TWI600974B - 微影投影曝光設備的光學系統 - Google Patents
微影投影曝光設備的光學系統 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI600974B TWI600974B TW103102541A TW103102541A TWI600974B TW I600974 B TWI600974 B TW I600974B TW 103102541 A TW103102541 A TW 103102541A TW 103102541 A TW103102541 A TW 103102541A TW I600974 B TWI600974 B TW I600974B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- polarization
- optical system
- optical
- optical element
- distribution
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Description
本申請案主張2013年1月24日申請之德國專利申請案DE 10 2013 201 133.4之優先權。本申請案之內容以引用方式併入本文中。
本發明係關於一種微影投影曝光設備之光學系統。特別是,本發明係關於一微影投影曝光設備之光學系統,在提供一所欲之偏極化分佈時能增加靈活性。
微影製程係用於製造微結構組件,例如像是:積體電路或液晶顯示器(LCD)。微影製程係以包含一照明裝置及一投影透鏡之所謂投影曝光設備進行。在此情形下,藉由該照明裝置照明之一遮罩(即主光罩)之影像藉由該投影透鏡投影在一基板(例如一矽晶圓)上,該基板塗佈有光敏層(光阻劑)並配置在該投影透鏡的影像平面上,以將該遮罩結構轉移至該基板之光敏塗層上。
在操作微影投影曝光設備期間,需要有目標地設定明確之照
明設置,即:在該照明裝置之光瞳面中之強度分佈。為此目的,除使用繞射光學元件(即所謂的DOEs)外,亦已知可使用鏡配置,例如:WO 2005/026843 A2中所述。此種鏡配置包含多個可彼此獨立地設定之微鏡。
此外,已知為達成像對比度最佳化之目的,有各種方法用於在照明裝置中有目標地設定光瞳面及/或主光罩中的特定偏極化分佈。特定而言,在該照明裝置及投影透鏡兩者中針對高對比成像設定切向偏極化分佈係已知的。「切向偏極化」(或「TE偏極化」)經了解係意指其中該等個別經線性偏極化光線之電場強度向量之振動平面大致垂直於指向該光學系統軸之半徑定向之偏極化分佈。相比之下,「徑向偏極化」(或「TM偏極化」)經了解係意指其中該等個別經線性偏極化光線之電場強度向量之振動平面大致相對於該光學系統軸徑向地定向之偏極化分佈。
關於先前技術,本文參照例如WO 2005/069081 A2、DE 10 2010 029 905 A1及DE 10 2010 029 339 A1。
本發明之目標係提供一種微影投影曝光設備之光學系統,其使得可以相對小之花費提供一所欲之偏極化分佈。
本目標係藉由根據獨立之申請專利範圍第1項之特徵之光學系統來達成。
一微影投影曝光設備之光學系統包含:至少一鏡配置具有複數個鏡元件,該等鏡元件可彼此獨立地調整以改
變由該鏡配置反射之光的一角度分佈;及一偏極影響光學元件,其針對具有一連續線性或圓形輸入偏極化分佈之入射光而產生一輸出偏極化分佈,該輸出偏極化分佈具有在該光束橫截面上連續地變化之一偏極化方向。
本發明首先尤其係基於將具有可相互獨立調整之鏡元件之一鏡配置與由一偏極化影響光學元件產生之一連續變化偏極化方向組合的概念,其結果係對於由該鏡配置之該等鏡元件導向進入一下游平面(尤其是該光學系統之光瞳面)之個別「光通道」,根據用於該相關光通道之偏極化影響光學元件之該個別偏極化影響效應而設定一相應之偏極化狀態。在此情形下,該偏極化影響光學元件本身以製造工程之觀點而言可相對簡單地實現,其中特別是可避免製造上複雜之厚度輪廓。此外,可避免出現在分段之偏極化影響光學元件中之間隙及其所造成的問題(例如:光損失)。
根據一實施例,該偏極化影響光學元件具有平行平面之幾何,其優勢為特別簡單且因此製造上相對地具成本效益。
根據一實施例,該偏極化影響光學元件具有線性雙折射,其具有在該光學有效表面上變化之雙折射之快軸的方向。
根據一實施例,該光學系統具有一光學系統軸,其中該偏極化影響光學元件之雙折射之快軸方向相對於該光學系統軸在一方位角方向上變化。
根據一實施例,該偏極化影響光學元件具有一延遲,其在該光學有效表面上絕對值係不變的。
該延遲尤其可係λ/2或λ/4,其中λ表示該光學系統之操作
波長。
根據一實施例,該偏極化影響光學元件具有一楔形截面幾何形狀。亦類似於具有平行平面幾何之組態之此組態的優勢為特別簡單且因此製造上相對地具成本效益。
根據一實施例,該偏極化影響光學元件係由光學主動材料製造。
根據一實施例,該光學系統進一步具有一補償器元件,其具有與該偏極化影響光學元件互補之幾何,以補償由該偏極化影響光學元件所造成之射線偏移。
根據一實施例,該光學系統進一步具有一偏極化影響光學配置,其由可相對於彼此以一重疊程度調整之複數個光學組件構成,該重疊程度在該光傳播方向上係可變的,其中不同之輸出偏極化分佈可藉由此種調整配合該鏡配置及該偏極化影響光學元件來產生。
使用此一額外之偏極化影響光學配置首先具有如以下更加詳細解釋之結果:配合該偏極化影響光學元件,在光瞳面最終需要之不同之偏極化方向的範圍中,該偏極化影響光學元件本身(例如考量一特定楔角)不再必須完全提供該個別角度範圍,因為若在結合由該偏極化影響光學配置所造成之額外偏極化旋轉下包含了該偏極化旋轉角度之所需範圍,則其已滿足所需。另一優點為(同樣將更加詳細說明)其亦可設定偏極化照明設置,其中照明區域在光瞳面上係彼此間隔開來(例如:雙極或四極照明設置),其具有實質上無光損失之所需(例如:準切向)偏極化分佈。
根據一實施例,該通過之光之較佳偏極化方向的不同偏極化
旋轉角度可藉由此調整設定。該等偏極化旋轉角尤其可對應於22.5°之整數倍數,尤其是45°之整數倍數。
根據一實施例,在該光束截面積上由該偏極化影響光學元件所產生之一偏極化旋轉角係最大值45°。
根據一實施例,在該鏡配置及該偏極化影響光學元件之至少一組態中之該輸出偏極化分佈係一至少大約切向偏極化分佈或一至少大約徑向偏極化分佈。
根據一實施例,在該光學系統之一光瞳面中產生之一照明設置係一環狀照明設置、一雙極照明設置或一四極照明設置。
本發明進一步係關於一微影投影曝光設備,及一種用於微影地製造微結構組件之方法。
本發明之進一步組態可由發明說明及隨附之申請專利範圍獲得。
1‧‧‧光源單元
10‧‧‧照明裝置
11‧‧‧光學單元
12‧‧‧偏轉鏡
14‧‧‧透鏡元件群組
15‧‧‧REMA透鏡
20‧‧‧投影透鏡
30‧‧‧結構承載遮罩(主光罩)
40‧‧‧基板
110‧‧‧偏極化影響光學元件
200‧‧‧鏡配置
205‧‧‧驅動單元
210‧‧‧偏極化影響光學元件
211‧‧‧偏極化影響光學元件
212‧‧‧偏極化影響光學元件
300‧‧‧傅立葉光學單元
310‧‧‧偏極化影響光學元件
411‧‧‧偏極化影響光學元件
412‧‧‧偏極化影響光學元件
510‧‧‧偏極化影響光學元件
610‧‧‧偏極化影響光學元件
710‧‧‧偏極化影響光學元件
751‧‧‧光學組件
752‧‧‧光學組件
753‧‧‧光學組件
OA‧‧‧光學系統軸
P1‧‧‧切向偏極化分佈
以下基於在隨附圖示中說明之示例性實施例更詳細地解釋本發明。
圖1顯示用於說明根據本發明之一實施例之一光學系統之構造及功能的圖解說明;圖2a-c顯示用於說明用於圖1之該光學系統之一偏極光影響光學元件之不同實施例的圖解說明;圖3-6顯示用於說明根據本發明之一光學系統之進一步實
施例的圖解說明;圖7a-f顯示用於說明根據本發明之一光學系統之構造及功能的圖解說明,其具有額外之偏極化影響光學配置;及圖8顯示用於說明根據本發明之一實施例之具有一偏極化影響光學元件之微影投影曝光設備之構造的圖解說明。
下文中,如本發明之包含一光學系統之一微影投影曝光設備之一基本構造首先將參考圖8說明。該投影曝光設備包含一照明裝置10及一投影透鏡20。該照明裝置10以來自一光源單元1之光照射一結構承載遮罩(主光罩)30,該光源單元包含例如用於193nm之操作波長之一ArF準分子雷射及一光束成形光學單元,其產生一平行光束。一般而言,該照明裝置10及該投影透鏡20較佳地經設計用於少於400nm,特定而言少於250nm,更特定而言少於200nm之操作波長。
根據本發明,該照明裝置10之部份特定而言係一鏡配置200,如以下參考圖2將更加詳細說明之。根據圖1,該鏡配置200具有複數個鏡元件,其等可針對改變由該鏡配置200所反射之光之角度分佈的目的而彼此獨立地調整,可供給一驅動單元205來驅動此調整(例如:藉由合適之致動器)。
一偏極化影響光學配置110經配置在該光傳播方向上之該鏡配置200之上游,其在以下參考圖1及後續各圖將更詳細地說明。
該照明裝置10具有一光學單元11,在所說明之示例中除其
他元件之外包含一偏轉鏡12。在該光傳播方向上之該光學單元11的下游中,位於該光束路徑上存在有一光混合裝置(未圖示),其可例如以本身已知之方式具有適宜達成光混合之微光學元件的一配置,以及一透鏡元件群組14,其下游設有具一主光罩遮蔽系統(REMA)之場平面,其以置放於光傳播方向下游之一REMA透鏡15成像在該結構承載遮罩(主光罩)30上,該結構承載遮罩30係配在另一場平面上,並因此界定該主光罩上之照明區域。該結構承載遮罩30藉由該投影透鏡20成像在具有一光敏層之一基板40或一晶圓上。該投影透鏡20尤其可經設計用於浸潤式操作。此外,其可具有大於0.85,特定而言大於1.1之數值孔徑NA。
首先,根據本發明之一偏極化影響光學元件110之一第一實施例及其與該鏡配置200之相互作用係在以下參考圖1說明。
根據圖1之偏極化影響光學元件110具有含雙折射分佈之線性雙折射,其中在該元件110之光學有效表面上之該雙折射的絕對值在該示例性實施例中具有λ/2之常數值(其中λ表示該光學系統之操作波長),且其中該雙折射之快軸之方向(以短線表示)在該光學有效表面上連續地變化,如以下參考圖2a-c更加詳細地說明。
在該特定示例性實施例中,該偏極化影響光學元件110係一平行平面之板,其由石英玻璃組成(SiO2),其中該線性雙折射分佈係藉由施加至該板之外部機械壓力之應力雙折射所產生。此外,如圖2a所圖解說明,由該外部壓力所產生之該線性雙折射分佈在該示例性實施例中相對於該光學系統軸OA具有一方位角剖面(在所述之座標系統中朝z方向行進)。
在另一示例性實施例中,如圖2b所示,此一線性雙折射分
佈亦可由在一光學未使用區域中所產生之輻射誘導缺陷所生成。本方法係基於有目標地以(尤其)紅外線輻射照射一非晶形材料(例如:石英玻璃SiO2)之理解,其可在該材料中產生由該輻射誘導缺陷所造成之一線性雙折射,該雙折射也在未直接照射之區域中形成,因而輻射誘導缺陷亦可在完全未光學地使用之區域中產生。在此情況下,藉由合適之該等輻射誘導缺陷之配置,在此產生之該雙折射之快軸之局部分佈可有目標地設定。在此範圍下,所進行之研究已顯示例如可高度精確地設定大於10nm每公分材料路徑之延遲值(即,相互正交或垂直偏極化狀態下該光學路徑長度之不同)。若該操作波長係大約193nm,舉例而言,λ/2之一延遲對應於約96.5nm,且因此對應於小於9cm之一所需材料路徑,其可由所說明之一或複數個偏極化影響光學元件101提供。
根據圖2b,在本發明未受限於此下,可在中央或徑向內部第一區域中及一徑向外部環狀第二區域中實行上述輻射誘導缺陷之製造,以在該介入區域中產生所需之線性雙折射。
再次參考圖1,考量上述之線性雙折射分佈,對於通過光,該偏極化影響光學元件110造成該原始連續線性輸入偏極化之一旋轉,該旋轉在該元件110之光學有效表面上連續地變化,該電場強度向量之個別振動方向在圖1中僅以雙向箭頭圖解表示。
自該偏極化影響光學元件110生成之光接著照射在該鏡配置200上並以依該等個別鏡元件之傾斜位置而定之不同角度反射,及經由一下游傅立葉光學單元300導向進入該照明裝置之光瞳面內,在其處產生之該切向偏極化分佈以P1指示並在圖1中圖解表示。
在另一示例性實施例中(未圖示),該偏極化影響光學元件110亦可配置於光傳播方向上之該鏡配置200的下游上。
本發明未限於照射在該偏極化影響光學元件110上之光之連續線性輸入偏極化,如圖1中示例性實施例中所選。在另一示例性實施例中,如圖3及圖2c所示,一所需(再次地尤其是切向)輸出偏極化分佈之類似於圖1之產生亦可由圓形輸入偏極化(在圖3中圖示出)來產生,其中在此例中該偏極化影響光學元件310具有雙折射之絕對值λ/4(再次,在該光學有效表面上為常數),且其中該雙折射之快軸方向(同樣類似於參照圖1描述之實施例)相對於該光學系統軸OA在方位角方向上變化。此在圖2c中圖解說明之,其中在此再次藉由產生在一光學未使用區域中之輻射誘導缺陷而造成類似於圖2b之相關雙折射分佈。在另一示例性實施例中(未圖示),此雙折射分佈亦可藉由以類似於圖2a之方式施加外部壓力所產生之一應力雙折射來造成。
考量在該偏極化影響光學元件之光學有效表面上之雙折射快軸變化週期,此週期可對應於根據圖4a針對所述之一示例性元件411之該鏡配置200之尺寸,或者可小於根據圖4b針對一不同之偏極化影響光學元件412之該鏡配置200之尺寸。
以下參考圖5描述一偏極化影響光學元件510之進一步實施例及其與該鏡配置200之相互作用。
根據圖5,一偏極化影響光學元件510具有楔形截面形狀幾何,且由光學活性材料製造(在該示例性實施例中,由具有與該光學系統軸OA或z方向平行之光學結晶軸之定向的結晶石英製成)。同樣在此情形
下,在圖5之配置之一修正中,該偏極化影響光學元件510亦可替代地配置於光傳播方向上之該鏡配置200的下游。
如再次藉助圖5之雙向箭頭指示,考量光學活性,針對原始連續線性偏極化之通過光,元件510造成以與該光通過之光學有效材料之厚度成比例之一偏極化旋轉角之一偏極化旋轉。因此,針對由該元件510所造成之光,再次產生類似於圖1之連續變化之偏極化方向,其中(同樣類似於圖1)於接著照射在該鏡配置200之鏡元件上後,相應地不同之偏極化光通道經由下游之傅立葉光學單元300依該鏡配置200之鏡元件的傾斜角而定導向進入該光瞳面中。
因此,根據圖5中之示例性實施例,在該光瞳面中再次產生一切向偏極化分佈P1。
以下參照圖6及圖7a至7f描述本發明之進一步實施例。
根據圖7a至7f之構造不同於圖5之構造,其中除了以楔形截面形狀方式由光學活性材料製造之一偏極化影響光學元件710以及該鏡配置200外,亦提供由複數個光學組件751、752、753構成之另一偏極化影響光學配置,該等光學組件可相對於彼此以在光傳播方向(即z方向)上變化之重疊度調整。
在該特定示例性實施例中,該相關組件751、752及753同樣由光學活性材料製成(尤其是具有平行於該光學系統軸OA行進之光學結晶軸之方向的結晶石英),其中該等組件751至753中每一者具有一平行平面之幾何,其厚度係使得線性偏極化入射光之偏極化方向在通過該等組件之個別一者後以45°角旋轉。因此,取決於該等組件751至753之重疊度,
對於個別地通過之一光束,在通過兩個組件後形成90°之偏極化旋轉角,且在通過三個組件後形成約135°之偏極化旋轉角。
如之後圖7b至f所示,可藉由改變該偏極化影響光學配置之組件751、752及753之位置,配合偏極化影響光學元件710及該鏡配置200來設定不同之偏極化照明設置,其中僅作為示例用,圖7b指出具有在y方向上彼此相對之照明桿(在各情況中具有x偏極化)之雙極照明設置之製造,圖7c指出具有在x方向上彼此相對之照明桿(在各情況中具有y偏極化)之雙極照明設置之製造,圖7d指出一四極照明設置之製造(具有x-y偏極化),圖7e指出具有分別相對於x及y方向在45°定向之一偏極化方向的一類星體照明設置之製造,及圖7f指出具有切向偏極化之一環狀照明設置之製造。在此情況下,圖7b-e中之照明設置在每種情況下可指明為準切向偏極化照明設置。
可藉由該偏極化影響光學配置750靈活地設定之額外的偏極化旋轉首先具有以下結果:配合該偏極化影響光學元件710(在圖7a至7f中,其楔形方向以「WD」標明之箭號表示),對於光瞳面最終需要之一範圍之不同偏極化方向,不再需要該偏極化影響光學元件710本身考量其楔角而完全提供個別之角度範圍。
在特定之示例性實施例中,此意指一最大偏極化旋轉(在該偏極化影響光學元件710之範圍上形成)結合上述之額外的偏極化旋轉在考量45°、90°或135°之偏極化影響光學配置下係足以涵蓋在該光瞳面上由0°至180°之一連續範圍之偏極化旋轉角度。此在圖6之圖解說明中指出(該偏極化影響光學配置之組件751、752及753為簡化起見未在此說明)。
上述參考圖7a至7f之實施例具有以下進一步優點:也可設定具有在光瞳面中彼此間隔開之照明區域的偏極化照明設置(例如:雙極或四極照明設定),其具有實質上無光損件之所需(例如:準切向)偏極化分佈。此優點來自此事實:對比於圖1-5所述之實施例,不必從一開始就產生相同之比例之每一偏極化狀態。
在參考圖7a至7f所述之實施例中,在具有該偏極化影響光學元件之組件751、752及753及由光學活性材料(尤其是具有平行於該光學系統軸OA行進之光學結晶軸之方向的結晶石英)製成之偏極化影響光學元件710兩者之組態的例子中,沿著該光學系統軸OA或該光傳播方向(z方向)上之該偏極化影響光學配置之組件751、752及753、該偏極化影響光學元件710及該鏡配置200之順序原則上係可變的。
然而,以上參照圖7a至7f所述之概念未受限於以光學活性材料實現之該偏極化影響光學配置之組件751至753。在進一步之實施例中,結合由光學活性結晶材料製成之偏極化影響光學元件之組態(即,類似於圖5),該等組件也可使用線性雙折射或作為延遲器來實現(特別是作為λ/2平板),其中在此例中該等組件751-753相對於該光傳播方向係定位於該偏極化影響光學元件之上游,以在光進入該等組件751至753時,未存在偏極化之變化方向。
此外,結合由光學活性材料製得之該偏極化影響光學配置之該等組件751至753之組態,由上述之示例性實施例起始,該偏極化影響光學元件710之組態亦可類似於圖1實施,即使用具有該雙折射分佈之快軸之變化方向的線性雙折射。
在參考圖7a至7f所述之實施例中,在具有該偏極化影響光學配置之組件751、752及753及由光學活性材料(尤其是具有平行於該光學系統軸OA行進之光學結晶軸之方向的結晶石英)製成之偏極化影響光學元件710兩者之組態的例子中,沿著該光學系統軸OA或該光傳播方向(z方向)上之該偏極化影響光學配置之組件751、752及753、該偏極化影響光學元件710及該鏡配置200之順序原則上係可變的。
在本發明之進一步組態中,在根據本發明之光學系統中,在上述之每一實施例中,也可使用額外之旋轉器(例如一90°旋轉器或一45°旋轉器)用來製造由該光源產生之光之偏極化之方向的一額外(總體)旋轉,以獲得(若適用)依特定應用狀況而定之光學系統之性能的進一步最佳化。
儘管已根據特定實施例描述本發明,藉由例如組合及/或交換個別實施例之特徵,各種變化及替代性實施例對本技術領域具通常知識者係顯而易見的。因此,不言可喻,對於本技術領域具通常知識者而言,本發明隨之而來包含此等變化及替代性實施例,且本發明之範疇僅受限於所隨附之申請專利範圍及其等效物之涵義。
110‧‧‧偏極化影響光學元件
200‧‧‧鏡配置
300‧‧‧傅立葉光學單元
OA‧‧‧光學系統軸
P1‧‧‧切向偏極化分佈
Claims (18)
- 一種微影投影曝光設備之光學系統,其包含:至少一鏡配置(200),其具有複數個鏡元件,該等鏡元件可針對改變藉由該鏡配置反射之光的角度分佈而彼此獨立地調整;及一偏極化影響光學元件(110、210-212、310、411、412、510、610、710)係組態成,當具有一不變地線性偏極化或圓形輸入偏極化分佈之一光線照射在該偏極化影響光學元件,該偏極化影響光學元件產生具有一輸出偏極化分佈的一光束,該輸出偏極化分佈具有在該光束截面上連續變化之偏極化方向;其中該偏極化影響光學元件(110、210-212、310、411、412)具有一平行平面幾何或一楔形截面形狀幾何。
- 如申請專利範圍第1項之光學系統,其特徵為該偏極化影響光學元件(110、210-212、310、411、412)具有線性雙折射,該線性雙折射具有在該光學有效表面上變化之雙折射之快軸的一方向。
- 如申請專利範圍第2項之光學系統,其特徵為該光學系統具有一光學系統軸(OA),其中該偏極化影響光學元件(110、210-212、310、411、412)之雙折射之快軸的方向相對於該光學系統軸(OA)在一方位角方向上變化。
- 如前述申請專利範圍第1項之光學系統,其特徵為該偏極化影響光學元件(110、210-212、310、411、412)具有在該光學有效表面上絕對值不 變的一延遲。
- 如申請專利範圍第4項之光學系統,其特徵為該延遲為λ/2,其中λ表示該光學系統之操作波長。
- 如申請專利範圍第4項之光學系統,其特徵為該延遲為λ/4,其中λ表示該光學系統之操作波長。
- 如申請專利範圍第6項之光學系統,其特徵為該偏極化影響光學元件(510、610、710)係由光學活性材料製造。
- 如申請專利範圍第6項或第7項之光學系統,其特徵為該光學系統另外具有一補償器元件,該補償器元件具有與該偏極化影響光學元件互補之幾何,以補償由該偏極化影響光學元件(510、610、710)所造成之射線偏移。
- 如前述申請專利範圍第1項之光學系統,其特徵為該光學系統另外具有由複數個光學組件(751、752、753)構成之一偏極化影響光學配置(750),該等光學組件可以在該光傳播方向上可變化之重疊度來相對於彼此調整,其中不同之輸出偏極化分佈可藉由此調整並配合該鏡配置(200)及該偏極化影響光學元件(710)產生。
- 如申請專利範圍第9項之光學系統,其特徵為可藉由此調整設定通過光之優選偏極化方向之不同偏極化旋轉角度。
- 如申請專利範圍第10項之光學系統,其特徵為該偏極化旋轉角對應於22.5°之整數倍數。
- 如前述申請專利範圍第1項之光學系統,其特徵為在該光束橫截面上由該偏極化影響光學元件(710)所產生之一偏極化旋轉角係一最大值45°。
- 如前述申請專利範圍第1項之光學系統,其特徵為在該鏡配置(200)及該偏極化影響光學元件(110、210-212、310、411、412、510、610、710)之至少一組態中之該輸出偏極化分佈係至少一大約切線偏極化分佈或一至少大約徑向偏極化分佈。
- 如前述申請專利範圍第1項之光學系統,其特徵為在該光學系統之一光瞳面中產生之一照明設置係一環狀照明設置、一雙極照明設置或一四極照明設置。
- 如前述申請專利範圍第1項之光學系統,其中:該偏極化影響光學元件具有一第一表面和一第二表面,其位於該偏極化影響光學元件的對向側邊上;該偏極化影響光學元件係組態成,使得在該光學系統的使用過程中,該光線在該偏極化影響光學元件的該第一表面上具有一不變地線性偏極化分佈或一圓形輸入偏極化分佈;及該偏極化影響光學元件係組態成,使得在該光學系統的使用過程中,該光束具有一輸出偏極化分佈,其具有一偏極化方向從該偏極化 影響光學元件的該第二表面出現的該光束的橫截面上連續變化。
- 如前述申請專利範圍第1項之光學系統,其中該偏極化影響光學元件包含石英。
- 一種微影投影曝光設備,其包含一照明裝置及一投影透鏡,其中該照明裝置(10)及/或該投影透鏡(20)具有如前述申請專利範圍中任一項之一光學系統。
- 一種用於微影地製造微結構組件之方法,其包含以下步驟:提供一基板(40),由一光敏材料構成之一層係至少部份地施加於其上;提供一遮罩(30),其具有欲成像之結構;提供如申請專利範圍第17項之一微影投影曝光設備;及藉助該投影曝光設備在該層之一區域上投影該遮罩(30)之至少一部份。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013201133.4A DE102013201133A1 (de) | 2013-01-24 | 2013-01-24 | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201443574A TW201443574A (zh) | 2014-11-16 |
TWI600974B true TWI600974B (zh) | 2017-10-01 |
Family
ID=51064502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103102541A TWI600974B (zh) | 2013-01-24 | 2014-01-23 | 微影投影曝光設備的光學系統 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9405202B2 (zh) |
JP (1) | JP2016510425A (zh) |
KR (1) | KR101980939B1 (zh) |
DE (1) | DE102013201133A1 (zh) |
TW (1) | TWI600974B (zh) |
WO (1) | WO2014114494A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7240162B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2023-03-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及び物品の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080192225A1 (en) * | 2005-04-20 | 2008-08-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection Exposure System, Method For Manufacturing a Micro-Structured Structural Member by the Aid of Such a Projection Exposure System and Polarization-Optical Element Adapted for Use in Such a System |
US20110228247A1 (en) * | 2010-03-22 | 2011-09-22 | Heine Melle Mulder | Illumination system and lithographic apparatus |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005026843A2 (en) | 2003-09-12 | 2005-03-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
US7414786B2 (en) * | 2004-01-12 | 2008-08-19 | University Of Rochester | System and method converting the polarization state of an optical beam into an inhomogeneously polarized state |
KR101099913B1 (ko) | 2004-01-16 | 2011-12-29 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
JP5067162B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2012-11-07 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
US7525642B2 (en) | 2006-02-23 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102007043958B4 (de) * | 2007-09-14 | 2011-08-25 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102010029339A1 (de) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
DE102010029905A1 (de) | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US9599905B2 (en) | 2011-06-07 | 2017-03-21 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, device production method, and light polarization unit |
FR2978218B1 (fr) | 2011-07-22 | 2013-08-23 | Snecma | Dispositif d'anti-rotation pour ecrou de grande taille |
CN104220931B (zh) | 2012-03-29 | 2016-10-12 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 补偿微光刻投射曝光系统的通道缺陷的设备及方法 |
DE102012205045A1 (de) | 2012-03-29 | 2013-10-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
-
2013
- 2013-01-24 DE DE102013201133.4A patent/DE102013201133A1/de not_active Ceased
-
2014
- 2014-01-09 KR KR1020157017893A patent/KR101980939B1/ko active IP Right Grant
- 2014-01-09 JP JP2015554099A patent/JP2016510425A/ja active Pending
- 2014-01-09 WO PCT/EP2014/050261 patent/WO2014114494A1/en active Application Filing
- 2014-01-23 TW TW103102541A patent/TWI600974B/zh active
-
2015
- 2015-06-12 US US14/737,965 patent/US9405202B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080192225A1 (en) * | 2005-04-20 | 2008-08-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection Exposure System, Method For Manufacturing a Micro-Structured Structural Member by the Aid of Such a Projection Exposure System and Polarization-Optical Element Adapted for Use in Such a System |
US20110228247A1 (en) * | 2010-03-22 | 2011-09-22 | Heine Melle Mulder | Illumination system and lithographic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101980939B1 (ko) | 2019-08-28 |
KR20150092285A (ko) | 2015-08-12 |
JP2016510425A (ja) | 2016-04-07 |
TW201443574A (zh) | 2014-11-16 |
DE102013201133A1 (de) | 2014-07-24 |
US9405202B2 (en) | 2016-08-02 |
US20150277235A1 (en) | 2015-10-01 |
WO2014114494A1 (en) | 2014-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101491229B1 (ko) | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 광학 시스템 | |
JP5529922B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム | |
US8040492B2 (en) | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
TWI418945B (zh) | 影響在微影投影曝光裝置等之光學系統中之極化分布的器件及方法 | |
US8035803B2 (en) | Subsystem of an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
KR101074995B1 (ko) | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 광학계 | |
US8351023B2 (en) | Illumination device of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic projection exposure method | |
JP5846471B2 (ja) | 偏光影響光学装置及びマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 | |
JP5566501B2 (ja) | 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 | |
TWI600974B (zh) | 微影投影曝光設備的光學系統 | |
WO2014023619A1 (en) | Microlithographic exposure method, and microlithographic projection exposure apparatus | |
US8107054B2 (en) | Microlithographic projection exposure apparatus | |
US9588433B2 (en) | Optical system, in particular of a microlithographic projection exposure apparatus | |
TWI591443B (zh) | 調整微影投射曝光裝置中光學系統的方法 | |
KR101597416B1 (ko) | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 광학 시스템 | |
WO2013013894A1 (en) | Microlithographic exposure method |