TWI600347B

TWI600347B - 有機電激發光元件以及可撓性電子元件的製造方法

Info

Publication number: TWI600347B
Application number: TW105139199A
Authority: TW
Inventors: 陳承義; 宋兆峰; 邱俊凱; 謝咏明; 柯廷育; 許馨云
Original assignee: 財團法人工業技術研究院
Priority date: 2015-11-30
Filing date: 2016-11-29
Publication date: 2017-09-21
Also published as: TW201722203A

Description

有機電激發光元件以及可撓性電子元件的製造方法

本發明是有關於一種捲對捲製程(roll-to-roll process)，且特別是有關於一種可撓性電子元件的製造方法。

具有高量子效率以及低耗電等特性的有機電激發光元件已被廣泛地使用於顯示器以及照明領域。由於有機電激發光元件具有輕量以及良好的演色性(color rendering)，因此有機電激發光元件可被視為下一代顯示器以及照明元件的主流。現今，有機電激發光元件的製造成本尚無法輕易地降低，故用以量產的不同捲對捲製程及設備相繼被提出。然而，前述用以製造有機電激發光元件的捲對捲製程面臨到相當嚴重的對準方面的議題(意即，所製造的有機電激發光元件中發生疊層之間出現誤對準的現象)，因而導致良率低落。據此，急須能夠解決捲對捲製程中誤對準的解決方法。

本發明提供一種有機電激發光元件以及可撓性電子元件的製造方法。

一種有機電激發光元件的製造方法，包括：於基材上形成第一導電層，第一導電層包括第一電極以及與第一電極電性絕緣的接觸圖案；於第一導電層上形成第一罩幕，第一罩幕包括用以暴露部分第一電極以及部分接觸圖案的開口，且第一罩幕中黏著膜的黏性實質上等於或大於2000克/英寸；藉由第二罩幕的遮蔽以形成圖案化有機官能層，有機官能層覆蓋第一罩幕以及被第一罩幕所暴露出的第一電極，且第二罩幕配置於第一罩幕上方以遮蔽開口所暴露的部分接觸圖案；在形成圖案化有機官能層之後，移除第二罩幕；在圖案化有機官能層、第一罩幕以及被開口所暴露的部分接觸圖案上方形成第二導電層；以及藉由移除第一罩幕以及位第一罩幕上的部分第二導電層以圖案化第二導電層進而形成與接觸圖案電性連接的第二電極。

一種有機電激發光元件的製造方法，包括：於基材上形成第一導電層，第一導電層包括第一電極以及與第一電極電性絕緣的接觸圖案；於第一導電層上方形成第一罩幕，第一罩幕包括用以暴露部分第一電極以及部分接觸圖案的第一開口；於第一罩幕上形成第二罩幕，第二罩幕包括第二開口，第二罩幕遮蔽被第一開口所暴露的接觸圖案，且第二開口暴露出部分第一電極，第一導電層與第一罩幕之間的黏著性以及第一罩幕與第二罩幕之間的黏著性實質上等於或大於2000克/英吋；於具有第一導電層、第一罩幕以及第二罩幕形成於其上的基材上進行清洗製程；藉由第二罩幕的遮蔽以於第一電極上形成圖案化有機官能層；在進行清洗製程之後，降低第一導電層與第一罩幕之間的黏著性以及第一罩幕與第二罩幕之間的黏著性；在形成圖案化有機官能層之後，移除第二罩幕；在圖案化有機官能層、第一罩幕以及部分接觸圖案上方形成第二導電層；以及藉由移除第一罩幕以及位第一罩幕上的部分第二導電層以圖案化第二導電層進而形成與接觸圖案電性連接的第二電極。

一種可撓性電子元件的製造方法，包括：提供基材；於基材上形成導電層；於導電層上形成圖案化罩幕，圖案化罩幕包括黏著層，其中黏著層具有第一黏性，且圖案化罩幕部分覆蓋導電層；令圖案化罩幕暴露於能量下，以使圖案化罩幕中黏著層具有第二黏性；以及移除部分的圖案化罩幕。

一種有機電激發光元件的製造方法，包括：於基材上形成第一導電層，第一導電層包括第一電極以及與第一電極電性絕緣的接觸圖案；於第一導電層上形成第一罩幕，第一罩幕包括用以暴露部分第一電極以及部分接觸圖案的開口；藉由第二罩幕的遮蔽以形成圖案化有機官能層，有機官能層覆蓋第一罩幕以及被第一罩幕所暴露出的第一電極，且第二罩幕配置於第一罩幕上方以遮蔽開口所暴露的部分接觸圖案；在形成圖案化有機官能層之後，移除第二罩幕；在圖案化有機官能層、第一罩幕以及被開口所暴露的部分接觸圖案上方形成第二導電層；以及藉由移除第一罩幕以及位第一罩幕上的部分第二導電層以圖案化第二導電層進而形成與接觸圖案電性連接的第二電極。

一種有機電激發光元件的製造方法，包括：於基材上形成第一導電層，第一導電層包括第一電極以及與第一電極電性絕緣的接觸圖案；於第一導電層上方形成第一罩幕，第一罩幕包括用以暴露部分第一電極以及部分接觸圖案的第一開口；於第一罩幕上形成第二罩幕，第二罩幕包括第二開口，第二罩幕遮蔽第一開口所暴露的部分第一電極，且第二開口暴露部分第一電極；藉由第二罩幕的遮蔽以於第一電極上形成圖案化有機官能層；在形成圖案化有機官能層之後，移除第二罩幕；在圖案化有機官能層、第一罩幕以及部分接觸圖案上方形成第二導電層；以及藉由移除第一罩幕以及位第一罩幕上的部分第二導電層以圖案化第二導電層進而形成與接觸圖案電性連接的第二電極。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

第一實施例

圖1A至圖1F依據第一實施例繪示出有機電激發光元件的製造方法。圖2A至圖2F依據第一實施例繪示出有機電激發光元件在製造過程中的頂視圖或底視圖。圖3A至圖3F為沿著圖2A至圖2F中之剖面線I-I'的剖面圖。

請參照圖1A、圖2A以及圖3A，提供包括多個滾輪R的捲對捲裝置。滾輪R能夠沿著傳輸方向D1傳送基材100。在本實施例中，所提供的基材100上已具有第一導電層110。基材100例如為超薄(厚度例如低於100微米)且可撓的玻璃基材。然而，本實施例不限定基材100的厚度與材質。第一導電層110包括第一電極112以及與第一電極112電性絕緣的至少一接觸圖案114。如圖2A與圖3A所示，在本實施例中，二接觸圖案114分別形成在第一電極112的兩相對側。值得注意的是，本發明的實施例不限定接觸圖案114的形狀與數量。

舉例而言，第一電極112以及接觸圖案114的製造方法可包括下列步驟。首先，例如透過濺鍍的方式於基材100上形成透明導電氧化物層。之後，例如藉由雷射光源L所提供的雷射照射圖案化透明導電氧化物層。在透明導電氧化物層被圖案化之後，第一電極112可包括二凹入(notches)，且接觸圖案114位於凹入之中。如圖2A以及圖3A所示，在透明導電氧化物層被圖案化之後，第一電極112與各個接觸圖案114之間存在間隙G以使得接觸圖案114能夠與第一電極112電性絕緣。

請參照圖1B、圖2B以及圖3B，在基材100上方形成第一電極112以及接觸圖案114之後，於第一導電層110上形成第一罩幕120。第一罩幕120包括用以暴露部分第一電極112以及部分接觸圖案114的開口122。第一電極112與各個接觸圖案114之間的間隙G被第一罩幕120的開口122所部分暴露。如圖2B與圖3B所示，第一罩幕120填入且覆蓋第一電極112與各個接觸圖案114之間的部分間隙G。此外，第一罩幕120覆蓋住第一電極112的週邊區域以及各個接觸圖案114的部分區域。換句話說，第一電極112的中央區域被第一罩幕120的開口122所暴露。

如圖1B、圖2B以及圖3B，在一些實施例中，第一罩幕120包括黏著膜120a以及堆疊於黏著膜120a上的釋放膜120b。為了確保第一罩幕120與第一導電層110之間的黏著性，黏著膜120a在不繡鋼(SUS)上的黏度可實質上等於或大於2000克/英吋。第一罩幕120的黏著膜120a可包括熱固化材料、紫外光固化材料或其他合適的材料。在一些實施例中，黏著膜120a包括熱固化材料，黏著膜120a可在約攝氏90度至約攝氏130度之間的條件下進行熱固化，且黏著膜120a的黏性會因此而降低。在一些其他實施例中，黏著膜120a包括熱紫外光固化材料，黏著膜120a可在約攝氏45度的條件下被紫外光照射30秒至60秒以進行光固化，且黏著膜120a的黏性會因此而降低。在一些實施例中，紫外光的照射照度(irradiation illuminance)可大於200 mJ/cm2，紫外光的波長可介於約350奈米至約420奈米之間，且紫外光的最大波峰為約365奈米。

在一些實施例中，在第一罩幕120被貼附於第一導電層110上之後，可進行清洗製程(例如刷洗、氣刀、水刀、超音波震盪等)以移除或減少第一導電層110及/或基材100上的微粒。由於黏著膜120a在不繡鋼(SUS)上的黏度可實質上等於或大於2000克/英吋，第一罩幕120與第一導電層110之間的黏著性足以避免第一罩幕120脫層或剝離。值得注意的是，上述清洗製程不會使黏著膜120a的黏性以及第一導電層110與第一罩幕120之間的黏著性劣化。

當黏著膜120a的黏性實質上等於或大於2000克/英吋時，可使用清洗能力較強的清洗製程，且在進行完清洗製程之後，在基材100以及第一導電層110上的有效方形區域(20公分x20公分)內，粒徑大於0.3微米的微粒數量例如少於300。

在進行完清洗製程之後，黏著膜120a的黏性可藉由熱處理(例如，升溫製程)、冷處理(例如，冷卻製程)、紫外光照射、水浴、上述製程的組合或其他合適的製程而降低。在進行完清洗製程之後，黏著膜120a的黏性可藉由例如熱處理(例如，升溫製程)、冷處理(例如，冷卻製程)、紫外光照射、水浴、上述製程的組合或其他合適的製程而從約2000克/英吋(第一黏性)降低至約或低於20克/英吋(第二黏性)。在黏著膜120a的黏性降低之後，第一罩幕120可在後續製程(例如，圖1E、圖2E及圖3E中所繪示的製程)中自第一導電層110上輕易地脫離或移除。在一些實施例中，第一黏性與第二黏性的比率大於100。

請參照圖1C、圖2C以及圖3C，於第一罩幕120上方提供第二罩幕130以遮蔽各個接觸圖案114被第一罩幕120的開口122所暴露的部分區域。換句話說，第二罩幕130覆蓋並且遮蔽接觸圖案114以及部分間隙G。此外，部分的第一罩幕120未被第二罩幕130所覆蓋且第二罩幕130所暴露。如圖2B所示，第一罩幕120為具有開口122的框形罩幕，第二罩幕130包括至少一對遮蔽條132，且遮蔽條132的長度方向平行於傳輸方向D1。在本實施例中，於第一罩幕120上方提供第二罩幕130，第二罩幕130例如與第一罩幕120接觸，且第二罩幕130例如不與第一導電層110接觸。

在提供第二罩幕130之後，可藉由第二罩幕130的遮蔽以進行蒸鍍製程進而形成圖案化有機官能層140。圖案化有機官能層140會覆蓋住第二罩幕130所暴露的部分第一罩幕120以及第一罩幕120的開口122所暴露的第一電極112的中央區域。

在一些實施例中，在於第一罩幕120上方提供第二罩幕130之前，第一罩幕120的黏性可藉由熱處理、冷處理、紫外光照射、水浴、上述製程的組合或其他合適的製程而降低。

在一些其他實施例中，在於第一罩幕120上方提供第二罩幕130之後(例如圖1C、圖2C、圖3C、圖1D、圖2D以及圖3D所繪示的製程)，第一罩幕120的黏性可藉由熱處理、冷處理、紫外光照射、水浴、上述製程的組合或其他合適的製程而降低。

如圖2C所示，由於第二罩幕130不與第一導電層110接觸，蒸鍍形成的圖案化有機官能層140可覆蓋住被第一罩幕120的開口122所暴露的第一電極112的側壁。換句話說，圖案化有機官能層140可延伸至間隙G中以包覆住被第一罩幕120的開口122所暴露的第一電極112的側壁與頂表面。

請參照圖1D、圖2D以及圖3D，在形成圖案化有機官能層140之後，包括有第一導電層110、第一罩幕120以及圖案化有機官能層140形成於其上的基材100會被沿著傳輸方向D1傳送，以進行第二罩幕130的移除。之後，於圖案化有機官能層140、第一罩幕120以及被第一罩幕120的開口122所暴露的接觸圖案114上方形成第二導電層150。在本實施例中，第二導電層150可藉由蒸鍍製程形成。

如圖3D所示，由於圖案化有機官能層140延伸至間隙G中以包覆住被第一罩幕120的開口122所暴露的第一電極112的側壁與頂表面，因此第一電極112以及第二導電層150會藉由圖案化有機官能層140而分隔開。換句話說，圖案化有機官能層140可防止第一電極112與第二導電層150之間的短路。

請參至照圖1E、圖2E以及圖3E，在形成第二導電層150之後，可藉由移除第一罩幕120以及位於第一罩幕120上的部分第二導電層150，以圖案化第二導電層150進而形成第二電極152。第二電極152與接觸圖案114電性連接，且第二電極152藉由圖案化有機官能層140與第一電極112分隔開。在形成第二電極152之後，本實施例的有機電激發光元件的製造便大致上完成。上述製程並不限於製造有機電激發光元件，上述製程可用於製造其他可撓性電子元件。

請參照圖1F、圖2F以及圖3F，為了增進有機電激發光元件的信賴性，可形成包封體160以包覆第二電極152。在一些實施例中，包封體160可進一步包覆部分的接觸圖案114。

值得注意的是，當基材100沿著傳輸方向D1傳送時，基材100在沿著與傳輸方向D1垂直的方向D2上的偏移常會發生。上述基材100的偏移會導致有機電激發光元件中疊層之間出現誤對準。由於第一罩幕120是形成於基材100上，因此第一罩幕120可以使方向D1與方向D2上的誤對準最小化。

第二實施例

圖4A至圖4I依據第二實施例繪示出有機電激發光元件的製造方法。圖5A至圖5I依據第二實施例繪示出有機電激發光元件在製造過程中的頂視圖或底視圖。圖6A至圖6I為沿著圖5A至圖5I中之剖面線I-I'的剖面圖。

請參照圖4A、圖5A以及圖6A，提供包括多個滾輪R的捲對捲裝置。滾輪R能夠沿著傳輸方向D1傳送基材200。在本實施例中，所提供的基材200上已具有第一導電層210。基材200例如為超薄(厚度例如低於100微米)且可撓的玻璃基材。然而，本實施例不限定基材200的厚度與材質。第一導電層210包括第一電極212以及與第一電極212電性絕緣的至少一接觸圖案214。如圖5A與圖6A所示，在本實施例中，二接觸圖案214分別形成在第一電極212的兩相對側。值得注意的是，本發明的實施例不限定接觸圖案214的形狀與數量。

舉例而言，第一電極212以及接觸圖案214的製造方法可包括下列步驟。首先，例如透過濺鍍的方式於基材200上形成透明導電氧化物層。之後，例如藉由雷射光源L所提供的雷射照射圖案化透明導電氧化物層。在透明導電氧化物層被圖案化之後，第一電極212可包括二凹入(notches)，且接觸圖案214位於凹入之中。如圖2A以及圖3A所示，在透明導電氧化物層被圖案化之後，第一電極212與各個接觸圖案214之間存在間隙G以使得接觸圖案214能夠與第一電極212電性絕緣。

請參照圖4B、圖5B以及圖6B，在基材200上方形成第一電極212以及接觸圖案214之後，於第一導電層210上形成用以定義後續欲形成之包封體的第三罩幕220。第三罩幕220包括用以暴露部分第一電極212以及部分接觸圖案214的第三開口222。第一電極212與各個接觸圖案214之間的間隙G被第三罩幕220的第三開口222所部分暴露。如圖5B與圖6B所示，第三罩幕220填入且覆蓋第一電極212與各個接觸圖案214之間的部分間隙G。此外，第三罩幕220覆蓋住第一電極212的週邊區域以及各個接觸圖案214的部分區域。換句話說，第一電極212的中央區域被第三罩幕220的第三開口222所暴露。值得注意的是，在本實施例中，第三罩幕220的形成是可選擇的。

本實施例所提及的罩幕220(即第三罩幕220)可具有與第一實施例中的第一罩幕120實質上相同的結構與特性，故本實施例省略罩幕220的詳細描述。

請參照圖4C、圖5C以及圖6C，接著，於第一導電層210上方形成第一罩幕230。在本實施例中，第一罩幕230是形成在第三罩幕220上。第一罩幕230包括用以暴露部分第一電極212以及部分接觸圖案214的第一開口232，其中第一罩幕230的第一開口232小於第三罩幕220的第二開口222。第一電極212與各個接觸圖案214之間的間隙G被第三罩幕220的第三開口222所部分暴露。

值得注意的是，在本實施例中，第三罩幕220的形成是可選擇的。當第三罩幕220被省略時(意即第一罩幕230被形成於第一導電層210上，且第一罩幕230直接與第一導電層210接觸)，第一罩幕230填入且覆蓋第一電極212與各個接觸圖案214之間的部分間隙G。此外，第一罩幕230覆蓋住第一電極212的週邊區域以及各個接觸圖案214的部分區域。換句話說，第一電極212的中央區域被第一罩幕230的第一開口232所暴露。

請參照圖4D、圖5D以及圖6D，於第一罩幕230上形成第二罩幕240，其中第二罩幕240包括第二開口242，第二罩幕240遮蔽住被第一罩幕230的第一開口232所暴露的接觸圖案214，且部分的第一電極212會被第二開口242所暴露。如圖5D與圖6D所示，第二罩幕240的第二開口242小於第一罩幕230的第一開口232。在本實施例中，第一罩幕230、第二罩幕240以及第三罩幕220為具有不同開口尺寸的框形罩幕。在本實施例中，於第一罩幕230上方提供第二罩幕240，第二罩幕240例如與第一罩幕230接觸，且第二罩幕240例如不與第一導電層210接觸。

請參照圖4E、圖5E以及圖6E，在提供第二罩幕240之後，可進行清洗製程(例如刷洗、氣刀、水刀、超音波震盪等)以移除或減少第一導電層210及/或基材200上的微粒。由於第三罩幕220與第一電極212之間的黏著性、第三罩幕220與第一罩幕230之間的黏著性以及第一罩幕230與第二罩幕240之間的黏著性實質上等於或大於2000克/英吋，包括有第一電極212、第三罩幕220、第一罩幕230以及第二罩幕240的堆疊結構足夠強且不會從基材200上脫層或剝離。值得注意的是，上述清洗製程不會使第一電極212、第三罩幕220、第一罩幕230以及第二罩幕240之間的黏著介面劣化。

當第三罩幕220與第一電極212之間的黏著性、第三罩幕220與第一罩幕230之間的黏著性以及第一罩幕230與第二罩幕240之間的黏著性實質上等於或大於2000克/英吋時，可使用清洗能力較強的清洗製程，且在進行完清洗製程之後，在基材200以及第一導電層210上的有效方形區域(20公分x20公分)內，粒徑大於0.3微米的微粒數量例如少於300。

在進行完清洗製程之後，第三罩幕220與第一電極212之間的黏著性、第三罩幕220與第一罩幕230之間的黏著性以及第一罩幕230與第二罩幕240之間的黏著性可藉由例如熱處理(例如，升溫製程)、冷處理(例如，冷卻製程)、紫外光照射、水浴、上述製程的組合或其他合適的製程而降低。在進行完清洗製程之後，第三罩幕220與第一電極212之間的黏著性、第三罩幕220與第一罩幕230之間的黏著性以及第一罩幕230與第二罩幕240之間的黏著性可藉由例如熱處理、冷處理、紫外光照射、水浴、上述製程的組合或其他合適的製程而從約2000克/英吋(第一黏性)降低至約或低於20克/英吋(第二黏性)。在第三罩幕220與第一電極212之間的黏著性、第三罩幕220與第一罩幕230之間的黏著性以及第一罩幕230與第二罩幕240之間的黏著性降低之後，第三罩幕220、第一罩幕230以及第二罩幕240可在後續製程中自下方膜層上輕易地脫離或移除。

在進行清洗製程之後，可藉由第二罩幕240的遮蔽以進行蒸鍍製程進而形成圖案化有機官能層250。蒸鍍形成的圖案化有機官能層250會覆蓋住第二罩幕240的第二開口242以及第一罩幕230的開口232所暴露的第一電極212的中央區域。

如圖5E所示，由於第二罩幕240不與第一導電層210接觸，蒸鍍形成的圖案化有機官能層250可覆蓋住被第一開口232、第二開口242以及第三開口222所暴露的第一電極212的側壁。換句話說，圖案化有機官能層250可延伸至間隙G中以包覆住第一電極112的側壁與頂表面。

請參照圖4F、圖5F以及圖6F，在形成圖案化有機官能層250之後，將第二罩幕240移除。在第三罩幕220、第一罩幕230以及第二罩幕240經過熱處理、冷處理、紫外光照射、水浴、上述製程的組合或其他合適的製程之後，為了移除第二罩幕240，第一罩幕230與第二罩幕240之間的黏著性須小於第一罩幕230與第三罩幕220之間的黏著性。之後，於圖案化有機官能層250、第一罩幕230以及部分的接觸圖案214上方形成第二導電層260。在本實施例中，第二導電層260例如藉由蒸鍍製程形成。

如圖6F所示，由於圖案化有機官能層250延伸至間隙G中以包覆住被第一罩幕230的開口232所暴露的第一電極212的側壁與頂表面，因此第一電極212以及第二導電層260會藉由圖案化有機官能層250而分隔開。換句話說，圖案化有機官能層250可防止第一電極212與第二導電層260之間的短路。

請參至照圖4G、圖5G以及圖6G，在形成第二導電層260之後，可藉由移除第一罩幕230以及位於第一罩幕230上的部分第二導電層260，以圖案化第二導電層260進而形成第二電極262。在第三罩幕220、第一罩幕230以及第二罩幕240經過熱處理、冷處理、紫外光照射、水浴、上述製程的組合或其他合適的製程之後，為了移除第一罩幕230，第一罩幕230與第三罩幕220之間的黏著性須小於第三罩幕220與第一導電層212之間的黏著性。第二電極262與接觸圖案214電性連接，且第二電極262藉由圖案化有機官能層250與第一電極212分隔開。在形成第二電極262之後，本實施例的有機電激發光元件的製造便大致上完成。

請參照圖4H至圖4I、圖5H至圖5I以及圖6H至圖6I，為了增進有機電激發光元件的信賴性，可形成包封材料層270以覆蓋第三罩幕220、部分的接觸圖案214以及第二電極262。接著，藉由移除第三罩幕220以及部分位於第三罩幕220上的包封材料層270以圖案化包封材料層270，進而形成包封體272。

在前述的實施例中，值得注意的是，當基材(100、200)沿著傳輸方向D1傳送時，基材(100、200)在沿著與傳輸方向D1垂直的方向D2上的偏移常會發生。上述基材(100、200)的偏移會導致有機電激發光元件中疊層之間出現誤對準。由於第一罩幕(120、230)、第二罩幕(130、240)以及第三罩幕220是形成於基材(100、200)上，因此第一罩幕(120、230)、第二罩幕(130、240)以及第三罩幕220可以使方向D1與方向D2上的誤對準最小化。

在本發明的實施例中，形成在基材上的罩幕可有效地解決有機電激發光元件中疊層之間的誤對準議題，因此有機電激發光元件的量產良率可獲得提升。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200‧‧‧基材

110、210‧‧‧第一導電層

112、212‧‧‧第一電極

114、214‧‧‧接觸圖案

120、230‧‧‧第一罩幕

120a‧‧‧黏著膜

120b‧‧‧釋放膜

122‧‧‧開口

130‧‧‧第二罩幕

132‧‧‧遮蔽條

140、250‧‧‧圖案化有機官能層

150、260‧‧‧第二導電層

152、262‧‧‧第二電極

160、272‧‧‧包封體

220‧‧‧第三罩幕

222‧‧‧第三開口

232‧‧‧第一開口

240‧‧‧第二罩幕

242‧‧‧第二開口

270‧‧‧包封材料層

D1‧‧‧傳輸方向

G‧‧‧間隙

L‧‧‧雷射光源

R‧‧‧滾輪

圖1A至圖1F依據第一實施例繪示出有機電激發光元件的製造方法。圖2A至圖2F依據第一實施例繪示出有機電激發光元件在製造過程中的頂視圖或底視圖。圖3A至圖3F為沿著圖2A至圖2F中之剖面線I-I'的剖面圖。圖4A至圖4I依據第二實施例繪示出有機電激發光元件的製造方法。圖5A至圖5I依據第二實施例繪示出有機電激發光元件在製造過程中的頂視圖或底視圖。圖6A至圖6I為沿著圖5A至圖5I中之剖面線I-I'的剖面圖。

100‧‧‧基材

110‧‧‧第一導電層

112‧‧‧第一電極

114‧‧‧接觸圖案

120‧‧‧第一罩幕

120a‧‧‧黏著膜

120b‧‧‧釋放膜

122‧‧‧開口

132‧‧‧遮蔽條

140‧‧‧圖案化有機官能層

G‧‧‧間隙

Claims

一種有機電激發光元件的製造方法，包括：於基材上形成第一導電層，第一導電層包括第一電極以及與第一電極電性絕緣的接觸圖案；於第一導電層上形成第一罩幕，第一罩幕包括用以暴露部分第一電極以及部分接觸圖案的開口；藉由第二罩幕的遮蔽以形成圖案化有機官能層，有機官能層覆蓋第一罩幕以及被第一罩幕所暴露出的第一電極，且第二罩幕配置於第一罩幕上方以遮蔽開口所暴露的部分接觸圖案；在形成圖案化有機官能層之後，移除第二罩幕；在圖案化有機官能層、第一罩幕以及被開口所暴露的部分接觸圖案上方形成第二導電層；以及藉由移除第一罩幕以及位第一罩幕上的部分第二導電層以圖案化第二導電層進而形成與接觸圖案電性連接的第二電極。
一種有機電激發光元件的製造方法，包括：於基材上形成第一導電層，第一導電層包括第一電極以及與第一電極電性絕緣的接觸圖案；於第一導電層上形成第一罩幕，第一罩幕包括用以暴露部分第一電極以及部分接觸圖案的開口，且第一罩幕中黏著膜的黏性實質上等於或大於2000克/英寸；藉由第二罩幕的遮蔽以形成圖案化有機官能層，有機官能層覆蓋第一罩幕以及被第一罩幕所暴露出的第一電極，且第二罩幕配置於第一罩幕上方以遮蔽開口所暴露的部分接觸圖案；在形成圖案化有機官能層之後，移除第二罩幕；在圖案化有機官能層、第一罩幕以及被開口所暴露的部分接觸圖案上方形成第二導電層；以及藉由移除第一罩幕以及位第一罩幕上的部分第二導電層以圖案化第二導電層進而形成與接觸圖案電性連接的第二電極。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，其中第一電極包括一凹入，且接觸圖案位於凹入之中。
如申請專利範圍第3項所述的方法，其中間隙位於第一電極與接觸圖案之間。
如申請專利範圍第4項所述的方法，其中間隙被第一罩幕的開口部分暴露且被第二罩幕遮蔽。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，其中第一電極與第二電極藉由圖案化有機官能層分隔開。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，其中基材沿著傳輸方向傳送以於基材上形成第一電極、接觸圖案、第一遮罩、圖案化有機官能層以及第二電極。
如申請專利範圍第7項所述的方法，其中第一罩幕或第二罩幕為框形罩幕。
如申請專利範圍第7項所述的方法，其中第二罩幕包括至少一對遮蔽條，且遮蔽條的長度方向平行於傳輸方向。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，更包括：形成一包封體以包覆第二電極。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，其中第一罩幕更包括堆疊於黏著膜上的釋放膜。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，更包括：在第一罩幕被形成在第一導電層上之後，清洗基材上的第一導電層；以及在清洗基材上的第一導電層之後，降低第一罩幕中黏著膜的黏性。
如申請專利範圍第12項所述的方法，其中在清洗基材上的第一導電層之後，第一罩幕中黏著膜的黏性降低至等於或低於20克/英吋。
一種有機電激發光元件的製造方法，包括：於基材上形成第一導電層，第一導電層包括第一電極以及與第一電極電性絕緣的接觸圖案；於第一導電層上方形成第一罩幕，第一罩幕包括用以暴露部分第一電極以及部分接觸圖案的第一開口；於第一罩幕上形成第二罩幕，第二罩幕包括第二開口，第二罩幕遮蔽被第一開口所暴露的接觸圖案，且第二開口暴露出部分第一電極；藉由第二罩幕的遮蔽以於第一電極上形成圖案化有機官能層；在形成圖案化有機官能層之後，移除第二罩幕；在圖案化有機官能層、第一罩幕以及部分接觸圖案上方形成第二導電層；以及藉由移除第一罩幕以及位第一罩幕上的部分第二導電層以圖案化第二導電層進而形成與接觸圖案電性連接的第二電極。
一種有機電激發光元件的製造方法，包括：於基材上形成第一導電層，第一導電層包括第一電極以及與第一電極電性絕緣的接觸圖案；於第一導電層上方形成第一罩幕，第一罩幕包括用以暴露部分第一電極以及部分接觸圖案的第一開口；於第一罩幕上形成第二罩幕，第二罩幕包括第二開口，第二罩幕遮蔽被第一開口所暴露的接觸圖案，且第二開口暴露出部分第一電極，第一導電層與第一罩幕之間的黏著性以及第一罩幕與第二罩幕之間的黏著性實質上等於或大於2000克/英吋；藉由第二罩幕的遮蔽以於第一電極上形成圖案化有機官能層；降低第一導電層與第一罩幕之間的黏著性以及第一罩幕與第二罩幕之間的黏著性；在形成圖案化有機官能層之後，移除第二罩幕；在圖案化有機官能層、第一罩幕以及部分接觸圖案上方形成第二導電層；以及藉由移除第一罩幕以及位第一罩幕上的部分第二導電層以圖案化第二導電層進而形成與接觸圖案電性連接的第二電極。
如申請專利範圍第14項或第15項所述的方法，更包括：於具有第一導電層、第一罩幕以及第二罩幕形成於其上的基材上進行清洗製程，其中降低第一導電層與第一罩幕之間的黏著性以及第一罩幕與第二罩幕之間的黏著性是在進行清洗製程之後進行。
如申請專利範圍第16項所述的方法，更包括：在第一罩幕形成之前，於第一導電層上形成一第三罩幕，第三罩幕包括用以暴露出部分第一電極以及部分接觸圖案的第三開口，其中第三罩幕與第一罩幕之間的黏著性以及第三罩幕與第一導電層之間的黏著性實質上等於或大於2000克/英吋；在進行清洗製程之後，降低第三罩幕與第一罩幕之間的黏著性以及第三罩幕與第一導電層之間的黏著性；於第二電極以及第三罩幕上方形成包封材料層；以及藉由移除第三罩幕以及部分位於第三罩幕上的包封材料層以圖案化包封材料層，進而形成包封體。
如申請專利範圍第17項所述的方法，其中在第一罩幕與第二罩幕之間的黏著性以及第一罩幕與第三罩幕之間的黏著性被降低之後，第一罩幕與第二罩幕之間的黏著性小於第一罩幕與第三罩幕之間的黏著性。
如申請專利範圍第17項所述的方法，其中在第一罩幕與第三罩幕之間的黏著性以及第三罩幕與第一導電層之間的黏著性被降低之後，第一罩幕與第三罩幕之間的黏著性小於第三罩幕與第一導電層之間的黏著性。