TWI602287B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

Description

有機發光顯示裝置 相關申請案之交互參照

本專利申請案主張於2012年9月27日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0108105號之優先權，其全部內容於此併入作為參考。

所揭露技術大致係有關於一種有機發光顯示裝置，特別的是，有關於可減少輝度偏差(bright deviation)之有機發光顯示裝置。

現已發展多種形式的顯示裝置，例如液晶顯示(LCD)裝置、有機發光顯示(OLED)裝置、電漿顯示面板(PDP)以及電泳顯示裝置(EPD)。

有機發光顯示裝置使用藉由電子與電洞之再結合而發光之有機發光二極體顯示影像。有機發光顯示裝置具有快速反應速度及低功率耗損之優點。

有機發光顯示裝置通常包含含有陽極、有機發光層以及陰極之有機發光元件。電洞及電子係透過陽極與陰極注入有機發光層，且於有機發光層中再結合以產生激子。激子於從激發態回到基態時釋放能量發光。有機發光層可藉由噴墨印刷法或噴嘴印刷法形成。

一發明態樣係欲減少有機發光顯示裝置之輝度偏差。

另一態樣係有機發光顯示裝置。該有機發光顯示裝置可包含顯示面板，其包含含有顯示影像之複數個像素之顯示區，以及形成於顯示區之外圍區且包含複數個非像素之非顯示區。顯示面板包含像素及非像素係形成於其中之基板；包含對應至像素及非像素之複數個開口之像素定義層，像素定義層係形成於基板上；形成於對應至像素之開口且回應對應之驅動電壓以產生光線之有機發光元件；以及形成於對應非像素之開口之有機層。有機層不接收驅動電壓。

10‧‧‧有機發光元件

11‧‧‧第一電極

12‧‧‧有機發光層

13‧‧‧第二電極

14‧‧‧有機層

100‧‧‧有機發光顯示裝置

110‧‧‧顯示面板

111‧‧‧基板

112‧‧‧緩衝層

113‧‧‧閘極絕緣層

114‧‧‧層間絕緣層

115‧‧‧保護層

DA‧‧‧顯示區

NDA‧‧‧非顯示區

PDL‧‧‧像素定義層

H1‧‧‧第一接觸孔

H2‧‧‧第二接觸孔

H3‧‧‧第三接觸孔

D1‧‧‧距離

D2‧‧‧第二距離

D3‧‧‧第三距離

TFT‧‧‧薄膜電晶體

OP‧‧‧開口

SE‧‧‧源極電極

GE‧‧‧閘極電極

SM‧‧‧半導體層

DE‧‧‧汲極電極

SOL‧‧‧溶劑粒子

SA‧‧‧大氣區

PX‧‧‧像素

PX1‧‧‧第一像素

PX2‧‧‧第二像素

PX3‧‧‧第三像素

PX4‧‧‧第四像素

NPX‧‧‧非像素

NPX1‧‧‧第一非像素

NPX2‧‧‧第二非像素

NPX3‧‧‧第三非像素

第1圖係根據實施例之有機發光顯示裝置的俯視平面圖。

第2圖係繪示於第1圖之顯示區之像素的剖面圖。

第3圖係繪示於第1圖之非顯示區之非像素之剖面圖。

第4A圖係當非像素未形成於非像素區時的像素的上部份之大氣狀態圖。

第4B圖係當非像素形成於非像素區時的像素及非像素的上部份之大氣狀態圖。

第5A圖至第5D圖係繪示於第1圖之非像素之多種實施例之圖。

本發明概念之實施例將參考附圖而更完整描述於此。然而，本發明概念可以許多不同形式實現且不應被解釋為受限於此處闡明之實施例。於圖式中，層與區域之大小與相對大小可為了清晰而誇大。全文中，相似數碼表示相似元件。

於圖式中，層與區域之厚度可為了清晰而誇大。要理解的是，當 像是層、區域或基板之元件被指為在另一元件「上(on)」或「上(onto)」時，其可以是直接在另一元件上或亦可存在中介元件或中介層。通篇說明書中，相似參考數碼表示相似元件。

空間相關名稱，例如：“位於...之下方(beneath)”、“位於...之下(below)”、“位於...之上方(above)”、“位於...之上(upper)”、“位於...頂部(top)”“位於...底部(bottom)”等，可用於例如對於圖式中之一元件及/或一特徵與另一元件及/或特徵間之關係進行描述。可以理解的是，這些空間相關名稱除了對於圖式中所述的方向進行說明之外，藉由這些空間相關名稱係可用以包含了於使用中及/或操作中之裝置之不同方向。

將理解的是，雖然第一、第二等名詞可用於本文中以描述各種元件，但這些元件並不受限於這些名詞。這些名詞僅是為了用以將一元件與另一元件進行區隔。例如，第一區/層可被名為第二區/層，且同樣地，第二區/層可被名為第一區/層而不脫離本發明之教導。

本發明概念的實施例可參考剖面圖而說明。因此，可預期例如製造技巧及/或容許誤差造成的繪示之形狀之變化。因此，本發明實施例不應被解釋為受限於此處繪示之區域的特定形狀，而是包含因例如製造而造成之形狀上的偏差。例如，繪示為方形之區域可具有圓弧或彎曲特性。因此圖中繪示之區域係示意性質，而非意圖限制本發明之範疇。

第1圖係根據發明概念之一些實施例之有機發光顯示裝置的俯視平面圖。

參閱第1圖，有機發光顯示裝置100包含顯示面板110。顯示面板110可包含顯示影像之顯示區DA及形成於顯示區DA之外圍區且不顯示影像之非顯示區NDA。

顯示面板110之顯示區DA產生光以顯示影像且包含以陣列形式 排列之複數個像素PX。像素PX包含有機發光元件。為了顯示影像，有機發光元件接收對應之驅動電壓以產生光。每一有機發光元件包含第一電極、形成於第一電極上之有機發光層以及形成於有機發光層上之第二電極。

非顯示區NDA包含複數個非像素NPX。非像素NPX可設置圍繞顯示區DA。非像素NPX包含有機層。於一實施例中，有機層不接收驅動電壓。因此，非像素NPX可不作動，且非像素NPX之有機層可不發光。

像素PX及非像素NPX可由像素定義層界定。像素定義層係形成於像素PX及非像素NPX間之介面以包含對應至像素PX及非像素NPX之複數個開口。像素PX及非像素NPX形成之區域可藉由像素定義層之開口界定。有機發光元件係形成於對應像素PX之開口，且有機層係形成於對應非像素NPX之開口。

像素PX之有機發光層及非像素NPX之有機層可同時藉由相同方法以相同材料形成。例如，像素PX之有機發光層及非像素NPX之有機層可同時以噴墨印刷法形成。

於一實施例中，開口係藉由噴墨印刷法而填滿墨水，且溶劑被蒸發，從而可形成有機發光層及有機層。由於溶劑之蒸發，像素PX與非像素NPX之上部份之大氣環境不同。當墨水蒸發的區域變大，於大氣中之溶劑密度提昇。當墨水蒸發的區域變小，於大氣中之溶劑密度下降。大氣中的溶劑密度可能會飽和。

當大氣中之溶劑密度提昇時，從墨水蒸發至大氣之溶劑粒子的數量可下降。因此，墨水之乾燥速率可能很低。當大氣中之溶劑密度下降時，從墨水蒸發至大氣之溶劑粒子的數量可增加。因此，墨水之乾燥速率可能增加。

當非像素NPX不形成於非顯示區NDA時，因為從非顯示區NDA 蒸發之溶劑粒子並不存在，故填於顯示區DA之介面的像素PX之開口的墨水之乾燥速度變快。當從顯示區DA之介面接近顯示區DA之中心時，大氣中的溶劑密度會變高且於預定區域可達到飽和。於大氣中之溶劑密度達飽和之區域中，墨水之乾燥速度可實質上相同。然而，於大氣中之溶劑密度未達飽和之區域，墨水之乾燥速度可能不同。墨水之乾燥速度越高，有機發光層之厚度越小。墨水之乾燥速度越慢，有機發光層之厚度越厚。

於顯示區DA之介面之墨水與溶劑密度為飽和之區域的顯示區DA之墨水間之乾燥偏差可能為最大。由於乾燥偏差，有機發光層之厚度可形成為彼此不同。由於有機發光層之厚度偏差，可能發生輝度偏差。

於本實施例中，非像素NPX係形成於非顯示區NDA。由與有機發光層相同有機材料形成之有機層係形成於對應非像素NPX之開口中。當從非顯示區NDA接近顯示區DA之介面時，溶劑密度變高，亦即，當從非顯示區NDA接近顯示區DA之介面時，形成有機層之墨水之乾燥速度減慢。如上所述，大氣中的溶劑密度可能變高而後達飽和。像素之上部份之大氣中的溶劑密度可能於顯示區DA之介面達飽和。大氣中的溶劑密度藉由填入形成於非顯示區NDA之對應至非像素NPX之開口的墨水而變高，且而後像素之上部份之大氣中的溶劑密度可於顯示區DA之介面達到飽和。

非像素NPX之數量被設定為在顯示區DA之介面的像素之上部份之大氣中的溶劑密度可達飽和的數量。在顯示區DA之像素之上部份之大氣中的溶劑密度可藉由填入對應至非像素NPX之開口的墨水而達飽和。在顯示區DA之介面的像素之上部份之大氣中的溶劑密度可變得均勻。於在顯示區DA之介面的像素之上部份之大氣中的溶劑密度變得均勻的例子中，填入顯示區DA之開口之墨水之乾燥偏差可被降低。因此，可減小有機發光層之厚度偏差且可減小像素PX之輝度偏差。

因此，有機發光顯示裝置100可減少輝度偏差。

第2圖係繪示於第1圖之顯示區之像素的剖面圖。

雖然任意像素之剖面被繪示於第2圖中，繪示於第1圖之像素具有實質上相同之結構。

參閱第2圖，薄膜電晶體TFT以及由薄膜電晶體TFT驅動的像素PX之有機發光元件10係形成於顯示面板之基板111上。

緩衝層112係形成於基板111上。薄膜電晶體TFT之半導體層SM係形成於緩衝層112上。半導體層SM可以如非晶矽或多晶矽之無機物質之半導體或有機半導體形成。雖然未示於圖式中，半導體層SM可包含源極區、汲極區以及介於源極區與汲極區間之通道區。

閘極絕緣層113係形成以覆蓋半導體層SM。覆蓋半導體層SM之薄膜電晶體TFT之閘極電極GE係形成於閘極絕緣層113上。閘極電極GE可形成以覆蓋半導體層SM之通道區。閘極電極GE係連接至施加開/關訊號至薄膜電晶體TFT之閘極線(未示)。

層間絕緣層114係形成以覆蓋閘極電極GE。薄膜電晶體TFT之源極電極SE及汲極電極DE係彼此間隔地形成於層間絕緣層114上。源極電極SE可透過藉由穿透閘極絕緣層113及層間絕緣層114形成之第一接觸孔H1而連接至半導體層SM。源極電極SE係連接至半導體層SM之源極區。汲極電極DE可透過藉由穿透閘極絕緣層113及層間絕緣層114形成之第二接觸孔H2而連接至半導體層SM。汲極電極DE係連接至半導體層SM之汲極區。

保護層115係形成以覆蓋薄膜電晶體TFT之源極電極SE及汲極電極DE。保護層115之頂表面可形成為平坦。

對應至像素PX之第一電極11係形成於保護層115上。第一電極111可透過藉由穿透保護層115形成之第三接觸孔H3而連接至薄膜電晶體TFT之汲極電極DE。第一電極11可界定為像素電極或陽極電極。

界定像素PX之像素定義層PDL係形成於保護層115上。像素定義層PDL包含對應至像素PX，暴露第一電極之開口OP。像素定義層PDL可形成以覆蓋第一電極11之邊界界面，且像素定義層PDL之開口OP可暴露第一電極11之預定區域。像素定義層PDL可由有機絕緣層形成。然而，不受限於此，且可藉由依序堆疊有機層與無機層而形成。

有機發光層12係形成於像素定義層PDL之開口OP中之第一電極上，而第二電極13係形成於像素定義層PDL及有機發光層12上。第二電極13可界定為共同電極或陰極。

第一電極11可由透明電極或反射式電極形成。如果第一電極11係由透明電極形成，則第一電極11可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋅(ZnO)等。如果第一電極11係由反射式電極形成，則第一電極11可包含由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其組合形成之反射層以及由氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋅等形成之透明導電層。

第二電極13可由透明電極或反射式電極形成。如果第二電極13係由透明電極形成，則第二電極13可包含藉由朝向有機發光層12沉積鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)或其組合物形成之層以及以如氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋅等透明導電材料形成於該層上之輔助層。如果第二電極13係由反射式電極形成，則第二電極13可由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)或其 組合物形成。

有機發光層12可以低分子量有機材料或高分子量有機材料形成。有機發光層12可由包含電洞注入層(HIL)、電洞傳送層(HTL)、發光層(EML)、電子傳送層(ETL)以及電子注入層(EIL)之多層形成。如圖所示，電洞注入層(HIL)係設置於第一電極11上，且然後電洞傳送層(HTL)、發光層(EML)、電子傳送層(ETL)以及電子注入層(EIL)可依序形成於第一電極11上。

於第1圖中，有機發光層12係只形成於像素定義層PDL之開口OP中，但不受限於此。例如，電洞注入層(HIL)、電洞傳送層(HTL)、發光層(EML)、電子傳送層(ETL)以及電子注入層(EIL)可形成於開口OP兩側之一些其他區域，且有機發光層12之發光層可形成於開口OP。

第一電極11可為係電洞注入電極之陽極，且第二電極13可為係電子注入電極之陰極。然而，不受限於此，根據有機發光顯示裝置100之驅動方法，第一電極11可變成陰極而第二電極13可為陽極。

有機發光元件10包含第一電極11、有機發光層12以及第二電極13。有機發光元件10可根據電流發出紅光、綠光以及藍光以顯示預定影像資訊。

用以使像素PX之有機發光元件10之有機發光層12發光之驅動電源係由薄膜電晶體TFT施加於第一電極11，且具與驅動電源相反極性之電源係施加於第二電極13。於此例中，注入於有機發光層12中之電洞及電子彼此結合形成激子，且有機發光元件10於激子回到基態時發光。

第3圖係繪示於第1圖之非顯示區之非像素之剖面圖。

參閱第3圖，非像素NPX係形成於基板111之非顯示區NDA上。緩衝層112可形成於基板111上，且閘極絕緣層113可形成於緩衝層112 上。層間絕緣層114可形成於閘極絕緣層113上，且保護層115可形成於層間絕緣層114上。

界定非像素NPX之像素定義層PDL可形成於保護層115上。像素定義層PDL包含對應至非像素NPX之開口。有機層14可形成於對應至非像素NPX之開口中之保護層115上。非像素NPX之有機層14可以與像素PX之有機發光層12相同之材料形成。

非像素NPX不接收用以使有機層14發光之驅動電壓。因此，非像素NPX不被驅動。

第4A圖係當非像素未形成於非像素區時的像素的上部份之大氣狀態圖。

於第4A圖中，任一列之像素的上部分之大氣狀態係如圖所示。為了方便說明，於第4A圖中，只繪示保護層115、像素定義層PDL、有機發光層12及從形成有機發光層12之墨水蒸發之溶劑粒子SOL。

參閱第4A圖，因為有機層不形成於非顯示區NDA上，故不存在從非顯示區NDA蒸發之溶劑粒子SOL。從填入相鄰於顯示區DA之介面的第一像素PX1之開口OP的墨水蒸發之溶劑粒子SOL可移動至鄰近的非顯示區NDA。於此例中，第一像素PX1之上部分的大氣中之溶劑密度變低，且從墨水蒸發之溶劑粒子SOL的數量可增加。因此，填入相鄰於顯示區DA之介面的第一像素PX1之開口OP之墨水之乾燥速度會變快。

第一像素PX1之上部分的大氣中之溶劑密度係未飽和狀態。從填入相鄰於第一像素PX1之第二像素PX2之開口OP之墨水蒸發之溶劑粒子SOL可移動至第一像素PX1。然而，因為蒸發的溶劑粒子SOL存在於第一像素PX1之上部分的大氣中，故少於從第一像素PX1之上部份之大氣中移動至相鄰之非顯示區NDA之溶劑粒子SOL數量的溶劑粒子可從第二像素 PX2之上部份之大氣中移動至從第一像素PX1之上部份大氣中。於此例中，第二像素PX2之上部份之大氣中的溶劑密度可高於第一像素PX1之上部份之大氣中的溶劑密度。

關於大氣狀態，第三像素PX3之上部份之大氣中的溶劑密度可高於第二像素PX2之上部份之大氣中的溶劑密度。通常，被蒸發的粒子在大氣中可達飽和狀態。亦即，被蒸發的粒子可達溶劑密度增加，且而後不再增加之飽和狀態。

當從顯示區DA之介面接近顯示區DA之中心時，像素PX之上部份之大氣中之溶劑密度變高且於預定區域可達飽和。如第4A圖所示，來自第四像素PX4之上部份之大氣區SA之溶劑密度可達飽和。因此，存在於自第四像素PX4至顯示區DA之中心之像素PX中墨水的乾燥速度可彼此相同。然而，於第一像素自第三像素PX1至PX3中墨水之乾燥速度可不同於存在於自第四像素PX4至顯示區DA之中心之像素PX中墨水的乾燥速度。

如上述所示，由於填入開口OP之墨水之乾燥速度之偏差，可能發生有機發光層之厚度偏差。介於第一像素PX1之有機發光層12與存在於從第四像素PX4至顯示區DA之中心的像素PX之有機發光層12間的厚度差異可為最大。如果有機發光層12之厚度偏差達最大，則可能發生輝度偏差。

第4B圖係當非像素形成於非像素區時的像素及非像素的上部份之大氣狀態圖。

於第4B圖，任一列之像素及非像素的上部分之大氣狀態係如圖所示。為了方便說明，於第4B圖，只繪示保護層115、像素定義層PDL、有機發光層12、有機層14及從形成有機發光層12及有機層14之墨水蒸發 之溶劑粒子SOL。

參考第4B圖，像素PX之有機發光層12及非像素NPX之有機層14可同時以相同方法及相同材料形成。如圖所示，像素PX之有機發光層12及非像素NPX之有機層14可同時由噴墨印刷法形成。

開口OP係由噴墨印刷法填入墨水，且然後溶劑被蒸發以形成有機發光層12及有機層14。

非顯示區NDA之非像素NPX包含三個非像素NPX1至NPX3。從填入第一非像素NPX1之開口之墨水蒸發之溶質粒子SOL可移動至非像素未形成之左側區域。於此例中，於第一非像素NPX1的上部分之大氣中之溶劑密度變低，且溶劑粒子SOL的數量可增加。因此，填入第一非像素NPX1之開口之墨水之乾燥速度可增加。

在第一非像素NPX1之上部分的大氣中之溶劑密度係未飽和狀態。從填入相鄰於第一非像素NPX1之第二非像素NPX2之開口OP之墨水蒸發之溶劑粒子SOL可移動至鄰近的第一非像素NPX1。然而，因為蒸發的溶劑粒子SOL存在於第一非像素NPX1之上部分的大氣中，故少於從第一非像素NPX1之上部份之大氣中移動至左側區域之溶劑粒子SOL數量的溶劑粒子可從第二非像素NPX2之上部份之大氣中移動至第一非像素NPX1之上部份之大氣中。於此例中，在第二非像素NPX2之上部份之大氣中的溶劑密度可高於在第一非像素NPX1之上部份之大氣中的溶劑密度。

關於大氣狀態，在第三非像素NPX3之上部份之大氣中的溶劑密度可高於在第二非像素NPX2之上部份之大氣中的溶劑密度。通常，被蒸發的粒子在大氣中可達飽和狀態。亦即，被蒸發的粒子可達溶劑密度增加，且而後不再增加之飽和狀態。因此，當從非顯示區NDA接近顯示區DA之介面時，大氣中之溶劑密度變高。

非像素NPX的數量被設定為在顯示區DA之介面的像素之上部分之大氣中的溶劑密度可飽和的數量。如圖所示，如第4B圖所示，在三個非像素NPX1至NPX3之上部分之大氣中的溶劑密度增加，且然後來自設置於顯示區DA的介面之第一像素PX1之大氣區之溶劑密度可達飽和。亦即，在顯示區DA之像素PX的上部分之於大氣中之溶劑密度藉由填入對應於非像素NPX之開口OP之墨水可達飽和。

因為在顯示區DA之像素PX的上部分之大氣中之溶劑密度係飽和，故在顯示區DA之像素PX的上部分之大氣中之溶劑密度可變均勻。在於顯示區DA之像素PX的上部分之大氣中之溶劑密度變均勻的例子中，可減少填入顯示區DA之開口OP之墨水的乾燥偏差。因此，可減少有機發光層12之厚度偏差且可減少像素PX之輝度偏差。

因此，根據發明概念之一些實施例之有機發光顯示裝置100可減少輝度偏差。

雖然非顯示區NDA之非像素NPX如繪示包含三個非像素NPX1至NPX3，像素NPX的數量不受限於此。於不使用非像素NPX的例子中，當顯示面板110之尺寸變大時，存在於顯示面板110之介面像素PX之上部分之大氣中之溶劑密度與存在於顯示面板110中心的像素PX之上部分之大氣中的溶劑密度間之偏差可變大。因此，當顯示面板110之尺寸變大，用以使顯示區DA之像素PX的上部份之大氣中溶劑密度飽和之非像素NPX的數量可增加。

第5A圖至第5D圖係繪示於第1圖之非像素之多種實施例之圖。為了方便說明，於第5A圖至第5D圖中，繪示排成兩列五行之六個非像素與四個像素。然而，非像素與像素之數量不受限於此，且非像素之數量可與像素數量相同。

參閱第5A圖至第5D圖，如果非像素NPX可使顯示區DA之像素PX的上部份之大氣中的溶劑密度飽和。非像素NPX可以各種形式形成。

例如，如第5A圖所示，非像素NPX之尺寸可實質上相同於像素PX之尺寸。同樣地，非像素NPX間之距離D1可實質上相同於像素PX間之第一距離D1。

如第5B圖所示，非像素NPX之尺寸可實質上相同於像素PX之尺寸。非像素NPX間之第二距離D2及第三距離D3可小於像素PX間之距離D1。非像素NPX之第二距離D2及第三距離D3可隨著距顯示區DA之介面的距離變大而變小。例如，第三距離可小於第二距離。

如第5C圖所示，非像素NPX之尺寸可大於像素PX之尺寸。非像素NPX間之距離D1可實質上相同於像素PX間之第一距離D1。

如第5D圖所示，非像素NPX之尺寸可大於像素PX之尺寸，且非像素NPX之尺寸可隨距顯示區DA之介面的距離變大而變大。非像素NPX間之第二距離D2及第三距離D3可小於像素PX間之第一距離D1。非像素NPX間之第二距離D2及第三距離D3可隨距顯示區DA之介面的距離變大而變小。例如，第三距離D3可小於第二距離D2。

至少一揭露的實施例可減少有機發光顯示裝置之輝度偏差。

雖然已繪示及說明本發明概念之一些實施例，對於技術領域中具通常知識者而言，在未脫離由下列申請專利範圍及其等效物所定義範疇之本發明概念之原則與精神下，對這些實施例進行各種改變皆為可行。所以，上述揭露之技術特徵被認為係說明性質，而非限制。

100‧‧‧有機發光顯示裝置

110‧‧‧顯示面板

DA‧‧‧顯示區

NDA‧‧‧非顯示區

PX‧‧‧像素

NPX‧‧‧非像素

Claims (12)

1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一顯示面板，係包含一顯示區及一非顯示區，其中該顯示區包含配置以顯示一影像之複數個像素，且其中該非顯示區係形成於該顯示區之一外圍區且包含複數個非像素，其中該顯示面板更包含：一基板，該複數個像素及該複數個非像素係形成於其中；一像素定義層，包含對應至該複數個像素及該複數個非像素之複數個開口，其中該像素定義層係形成於該基板上；複數個有機發光元件，係形成於對應至該複數個像素之該複數個開口且配置以回應對應之驅動電壓產生光，該複數個有機發光元件中的每一個有機發光元件包含一第一電極、一第二電極及在該第一電極與該第二電極之間之一第一有機層；以及複數個第二有機層，係形成於對應該複數個非像素之該複數個開口，其中該複數個第二有機層不接收該驅動電壓，其中該第一有機層與該基板間的距離大於各該第二有機層與該基板間的距離。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該非顯示區更包含形成於該基板上之一保護層，其中該像素定義層係形成於該保護層上，且其中該複數個第二有機層係形成於對應該複數個非像素之該複數個開口中之該保護層上。
3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該顯示區更包含：複數個薄膜電晶體，係配置以分別施加對應之該驅動電壓至該複數個像素之該複數個有機發光元件，其中該複數個薄膜電晶體係形成於該基板上；以及一保護層，係形成於該基板上以覆蓋該複數個薄膜電晶體。
4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中各該薄膜電晶體係透過一接觸孔而電性連接至個別之該有機發光元件。
5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中各該有機發光元件中之該第一電極透過該接觸孔而電性連接至該薄膜電晶體；其中該第一電極之一預定區係藉由該開口暴露，且其中該第一有機層係形成於該開口中之該第一電極上。
6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個第二有機層及該複數個第一有機層係以相同材料形成。
7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素定義層係以一有機絕緣層形成。
8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素定義層係形成以具有一無機絕緣層與一有機絕緣層之一多層結構。
9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個非像素之尺寸係實質上相同於該複數個像素之尺寸，且其中該複數個非像素間之距離係實質上相同於該複數個像素間之距離。
10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個非像素之尺寸係實質上相同於該複數個像素之尺寸，其中該複數個非像素間之距離係小於該複數個像素間之距離，且其中該複數個非像素間之距離係隨該複數個非像素距該顯示區之一介面越遠時越小。
11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個非像素之尺寸係大於該複數個像素之尺寸，且其中該複數個非像素間之距離係實質上相同於該複數個像素間之距離。
12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個非像素之尺寸係大於該複數個像素 之尺寸，其中該複數個非像素之尺寸係隨著距該顯示區之一介面的距離而變大，其中該複數個非像素間之距離係小於該複數個像素間之距離，且其中該複數個非像素間之距離隨該複數個非像素距該顯示區之該介面越遠時越小。