TWI609901B - 垂直排列層及包含其的液晶單元與顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明是關於包括環烯烴共聚物的垂直排列層，且更具 體而言，本發明是關於即使在低溫製程中亦能夠進行排列且展現極佳液晶垂直排列的垂直排列層，其藉由包括具有特定取代基之環烯烴共聚物來達成。並且，本發明是關於包含所述垂直排列層的液晶單元及顯示裝置。

Description

垂直排列層及包含其的液晶單元與顯示裝置 [相關申請案之交叉參考]
本案主張2014年12月18日向韓國智慧財產局提申之韓國專利申請案第10-2014-0183431號以及2014年12月16日向韓國智慧財產局提申之韓國專利申請案第10-2015-0180478號的申請日權益，所述申請案的全部內容均併入本案供參考。
本發明是關於包括環烯烴共聚物的垂直排列層。更具體而言，本發明是關於即使在低溫製程中亦能夠進行排列且展現極佳液晶垂直排列的垂直排列層，其藉由包括具有特定取代基的環烯烴共聚物來達成。
根據顯示裝置尺寸最近有增大的傾向，大型顯示裝置的應用不僅擴展至行動裝置，諸如智慧型手機、膝上型電腦等，而且擴展至大型壁掛電視等。因此，需要顯示裝置具有高清晰度、高品質及寬視角等。
詳言之，由於薄膜電晶體驅動的薄膜電晶體液晶顯示裝置(thin film transistor liquid crystal display device，TFT-LCD)能夠獨立地驅動個別像素，因此液晶反應速度顯著加快，且相應地可能實現高品質活動影像，因此其應用範圍已逐漸擴展。
在此類TFT-LCD中，排列層用於液晶層的下部中，使得液晶可用作光學開關，且排列層包括欲應用至液晶分子之初始排列的排列共聚物等。
此處，初始排列是指一種機制，其中共聚物主鏈是依預定方向排列，使得液晶分子在未施加電壓的狀態下排列。
亦即，為了在TFT-LCD中使用液晶作為光學開關，需要在形成位於顯示器單元最裏面之薄膜電晶體的層上誘導液晶依預定方向進行初始排列。為此目的，已使用包括排列共聚物的排列層。
相應地，為了更有效地誘導初始排列，排列層中所包括的排列共聚物需要與液晶層中的分子容易產生相互作用。
一般而言，液晶排列存在一種將聚醯胺酸耐熱性聚合物施加至透明玻璃上且在高溫下進行熱處理以形成聚醯亞胺聚合物排列層的方法。
然而，由於可撓式顯示器或智慧窗等中所應用的顯示裝置使用聚合物膜基板，因此將聚醯胺酸聚合物施加至基板上且在高溫下進行熱處理的上述方法不適當。
因此，需要研究即使在低溫製程中亦能夠進行排列且展現極佳液晶排列的垂直排列層。
在這個發明背景章節中所揭露的上述資訊僅用於增強對 本發明背景的瞭解，且因此其可含有國內已為本領域普通技術人員所知的不形成先前技術的資訊。
本發明已致力於提供即使在低溫製程中亦可進行排列且展現極佳液晶垂直排列的垂直排列層，其藉由包括具有特定取代基的環烯烴共聚物來達成。
另外，本發明已致力於提供包括垂直排列層的顯示裝置。
本發明的例示性實施例提供垂直排列層，其包括如下化學式1所示的環烯烴共聚物：
Figure TWI609901BD00001
在化學式1中，q為整數0至4，R1至R4中的至少一者為如下化學式1a所示的基團，除如下化學式1a所示之基團之外，剩餘R1至R4彼此相同或彼此不同，且各自獨立地由以下各者所構成的族群中選出：氫、鹵素、經取代或未經取代之C1-C20直鏈或分支鏈烷基、經取代或未經取代之C2-C20直鏈或分支鏈烯基、經取代或未經取代之C2-C20直鏈或分支鏈炔基、經取代或未經取代之C3-C12環烷基、 經取代或未經取代之C6-C40芳基、經取代或未經取代之C5-C12芳基烷基以及包括由氧、氮、磷、硫、矽及硼中選出之至少一者的極性官能基，當R1至R4不為氫、鹵素或極性官能基時，R1與R2或R3與R4之至少一種組合可彼此連接而形成C1-C10亞烷基，或R1或R2可連接至R3及R4中的任一者以形成C4-C12飽和或不飽和脂族環，或C6-C24芳族環，
Figure TWI609901BD00002
在化學式1a中，A及C各自獨立地為單鍵，或經取代或未經取代之C1-C5伸烷基，B為酯，n1及n2各自獨立地為整數0至5，且n1+n2為整數1至5，X1及X2為苯環中經取代之取代基，且各自獨立地為氟原子(F)、C1-C5氟化烷基、C1-C5氟化烷氧基、C6-C20氟化芳基，或C6-C20氟化烷氧基芳基。
本發明的另一個實施例提供包括垂直排列層及液晶層的液晶單元。
另外，本發明的另一個實施例提供包括垂直排列層的顯示裝置。
本發明的垂直排列層可包括具有下述結構的環烯烴共聚物，其中特定環狀取代基經取代以能夠即使在低溫製程中亦展現 與液晶分子的改良之相互作用，以藉此具有極佳排列。
100‧‧‧基板
200‧‧‧垂直排列層
300‧‧‧液晶層
圖1示意性地顯示液晶單元結構，其包括根據本發明例示性實施例的垂直排列層。
本文中使用之術語僅用於描述特定實施例之目的，且不希望限制本發明。除非上下文另有明確指示，否則單數形式意欲包括複數形式。應更瞭解，術語「包含」、「提供」及/或「具有」當用於本說明書中時，是指所述特徵、數目、步驟或組分或其組合的存在，但不排除一或多個其他特徵、數目、步驟、組分或其組合的存在或添加。
另外，在本發明中，在各層或元件「上」或「上方」形成各層或元件的描述意謂在各層或元件上方直接形成各層或元件，或意謂各層之間或在對象或基板上另外形成另一層或元件。
雖然本發明可以不同方式修改且具有若干個實施例，但例示性實施例說明於附圖中且詳細地描述於實施方式中。然而，本發明不限於特定實施例且應理解為包括本發明精神及範疇內所包括的所有變化、等效物及取代。
解釋本發明之前，本說明書中所用之各取代基具體定義如下。
首先，「烷基」意謂具有1至20個碳原子、較佳1至10個碳原子且更佳1至6個碳原子的直鏈或分支鏈飽和單價烴部分。烷基不僅可涵蓋未經取代之彼等物，而且涵蓋進一步經下述預定取代基取代之彼等物。烷基之實例可包括甲基、乙基、丙基、2-丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、十二烷基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、碘甲基、溴甲基等。
「烯基」意謂具有2至20個碳原子、較佳2至10個碳原子且更佳2至6個碳原子、具有至少一個碳-碳雙鍵的直鏈或分支鏈單價烴部分。烯基可經由碳原子(包括碳-碳雙鍵)或經由飽和碳原子連接。烯基不僅可涵蓋未經取代之彼等物，而且涵蓋進一步經下述預定取代基取代之彼等物。烯基之實例可包括乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、戊烯基、5-己烯基、十二烯基及其類似物。
「環烷基」意謂具有3至12個環碳之飽和或不飽和非芳族單價單環、雙環或三環烴部分，且可涵蓋進一步經下述預定取代基取代之彼等物。舉例而言，環烷基之實例可包括環丙基、環丁基、環戊基、環戊烯基、環己基、環己烯基、環庚基、環辛基、十氫萘基、金剛烷基、降冰片烷基(亦即雙環[2,2,1]庚-5-烯基)等。
「芳基」意謂具有6至40個環原子、較佳6至12個環原子的單價單環、雙環或三環芳族烴，且可涵蓋進一步經下述預定取代基取代之彼等物。芳基之實例可包括苯基、萘基、茀基等。
「烷氧基芳基」意謂上文所定義之芳基中之至少一個氫原 子經烷氧基取代之部分。烷氧基芳基之實例可包括甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、丁氧基苯基、戊氧基苯基、庚氧基苯基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、甲氧基聯苯、甲氧基萘基、甲氧基茀基、甲氧基蒽基等。
「芳基烷基」意謂上文所定義之烷基中之至少一個氫原子經芳基取代之部分，且可涵蓋進一步經下述預定取代基取代之彼等物。芳基烷基之實例可包括苯甲基、二苯甲基、三苯甲基等。
「炔基」意謂具有2至20個碳原子、較佳2至10個碳原子且更佳2至6個碳原子、具有至少一個碳-碳參鍵的直鏈或分支鏈單價烴部分。炔基可經由碳原子(包括碳-碳參鍵)或經由飽和碳原子連接。炔基可涵蓋經下述預定取代基進一步取代之彼等物。炔基之實例可包括乙炔基、丙炔基等。
首先，「伸烷基」意謂具有1至20個碳原子、較佳1至10個碳原子且更佳1至6個碳原子的直鏈或分支鏈飽和二價烴部分。伸烷基可涵蓋經下述預定取代基進一步取代之彼等物。伸烷基之實例可包括亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基等。
「伸烯基」意謂具有2至20個碳原子、較佳2至10個碳原子且更佳2至6個碳原子、具有至少一個碳-碳雙鍵的直鏈或分支鏈二價烴部分。伸烯基可經由碳原子(包括碳-碳雙鍵)及/或經由飽和碳原子連接。伸烯基可涵蓋經下述預定取代基進一步取代之彼等物。
「伸環烷基」意謂具有3至12個環碳之飽和或不飽和非芳族二價單環、雙環或三環烴部分，且可涵蓋進一步經下述預定取代基取代之彼等物。伸環烷基之實例可包括伸環丙基、伸環丁 基等。
「伸芳基」意謂具有6至20個環原子、較佳6至12個環原子之二價單環、雙環或三環芳族烴部分，且可涵蓋進一步經下述預定取代基取代之彼等物。芳族部分僅包括碳原子。伸芳基之實例可包括伸苯基等。
「伸炔基」意謂具有2至20個碳原子、較佳2至10個碳原子且更佳2至6個碳原子、具有至少一個碳-碳參鍵的直鏈或分支鏈二價烴部分。伸炔基可經由碳原子(包括碳-碳參鍵)或經由飽和碳原子連接。伸炔基可涵蓋經下述預定取代基進一步取代之彼等物。伸炔基之實例可包括伸乙炔基、伸丙炔基等。
如本文所用，表述：上述取代基「經取代或未經取代」意謂不僅涵蓋此等個別取代基本身，而且涵蓋進一步經預定取代基取代之彼等物。在本說明書中，除非另有明確描述，否則各取代基中可進一步經取代之取代基實例可包括鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳基、鹵芳基、芳基烷基、鹵芳基烷基、烷氧基、鹵烷氧基、羰氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧基、矽烷基、矽烷氧基，或下述「包括氧、氮、磷、硫、矽或硼的極性官能基」等。
另外，共聚物意謂包括所有以下之聚合物：藉由單一單體聚合所形成均聚物，以及藉由兩種或超過兩種不同單體共聚所形成的共聚物或三聚物。
另外，在本說明書中，「垂直排列層」是指向液晶顯示裝置中之液晶分子施加電壓之前，決定具有介電各向異性之初始液晶分子之排列狀態的排列層種類，且意謂液晶分子之初始排列與 基板之法線方向完全平行或自基板之法線方向向基板表面中之一個方向稍微傾斜的排列層，使得液晶分子向所要預定方向傾斜或不向預定方向傾斜，從而藉由施加電壓使液晶分子與基板平行，藉此產生排列變化。
當包括垂直排列層的垂直排列光學膜單獨或與其他膜組合使用時，所述膜可用作排列層，用於在液晶顯示器(LCD)裝置中以扭曲向列型(Twist Nematic，TN)模式、超扭曲向列型(Super Twist Nematic，STN)模式、共平面切換型(In Plane Switching，IPS)模式、垂直排列型(Vertical Alignment，VA)模式、光學補償雙折射型(Optically Compensated Birefringence，OCB)模式等進行液晶排列。另外，可如下製造膜：塗佈習知排列劑以形成薄排列層，接著將其兩個薄片重疊且注入液晶。
下文中，詳細描述根據本發明之一個例示性實施例的垂直排列層。
根據本發明之一個例示性實施例，存在一種垂直排列層，其包括如下化學式1所示的環烯烴共聚物：
Figure TWI609901BD00003
在化學式1中，q為整數0至4， R1至R4中的至少一者為如下化學式1a所示的基團，除如下化學式1a所示之基團之外，剩餘R1至R4彼此相同或彼此不同，且各自獨立地由以下各者所構成的族群中選出：氫、鹵素、經取代或未經取代之C1-C20直鏈或分支鏈烷基、經取代或未經取代之C2-C20直鏈或分支鏈烯基、經取代或未經取代之C2-C20直鏈或分支鏈炔基、經取代或未經取代之C3-C12環烷基、經取代或未經取代之C6-C40芳基、經取代或未經取代之C5-C12芳基烷基以及包括由氧、氮、磷、硫、矽及硼中選出之至少一者的極性官能基，當R1至R4不為氫、鹵素或極性官能基時，R1與R2或R3與R4之至少一種組合可彼此連接而形成C1-C10亞烷基，或R1或R2可連接至R3及R4中的任一者以形成C4-C12飽和或不飽和脂族環，或C6-C24芳族環，
Figure TWI609901BD00004
在化學式1a中，A及C各自獨立地為單鍵，或經取代或未經取代之C1-C5伸烷基，B為酯，n1及n2各自獨立地為整數0至5，且n1+n2為整數1至5，X1及X2為苯環中經取代之取代基，且各自獨立地為氟原子(F)、C1-C5氟化烷基、C1-C5氟化烷氧基、C6-C20氟化芳基，或C6-C20氟化烷氧基芳基。
化學式1所示之化合物可具有如下化學結構，其中預定取代基(化學式1a)(例如一種官能基，諸如經取代之苯甲酸酯結構或苯基酯結構)引入可用作各種化合物之前驅物或聚合物單體等的環烯烴結構中。由於所述官能基引入所述化學結構中，因此化學式1所示的環烯烴化合物本身可用作排列化合物。
另外，根據可用作前驅物等之環烯烴結構的特性，各種化合物或共聚物可由化學式1所示的化合物製備，且如上所述製備的化合物或聚合物即使不進行單獨的紫外光(ultraviolet，UV)製程等，亦可展現極佳排列。相應地，可使用環烯烴化合物製備適用於各種光學應用領域中的各種排列化合物或共聚物等。
另外，環烯烴化合物可具有其中結合有以下各者的化學結構：經氟原子(F)、氟化烷基、氟化烷氧基、氟化芳基，或氟化烷氧基芳基取代之苯甲酸酯，或經氟原子(F)、氟化烷基、氟化烷氧基、氟化芳基或氟化烷氧基芳基取代之苯基酯。由於所述化學結構，因此自化學式1所示之環烯烴化合物獲得的排列共聚物能夠展現與液晶分子的改良之相互作用，且即使在低溫製程中亦更有效地誘導排列，且此外，不需要單獨的高溫亞胺化製程，因此自化學式1所示之環烯烴化合物獲得的排列共聚物較佳可用於液晶排列層等，其中相較於使用聚醯亞胺的排列層等，相對需要低溫製程。
此外，藉由控制化學式1a結構中之A及C成為具有各種長度之伸烷基或控制X1及X2成為具有各種結構之取代基，就自其獲得的共聚物而言，可容易控制低溫製程中的排列。
下文中更詳細地描述環烯烴化合物及自其獲得的排列共 聚物等。
在環烯烴化合物中，R1至R4中可取代的極性官能基(亦即，包括由氧、氮、磷、硫、矽及硼中選出之至少一者的極性官能基)可由下列官能基所構成的族群中選出，且可為包括由氧、氮、磷、硫、矽及硼中選出之至少一者的各種極性官能基：-OR6、-OC(O)OR6、-R5OC(O)OR6、-C(O)OR6、-R5C(O)OR6、-C(O)R6、-R5C(O)R6、-OC(O)R6、-R5OC(O)R6、-(R5O)p-OR6、-OR5p-OR6、-C(O)-O-C(O)R6、-R5C(O)-O-C(O)R6、-SR6、-R5SR6、-SSR6、-R5SSR6、-S(=O)R6、-R5S(=O)R6、-R5C(=S)R6-、-R5C(=S)SR6、-R5SO3R6、-SO3R6、-R5N=C=S、-N=C=S、-NCO、-R5-NCO、-CN、-R5CN、-NNC(=S)R6、-R5NNC(=S)R6、-NO2、-R5NO2、
Figure TWI609901BD00005
Figure TWI609901BD00006
Figure TWI609901BD00007
Figure TWI609901BD00008
在極性官能基中，p各自獨立地為整數1至10，R5為經取代或未經取代之C1-C20直鏈或分支鏈伸烷基、經取代或未經取代之C2-C20直鏈或分支鏈伸烯基、經取代或未經取代之C2-C20直鏈或分支鏈伸炔基、經取代或未經取代之C3-C12伸環烷基、經取代或未經取代之C6-C40伸芳基、經取代或未經取代之C1-C20伸羰氧基、或經取代或未經取代之C1-C20伸烷氧基，且R6、R7及R8各自獨立地由以下各者所構成的族群中選出：氫、鹵素、經取代或未經取代之C1-C20直鏈或分支鏈烷基、經取代或未經取代之C2-C20直鏈或分支鏈烯基、經取代或未經取代之C2-C20直鏈或分支鏈炔基、經取代或未經取代之C3-C12環烷基、經取代或未經取代之C6-C40芳基、經取代或未經取代之C1-C20烷氧基以及經取代或未經取代之C1-C20羰氧基。
另外，在化學式1a所示的結構中，與環烯烴經由A及C之單鍵或伸烷基連接的苯環可為經對應於X1及X2之氟原子(F)、氟化烷基、氟化烷氧基、氟化芳基或氟化烷氧基芳基單取代至五取代。具體而言，例如，X1及X2可各自獨立地為氟原子(F)；其中至少一個氫經氟原子取代之C1-C5直鏈或分支鏈烷基；其中至少一個氫經氟原子取代之C1-C5直鏈或分支鏈烷氧基；其中至少 一個氫經氟原子取代之C5-C20芳基；其中烷氧基中所包括之至少一個氫經氟原子取代之C5-C20氟化烷氧基芳基。
將上述特定取代基引入環烯烴中，使得化學式1所示的環烯烴化合物可具有較強疏水性表面能，藉此具有使得液晶分子之初始排列能夠在垂直於膜的方向上確定的特徵。
上述環烯烴化合物可藉由通用方法製備，其中將特定取代基(更具體而言，上述化學式1a所示的官能基)引入環烯烴(降冰片烯類化合物)中。舉例而言，環烯烴化合物可藉由降冰片烯烷基醇(諸如降冰片烯甲醇等)與具有對應於化學式1a之官能基的羧酸化合物或醯氯化合物的縮合反應製備，且可藉由各種方法引入根據結構之官能基及化學式1a之各類其他官能基來製備。
根據本發明的一個例示性實施例，上述化學式1所示的環烯烴共聚物可為包括如下化學式2a或2b所示之重複單元的排列共聚物：
Figure TWI609901BD00009
[化學式2b]
Figure TWI609901BD00010
在化學式2a及2b中，各自獨立地，m為50至5000，以及q及R1至R4與上述化學式1所示之環烯烴化合物中所述相同。
排列共聚物包括可展現極佳排列、衍生自環烯烴化合物的重複單元。詳言之，排列共聚物具有上述化學式1a結構，其可展現與液晶分子的改良之相互作用。另外，可容易藉由選擇及控制化學式1a之取代基中的A及C為具有各種長度之伸烷基以及選擇及控制苯環之取代基為氟原子(F)、氟化烷基、氟化烷氧基、氟化芳基或氟化烷氧基芳基之一來控制排列。
另外，排列共聚物包括由化學式2a或2b表示之降冰片烯類重複單元作為主要重複單元。降冰片烯類重複單元在結構上穩固，且包括降冰片烯類重複單元的排列共聚物具有約300℃或超過300℃、較佳約300℃至350℃之相對較高玻璃轉移溫度(Tg)，藉此展現極佳熱穩定性(相較於此項技術中已知的排列共聚物等)。另外，排列共聚物具有官能基結合至降冰片烯類重複單元的結構特徵，使得官能基在聚合物主鏈中能夠相對自由地移動，藉此可展現極佳排列。
相應地，排列共聚物較佳可用於液晶排列層中供排列之用，且較佳可應用於各種光學應用領域中。
由於連接至排列共聚物之各取代基的定義已詳細地描述上文化學式1中，因此將省去其描述。
另外，如下化學式2a或2b所示之組成排列共聚物的重複單元可具有約50至約5,000，較佳約100至約4,000且更佳約1,000至約3,000的聚合度。相應地，排列共聚物可適當地包括於塗料組成物中用於形成展現極佳塗佈特性的排列層，且由其形成的排列層可展現極佳液晶排列等。
上述排列共聚物可藉由以下方法製備。
製備根據本發明之一個例示性實施例之排列共聚物的方法包括藉由在催化劑組成物存在下使化學式1之單體進行加成聚合來形成化學式2a之重複單元，所述催化劑組成物含有包括第10族過渡金屬的前催化劑及共催化劑。
此處，聚合反應可在10℃至200℃之溫度下進行。當反應溫度低於10℃時，可降低聚合活性，且當反應溫度超過200℃時，其因催化劑可能分解而為不佳的。
另外，共催化劑可包括由以下各者所構成的族群中選出的至少一者：第一共催化劑，其提供能夠與前催化劑中之金屬形成弱配位鍵的路易斯鹼(Lewis base)；以及第二共催化劑，其提供包括第15族電子供體配位體的化合物。較佳地，共催化劑可為催化劑混合物，其包括提供路易斯鹼的第一共催化劑，且選擇性地包括提供包括中性第15族電子供體配位體之化合物的第二共催化劑。
此處，以1莫耳前催化劑計，催化劑混合物可包括約1莫耳至約1000莫耳之量的第一共催化劑，且可包括約1莫耳至約1000莫耳之量的第二共催化劑。當第一共催化劑或第二共催化劑之量過度的小時，可能無法適當地達成催化劑的活化。相反，當其量過度的大時，催化劑活性可能改為降低。
另外，作為包括第10族過渡金屬的前催化劑，可使用具有路易斯鹼官能基的化合物，所述路易斯鹼官能基容易參與路易斯酸鹼反應且脫離中心金屬，使得其容易藉由提供路易斯鹼之第一共催化劑分離，且過渡金屬中心變成催化劑活性物質。舉例而言，前催化劑之實例可包括[(Allyl)Pd(Cl)]2(烯丙基氯化鈀二聚體，allylpalladiumchloride dimer)、(CH3CO2)2Pd(乙酸鈀(II)，palladium(Ⅱ)acetate)、[CH3COCH=C(O-)CH3]2Pd(乙醯基丙酮酸鈀(II)，palladium(Ⅱ)acetylacetonate)、NiBr(NPCH33)4、[PdCl(NB)OCH3]2等。
另外，作為提供能夠與前催化劑中之金屬形成弱配位鍵之路易斯鹼的第一共催化劑，可使用容易與路易斯鹼反應以產生過渡金屬之空位且與過渡金屬化合物形成弱配位鍵以便使如上產生之過渡金屬穩定化的化合物，或提供路易斯鹼的化合物。舉例而言，其實例可包括硼烷，諸如B(C6F5)3；或硼酸鹽，諸如二甲基苯銨肆(五氟苯基)硼酸鹽；鋁，諸如甲基鋁氧烷(methylaluminoxane，MAO)或Al(C2H5)3；過渡金屬，過渡金屬鹵化物，諸如AgSbF6等。
另外，作為提供包括中性第15族電子供體配位體之化合物的第二共催化劑，可使用烷基膦、環烷基膦、苯基膦等。
此外，第一共催化劑及第二共催化劑可分別使用，但這兩種共催化劑可作為一種鹽製備，且兩種共催化劑之所製備鹽可用作用於活化催化劑的化合物。舉例而言，可使用其中烷基膦與硼烷或硼酸鹽化合物經由離子鍵連接的化合物。
根據上述方法，可製備根據一個例示性實施例的化學式2a之重複單元及包括其的排列共聚物。另外，當排列共聚物更包括烯烴類重複單元、環烯烴類重複單元或丙烯酸酯類重複單元等時，這些重複單元可藉由各種重複單元之習知製備方法形成，且可與藉由上述方法製備之化學式2a之重複單元共聚合以獲得排列共聚物。
同時，當排列共聚物包括化學式2b之重複單元時，可根據製備方法之另一個例示性實施例製備排列共聚物。
根據本發明之另一個例示性實施例製備排列共聚物的方法包括藉由在含有包括第4族、第6族或第8族過渡金屬之前催化劑及共催化劑的催化劑組成物存在下使降冰片烯醇類單體或降冰片烯烷醇類單體發生開環聚合來形成開環聚合物；以及藉由將化學式1a所示的官能基引入所形成的開環聚合物中來形成化學式2b之重複單元。
此處，官能基的引入可藉由開環聚合物與具有對應於化學式1a之官能基的羧酸或醯氯化合物之間的縮合反應進行。
作為另一種可選方法，排列共聚物可藉由在含有包括第4族、第6族或第8族過渡金屬之前催化劑及共催化劑的催化劑組成物存在下使化學式1之單體發生開環聚合、藉此形成化學式2b之重複單元來製備。
在開環聚合步驟中，當氫氣與單體(諸如化學式1)等所包括之降冰片烯環中的雙鍵加成時，可進行開環，且聚合與開環一同進行，從而可製備化學式2b之重複單元等及包括所述重複單元的排列共聚物。
開環聚合可在催化劑混合物存在下進行，所述催化劑混合物包括含有第4族過渡金屬(例如Ti、Zr、Hf)、第6族過渡金屬(例如Mo、W)或第8族過渡金屬(例如Ru、Os)之前催化劑及提供能夠與前催化劑中之金屬形成弱配位鍵之路易斯鹼之共催化劑，選擇性地包括能夠改良前催化劑之金屬活性的中性第15族及第16族活化劑等。此外，在催化劑混合物存在下，聚合可藉由添加以單體計約1莫耳%至約100莫耳%之量的能夠控制分子量大小的直鏈烯烴(諸如1-烯烴、2-烯烴等)，在約10℃至約200℃之溫度下進行。另外，其中氫氣與降冰片烯環之雙鍵加成的氫氣加成反應可藉由添加以單體計約1莫耳%至約30莫耳%之量的包括第4組過渡金屬(例如Ti、Zr)或第8族至第10族過渡金屬(例如Ru、Ni、Pd)的催化劑、在約10℃至約250℃之溫度下進行。
當反應溫度過低時，聚合活性降低，且當反應溫度過高時，其因催化劑可能分解而不佳。另外，當氫氣加成反應溫度過低時，氫氣加成反應活性降低，且當氫氣加成反應溫度過高時，其因催化劑可能分解而不佳。
催化劑混合物包括約1莫耳至約100,000莫耳之提供能夠與前催化劑中之金屬形成弱配位鍵之路易斯鹼的共催化劑，且選擇性地包括以1莫耳前催化劑計約1莫耳至約100莫耳的活化劑，所述活化劑包括能夠改良前催化劑之金屬活性的中性第15族及第 16族元素，所述前催化劑含有第4組過渡金屬(例如Ti、Zr、Hf)、第6族過渡金屬(例如Mo、W)或第8族過渡金屬(例如Ru、Os)。
當共催化劑的量小於約1莫耳時，催化劑可能無法達成活化。當共催化劑的量超過約100,000莫耳時，其因催化劑活性可能降低而不佳。視前催化劑之類型而定，可能不需要活化劑。當活化劑的量小於約1莫耳時，催化劑可能無法達成活化。當活化劑的量超過約100莫耳時，其因分子量可能降低而不佳。
當用於氫氣加成反應之包括第4族過渡金屬(例如Ti、Zr)或第8至第10族過渡金屬(例如Ru、Ni、Pd)之催化劑的量以單體計小於約1重量%時，不能容易達成氫氣加成，且當其量超過約30重量%時，其因聚合物可能變色而不佳。
包括第4組過渡金屬(例如Ti、Zr)或第6族過渡金屬(例如Mo、W)或第8族過渡金屬(例如Ru、Os)的前催化劑可指過渡金屬化合物，諸如TiCl4、WCl6、MoCl5或RuCl3或ZrCl4，所述過渡金屬化合物具有容易參與路易斯酸鹼反應且脫離中心金屬的官能基，使得其容易藉由提供路易斯鹼的共催化劑分離，且過渡金屬中心變成催化劑活性物質。
此外，提供能夠與前催化劑中之金屬形成弱配位鍵之路易斯鹼的共催化劑可包括硼烷，諸如B(C6F5)3，或硼酸烷基鋁，諸如甲基鋁氧烷(MAO)、Al(C2H5)3或Al(CH3)Cl2、鹵化烷基鋁或鹵化鋁。否則，可使用諸如鋰、鎂、鍺、鉛、鋅、錫、矽等取代基代替使用鋁。如上文所述，提供能夠與前催化劑中之金屬形成弱配位鍵之路易斯鹼的共催化劑可為容易與路易斯鹼反應以產生 過渡金屬之空位且更與過渡金屬化合物形成弱配位鍵以便使如上產生之過渡金屬穩定化的化合物，或提供路易斯鹼的化合物。
可添加聚合活化劑，但視前催化劑之類型而定，可能不需要聚合活化劑。包括能夠改良前催化劑之金屬活性之中性第15族及第16族元素的活化劑實例可包括水、甲醇、乙醇、異丙醇、苯甲醇、苯酚、乙基硫醇、2-氯乙醇、三甲胺、三乙胺、吡啶、環氧乙烷、苯甲醯基過氧化物、第三丁基過氧化物等。
用於氫氣加成反應之包括第4族過渡金屬(例如Ti、Zr)或第8族至第10族過渡金屬(例如Ru、Ni、Pd)的催化劑可具有能夠直接與溶劑混合的均相形式，或可具有金屬催化劑錯合物負載於微粒載體上的形式。微粒載體較佳為二氧化矽、二氧化鈦、矽石/氧化鉻、矽石/氧化鉻/二氧化鈦、二氧化矽/氧化鋁、磷酸鋁凝膠、矽酸化二氧化矽、二氧化矽水凝膠、高嶺土或沸石。
根據上述方法，可製備根據一個例示性實施例的化學式2a之重複單元及包括其的排列共聚物。另外，當排列共聚物更包括烯烴類重複單元、環烯烴類重複單元或丙烯酸酯類重複單元等時，這些重複單元可藉由各種重複單元之習知製備方法形成，且可與藉由上述方法製備之化學式2b之重複單元共聚合以獲得排列共聚物。
包括上述排列共聚物的垂直排列層不僅可包括薄膜型排列膜，而且可包括膜型排列膜。
圖1示意性地顯示液晶單元結構，其包括根據本發明例示性實施例的垂直排列層。參看圖1，可證明液晶單元包括基板100、在所述基板上形成的垂直排列層200，以及位於所述垂直排 列層上的液晶層300。具體而言，上面形成有排列層200之基板100的兩個薄片彼此間重疊，且向其間注入液晶，藉此形成液晶層300。
垂直排列層可藉由使用所屬領域中已知的組分及製造方法製備，但其中包括上述排列共聚物作為排列聚合物。
舉例而言，垂直排列層可如下形成：將排列共聚物、黏合劑樹脂以及光起始劑混合，將混合物溶解於有機溶劑中以獲得塗料組成物，且將所述塗料組成物塗佈於基板上，隨後進行UV固化。
此處，黏合劑樹脂可為丙烯酸酯類樹脂，且更具體而言，可為季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、參(2-丙烯醯氧基乙基)異氰尿酸酯等。
此外，作為光起始劑，可使用已知可用於垂直排列層的通用光起始劑而無特定限制。舉例而言，可使用已知為豔佳固(Irgacure)907、Irgacure 819的光起始劑。
另外，有機溶劑可為甲苯、苯甲醚、氯苯、二氯乙烷、環己烷、環戊烷、丙二醇甲醚乙酸酯等。由於上述降冰片烯類排列共聚物就各種有機溶劑而言具有極佳溶解性，可使用除上述實例之外的各種有機溶劑而無特定限制。
在塗料組成物中，包括排列共聚物、黏合劑樹脂及光起始劑的固體濃度可為1重量%至15重量%，且較佳為10重量%至15重量%以便垂直排列層以膜型澆鑄，以及1重量%至5重量%以便垂直排列層以薄膜型形成。
如上形成的垂直排列層可在基板上及液晶下方形成，如 圖1中所示，藉此具有排列液晶分子的功能。此處，作為基板，可使用含有環狀聚合物的基板、含有丙烯酸聚合物的基板、含有纖維素聚合物的基板等，且亦可使用具有電驅動液晶之電導率的AgNW基板、ITO基板、FTO基板等。垂直排列層可如下形成：經由各種方法(諸如棒塗、旋塗、刮塗等)將塗料組成物塗佈於基板上，隨後進行UV固化。
作為UV，可應用由以下各者選出的偏光UV：①使用基板的偏光裝置，其中將具有介電各向異性的材料塗佈於透明基板(諸如石英玻璃、鹼石灰玻璃、無鹼石灰玻璃等)之表面上；②精細沈積有鋁或金屬線的偏光板；及③經偏光處理之UV，其使用藉由石英玻璃反射來傳遞或反射布魯斯特偏光裝置(Brewster polarizing device)等的方法。
用UV照射時，基板的溫度較佳為室溫。然而，在一些情況下，可在100℃或小於100℃之溫度範圍內加熱基板的狀態下，用UV照射基板。藉由如上文所述之一系列方法形成的最終膜較佳具有約30nm至約1000nm之膜厚度。
根據上述方法，液晶單元可藉由如下通用方法製造：形成垂直排列層之兩個薄片且彼此間重疊，且向其間注入液晶。垂直排列層可包括可展現與液晶分子之極佳相互作用的排列共聚物，且相應地，可有效地進行液晶分子之初始排列。
上述垂直排列層或液晶單元可施加於光學膜或光學濾光片上用於建構三維影像。
相應地，根據本發明的另一個例示性實施例，提供包括垂直排列層的顯示裝置。顯示裝置可為包括垂直排列層用於液晶 排列的液晶顯示裝置；其中垂直排列層包括於光學膜或光學濾光片等中的三維影像顯示裝置，用於建構三維影像等。同時，顯示裝置之組態遵循除包括上述排列共聚物及垂直排列層之外之通用裝置的組態，從而省去其更詳細的描述。
下文中，為了更好地理解本發明，提供本發明之較佳實例。然而，提供以下實例僅為了說明本發明且不應解釋為本發明限於實例。
另外，以下實例中使用對空氣或水敏感之化合物的所有操作均使用標準施蘭克技術(standard Schlenk technique)或乾燥箱技術進行。藉由使用Bruker 300光譜儀獲得核磁共振(nuclear magnetic resonance，NMR)譜，其中1H NMR是在300MHz下量測且13C NMR是在75MHz下量測。開環氫化聚合物之分子量及分子量分佈是藉由使用凝膠滲透層析法(gel permeation chromatography，GPC)量測，其中聚苯乙烯樣品用作標準樣品。
甲苯藉由自鉀/二苯甲酮中蒸餾來純化，且二氯甲烷自CaH2中蒸餾且純化。
<實例>
製備光可聚合烯烴
[製備實例1]
合成雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸3-(三氟甲基)苯酯
將3-羥基三氟甲苯(3-hydroxybenzotrifluoride)(100.0g，0.62mol，Fw=162.11)、N-(3-二甲胺基丙基)-N'-乙基碳化二亞胺鹽酸鹽(EDCl，142.83g，0.92mol，Fw=155.25)及N,N-二甲基醯胺基吡啶(DMAP，112.40g，0.92mol，Fw=122.17)添加至燒 瓶中，且向其中添加CH2Cl2(1000ml)。
添加5-降冰片烯-2-甲醇(76.99g，0.28mol，Fw=124.18)，且在室溫下攪拌20小時。
反應完成後，添加水以萃取有機層，且用鹽水洗滌有機層。
有機層經硫酸鎂乾燥且過濾，隨後進行管柱層析(EA：Hex=1：7)，藉此獲得製備實例1之化合物。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.50(1,quin),1.75-1.99(2,m),1.99(1,quin),2.37(1,q),2.84(1,m),3.69(1,m),6.05(2,dd),7.33-7.35(2,m),7.52(1,dd)
[製備實例2]
合成雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2,4,5-三氟苯甲酯
藉由與上述製備實例1相同的方法獲得製備實例2之化合物，但其中使用相同莫耳數的2,4,5-三氟苯甲醇代替使用3-羥基三氟甲苯。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.50(1,quin),1.75-1.99(2,m),1.99(1,quin),2.37(1,q),2.84(1,m),3.69(1,m),5.34(2,s),6.05(2,dd),6.69(1,m),6.93(1,m)
[製備實例3]
合成4-(三氟甲氧基)苯甲酸雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲酯
向二甲苯中添加4-(三氟甲氧基)苯甲酸(0.485mol)、降冰片烯-5-醇(0.485mol)及Zr(AcAc)(0.2莫耳%)，且在190℃攪拌2小時。攪拌之後，所得物質分別用1M HCl及1M NaHCO3水溶液洗滌，且自其中移除溶劑，藉此獲得呈固態之製備實例3 之化合物。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.31(1,m),1.50-1.56(2,m),1.75(1,m),2.13(1,sex),2.58(1,m),2.84(1,m),4.41(1,dd),4.66(1,dd),6.05(2,dd),7.04(2,d),7.94(1,d)
[製備實例4]
合成3,4-二氟苯甲酸雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲酯
藉由與上述製備實例3相同的方法獲得製備實例4之化合物，但其中使用相同莫耳數的3,4-二氟苯甲酸代替使用4-(三氟甲氧基)苯甲酸。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.31(1,m),1.50-1.56(2,m),1.75(1,m),2.13(1,sex),2.58(1,m),2.84(1,m),4.41(1,dd),4.66(1,dd),6.05(2,dd),7.29(1,m),7.61(1,m),7.76(1,m)
[製備實例5]
合成雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸4'-氟聯苯-4-基酯
藉由與上述製備實例1相同的方法獲得製備實例5之化合物，但其中使用相同莫耳數的4-氟-4'-羥基聯苯代替使用3-羥基三氟甲苯。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.50(1,quin),1.74-1.75(2,m),1.99(1,m),2.37(1,m),2.84(1,m),3.69(1,m),6.05(2,dd),7.13(2,d),7.15(2,d),7.52(2,m),7.74(2,d)
[製備實例6]
合成4'-(三氟甲氧基)聯苯-4-羧酸雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲酯
將4-甲氧基羰基苯基硼酸(14.93g，0.082mol)、4-溴三氟甲苯(20g，0.08298mol)及K2CO3(25.23g，0.18mol，2.2eq)添加至含有3：1比率之乙二醇單甲醚(ethylene glycol monomethyl ether，EGME)與H2O的溶劑中，且攪拌。將Pd(OAc)2溶於含有3：1比率之乙二醇單甲醚(ethylene glycol monomethyl ether，EGME)與H2O之溶劑中且在氬氣氛圍下經由注射器注入。所得物質用有機溶劑萃取，隨後使用己烷：乙酸乙酯(ethyl acetate，EA)=20：1進行管柱層析，藉此獲得4'-(三氟甲氧基)-[1,1'-聯苯]-4-羧酸酯(18.73g)(產率：76%)。
向甲醇中添加4'-(三氟甲氧基)-[1,1'-聯苯]-4-甲酸甲酯(18.4g)(0.06mol)且攪拌，且在50℃溶解。將KOH(20.90g，0.37mol)溶於甲醇中，且添加至攪拌式燒瓶中。
在50℃反應隔夜之後，將相同體積的1M HCl傾注入未反應的KOH中，且所得物質沈澱。
過濾之後，所得物質在真空烘箱中、在50℃乾燥12小時，藉此獲得製備實例6之化合物(16.8g)(產率：95.86%)。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.31(1,m),1.50-1.56(2,m),1.75(1,m),2.13(1,sex),2.58(1,m),4.41(1,dd),4.66(1,dd),6.05(2,dd),7.03(2,d),7.61(2,d),7.75(2,d),8.032(2,d)
[製備實例7]
合成4-(全氟丁氧基)苯甲酸雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲酯
將4-羥基苯甲酸甲酯(1eq)、九氟丁基碘化物(2eq)、 K2CO3(3eq)溶於DMSO中，且在130℃攪拌16小時。
反應完成後，所得物質用水及甲苯萃取，且有機層用鹽水洗滌。
有機層經硫酸鎂乾燥且過濾，隨後進行管柱層析(EA：Hex=1：10)，藉此獲得4-(2,2,2-三氟乙氧基)苯甲酸甲酯(8.6g，56%)。
向乙醇中添加4-(2,2,2-三氟乙氧基)苯甲酸甲酯及KOH(10eq)，且回流2小時。接著減壓移除溶劑。
將所得物質再次溶於蒸餾水中，且藉由向其中添加1N HCl來沈澱，且過濾。所得物質用蒸餾水洗滌且在真空烘箱中乾燥12小時，藉此獲得製備實例7之化合物(5.2g)(產率：76%)。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.31(1,m),1.50-1.56(2,m),1.75(1,m),2.13(1,sex),2.58(1,m),2.84(1,m),4.41(1,dd),4.66(1,dd),6.05(2,dd),7.04(2,d),7.94(2,d)
[製備實例8]
合成4-(2,2,2-三氟乙氧基)苯甲酸雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲酯
藉由與上述製備實例7相同的方法獲得製備實例8之化合物，但其中使用相同莫耳數的1,1,1-三氟-2-碘乙烷代替使用九氟丁基碘化物。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.31(1,m),1.50-1.56(2,m),1.75(1,m),2.13(1,sex),2.58(1,m),2.84(1,m),4.41-4.46(3,m),4.66(1,dd),6.05(2,dd),7.07(2,d),7.94(2,d)
[製備實例9]
合成3,5-雙(三氟甲基)苯甲酸雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲酯
藉由與上述製備實例3相同的方法獲得製備實例9之化合物，但其中使用相同莫耳數的3,5-雙(三氟甲基)苯甲酸代替使用4-(三氟甲氧基)苯甲酸。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.31(1,m),1.50-1.56(2,m),1.75(1,m),2.13(1,sex),2.58(1,m),2.84(1,m),4.41(1,dd),4.66(1,dd),6.05(2,dd),8.12-8.14(3,m)
[製備實例10]
合成4-氟-3-(三氟甲基)苯甲酸雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲酯
藉由與上述製備實例3相同的方法獲得製備實例10之化合物，但其中使用相同莫耳數的4-氟-3-(三氟甲基)苯甲酸代替使用4-(三氟甲氧基)苯甲酸。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.31(1,m),1.50-1.56(2,m),1.75(1,m),2.13(1,sex),2.58(1,m),2.84(1,m),4.41(1,dd),4.66(1,dd),6.05(2,dd),7.24(1,t),7.99(1,m),8.12(1,d)
[製備實例11]
合成雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2,3,4-三氟苯酯
藉由與上述製備實例1相同的方法獲得製備實例11之化合物，但其中使用相同莫耳數的2,3,4-三氟苯酚代替使用3-羥基三氟甲苯。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.50(1,m),1.74-1.75(2,m),1.99(1,m),2.37(1,m),2.84(1,m),3.69(1,m),6.05(2,dd),6.88-6.95(2,m)
[製備實例12]
合成雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸全氟苯酯
藉由與上述製備實例1相同的方法獲得製備實例12之化合物，但其中使用相同莫耳數的五氟苯酚代替使用3-羥基三氟甲苯。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
1.50(1,m),1.74-1.75(2,m),1.99(1,m),2.37(1,m),2.84(1,m),3.69(1,m),6.05(2,dd)
[比較性製備實例1]
合成膽固醇-降冰片烯
藉由與上述製備實例1相同的方法獲得比較性製備實例1之化合物，但其中使用相同莫耳數的膽固醇代替使用3-羥基三氟甲苯。
H1-NHM(CDCl3 500MHz,ppm)
0.84(3,s),0.88(3,d),0.91(6,d),10.1(3,s),1.04-2.37(32,m),2.84(1,m),3.69(1,m),4.60(1,quin),5.27(1,t),6.05(2,dd)
製備排列共聚物
[製備實例1-1]
以100重量份之單體計，將製備實例1中所製備的單體(50mmol)及400重量份之純化甲苯添加至250ml施蘭克燒瓶(Schlenk flask)中，且向其中添加1-辛烯(10mmol)。
將混合物溫度升高至90℃，同時攪拌混合物。接著，作為催 化劑，向其中添加溶於二氯甲烷(1ml)中之Pd(OAc)2(16μmol)、三環己基膦(32μmol)及肆(五氟苯基)硼酸二甲基苯銨(32μmol)作為共催化劑，且在90℃攪拌且反應16小時。
反應完成後，添加過量的乙醇以獲得白色聚合物沈澱物。
藉由使用玻璃漏斗來回收沈澱物且在真空烘箱中、在60℃乾燥24小時，藉此獲得聚合物(Mw=151,000，PDI=2.31，產率=74%)。
另外，表1中所示的相應聚合物分別藉由與上述製備實例1-1相同、但改用下表1中所概述之組成的方法獲得。
Figure TWI609901BD00011
Figure TWI609901BD00012
製造排列層及膜
實例1-1至實例6-11，以及比較實例1
將根據製備實例的排列共聚物溶於環戊酮中以便具有3重量%之量，且將所得溶液旋塗於ITO基板(1.1t)上。
所得物質在100℃乾燥2分鐘，將密封件(環氧樹脂)施加於上面塗有排列層之ITO基板的邊緣。接著，與上面塗有排列層之另一ITO基板重疊，且壓縮。壓縮之基板用UV(100mW/cm2)照射。此處，對於暴露而言，使用具有100mW/cm2強度之高壓汞燈作為光源，且隨時調整UV光之量。
將壓縮之ITO基板的兩個薄片浸沒於處於真空狀態(以便注入液晶)下的液晶中，且藉由密封件密封液晶之注射單元，隨後在90℃熱處理20分鐘，藉此完成液晶單元。
<實驗性實例>
評價排列
如下量測漏光度：將每個所製得單元置放於兩個垂直安置的偏光片之間，經由偏光片及單元傳輸入射光，且藉由偏光顯微鏡觀測透射光之量。
另外，不同於水平排列層(其中當以45度角旋轉時，透射光的量最大)，液晶在垂直排列層中垂直排列，因此未顯示因旋光性所致的光透射現象，但存在當光傾斜時存在因液晶所致之光折射及透射現象，且因此，評價光在傾斜之後是否均一地透射。
基於10點量表評價漏光度，且其結果概述於下表中。
(10：未發生向錯(disclination)，1：發生向錯且無排列)
Figure TWI609901BD00013
Figure TWI609901BD00014
參看上表2及3，可證明在比較實例中，液晶注入之後的排列極佳，但在TNI期間的溫度下，排列很少得以維持。
然而，可證明在本發明實例中，不僅在液晶注入之後，而且在TNI期間的溫度下，排列得到顯著且極佳的維持。
此外，可證明由於垂直排列層的特徵，因此45度旋光排列未顯示，但藉由傾角顯示極佳排列。
儘管本發明已結合當前視為實用例示性實施例之內容來描述，但應瞭解本發明不限於所揭露之實施例，而相反，希望涵蓋所附申請專利範圍之精神及範疇內所包括的各種修飾及等效排列。
100‧‧‧基板
200‧‧‧垂直排列層
300‧‧‧液晶層

Claims (4)

  1. 一種垂直排列層，所述垂直排列層包含：如下化學式1所示的環烯烴共聚物：
    Figure TWI609901BC00001
     在化學式1中，q為整數0至4，R1至R4中的至少一者為如下化學式1a所示的基團，除如下化學式1a所示之基團之外，剩餘R1至R4為氫，
    Figure TWI609901BC00002
     在化學式1a中，A及C各自獨立地為單鍵，或經取代或未經取代之C1-C5伸烷基，B為酯，n1及n2各自獨立地為整數0至5，且n1+n2為整數1至5，以及X1及X2為苯環中經取代之取代基，且各自獨立地為氟原子(F)、C1-C5氟化烷基、C1-C5氟化烷氧基、C6-C20氟化芳基，或 C6-C20氟化烷氧基芳基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的垂直排列層，其中：所述環烯烴共聚物為包括如下化學式2a或2b所示之重複單元的排列共聚物：
    Figure TWI609901BC00003
    Figure TWI609901BC00004
     在化學式2a及2b中，各自獨立地，m為50至5000，q為整數0至4，R1至R4中的至少一者為如下化學式1a所示的基團，除如下化學式1a所示之基團之外，剩餘R1至R4為氫，
    Figure TWI609901BC00005
     在化學式1a中， A及C各自獨立地為單鍵，或經取代或未經取代之C1-C5伸烷基，B為酯，n1及n2各自獨立地為整數0至5，且n1+n2為整數1至5，以及X1及X2為苯環中經取代之取代基，且各自獨立地為氟原子(F)、C1-C5氟化烷基、C1-C5氟化烷氧基、C6-C20氟化芳基，或C6-C20氟化烷氧基芳基。
  3. 一種液晶單元，其包含如申請專利範圍第1項或第2項所述的垂直排列層及液晶層。
  4. 一種顯示裝置，其包含如申請專利範圍第1項或第2項所述的垂直排列層。
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