TWI612378B - 照射系統及將來自複數個照射源之輻射反射至共同光學路徑之方法 - Google Patents

照射系統及將來自複數個照射源之輻射反射至共同光學路徑之方法 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種照射系統。該照射系統可包含：一底座部件，其可圍繞一旋轉軸旋轉；及複數個反射鏡，其沿著該底座部件之一周界安置於該底座部件之一外表面上。該等反射鏡可以一預定角度定向。該照射系統亦包含至少兩個照射源。第一複數個反射鏡中之該等反射鏡中之每一者經組態以在一第一時間處在每一反射鏡之一第一部分處接收來自第一照射源之輻射。該反射鏡經組態以將該輻射反射至一光學路徑。該等反射鏡中之每一者進一步經組態以在一第二時間處在該反射鏡之一第二部分處接收來自第二照射源之輻射。該等反射鏡將來自該第二照射源之該輻射反射至該共同光學路徑。

Description

照射系統及將來自複數個照射源之輻射反射至共同光學路徑之方法 相關申請案交叉參考
本申請案係關於同在申請中之於2012年3月13日提出申請且標題為「SOURCE MULTIPLEXING ILLUMINATION FOR MASK INSPECTION」之第13/419,157號美國專利申請案，該專利申請案以引用方式併入本文中。
本發明一般而言係關於光罩檢測之領域，且特定而言係關於用於為光罩檢測提供源多工照射之方法及系統。
光罩檢測係一種檢查用於產生用於轉印至一基板上之一圖案之一光罩之正確性之操作(舉例而言，在半導體裝置製作中)。用於確定光罩中之缺陷之位置之現代技術係涉及掃描式電子顯微鏡及其他先進工具之自動化系統。用於光罩檢測之市場上現有照射系統採用處於193nm或高於193nm之紫外光，此不足以解析低於22nm節點之特徵及缺陷。為了解析低於22nm節點之特徵及缺陷，需要使用極紫外光(例如，13.5nm)區中之較短波長之光。由於市售極紫外光源之亮度不夠，因此需要多個源。
存在用於支援多個源之數種現有照射技術。在第6,396,068號美國專利中揭示一項此技術，該技術使用一種雙載台方法來增加可在時間上多工之源單元之數目。根據此技術，於在不同時間處選擇不同源之平移載台上放置多個源。一旋轉載台充當一光束組合器，該光束組合器自在第一載台中選擇之數個源選擇光束。然而，此技術可僅多工一有限軌道長度(例如，自一市售極紫外光源至遮罩之2m至3m)內及其中反射鏡反射率較高之小法向或掠入射角(針對0°至20°法向入射R>60%，且針對0°至15°掠入射R>80%)範圍內的幾個源單元。另外，經反射光學路徑由於每一脈衝之持續時間、源時間抖動(在與所期待之不同時間處發射脈衝)而改變其方向，且可旋轉或平移底座經受速度不穩定性。
在美國專利第6,861,656號中揭示另一技術，該技術與極紫外光源單元之一選擇性啟動相協調地選擇性地傾斜一平面反射鏡角度。然而，此技術亦可僅多工一有限軌道長度內的幾個源單元。此外，經反射光學路徑亦基於每一脈衝之持續時間、源時間抖動改變其方向，且可旋轉或平移底座經受速度不穩定性。
在第7,183,565號美國專利中揭示又一技術，該技術使用一可旋轉底座來反射來自多個源之極紫外光光束。可旋轉底座包括以各種角度安裝且自旋轉軸徑向位移之多個反射鏡。反射鏡經定位以反射在近法向入射方向上之光。然而，此技術亦具有與上文所闡述之其他技術相同之缺點。
在第11/622,241號美國專利申請案中揭示供在半導體微影術中之使用之另一技術，該技術使用安裝至一步進或伺服可旋轉馬達之一反射光學元件來將多個極紫外光源反射至一共同光學路徑。此技術可僅多工一有限軌道長度內的幾個源單元。
其中需要一種用於將來自多個源之極紫外光光子遞送至一極紫 外光光罩檢測工具之不具前述缺點之方法及設備。
本發明係關於一種照射系統。該照射系統可包含：一底座部件，其可圍繞一旋轉軸旋轉；及複數個反射鏡，其沿著該底座部件之一周界安置於該底座部件之一外表面上。該等反射鏡可以一預定角度定向。該照射系統亦包含至少兩個照射源。第一複數個反射鏡中之該等反射鏡中之每一者經組態以在一第一時間處在每一反射鏡之一第一部分處接收來自第一照射源之輻射。該反射鏡經組態以將該輻射反射至一光學路徑。該等反射鏡中之每一者進一步經組態以在一第二時間處在該反射鏡之一第二部分處接收來自第二照射源之輻射。該等反射鏡將來自該第二照射源之該輻射反射至該共同光學路徑。
本發明之另一實施例亦係關於一種照射系統。該照射系統可包含：一底座部件，其可圍繞一旋轉軸旋轉；第一複數個反射鏡，其沿著該底座部件之一周界安置於該底座部件之一外表面上且以一預定角度定向。該照射系統可進一步包括：第二複數個反射鏡，其沿著該底座部件之一周界安置於該底座部件之一外表面上且以一第二預定角度定向。該第一複數個反射鏡中之每一反射鏡可與該第二複數個反射鏡中之每一反射鏡交錯。該照射系統亦可包含四個不同照射源。該第一複數個反射鏡中之一反射鏡經組態以用於在一第一時間處在該反射鏡之一第一部分處接收來自第一照射源之輻射且將該輻射反射至一光學路徑，且該第一複數個反射鏡中之相同反射鏡經組態以用於在一第二時間處在該反射鏡之一第二部分處接收來自第二照射源之輻射且將該輻射反射至該光學路徑，該第一部分不同於該第二部分。該第二複數個反射鏡中之一反射鏡亦可經組態以用於在一第三時間處在該反射鏡之一第一部分處接收來自第三照射源之輻射且將該輻射反射至一光學路徑且該第二複數個反射鏡中之相同反射鏡經組態以用於在一第四時 間處在該反射鏡之一第二部分處接收來自第四照射源之輻射且將該輻射反射至該光學路徑，該第一部分不同於該第二部分。
本發明之另一實施例係關於一種將來自複數個照射源之輻射反射至一共同光學路徑之方法。該方法包含以下步驟：提供安置於一可旋轉底座部件上之第一複數個反射鏡；及在一第一時間處在該第一複數個反射鏡中之一第一反射鏡之一第一部分處接收來自一第一照射源之輻射。該方法之另一步驟涉及將來自該第一照射源之該輻射反射至一光學路徑。另一步驟涉及：使該底座部件圍繞一旋轉軸旋轉；及然後在一第二時間處在該第一複數個反射鏡中之該第一反射鏡之一第二部分處接收來自一第二照射源之輻射。最終步驟係將來自該第二照射源之該輻射反射至該光學路徑。
應理解，上述一般說明及以下詳細說明兩者皆僅係例示性及解釋性且不必限制本發明。併入說明書中且構成說明書之一部分之隨附圖式圖解說明本發明之標的物。說明及圖式一起用以解釋本發明之原理。
100‧‧‧可旋轉底座部件/底座部件
102‧‧‧反射鏡
104‧‧‧輻射
106‧‧‧第一照射源
108‧‧‧第二照射源
110‧‧‧共同光學路徑/光學路徑
112‧‧‧第一部分
114‧‧‧第二部分/反射鏡之一部分
200‧‧‧底座部件
210‧‧‧光學路徑
216‧‧‧第一組反射鏡
218‧‧‧第二組反射鏡
220‧‧‧第一組照射源
222‧‧‧第一照射源
224‧‧‧第二照射源
228‧‧‧第二部分
230‧‧‧第二組照射源
232‧‧‧第三照射源/第三源
234‧‧‧第四照射源
236‧‧‧第一部分
238‧‧‧第二部分
300‧‧‧底座部件
310‧‧‧光學路徑/共同光學路徑
316‧‧‧第一組反射鏡/相同反射鏡
318‧‧‧第二組反射鏡
319‧‧‧第三組反射鏡
320‧‧‧第一組源/第一源
324‧‧‧第二照射源
326‧‧‧第一部分
328‧‧‧第二部分
330‧‧‧第二組源
340‧‧‧第三組照射源/第三組源
400‧‧‧底座部件
402‧‧‧反射鏡
404‧‧‧葉片
700‧‧‧照射系統
701‧‧‧照射源
702‧‧‧收集器反射鏡
704‧‧‧相同面/面
706‧‧‧底座部件
708‧‧‧共同光學路徑
802‧‧‧反射鏡表面
804‧‧‧位置
806‧‧‧位置
808‧‧‧位置
810‧‧‧位置
812‧‧‧位置
814‧‧‧位置
t1‧‧‧第一時間
t2‧‧‧第二時間
t3‧‧‧第三時間
t4‧‧‧第四時間
熟習此項技術者可藉由參考隨附圖式來更好地理解本發明之眾多優點，其中：圖1係一第一時間及一第二時間處之一照射系統之一等角視圖；圖2A至圖2D展示一第一、第二、第三及第四時間處之一照射系統之一等角視圖；圖3A至圖3F展示一第一、第二、第三、第四、第五及第六時間處之一照射系統之一等角視圖；圖4係包含一粒子偏轉結構之一照射系統之一等角視圖；圖5係具有一替代旋轉軸之一照射系統之一等角視圖；圖6係用於將來自複數個照射源之輻射反射至一共同光學路徑之 一方法之一流程圖；圖7A係包含以一弧形組態配置之源之一照射系統之一等角視圖；圖7B係包含以弧形組態配置之源之一照射系統之一替代等角視圖；且圖8繪示圖7A及圖7B之底座部件之反射鏡中之一者之一例示性反射鏡表面。
現在將詳細參考圖解說明於隨附圖式中之所揭示之標的物。
本發明係關於用於將來自多個源之極紫外光(EUV)光子遞送至一極紫外光光罩檢測工具之方法及系統。現有極紫外光源不能提供用於光罩檢測之足夠亮度。根據本發明，多個脈衝極紫外光源經多工以增加總源亮度。
參考圖1，展示根據本發明之照射系統之一項實施例。照射系統可包含可圍繞一旋轉軸旋轉之一可旋轉底座部件100。底座部件100可提供其中可安裝反射鏡之表面。例如，複數個反射鏡102可安裝至底座部件100之周界。以此方式，來自一第一照射源106之輻射104及來自一第二照射源108之輻射104可藉由反射鏡102接收且反射至一共同光學路徑110。複數個反射鏡102中之每一者之反射鏡表面經定位以大體背朝旋轉軸(亦即，反射鏡102向外面向)。另外，複數個反射鏡102中之每一者之反射鏡表面以一第一預定角度α定向於底座部件100上。此一組態允許每當複數個反射鏡102中之每一反射鏡旋轉經過在一所規定點處之第一照射源106時，該特定反射鏡將來自一第一照射源106之輻射反射至共同光學路徑110。
複數個反射鏡102亦經組態以接收來自一第二照射源108之輻射且將輻射反射至與來自第一照射源106之輻射相同之共同光學路徑 110。在本發明之一項實施例中，複數個反射鏡中之每一反射鏡經組態以在一第一時間(t1)處在一第一部分112處接收來自第一照射源106之輻射且將該輻射反射至光學路徑110，如圖1中所展示。底座部件100然後旋轉一頂定量，且相同反射鏡在一第二時間(t2)處在一第二部分114處接收來自第二照射源108之輻射且將輻射反射至光學路徑110。底座部件100之旋轉可在反射鏡正接收輻射且將輻射反射至共同光學路徑110時之時段期間係連續的。
預期基於底座部件100之旋轉速度及對應照射源之脈衝速率判定包含於底座部件100上之反射鏡之數目。例如，每當第一照射源發射輻射時，複數個反射鏡102中之每一者可旋轉至適當位置以用於反射來自第一照射源106之發射。類似地，每當第二照射源108發射輻射時，來自複數個反射鏡102之相同反射鏡需要旋轉至適當位置以用於在不同於第一光源106之反射之位置的反射鏡之一部分114處反射來自第二照射源108之發射。底座部件100之旋轉可在反射鏡正接收輻射且將輻射反射至共同光學路徑110之時段期間係連續的，其中旋轉速度經校準以促進照射源與反射鏡之適當對準以接收輻射且將輻射反射至共同光學路徑110。
亦預期額外照射源可接近第一照射源或第二照射源而定位。舉例而言，一第三、第四、第五及第六照射源可接近第一及第二照射源而定位。額外照射源可將輻射發射至複數個反射鏡中之一特定反射鏡上於該特定反射鏡之一第三、第四、第五及第六部分處。反射鏡將把來自照射源中之每一者之輻射反射至相同共同光學路徑。此組態允許利用底座部件將來自多個照射源之輻射反射至共同光學路徑。
亦預期額外照射源可接近第一照射源或第二照射源而定位。額外照射源可對應於安裝至底座部件之第二複數個反射鏡。此額外組之反射鏡可與第一複數個反射鏡交錯，且此組態允許利用底座部件將來 自多個組之照射源之輻射反射至共同光學路徑。
圖2A至圖2D圖解說明根據本發明之一項實施例之包含用於將多個照射源反射至共同光學路徑之複數個反射鏡之一照射系統。一底座部件200可包含與如圖2A中所展示之一第二組反射鏡218交錯之一第一組反射鏡216。在此一組態中，第一及第二組反射鏡經定位以大體背對底座部件200之旋轉軸。另外，第二組反射鏡118中之每一者之反射鏡表面以一第二預定角度θ定向於底座部件200上。一第一組照射源220(包括一第一照射源222及一第二照射源224)經定位以發射將在一第一部分226及一第二部分228處撞擊第一組反射鏡216之每一面之輻射。
舉例而言，來自第一組反射鏡116之一特定反射鏡在一第一時間(t1)處在反射鏡之一第一部分226處接收來自第一照射源222之輻射且將輻射反射至光學路徑210。底座部件200然後旋轉一預定量，且相同反射鏡在一第二時間(t2)處在反射鏡之一第二部分228處接收來自第二照射源224之輻射且將輻射反射至光學路徑210。照射系統可進一步包括由一第三照射源232及一第四照射源234構成之一第二組照射源230。第二組反射鏡118中之一特定反射鏡在一第三時間(t3)處在特定反射鏡之一第一部分236處接收來自第三源232之輻射且將輻射反射至光學路徑210。底座部件200然後旋轉一預定量，且相同反射鏡在一第四時間(t4)處在反射鏡之一第二部分238處接收來自第四照射源234之輻射且將輻射反射至光學路徑210。
亦預期照射系統可經擴展以適應額外照射源。在本發明之一替代實施例中，總共六個照射源可經多工至一共同光學路徑。一第三組照射源可接近第一組照射源或第二組照射源而定位，如圖3A至圖3F中所繪示。第三組照射源340可對應於安裝至底座部件300之外表面之一第三組反射鏡319。第三組反射鏡319可與第一組反射鏡316及第二 組反射鏡318交錯，且此組態允許利用底座部件300將來自至少三組之兩個照射源之輻射反射至共同光學路徑310。
圖3A至圖3F圖解說明底座部件300可如何將來自一第一組源320、第二組源330及第三組源340之輻射反射至一共同光學路徑310。來自第一組反射鏡316之一特定反射鏡在一第一時間(t1)處在反射鏡之一第一部分326處接收來自第一源320之輻射且將輻射反射至光學路徑310。底座部件300然後旋轉一預定量，且相同反射鏡316在一第二時間(t2)處在反射鏡之一第二部分328處接收來自第二照射源324之輻射且將輻射反射至光學路徑310。此過程針對每一組照射源中之每一照射源及其各別對應組之反射鏡重複。
預期基於底座部件之旋轉速度、對應光源之脈衝速率及照射源之總數目判定反射鏡之組之數目。反射鏡中之每一者必須經定向以在反射鏡表面上之至少兩個位置上接收來自一對應組之光源之發射。在圖1、圖2A至圖2D及圖3A至圖3F中所繪示之實施例中，每一反射鏡將來自至少兩個源之輻射自反射鏡表面上之兩個不同位置反射至共同光學路徑。然而，預期每一特定反射鏡可將來自兩個以上源之輻射反射至共同光學路徑。在此一例項中，每一源將在一不同部分及時間處接觸反射鏡且將輻射反射至共同光學路徑。
藉由利用反射鏡中之每一者上之兩個不同位置來反射來自一個以上源之輻射，使可在時間上多工之照射源之數目在不需要一較大底座部件之情況下增加。在一項組態中，源以兩列配置，其中每一組源對應於底座部件上之一組反射鏡。然而，預期自每一方向提供之源之特定數目及配置可在不背離本發明之精神及範疇之情況下變化。
參考圖4，展示根據本發明之照射系統之另一實施例。照射系統亦可包含一粒子偏轉結構，該粒子偏轉結構包含附接至底座部件400之複數個葉片404。葉片404經組態以用於在其操作期間使可由照射源 形成之粒子遠離反射鏡402偏轉。粒子可由接近照射源之材料及藉由在光產生期間同時產生之能量種類移除之材料構成。粒子可在大小上介於自原子至微米大小粉塵範圍內。此等粒子可收集於反射鏡402上且減小反射鏡402之反射、藉由撞擊反射鏡402及使反射鏡402粗糙而變更反射鏡402之表面或自反射鏡402彈回且進入照射系統之其他零件中。因此，葉片404用以使粒子偏轉以使得其不撞擊反射鏡402之表面，且因此粒子不朝向照射系統或附近系統之額外零件而發送。
葉片404經組態以避免對接收及反射來自照射源之輻射之反射鏡402之干擾。葉片404之數目及組態可取決於照射源及其對應反射鏡402之旋轉速度、數目及組態而變化。
葉片404可經定大小及圍繞底座部件400而定向以使得來自一照射源之光脈衝之脈衝寬度在旋轉中之下一葉片404阻擋來自該照射源之光之路徑之前有時間自反射鏡402中之一者之表面被反射。例如，兩個葉片404之間的計時必須足以滿足兩倍於一照射源之脈衝寬度之一時間。另外，葉片404必須經定大小以與正朝向反射鏡402行進之一粒子交碰。
葉片404之長度及定向可取決於粒子之估計速度、反射鏡402之數目及底座部件400之旋轉速度。在一項實施例中，葉片404可包含孔口。此外，葉片404之角度可變化以將粒子引導至一所期望位置，且亦促成用以使光接觸反射鏡402且由反射鏡402反射至共同光學路徑之一無阻礙路徑。
在一項實例中，若底座部件400包含6個葉片404、具有10公分之一直徑且以20,000rpm旋轉，則底座部件之邊緣將具有每秒大於100米之一速度。若粒子進入系統且與反射鏡402接觸，則此速度足以造成反射鏡402之損壞。在此實例中，粒子可具有每秒100米之一速度，且葉片404之間的時間等於500微秒。葉片404將需要係大約5公分長以 使得一粒子在不撞擊葉片404中之一者之情況下就可能不能橫穿此距離。作為一額外實例，若底座部件400具有導致每秒35米之一粒子速度之一較低旋轉速度，則葉片404可經定尺寸較小為大約2cm長。
參考圖5，呈現根據本發明之照射系統之另一實施例。照射系統之定向可相對於照射源及共同光學路徑而變化。
照射系統可進一步包括經組態以用於在一個以上位置處監測跨越反射鏡之速度均勻性之一位置感測器。在一項實施例中，位置感測器由照耀至一反射鏡上之一LED光組成。光自反射鏡反射至一偵測器中。位置感測器可用以在反射鏡上之多個位置處監測速度均勻性，從而提供關於底座部件之旋轉速率之回饋。
照射系統可進一步包含可放置於光學路徑上以改良照射穩定性之一視場光闌/孔口及一光瞳光闌/孔口。在一科勒(Kohler)照射方案中，源發射由某些種類之收集器(橢球反射鏡或華德(Wolter)型反射鏡)收集以形成一影像。源之影像經設計為一聚光器之入射光瞳(舉例而言，施瓦氏或相等半徑)，該入射光瞳用以聚焦光同時維持良好照射遠心率。視場光闌係照射場之一共軛且視場光闌及光瞳光闌判定光學路徑。由於源脈衝長度及時間抖動、可移動反射鏡擺動及振動、底座部件速度不穩定性，每一反射鏡之後的光形心可自共同光學路徑偏離。
藉由根據本發明在光學路徑上反射鏡之後放置視場光闌及光瞳光闌，僅允許散佈光中之一固定部分通過，從而導致更穩定照射。另外，視場光闌及光瞳光闌亦可用於達成界定照射光瞳及場之位置、大小及形狀之目的。
如圖1至圖5中所繪示，預期將底座部件組態為一圓柱形盤僅係例示性的。底座部件可以不同方式組態以提供類似結果。底座部件之特定形狀可基於光源及對應反射鏡之數目而變化。例如，本發明中所 參考之底座部件可包含一球形或彎曲形狀。可利用對應於光源之複數個分段式彎曲反射鏡形成此一形狀。
本發明之反射鏡可經組態以用於接收掠入射下之來自照射源之光且將光反射至光學路徑。反射鏡亦可經組態以用於反射以一法向入射至反射鏡之輻射。
預期除極紫外光DPP或LPP源以外，根據本發明之照射源亦可用於其他脈衝光源。其他光源可包含(但不限於)紅外線至紫外線雷射、紫外線弧光燈、雷射增強型紫外線電漿光源或諸如此類。進一步預期一個別照射源亦可由多個照射源構成。
另外及/或另一選擇係，可以一串接方式利用本發明中所闡述之照射系統中之一者以上來將極紫外光光子遞送至相同位置。亦即，照射系統中之一者之輸出可用作另一照射系統之輸入/源。此一串接組態亦可改良亮度及照射均勻性兩者。
參考圖6，根據本發明圖解說明用於將來自複數個照射源之輻射反射至一共同光學路徑之一方法600。方法包括提供安裝至一可旋轉底座部件之複數個反射鏡之步驟602。下一步驟涉及在一第一時間處在複數個反射鏡中之一特定反射鏡之一第一部分處接收來自一第一照射源之輻射604。將來自第一照射源之輻射反射至一光學路徑606。然後使底座部件608圍繞一旋轉軸旋轉，且在一第二時間處在複數個反射鏡中之相同反射鏡之一第二部分處接收來自一第二照射源之輻射610。最後，將來自第二照射源之輻射反射至相同光學路徑612。
參考圖7A，展示根據本發明之照射系統700之一額外實施例。圖7A中之照射系統700展示複數個照射源701可如何以一弧形構形配置以撞擊底座部件706之相同面704且將光轉向至一共同光學路徑708。複數個照射源701可經配置以將輻射投射至收集器反射鏡702上。輻射自照射源701行進至收集器反射鏡702，其中輻射反射至底座部件706 之面704上。另外，圖7B展示照射系統700之一替代圖。
在圖8中，提供圖7A及圖7B之底座部件之反射鏡中之一者之一例示性反射鏡表面802。反射鏡表面802展示位置804、806、808、810、812、814，其中以一弧形構形配置之複數個照射源中之每一者將在不同位置804至814處接觸相同反射鏡表面802。圖8中所展示之例示性反射鏡表面802可表示位置804至814，其中以圖7A及圖7B之弧形組態配置之照射源可接觸反射鏡表面802。
所揭示之方法可透過一單個生產裝置及/或透過多個生產裝置實施為若干組指令。此外，應理解，所揭示之方法中之特定步驟次序或層次係例示性方法之實例。基於設計偏好，應理解，方法中之特定步驟次序或層次可在保持屬於本發明之範疇及精神內之同時重新配置。隨附之方法請求項以一樣本次序呈現不同步驟之元素，而未必意指欲限制於所呈現之特定次序或層次。
據信，藉由上述說明將理解本發明之系統及方法及其隨附優點中之諸多者，且將明瞭，可在不背離所揭示之標的物或不犧牲所有其材料優點之情況下在組件之形式、構造及配置上做出各種改變。所闡述之形式僅係解釋性的。
100‧‧‧可旋轉底座部件/底座部件
102‧‧‧反射鏡
104‧‧‧輻射
106‧‧‧第一照射源
108‧‧‧第二照射源
110‧‧‧共同光學路徑/光學路徑
112‧‧‧第一部分
114‧‧‧第二部分/反射鏡之一部分
t1‧‧‧第一時間
t2‧‧‧第二時間

Claims (21)

  1. 一種照射系統，其包括：一底座部件，其可圍繞一旋轉軸旋轉；第一複數個反射鏡，該第一複數個反射鏡中之每一反射鏡沿著該底座部件之一周界安置於該底座部件之一外表面上且以一預定角度定向；一第一照射源；及一第二照射源，其中該第一複數個反射鏡中之一反射鏡經組態以在一第一時間處在該反射鏡之一第一部分處接收來自該第一照射源之輻射，該反射鏡進一步經組態以將該輻射反射至一光學路徑，該反射鏡進一步經組態以在一第二時間處在該反射鏡之一第二部分處接收來自該第二照射源之輻射，該反射鏡進一步經組態以將該輻射反射至該光學路徑，該第一部分不同於該第二部分。
  2. 如請求項1之照射系統，其進一步包括一第三照射源、第四照射源、第五照射源及第六照射源，其中該第一複數個反射鏡中之該反射鏡經組態以在一第三時間處在該反射鏡之一第三部分處接收來自該第三照射源之輻射，該反射鏡進一步經組態以將該輻射反射至該光學路徑，該反射鏡進一步經組態以在一第四時間處在該反射鏡之一第四部分處接收來自該第四照射源之輻射，該反射鏡進一步經組態以將該輻射反射至該光學路徑，該反射鏡進一步經組態以在一第五時間處在該反射鏡之一第五部分處接收來自該第五照射源之輻射，該反射鏡進一步經組態以將該輻射反射至該光學路徑，該反射鏡進一步經組態以在一第六時間處在該反射鏡之一第六部分處接收來自該第六照射源之 輻射，該反射鏡進一步經組態以將該輻射反射至該光學路徑。
  3. 如請求項2之照射系統，其中該第一照射源、該第二照射源、該第三照射源、該第四照射源、該第五照射源及該第六照射源以一弧形組態配置。
  4. 如請求項1之照射系統，其中該第一照射源及該第二照射源中之每一者係一脈衝極紫外光源。
  5. 如請求項1之照射系統，其中該第一照射源及該第二照射源中之每一者係複數個脈衝極紫外光源。
  6. 如請求項1之照射系統，其中該底座部件經組態以用於以一預定速度旋轉，該預定速度對應於使得該複數個反射鏡中之每一反射鏡能夠在一第一時間處在該反射鏡之一第一部分處接收來自該第一照射源之輻射且將該輻射反射至一光學路徑且使該複數個反射鏡中之該相同反射鏡在第二例項處在該第二部分處接收來自該第二照射源之輻射且將該輻射反射至該光學路徑所需之旋轉度數。
  7. 如請求項1之照射系統，其進一步包括經組態以用於在複數個位置處監測跨越該第一複數個反射鏡中之一反射鏡之速度均勻性之一位置感測器。
  8. 如請求項1之照射系統，其進一步包括附接至該底座部件之一粒子偏轉結構，該粒子偏轉結構經組態以用於使粒子偏轉。
  9. 如請求項1之照射系統，其中該第一複數個反射鏡經組態以用於反射掠入射下之來自該第一照射源及該第二照射源之輻射。
  10. 如請求項1之照射系統，其中該第一複數個反射鏡經組態以用於反射近法向入射下之來自該第一照射源及該第二照射源之輻射。
  11. 如請求項1之照射系統，其進一步包括： 第二複數個反射鏡，該第二複數個反射鏡中之每一反射鏡沿著該底座部件之一周界安置於該底座部件之一外表面上且以一第二預定角度定向；一第三照射源；及一第四照射源；其中該第二複數個反射鏡中之每一者與該第一複數個反射鏡交錯，且該第二複數個反射鏡中之一反射鏡經組態以用於在一第三時間處在該反射鏡之一第一部分處接收來自該第三照射源之輻射且將該輻射反射至一光學路徑且該第二複數個反射鏡中之該相同反射鏡經組態以用於在一第四時間處在該反射鏡之一第二部分處接收來自該第四照射源之輻射且將該輻射反射至該光學路徑，該第一部分不同於該第二部分。
  12. 一種照射系統，其包括：一底座部件，其可圍繞一旋轉軸旋轉；第一複數個反射鏡，該第一複數個反射鏡中之每一反射鏡沿著該底座部件之一周界安置於該底座部件之一外表面上且以一預定角度定向；第二複數個反射鏡，該第二複數個反射鏡中之每一反射鏡沿著該底座部件之一周界安置於該底座部件之一外表面上且以一第二預定角度定向；一第一照射源，及一第二照射源；一第三照射源；及一第四照射源；其中該第一複數個反射鏡中之每一反射鏡與該第二複數個反射鏡中之每一反射鏡交錯，該第一複數個反射鏡中之一反射鏡 經組態以用於在一第一時間處在該反射鏡之一第一部分處接收來自該第一照射源之輻射且將該輻射反射至一光學路徑且該第一複數個反射鏡中之該相同反射鏡經組態以用於在一第二時間處在該反射鏡之一第二部分處接收來自該第二照射源之輻射且將該輻射反射至該光學路徑，該第一部分不同於該第二部分，且該第二複數個反射鏡中之一反射鏡經組態以用於在一第三時間處在該反射鏡之一第一部分處接收來自該第三照射源之輻射且將該輻射反射至一光學路徑且該第二複數個反射鏡中之該相同反射鏡經組態以用於在一第四時間處在該反射鏡之一第二部分處接收來自該第四照射源之輻射且將該輻射反射至該光學路徑，該第一部分不同於該第二部分。
  13. 如請求項12之照射系統，其中該第一照射源、該第二照射源、該第三照射源及該第四照射源中之每一者係一脈衝極紫外光源。
  14. 如請求項12之照射系統，其中該底座部件經組態以用於以一預定速度旋轉，該預定速度對應於使得該第一複數個反射鏡及該第二複數個反射鏡中之每一反射鏡能夠接收輻射且將該輻射反射至該光學路徑所需之旋轉度數。
  15. 如請求項12之照射系統，其進一步包括經組態以用於在複數個位置處監測跨越該第一複數個反射鏡或該第二複數個反射鏡中之一反射鏡之速度均勻性之一位置感測器。
  16. 如請求項12之照射系統，其進一步包括附接至該底座部件之一粒子偏轉結構，該粒子偏轉結構經組態以用於使粒子偏轉。
  17. 如請求項12之照射系統，其中該第一複數個反射鏡及第二複數個反射鏡之至少一者經組態以用於反射掠入射下之輻射。
  18. 如請求項12之照射系統，其中該第一複數個反射鏡及第二複數 個反射鏡之至少一者經組態以用於反射近法向入射下之輻射。
  19. 如請求項12之照射系統，其中該第一照射源、該第二照射源、該第三照射源及該第四照射源以一弧形組態配置。
  20. 一種將來自複數個照射源之輻射反射至一共同光學路徑之方法，其包括以下步驟：提供安置於一可旋轉底座部件上之第一複數個反射鏡；在一第一時間處在該第一複數個反射鏡中之一第一反射鏡之一第一部分處接收來自一第一照射源之輻射；將來自該第一照射源之該輻射反射至一光學路徑；使該底座部件圍繞一旋轉軸旋轉；在一第二時間處在該第一複數個反射鏡中之該第一反射鏡之一第二部分處接收來自一第二照射源之輻射；將來自該第二照射源之該輻射反射至該光學路徑。
  21. 如請求項20之方法，其進一步包括以下步驟：提供安裝至該可旋轉底座部件之第二複數個反射鏡；在一第三時間處在該第二複數個反射鏡中之一特定反射鏡之一第一部分處接收來自一第三照射源之輻射；將來自該第三照射源之該輻射反射至一光學路徑；使該底座部件圍繞一旋轉軸旋轉；在一第四時間處在該第二複數個反射鏡中之該相同反射鏡之一第二部分處接收來自一第四照射源之輻射；將來自該第四照射源之該輻射反射至該光學路徑。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150018644A1 (en) * 2012-07-16 2015-01-15 Sandeep Gulati Multiplexed pathlength resolved noninvasive analyzer apparatus with non-uniform detector array and method of use thereof
US20170225206A1 (en) * 2016-02-10 2017-08-10 Andrew Deitchman Systems and methods for cleaning a mobile device
US10528198B2 (en) * 2016-09-16 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel
DE102017208736A1 (de) * 2017-05-23 2018-11-29 Robert Bosch Gmbh LIDAR-Vorrichtung mit erhöhter Abtastfrequenz und Verfahren zum Abtasten eines Abtastbereiches
DE102022129498A1 (de) 2022-11-08 2024-05-08 Isud Solutions Gmbh Vorrichtung zur Untersuchung von Stoffproben mittels elektromagnetischer Strahlung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5617133A (en) * 1994-10-24 1997-04-01 Xerox Corporation Method and apparatus for adjusting orientation of light beams in a raster scanning system
US20060072191A1 (en) * 2004-10-06 2006-04-06 Yokogawa Electric Corporation Confocal microscope
US20070295919A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-27 Carl Zeiss Smt Ag Euv illumination system
TW201214064A (en) * 2010-06-08 2012-04-01 Zeiss Carl Smt Gmbh Illumination optical system for EUV projection lithography

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3562091B2 (ja) 1996-02-05 2004-09-08 ブラザー工業株式会社 走査光学装置
US5898492A (en) 1997-09-25 1999-04-27 International Business Machines Corporation Surface inspection tool using reflected and scattered light
US6568811B2 (en) * 2000-06-12 2003-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Color image display device and projection-type image display apparatus
DE102006003683B3 (de) * 2006-01-24 2007-09-13 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von EUV-Strahlung hoher Durchschnittsleistung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5617133A (en) * 1994-10-24 1997-04-01 Xerox Corporation Method and apparatus for adjusting orientation of light beams in a raster scanning system
US20060072191A1 (en) * 2004-10-06 2006-04-06 Yokogawa Electric Corporation Confocal microscope
US20070295919A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-27 Carl Zeiss Smt Ag Euv illumination system
TW201214064A (en) * 2010-06-08 2012-04-01 Zeiss Carl Smt Gmbh Illumination optical system for EUV projection lithography

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