TWI607268B - 畫素結構 - Google Patents

Description

畫素結構

本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種包括具有第一主幹部與第一分支部的第一電極以及具有第二主幹部與第二分支部的第二電極的畫素結構。

隨著虛擬實境（Virtual Reality）的技術日趨成熟，市場上出現了許多與虛擬實境相關的電子產品，例如：頭戴式顯示器（Head mounted display）等。在現有技術中，與虛擬實境相關的電子產品都是利用電腦軟體創造出虛擬空間，並利用各種技術影響使用者的感官，讓使用者能有身入虛擬空間的感覺。

為了讓使用者能感受到更逼真的虛擬空間，虛擬影像的連續性就顯得格外重要。對於利用液晶顯示裝置來顯示影像的電子產品來說，影像的連續性與液晶的反應時間有高度的關聯性。當液晶分子的反應時間越短，液晶顯示裝置所顯示出來的影像就能有越優良的連續性。因此，要如何縮短液晶分子的反應時間是目前亟需解決的問題。

本發明提供一種畫素結構，藉由畫素結構中第一電極與第二電極的設計，液晶能具有較短的反應時間，進而使液晶效率提升。

本發明提供一種畫素結構，藉由畫素結構中共用電極與畫素電極的設計，液晶能具有較短的反應時間，進而使液晶效率提升。

本發明的一種畫素結構，包括掃描線、資料線、開關元件、第一電極以及第二電極。開關元件和掃描線以及資料線電性連接。第一電極包括至少兩條第一主幹部以及多個第一分支部。第一主幹部實質上平行於資料線之延伸方向。第一分支部中之每一者包括至少一第一延伸部以及至少兩個幾何結構。幾何結構位於兩條第一主幹部之間，且第一延伸部位於對應的兩個幾何結構之間。幾何結構在延伸方向上的寬度大於第一延伸部在延伸方向上的寬度。第二電極與第一電極分離。第一電極與第二電極之中的一者和開關元件電性連接。第二電極包括至少一條第二主幹部以及至少兩個第二分支部。第二主幹部位於兩條第一主幹部之間，且實質上平行於資料線之延伸方向。至少兩個第二分支部從第二主幹部延伸，其中至少兩個第二分支部分別對應地連接至第二主幹部的兩側，且至少兩個第二分支部中之至少一者包括至少一第二延伸部以及至少一梯形結構。梯形結構連接於第二主幹部與對應的第二延伸部之間。第一分支部與第二分支部沿資料線之延伸方向交錯排列。

本發明的一種畫素結構，包括一掃描線與一資料線、開關元件、共用電極以及畫素電極。開關元件和掃描線以及資料線電性連接。共用電極包括第一主幹部以及至少兩個第一分支部。第一主幹部實質上平行於資料線之延伸方向。至少兩個第一分支部從第一主幹部延伸。至少兩個第一分支部分別對應地連接至第一主幹部的兩側。至少兩個第一分支部中之至少一者包括至少一第一延伸部以及至少一第一梯形結構。至少一第一梯形結構連接於第一主幹部與對應的第一延伸部之間。畫素電極與共用電極分離，並和開關元件電性連接。畫素電極包括第二主幹部以及至少兩個第二分支部。第二主幹部與第一主幹部重疊。至少兩個第二分支部從第二主幹部延伸。至少兩個第二分支部分別對應地連接至第二主幹部的兩側。至少兩個第二分支部中之至少一者包括至少一第二延伸部以及至少一第二梯形結構。至少一第二梯形結構連接於第二主幹部與對應的第二延伸部之間。第一分支部與第二分支部沿資料線的延伸方向交錯排列。

基於上述，畫素結構中的第一電極包括至少兩條第一主幹部以及多個第一分支部，第二電極包括至少一條第二主幹部以及至少兩個第二分支部，且第一分支部與第二分支部沿資料線之延伸方向交錯排列。因此，第一電極與第二電極所形成的電場能使液晶具有較短的反應時間，進而使液晶效率提升。第一電極的第一分支部包括幾何結構，第二電極的第二分支部包括梯形結構。因此，第一電極與第二電極的電場能形成具有疏密變化的等位線，進而使液晶驅動及回復的流向實質上為同向，進一步縮短液晶的反應時間。

基於上述，畫素結構中的共用電極包括第一主幹部以及至少兩個第一分支部，畫素電極包括第二主幹部以及至少兩個第二分支部，且第一分支部與第二分支部沿資料線的延伸方向交錯排列。因此，共用電極與畫素電極所形成的電場能使液晶具有較短的反應時間，進而使液晶效率提升。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是依照本發明的一實施例的一種畫素結構100的上視示意圖。請參考圖1，畫素結構100包括掃描線120、資料線130、開關元件TFT1、第一電極150以及第二電極140。

開關元件TFT1例如包括半導體層110、閘極122、汲極134和源極132。形成開關元件TFT1的方法例如包括於基底上形成半導體層110。在形成半導體層110之後，依序在半導體層110上形成閘極絕緣層與閘極122，且閘極122與掃描線120電性連接。形成覆蓋閘極122的絕緣層。在絕緣層中形成開孔O1以及開孔O2。接著形成汲極134以及與資料線130電性連接的源極132，其中汲極134透過開孔O2而與半導體層110電性連接，且源極132透過開孔O1而與半導體層110電性連接。在本實施例中，開關元件TFT1為頂閘極（Top gate）結構的薄膜電晶體，然而本發明不限於此。在其他實施例中，開關元件TFT1還可以是底閘極（Bottom gate）結構的薄膜電晶體。

畫素結構100中的第一電極150與開關元件TFT1之間具有絕緣層，且第一電極150與開關元件TFT1的汲極134透過絕緣層中的開口O3而電性連接。

第一電極150包括第一主幹部152A、第一主幹部152B以及多個第一分支部153。第一主幹部152A與第一主幹部152B實質上平行於資料線130之延伸方向D1。在本實施例中，部分的第一主幹部152A與部分的資料線130重疊，且部分的第一主幹部152B與部分的相鄰排的另一條資料線130重疊，然而本發明不限於此。在其他實施例中，第一主幹部152A與第一主幹部152B可以分別完全重疊於部分的資料線130以及部分的相鄰排的資料線130。在其他實施例中，第一主幹部152A與第一主幹部152B互相靠近，並且完全不與資料線130重疊。

第一電極150的第一分支部153位於第一主幹部152A與第一主幹部152B之間。第一分支部153中之每一者包括第一延伸部156、幾何結構154A以及幾何結構154B。幾何結構154A以及幾何結構154B位於第一主幹部152A與第一主幹部152B之間，第一延伸部156位於幾何結構154A以及幾何結構154B之間，且第一延伸部156連接於對應的幾何結構154A以及幾何結構154B之間。幾何結構154A以及幾何結構154B在延伸方向D1上的寬度大於第一延伸部156在延伸方向D1上的寬度，具體來說，遠離第一延伸部156之幾何結構154A的一部份在延伸方向D1上的寬度以及遠離第一延伸部156之幾何結構154B的一部份在延伸方向D1上的寬度均大於第一延伸部156在延伸方向D1上的寬度。在一實施例中，幾何結構154A以及幾何結構154B的形狀為梯形，且幾何結構154A以及幾何結構154B最寬的底部(亦即具有在延伸方向D1上之最大寬度的部分)分別與第一主幹部152A以及第一主幹部152B連接，而幾何結構154A的側壁SW1以及幾何結構154B的側壁SW2與資料線130之延伸方向D1之間構成的銳角夾角為30度至75度，然而本發明不限於此。在其他實施例中，幾何結構可以是其他幾何形狀。在一實施例中，第一延伸部156的形狀為長方形，且第一延伸部156在延伸方向D1上之線寬舉例為2微米至4微米。

在本實施例中，第一電極150還包括連接部151A以及連接部151B，連接部151A與連接部151B各自將第一主幹部152A以及第一主幹部152B連接，舉例來說，連接部151A、連接部151B、第一主幹部152A以及第一主幹部152B共同構成一環狀結構或網狀結構，而連接部151A與開關元件TFT1的汲極134電性連接。在本實施例中，第一主幹部152A、第一主幹部152B、連接部151A以及連接部151B共同組成第一電極150的外框，且第一分支部153位於第一主幹部152A、第一主幹部152B、連接部151A以及連接部151B共同組成的外框之中，然而本發明不限於此。第一電極150也可以不具備連接部151A以及連接部151B，而第一電極150會藉由第一主幹部152A、第一主幹部152B或第一分支部153而與開關元件TFT1的汲極134電性連接。

第二電極140與第一電極150分離。第二電極140包括第二主幹部142、第二分支部143A以及第二分支部143B。第二主幹部142位於第一主幹部152A以及第一主幹部152B之間，且實質上平行於延伸方向D1。第二主幹部142舉例係由鄰近於連接部151A的位置延伸至鄰近於連接部151B的位置。第二分支部143A以及第二分支部143B分別從第二主幹部142延伸，且第二分支部143A以及第二分支部143B對應地連接至第二主幹部142的兩側。第二分支部143A包括第二延伸部146A以及梯形結構144A。梯形結構144A連接於第二主幹部142與對應的第二延伸部146A之間。第二分支部143B包括第二延伸部146B以及梯形結構144B。梯形結構144B連接於第二主幹部142與對應的第二延伸部146B之間。相鄰的梯形結構144A和梯形結構144B舉例係相對於第二主幹部142呈鏡像配置。第二分支部143A以及第二分支部143B分別與第一分支部153沿著延伸方向D1交錯排列。

在一實施例中，梯形結構144A的側壁SW3以及梯形結構144B的側壁SW4與延伸方向D1構成的銳角夾角舉例為30度至75度。由於梯形結構144A以及梯形結構144B的設計，第一電極與第二電極的電場能形成具有疏密變化的等位線，進而使液晶驅動及回復(液晶排列由有電壓驅動狀態到無電壓驅動狀態的過程)的流向實質上為同向，進一步縮短液晶的反應時間。

在一實施例中，第二延伸部146A以及第二延伸部146B為長方形，且第二延伸部146A以及第二延伸部146B在延伸方向D1上具有相同的線寬。在一實施例中，第二延伸部146A以及第二延伸部146B在延伸方向D1上之線寬例如為2微米至4微米。在一實施例中，第二電極140的第二延伸部146A以及第二延伸部146B分別延伸至第一電極150的第一主幹部152A以及第一主幹部152B的下方，並可以藉此降低資料線130對第一電極150形成的電場所造成的影響。

在一實施例中，第一電極150的第一延伸部156與鄰近之第二電極140的第二延伸部146A以及鄰近之第二延伸部146B之間的距離舉例為2微米至4微米。在一實施例中，第一電極150的第一主幹部152A以及第一主幹部152B與鄰近之第二電極140的第二主幹部142之間的距離分別為5至10微米。

在本實施例中，第二電極140電性連接到共用電壓，而第一電極150電性連接到開關元件TFT1，然而本發明不限於此。在其他實施例中，第一電極150電性連接到共用電壓，而第二電極140電性連接到開關元件TFT1。換句話說，本發明並不限制第二電極140為共用電極而第一電極150為畫素電極。在本實施例中，第二電極140所在的膜層位於第一電極150所在的膜層與資料線130所在的膜層之間，然而本發明不限於此。在其他實施例中，第一電極150所在的膜層可位於第二電極140所在的膜層與資料線130所在的膜層之間。換句話說，在其他實施例中，第一電極150所在的膜層與第二電極140所在的膜層可以互相交換。

在本實施例中，第一電極150與第二電極140的設計，可以將顯示器中的液晶層分為四種具有不同方向之水平電場的液晶作動區，且可以將相鄰液晶作動區之液晶分子的驅動及回復流向實質上調整為同一方向，進而使液晶分子的反應時間大幅縮短。

圖2是依照本發明的一實施例的一種畫素結構200的上視示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2的畫素結構200與圖1的畫素結構100的差異在於：畫素結構200的第一電極250以及第二電極240與畫素結構100的第一電極150以及第二電極140具有不同的形狀。

第一電極250包括第一主幹部252A、第一主幹部252B以及多個第一分支部253。第一主幹部252A與第一主幹部252B實質上平行於資料線130之延伸方向D1。

第一電極250的第一分支部253位於第一主幹部252A與第一主幹部252B之間。第一分支部253中之每一者包括第一延伸部256、幾何結構254A、幾何結構254B、凸起258A以及凸起258B。幾何結構254A以及幾何結構254B位於第一主幹部252A與第一主幹部252B之間，第一延伸部256位於幾何結構254A以及幾何結構254B之間，且第一延伸部256連接於對應的幾何結構254A以及幾何結構254B之間。幾何結構254A以及幾何結構254B在延伸方向D1上的寬度大於第一延伸部256在延伸方向D1上的寬度，具體來說，遠離第一延伸部256之幾何結構254A的一部份在延伸方向D1上的寬度以及遠離第一延伸部256之幾何結構254B的一部份在延伸方向D1上的寬度均大於第一延伸部256在延伸方向D1上的寬度。凸起258A以及凸起258B位於第二電極240的第二主幹部2421以及第二主幹部2422之間，相鄰的凸起258A以及凸起258B舉例係相對於第一延伸部256呈鏡像配置。

在一實施例中，凸起258A以及凸起258B的形狀包括三角形，其中凸起258A以及凸起258B的底部與第一延伸部256連接，且凸起258A以及凸起258B分別朝向鄰近之另一個第二延伸部256，且凸起258A以及凸起258B的頂部角度為60度至150度，此處的頂部角度指的是遠離與其底部相連的第一延伸部256之尖端部之角度。在本發明一實施例中，凸起258A與凸起258B對應地設置於第二延伸部256的兩側，且凸起258A與凸起258B的頂點互相對齊。

第二電極240與第一電極250分離。第二電極240包括第二主幹部2421、第二主幹部2422、第二分支部2431A、第二分支部2431B、第二分支部2432A以及第二分支部2432B。第二主幹部2421以及第二主幹部2422位於第一主幹部252A以及第一主幹部252B之間，且實質上平行於延伸方向D1。

第二分支部2431A以及第二分支部2431B分別從第二主幹部2421延伸，且第二分支部2431A以及第二分支部2431B對應地連接至第二主幹部2421的兩側，相鄰的第二分支部2431A以及第二分支部2431B舉例係相對於第二主幹部2421呈鏡像配置。第二分支部2431A包括第二延伸部2461A以及梯形結構2441A。梯形結構2441A連接於第二主幹部2421與對應的第二延伸部2461A之間。第二分支部2431B包括第二延伸部2461B以及梯形結構2441B。梯形結構2441B連接於第二主幹部2421與對應的第二延伸部2461B之間。

第二分支部2432A以及第二分支部2432B分別從第二主幹部2422延伸，且第二分支部2432A以及第二分支部2432B對應地連接至第二主幹部2422的兩側，相鄰的第二分支部2432A以及第二分支部2432B舉例係相對於第二主幹部2422呈鏡像配置。第二分支部2432A包括第二延伸部2462A以及梯形結構2442A。梯形結構2442A連接於第二主幹部2422與對應的第二延伸部2462A之間。第二分支部2432B包括第二延伸部2462B以及梯形結構2442B。梯形結構2442B連接於第二主幹部2422與對應的第二延伸部2462B之間。

在一實施例中，第二分支部2431B與第二分支部2432A連接於第二主幹部2421以及第二主幹部2422之間，第二分支部2431B位於第二主幹部2421以及第二分支部2432A之間，第二分支部2432A位於第二分支部2431B以及第二主幹部2422之間。第二分支部2431A、第二分支部2431B、第二分支部2432A以及第二分支部2432B分別與第一分支部253沿著延伸方向D1交錯排列。

圖3是依照本發明的一實施例的一種畫素結構300的上視示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖3的畫素結構300與圖2的畫素結構200的差異在於：畫素結構300的第一電極350以及第二電極340與畫素結構200的第一電極250以及第二電極240具有不同的形狀。

畫素結構300的第一電極350包括第一主幹部352A、第一主幹部352B以及多個第一分支部353。第一主幹部352A與第一主幹部352B實質上平行於資料線130之延伸方向D1。

第一電極350的第一分支部353位於第一主幹部352A與第一主幹部352B之間。第一分支部353中之每一者包括第一延伸部356、幾何結構354A、幾何結構354B、凸起358A、凸起358B、凸起358C以及凸起358D。幾何結構354A以及幾何結構354B位於第一主幹部352A與第一主幹部352B之間，第一延伸部356位於幾何結構354A以及幾何結構354B之間，且第一延伸部356連接於對應的幾何結構354A以及幾何結構354B之間。幾何結構354A以及幾何結構354B在延伸方向D1上的寬度大於第一延伸部356在延伸方向D1上的寬度，具體來說，遠離第一延伸部356之幾何結構354A的一部份在延伸方向D1上的寬度以及遠離第一延伸部356之幾何結構354B的一部份在延伸方向D1上的寬度均大於第一延伸部356在延伸方向D1上的寬度。凸起358A以及凸起358B位於第二電極340的第二主幹部3422以及第二主幹部3423之間，且凸起358C以及凸起358D位於第二電極340的第二主幹部3421以及第二主幹部3422之間。在本發明之一實施例中，凸起358A的頂點與凸起358C的頂點之間的距離約為10微米至20微米，凸起358B的頂點與凸起358D的頂點之間的距離約為10微米至20微米，凸起358A的頂點與凸起358C的頂點之間的距離約等於凸起358B的頂點與凸起358D的頂點之間的距離。

第二電極340與第一電極350分離。畫素結構300的第二電極340包括第二主幹部3421、第二主幹部3422、第二主幹部3423、第二分支部3431A、第二分支部3431B、第二分支部3432A、第二分支部3432B、第二分支部3433A以及第二分支部3433B。第二主幹部3421、第二主幹部3422以及第二主幹部3423位於第一主幹部352A以及第一主幹部352B之間，且實質上平行於延伸方向D1。

第二分支部3431A以及第二分支部3431B分別從第二主幹部3421延伸，且第二分支部3431A以及第二分支部3431B對應地連接至第二主幹部3421的兩側。第二分支部3431A包括第二延伸部3461A以及梯形結構3441A。梯形結構3441A連接於第二主幹部3421與對應的第二延伸部3461A之間。第二分支部3431B包括第二延伸部3461B以及梯形結構3441B。梯形結構3441B連接於第二主幹部3421與對應的第二延伸部3461B之間。

第二分支部3432A以及第二分支部3432B分別從第二主幹部3422延伸，且第二分支部3432A以及第二分支部3432B對應地連接至第二主幹部3422的兩側。第二分支部3432A包括第二延伸部3462A以及梯形結構3442A。梯形結構3442A連接於第二主幹部3422與對應的第二延伸部3462A之間。第二分支部3432B包括第二延伸部3462B以及梯形結構3442B。梯形結構3442B連接於第二主幹部3422與對應的第二延伸部3462B之間。

第二分支部3433A以及第二分支部3433B從第二主幹部3423延伸，且第二分支部3433A以及第二分支部3433B對應地連接至第二主幹部3423的兩側。第二分支部3433A包括第二延伸部3463A以及梯形結構3443A。梯形結構3443A連接於第二主幹部3423與對應的第二延伸部3463A之間。第二分支部3433B包括第二延伸部3463B以及梯形結構3443B。梯形結構3443B連接於第二主幹部3423與對應的第二延伸部3463B之間。

在一實施例中，第二分支部3431B與第二分支部3432A連接於第二主幹部3421以及第二主幹部3422之間，且第二分支部3432B與第二分支部3433A連接於第二主幹部3422以及第二主幹部3423之間。第二分支部3431A、第二分支部3431B、第二分支部3432A、第二分支部3432B、第二分支部3433A以及第二分支部3433B分別與第一分支部353沿著延伸方向D1交錯排列。

圖4是依照本發明的一實施例的一種畫素結構400的上視示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖4的畫素結構400與圖2的畫素結構200的差異在於：畫素結構400的第一電極450以及第二電極440與畫素結構200的第一電極250以及第二電極240具有不同的形狀。

第一電極450包括第一主幹部452A、第一主幹部452B以及多個第一分支部453。第一主幹部452A與第一主幹部452B實質上平行於資料線130之延伸方向D1。

第一電極450的第一分支部453位於第一主幹部452A與第一主幹部452B之間。第一分支部453中之每一者包括第一延伸部456、幾何結構454A、幾何結構454B、凸起458A、凸起458B、凸起458C、凸起458D、凸起458E以及凸起458F。幾何結構454A以及幾何結構454B位於第一主幹部452A與第一主幹部452B之間，第一延伸部456位於幾何結構454A以及幾何結構454B之間，且第一延伸部456連接於對應的幾何結構454A以及幾何結構454B之間。幾何結構454A以及幾何結構454B在延伸方向D1上的寬度大於第一延伸部456在延伸方向D1上的寬度，具體來說，遠離第一延伸部456之幾何結構454A的一部份在延伸方向D1上的寬度以及遠離第一延伸部456之幾何結構454B的一部份在延伸方向D1上的寬度均大於第一延伸部456在延伸方向D1上的寬度。凸起458A以及凸起458B位於第二電極440的第二主幹部4424以及第二主幹部4423之間，凸起458C以及凸起458D位於第二電極440的第二主幹部4423以及第二主幹部4422之間，且凸起458E以及凸起458F位於第二電極440的第二主幹部4422以及第二主幹部4421之間。

第二電極440與第一電極450分離。第二電極440包括第二主幹部4421、第二主幹部4422、第二主幹部4423、第二主幹部4424、第二分支部4431A、第二分支部4431B、第二分支部4432A、第二分支部4432B、第二分支部4433A、第二分支部4433B、第二分支部4434A以及第二分支部4434B。第二主幹部4421、第二主幹部4422、第二主幹部4423以及第二主幹部4424位於第一主幹部452A以及第一主幹部452B之間，且實質上平行於延伸方向D1。

第二分支部4431A以及第二分支部4431B從第二主幹部4421延伸，且第二分支部4431A以及第二分支部4431B對應地連接至第二主幹部4421的兩側。第二分支部4431A包括第二延伸部4461A以及梯形結構4441A。梯形結構4441A連接於第二主幹部4421與對應的第二延伸部4461A之間。第二分支部4431B包括第二延伸部4461B以及梯形結構4441B。梯形結構4441B連接於第二主幹部4421與對應的第二延伸部4461B之間。

第二分支部4432A以及第二分支部4432B分別從第二主幹部4422延伸，且第二分支部4432A以及第二分支部4432B對應地連接至第二主幹部4422的兩側。第二分支部4432A包括第二延伸部4462A以及梯形結構4442A。梯形結構4442A連接於第二主幹部4422與對應的第二延伸部4462A之間。第二分支部4432B包括第二延伸部4462B以及梯形結構4442B。梯形結構4442B連接於第二主幹部4422與對應的第二延伸部4462B之間。

第二分支部4433A以及第二分支部4433B分別從第二主幹部4423延伸，且第二分支部4433A以及第二分支部4433B對應地連接至第二主幹部4423的兩側。第二分支部4433A包括第二延伸部4463A以及梯形結構4443A。梯形結構4443A連接於第二主幹部4423與對應的第二延伸部4463A之間。第二分支部4433B包括第二延伸部4463B以及梯形結構4443B。梯形結構4443B連接於第二主幹部4423與對應的第二延伸部4463B之間。

第二分支部4434A以及第二分支部4434B分別從第二主幹部4424延伸，且第二分支部4434A以及第二分支部4434B對應地連接至第二主幹部4424的兩側。第二分支部4434A包括第二延伸部4464A以及梯形結構4444A。梯形結構4444A連接於第二主幹部4424與對應的第二延伸部4464A之間。第二分支部4434B包括第二延伸部4464B以及梯形結構4444B。梯形結構4444B連接於第二主幹部4424與對應的第二延伸部4464B之間。

在一實施例中，第二分支部4431B與第二分支部4432A連接於第二主幹部4421以及第二主幹部4422之間，第二分支部4432B與第二分支部4433A連接於第二主幹部4422以及第二主幹部4423之間，且第二分支部4433B與第二分支部4434A連接於第二主幹部4423以及第二主幹部4424之間。第二分支部4431A、第二分支部4431B、第二分支部4432A、第二分支部4432B、第二分支部4433A、第二分支部4433B、第二分支部4434A以及第二分支部4434B分別與第一分支部453沿著延伸方向D1交錯排列。

在一實施例中，第一電極的第一分支部舉例包括周期性凸起，第一電極的第一分支部與第二電極的第二分支部因為凸起造成水平距離上的變化，導致第一電極與第二電極所形成的電場能將顯示器中的液晶層分為四種具有不同方向之水平電場的液晶作動區，且可以將相鄰液晶作動區之液晶分子的驅動及回復流向實質上調整為同一方向，進而使液晶分子的反應時間大幅縮短。

圖5是依照本發明的一實施例的一種畫素結構500的上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖5的畫素結構500與圖4的畫素結構400的差異在於：畫素結構500的第一電極550的幾何結構及凸起與畫素結構400的第一電極450的幾何結構及凸起具有不同的形狀。

在本實施例中，第一電極550包括第一分支部553，第一分支部553的幾何結構554A以及幾何結構554B為半圓形。幾何結構554A以及幾何結構554B位於第一主幹部552A與第一主幹部552B之間，第一延伸部556位於幾何結構554A以及幾何結構554B之間，且第一延伸部556連接於對應的幾何結構554A以及幾何結構554B之間。

第一電極550的凸起558A、凸起558B、凸起558C、凸起558D、凸起558E以及凸起558F的形狀包括半圓形，且凸起558A、凸起558B、凸起558C、凸起558D、凸起558E以及凸起558F的底部與第一延伸部556連接。凸起558A、凸起558B、凸起558C、凸起558D、凸起558E以及凸起558F分別朝向鄰近之另一個第二延伸部556。在本發明一實施例中，凸起558A、凸起558C以及凸起558E設置於第二延伸部556的一側，凸起558B、凸起558D以及凸起558F設置於第二延伸部556的另一側，且凸起558A、凸起558C以及凸起558E分別與凸起558B、凸起558D以及凸起558F的頂點互相對齊，舉例來說，凸起558A的頂點與凸起558B的頂點之連線實質上可垂直於第二延伸部556的延伸方向、凸起558C的頂點與凸起558D的頂點之連線實質上可垂直於第二延伸部556的延伸方向、凸起558E的頂點與凸起558F的頂點之連線實質上可垂直於第二延伸部556的延伸方向。

在本實施例中，幾何結構554A、幾何結構554B、凸起558A、凸起558B、凸起558C、凸起558D、凸起558E以及凸起558F的形狀包括半圓形，然而本發明不限於此。在其他實施例中，幾何結構與凸起的形狀還可以包括半橢圓形。

圖6是依照本發明的一實施例的一種畫素結構600的上視示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖6的畫素結構600與圖4的畫素結構400的差異在於：畫素結構600的第一電極650與畫素結構400的第一電極450具有不同的形狀。

在本發明一實施例中，第一電極650包括第一分支部653，第一分支部653的幾何結構654A以及幾何結構654B各自包括兩個相對應的曲面，且兩個相對應的曲面的凹面分別朝向凸起的外側。舉例而言，幾何結構654A包括相對應的側壁SW5以及側壁SW6，側壁SW5以及側壁SW6為兩個相對應的曲面，且側壁SW5以及側壁SW6的凹面朝向幾何結構654A的外側。幾何結構654A以及幾何結構654B位於第一主幹部652A與第一主幹部652B之間，第一延伸部656位於幾何結構654A以及幾何結構654B之間，且第一延伸部656連接於對應的幾何結構654A以及幾何結構654B之間。

第一電極650的凸起658A、凸起658B、凸起658C、凸起658D、凸起658E以及凸起658F的形狀包括釘形，且凸起658A、凸起658B、凸起658C、凸起658D、凸起658E以及凸起658F的底部與第一延伸部656連接。凸起658A、凸起658B、凸起658C、凸起658D、凸起658E以及凸起658F分別朝向鄰近之另一個第二延伸部656。在本實施例中，凸起各自包括兩個相對應的曲面，且兩個相對應的曲面的凹面分別朝向凸起的外側。舉例而言，凸起658A包括相對應的側壁SW7以及側壁SW8，側壁SW7以及側壁SW8為兩個相對應的曲面，且側壁SW7以及側壁SW8的凹面朝向凸起658A的外側。在本發明一實施例中，凸起658A、凸起658C以及凸起658E分別與凸起658B、凸起658D以及凸起658F對應地設置於第二延伸部656的兩側，且凸起658A、凸起658C以及凸起658E分別與凸起658B、凸起658D以及凸起658F的頂點互相對齊。

圖7是依照本發明的一實施例的一種畫素結構700的上視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖7的畫素結構700與圖2的畫素結構200的差異在於：畫素結構700的第一電極750與畫素結構200的第一電極250具有不同的形狀。

畫素結構700的第一電極750包括第一主幹部752A、第一主幹部752B、第一主幹部752C、第一分支部753A以及第一分支部753B。第一分支部753A位於第一主幹部752A與第一主幹部752B之間，且第一分支部753B位於第一主幹部752B與第一主幹部752C之間。在本實施例中，第一主幹部752B位於第二電極240的第二主幹部2421與第二主幹部2422之間，第二主幹部2421位於第一主幹部752A與第一主幹部752B之間，且第二主幹部2422位於第一主幹部752B與第一主幹部752C之間。在一實施例中，第一主幹部752A、第一主幹部752B、第一主幹部752C、第二主幹部2421以及第二主幹部2422沿掃描線之延伸方向D2交錯排列。

第一電極750的第一分支部753A包括第一延伸部756A、幾何結構754A以及幾何結構754B。幾何結構754A以及幾何結構754B位於第一主幹部752A與第一主幹部752B之間，且第一延伸部756A連接於對應的幾何結構754A以及幾何結構754B之間。幾何結構754A以及幾何結構754B在延伸方向D1上的寬度大於第一延伸部756A在延伸方向D1上的寬度，具體來說，遠離第一延伸部756A之幾何結構754A的一部份在延伸方向D1上的寬度以及遠離第一延伸部756A之幾何結構754B的一部份在延伸方向D1上的寬度均大於第一延伸部756A在延伸方向D1上的寬度。第一分支部753B包括第一延伸部756B、幾何結構754B’以及幾何結構754C。幾何結構754B’以及幾何結構754C位於第一主幹部752B與第一主幹部752C之間，且第一延伸部756B連接於對應的幾何結構754B’以及幾何結構754C之間。幾何結構754B’以及幾何結構754C在延伸方向D1上的寬度大於第一延伸部756在延伸方向D1上的寬度，具體來說，遠離第一延伸部756B之幾何結構754B’的一部份在延伸方向D1上的寬度以及遠離第一延伸部756B之幾何結構754C的一部份在延伸方向D1上的寬度均大於第一延伸部756B在延伸方向D1上的寬度。第一分支部753A與第一分支部753B對應地連接至第一主幹部752B的兩側。

圖8A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構800的上視示意圖。圖8B是圖8A中第二電極840的上視示意圖。圖8C是圖8A中第一電極850的上視示意圖。圖8A包括了兩個畫素結構800，圖8B包括了兩個第二電極840，且圖8C包括了兩個第一電極850，然而並非代表本發明必須同時形成兩個畫素結構、兩個第一電極或兩個第二電極。本發明的畫素結構、第一電極或第二電極亦可以依需求而一次形成一個或三個以上。

開關元件TFT2包括半導體層810、閘極822、汲極834和源極832。形成開關元件TFT2的方法例如包括於基底上形成半導體層810。在形成半導體層810之後，依序在半導體層810上形成閘絕緣層與閘極822和掃描線820，且閘極822與掃描線820電性連接。形成覆蓋閘極822的絕緣層。在絕緣層中形成開孔O4以及開孔O5。接著形成汲極834以及與資料線830電性連接的源極832，其中汲極834透過開孔O5而與半導體層810電性連接，且源極832透過開孔O4而與半導體層810電性連接。在本實施例中，開關元件TFT2的半導體層810的形狀為U形，然而本發明不限於此。在其他實施例中，開關元件的半導體層的形狀為L形或其他幾何形狀。在本實施例中，開關元件TFT2為頂閘極（Top gate）結構的薄膜電晶體，然而本發明不限於此。在其他實施例中，開關元件TFT2還可以是底閘極（Bottom gate）結構的薄膜電晶體。

請同時參考圖8A及圖8C，第一電極850包括第一主幹部852A、第一主幹部852B以及多個第一分支部853。第一主幹部852A與第一主幹部852B實質上平行於資料線830之延伸方向D3。在本實施例中，第一主幹部852A與第一主幹部852B可以分別與不同排的部分資料線830完全重疊，然而本發明不限於此。在其他實施例中，部分的第一主幹部852A與部分的資料線830重疊，且部分的第一主幹部852B與部分的另一條資料線830重疊。在其他實施例中，第一主幹部852A與第一主幹部852B互相靠近，並且完全不與資料線830重疊。

第一電極850的第一分支部853位於第一主幹部852A與第一主幹部852B之間。第一分支部853中之每一者包括第一延伸部856、幾何結構854A以及幾何結構854B。幾何結構854A以及幾何結構854B位於第一主幹部852A與第一主幹部852B之間，且第一延伸部856位於幾何結構854A以及幾何結構854B之間，且第一延伸部856連接於對應的幾何結構854A以及幾何結構854B之間。幾何結構854A以及幾何結構854B在資料線830的延伸方向D3上的寬度大於第一延伸部856在延伸方向D3上的寬度，具體來說，遠離第一延伸部856之幾何結構854A的一部份在延伸方向D3上的寬度以及遠離第一延伸部856之幾何結構854B的一部份在延伸方向D3上的寬度均大於第一延伸部856在延伸方向D3上的寬度。在一實施例中，幾何結構854A以及幾何結構854B的形狀為梯形，且幾何結構854A以及幾何結構854B最寬的底部分別與第一主幹部852A以及第一主幹部852B連接，而幾何結構854A的側壁SW9以及幾何結構854B的側壁SW10與資料線830之延伸方向D3之間的銳角夾角為大於或等於30度且小於90度，然而本發明不限於此。在其他實施例中，幾何結構可以是在延伸方向D3上的寬度大於第一延伸部856的其他幾何形狀。在一實施例中，第一電極850的幾何結構854A以及幾何結構854B分別與第二電極840的梯形結構844B以及梯形結構844A具有類似或同樣的形狀。在一實施例中，第一延伸部856的形狀為長方形，且第一延伸部856之線寬為0.5微米至5微米。

在本實施例中，第一電極850還包括連接部851A，連接部851A將第一主幹部852A以及第一主幹部852B連接，連接部851A的面積舉例係大於第一分支部853的面積，連接部851A的位置舉例係位於多個第一分支部853的一側，然而本發明不限於此。在其他實施例中，第一電極850的第一主幹部852A以及第一主幹部852B只會藉由第一分支部853而連接。在本實施例中，開關元件TFT2的源極832以及汲極834完全與第一電極850重疊，亦即與連接部851A完全重疊，然而本發明不限於此。在其他實施例中，開關元件TFT2的源極832以及汲極834可以只有部分與第一電極850重疊。在其他實施例中，開關元件TFT2的源極832以及汲極834可以完全不與第一電極850重疊。

畫素結構800中的第二電極840與開關元件TFT2之間隔有絕緣層，且第二電極840與開關元件TFT2的汲極834透過絕緣層中的開口O6而電性連接。

第二電極840與第一電極850分離。請同時參考圖8A以及圖8B，第二電極840包括第二主幹部842、第二分支部843A以及第二分支部843B。第二主幹部842、第二分支部843A以及第二分支部843B位於第一電極850的第一主幹部852A以及第一主幹部852B之間，且第二主幹部842實質上平行於延伸方向D3。第二分支部843A以及第二分支部843B分別從第二主幹部842延伸，且第二分支部843A以及第二分支部843B對應地連接至第二主幹部842的兩側。第二分支部843A包括第二延伸部846A以及梯形結構844A。梯形結構844A連接於第二主幹部842與對應的第二延伸部846A之間。第二分支部843B包括第二延伸部846B以及梯形結構844B。梯形結構844B連接於第二主幹部842與對應的第二延伸部846B之間。第二分支部843A以及第二分支部843B分別與第一分支部853沿著延伸方向D3交錯排列。

在本實施例中，第二延伸部846A與第二延伸部846B的形狀為梯形，然而本發明不限於此。在其他實施例中，第二延伸部846A與第二延伸部846B的形狀為矩形。在一實施例中，第二延伸部846A的側壁SW11以及第二延伸部846B的側壁SW12與資料線830之延伸方向D3之間的銳角夾角為大於或等於30度且小於90度，並能藉由調整夾角的大小以進一步縮短液晶的反應時間。

圖9A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構900的上視示意圖。圖9B是圖9A中第一電極950的上視示意圖。圖9A包括了兩個畫素結構900，且圖9B包括了兩個第一電極950，然而並非代表本發明必須同時形成兩個畫素結構、兩個第一電極或兩個第二電極。本發明的畫素結構、第一電極或第二電極亦可以依需求而一次形成一個或三個以上。

在此必須說明的是，圖9A的實施例沿用圖8A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。圖9A的畫素結構900與圖8A的畫素結構800的差異在於：畫素結構900的第一電極950與畫素結構800的第一電極850有不同的形狀。

第一電極950包括第一主幹部952A、第一主幹部952B以及多個第一分支部953。第一主幹部952A與第一主幹部952B實質上平行於資料線830之延伸方向D3。在本實施例中，第一主幹部952A與第一主幹部952B可以分別與不同排的部分資料線830完全重疊，然而本發明不限於此。在其他實施例中，部分的第一主幹部952A與部分的資料線830重疊，且部分的第一主幹部952B與部分的另一條資料線830重疊。在其他實施例中，第一主幹部952A與第一主幹部952B互相靠近，並且完全不與資料線830重疊。

第一電極950的第一分支部953位於第一主幹部952A與第一主幹部952B之間。第一分支部953中之每一者包括第一延伸部956A、第一延伸部956B、幾何結構954A以及幾何結構954B，。幾何結構954A以及幾何結構954B位於第一主幹部952A與第一主幹部952B之間。第一延伸部956A與第一延伸部956B位於幾何結構954A以及幾何結構954B之間，第一延伸部956A與第一延伸部956B分別連接對應的幾何結構954A以及幾何結構954B，且第一延伸部956A與第一延伸部956B兩者至少於第二電極840的第二主幹部842處分離。幾何結構954A以及幾何結構954B在延伸方向D3上的寬度大於第一延伸部956在延伸方向D3上的寬度，具體來說，遠離第一延伸部956A之幾何結構954A的一部份在延伸方向D3上的寬度大於第一延伸部956A在延伸方向D3上的寬度，遠離第一延伸部956B之幾何結構954B的一部份在延伸方向D3上的寬度大於第一延伸部956B在延伸方向D3上的寬度。在一實施例中，幾何結構954A以及幾何結構954B的形狀為梯形，且幾何結構954A以及幾何結構954B最寬的底部分別與第一主幹部952A以及第一主幹部952B連接，而幾何結構954A的側壁SW13以及幾何結構954B的側壁SW14與資料線830之延伸方向D3之間的銳角夾角為大於或等於30度且小於90度，然而本發明不限於此。在其他實施例中，幾何結構可以是在延伸方向D3上的寬度大於第一延伸部956A與第一延伸部956B的其他幾何形狀。

在本實施例中，第一電極950還包括連接部951A，連接部951A將第一主幹部952A以及第一主幹部952B連接，連接部951A的面積舉例係大於第一分支部953的面積，然而本發明不限於此。在本實施例中，開關元件TFT2的源極832以及汲極834完全與第一電極950重疊，亦即與連接部951A完全重疊，然而本發明不限於此。在其他實施例中，開關元件TFT2的源極832以及汲極834可以只有部分與第一電極950重疊。在其他實施例中，開關元件TFT2的源極832以及汲極834可以完全不與第一電極950重疊。

圖9C是沿圖9A剖線AA’的剖面示意圖。在本實施例中，閘極822與半導體層810之間夾有閘絕緣層812以及閘絕緣層814，且閘極822與汲極834之間有絕緣層824以及絕緣層826，開孔O5位於閘絕緣層812、閘絕緣層814、絕緣層824以及絕緣層826之中，而汲極834與半導體層810藉由開孔O5而電性連接。汲極834與第二電極840之間夾有絕緣層836，開孔O6位於絕緣層836之中，而汲極834與第二電極840藉由開孔O6而電性連接。第一電極950與第二電極840中間隔有絕緣層845，且第一電極950與第二電極840分離。在其他實施例中，前述的絕緣層或閘絕緣層亦可以應實際需求而增加或減少層數。

圖10A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構1000的上視示意圖。圖10B是沿圖10A剖線BB’的剖面示意圖。圖10A包括了兩個畫素結構1000，然而並非代表本發明必須同時形成兩個畫素結構。本發明的畫素結構亦可以依需求而一次形成一個或三個以上。

在此必須說明的是，圖10A的實施例沿用圖9A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。圖10A的畫素結構1000與圖9A的畫素結構900的差異在於：畫素結構900的第二電極840與開關元件TFT2的汲極834並非同時形成的，然而畫素結構1000的第二電極1040與開關元件TFT3的汲極1034為同時形成的。

請參考圖10B，在本實施例中，開關元件TFT3包括半導體層810、閘極822、源極832以及汲極1034。在一實施例中，第二電極1040與汲極1034是屬於同一個膜層，且第二電極1040與汲極1034兩者同時形成。因此，能縮短製程所需的時間並減小畫素結構的厚度。在本發明一實施例中，第二電極、資料線以及汲極皆屬於同一膜層。

綜上所述，本發明畫素結構中的第一電極包括至少兩條第一主幹部以及多個第一分支部，第二電極包括至少一條第二主幹部以及至少兩個第二分支部，且第一分支部與第二分支部沿資料線之延伸方向交錯排列。因此，第一電極與第二電極所形成的電場能使液晶具有較短的反應時間，進而使液晶效率提升。第一電極的第一分支部包括幾何結構，第二電極的第二分支部包括梯形結構。

圖11A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構1100的上視示意圖。圖11B是圖11A中第二電極1140的上視示意圖。圖11C是圖11A中第一電極1150的上視示意圖。圖11A包括了兩個畫素結構1100，圖11B包括了兩個第二電極1140，且圖11C包括了兩個第一電極1150，然而並非代表本發明必須同時形成兩個畫素結構、兩個第一電極或兩個第二電極。本發明的畫素結構、第一電極或第二電極亦可以依需求而一次形成一個或三個以上。

在此必須說明的是，圖11A的實施例沿用圖8A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請參考圖11A及圖11C，畫素結構1100的第一電極1150包括第一主幹部1152、第一分支部1153A以及第一分支部1153B。第一主幹部1152實質上平行於延伸方向D3。第一分支部1153A以及第一分支部1153B分別從第一主幹部1152延伸，且第一分支部1153A以及第一分支部1153B對應地連接至第一主幹部1152的兩側。第一分支部1153A包括第一延伸部1156A以及第一梯形結構1154A。第一梯形結構1154A連接於第一主幹部1152與對應的第一延伸部1156A之間。第一分支部1153B包括第一延伸部1156B以及第一梯形結構1154B。第一梯形結構1154B連接於第一主幹部1152與對應的第一延伸部1156B之間。

請參考圖11A及圖11B，第二電極1140包括第二主幹部1142、第二分支部1143A以及第二分支部1143B。第二主幹部1142實質上平行於延伸方向D3。第二主幹部1142與第一主幹部1152重疊。第二分支部1143A以及第二分支部1143B分別從第二主幹部1142延伸，且第二分支部1143A以及第二分支部1143B對應地連接至第二主幹部1142的兩側。第二分支部1143A包括第二延伸部1146A以及第二梯形結構1144A。第二梯形結構1144A連接於第二主幹部1142與對應的第二延伸部1146A之間。第二分支部1143B包括第二延伸部1146B以及第二梯形結構1144B。第二梯形結構1144B連接於第二主幹部1142與對應的第二延伸部1146B之間。第一分支部1153A以及第一分支部1153B分別與第二分支部1143A以及第二分支部1143B沿資料線的延伸方向D3交錯排列。在本發明一實施例中，第一電極與第二電極組成樹狀結構或魚骨狀結構，如圖11A所示。

在本實施例中，第一電極1150為共用電極，且第二電極1140為畫素電極，然而本發明不限於此。在其他實施例中，第一電極為畫素電極，且第二電極為共用電極。在本實施例中，第一延伸部1156A與第一延伸部1156B的形狀為梯形，然而本發明不限於此。在其他實施例中，第一延伸部1156A與第一延伸部1156B的形狀為矩形。在一實施例中，第一延伸部1156A的側壁SW15與資料線之延伸方向D3之間構成的銳角夾角為大於或等於30度且小於90度，第一延伸部1156B的側壁SW16與資料線之延伸方向D3之間構成的銳角夾角為大於或等於30度且小於90度。在一實施例中，第一梯形結構1154A的側壁SW17與資料線之延伸方向D3之間的銳角夾角為30度至60度，第一梯形結構1154B的側壁SW18與資料線之延伸方向D3之間的銳角夾角為30度至60度。在本實施例中，第一電極1150的第一分支部1153A、1153B分別與第二電極的第二分支部1143A、1143B具有相同的形狀，然而本發明不限於此。在其他實施例中，第一電極1150的第一分支部1153A、1153B分別與第二電極的第二分支部1143A、1143B具有不同的形狀。

綜上所述，畫素結構中的共用電極包括第一主幹部以及至少兩個第一分支部，畫素電極包括第二主幹部以及至少兩個第二分支部，且第一分支部與第二分支部沿資料線的延伸方向交錯排列。因此，共用電極與畫素電極所形成的電場能使液晶具有較短的反應時間，進而使液晶效率提升。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100‧‧‧畫素結構
110、810‧‧‧半導體層
120、820‧‧‧掃描線
122、822‧‧‧閘極
130、830‧‧‧資料線
132、832‧‧‧源極
134、834、1034‧‧‧汲極
140、240、340、440、840、1040、1140‧‧‧第二電極
142、2421、2422、3421、3422、3423、4421、4422、4423、4424、842、1142‧‧‧第二主幹部
143A、143B、2431A、2431B、2432A、2432B、3431A、3431B、3432A、3432B、3433A、3433B、4431A、4431B、4432A、4432B、4433A、4433B、4434A、4434B、843A、843B、1143A、1143B‧‧‧第二分支部
144A、144B、2441A、2441B、2442A、2442B、3441A、3441B、3442A、3442B、3443A、3443B、4441A、4441B、4442A、4442B、4443A、4443B、4444A、4444B、844A、844B、1144A、1144B‧‧‧梯形結構
146A、146B、2461A、2461B、2462A、2462B、3461A、3461B、3462A、3462B、3463A、3463B、4461A、4461B、4462A、4462B、4463A、4463B、4464A、4464B、846A、846B、1146A、1146B‧‧‧第二延伸部
150、250、350、450、550、650、750、850、950、1150‧‧‧第一電極
151A、151B、851A、951A‧‧‧連接部
152A、152B、252A、252B、352A、352B、452A、452B、552A、552B、652A、652B、752A、752B、752C、852A、852B、952A、952B、1152‧‧‧第一主幹部
153、253、353、453、553、653、753A、753B、753C、853、953、1153A、1153B‧‧‧第一分支部
154A、154B、254A、254B、354A、354B、454A、454B、554A、554B、654A、654B、754A、754B、754B’、754C、854A、854B、954A、954B、1154A、1154B‧‧‧幾何結構
156、256、356、456、556、656、756A、756B、856、956A、956B、1156A、1156B‧‧‧第一延伸部
258A、258B、358A、358B、358C、358D、458A、458B、458C、458D、458E、458F、558A、558B、558C、558D、558E、558F、658A、658B、658C、658D、658E、658F‧‧‧凸起
824、826、836、845‧‧‧絕緣層
812、814‧‧‧閘絕緣層
D1、D2、D3‧‧‧延伸方向
SW1、SW2、SW3、SW4、SW5、SW6、SW7、SW8、SW9、SW10、SW11、SW12、SW13、SW14、SW15、SW16、SW17、SW18‧‧‧側壁
O1、O2、O3、O4、O5、O6‧‧‧開孔
TFT1、TFT2、TFT3‧‧‧開關元件

圖1是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖3是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖4是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖6是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖7是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖8A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖8B是圖8A中第二電極的上視示意圖。 圖8C是圖8A中第一電極的上視示意圖。 圖9A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖9B是圖9A中第一電極的上視示意圖。 圖9C是沿圖9A剖線AA’的剖面示意圖。 圖10A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖10B是沿圖10A剖線BB’的剖面示意圖。 圖11A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖11B是圖11A中第二電極的上視示意圖。 圖11C是圖11A中第一電極的上視示意圖。

100‧‧‧畫素結構

110‧‧‧半導體層

120‧‧‧掃描線

122‧‧‧閘極

130‧‧‧資料線

132‧‧‧源極

134‧‧‧汲極

140‧‧‧第二電極

142‧‧‧第二主幹部

143A、143B‧‧‧第二分支部

144A、144B‧‧‧梯形結構

146A、146B‧‧‧第二延伸部

150‧‧‧第一電極

151A、151B‧‧‧連接部

152A、152B‧‧‧第一主幹部

153‧‧‧第一分支部

154A、154B‧‧‧幾何結構

156‧‧‧第一延伸部

D1‧‧‧延伸方向

SW1、SW2、SW3、SW4‧‧‧側壁

O1、O2、O3‧‧‧開孔

TFT1‧‧‧開關元件

Claims (17)

1. 一種畫素結構，包括： 一掃描線與一資料線； 一開關元件，和該掃描線以及該資料線電性連接； 一第一電極，包括： 至少兩條第一主幹部，實質上平行於該資料線之一延伸方向；以及 多個第一分支部，該些第一分支部中之每一者包括： 至少一第一延伸部；以及 至少兩個幾何結構，位於該兩條第一主幹部之間，且該第一延伸部位於對應的該兩個幾何結構之間，其中該兩個幾何結構在該延伸方向上的寬度大於該第一延伸部在該延伸方向上的寬度；以及 一第二電極，與該第一電極分離，其中該第一電極與該第二電極之中的一者和該開關元件電性連接，該第二電極包括： 至少一條第二主幹部，位於該兩條第一主幹部之間，且實質上平行於該資料線之該延伸方向；以及 至少兩個第二分支部，從該第二主幹部延伸，其中該至少兩個第二分支部分別對應地連接至該第二主幹部的兩側，且該至少兩個第二分支部中之至少一者包括： 至少一第二延伸部；以及 至少一梯形結構，連接於該第二主幹部與對應的該第二延伸部之間，其中該些第一分支部與該些第二分支部沿該資料線之該延伸方向交錯排列。
2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一電極與一共用電壓電性連接，且該第二電極與該開關元件電性連接。
3. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該至少兩個幾何結構的形狀包括梯形。
4. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中： 該第一電極的該些第一分支部中之每一者包括： 至少兩個第一延伸部，該至少兩個第一延伸部分別連接於對應的兩個該幾何結構，且該至少兩個第一延伸部於該第二主幹部處分離。
5. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第二電極的該些第二分支部位於該兩條第一主幹部之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第二電極的該些第二分支部分別延伸至該第一電極的該兩條第一主幹部的下方。
7. 如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，其中： 該第一電極包括： 至少三條該第一主幹部，且該些第一分支部分別位於對應的兩條該第一主幹部之間； 該第二電極包括： 至少兩條該第二主幹部，分別位於對應的兩條該第一主幹部之間；以及 至少四個該第二分支部，分別位於每一該兩條第二主幹部的兩側，其中至少兩個該第二分支部位於該兩條第二主幹部之間，且互相連接於對應的該兩條第二主幹部之間。
8. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中： 該第二電極包括至少兩條第二主幹部；且 該第一電極的每一該第一延伸部連接於對應的該至少兩個該幾何結構之間，且該些第一延伸部中之至少一個包括多個凸起，位於該第二電極的該兩條第二主幹部之間。
9. 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該第一電極的該些凸起的形狀包括三角形、半圓形或是釘形。
10. 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該第一電極的該些凸起包括三角形，且該些凸起的頂部角度為60度至150度，且該些凸起係分別朝向鄰近之該第二延伸部。
11. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第二電極與該資料線屬於同一膜層。
12. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該些第一延伸部的形狀為梯形或矩形，且該些第一延伸部的側壁與該資料線之該延伸方向之間的夾角大於或等於30度且小於90度。
13. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該些第一延伸部的形狀為長方形，且該些第一延伸部之線寬為0.5至5微米。
14. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該些幾何結構的形狀為梯形，且該些幾何結構的側壁與該資料線之該延伸方向之間的夾角大於或等於30度且小於90度。
15. 一種畫素結構，包括： 一掃描線與一資料線； 一開關元件，和該掃描線以及該資料線電性連接； 一共用電極，包括： 一第一主幹部，實質上平行於該資料線之一延伸方向；以及 至少兩個第一分支部，從該第一主幹部延伸，該至少兩個第一分支部分別對應地連接至該第一主幹部的兩側，且該至少兩個第一分支部中之至少一者包括： 至少一第一延伸部；以及 至少一第一梯形結構，連接於該第一主幹部與對應的該第一延伸部之間；以及 一畫素電極，與該共用電極分離，並和該開關元件電性連接，其中該畫素電極包括： 一第二主幹部，與該第一主幹部重疊；以及 至少兩個第二分支部，從該第二主幹部延伸，該至少兩個第二分支部分別對應地連接至該第二主幹部的兩側，且該至少兩個第二分支部中之至少一者包括： 至少一第二延伸部；以及 至少一第二梯形結構，連接於該第二主幹部與對應的該第二延伸部之間， 其中該些第一分支部與該些第二分支部沿該資料線的該延伸方向交錯排列。
16. 如申請專利範圍第15項所述的畫素結構，其中該些第一延伸部的形狀為梯形或矩形，且該些第一延伸部的側壁與該資料線之該延伸方向之間的夾角為大於或等於30度且小於90度。
17. 如申請專利範圍第15項所述的畫素結構，其中該些第一梯形結構的側壁與該資料線之該延伸方向之間的夾角為30度至60度。