TWI605075B - 廢光阻劑回收再生系統與方法 - Google Patents

Description

廢光阻劑回收再生系統與方法

本發明是有關於一種回收再生系統與方法，且特別是有關於一種廢光阻劑回收再生系統與方法。

在印刷電路板的製程或半導體製程中，在使用微影製程與蝕刻製程來定義圖案時，都會使用到光阻劑。在定義出圖案之後，會使用如NaOH等的鹼性溶液來將光阻劑移除，而形成廢光阻劑。由於廢光阻劑為鹼性，若隨意丟棄會對環境造成重大的汙染。因此，如何有效的處理廢光阻劑，使廢光阻劑能夠回收再生利用為目前業界有待解決的技術問題。

本發明提供一種廢光阻劑回收再生系統與方法，其可有效地將廢光阻劑進行回收再生利用。

本發明提出一種廢光阻劑回收再生系統，包括中和裝置、脫水裝置與乙醯化裝置。中和裝置用於對廢光阻劑進行中和處理。脫水裝置連通至中和裝置，且用於對中和處理後的廢光阻劑進行脫水處理。乙醯化裝置連通至脫水裝置，且用於對脫水處理後的廢光阻劑進行乙醯化處理，而獲得乙醯化高分子。

依照本發明的一實施例所述，在上述的廢光阻劑回收再生系統中，中和裝置包括中和處理槽與酸添加裝置。中和處理槽用於容置廢光阻劑。酸添加裝置連通至中和處理槽。

依照本發明的一實施例所述，在上述的廢光阻劑回收再生系統中，中和裝置更可包括攪拌裝置。攪拌裝置設置於中和處理槽中。

依照本發明的一實施例所述，在上述的廢光阻劑回收再生系統中，乙醯化裝置包括乙醯化處理槽、酸添加裝置、酸酐添加裝置與催化劑添加裝置。乙醯化處理槽用於容置脫水處理後的廢光阻劑。酸添加裝置連通至乙醯化處理槽。酸酐添加裝置連通至乙醯化處理槽。催化劑添加裝置連通至乙醯化處理槽。

依照本發明的一實施例所述，在上述的廢光阻劑回收再生系統中，更可包括純化裝置。純化裝置連通至乙醯化裝置，且用於純化乙醯化高分子。

本發明提出一種廢光阻劑回收再生方法，包括下列步驟。對廢光阻劑進行中和處理。對中和處理後的廢光阻劑進行脫水處理。對脫水處理後的廢光阻劑進行乙醯化處理，而獲得乙醯化高分子。

依照本發明的一實施例所述，在上述的廢光阻劑回收再生方法中，中和處理包括添加酸，以對廢光阻劑進行中和。

依照本發明的一實施例所述，在上述的廢光阻劑回收再生方法中，中和處理更可包括對廢光阻劑進行攪拌。

依照本發明的一實施例所述，在上述的廢光阻劑回收再生方法中，乙醯化處理包括在存在催化劑的環境下，使用酸與酸酐對經脫水處理後的廢光阻劑進行乙醯化。

依照本發明的一實施例所述，在上述的廢光阻劑回收再生方法中，更可包括對乙醯化高分子進行純化處理。

基於上述，藉由本發明所提出的廢光阻劑回收再生系統與方法，可對廢光阻劑進行中和、脫水與乙醯化處理，以獲得能夠再利用的乙醯化高分子。因此，本發明所提出的廢光阻劑回收再生系統與方法能夠有效地將廢光阻劑進行回收再生利用，進而可有效地降低生產成本，且可防止廢光阻劑對環境造成汙染。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1為本發明一實施例的廢光阻劑回收再生系統的示意圖。

請參照圖1，廢光阻劑回收再生系統100包括中和裝置102、脫水裝置104與乙醯化裝置106。廢光阻劑回收再生系統100可用於對印刷電路板的製程或半導體製程中所產生的廢光阻劑進行回收再生利用。廢光阻劑例如是在對圖案化對象進行圖案化製程之後，使用鹼性溶液從圖案化對象上所移除的光阻劑，其中光阻劑可為乾膜或濕膜。

此外，廢光阻劑回收再生系統100更可包括廢光阻源108。廢光阻源108連通至中和裝置102，且用於提供廢光阻劑至中和裝置102。廢光阻源108例如是廢光阻劑儲存槽或廠務的廢光阻劑排放系統。

中和裝置102用於對廢光阻劑進行中和處理，可將廢光阻劑的酸鹼值調整為趨近於中性。廢光阻劑在進行中和處理之後可成為片狀。中和裝置102包括中和處理槽110與酸添加裝置112。中和處理槽110用於容置廢光阻劑。酸添加裝置112連通至中和處理槽110，且可將酸添加至中和處理槽110中，以對廢光阻劑進行中和。酸添加裝置112添加至中和處理槽110中的酸例如是硫酸或醋酸等有機酸類。中和處理後的廢光阻劑的酸鹼值例如是小於7.5。

此外，中和裝置102更可包括攪拌裝置114。攪拌裝置114設置於中和處理槽110中。攪拌裝置114可對廢光阻劑進行攪拌。

脫水裝置104連通至中和裝置102，且用於對中和處理後的廢光阻劑進行脫水處理。脫水處理包括擠壓、烘乾、吹乾、吸濕或濾乾等物理性脫水處理或使用化學藥水進行脫水處理。由於脫水裝置104連通至中和裝置102，因此中和處理後的廢光阻劑可輸送到脫水裝置104中進行脫水處理。

脫水裝置104包括擠壓裝置116與烘乾裝置118中的至少一者。在此實施例中，脫水裝置104是以同時具有擠壓裝置116與烘乾裝置118為例來進行說明，但本發明並不以此為限。舉例來說，可先藉由擠壓裝置116對中和處理後的廢光阻劑進行擠壓處理，再藉由烘乾裝置118對擠壓處理後的廢光阻劑進行烘乾處理，以對中和處理後的廢光阻劑進行脫水處理。烘乾處理可包括烘烤步驟。

乙醯化裝置106連通至脫水裝置104，且用於對脫水處理後的廢光阻劑進行乙醯化處理，而獲得乙醯化高分子。由於乙醯化裝置106連通至脫水裝置104，因此脫水處理後的廢光阻劑可輸送到乙醯化裝置106中進行乙醯化處理。乙醯化高分子例如是壓克力樹脂。

乙醯化裝置106包括乙醯化處理槽120、酸添加裝置122、酸酐添加裝置124與催化劑添加裝置126。乙醯化處理槽120用於容置脫水處理後的廢光阻劑。酸添加裝置122連通至乙醯化處理槽120，且可將酸添加至乙醯化處理槽120中。酸添加裝置122添加至乙醯化處理槽120中的酸例如是醋酸。酸酐添加裝置124連通至乙醯化處理槽120，且可將酸酐添加至乙醯化處理槽120中。酸酐添加裝置124添加至乙醯化處理槽120中的酸酐例如是醋酸酐或利用五氧化二磷等脫水劑所製作的酸酐。催化劑添加裝置126連通至乙醯化處理槽120，且可將催化劑添加至乙醯化處理槽120中。催化劑添加裝置126添加至乙醯化處理槽120中的催化劑例如是氧金屬錯合物或是其他反應觸媒。

廢光阻劑回收再生系統更可包括純化裝置128。純化裝置128連通至乙醯化裝置106，且用於純化乙醯化高分子。由於純化裝置128連通至乙醯化裝置106，因此可將乙醯化高分子輸送到純化裝置128中進行純化。舉例來說，在純化裝置128中，可藉由沉澱、過濾、分餾萃取或洗滌萃取等處理對乙醯化高分子進行純化。

基於上述實施例可知，由於廢光阻劑回收再生系統100具有中和裝置102、脫水裝置104與乙醯化裝置106，所以可對廢光阻劑進行中和、脫水與乙醯化處理，而獲得能夠再利用的乙醯化高分子。因此，廢光阻劑回收再生系統100能夠有效地將廢光阻劑進行回收再生利用，進而可有效地降低生產成本，且可防止廢光阻劑對環境造成汙染。

圖2為本發明一實施例的廢光阻劑回收再生方法的流程圖。在本實施例的廢光阻劑回收再生方法中，可採用圖1的廢光阻劑回收再生系統100來進行廢光阻劑的回收再生利用，但本發明並不以此為限。

請參照圖2，進行步驟S100，對廢光阻劑進行中和處理，可將廢光阻劑的酸鹼值調整為趨近於中性。廢光阻劑在進行中和處理之後可成為片狀。廢光阻劑例如是源自於圖1中的廢光阻源108。中和處理包括進行步驟S102，添加酸，以對廢光阻劑進行中和。酸例如是硫酸或醋酸等有機酸類。中和處理後的廢光阻劑的酸鹼值例如是小於7.5。中和處理更包括進行步驟S104，對廢光阻劑進行攪拌。

進行步驟S110，對中和處理後的廢光阻劑進行脫水處理。脫水處理包括擠壓、烘乾、吹乾、吸濕或濾乾等物理性脫水處理或使用化學藥水進行脫水處理。在此實施例中，脫水處理是以進行擠壓處理(步驟S112)與烘乾處理(S114)為例來進行說明，但本發明並不以此為限。舉例來說，脫水處理可包括以下步驟。可先進行步驟S112，對中和處理後的廢光阻劑進行擠壓處理。接著，進行步驟S114，對擠壓處理後的廢光阻劑進行烘乾處理。烘乾處理可包括烘烤步驟。

進行步驟S120，對脫水處理後的廢光阻劑進行乙醯化處理，而獲得乙醯化高分子。乙醯化高分子例如是壓克力樹脂。乙醯化處理包括在存在催化劑的環境下，使用酸與酸酐對經脫水處理後的廢光阻劑進行乙醯化。在乙醯化處理中，酸例如是醋酸，酸酐例如是醋酸酐或利用五氧化二磷等脫水劑所製作的酸酐，且催化劑例如是氧金屬錯合物或是其他反應觸媒。

可選擇性地進行步驟S130，對乙醯化高分子進行純化處理。舉例來說，在純化處理中，可藉由沉澱、過濾、分餾萃取或洗滌萃取等處理對乙醯化高分子進行純化。

基於上述實施例可知，由於廢光阻劑回收再生方法可對廢光阻劑進行中和、脫水與乙醯化處理，而獲得能夠再利用的乙醯化高分子。因此，廢光阻劑回收再生方法能夠有效地將廢光阻劑進行回收再生利用，進而可有效地降低生產成本，且可防止廢光阻劑對環境造成汙染。

綜上所述，藉由上述實施例的廢光阻劑回收再生系統與方法，能夠有效地回收再生廢光阻劑，因此除了可有效地降低生產成本，還可防止廢光阻劑對環境造成汙染。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧廢光阻劑回收再生系統
102‧‧‧中和裝置

104‧‧‧脫水裝置

106‧‧‧乙醯化裝置

108‧‧‧廢光阻源

110‧‧‧中和處理槽

112‧‧‧酸添加裝置

114‧‧‧攪拌裝置

116‧‧‧擠壓裝置

118‧‧‧烘乾裝置

120‧‧‧乙醯化處理槽

122‧‧‧酸添加裝置

124‧‧‧酸酐添加裝置

126‧‧‧催化劑添加裝置

128‧‧‧純化裝置

S100、S102、S104、S110、S112、S114、S120、S130‧‧‧步驟

圖1為本發明一實施例的廢光阻劑回收再生系統的示意圖。 圖2為本發明一實施例的廢光阻劑回收再生方法的流程圖。

100‧‧‧廢光阻劑回收再生系統

102‧‧‧中和裝置

104‧‧‧脫水裝置

106‧‧‧乙醯化裝置

108‧‧‧廢光阻源

110‧‧‧中和處理槽

112‧‧‧酸添加裝置

114‧‧‧攪拌裝置

116‧‧‧擠壓裝置

118‧‧‧烘乾裝置

120‧‧‧乙醯化處理槽

122‧‧‧酸添加裝置

124‧‧‧酸酐添加裝置

126‧‧‧催化劑添加裝置

128‧‧‧純化裝置

Claims (9)

1. 一種廢光阻劑回收再生系統，包括：中和裝置，用於對廢光阻劑進行中和處理；脫水裝置，連通至所述中和裝置，且用於對所述中和處理後的所述廢光阻劑進行脫水處理；以及乙醯化裝置，連通至所述脫水裝置，且用於對所述脫水處理後的所述廢光阻劑進行乙醯化處理，而獲得乙醯化高分子，其中所述乙醯化裝置包括：乙醯化處理槽，用於容置所述脫水處理後的所述廢光阻劑；酸添加裝置，連通至所述乙醯化處理槽；酸酐添加裝置，連通至所述乙醯化處理槽；以及催化劑添加裝置，連通至所述乙醯化處理槽。
2. 如申請專利範圍第1項所述的廢光阻劑回收再生系統，其中所述中和裝置包括：中和處理槽，用於容置所述廢光阻劑；以及酸添加裝置，連通至所述中和處理槽。
3. 如申請專利範圍第2項所述的廢光阻劑回收再生系統，其中所述中和裝置更包括攪拌裝置，設置於所述中和處理槽中。
4. 如申請專利範圍第1項所述的廢光阻劑回收再生系統，更包括純化裝置，連通至所述乙醯化裝置，且用於純化所述乙醯化高分子。
5. 一種廢光阻劑回收再生方法，包括：對廢光阻劑進行中和處理；對所述中和處理後的所述廢光阻劑進行脫水處理；以及對所述脫水處理後的所述廢光阻劑進行乙醯化處理，而獲得乙醯化高分子。
6. 如申請專利範圍第5項所述的廢光阻劑回收再生方法，其中所述中和處理包括添加酸，以對所述廢光阻劑進行中和。
7. 如申請專利範圍第6項所述的廢光阻劑回收再生方法，其中所述中和處理更包括對所述廢光阻劑進行攪拌。
8. 如申請專利範圍第5項所述的廢光阻劑回收再生方法，其中所述乙醯化處理包括在存在催化劑的環境下，使用酸與酸酐對所述脫水處理後的所述廢光阻劑進行乙醯化。
9. 如申請專利範圍第5項所述的廢光阻劑回收再生方法，更包括對所述乙醯化高分子進行純化處理。