TWI600127B - 使用帕耳帖裝置的非揮發性記憶體的應需冷卻 - Google Patents

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Description

使用帕耳帖裝置的非揮發性記憶體的應需冷卻
此處說明的實施例大致上關於冷卻非揮發性記憶體(NVM)，且特別關於使用帕耳帖裝置的NVM。
非揮發性記憶體(NVM)典型上用以提供高容量記憶體。舉例而言，NVM通常併入於DIMM(雙直列記憶體模組)形狀因素中。
DIMM傳統上具有多個NVM裝置以提供所需的記憶體容量。當多個NVM與傳統的矽技術(例如CPU、晶片組)於系統中混合時，習知的冷卻方法(例如熱散佈器)由於難以維持NVM較低的矽接面溫度，所以，不足以防止NVM記憶體節流。
所有型式的矽晶片具有最大的接面溫度，它們需要在最大的接面溫度之下操作。很多矽晶片，包含記憶體晶片，都具有根據溫度的觸發，以當溫度達到與接面溫度有關的預定限制時，將矽晶片中的活動「調降」。當此發生時，矽晶片會有性能損失。當熱環境變得較佳時，矽晶片 恢復至全效能。
此外，即使在包含多個NVM之DIMM中僅有特定的NVM(或是一些NVM)超過它的(它們的)矽接面溫度限制，仍可能由NVM觸發節流，造成性能損失。
用於包含多個NVM的DIMM之一習知的熱解決之道是將熱散佈器系統用於DIMM上的所有NVM裝置。但是，當利用習知的熱散佈器系統時，即使多個NVM裝置中之一到達其矽接面溫度限制時，對於DIMM仍可能會觸發節流而造成性能損失。
由於熱散佈器系統無法足夠快速地反應(例如藉由增加風扇速度)以提供適當的短期冷期，所以，通常會觸發節流。與電裝置切換時間相比，現有的熱散佈器系統的熱時間常數相當大。
因此，需要應需的、很短的時間常數冷卻機構以用於包含一或更多NVM的DIMM中的個別NVM。設置應需的、很短的時間常數冷卻機構可以減輕過度短的工作循環熱偏離。
特別是當多個NVM以DIMM因素配置時，減輕過度短的工作循環熱偏離可以藉由絕不允許NVM達到節流觸發溫度限制，而消除節流可能性。減輕溫度偏離的響應時間需要比目前用以提供較多NVM冷卻之習知的加速系統風扇方法快多個數量級。
10‧‧‧電子系統
11‧‧‧基底
12‧‧‧非揮發性記憶體
13‧‧‧帕耳帖裝置
14‧‧‧控制
20‧‧‧電子系統
21‧‧‧基底
22‧‧‧非揮發性記憶體
23‧‧‧帕耳帖裝置
24‧‧‧控制
30‧‧‧電子系統
31‧‧‧基底
32‧‧‧非揮發性記憶體
33‧‧‧帕耳帖裝置
34‧‧‧控制
35‧‧‧電子組件
1110‧‧‧電子系統
圖1顯示舉例說明的電子系統，其包含可從帕耳帖裝置接收應需的短時間冷卻之NVM。
圖2顯示圖1的電子系統，其中，電子系統包含多個帕耳帖裝置，提供應需的短時間冷卻給NVM的多個部份。
圖3顯示圖2的電子系統，其中，電子系統又包含控制，可以選擇性地致動多個帕耳帖裝置中之一或更多。
圖4顯示舉例說明的電子系統，其包含可從分別的帕耳帖裝置接收應需的短時間冷卻之多個NVM。
圖5顯示圖4的電子系統，其中，電子系統中的各NVM包含多個帕耳帖裝置，提供應需的短時間冷卻給各NVM的多個部份。
圖6顯示圖5的電子系統，其中，電子系統又包含控制，可以選擇性地致動多個帕耳帖裝置中之一或更多。
圖7顯示在舉例說明的電子系統中包含多個NVM之DIMM的前側。
圖8顯示圖7中所示的DIMM的背側。
圖9是流程圖，顯示使用帕耳帖裝置以提供NVM應需冷卻之舉例說明的方法。
圖10是流程圖，顯示使用多個帕耳帖裝置以提供多個NVM應需冷卻之另一舉例說明的方法。
圖11是包含此處所述的至少一電子系統及/或方法之電子裝置的方塊圖。
【發明內容及實施方式】
下述說明及圖式充份地顯示具體實施例以使習於此技藝者能夠實施它們。其它實施例會將結構、邏輯、電氣、處理、及其它改變併入。某些實施例的部份及特點可以包含於其它實施例的部份及特點中或替代它們。申請專利範圍中揭示的實施例涵蓋這些請求項所有可取得的均等範圍。
例如「水平」等本申請案中使用的方向術語係界定無論晶圓或基底的方向為何都會與晶圓或基底的一般平面或表面相平行的平面。「垂直」一詞意指與上述界定的水平相垂直的方向。例如「on(在...上)」、「側」(例如在「側壁」中)、「較高」、「較低」、「在...之上」、及「在...之下」等前置詞係被定義為無論晶圓或基底的方向為何，就一般平面或表面而言是在晶圓或基底的上表面上。
圖1顯示舉例說明的電子系統10，其包含安裝於基底11上的非揮發性記憶體(NVM)12。NVM 12從帕耳帖裝置13接收應需的短時間冷卻。帕耳帖裝置是熱電裝置，可以視流經帕耳帖裝置的電流之極性而提供加熱或冷卻給組件。
使用帕耳帖裝置13可以使冷卻機構的尺寸最小化。舉例而言，帕耳帖裝置13可為薄膜帕耳帖裝置，可提供應需的短時間冷卻給很低瓦特數NVM 12，以防止NVM 12不會達到造成不必要的節流之矽接面溫度。
帕耳帖裝置13可以被致動，以致於NVM的矽接面溫度維持足夠低以防止節流。NVM 12的溫度可以比使用其它習知的技術(例如加速系統風扇)更加快速地下降。以預定溫度或某些形式，關閉帕耳帖裝置13，由帕耳帖裝置13提供的應需的短時間冷卻可以依需求而由電子系統10重複。
圖2顯示圖1的電子系統10，其中，電子系統10包含安裝至NVM 12的不同部份之至少一增加的帕耳帖裝置13，以在NVM 12操作期間，提供應需的短時間冷卻給NVM 12。考慮電子系統10的多種型式，其中，電子系統10包含任何數目的帕耳帖裝置13。帕耳帖裝置13可以設於NVM 12的不同部份，其中，有(i)預期升高的矽接面溫度發生在NVM 12中；及/或(ii)根據電子系統10的設計之預測的記憶體活動程度。
圖3顯示圖2的電子系統10，其中，電子系統10又包含控制14。在某些舉例說明的電子系統10的形式中，控制14可以(i)預測何時需要多個帕耳帖裝置13中之一或更多提供應需的短時間冷卻給NVM 12的不同部份，然後致動適當的帕耳帖裝置13以提供應需的短時間冷卻；及/或(ii)測量NVM 12的不同部份的溫度，以及，當NVM 12的一或更多部份根據測量溫度而要求冷卻時，致動多個帕耳帖裝置13中之一或更多以提供應需的短時間冷卻給NVM 12的不同部份。
圖4顯示另一舉例說明的電子系統20，其包含安裝 於基底21上的多個NVM 22。電子系統20又包含多個帕耳帖裝置23，以致於多個NVM 22中的各個NVM 22可以從分別的帕耳帖裝置23接收應需的短時間冷卻。
圖5顯示圖4的電子系統20，其中，電子系統22中的各NVM 22包含多個帕耳帖裝置23。舉例而言，多個帕耳帖裝置23提供應需的短時間冷卻給某些或所有NVM 22的多個部份。
圖6顯示圖5的電子系統20，其中，電子系統又包含控制24，控制24選擇性地致動多個帕耳帖裝置23中之一或更多。在某些舉例說明的電子系統20的形式中，控制24可以(i)預測何時需要多個帕耳帖裝置23中之一或更多提供應需的短時間冷卻給分別的NVM 22的不同部份，然後致動適當的帕耳帖裝置23以提供應需的短時間冷卻；及/或(ii)測量分別的NVM 22的不同部份的溫度，以及，當NVM 22的一或更多部份根據測量溫度而要求冷卻時，致動多個帕耳帖裝置23中之一或更多以提供應需的短時間冷卻給NVM 22的不同部份。
考慮電子系統20的多種形式，其中，多個NVM 22中至少一(或更多)包含至少一增加的帕耳帖裝置，以致於多個帕耳帖裝置22可以安裝到至少一NVM 22的不同部份，以在至少一NVM 22操作期間，提供應需的短時間冷卻給至少一NVM 22的不同部份。此外，考慮多個電子系統20的舉例說明的形式，其中，各NVM 22包含至少一增加的帕耳帖裝置23，以致於多個帕耳帖裝置23可以 安裝到各NVM 22的不同部份，以在各NVM 22操作期間，提供應需的短時間冷卻給各NVM 22的不同部份。
圖7顯示DIMM形狀因素電子組件35，其包含安裝於舉例說明的電子系統30中的基底31的前側上之多個NVM 32。圖8顯示圖7中所示的DIMM形狀因素電子組件35的背側，其中，多個NVM 32安裝於基底31的背側37上。
如圖7及8所示，電子系統30又包含控制34。控制34可以預測何時需要多個帕耳帖裝置33中之一或更多提供應需的短時間冷卻給分別的NVM 32的不同部份，然後致動適當的帕耳帖裝置33以提供應需的短時間冷卻。此外，或者替代地，控制34可以測量分別的NVM 32的不同部份的溫度，以及，當NVM 32的一或更多部份根據測量溫度而要求冷卻時，致動多個帕耳帖裝置33中之一或更多以提供應需的短時間冷卻給NVM 32的不同部份。應注意，控制34可以根據各式各樣現在已知或未來發現的因素而提供應需的短時間冷卻給NVM 32的不同部份。
此處所述的電子系統及方法以對應的快速響應時間，提供應需的、即時的短時間冷卻給NVM裝置，降低溫度及可能地消除節流需求。舉例而言，可由此處所述的電子系統及方法提供的NVM冷卻對於圖7及8中顯示的DIMM形狀因素電子組件35不會造成性能損失。
來自帕耳帖裝置33之功率增加的持續時間遠小於熱時間常數且對於DIMM形狀因素電子組件35的整體冷卻 是相當不顯著的。相當短的小功率增加持續時間應不會影響可包含於電子系統30中的任何其它電子組件的整體熱性能。
圖9顯示舉例說明的方法[900]的流程圖。圖1-3顯示用於圖9中所示的方法[900]的多個部份之對應的多個組件。
方法[900]包含[910]，操作電子系統10的部份之非揮發性記憶體(NVM)12(請參見圖1)。方法[900]又包含[920]，使用帕耳帖裝置13以提供應需的短時間冷卻給NVM 12的一部份。
方法[900]又包含[930]，使用控制14以預測需要帕耳帖裝置13來提供應需的短時間冷卻給NVM 12的部份，以及包含[940]，當控制14判定需要提供應需的短時間冷卻給NVM 12的部份時，使用控制14以致動帕耳帖裝置13。此外，或者替代地，方法[900]又包含[950]，使用控制14以測量NVM 12的部份之溫度，以及包含[960]，當控制14判定NVM 12的部份超過預定的溫度時，使用控制14以致動帕耳帖裝置13。
圖10顯示另一舉例說明的方法[1000]的流程圖。圖4-8顯示用於圖10中所示的方法[1000]的多個部份之對應的多個組件。
方法[1000]包含[1010]，操作電子系統20的部份之多個非揮發性記憶體(NVM)22。方法[1000]又包含[1020]，使用帕耳帖裝置23以提供應需的短時間冷卻給 各NVM 22的一部份(請參見圖4及5)。
方法[1000]又包含[1020]，當控制24判定NVM 22的一或更多對應部份要求應需的短時間冷卻時，使用控制24以致動多個帕耳帖裝置23中之一或更多。舉例而言，[1020]使用多個帕耳帖裝置23以提供應需的短時間冷卻給各NVM 22的一部份可以包含使用多個帕耳帖裝置23以提供應需的短時間冷卻給各NVM 22的多個部份。
在方法[1000]的某些舉例說明的形式中，操作電子系統30的部份之多個非揮發性記憶體(NVM)32的[1010]可以包含操作DIMM因素電子組件35(請參見圖7及8)的部份之眾多NVM 32。此外，操作DIMM因素電子組件35的部份之眾多NVM 32包含操作位於DIMM因素電子組件35的二側36、37上的眾多NVM 32。
因此，此處所述的電子封裝10及方法提供應需的即時短時間冷卻給NVM裝置。此處所述之電子封裝10及方法的快速響應時間可以足夠長地降低溫度以防止節流。
圖11顯示此處說明的電子系統及方法之更高階裝置應用實施例。圖11是方塊圖，顯示包含此處所述的至少一電子系統及/或方法之電子裝置1100的方塊圖。
電子裝置1100僅為使用此處所述的電子系統及方法之電子裝置的一實例。電子裝置1100的實例包含但不限於個人電腦、平板電腦、行動電話、遊戲機、MP3或其它數位音樂播放器、等等。在本實例中，電子裝置1100包括資料處理系統，資料處理系統包含系統匯流排1102以 將裝置的各種組件耦合。系統匯流排1102提供電子裝置1100的各種組件之間的通訊鏈結且可實施成單一匯流排、多匯流排的組合、或是以任何其它適當方式實施。
電子系統1110耦合至系統匯流排1102。電子系統1110包含任何電路或電路的組合。在一實施例中，電子系統1110包含任何型式的處理器1112。如同此處使用般，「處理器」意指任何型式的計算電路但不侷限於微處理器、微控制器、複雜指令集計算(CISC)微處理器、精簡指令集計算(RISC)微處理器、超長指令字(VLIW)微處理器、圖形處理器、數位訊號處理器(DSP)、多核心處理器、或任何其它型式的處理器或處理器電路。
包含於電子系統1110中的其它型式的電路可為客製電路、特定應用積體電路(ASIC)、等等，舉例而言，用於例如行動電話、平板電腦、膝上型電腦、雙向無線電、及類似的電子裝置等無線裝置中的一或更多電路(例如通訊電路1114)。IC可以執行其它型式的功能。
電子裝置1000也包含外部記憶體1120，其接著包含一或更多適於特定應用的記憶體元件，例如隨機存取記憶體(RAM)形式的主記憶體1122、一或更多硬碟機1124、及/或一或更多處理例如光碟(CD)、快閃記憶體卡、數位影音光碟(DVD)等可移式媒體1126之驅動器。
電子裝置1000也包含顯示裝置1116、一或更多揚音器1118、及鍵盤和/或控制器1130，控制器1130包含滑 鼠、軌跡球、觸控螢幕、語音辨識裝置、或任何其它允許系統使用者對電子裝置1000輸入資訊及從它接收資訊之裝置。
為了更佳地顯示此處揭示的方法及裝置，於此提供非限定的實施例清單。
實例1包含電子系統，電子系統包含基底及安裝至基底上的非揮發性記憶體(NVM)。電子系統又包含帕耳帖裝置，帕耳帖裝置安裝至NVM的一部份以在NVM操作期間提供應需的短時間冷卻給NVM。
實例2包含實例1的電子系統，其中，至少一增加的帕耳帖裝置安裝至NVM的不同部份以在NVM操作期間提供應需的短時間冷卻給NVM。
實例3包含實例1-2中任一實例的電子系統，又包括控制，預測何時需要多個帕耳帖裝置中之一或更多提供應需的短時間冷卻給NVM的不同部份，然後致動適當的帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻。
實例4包含實例1-3中任一實例的電子系統，又包括控制，測量NVM的不同部份的溫度，以及，當NVM的一或更多部份根據測量溫度而要求冷卻時，控制器會致動多個帕耳帖裝置中之一或更多以提供應需的短時間冷卻給NVM的不同部份。
實例5包含實例1-4中任一實例的電子系統，又包含安裝於基底上的至少一增加的NVM以及至少一增加的帕耳帖裝置，其中，帕耳帖裝置安裝至各增加的NVM的一 部份以在分別的NVM操作期間提供冷卻給各增加的NVM。
實例6包含實例1-5中任一實例的電子系統，又包含控制，預測何時需要多個帕耳帖裝置中之一或更多提供應需的短時間冷卻給分別的NVM的部份，然後致動適當的帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻。
實例7包含實例1-6中任一實例的電子系統，又包含控制，測量各分別的NVM的部份的溫度，以及當NVM之一或分別的部份根據測量溫度而要求冷卻時，控制器會致動多個帕耳帖裝置中之一或更多以提供應需的短時間冷卻給NVM的分別部份。
實例8包含實例1-7中任一實例的電子系統，其中，多個非揮發性記憶體(NVM)中至少之一包含至少一增加的帕耳帖裝置，以致於眾多帕耳帖裝置安裝到至少一NVM的不同部份，以在至少一NVM的操作期間提供應需的短時間冷卻給至少一NVM的不同部份。
實例9包含實例1-8中任一實例的電子封裝，其中，各NVM包含至少一增加的帕耳帖裝置，以致於多個帕耳帖裝置安裝至各NVM的不同部份，以在各NVM的操作期間提供應需的短時間冷卻給各NVM的不同部份。
實例10包含實例1-9中任一實例的電子封裝，其中，眾多NVM及基底是DIMM形狀因素電子組件的部份。
實例11包含實例1-10中任一實例的電子封裝，其 中，至少一NVM安裝至DIMM形狀因素電子組件的前側以及至少一NVM安裝至DIMM形狀因素電子組件的背側。
實例12包含實例1-11中任一實例的電子封裝，又包含控制，預測何時需要多個帕耳帖裝置中之一或更多提供應需的短時間冷卻給分別的NVM的不同部份，然後致動適當的帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻。
實例13包含方法，方法包括操作電子系統的部份之非揮發性記憶體(NVM)，以及，使用帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻給NVM的一部份。
實例14包含實例13的方法，又包含使用控制以預測需要帕耳帖裝置來提供應需的短時間冷卻給NVM的部份，以及，當控制判定需要提供應需的短時間冷卻給NVM的部份時，使用控制以致動帕耳帖裝置。
實例15包含實例13-14之任一者的方法，又包含使用控制以測量NVM的部份之溫度，以及，當控制判定NVM的部份超過預定的溫度時，使用控制以致動帕耳帖裝置。
實例16包含方法，方法包括操作電子系統的部份之多個非揮發性記憶體(NVM)，以及，使用多個帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻給各NVM的一部份。
實例17包含實例16的方法，又包含，當控制判定NVM的一或更多對應部份要求應需的短時間冷卻時，使用控制以致動多個帕耳帖裝置中之一或更多。
實例18包含實例16-17的方法，其中，使用多個帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻給各NVM的一部份包含使用多個帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻給各NVM的多個部份。
實例19包含實例16-18中任一實例的方法，其中，操作電子系統的部份之多個非揮發性記憶體(NVM)包含操作DIMM因素電子組件的部份之多個非揮發性記憶體(NVM)。
實例20包含實例16-19中任一實例的方法，其中，操作DIMM因素電子組件的部份之多個非揮發性記憶體(NVM)包含操作設於DIMM因素電子組件的二側上之多個非揮發性記憶體(NVM)。
本概述是要提供本標的之非限定性實例，不是要提供排它的或竭盡性的說明。包含詳細說明以提供關於方法的進一步資訊。
上述詳細說明包含參考形成其一部份的附圖。圖式以舉例說明的方式顯示可實施本發明之特定實施例。這些實施例於此也稱為「實例」。這些實例包含所示或所述以外的元件。但是，本發明人也慮及僅提供所示及說明的那些元件之實例。此外，本發明人也考慮到使用所示或所述、或是與特定實例(或是其一或更多態樣)有關、或是與此處所示或說明的其它實施例有關(或是其一或更多態樣)的那些元件之任何結合或替代(或其一或更多態樣)之實例。
在本文件中，也使用專利文獻使用的「非定冠詞(a或an)」等詞以包含一或一個以上，與「至少之一」或是「一或更多」的任何情形或使用相獨立。在本文獻中，「或」一詞用以意指非排它的，或是，除非另外指明，否則「A或B」包含「A但非B」、「B但非A」、以及「A及B」。在本文獻中，使用「包含(including)」、及「其中(in which)」等詞作為「包括(comprising)」及「其中(wherein)」等分別的詞之一般英文的同義。而且，在後附的申請專利範圍中，「包含(including)」及「包括(comprising)」是開放式的，亦即，除了包含請求項中此詞之後列出的元件以外的元件之系統、裝置、物品、成份、配方、或處理仍被視為落在該請求項的範圍之內。此外，在後附的申請專利範圍中，「第一」、「第二」、及「第三」等等僅作為標示，而非要對它們的物件施加數字要求。
上述說明是說明性的而非限制性的。舉例而言，上述實例(或是其一或更多態樣)可以彼此結合地使用。舉例而言，具有此技藝的一般技術者在審視上述說明之後，可以使用其它實施例。
提供摘要以符合37C.F.R.§1.72(b)，以使讀者能夠快速地確定技術揭示的本質。須瞭解，摘要不應用以解釋或限定申請專利範圍的範圍或意義。
而且，在上述詳細說明中，各式各樣的特點可以分組在一起以使揭示流暢。這不應被解釋為未請求的揭示特點 對任何請求項是必要的。反而，發明的標的在於少於特定揭示的實施例之所有特點。因此，後附的申請專利範圍於此併入詳細說明中，以各請求項代表它自己分別的實施例，以及，可以思及這些實施例以不同的結合或更換而彼此結合。應參考後附的申請專利範圍、及伴隨這些請求項的全均等範圍，而決定發明的範圍。
20‧‧‧電子系統
21‧‧‧基底
22‧‧‧非揮發性記憶體
23‧‧‧帕耳帖裝置

Claims (20)

  1. 一種電子系統，包括：基底；以及安裝至該基底上的非揮發性記憶體(NVM)；以及帕耳帖裝置，安裝至該NVM的第一部份以在該NVM操作期間提供應需的短時間冷卻給該NVM。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子系統，又包括至少一增加的帕耳帖裝置安裝至該NVM的該第一部份以外的一或更多部份，以在該NVM操作期間提供應需的短時間冷卻給該NVM。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子系統，又包括控制器，該控制器預測何時需要多個該帕耳帖裝置中之一或更多提供應需的短時間冷卻給該NVM的該第一部份以及該第一部份以外的該一或更多部份，然後致動適當的該帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻。
  4. 如申請專利範圍第2項之電子系統，又包括控制器，該控制器測量該NVM的該第一部份以及該第一部份以外的該一或更多部份的溫度，以及，當該NVM的一或部份根據該測量溫度而要求冷卻時，該控制器會致動多個該帕耳帖裝置中之一或更多以提供應需的短時間冷卻給該NVM的該第一部份以及該第一部份以外的該一或更多部份。
  5. 如申請專利範圍第1項之電子系統，又包括：安裝於該基底上的至少一增加的NVM；以及 至少一增加的帕耳帖裝置，其中，帕耳帖裝置安裝至各增加的NVM的第一部份以在分別的NVM操作期間提供冷卻給各增加的NVM。
  6. 如申請專利範圍第5項之電子系統，又包括控制器，該控制器預測何時需要多個該帕耳帖裝置中之一或更多提供應需的短時間冷卻給該分別的NVM的該第一部份，然後致動適當的該帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻。
  7. 如申請專利範圍第5項之電子系統，又包括控制器，該控制器測量各分別的NVM的該第一部份的溫度，以及當多個該NVM中之一或該等分別的第一部份根據該測量溫度而要求冷卻時，該控制器會致動多個該帕耳帖裝置中之一或更多以提供應需的短時間冷卻給該NVM的該等分別的第一部份。
  8. 如申請專利範圍第5項之電子系統，其中，多個該非揮發性記憶體(NVM)中至少之一包含至少一增加的帕耳帖裝置，以致於眾多帕耳帖裝置安裝到該至少一NVM的該第一部份以外的一或更多部份，以在該至少一NVM的操作期間提供應需的短時間冷卻給該至少一NVM的該第一部份以及該第一部份以外的該一或更多部份。
  9. 如申請專利範圍第8項之電子系統，其中，各NVM包含至少一增加的帕耳帖裝置，以致於多個帕耳帖裝置安裝至各NVM的該第一部份以外的該一或更多部份，以在各NVM的操作期間提供應需的短時間冷卻給各 NVM的該第一部份以及該第一部份以外的該一或更多部份。
  10. 如申請專利範圍第9項之電子系統，其中，該眾多NVM及該基底是雙直列記憶體模組(DIMM)形狀因素電子組件的部份。
  11. 如申請專利範圍第10項之電子系統，其中，至少一NVM安裝至該DIMM形狀因素電子組件的前側以及至少一NVM安裝至該DIMM形狀因素電子組件的背側。
  12. 如申請專利範圍第10項之電子系統，又包含控制器，該控制器預測何時需要多個該帕耳帖裝置中之一或更多提供應需的短時間冷卻給該分別的NVM的該第一部份以及該第一部份以外的該一或更多部份，然後致動適當的該帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻。
  13. 一種方法，包括：操作電子系統的部份之非揮發性記憶體(NVM)；以及使用帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻給該NVM的一部份。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，又包括：使用控制器以預測需要該帕耳帖裝置來提供應需的短時間冷卻給該NVM的該部份；以及，當該控制器判定需要提供應需的短時間冷卻給該NVM的該部份時，使用該控制器以致動該帕耳帖裝置。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，又包括： 使用控制器以測量該NVM的該部份之溫度，以及當該控制器判定該NVM的該部份超過預定的溫度時，使用該控制器以致動該帕耳帖裝置。
  16. 一種方法，包括：操作電子系統的部份之多個非揮發性記憶體(NVM)；以及，使用多個帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻給各NVM的一部份。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，又包括：當控制器判定該NVM的一或更多對應部份要求應需的短時間冷卻時，使用該控制器以致動多個該帕耳帖裝置中之一或更多。
  18. 如申請專利範圍第16項之方法，其中，使用多個帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻給各NVM的一部份包含使用多個該帕耳帖裝置以提供應需的短時間冷卻給各NVM的多個部份。
  19. 如申請專利範圍第16項之方法，其中，操作電子系統的部份之多個非揮發性記憶體(NVM)包含操作DIMM因素電子組件的部份之多個非揮發性記憶體(NVM)。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，操作DIMM因素電子組件的部份之多個非揮發性記憶體(NVM)包含操作設於該DIMM因素電子組件的二側上之多個非揮發性記憶體(NVM)。
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