TWI600185B - 多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法 - Google Patents

多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI600185B
TWI600185B TW105117574A TW105117574A TWI600185B TW I600185 B TWI600185 B TW I600185B TW 105117574 A TW105117574 A TW 105117574A TW 105117574 A TW105117574 A TW 105117574A TW I600185 B TWI600185 B TW I600185B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
color temperature
emitting diode
light conversion
conversion film
Prior art date
Application number
TW105117574A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201742268A (zh
Inventor
李文
陸居山
賈樹勇
Original Assignee
光寶光電（常州）有限公司
光寶科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 光寶光電（常州）有限公司, 光寶科技股份有限公司 filed Critical 光寶光電（常州）有限公司
Application granted granted Critical
Publication of TWI600185B publication Critical patent/TWI600185B/zh
Publication of TW201742268A publication Critical patent/TW201742268A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K2/00—Non-electric light sources using luminescence; Light sources using electrochemiluminescence
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
    • F21V19/0015—Fastening arrangements intended to retain light sources
    • F21V19/0025—Fastening arrangements intended to retain light sources the fastening means engaging the conductors of the light source, i.e. providing simultaneous fastening of the light sources and their electric connections
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • F21V9/38—Combination of two or more photoluminescent elements of different materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2113/00—Combination of light sources
    • F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
    • F21Y2113/13—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Description

多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法
本發明是涉及一種發光二極體，還涉及一種多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法。
常用多色溫發光二極體封裝結構的製造方法是先在基板上形成多個環形的圍壩膠(dam glue)，以將基板劃分為多個固晶區域，並且所述多個固晶區域各設有發光二極體晶片，而後在所述多個固晶區域內分別填滿不同色溫的螢光膠體。
然而，上述多個圍壩膠會導致不同色溫的螢光膠體間存在隙縫，影響所述多色溫發光二極體封裝結構的光均勻性和信賴度，並且圍壩膠的成形步驟會降低所述多色溫發光二極體封裝結構的生產效率。
於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合學理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明實施例在於提供一種多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法，有效地改善常用的多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法所可能產生的缺陷。
本發明實施例公開一種多色溫發光二極體封裝結構的製造方法，包括：前置步驟：提供一發光模塊、長型的一第一光轉換膜、 長型的一第二光轉換膜；其中，所述發光模塊包含一基板、設置於所述基板上的一線路層、及設置於所述線路層上的多個第一發光二極體晶片與多個第二發光二極體晶片；所述第一光轉換膜具備的一第一色溫不同於所述第二光轉換膜具備的一第二色溫，並且所述第一光轉換膜與所述第二光轉換膜各具有位於相反兩端的一起始端與一終結端；捲曲步驟：自所述第一光轉換膜的起始端開始捲曲至所述第一光轉換膜的終結端，並接續所述第二光轉換膜的起始端捲曲至所述第二光轉換膜的終結端，以使所述第二光轉換膜捲繞在呈螺旋狀的所述第一光轉換膜的外緣，而形成一柱狀構造；切片步驟：切割所述柱狀構造，以形成一封裝片；其中，所述封裝片包括對應於所述第一色溫的一第一區塊以及對應於所述第二色溫的一第二區塊，所述封裝片具有呈螺旋狀的相對兩個表面，並且所述封裝片的厚度大於任一所述第一發光二極體晶片的厚度或是任一所述第二發光二極體晶片的厚度；以及封裝步驟：將所述封裝片結合於所述基板上，並且所述多個第一發光二極體晶片埋置於所述第一區塊內、所述多個第二發光二極體晶片埋置於所述第二區塊內，以使所述封裝片成形為一光轉換層，所述光轉換層包含一樹脂和混合於所述樹脂的多個光轉換粒子，所述樹脂在攝氏溫度0~30度的儲能模量約為100Mpa或介於100Mpa~500Mpa之間。
本發明實施例也公開一種多色溫發光二極體封裝結構，包括：一基板；一線路層，包含有相互分離的一第一線路與一第二線路，且所述線路層設置於所述基板上；多個第一發光二極體晶片與多個第二發光二極體晶片，設置於所述線路層上，且所述第一線路電性連接於所述多個第一發光二極體晶片，所述第二線路電性連接於所述多個第二發光二極體晶片；以及一光轉換層，設置於所述基板與所述線路層上，並且所述光轉換層表面呈螺旋狀，所述樹脂在攝氏溫度0~30度的儲能模量約為100Mpa或介於 100Mpa~500Mpa之間；其中，所述光轉換層包括有一第一轉換區塊與鄰接於所述第一轉換區塊側緣的一第二轉換區塊，所述第一轉換區塊具備的一第一色溫不同於所述第二轉換區塊具備的一第二色溫，並且所述多個第一發光二極體晶片埋置於所述第一轉換區塊內，所述多個第二發光二極體晶片埋置於所述第二轉換區塊內。
綜上所述，本發明實施例所公開的多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法，能透過使用具有螺旋狀表面的光轉換層，以有效地提升光均勻性及生產效率。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
100‧‧‧多色溫發光二極體封裝結構
10‧‧‧發光模塊
1‧‧‧基板
2‧‧‧線路層
21‧‧‧第一線路
22‧‧‧第二線路
23‧‧‧第三線路
3‧‧‧第一發光二極體晶片
4‧‧‧第二發光二極體晶片
50a‧‧‧第一光轉換膜
501a‧‧‧起始端
502a‧‧‧終結端
50b‧‧‧第二光轉換膜
501b‧‧‧起始端
502b‧‧‧終結端
50c‧‧‧柱狀構造
5’‧‧‧封裝片
51’‧‧‧第一區塊
52’‧‧‧第二區塊
5‧‧‧光轉換層
51‧‧‧第一轉換區塊
52‧‧‧第二轉換區塊
53‧‧‧第三轉換區塊
54‧‧‧容置孔
D1、D2‧‧‧螺旋間距
200‧‧‧柱體
W1、W2‧‧‧寬度
T1、T2‧‧‧厚度
圖1為本發明多色溫發光二極體封裝結構的製造方法的實施例一的捲曲步驟示意圖(一)。
圖2為本發明多色溫發光二極體封裝結構的製造方法的實施例一的捲曲步驟示意圖(二)。
圖3為本發明多色溫發光二極體封裝結構的製造方法的實施例一的切片步驟示意圖。
圖4為本發明多色溫發光二極體封裝結構的製造方法的實施例一的封裝步驟示意圖。
圖5為本發明多色溫發光二極體封裝結構的實施例一的立體示意圖。
圖6為圖5的分解示意圖。
圖7為圖5的上視示意圖。
圖8為圖5的剖視示意圖。
圖9為圖8的局部放大示意圖。
圖10為本發明多色溫發光二極體封裝結構的實施例一的等效電路 示意圖。
圖11為本發明多色溫發光二極體封裝結構變化實施例的立體示意圖。
圖12為本發明多色溫發光二極體封裝結構的製造方法的實施例二的捲曲步驟示意圖。
圖13為本發明多色溫發光二極體封裝結構的製造方法的實施例二的切片步驟示意圖。
圖14為本發明多色溫發光二極體封裝結構的實施例二的立體示意圖。
[實施例一]
請參閱圖1至圖10，其為本發明的實施例一，需先說明的是，本實施例對應圖式所提及的相關數量與外型，僅用來具體地說明本發明的實施方式，以便於了解本發明的內容，而非用來侷限本發明的保護範圍。
如圖1至圖5，本實施例公開一種多色溫發光二極體封裝結構的製造方法，包括步驟如下。
前置步驟：請參酌圖1，提供一發光模塊10、長型的一第一光轉換膜50a(或稱為冷色膜)、長型的一第二光轉換膜50b(或稱為暖色膜)。其中，所述發光模塊10包含一基板1、設置於所述基板1上的一線路層2、及設置於所述線路層2上的多個第一發光二極體晶片3與多個第二發光二極體晶片4。
更詳細地說，所述第一光轉換膜50a的寬度W1等同於第二光轉換膜50b的寬度W2，而所述第一光轉換膜50a的厚度T1(如：80μm)小於第二光轉換膜50b的厚度T2(如：110μm)，一般來說，冷色膜的螢光粉濃度會比暖色膜的螢光粉濃度低，當矽膠含量一致時，如果要保持相同的螢光粉體積或者擁有較佳的螢光膜品 質，冷色膜的厚度會比暖色膜的厚度薄一些。換句話說，光轉換膜的厚度會影響發光效率和光均勻性，進而影響信賴性。所述第一光轉換膜50a與所述第二光轉換膜50b各具有位於長度方向上相反兩端的一起始端501a、501b與一終結端502a、502b，並且本實施例的第一光轉換膜50a的終結端502a連接於所述第二光轉換膜50b的起始端501b，但不受限於此。
再者，所述第一光轉換膜50a具備的一第一色溫不同於所述第二光轉換膜50b具備的一第二色溫。在本實施例中，所述第一色溫高於第二色溫，如：所述第一色溫為冷色溫，大致為5000K~6000K，並且第一色溫較佳為5600K；所述第二色溫為暖色溫，大致為2200K~3200K，並且第二色溫較佳為2700K。
捲曲步驟：如圖1和圖2，自所述第一光轉換膜50a的起始端501a開始捲曲至第一光轉換膜50a的終結端502a，並接續所述第二光轉換膜50b的起始端501b捲曲至第二光轉換膜50b的終結端502b，以使所述第二光轉換膜50b捲繞在呈螺旋狀的第一光轉換膜50a的外緣，而形成一柱狀構造50c。
其中，所述柱狀構造50c於本實施例中是以直徑約為1cm的圓柱狀作一說明，但並不受限於此。舉例來說，所述第一光轉換膜50a與第二光轉換膜50b所形成的柱狀構造50c可依設計者需求而為方柱狀或是三角柱狀。
切片步驟：如圖3，切割所述柱狀構造50c，以形成一封裝片5’。進一步地說，沿著垂直所述柱狀構造50c中心線的截面，切割柱狀構造50c，以成形預定厚度的封裝片5’。其中，所述封裝片5’包括對應於所述第一色溫的一第一區塊51’以及對應於所述第二色溫的一第二區塊52’，並且所述封裝片5’具有呈螺旋狀的相對兩個表面。再者，所述封裝片5’的厚度大於任一第一發光二極體晶片3的厚度或是任一第二發光二極體晶片4的厚度，而本實施例中的封裝片5’厚度大致為50μm~500μm。
封裝步驟：如圖4和圖5，將所述封裝片5’結合於基板1上，並且所述多個第一發光二極體晶片3埋置於上述封裝片5’的第一區塊51’內、所述多個第二發光二極體晶片4埋置於上述封裝片5’的第二區塊52’內，以使所述封裝片5’成形為一光轉換層5。其中，第一發光二極體晶片3和第二發光二極體晶片4可以同時為發出藍光的發光二極體晶片，第一發光二極體晶片3和第二發光二極體晶片4也可以是發出不同光色的發光二極體晶片，第一發光二極體晶片3和第二發光二極體晶片4分別埋置於封裝片5’的第一區塊51’和第二區塊52’。所述封裝片5’是以加熱、加壓、或是中空貼合的其一或其組合的方式結合於所述基板1上，在此不加以限制。
更詳細地說，所述光轉換層5(或是第一光轉換膜50a、第二光轉換膜50b)包括樹脂及埋置於所述樹脂內的多個光轉換粒子。其中，所述樹脂為熱塑性樹脂(如：矽膠)，所述多個光轉換粒子為螢光粉、量子點、及光散射粒子的至少其中一或其組合。進一步地說，本實施例的樹脂可以是熱固性的樹脂，如半固化狀態(B-stage)的矽膠；在室溫(0℃~30℃)下，經由動態熱機械分析儀(dynamic thermomechanical analysis，DMA)可測得儲能模量為100MPa~500MPa，所述半固化狀態的矽膠可透過加熱軟化。所述半固化狀態的矽膠經由差式掃描熱技術(differential scanning calorimetry，DSC)測量可得知固化程度為60%~80%。
再者，本實施例的樹脂也可以是可固化的熱熔樹脂(如矽氧樹脂，簡稱矽膠)，在室溫(0℃~30℃)下，所述熱熔樹脂呈現固態並且經由動態熱機械分析儀可測得儲能模量為100MPa~500MPa，所述熱熔樹脂可透過加熱軟化。在60℃~80℃時，所述熱熔樹脂經由動態熱機械分析儀可測得儲能模量為0.1MPa~0.5MPa，並且所述熱熔樹脂由拉力機測試可得知斷裂伸長率在60%以上。
經由上述多色溫發光二極體封裝結構的製造方法，即可製成多色溫發光二極體封裝結構100。為更清楚地了解上述多色溫發光二極體封裝結構100，以下就多色溫發光二極體封裝結構100的細部構造作一說明。
請參閱圖5至圖8，所述多色溫發光二極體封裝結構100包括一基板1、設置於所述基板1上的一線路層2、設置於所述線路層2上的多個第一發光二極體晶片3與多個第二發光二極體晶片4、及設置於所述基板1與線路層2上的一光轉換層5。其中，所述基板1大致呈方形，所述線路層2包含有相互分離的一第一線路21、一第二線路22、及一第三線路23。如圖10所示，所述第一線路21與第三線路23電性連接於所述多個第一發光二極體晶片3’所述第二線路22與第三線路23電性連接於所述多個第二發光二極體晶片4，並且上述多個第二發光二極體晶片4設置於所述第一發光二極體晶片3的外側。進一步地說，所述第一發光二極體晶片3與第二發光二極體晶片4共用相同的第三線路23(正極)，所述第一發光二極體晶片3是由第一線路21(負極)單獨引出以實現獨立驅動，並且所述第二發光二極體晶片4是由第二線路22(負極)單獨引出以實現獨立驅動。其中，所述多個第一發光二極體晶片3是先兩兩並聯成五組，而後再串聯；所述多個第二發光二極體晶片4也是先兩兩並聯成五組，而後再串聯。
其中，所述光轉換層5包括有一第一轉換區塊51以及鄰近於所述第一轉換區塊51側緣的一第二轉換區塊52。此實施例為所述第二轉換區塊52圍繞所述第一轉換區塊51側緣，但不以此限。其中，所述第一轉換區塊51具備的一第一色溫不同於第二轉換區塊52具備的一第二色溫。在本實施例中，所述第一色溫高於第二色溫，例如：所述第一色溫大致為5000K~6000K，並且第一色溫較佳為5600K；所述第二色溫大致為2200K~3200K，並且第二色溫較佳為2700K。第一色溫也可以低於第二色溫，如第一色溫大 致為2200K~3200K，第二色溫大致為5000K~6000K。
再者，光轉換層5外表面呈螺旋狀，並且如圖9，所述第一轉換區塊51的螺旋間距D1(如：80μm)在本實施例中小於所述第二轉換區塊52的螺旋間距D2(如：110μm)。所述第一轉換區塊51的螺旋間距D1也可以大於或等於所述第二轉換區塊52的螺旋間距D2，不以此限。進一步地說，所述多個第一發光二極體晶片3埋置於光轉換層5的第一轉換區塊51內，所述多個第二發光二極體晶片4埋置於光轉換層5的第二轉換區塊52內。
此外，本實施例的光轉換層5並不以具備兩種色溫為限，所述光轉換層5亦可包含三種以上的色溫。舉例來說：如圖11所示，所述多色溫發光二極體封裝結構100可進一步包括設置於線路層2上的多個第三發光二極體晶片(圖中未示出)，並且所述光轉換層5可進一步包含有一第三轉換區塊53，並且上述多個第三發光二極體晶片埋置於第三轉換區塊53內。
[實施例二]
請參閱圖12至圖14，其為本發明的實施例二，本實施例與上述實施例一類似，相同處則不再贅述，而兩實施例的主要差異說明如下。
就所述兩實施例的製造方法來看，差異主要在於捲曲步驟(如圖12)。進一步地說，本實施例的捲曲步驟如下：所述第一光轉換膜50a的起始端501a是定位於一柱體200而開始繞著所述柱體200捲曲至所述第一光轉換膜50a的終結端502a，並接續所述第二光轉換膜50b的起始端501b捲曲至所述第二光轉換膜50b的終結端502b，接著移除所述柱體200，使所述柱狀構造50c呈中空狀。
就所述兩實施例的構造來看(如圖14)，差異主要在於光轉換層5。進一步地說，所述第一轉換區塊51內側包圍形成有一容置孔54，用以供電子元件(圖中未示出)設置在容置孔54內。須說明 的是，上述電子元件於本實施例中並非指發光二極體晶片。
[本發明實施例的技術功效]
綜上所述，本發明實施例所公開的多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法，能透過使用具有螺旋狀表面的光轉換層，以有效地提升光均勻性及生產效率。
進一步地說，所述光轉換層是透過固態的第一光轉換膜與第二光轉換膜所形成，因而不會有螢光粉沉澱的問題產生，並且所述光轉換層的第二轉換區塊緊密地相連於第一轉換區塊，而無須採用如習知般的圍壩膠。
以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，並非用來侷限本發明的保護範圍，凡依本發明申請專利範圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本發明的涵蓋範圍。
100‧‧‧多色溫發光二極體封裝結構
1‧‧‧基板
2‧‧‧線路層
21‧‧‧第一線路
22‧‧‧第二線路
23‧‧‧第三線路
3‧‧‧第一發光二極體晶片
4‧‧‧第二發光二極體晶片
5‧‧‧光轉換層
51‧‧‧第一轉換區塊
52‧‧‧第二轉換區塊

Claims (13)

  1. 一種多色溫發光二極體封裝結構的製造方法，包括：前置步驟：提供一發光模塊、長型的一第一光轉換膜、長型的一第二光轉換膜；其中，所述發光模塊包含一基板、設置於所述基板上的一線路層、及設置於所述線路層上的多個第一發光二極體晶片與多個第二發光二極體晶片；所述第一光轉換膜具備的一第一色溫不同於所述第二光轉換膜具備的一第二色溫，並且所述第一光轉換膜與所述第二光轉換膜各具有位於相反兩端的一起始端與一終結端；捲曲步驟：自所述第一光轉換膜的起始端開始捲曲至所述第一光轉換膜的終結端，並接續所述第二光轉換膜的起始端捲曲至所述第二光轉換膜的終結端，以使所述第二光轉換膜捲繞在呈螺旋狀的所述第一光轉換膜的外緣，而形成一柱狀構造；切片步驟：切割所述柱狀構造，以形成一封裝片；其中，所述封裝片包括對應於所述第一色溫的一第一區塊以及對應於所述第二色溫的一第二區塊，所述封裝片具有呈螺旋狀的相對兩個表面，並且所述封裝片的厚度大於任一所述第一發光二極體晶片的厚度或是任一所述第二發光二極體晶片的厚度；以及封裝步驟：將所述封裝片結合於所述基板上，並且所述多個第一發光二極體晶片埋置於所述第一區塊內、所述多個第二發光二極體晶片埋置於所述第二區塊內，以使所述封裝片成形為一光轉換層，所述光轉換層包含一樹脂和混合於所述樹脂的多個光轉換粒子，所述樹脂在攝氏溫度0~30度的儲能模量約為100Mpa或介於100Mpa~500Mpa之間。
  2. 如請求項1所述的多色溫發光二極體封裝結構的製造方法，其中，所述第一色溫高於所述第二色溫，並且所述第一光轉換膜 的寬度等同於所述第二光轉換膜的寬度，而所述第一光轉換膜的厚度小於所述第二光轉換膜的厚度。
  3. 如請求項1所述的多色溫發光二極體封裝結構的製造方法，其中，所述第一色溫大致為5000K~6000K，而所述第二色溫大致為2200K~3200K。
  4. 如請求項1所述的多色溫發光二極體封裝結構的製造方法，其中，在所述前置步驟中，所述第一光轉換膜的終結端連接於所述第二光轉換膜的起始端。
  5. 如請求項1所述的多色溫發光二極體封裝結構的製造方法，其中，所述樹脂為熱塑性樹脂，所述多個光轉換粒子為螢光粉、量子點、及光散射粒子的至少其一或其組合。
  6. 如請求項1所述的多色溫發光二極體封裝結構的製造方法，其中，在所述封裝步驟中，所述封裝片是以加熱、加壓、或是中空貼合的其一或其組合的方式結合於所述基板上。
  7. 一種多色溫發光二極體封裝結構的製造方法，包括：前置步驟：提供一發光模塊、長型的一第一光轉換膜、長型的一第二光轉換膜；其中，所述發光模塊包含一基板、設置於所述基板上的一線路層、及設置於所述線路層上的多個第一發光二極體晶片與多個第二發光二極體晶片；所述第一光轉換膜具備的一第一色溫不同於所述第二光轉換膜具備的一第二色溫，並且所述第一光轉換膜與所述第二光轉換膜各具有位於相反兩端的一起始端與一終結端；捲曲步驟：自所述第一光轉換膜的起始端開始捲曲至所述第一光轉換膜的終結端，並接續所述第二光轉換膜的起始端捲曲至所述第二光轉換膜的終結端，以使所述第二光轉換膜捲繞在呈螺旋狀的所述第一光轉換膜的外緣，而形成一柱狀構造； 切片步驟：切割所述柱狀構造，以形成一封裝片；其中，所述封裝片包括對應於所述第一色溫的一第一區塊以及對應於所述第二色溫的一第二區塊，所述封裝片具有呈螺旋狀的相對兩個表面，並且所述封裝片的厚度大於任一所述第一發光二極體晶片的厚度或是任一所述第二發光二極體晶片的厚度；以及封裝步驟：將所述封裝片結合於所述基板上，並且所述多個第一發光二極體晶片埋置於所述第一區塊內、所述多個第二發光二極體晶片埋置於所述第二區塊內，以使所述封裝片成形為一光轉換層，所述光轉換層包含一樹脂和混合於所述樹脂的多個光轉換粒子，所述樹脂在攝氏溫度0~30度的儲能模量約為100Mpa或介於100Mpa~500Mpa之間；其中，在所述捲曲步驟中，所述第一光轉換膜的起始端是定位於一柱體而開始繞著所述柱體捲曲至所述第二光轉換膜的終結端，接著移除所述柱體，使所述柱狀構造呈中空狀。
  8. 一種多色溫發光二極體封裝結構，包括：一基板；一線路層，包含有相互分離的一第一線路與一第二線路，且所述線路層設置於所述基板上；多個第一發光二極體晶片與多個第二發光二極體晶片，設置於所述線路層上，且所述第一線路電性連接於所述多個第一發光二極體晶片，所述第二線路電性連接於所述多個第二發光二極體晶片；以及一光轉換層，包含一樹脂和多個光轉換粒子，且設置於所述基板與所述線路層上，並且所述光轉換層表面呈螺旋狀，所述樹脂在攝氏溫度0~30度的儲能模量約為100Mpa或介於100Mpa~500Mpa之間；其中，所述光轉換層包括有一第一轉換區塊與鄰接於所述第一轉換區塊側緣的一第二轉換區 塊，所述第一轉換區塊具備的一第一色溫不同於所述第二轉換區塊具備的一第二色溫，並且所述多個第一發光二極體晶片埋置於所述第一轉換區塊內，所述多個第二發光二極體晶片埋置於所述第二轉換區塊內。
  9. 如請求項8所述的多色溫發光二極體封裝結構，其中，所述第二轉換區塊圍繞所述第一轉換區塊側緣。
  10. 如請求項8所述的多色溫發光二極體封裝結構，其中，所述第一色溫高於所述第二色溫，所述第一色溫為5000K~6000K，所述第二色溫為2200K~3200K。
  11. 如請求項8所述的多色溫發光二極體封裝結構，其中，在所述光轉換層的螺旋狀表面上，所述第一轉換區塊的螺旋間距小於所述第二轉換區塊的螺旋間距。
  12. 如請求項8所述的多色溫發光二極體封裝結構，其中，所述樹脂為一半固化狀態的一熱固性的樹脂，並且所述熱固性的樹脂固化程度為60%~80%。
  13. 如請求項8所述的多色溫發光二極體封裝結構，其中，所述樹脂為一可固化的熱熔性樹脂，所述熱熔性樹脂在攝氏溫度60度~80度的儲能模量為0.1Mp~0.5Mpa，並且斷裂伸長率大於60%。
TW105117574A 2016-05-18 2016-06-03 多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法 TWI600185B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610331690.8A CN107403855B (zh) 2016-05-18 2016-05-18 多色温发光二极管封装结构及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI600185B true TWI600185B (zh) 2017-09-21
TW201742268A TW201742268A (zh) 2017-12-01

Family

ID=60330680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105117574A TWI600185B (zh) 2016-05-18 2016-06-03 多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10396252B2 (zh)
CN (1) CN107403855B (zh)
TW (1) TWI600185B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107403855B (zh) * 2016-05-18 2019-07-09 光宝光电(常州)有限公司 多色温发光二极管封装结构及其制造方法
USD882563S1 (en) * 2018-06-27 2020-04-28 Apple Inc. Electronic device
USD899429S1 (en) 2018-08-30 2020-10-20 Apple Inc. Backplate for an electronic device
US10405399B1 (en) * 2018-09-28 2019-09-03 Lite-On Electronics (Guangzhou) Limited Street light device and operation method thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
US8247248B2 (en) * 2009-05-15 2012-08-21 Achrolux Inc. Methods and apparatus for forming uniform layers of phosphor material on an LED encapsulation structure
EP3637482B1 (en) * 2010-11-18 2022-04-20 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion element and light source comprising the same
EP3220428A1 (en) * 2011-05-27 2017-09-20 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US9326350B2 (en) * 2013-02-07 2016-04-26 Everlight Electronics Co., Ltd. Light-emitting device with multi-color temperature and multi-loop configuration
US9920889B2 (en) * 2013-10-11 2018-03-20 Citizen Electronics Co., Ltd. Lighting device including phosphor cover and method of manufacturing the same
USD751517S1 (en) * 2014-06-16 2016-03-15 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP6381335B2 (ja) * 2014-07-25 2018-08-29 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光モジュール
JP6332290B2 (ja) * 2016-01-18 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN107403855B (zh) * 2016-05-18 2019-07-09 光宝光电(常州)有限公司 多色温发光二极管封装结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10396252B2 (en) 2019-08-27
CN107403855B (zh) 2019-07-09
CN107403855A (zh) 2017-11-28
US20170336054A1 (en) 2017-11-23
TW201742268A (zh) 2017-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI600185B (zh) 多色溫發光二極體封裝結構及其製造方法
US9496472B2 (en) Wafer-level flip chip device packages and related methods
US9754926B2 (en) Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
JP6462130B2 (ja) リードフレームに直接的にアタッチされるｌｅｄダイを含む発光ダイオード（ｌｅｄ）部品
US8471284B2 (en) LED package structure and fabrication method thereof
TWI483434B (zh) 發光二極體的轉置基材與使用該轉置基材的發光裝置製造方法
CN101452986A (zh) 白光发光二极管器件的封装结构和方法
CN103972364A (zh) 一种led光源的制造方法
TWI423485B (zh) 發光二極體封裝結構的製造方法
US20160276546A1 (en) Chip package structure and method of manufacturing the same
TW201344987A (zh) 發光二極體封裝結構的製造方法
JP4629474B2 (ja) 反射部材付きｌｅｄ用実装基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄモジュール
US7811843B1 (en) Method of manufacturing light-emitting diode
US20120037937A1 (en) Led package structure and method of making the same
TW201427104A (zh) 發光二極體製造方法
TWI453960B (zh) 發光二極體封裝方法
US20160218263A1 (en) Package structure and method for manufacturing the same
US9954144B2 (en) Wafer level contact pad solder bumping for surface mount devices with non-planar recessed contacting surfaces
CN101520166A (zh) 光学元件及其制造方法
US20110215357A1 (en) Led package structure and method of manufacturing the same
TWI443872B (zh) 發光二極體封裝結構之形成方法及其基座之形成方法
US20150070881A1 (en) Led light tube of module type
KR101865272B1 (ko) 발광소자 모듈 및 이의 제조방법
JP3138706U (ja) 高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
TW201431128A (zh) 發光元件及其製作方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees