74‧‧‧導孔
321a‧‧‧第2糊膏
322a‧‧‧第2糊膏
311a‧‧‧第1糊膏
312a‧‧‧第1糊膏
81‧‧‧導孔
82‧‧‧導孔
313a‧‧‧第1糊膏
323a‧‧‧第2糊膏
314‧‧‧第1配線圖案
15‧‧‧隔熱構件
16‧‧‧隔熱構件
17a‧‧‧導孔
17b‧‧‧導孔
18a‧‧‧導孔
18b‧‧‧導孔
62a‧‧‧單面
324‧‧‧第2配線圖案
110‧‧‧第1絕緣基材
120‧‧‧第2絕緣基材
111‧‧‧導孔
112‧‧‧導孔
113‧‧‧導孔
114‧‧‧導孔
120b‧‧‧單面
211‧‧‧導孔
212‧‧‧導孔
213‧‧‧導孔
214‧‧‧導孔
63‧‧‧熱傳導構件
64‧‧‧熱傳導構件
65‧‧‧熱傳導構件
66‧‧‧熱傳導構件
42A‧‧‧第2導體圖案
41A‧‧‧第1導體圖案
關於本發明之上述的目的、其他目的、特徵及優點，係參閱附加之圖面，藉由下述之詳細記述，而變得更加明確。其圖面，係[圖1]表示第1實施形態之輻射熱測定裝置之概略構成的圖；[圖2]圖1之輻射熱感測器的平面圖；[圖3]圖2之III-III線的箭視剖面圖；
[圖4]表示第1實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖5]表示第1實施形態之輻射熱感測器之要部的剖面圖；[圖6]研討例之輻射熱感測器的平面圖；[圖7]第2實施形態之輻射熱感測器的平面圖；[圖8]圖7之VIII-VIII線的箭視剖面圖；[圖9]第3實施形態之輻射熱感測器的平面圖；[圖10]圖9之X-X線的箭視剖面圖；[圖11]表示第3實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖12]第4實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖13]第5實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖14]表示第5實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖15]表示第5實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖16]表示第5實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖17]第6實施形態之輻射熱感測器的平面圖；[圖18]圖17之XVIII-XVIII線的箭視剖面圖；[圖19]圖17中之各層的平面圖；[圖20]表示第6實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；
[圖21]表示第6實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖22]第7實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖23]表示第7實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖24]表示第7實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖25]表示第7實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖26]第8實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖27]第9實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖28]表示第9實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖29]第9實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖30]第10實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖31]第11實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖32]第12實施形態之輻射熱感測器的平面圖；[圖33]圖32之XXXIII-XXXIII線的箭視剖面圖；[圖34]表示第12實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖35]第13實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖36]表示第13實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖37]第14實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；
[圖38]表示第14實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖39]第15實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖40]表示第15實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖41]表示第15實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖；[圖42]第16實施形態之輻射熱感測器的剖面圖；[圖43]表示第16實施形態之輻射熱感測器之製造工程的剖面圖。
以下，根據圖面，說明關於本發明的實施形態。另外，在以下的各實施形態彼此中，對於彼此相同或均等的部分賦予相同符號而進行說明。
本實施形態，係說明使用本發明之輻射熱感測器的輻射熱測定裝置。
如圖1所示，輻射熱測定裝置100，係具備有輻射熱感測器101、演算部102及顯示部103。輻射熱感測器101，係具有一面101a與其相反側之另一面101b的板狀者，在內部具有熱電變換元件。輻射熱感測器101，係產生因應輻射熱之熱量的電輸出。演算部102，係根據
來自輻射熱感測器101的電輸出，演算輻射熱的熱量亦即熱通量。顯示部103，係顯示由演算部102所演算出的熱通量。
如圖2、3所示，輻射熱感測器101，係由層積有複數個絕緣層10、20的多層基板所構成。圖2中的第1方向DR1與第2方向DR2，係表示輻射熱感測器101的平面上之正交的2個方向。圖3中的第3方向DR3，係表示輻射熱感測器101的厚度方向亦即與絕緣基材10之表面10a垂直的方向。
在本實施形態中，多層基板，係層積有2層之絕緣層10、20的2層構造。2層之絕緣層10、20，係絕緣基材10與表面保護構件20。表面保護構件20的表面20a，係輻射熱感測器101的表面101a。
絕緣基材10，係具有表面10a與背面10b的板狀構材。另外，表面10a為一面，相當於板狀構材的第1面，背面10b為一面之相反側的另一面，相當於板狀構材的第2面。絕緣基材10，係由可撓性材料即熱可塑性樹脂所構成。作為熱可塑性樹脂，係可列舉出例如聚醚醚酮(PEEK)、聚醚醯亞胺(PEI)、液晶聚合物(LCP)。
在絕緣基材10，係形成有複數個第1導孔11與複數個第2導孔12。第1、第2導孔11、12，皆係貫穿絕緣基材10之表面10a與背面10b的貫穿孔。第1、第2導孔11、12，係以預定間隔，交互地並排而配置。
在第1導孔11，係填埋有第1熱電構件31。
在第2導孔12填埋有第2熱電構件32。第1熱電構件31與第2熱電構件32，係以揮發席比克效應的方式，由特性不同的熱電材料(亦稱為熱電變換材料)所構成。在本實施形態中，第1熱電構件31，係由P型半導體材料所構成，第2熱電構件32，係由N型半導體材料所構成。該P型半導體材料，係固相燒結成使構成P型之Bi-Sb-Te合金的粉末維持燒結前之複數個金屬原子之結晶構造的金屬化合物。該N型半導體材料，係固相燒結成使構成N型之Bi-Te合金的粉末維持燒結前之複數個金屬原子之結晶構造的金屬化合物。另外，作為熱電材料，亦可使用其他半導體材料或金屬材料。
在絕緣基材10的表面10a上形成有複數個導體圖案41、42。複數個導體圖案41、42，係由銅所構成的導體層被圖案化成所期望形狀者。另外，複數個導體圖案41、42，係亦可由銅以外的導電性材料所構成。複數個導體圖案41、42，係薄且平坦的板狀。亦即，複數個導體圖案41、42，係沿著一面擴展。1個導體圖案41、42，係橫跨第1熱電構件31與第2熱電構件32兩者而配置。因此，相鄰之第1熱電構件31與第2熱電構件32，係藉由1個導體圖案41、42而電性連接。該結果，複數個第1熱電構件31與複數個第2熱電構件32，係第1熱電構件31與第2熱電構件32交互地串聯連接。
如此一來，複數個導體圖案41、42，係構成第1熱電構件31與第2熱電構件32的2個接點部(亦
即，連接部)。在複數個導體圖案41、42中熱電動勢之電壓順方向，依照第1熱電構件31與第2熱電構件32的順序，亦即在本實施形態中，依照PN之順序連接兩者的第1導體圖案41構成溫接點部。另一方面，在複數個導體圖案41、42中熱電動勢之電壓順方向，依照第2熱電構件32與第1熱電構件31的順序，連接兩者的第2導體圖案42構成冷接點部。另外，熱電動勢的電壓順方向，係意味著在輻射熱感測器101接收輻射熱而產生感測器輸出電壓時，從產生之電壓的正極側朝負極側之並排的方向之意思。又，在第1熱電構件31與第2熱電構件32的2個接點部產生溫度差之際，成為高溫側的接點部係溫接點部，成為低溫側的接點部係冷接點部。
在此，如圖2所示，在絕緣基材10的表面10a中，將第1、第2熱電構件31、32之並排方向設成為第1方向DR1，將與第1、第2熱電構件31、32之並排方向正交的方向設成為第2方向DR2。此時，1個導體圖案41、42之第2方向DR2中的尺寸，係與第1、第2熱電構件31、32之第2方向DR2中的尺寸相同。又，1個導體圖案41、42之第1方向DR1中的尺寸，係比相鄰之第1熱電構件31與第2熱電構件32之間的間隔長。因此，1個導體圖案41、42，係具有預定面積。
如圖3所示，在第1熱電構件31與第2熱電構件32交互地串聯連接的構造體中，具有1個第1導體圖案41與1個第2導體圖案42的部分，係構成1個單元
亦即1個熱電變換元件UN1。
在第1導體圖案41的表面上形成有受熱板51。受熱板51，係與第1導體圖案41直接接觸。受熱板51，係吸收輻射熱而產生熱之板狀的受熱構件。受熱板51的平面形狀，係與第1導體圖案41相同。受熱板51，係由不同於第1導體圖案41的構件所構成。
又，在第2導體圖案42的表面上形成有反射板52。反射板52，係與第2導體圖案直接接觸。反射板52，係反射輻射熱之板狀的反射構件。反射板52的平面形狀，係與第2導體圖案42相同。反射板52，係由不同於第2導體圖案42的構件所構成。
本實施形態之受熱板51，係以吸收可見光線之波長區域之輻射熱的方式，與第1導體圖案41相比，由可見光線之波長區域中之輻射熱之輻射率高(亦即，吸收率高)的材料所構成。具體而言，受熱板51，係由黑色的氧化銅所構成。又，本實施形態之反射板52，係以反射可見光線之波長區域之輻射熱的方式，與第2導體圖案42相比，由可見光線之波長區域中之輻射熱之輻射率低(亦即，反射率高)的材料所構成。具體而言，反射板52，係由鍍金所構成。
表面保護構件20，係層積於絕緣基材10的表面10a側。表面保護構件20，係與絕緣基材10相同地，由可撓性材料即熱可塑性樹脂所構成。表面保護構件20，係覆蓋受熱板51及反射板52與從受熱板51及反射
板52露出的第1、第2熱電構件31、32。
又，在絕緣基材10的背面10b，係形成有導電性材料，本實施形態中係指由銅所構成的背面導體圖案61。背面導體圖案61，係以製造輻射熱感測器101時之防止第1、第2熱電構件31、32從絕緣基材10脫離為目的。
其次，使用圖4(a)~(f)，說明關於本實施形態之輻射熱感測器101的製造方法。
首先，如圖4(a)所示，準備絕緣基材10，該絕緣基材10，係在背面10b形成有所期望形狀的背面導體圖案61。背面導體圖案61，係對形成於絕緣基材10之背面10b的銅箔進行蝕刻而形成。背面導體圖案61，係如圖4(b)所示，形成於與第1、第2導孔11、12之形成預定區域相對向的位置。
接著，如圖4(b)所示，在絕緣基材10形成複數個第1導孔11與複數個第2導孔12。
接著，如圖4(c)所示，將構成第1熱電構件31的第1糊膏31a分別填充於複數個第1導孔11。相同地，將構成第2熱電構件32的第2糊膏32a分別填充於複數個第2導孔12。第1糊膏31a，係對金屬原子維持預定之結晶構造之Bi-Sb-Te合金的粉末添加有機溶劑而糊膏化者。第2糊膏32a，係對與構成第1糊膏31a之金屬原子不同的金屬原子維持預定之結晶構造之Bi-Te合金的粉末添加有機溶劑而糊膏化者。
接著，如圖4(d)所示，將銅蒸鍍於絕緣基材10的表面10a，形成第1導體圖案41及第2導體圖案42。
接著，如圖4(e)所示，在第1導體圖案41的表面上形成受熱板51。具體而言，對由銅所構成的第1導體圖案41施予氧化處理。藉此，形成有由氧化銅所構成之黑色的受熱板51。又，在第2導體圖案42的表面上形成反射板52。具體而言，對由銅所構成的第2導體圖案42施予金的無電解鍍敷。藉此，形成有由鍍金所構成的反射板52。
而且，如圖4(f)所示，準備表面保護構件20，層積該表面保護構件20與施加了如圖4(e)所示之工程的絕緣基材10，以形成層積體。其後，對層積體進行加熱加壓。藉此，表面保護構件20與絕緣基材10被一體化。又，藉由此時的加熱，第1糊膏31a與第2糊膏32a的各粉末便燒結，形成有第1熱電構件31與第2熱電構件32。
像這樣製造如圖2、3所示之構成的輻射熱感測器。
另外，本實施形態，雖係由氧化銅構成受熱板51，但亦可由可見光線之波長區域中之輻射率高的其他構件構成受熱板51。例如，亦可由黑色的塗料被膜構成受熱板51。另外，本實施形態，雖係由鍍金構成反射板52，但亦可由可見光線之波長區域中之輻射率低的其
他構件構成反射板52。例如，亦可由表面之粗糙度低的光澤銅構成。
又，關於構成受熱板51及反射板52的材料，係只要因應輻射熱感測器101之檢測對象即輻射熱的波長區域進行選擇即可。在將紅外線區域的輻射熱設成為檢測對象時，係只要由紅外線區域中之輻射率高的材料構成受熱板51，且由紅外線區域中之輻射率低的材料構成反射板52即可。在該情況下，受熱板51及反射板52，係由塗裝或蒸鍍等而形成。
其次，使用圖5，說明關於本實施形態之輻射熱測定裝置100所致之輻射熱之熱量的測定。圖5，係表示本實施形態之輻射熱感測器101之要部的剖面圖。
當可見光線之波長區域的輻射熱被照射至本實施形態之輻射熱感測器101的表面101a側時，則如圖5所示，受熱板51，係吸收輻射熱，反射板52，係反射朝向第2導體圖案42所照射的輻射熱。受熱板51，係吸收輻射熱的方式產生熱。由於輻射熱的吸收量較受熱板51少，因此，與受熱板51相比，熱的產生量少。因此，在受熱板51與反射板52會產生溫度差。
此時，第1導體圖案41從受熱板51接收因輻射熱而引起的熱，並且第2導體圖案42從反射板52接收因輻射熱而引起的熱。因此，在第1導體圖案41與第2導體圖案42會產生溫度差。熱電變換元件UN1，係產生因應第1、第2導體圖案41、42之溫度差的熱電動勢
亦即電輸出。該電輸出，係電壓。另外，電輸出，係亦可為電流。
而且，如圖1所示的演算部102，係根據從輻射熱感測器101所輸出的輸出值(具體而言，係電壓值)與預先記憶之輸出值與熱通量的關係，演算輻射熱的熱通量。演算部102，係將其演算結果輸出至如圖1所示的顯示部103。藉此，由演算部102所演算的熱通量(W/m2)被顯示於顯示部103。
如此一來，本實施形態之輻射熱測定裝置100，係可測定輻射熱的熱量。
其次，比較本實施形態的輻射熱感測器101與如圖6所示之研討例的輻射熱感測器J1。圖6，係對應於圖2。研討例之輻射熱感測器J1，係第1熱電構件J31與第2熱電構件J32直接接觸而連接，不具有連接第1熱電構件J31與第2熱電構件J32的導體圖案41、42該點不同於本實施形態之輻射熱感測器101。第1熱電構件J31與第2熱電構件J32，係分別由與本實施形態之第1熱電構件31及第2熱電構件32相同的材料所構成。第1研討例之輻射熱感測器J1的其他構成，係與本實施形態之輻射熱感測器101相同。
研討例之輻射熱感測器J1，係如圖6所示，在絕緣基材10的表面10a中，第1熱電構件J31與第2熱電構件J32的溫接點部J41與冷接點部J42，係分別成為線狀的區域。因此，由於溫接點部J41與冷接點部J42
分別從受熱板51與反射板52接收熱的受熱面積小，因此，傳遞至溫接點部J41與冷接點部J42的熱能變小。因此，溫接點部J41與冷接點部J42的各溫度會遠離受熱板51與反射板52的各溫度。
因此，輻射熱入射至研討例之輻射熱感測器J1的表面時之熱電變換元件UN1的電輸出會變小。該結果，研討例之輻射熱感測器J1，係將輻射熱之熱量作為電輸出而進行檢測時的檢測感度會變低。
對此，本實施形態之輻射熱感測器101，係如上述之說明，由第1導體圖案41構成溫接點部，且將第2導體圖案42構成冷接點部。因此，根據本實施形態之輻射熱感測器101，與研討例之輻射熱感測器J1相比，可增大溫接點部與冷接點部的各受熱面積。例如，如圖2與圖6所示，在本實施形態的輻射熱感測器101與研討例的輻射熱感測器J1中，將第1熱電構件31、J31與第2熱電構件32、J32之各第2方向DR2中的尺寸設成為相同時，本實施形態之輻射熱感測器101者，係與研討例之輻射熱感測器J1相比，其溫接點部41與冷接點部42的各受熱面積大。
藉此，在所照射之輻射熱的熱量為相同時，本實施形態之輻射熱感測器101者，係比研討例之輻射熱感測器J1，更可使溫接點部41與冷接點部42的各溫度接近受熱板51與反射板52的各溫度，且可增大溫接點部41與冷接點部42的溫度差。
因此，根據本實施形態之輻射熱感測器101，與研討例之輻射熱感測器J1相比，可增大輻射熱被照射至表面101a時之熱電變換元件UN1的電輸出，且可提高輻射熱感測器101的檢測感度。
另外，本實施形態之輻射熱感測器101，雖係具備有表面保護構件20，但亦可不具備有表面保護構件20。在該情況下，例如進行使第1糊膏31a與第2糊膏32a之各粉末燒結的加熱工程以代替如圖4(f)所示的工程，藉此，製造輻射熱感測器101。此關於下述之各實施形態的輻射熱感測器100中在最表面具備有表面保護構件20者而言亦相同。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。
如圖7、8所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係具備有背面保護構件62以代替第1實施形態之輻射熱感測器101的背面導體圖案61。
背面保護構件62，係層積於絕緣基材10之背面10b側的絕緣層。因此，本實施形態之輻射熱感測器101，層積有3層之絕緣層10、20、62的3層構造。另外，背面保護構件62，係對應於第2絕緣層。
背面保護構件62，係與絕緣基材10相同地，由可撓性材料即熱可塑性樹脂所構成。背面保護構件
62，係覆蓋第1、第2熱電構件31、32。在本實施形態之輻射熱感測器101中，亦發揮與第1實施形態相同的效果。
又，本實施形態，係將背面保護構件62之厚度尺寸D2設定為小於相鄰之第1導體圖案41與第2導體圖案42之間的間隔L1。
在此，在具備有背面保護構件62的情況下，當在背面保護構件62的內部，於第1方向DR1產生熱轉移時，導致第1導體圖案41與第2導體圖案42的溫度差降低。
對此，本實施形態，係縮小背面保護構件62之第3方向DR3的厚度尺寸，藉此，在背面保護構件62的內部，變得易於第3方向DR3進行熱轉移。藉此，在背面保護構件62內，可使第1導體圖案41所接收的熱往第3方向DR3移動，從而放散至背面保護構件62。該結果，可抑制第1導體圖案41與第2導體圖案42之溫度差降低的情形，且可提高輻射熱感測器101的檢測感度。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。
如圖9、10所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係受熱板51及反射板52被形成於表面保護構件20的表面20a上該點不同於第1實施形態之輻射熱感測
器101。另外，表面保護構件20，係對應於第1絕緣層。
受熱板51，係形成於表面保護構件20的表面20a上中之第3方向DR3且與第1導體圖案41相對向的區域。受熱板51，係形成於底層用導體圖案53的表面上。
受熱板51，係形狀及大小與第1導體圖案41相同。另外，只要可將吸收輻射熱而產生的熱傳遞至第1導體圖案41，則亦可變更受熱板51的配置、形狀及大小。亦可使受熱板51的大小形成為小於或大於第1導體圖案41。只要受熱板51之至少一部分位於表面保護構件20的表面上中之與第1導體圖案41相對向的區域內即可。
相同地，反射板52，係形成於表面保護構件20的表面上中之第3方向DR3且與第2導體圖案42相對向的區域。反射板52，係形成於底層用導體圖案54的表面上。
反射板52，係形狀及大小與第2導體圖案42相同。另外，只要可使第2導體圖案42接收的熱少於第1導體圖案41，則亦可變更反射板52的配置、形狀及大小。亦可使反射板52的大小形成為小於或大於第2導體圖案42。只要反射板52之至少一部分位於表面保護構件20的表面上中之與第2導體圖案42相對向的區域內即可。
其次，使用圖11(a)~(f)，說明關於本實施形
態之輻射熱感測器101的製造方法。如圖11(a)、(b)、(c)所示的工程，係分別與第1實施形態說明之如圖4(a)、(b)、(c)所示的工程相同。
本實施形態，係如圖11(d)所示，準備表面保護構件20與絕緣基材10，層積表面保護構件20與絕緣基材10，以形成層疊體。此時所準備的表面保護構件20，係在兩面20a、20b形成有所期望形狀的導體圖案者。形成於兩面的導體圖案，係第1、第2導體圖案41、42與成為受熱板51及反射板52之底層的底層用導體圖案53、54。所準備的絕緣基材10，係施加了如圖11(c)所示的工程者。
接著，如圖11(e)所示，對層疊體進行加熱加壓。藉此，表面保護構件20與絕緣基材10被一體化。又，藉由此時的加熱，形成有第1熱電構件31與第2熱電構件32。
而且，如圖11(f)所示，在底層用導體圖案53的表面上形成受熱板51。具體而言，對由銅所構成的底層用導體圖案53施予氧化處理。藉此，形成有由氧化銅所構成之黑色的受熱板51。又，在底層用導體圖案54的表面上形成反射板52。具體而言，對由銅所構成的底層用導體圖案54施予金的無電解鍍敷。藉此，形成有由鍍金所構成的反射板52。
像這樣製造本實施形態之輻射熱感測器101。在本實施形態之輻射熱感測器101中，亦發揮與第1實施
形態相同的效果。
然而，當受熱板51與反射板52被表面保護構件20覆蓋時，則表面保護構件20接收吸收輻射熱而產生之熱的影響，導致反射板52的溫度上升。因此，導致受熱板51與反射板52的溫度差變小。
對此，本實施形態，係受熱板51與反射板52從表面保護構件20露出。因此，與受熱板51與反射板52被表面保護構件20覆蓋時相比，增大受熱板51與反射板52的溫度差。因此，根據本實施形態，可提高輻射熱感測器101的檢測感度。
又，本實施形態，係將受熱板51與第1導體圖案41之間的表面保護構件20之厚度尺寸D1設定為小於相鄰之第1導體圖案41與第2導體圖案42之間的間隔L1。另外，反射板52與第2導體圖案42之間的表面保護構件20之厚度，係與受熱板51與第1導體圖案41之間的表面保護構件20的厚度相同。
在此，當表面保護構件20較厚時，則導致從受熱板51朝第1導體圖案41的傳熱時間變長。又，當在表面保護構件20的內部，於第1導體圖案41與第2導體圖案42的並排方向DR1產生熱轉移時，導致第1導體圖案41與第2導體圖案42的溫度差降低。
對此，本實施形態，係縮小表面保護構件20的厚度尺寸D1，藉此，在表面保護構件20的內部，變得易於第3方向DR3進行熱轉移。藉此，可縮短從受熱板
51朝第1導體圖案41的傳熱時間，且提高輻射熱感測器101的即時性。又，可抑制第1導體圖案41與第2導體圖案42之溫度差降低的情形，且可提高輻射熱感測器101的檢測感度。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。
如圖12所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係與第3實施形態相同地，受熱板51及反射板52被形成於表面保護構件20的表面20a上。在本實施形態中，亦將表面保護構件20的厚度尺寸D1設定得較小。藉此，與第3實施形態相同地，可提高輻射熱感測器101的即時性，並且可提高輻射熱感測器101的檢測感度。
而且，本實施形態之輻射熱感測器101，係與第2實施形態相同地，具備有背面保護構件62。在本實施形態中，亦將背面保護構件62的厚度尺寸D2設定得較小。藉此，亦與第2實施形態相同地，可提高輻射熱感測器101的檢測感度。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖13所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係第1熱電構件31與第2熱電構件32的各剖面
形狀為U字形狀該點不同於第1實施形態之輻射熱感測器101。本實施形態之輻射熱感測器101的其他構成，係與第4實施形態之輻射熱感測器101相同。
具體而言，第1熱電構件31，係具有第1延伸部311、第2延伸部312及第1結合部313的形狀。第1延伸部311、第2延伸部312及第1結合部313，係由相同的第1熱電材料所構成。第1延伸部311，係從接觸於第1導體圖案41之第1接觸端部C1朝向絕緣基材10之背面10b側延伸的部分。第2延伸部312，係從接觸於第2導體圖案42之第2接觸端部C2朝向絕緣基材10之背面10b側延伸的部分。第1結合部313，係以結合第1延伸部311與第2延伸部312的方式，位於從第1延伸部311之絕緣基材10的背面10b側之部位涵蓋第2延伸部312之絕緣基材10的背面10b側之部位的部位。
而且，在第1延伸部311與第2延伸部312之間存在有絕緣基材10的隔熱構件13。
第2熱電構件32，係具有第3延伸部321、第4延伸部322及第2結合部323的形狀。第3延伸部321、第4延伸部322及第2結合部323，係由相同的第2熱電材料所構成。第3延伸部321、第4延伸部322及第2結合部323，係分別對應於第1延伸部311、第2延伸部312及第1結合部313者。另外，第3延伸部321，係從接觸於第1導體圖案41的第3接觸端部C3延伸。第4延伸部322，係從接觸於第2導體圖案42的第4接觸端
部C4延伸。
而且，在第2熱電構件32中，亦在第3延伸部321與第4延伸部322之間存在有絕緣基材10的隔熱構件14。
其次，使用圖14(a)~(c)、圖15(a)~(c)、圖16(a)~(c)，說明關於本實施形態之輻射熱感測器101的製造方法。
如圖14(a)所示，準備表面保護構件20、第1絕緣基材70、第2絕緣基材80及背面保護構件62，以形成層積了該些的層疊體。
在所準備之表面保護構件20的兩面20a、20b，係形成有所期望形狀的導體圖案。具體而言，在表面保護構件20的背面20b形成有第1導體圖案41及第2導體圖案42。在表面保護構件20的表面20a形成有底層用導體圖案53、54。
所準備的第1絕緣基材70，係施加了如圖15(a)~(c)所示的工程者。亦即，如圖15(a)所示，準備第1絕緣基材70。接著，如圖15(b)所示，在第1絕緣基材70形成導孔71、72、73、74。導孔71、72，係用以分別形成第1延伸部311、第2延伸部312的貫穿孔。導孔73、74，係用以形成第3延伸部321、第4延伸部322的貫穿孔。接著，如圖15(c)所示，將構成第1熱電構件31的第1糊膏311a、312a填充於導孔71、72。相同地，將構成第2熱電構件32的第2糊膏321a、322a填充於導孔73、
74。
所準備的第2絕緣基材80，係施加了如圖16(a)~(c)所示的工程者。亦即，如圖16(a)所示，準備第2絕緣基材80。接著，如圖16(b)所示，在第2絕緣基材80形成導孔81、82。導孔81，係用以形成第1結合部313的貫穿孔。導孔82，係用以形成第2結合部323的貫穿孔。接著，如圖16(c)所示，將構成第1熱電構件31的第1糊膏313a填充於導孔81。相同地，將構成第2熱電構件32的第2糊膏323a填充於導孔82。
接著，如圖14(b)所示，對層疊體進行加熱加壓。藉此，表面保護構件20與第1絕緣基材70與第2絕緣基材80與背面保護構件62被一體化。以第1絕緣基材70與第2絕緣基材80一體化的方式，形成有絕緣基材10。又，藉由此時的加熱體，形成有第1熱電構件31與第2熱電構件32。
而且，如圖14(c)所示，在底層用導體圖案53的表面上形成受熱板51。又，在底層用導體圖案54的表面上形成反射板52。
像這樣製造本實施形態之輻射熱感測器101。
如上述，本實施形態，係在第1熱電構件31中，在第1延伸部311與第2延伸部312之間存在有絕緣基材10的隔熱構件13。絕緣基材10，係熱傳導性低於第1熱電材料的構件，亦即抑制了熱轉移的隔熱構件。
因此，第1熱電構件31中之從第1接觸端部
C1至第2接觸端部C2的傳熱路徑，係形成為從第1延伸部311經由第1結合部313而到達第2延伸部312的路徑。
因此，根據本實施形態，與第1熱電構件31的剖面形狀並非為U字形狀時相比，可增加熱從第1導體圖案41朝向第2導體圖案42而在第1熱電構件31之內部移動時的熱轉移距離。該結果，可抑制第1熱電構件31之內部中的熱轉移所致之第1導體圖案41與第2導體圖案42之溫度差的降低。
在第2熱電構件32中，亦在第1延伸部311與第2延伸部312之間存在有絕緣基材10的隔熱構件14。
因此，在第2熱電構件32中，亦與第2熱電構件32的剖面形狀並非為U字形狀時相比，可增加熱從第3接觸端部C3朝向第4接觸端部C4而在第2熱電構件32之內部移動時的熱轉移距離。該結果，可抑制第2熱電構件32之內部中的熱轉移所致之第1導體圖案41與第2導體圖案42之溫度差的降低。
因此，根據本實施形態，可提高輻射熱感測器101的檢測感度。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖17、18、19所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係第1熱電構件31與第2熱電構件32
的構造不同於第1實施形態之輻射熱感測器101，其他構成與第4實施形態之輻射熱感測器101相同。
具體而言，第1熱電構件31，係具有第1延伸部311、第2延伸部312及第1配線圖案314的構造。第1延伸部311與第2延伸部312，係由相同的第1熱電材料所構成。第1配線圖案314，係由不同於第1熱電材料的銅箔等之導體所構成的導體圖案。
第1延伸部311，係從第1接觸端部C1延伸至絕緣基材10之背面10b的部分。第2延伸部312，係從第2接觸端部C2延伸至絕緣基材10之背面10b的部分。第1配線圖案314，係在絕緣基材10的背面10b，橫跨第1延伸部311與第2延伸部312兩者而配置。藉此，第1配線圖案314，係連接第1延伸部311與第2延伸部312。
如圖19所示，第1延伸部311及第2延伸部312的平面形狀，係圓。第1配線圖案314的平面形狀，係長方形。第1導體圖案41及受熱板51的平面形狀，係長方形。
如此一來，只要以第1配線圖案314連接第1延伸部311與第2延伸部312，且第1配線圖案314為在其平面方向沒有溫度差的狀態，則可將第1延伸部311、第2延伸部312及第1配線圖案314視作為1個熱電構件。
而且，在第1延伸部311與第2延伸部312
之間存在有絕緣基材10的隔熱構件15。
第2熱電構件32，係具有第3延伸部321、第4延伸部322及第2配線圖案324的構造。第3延伸部321與第4延伸部322，係由相同的第2熱電材料所構成。第2配線圖案324，係由不同於第2熱電材料之銅箔等的導體所構成。第3延伸部321、第4延伸部322及第2配線圖案，係分別對應於第1延伸部311、第2延伸部312及第1配線圖案314者。另外，第3延伸部321，係從第3接觸端部C3延伸。另外，第4延伸部322，係從第4接觸端部C4延伸。
而且，在第2熱電構件32中，亦在第3延伸部321與第4延伸部322之間存在有絕緣基材10的隔熱構件16。
其次，使用圖20(a)~(c)、圖21(a)~(c)，說明關於本實施形態之輻射熱感測器101的製造方法。
如圖20(a)所示，準備表面保護構件20、絕緣基材10及背面保護構件62，以形成層積了該些的層疊體。
在所準備之表面保護構件20的兩面20a、20b，係形成有所期望形狀的導體圖案。具體而言，在表面保護構件20的背面20b形成有第1導體圖案41及第2導體圖案42。在表面保護構件20的表面20a形成有底層用導體圖案53、54。
所準備的絕緣基材10，係施加了如圖
21(a)~(c)所示的工程者。亦即，如圖21(a)所示，準備絕緣基材10。接著，如圖21(b)所示，在絕緣基材10形成導孔17a、17b、18a、18b。導孔17a、17b，係用以形成第1延伸部311、第2延伸部312的貫穿孔。導孔18a、18b，係用以形成第3延伸部321、第4延伸部322的貫穿孔。接著，如圖21(c)所示，將構成第1熱電構件31的第1糊膏311a、312a填充於導孔17a、17b。相同地，將構成第2熱電構件32的第2糊膏321a、322a填充於導孔18a、18b。
所準備的背面保護構件62，係在單面62a形成有第1配線圖案314及第2配線圖案324。
接著，如圖20(b)所示，對層疊體進行加熱加壓。藉此，表面保護構件20與絕緣基材10與背面保護構件62被一體化。又，藉由此時的加熱，形成有第1熱電構件31的第1延伸部311、第2延伸部312與第2熱電構件32的第3延伸部321、第4延伸部322。
而且，如圖20(c)所示，在底層用導體圖案53的表面上形成受熱板51。又，在底層用導體圖案54的表面上形成反射板52。
像這樣製造本實施形態之輻射熱感測器101。
在本實施形態中，亦與第5實施形態相同地，在第1熱電構件31中，在第1延伸部311與第2延伸部312之間存在有絕緣基材10的隔熱構件15。在第2熱電構件32中，亦在第1延伸部311與第2延伸部312
之間存在有絕緣基材10的隔熱構件16。藉此，在本實施形態中，亦實現與第5實施形態相同的效果。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖22所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係第1熱電構件31及第2熱電構件32具有與第6實施形態之輻射熱感測器101相同的構造。但是，本實施形態之輻射熱感測器101，係以下該點不同於第6實施形態之輻射熱感測器101。
本實施形態，係絕緣基材10由第1絕緣基材110與第2絕緣基材120的2層所構成。第1熱電構件31的第1延伸部311、第2延伸部312，係形成於第1絕緣基材110與第2絕緣基材120兩者。相同地，第2熱電構件32的第3延伸部321、第4延伸部322，係形成於第1絕緣基材110與第2絕緣基材120兩者。受熱板51，係與第1導體圖案41直接接觸。反射板52，係與第2導體圖案42直接接觸。
其次，使用圖23(a)、(b)、圖24(a)~(d)、圖25(a)~(c)，說明關於本實施形態之輻射熱感測器101的製造方法。
如圖23(a)所示，準備第1絕緣基材110與第2絕緣基材120，以形成層積了該些的層疊體。
所準備的第1絕緣基材110，係如下述，施加
了如圖24(a)~(d)所示的工程者。亦即，如圖24(a)所示，準備第1絕緣基材110，該第1絕緣基材110，係在單面110a形成有第1導體圖案41與第2導體圖案42。接著，如圖24(b)所示，與第1實施形態相同地，在第1導體圖案41的表面上形成受熱板51，在第2導體圖案42的表面上形成反射板52。接著，如圖24(c)所示，形成導孔111、112、113、114。導孔111、112、113、114，係用以形成第1延伸部311、第2延伸部312、第3延伸部321、第4延伸部322的貫穿孔。接著，如圖24(d)所示，將構成第1熱電構件31的第1糊膏311a、312a分別填充於導孔111、112。相同地，將構成第2熱電構件32的第2糊膏321a、322a分別填充於導孔113、114。
所準備的第2絕緣基材120，係如下述，施加了如圖25(a)~(c)所示的工程者。亦即，如圖25(a)所示，準備第2絕緣基材120，該第2絕緣基材120，係在單面120b形成有第1配線圖案314與第2配線圖案324。接著，如圖25(b)所示，形成導孔211、212、213、214。導孔211、212、213、214，係用以形成第1延伸部311、第2延伸部312、第3延伸部321、第4延伸部322的貫穿孔。接著，如圖25(c)所示，將第1糊膏311a、312a分別填充於導孔211、212。接著，將第2糊膏321a、322a分別填充於導孔213、214。
接著，如圖23(b)所示，對層疊體進行加熱加壓。藉此，第1絕緣基材110與第2絕緣基材120被一體
化。又，藉由此時的加熱，形成有第1熱電構件31的第1延伸部311、第2延伸部312與第2熱電構件32的第3延伸部321、第4延伸部322。
像這樣製造本實施形態之輻射熱感測器101。本實施形態之輻射熱感測器101，係由於第1熱電構件31及第2熱電構件32具有與第6實施形態之輻射熱感測器101相同的構造，因此，發揮與第6實施形態相同的效果。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖26所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係第1熱電構件31及第2熱電構件32具有與第6實施形態之輻射熱感測器101相同的構造。但是，本實施形態之輻射熱感測器101，係受熱板51與第1導體圖案41直接接觸該點及反射板52與第2導體圖案42直接接觸該點不同於第6實施形態之輻射熱感測器101。在本實施形態中，亦實現與第6實施形態相同的效果。
另外，本實施形態之輻射熱感測器101，雖係第1配線圖案314及第2配線圖案324被背面保護構件62覆蓋，但亦可不被背面保護構件62覆蓋。關於如圖18所示之第6實施形態的輻射熱感測器101亦相同。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖27所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係具有與如圖18所示之第6實施形態之輻射熱感測器101相同的構造。
而且，本實施形態之輻射熱感測器101，係具備有配置於與背面保護構件62之第1、第2配線圖案314、324側相反側之面62b的熱傳導構件63、64、65、66。熱傳導構件63、64、65、66，係熱傳導性高於背面保護構件62的構件。本實施形態，係使用由銅所構成的底層用導體圖案63、64與形成於底層用導體圖案63、64之表面的鍍金層65、66作為熱傳導構件。
底層用導體圖案63及其表面的鍍金層65，係形狀及大小與第1配線圖案314相同，於第3方向DR3，正對第1配線圖案314。底層用導體圖案63及其表面的鍍金層65構成第1熱傳導構件。
相同地，底層用導體圖案64及其表面的鍍金層66，係形狀及大小與第2配線圖案324相同，於第3方向DR3，正對第2配線圖案324。底層用導體圖案64及其表面的鍍金層66構成第2熱傳導構件。
其次，使用圖28(a)~(c)，說明關於本實施形態之輻射熱感測器101的製造方法。
如圖28(a)所示，準備表面保護構件20、絕緣基材10及背面保護構件62，以形成層積了該些的層疊體。
此時所準備的表面保護構件20及絕緣基材10，係與如圖20(a)所示的表面保護構件20及絕緣基材10相同者。此時所準備的背面保護構件62，係在一方的面62a形成有第1配線圖案314及第2配線圖案324，在另一方的面62b形成有底層用導體圖案63、64。
接著，如圖28(b)所示，對層疊體進行加熱加壓。該工程，係與圖20(b)所示的工程相同。
而且，如圖28(c)所示，在底層用導體圖案53的表面上形成受熱板51。又，在底層用導體圖案54的表面上形成反射板52。而且，在底層用導體圖案63、64的表面形成鍍金層65、66。
像這樣製造本實施形態之輻射熱感測器101。
然而，在將第1熱電構件31之構造設成為以第1配線圖案314連接第1延伸部311與第2延伸部312之構造的情況下，當在第1配線圖案314與第1延伸部311之第1連接部D1及第1配線圖案314與第2延伸部312之第2連接部D2的兩個連接部產生溫度差時，則產生席比克效應。將第2熱電構件32之構成設成為以第2配線圖案324連接第3延伸部321與第4延伸部322之構造的情況下亦相同。當在第2配線圖案324與第3延伸部321之第3連接部D3及第2配線圖案324與第4延伸部322之第4連接部D4的兩個連接部產生溫度差時，則產生席比克效應。當像這樣產生席比克效應時，則導致輻射熱感測器101的檢測精度下降。
因此，本實施形態之輻射熱感測器101，係在背面保護構件62的面62b配置熱傳導構件63、64、65、66。熱傳導構件63、64、65、66，係具有使第1配線圖案314及第2配線圖案324均熱化之均熱構件的功能。因此，藉由第1熱傳導構件63、65，亦可使第1連接部D1與第2連接部D2接近相同溫度。藉由第2熱傳導構件64、66，亦可使第3連接部D3與第4連接部D4接近相同溫度。
因此，根據本實施形態之輻射熱感測器101，與未具備有熱傳導構件63、64、65、66時相比，可提供檢測精度。
另外，本實施形態，雖係第1熱傳導構件63、65配置於背面保護構件62的面62b中與第1配線圖案314整體正對的區域，第1熱傳導構件63、65的配置場所，係不限定於此。第1熱傳導構件63、65，係只要配置於如下述的區域即可：從與絕緣基材10之表面10a垂直的方向且相對向於第1連接部D1之至少一部分的位置，涵蓋與絕緣基材10之表面10a垂直的方向且相對向於第2連接部D2之至少一部分的位置。以像這樣配置第1熱傳導構件63、65的方式，可使第1連接部D1與第2連接部D2接近相同溫度。
相同地，第2熱傳導構件64、66，亦只要配置於如下述的區域即可：從與絕緣基材10之表面10a垂直的方向且相對向於第3連接部D3之至少一部分的位
置，涵蓋與絕緣基材10之表面10a垂直的方向且相對向於第4連接部D4之至少一部分的位置。以像這樣配置第2熱傳導構件64、66的方式，可使第3連接部D3與第4連接部D4接近相同溫度。
因此，第1熱傳導構件63、65與第2熱傳導構件64、66亦可相連接。亦即，如圖29所示，亦可涵蓋背面保護構件62之面62b的整個區域而配置有熱傳導構件67。另外，如圖29所示的熱傳導構件67，係由銅箔等1層的導體所構成。如此一來，熱傳導構件，係亦可由1層所構成。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖30所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係對如圖26所示之第8實施形態之輻射熱感測器101追加背面保護構件62與熱傳導構件67者。熱傳導構件67，係具有與第9實施形態說明者相同的目的者。熱傳導構件67，係涵蓋背面保護構件62之面62b的整個區域而配置。像這樣的配置熱傳導構件67，亦發揮與第9實施形態相同的效果。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖31所示，本實施形態之輻射熱感測
器101，係具有與如圖18所示之第6實施形態之輻射熱感測器101相同的構造。而且，本實施形態之輻射熱感測器101，係與第9、第10實施形態之輻射熱感測器101相同地，具備有配置於背面保護構件62之面62b的熱傳導構件67。
又，本實施形態之輻射熱感測器101，係在第1導體圖案41的表面上存在有表面保護構件20。表面保護構件20，係由輻射熱之輻射率高於第1導體圖案41的熱可塑性樹脂所構成。因此，本實施形態，係具有將表面保護構件20吸收輻射熱而產生的熱傳遞至第1導體圖案41之受熱構件的功能。
另一方面，在第2導體圖案42的表面上，係經由表面保護構件20，存在有反射板52。因此，朝向第2導體圖案42照射的輻射熱，係被反射板52反射。
因此，當輻射熱被照射至本實施形態之輻射熱感測器101的表面101a側時，則表面保護構件20吸收輻射熱，反射板52反射輻射熱。由於第1導體圖案41從表面保護構件20接收熱，第2導體圖案42從反射板52接收的熱較少，因此，第1導體圖案41與第2導體圖案42之間會產生較大的溫度差。因此，藉由本實施形態之輻射熱感測器101，亦可與第1實施形態之輻射熱感測器101相同地，提高輻射熱感測器101的檢測感度。
另外，本實施形態之輻射熱感測器101，係以如下般地變更第6實施形態說明之如圖20(a)~(c)所示之輻
射熱感測器101之製造工程的方式而製造。
如圖20(a)所示的工程，係準備表面保護構件20，該表面保護構件20，係在單面20b形成有第1導體圖案41及第2導體圖案42，在單面20a形成底層用導體圖案54。又，準備背面保護構件62，該背面保護構件62，係在單面62a形成有第1配線圖案314及第2配線圖案324，在單面62b形成有作為熱傳導構件67的銅箔。如圖20(c)所示的工程，係在底層用導體圖案44的表面上形成反射板52。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖32、33所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係第1導體圖案41A兼作為受熱構件且第2導體圖案42A兼作為反射構件該點不同於第1實施形態之輻射熱感測器101。其他構成，係與第1實施形態之輻射熱感測器101相同。
本實施形態之第1導體圖案41A及第2導體圖案42A，係由輻射率不同的導電性材料所構成。第1導體圖案41A，係由可見光線之波長區域中之輻射熱之輻射率高於第2導體圖案42A的導電性材料所構成。例如，在可見光線之波長區域中，作為輻射熱之輻射率高的導電性材料，係可列舉出碳，作為輻射率低的導電性材料，係可列舉出金、銀。另外，在輻射熱感測器101將紅外線區域
之輻射熱作為檢測對象時，第1導體圖案41A，係由紅外線區域之輻射率高於第2導體圖案42A的導電性材料所構成。
又，在本實施形態中，係將表面保護構件20之輻射熱的吸收率設定得較低為較佳。例如，將表面保護構件20的厚度設定得較薄或表面保護構件20由輻射率低材料所構成為較佳。更具體而言，在輻射熱感測器101將紅外線區域之輻射熱作為檢測對象時，係表面保護構件20由透明的樹脂所構成為較佳。
其次，使用圖34(a)~(f)，說明關於本實施形態之輻射熱感測器101的製造方法。如圖34(a)~(c)所示的工程，係與第1實施形態之如圖4(a)~(c)所示的工程相同。
以如圖34(d)所示的工程，將輻射率高的導電性材料蒸鍍於絕緣基材10的表面10a，形成第1導體圖案41A。將輻射率低的導電性材料蒸鍍於絕緣基材10的表面10a，形成第2導體圖案42A。
接著，如圖34(e)所示，準備表面保護構件20，層積該表面保護構件20與施加了如圖34(d)所示之工程的絕緣基材10，以形成層積體。其後，圖34(f)所示，對層疊體進行加熱加壓。藉此，製造本實施形態之輻射熱感測器101。
本實施形態之輻射熱感測器101，係第1導體圖案41A由輻射熱之輻射率高於第2導體圖案42A的材
料所構成。因此，當輻射熱被照射至輻射熱感測器101的表面101a時，第1導體圖案41A比第2導體圖案42A吸收較多輻射熱。該結果，第1導體圖案41A者吸收而產生的熱量會多於第2導體圖案42A，從而使溫度變高。如此一來，本實施形態之輻射熱感測器101，係第1導體圖案41A與第2導體圖案42A接收因輻射熱而引起的熱，並且第1導體圖案41A與第2導體圖案42A接收的熱量不同。而且，熱電變換元件UN1，係產生因應第1、第2導體圖案41A、42A之溫度差的電輸出。
在本實施形態之輻射熱感測器101中，亦與研討例之輻射熱感測器J1相比，可增大溫接點部41與冷接點部42分別接收輻射熱之際的受熱面積。因此，在本實施形態中，亦實現與第1實施形態相同的效果。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖35所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係與第12實施形態之輻射熱感測器101相同地，第1導體圖案41A兼作為受熱構件，第2導體圖案42A兼作為反射構件。其他構成，係與圖13之第5實施形態之輻射熱感測器101相同。
其次，使用圖36(a)~(d)，說明關於本實施形態之輻射熱感測器101的製造方法。
如圖36(a)所示，準備第1絕緣基材70、第2
絕緣基材80及背面保護構件62，以形成層積了該些的層疊體。
所準備的第1絕緣基材70，係與第5實施形態相同地，施加了如圖15(a)~(c)所示的工程者。所準備的第2絕緣基材80，係與第5實施形態相同地，施加了如圖16(a)~(c)所示的工程者。
接著，如圖36(b)所示，對層疊體進行加熱加壓。藉此，第1絕緣基材70與第2絕緣基材80與背面保護構件62被一體化。以第1絕緣基材70與第2絕緣基材80一體化的方式，形成有絕緣基材10。又，藉由此時的加熱，形成有第1熱電構件31與第2熱電構件32。
接著，如圖36(c)所示，將輻射率高的導電性材料蒸鍍於絕緣基材10的表面10a，形成第1導體圖案41A。將輻射率低的導電性材料蒸鍍於絕緣基材10的表面10a，形成第2導體圖案42A。
接著，如圖36(d)所示，準備表面保護構件20，層積該表面保護構件20與施加了如圖36(c)所示之工程的絕緣基材10，以形成層積體。其後，對層積體進行加熱加壓。藉此，製造本實施形態之輻射熱感測器101。
根據本實施形態之輻射熱感測器101，發揮與第5、第12實施形態之輻射熱感測器101相同的效果。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器
101的構造者。如圖37所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係與第12實施形態之輻射熱感測器101相同地，第1導體圖案41A兼作為受熱構件，第2導體圖案42A兼作為反射構件。其他構成，係與圖18之第6實施形態之輻射熱感測器101相同。
其次，使用圖38(a)~(d)，說明關於本實施形態之輻射熱感測器101的製造方法。
如圖38(a)所示，準備絕緣基材10與背面保護構件62，以形成層積了該些的層疊體。所準備的絕緣基材10，係施加了如圖21(a)~(c)所示的工程者。所準備的背面保護構件62，係在單面形成有第1配線圖案314及第2配線圖案324。
其後，對層積體進行加熱加壓。藉此，絕緣基材10與背面保護構件62被一體化。又，藉由此時的加熱，形成有第1熱電構件31的第1延伸部311、第2延伸部312與第2熱電構件32的第3延伸部321、第4延伸部322。
接著，如圖38(b)所示，將輻射率高的導電性材料蒸鍍於絕緣基材10的表面10a，形成第1導體圖案41A。將輻射率低的導電性材料蒸鍍於絕緣基材10的表面10a，形成第2導體圖案42A。
接著，如圖38(c)所示，準備表面保護構件20，層積該表面保護構件20與施加了如圖38(b)所示之工程的絕緣基材10及背面保護構件62，以形成層積體。其
後，對層積體進行加熱加壓。像這樣製造本實施形態之輻射熱感測器101。
根據本實施形態之輻射熱感測器101，發揮與第6、第12實施形態之輻射熱感測器101相同的效果。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖39所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係與第12實施形態之輻射熱感測器101相同地，第1導體圖案41A兼作為受熱構件，第2導體圖案42A兼作為反射構件。其他構成，係與圖22之第7實施形態之輻射熱感測器101相同。
其次，使用圖40(a)、(b)、圖41(a)~(d)，說明關於本實施形態之輻射熱感測器101的製造方法。
如圖40(a)所示，準備第1絕緣基材110與第2絕緣基材120，以形成層積了該些的層疊體。
所準備的第1絕緣基材110，係如下述，施加了如圖41(a)~(d)所示的工程者。亦即，如圖41(a)所示，對形成於單面110a的銅箔進行蝕刻，形成被圖案化成所期望形狀的導體圖案41、42。接著，如圖41(b)所示，僅對導體圖案41、42中的導體圖案41進行氧化處理，形成由氧化銅所構成的第1導體圖案41A與由銅所構成的第2導體圖案42A。如此一來，僅對導體圖案41、42的其中一個進行化學處理，藉此，可由輻射熱之輻射率高於第2
導體圖案42A的材料構成第1導體圖案41A。接著，如圖41(c)、(d)所示，形成導孔111、112、113、114，填充第1糊膏311a、312a、第2糊膏321a、322a。如圖41(c)、(d)所示的工程，係與如圖24(c)、(d)所示的工程相同。
所準備的第2絕緣基材120，係施加了第7實施形態之如圖25(a)~(c)所示的工程者。
接著，如圖40(b)所示，對層疊體進行加熱加壓。藉此，第1絕緣基材110與第2絕緣基材120被一體化。又，藉由此時的加熱，形成有第1熱電構件31的第1延伸部311、第2延伸部312與第2熱電構件32的第3延伸部321、第4延伸部322。像這樣製造本實施形態之輻射熱感測器101。
根據本實施形態之輻射熱感測器101，發揮與第7、第12實施形態之輻射熱感測器101相同的效果。
本實施形態，係對第1實施形態，變更輻射熱感測器101的構造者。如圖42所示，本實施形態之輻射熱感測器101，係與第12實施形態之輻射熱感測器101相同地，第1導體圖案41A兼作為受熱構件，第2導體圖案42A兼作為反射構件。其他構成，係與圖27之第9實施形態之輻射熱感測器101相同。
其次，使用圖43(a)~(c)，說明關於本實施形態之輻射熱感測器101的製造方法。
如圖43(a)所示，準備絕緣基材10與背面保護構件62，以形成層積了該些的層疊體。
所準備的絕緣基材10，係施加了如圖21(a)~(c)所示的工程者。
所準備的背面保護構件62，係在單面形成有第1配線圖案314及第2配線圖案324。所準備的背面保護構件62，係在另一單面62b形成有底層用導體圖案63、64及鍍金層65、66。
其後，對層積體進行加熱加壓。藉此，絕緣基材10與背面保護構件62被一體化。藉由此時的加熱，形成有第1熱電構件31的第1延伸部311、第2延伸部312與第2熱電構件32的第3延伸部321、第4延伸部322。
接著，如圖43(b)所示，將輻射率高的導電性材料蒸鍍於絕緣基材10的表面10a，形成第1導體圖案41A。將輻射率低的導電性材料蒸鍍於絕緣基材10的表面10a，形成第2導體圖案42A。
接著，如圖43(c)所示，準備表面保護構件20，層積該表面保護構件20與施加了如圖43(b)所示之工程的絕緣基材10及背面保護構件62，以形成層積體。其後，對層積體進行加熱加壓。像這樣製造本實施形態之輻射熱感測器101。
根據本實施形態之輻射熱感測器101，發揮與第9、第12實施形態之輻射熱感測器101相同的效果。
本發明，係不限定於上述之實施形態者，如下述，可在本發明的範圍內適當進行變更。
(1)上述各實施形態，雖係絕緣基材10由熱可塑性樹脂所構成，但絕緣基材10亦可由熱可塑性樹脂以外的可撓性材料所構成。又，絕緣基材10，係不限於可撓性材料，亦可由陶瓷等的絕緣材料所構成。關於表面保護構件20或背面保護構件62亦相同。
(2)上述各實施形態，雖係以將第1、第2熱電材料填埋至形成於絕緣基材10之第1、第2導孔11、12等之導孔的方式，形成第1、第2熱電構件31、32，但亦可以其他方法形成第1、第2熱電構件31、32。例如亦可經由絕緣構件，交互地並排且接合第1熱電構件與第2熱電構件，形成具有一面與其相反側之另一面的板狀構材。
(3)第1~第10實施形態之輻射熱感測器101，雖係具備有受熱板51與反射板52兩者，但亦可僅具備有受熱板51與反射板52的其中一者。即便為在該情況下，亦可在第1導體圖案41與第2導體圖案42之間產生溫度差。
(4)上述各實施形態，雖係將本發明之輻射熱感測器應用於輻射熱測定裝置，但本發明之輻射熱感測器，係可應用於因應輻射熱感測器之檢測結果而進行各種動作的其他裝置。
(5)上述各實施形態，係並非彼此無關係，除了明顯不能組合的情形以外，其餘可適當進行組合。例如，可將如圖8所示之第2實施形態組合於如圖18所示之第6實施形態、如圖26所示之第8實施形態、如圖27、29所示之第9實施形態、如圖30所示之第10實施形態、如圖31所示之第11實施形態。亦即，在第6、第8、第9、第10、第11實施形態中，將背面保護構件62之厚度尺寸D2設定為小於相鄰之第1導體圖案41與第2導體圖案42之間的間隔L1。藉此，可獲得與第2實施形態相同的效果。
(6)在上述各實施形態中，構成實施形態的要素，係除了明示為特別必須的情況及推測為原理上明顯必須的情況等以外，當然並非為絕對需要者。
本發明，雖係依照實施形態而進行記述，但應理解本發明並不限定於該實施形態或構造。本發明，係亦包含有各種的變形例或均等範圍內的變形。此外，各種組合或形態，進一步包含有僅該些之一要素、更多或更少的其他組合或形態亦屬於本發明的範疇或思想範圍內。
Claims (15)
- 一種輻射熱感測器，其特徵係，具備有：板狀構材，係具有第1面(10a)與其相反側之第2面(10b)的板狀構材(10)，其具有由不同之熱電材料所構成的複數個第1熱電構件(31)與複數個第2熱電構件(32)，在沿著前述第1面的方向，前述複數個第1熱電構件與前述複數個第2熱電構件分離而交互地逐一並排，前述複數個第1熱電構件與前述複數個第2熱電構件分別構成前述第1面的一部分；複數個第1導體圖案(41、41A)，沿著前述第1面擴展，在前述板狀構材的第1面，橫跨前述複數個第1熱電構件與前述複數個第2熱電構件中相鄰之1個第1熱電構件與1個第2熱電構件而配置，構成前述複數個第1熱電構件與前述複數個第2熱電構件之間的溫接點部；及複數個第2導體圖案(42、42A)，沿著前述第1面擴展，在前述板狀構材的第1面，橫跨前述複數個第1熱電構件與前述複數個第2熱電構件中相鄰之1個第1熱電構件與1個第2熱電構件而配置，構成前述複數個第1熱電構件與前述複數個第2熱電構件之間的冷接點部，當輻射熱被照射至前述板狀構材的前述第1面側時，由於前述複數個第1導體圖案與前述複數個第2導體圖案接收因前述輻射熱而引起的熱，並且前述複數個第1導體圖案與前述複數個第2導體圖案接收的熱量不同，因此，在前述複數個第1導體圖案與前述複數個第2導體圖案之 間會產生溫度差，從而使前述複數個第1熱電構件與前述複數個第2熱電構件產生因應前述溫度差的電輸出。
- 如申請專利範圍第1項之輻射熱感測器，其中，具備有：受熱板(51)，由輻射熱之輻射率高於前述複數個第1導體圖案(41)的材料所構成，將吸收被照射至前述第1面之輻射熱而產生的熱傳遞至前述複數個第1導體圖案，當輻射熱被照射至前述第1面側時，因前述複數個第1導體圖案從前述受熱板接收熱，故前述複數個第1導體圖案與前述複數個第2導體圖案接收的熱量不同。
- 如申請專利範圍第2項之輻射熱感測器，其中，前述受熱板，係直接接觸地形成於前述複數個第1導體圖案。
- 如申請專利範圍第2項之輻射熱感測器，其中，具備有：表面保護構件(20)，配置於前述板狀構材的前述第1面，覆蓋前述複數個第1導體圖案，前述受熱板，係形成於與前述表面保護構件之前述複數個第1導體圖案側相反側的面。
- 如申請專利範圍第4項之輻射熱感測器，其中，前述表面保護構件中位於前述複數個第1導體圖案與前述受熱板之間之部位的厚度尺寸(D1)，係小於前述複數個第1導體圖案與前述複數個第2導體圖案中相鄰之1個第1導體圖案與1個第2導體圖案之間的間隔(L1)。
- 如申請專利範圍第1~5項中任一項之輻射熱感測器，其中，具備有：反射構件(52)，由輻射熱之輻射率低於前述複數個第2導體圖案(42)的材料所構成，反射被照射至前述第1面的輻射熱，當輻射熱被照射至前述第1面側時，因反射朝向前述複數個第2導體圖案所照射的輻射熱，故前述複數個第1導體圖案與前述複數個第2導體圖案接收的熱量不同。
- 如申請專利範圍第1項之輻射熱感測器，其中，前述複數個第1導體圖案(41A)，係由輻射熱之輻射率高於前述複數個第2導體圖案(42A)的材料所構成，當輻射熱被照射至前述第1面側時，因前述複數個第1導體圖案比前述複數個第2導體圖案吸收較多輻射熱，故前述複數個第1導體圖案與前述複數個第2導體圖案接收的熱量不同。
- 如申請專利範圍第1~5及7項中任一項之輻射熱感測器，其中，具備有：背面保護構件(62)，配置於前述板狀構材的前述第2面，覆蓋前述複數個第1熱電構件及前述複數個第2熱電構件，前述背面保護構件的厚度尺寸(D2)，係小於前述複數個第1導體圖案與前述複數個第2導體圖案中相鄰之1個第1導體圖案與1個第2導體圖案之間的間隔(L1)。
- 如申請專利範圍第1~5及7項中任一項之輻射熱 感測器，其中，前述複數個第1熱電構件，係具有：第1延伸部(311)，由第1熱電材料所構成，從接觸於前述複數個第1導體圖案的第1接觸端部(C1)朝向前述板狀構材的前述第2面側延伸；第2延伸部(312)，由前述第1熱電材料所構成，從接觸於前述複數個第2導體圖案的第2接觸端部(C2)朝向前述板狀構材的前述第2面側延伸；及第1結合部(313)，由前述第1熱電材料所構成，位於從前述第1延伸部之前述板狀構材之前述第2面側的部位涵蓋前述第2延伸部之前述板狀構材之前述第2面側的部位，結合前述第1延伸部與前述第2延伸部，在沿著前述第1面的方向中之前述第1延伸部與前述第2延伸部之間，配置有熱傳導性低於前述複數個第1熱電構件的隔熱構件(13)。
- 如申請專利範圍第9項之輻射熱感測器，其中，前述複數個第2熱電構件，係具有：第3延伸部(321)，由第2熱電材料所構成，從接觸於前述複數個第1導體圖案的第3接觸端部(C3)朝向前述板狀構材的前述第2面側延伸；第4延伸部(322)，由前述第2熱電材料所構成，從接觸於前述複數個第2導體圖案的第4接觸端部(C4)朝向前述板狀構材的前述第2面側延伸；及第2結合部(323)，由前述第2熱電材料所構成，位 於從前述第3延伸部之前述板狀構材之前述第2面側的部位涵蓋前述第4延伸部之前述板狀構材之前述第2面側的部位，結合前述第3延伸部與前述第4延伸部，在沿著前述第1面的方向中之前述第1延伸部與前述第2延伸部之間，配置有熱傳導性低於前述第2熱電構件的隔熱構件(14)。
- 如申請專利範圍第1~5及7項中任一項之輻射熱感測器，其中，前述複數個第1熱電構件，係具有：第1延伸部(311)，由第1熱電材料所構成，從接觸於前述複數個第1導體圖案的第1接觸端部(C1)延伸至前述板狀構材的前述第2面；第2延伸部(312)，由前述第1熱電材料所構成，從接觸於前述複數個第2導體圖案的第2接觸端部(C2)延伸至前述板狀構材的前述第2面；及第1配線圖案(314)，在前述板狀構材的前述第2面中，橫跨前述第1延伸部與前述第2延伸部而配置，電性連接前述第1延伸部與前述第2延伸部，在沿著前述第1面的方向中之前述第1延伸部與前述第2延伸部之間，配置有熱傳導性低於前述複數個第1熱電構件的隔熱構件(15)。
- 如申請專利範圍第11項之輻射熱感測器，其中，前述複數個第2熱電構件，係具有： 第3延伸部(321)，由第2熱電材料所構成，從接觸於前述複數個第1導體圖案的第3接觸端部(C3)延伸至前述板狀構材的前述第2面；第4延伸部(332)，由前述第2熱電材料所構成，從接觸於前述複數個第2導體圖案的第4接觸端部(C4)延伸至前述板狀構材的前述第2面；及第2配線圖案(324)，在前述板狀構材的前述第2面中，橫跨前述第3延伸部與前述第4延伸部而配置，電性連接前述第3延伸部與前述第4延伸部，在沿著前述第1面的方向中之前述第3延伸部與前述第4延伸部之間，配置有熱傳導性低於前述複數個第2熱電構件的隔熱構件(16)。
- 如申請專利範圍第11項之輻射熱感測器，其中，具備有：背面保護構件(62)，配置於與前述複數個第1配線圖案的前述板狀構材側相反側；及第1熱傳導構件(63、65、67)，配置於與該背面保護構件之前述第1配線圖案側相反側的面，且熱傳導性高於該背面保護構件，前述第1熱傳導構件，係配置於如下述之區域：從與前述第1面垂直的方向且相對向於前述複數個第1配線圖案與前述第1延伸部之間的第1連接部(D1)之至少一部分的位置，涵蓋與前述第1面垂直的方向且相對向於前述複數個第1配線圖案與前述第2延伸部之間的第2連接部 (D2)之至少一部分的位置。
- 如申請專利範圍第12項之輻射熱感測器，其中，具備有：背面保護構件(62)，配置於與前述複數個第2配線圖案的前述板狀構材側相反側；及第2熱傳導構件(64、66、67)，配置於與該背面保護構件之前述複數個第2配線圖案側相反側的面，且熱傳導性高於該背面保護構件，前述第2熱傳導構件，係配置於如下述之區域：從與前述第1面垂直的方向且相對向於前述複數個第2配線圖案與前述第3延伸部之間的第3連接部(D3)之至少一部分的位置，涵蓋與前述第1面垂直的方向且相對向於前述複數個第2配線圖案與前述第4延伸部之間的第4連接部(D4)之至少一部分的位置。
- 如申請專利範圍第14項之輻射熱感測器，其中，前述背面保護構件的厚度尺寸(D2)，係小於前述複數個第1導體圖案與前述複數個第2導體圖案中相鄰之1個第1導體圖案與1個第2導體圖案之間的間隔(L1)。
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