TWI594162B - 增強型３ｄ偵測模組的偵測方法 - Google Patents

Description

增強型3D偵測模組的偵測方法

本揭示文件涉及一種偵測方法，尤其涉及一種具有觸控點偵測以及壓力偵測的增強型3D偵測模組的偵測方法。

隨著觸控技術的發展，無論是現有的工業電子裝置還是消費電子裝置大多數都採用了具有觸控功能的顯示面板，具有觸控功能的顯示面板表面受到來自手指以及觸控筆等的操作時，電子裝置通過檢測觸控點的位置來執行特定的操作。對於觸控點的偵測，無論是電容屏還是電阻屏，其均通過不同的原理來確定觸控點在顯示面板上的二維坐標，以顯示面板所在表面建立二維坐標系(X，Y)，觸控點的檢測就相當於確定觸控點在X軸方向的位置以及Y軸方向上的位置，即確定觸控點的二維位置。

為了進一步豐富具有觸控功能的顯示面板，目前已有部分顯示面板會加裝壓力傳感器，所述壓力傳感器包括多個壓感單元，位於觸控點處的壓感單元感應來自垂直於 顯示面板(相當於Z軸方向)的按壓力會產生一定的形變從而引起壓感單元處的電信號發生變化，對該電性號的偵測可以確定壓感單元所受到的壓力。不同位置觸控點匹配不同按壓力值時可設置對應的裝置功能，即我們可以從觸控點(X，Y)和壓力(Z)所界定的3D(3-dimension三維)角度去豐富設計。

但現有的具有3D偵測功能的顯示面板都普遍的存在一個問題，其壓力信號的偵測不夠精準而導致用戶體驗感較差，且壓力偵測，觸控點偵測之間容易發生訊號干擾。

為克服目前具有3D偵測功能的顯示面板所存在的壓力信號偵測不夠精準地問題，本揭示文件提供一種增強型3D偵測模組的偵測方法。

本揭示文件提供一種解決上述技術問題的方案：一種增強型3D偵測模組的偵測方法，所述增強型3D偵測模組包括一感應觸控點位置的多個觸控單元，一感應按壓力的多個壓感單元以及一信號處理電路，所述偵測方法包括：步驟S1：提供一觸控掃描脈衝至所述的多個觸控單元；提供一壓力掃描脈衝至少二壓感單元；步驟S2：所述的多個觸控單元根據觸控掃描脈衝感應觸控點位置以產生觸控信號；所述至少二壓感單元根據壓力掃描脈衝感應按壓力以產生一疊加的壓力信號；及步驟S3：信號處理電路根據所 述疊加的壓力信號與所述觸控信號判斷至少一觸控點位置及按壓力值。

優選地，在步驟S2中，所述至少二壓感單元設置在同一平面內，所述至少二壓感單元相互獨立且相鄰設置。

優選地，在步驟S2中，所述至少二壓感單元設置在同一平面內，所述至少二壓感單元為串聯設置。

優選地，在步驟S2中，所述至少二壓感單元分別在一第一壓力感應層及一第二壓力感應層於垂直投影方向相對應設置或平移錯位設置或交錯設置或互補設置。

優選地，在步驟S2中，所述至少二壓感單元之壓力掃描脈衝與所述觸控掃描脈衝分時序進行，所述至少二壓感單元接收同一壓力掃描脈衝，或接收彼此獨立的壓力掃描脈衝且該獨立的壓力掃描脈衝同時序或分時序進行。

優選地，在步驟S2中，所述至少二壓感單元之壓力掃描脈衝與所述觸控掃描脈衝同時序進行且所述兩者的電位切換點錯位。

優選地，在步驟S2中，所述至少二壓感單元分別擇取於左右或上下靠近的兩壓感單元組，所述每一壓感單元組包括至少一壓感單元，所述至少二壓感單元之壓力掃描脈衝與所述觸控掃描脈衝分時序進行且電位切換點錯位。

優選地，所述至少二壓感單元為多個壓感單元，分別設置在一第一壓力感應層和一第二壓力感應層上，位於所述第一壓力感應層和所述第二壓力感應層上的多個 壓感單元分組串聯，所述每一壓感單元組包括至少二壓感單元。

優選地，在步驟S2中，所述至少二壓感單元中的至少一壓感單元設置在所述第一壓力感應層上，且有至少一壓感單元設置在所述第二壓力感應層上，位於所述第一壓力感應層上的至少一壓感單元與位於所述第二壓力感應層上的至少一壓感單元的壓力掃描脈衝同時序進行。

優選地，所述增強型3D偵測模組包括一顯示模組，所述顯示模組包括多個由像素掃描脈衝驅動的像素單元，所述像素掃描脈衝與壓力掃描脈衝同時序進行，所述像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝均同時序進行。

優選地，所述增強型3D偵測模組包括一驅動器，所述驅動器直接或間接提供所述像素掃描脈衝，所述壓力掃描脈衝以及所述觸控掃描脈衝。

優選地，設定所述像素掃描脈衝頻率為Fg，所述觸控掃描脈衝頻率為Ft，所述壓力掃描脈衝頻率為Ff，Fg>Ft>Ff，Fg=(1~20)Ft，Fg=(1~50)Ff。

與現有技術相比，本揭示文件所提供的觸控顯示設備具有如下優點：

1.通過一次偵測多個壓感單元(壓感單元組)來增強壓力偵測效果，增強型3D偵測模塊隨機或按程序選取按壓位置處所對應壓感單元進行疊加性的偵測，可以提升增強型3D偵測模塊的壓力偵測靈敏度以及偵測精准度。

2.所述一次偵測的多個壓感單元採用同一驅動器同時供予壓力掃描脈衝，該種同步驅動方式保證了不同壓感單元按壓力值偵測的同步性，以保證按壓力值檢測的精准度。

3.電信號之間在電位切換點非常容易受到訊號干擾而導致觸控點位置或按壓力值的偵測不精准。在本揭示文件中所述觸控掃描脈衝與壓力掃描脈衝之間分時序進行，故兩者之間不存在訊號的干擾。又，觸控掃描脈衝與像素掃描脈衝雖然同時序，但兩者在同一週期內的電位切換點錯位，故，兩者之間的訊號干擾大幅降低，保證了3D偵測模塊的穩定性。同理，像素掃描脈衝與壓力掃描脈衝之間的訊號干擾也大幅降低。

4.本揭示文件中採用惠斯通電橋對按壓力值進行檢測，其電路結構簡單，控制精度高。最重要的所述壓力信號處理器中採用電橋與多路複用器結合，通過多路複用器選擇不同的壓感單元，但不同壓感單元在偵測壓力信號時所構成的惠斯通電橋中，電阻Ra與Rb為共享電阻，這樣設計可以大大地降低惠斯通電橋中的電阻數量，且不同壓感單元在進行壓力偵測時，由於其部分硬件共享，故相互之間的誤差率降低。更進一步，所述壓感單元所對應的內阻RF0,RF1,RF2...RFn一一對應設置有RC0,RC1,RC2...RCn作為參考電阻，該參考電阻設置在RF0,RF1,RF2...RFn附近，這樣，它們之間的受到溫度影響一致，受到的其他噪聲也近似，這樣有利於惠斯通電橋的穩定，降低了硬件電路 因自身溫度漂移，環境因素所帶來的信號誤判。RF0,RF1,RF2...RFn與RC0,RC1,RC2...RCn互為參考電阻，這樣降低噪聲的同時優化了資源的配置。惠斯通電橋的輸出信號端接有運算放大電路，所述運算放大電路不僅可以將輸出信號U0進行放大，且其可以利用運算放大電路抑制噪聲的特性來降低噪聲。以RF0與RC0為例來進行說明，在上基板受到按壓力時，RF0電阻值變化為△r，但實際上RF0受到如溫度以及其他干擾而會產生△s(△s為噪聲電阻變化信號，其包括一部分源於溫度變化所帶來的噪聲以及一部分源於電信號之間的干擾噪聲)的噪聲，對於參考電阻RC0來說，其受到如溫度以及其他干擾與其附近的RF0一致，大小也為△s的噪聲，該噪聲△s在運算放大電路的反向輸入端經過反向後即與同向輸入端的壓敏電阻RF0的噪聲相抵消，經過運算放大電路後，不僅使△r擴大兩倍，也消除了如溫度以及其他干擾而會產生△s的噪聲，進一步提升了壓力信號的偵測精度。

10‧‧‧增強型3D偵測模組

11‧‧‧上基板

12‧‧‧貼合層

13‧‧‧壓力感應層

131‧‧‧壓感單元

132‧‧‧壓力驅動線

134‧‧‧壓力信號接收線

14‧‧‧第一基材層

15‧‧‧觸控感應層

16‧‧‧第二基材層

17‧‧‧顯示模組

18‧‧‧信號處理電路

19‧‧‧壓力信號處理器

191‧‧‧電橋

192‧‧‧運算放大電路

193‧‧‧壓感信號處理單元

731‧‧‧壓感單元組

731’‧‧‧壓感單元

80‧‧‧增強型3D偵測模組

81‧‧‧上基板

82‧‧‧貼合層

83‧‧‧第一壓力感應層

83’‧‧‧第二壓力感應層

84‧‧‧第一基材層

84’‧‧‧第三基材層

85‧‧‧觸控感應層

86‧‧‧第二基材層

87‧‧‧顯示模組

88‧‧‧信號處理電路

66‧‧‧增強型3D偵測模組

663‧‧‧壓力感應層

664‧‧‧屏蔽層

665‧‧‧觸控感應層

667‧‧‧顯示模組

99‧‧‧增強型3D偵測模組

990‧‧‧顯示模組

991‧‧‧上基板

992‧‧‧貼合層

993‧‧‧壓力感應層

994‧‧‧上偏光片

995‧‧‧觸控感應層

996‧‧‧上基板

997‧‧‧液晶層

998‧‧‧下基板

999‧‧‧下偏光片

S0,S1,S2,S3,S5‧‧‧步驟

當結合隨附圖式閱讀時，自下列詳細描述將便於理解本揭示文件之態樣。應注意，根據工業中的標準實務，各特徵並非按比例繪製。事實上，出於論述清晰之目的，可能增加或減小各特徵之尺寸。

第1圖是本揭示文件第一實施例增強型3D偵測模組的層狀結構示意圖。

第2圖是本揭示文件第一實施例增強型3D偵測模組中壓力感應層的局部結構示意圖。

第3圖是本揭示文件第一實施例增強型3D偵測模組中壓力信號處理器的電路結構示意圖。

第4圖是第3圖中壓力信號偵測原理圖。

第5圖是本揭示文件第一實施例增強型3D偵測模組中像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝之時序圖。

第6圖是本揭示文件第二實施例增強型3D偵測模組中像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝之時序圖。

第7圖是本揭示文件第三實施例增強型3D偵測模組中像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝之時序圖。

第8圖是本揭示文件第四實施例增強型3D偵測模組中像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝之時序圖。

第9圖是本揭示文件第五實施例增強型3D偵測模組中像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝之時序圖。

第10圖是本揭示文件第六實施例增強型3D偵測模組中壓力感應層的局部結構示意圖。

第11圖是本揭示文件第六實施例增強型3D偵測模組中像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝之時序圖。

第12圖是本揭示文件第七實施例增強型3D偵測模組中壓力感應層的局部結構示意圖。

第13圖是本揭示文件第七實施例增強型3D偵測模組中像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝之時序圖。

第14圖是本揭示文件第八實施例增強型3D偵測模組的層狀結構示意圖。

第15圖是本揭示文件第八實施例增強型3D偵測模組中第一壓力感應層和第二壓力感應層疊加效果局部結構示意圖。

第16圖是本揭示文件第八實施例增強型3D偵測模組中像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝之時序圖。

第17圖是本揭示文件第九實施例增強型3D偵測模組中第一壓力感應層和第二壓力感應層疊加效果局部結構示意圖。

第18圖是本揭示文件第九實施例增強型3D偵測模組中像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝之時序圖。

第19圖是本揭示文件第十實施例增強型3D偵測模組的層狀結構示意圖。

第20圖是本揭示文件第十一實施例增強型3D偵測模組的層狀結構爆炸示意圖。

第21圖是本揭示文件第十二實施例增強型3D偵測方法的流程圖。

為了使本揭示文件的目的，技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施實例，對本揭示文件進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本揭示文件，並不用於限定本揭示文件。需留意，本揭示文件所有實施例之訊號脈衝使用均採用常見的方波訊號進行釋例性說明，然於實際應用上不以方波為限而可以 是任何可以滿足本揭示文件訊號處理原則使用的各種形式訊號，訊號處理手法也並不以方波專用為限。

請參閱第1圖，本揭示文件第一實施例增強型3D偵測模組10從上至下(本揭示文件中所涉及的上、下左右等位置詞僅限於指定視圖中的相對位置，而非絕對位置)包括一上基板11、一貼合層12、一壓力感應層13、一第一基材層14、觸控感應層15、一第二基材層16以及一顯示模組17與一信號處理電路18，所述壓力感應層13、觸控感應層15以及顯示模組17通過導電線(圖未視)電連接於信號處理電路18。

所述上基板11可以認定為我們傳統觸控面板上的觸摸蓋板，所謂的蓋板包括一觸控操作面與一組件安裝面，其觸控操作面用於手指或觸控筆等進行觸控操作，組件安裝面則用於安裝觸控組件，壓感組件或顯示模組等。

貼合層12可以選用OCA(光學透明膠，Optical Clear Adhesive)或LOCA(液態光學透明膠，Liquid Optical Clear Adhesive)，其用於實現上基板11與其他組件之間的貼合。

第一基材層14與第二基材層16分別作為壓力感應層13與觸控感應層15的承載層，第一基材層14與第二基材層16的材質可以各別選用是柔性基材，也可以是剛性基材；以第一基材層14來說，較佳是選用柔性基材。

所述信號處理電路18設置在第二基材層16的下方，其位置不作限定，其也可以設置於第二基材層16上方或其一側。

觸控感應層15上陣列設置有多個觸控單元(圖未視)，每一觸控單元設置有一觸控驅動線，所述觸控驅動線用於接收驅動信號：觸控掃描脈衝，在觸控掃描脈衝加載在觸控單元上時，觸控單元應手指或觸控筆等的操作而發生電性變化而產生一觸控信號至信號處理器，所述信號處理器對觸控信號進行運算等處理得出觸控點位置。

顯示模組17上陣列設置有多個像素單元(圖未視)，每一像素單元設置有一像素驅動線，所述像素驅動線用於接收驅動信號：像素掃描脈衝，在像素掃描脈衝加載在像素單元上時，所述像素單元運作。

請參閱第2圖，所述壓力感應層13上分佈設置有多個相互獨立的壓感單元131，所述壓感單元131為正六邊形作為壓感單元131的代表(請注意，壓感單元131的實際形狀不作限定，其可以是正方形，三角形，菱形或其他不規則形狀，優選為“米”字型)，每一壓感單元131至少包括一壓力驅動線132與一壓力信號接收線134，所述壓力驅動線132用於接收驅動信號：壓力掃描脈衝，壓力掃描脈衝加載在壓感單元131上時，壓感單元應手指或觸控筆等的操作而壓感單元131材料特性發生應力形變(即拉張力造成具特定圖型的材料阻值發生改變)進而產生電信號變化發出一壓力信號，該壓力信號通過壓力信號接收線134傳遞至信號處 理電路18。信號處理電路18對壓力信號進行運算等處理得出按壓力值。

請參閱第3圖，信號處理器18包括一壓力信號處理器19，至少一驅動器(圖未視)與至少一電橋191以及一壓感信號處理單元193，至少一電橋191電連接於一壓感信號處理單元193。所述至少一驅動器為壓感單元131，觸控單元以及像素單元分別提供壓力掃描脈衝，觸控掃描脈衝以及像素掃描脈衝，優選地，所述壓力掃描脈衝，觸控掃描脈衝以及像素掃描脈衝由同一驅動器直接或間接提供，所述間接提供可以是驅動器所輸出的驅動信號經過驅動脈衝處理電路對驅動信號進行選擇，位移，脈寬縮窄，分頻等處理後再提供給觸控單元和/或壓感單元131。

電橋191包括第一多路複用器MUX1、第二多路複用器MUX2、至少一電阻Ra、至少一電阻Rb(設置於控制芯片組內)與一運算放大電路192。第一多路複用器MUX1與第二多路複用器MUX2的輸出端作為運算放大電路192的輸入信號U0分別電性連接於運算放大電路192的同相輸入端以及反向輸入端，運算放大電路192的輸出端連接有一處理壓力信號的壓感信號處理單元193。

第一多路複用器MUX1的輸出端連接在電阻Ra的一端，電阻Ra的另一端電性連接於激勵源的正極端VEX+；第二多路複用器MUX2的輸出端連接在電阻Rb的一端，電阻Rb的另一端電性連接於激勵源的正極端VEX+。於相關實施例中，激勵源的建置採用單電源或雙電 源供電方式但並非限定，而激勵訊號可以採用方波、正弦波或定電壓訊號等合適的給定訊號，訊號型態亦並不加以限定；優選地，激勵源較佳可以採用本文每一實施例所揭示具方波型態掃描脈衝式的壓力掃描脈衝作為激勵源提供的信號，對壓感單元131進行激勵並偵測變化。

第一多路複用器MUX1的輸入端連接的是壓力感應層13上第一組多個壓感單元131之壓力信號接收線134，即第一組多個壓感單元131所對應的內阻RF0,RF1,RF2...RFn的一端接入第一多路複用器MUX1的輸入端(第一組多個壓感單元131所對應的內阻RF0,RF1,RF2...RFn的另一端電性連接於激勵源的負極端VEX-)。所述第一組多個壓感單元131對應的內阻為RF0,RF1,RF2...RFn，在用戶觸摸上基板11產生一定的壓力時，位於上基板11之下的壓感單元131所對應的內阻RF0,RF1,RF2...RFn阻值會發生變化。第一多路複用器MUX1可以選擇RF0,RF1,RF2...RFn的其中一個電阻作為其輸入。

第二多路複用器MUX2的輸入端連接的是壓力感應層13上的第二組多個壓感單元131之壓力信號接收線134，即第二組多個壓感單元131所對應的內阻RF0,RF1,RF2...RFn的一端接入第一多路複用器MUX1的輸入端(第二組多個壓感單元131所對應的內阻RF0,RF1,RF2...RFn的另一端電性連接於激勵源的負極端VEX-)。所述第二組多個壓感單元131內阻為RC0,RC1,RC2...RCn，其與RF0,RF1,RF2...RFn一一匹配設置， 舉例來說RC0設置在RF0的附近，RC1設置在RF1的附近，如此類推。RC0,RC1,RC2...RCn與RF0,RF1,RF2...RFn互為參考電阻且它們一端連激勵源的負極端VEX-。第二多路複用器MUX2可以選擇RC0,RC1,RC2...RCn的其中一個電阻作為其輸入。

請參閱第4圖，以第一多路複用器MUX1選擇RF0與第二多路複用器MUX2選擇RC0為例來對壓力感應層13的工作原理進行說明。所述電阻RF0、電阻RC0(位於壓力感應層13上)以及電阻Ra與Rb(可設置於控制芯片組內)構成了惠斯通電橋，在無按壓力作用時，惠斯通電橋處於平衡狀態。激勵源為電橋191提供穩壓電源，所述穩壓電源在接入時不考慮其正負極極性，本實施例中優選直流穩壓電源。當用戶在上基板11操作時，其對上基板11有一個按壓力，所述壓感單元131中對應內阻RF0,RF1,RF2...RFn一個或多個阻值改變，這樣，惠斯通電橋平衡被打破而導致輸出電信號U0必定發生變化，不同阻值的改變對應著不同的壓力值，故，通過對惠斯通電橋的輸出信號U0進行計算及處理即可以得出相應的壓力值。實際上，我們也可以根據需要設置共享的固定參考電阻來代替RC0,RC1,RC2...RCn。

為了增強按壓力值偵測的精準度，本實施例中採用一次擇取至少2個壓感單元131來偵測一次按壓力值。具體以第2圖中的多個壓感單元131為例來進行說明： 第2圖中包括一壓感單元a，壓感單元b，壓感單元c，壓感單元d及壓感單元e，該壓感單元a，壓感單元b，壓感單元c，壓感單元d及壓感單元e分別對應設置有壓力驅動線Vf_a，Vf_b，Vf_c，Vf_d及Vf_e，手指或觸控筆等在上基板11上進行觸控操作時，其對上基板11有一按壓力作用，設定該觸控點中心位置與壓力感應層13上的壓感單元a處的位置對應，但實際上，觸控單元密度往往高於壓感單元131密度，用戶在操作時，其按壓位置對應有多個壓感單元131，尤其是壓感單元131的尺寸較小時，也就是按壓位置與壓感單元a處對應外，尚同時按壓到其周邊的壓感單元b，壓感單元c，壓感單元d及壓感單元e中的一個或多個；也因此，壓感單元a的內阻發生變化的同時，壓感單元b，壓感單元c，壓感單元d及壓感單元e中的一個或多個的內阻也因落入按壓範圍極有可能發生了變化，這時，我們可以通過擇取壓感單元a以及其附近的一個或多個壓感單元131進行壓力偵測以實現壓力信號補強。

接著以一次擇取3個壓感單元131為例來進行說明(依據算法選取邏輯)，觸控點中心位置與壓力感應層13上的壓感單元a處的位置對應，為檢測該次按壓力值，信號處理電路18將隨機或按一設定程序多次擇取壓感單元a附近的兩個壓感單元131進行按壓力值的檢測，其具體偵測為：步驟P1：第一次擇取壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c以偵測按壓力值；步驟P2：第二次擇取壓感單元a，壓 感單元c，壓感單元d偵測以按壓力值；步驟P3：第三次擇取壓感單元a，壓感單元d及壓感單元e以偵測按壓力值。

以S1第一次擇取壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c為例來說明壓力信號補強原理，請參閱第5圖(本揭示文件中所有時序圖中僅以特定的幾組時序圖來表示電信號的變化趨勢，其實際的時序圖數量匹配於像素單元，壓感單元131以及觸控單元之數量，並不以此為限)，驅動器同時(例如給予群發激勵訊號)為壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c提供壓力掃描脈衝，在按壓力的作用下，壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c中的一個或多個因按壓力壓到而發生了內阻變化，壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c分別通過壓力信號接收線134將壓力信號傳至不同的電橋191，不同電橋191接收所述壓力信號後通過惠斯通電橋檢測相應的內阻變化量(可以是無論並聯或串聯的型態)，然後將所述壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c所對應的內阻變化量進行疊加後輸出至壓感信號處理單元193即完成所述按壓力值的檢測。由於在偵測過程中，一次擇取有多個壓感單元131，多個壓感單元131所對應的內阻變化量疊加必定比單個壓感單元131所對應的內阻變化量要大，這樣相當於增強了壓力信號，使增強型3D偵測模組10的壓力偵測靈敏度提高，偵測效果更精準。

驅動器同時為一次擇取的多個壓感單元131提供壓力脈衝信號(例如給予群發激勵信號)，其所受到的壓力掃描脈衝之脈寬窄於(或不寬於)像素單元所接收到的像素 掃描脈衝之脈寬且所述兩者之間的電位切換點錯位。觸控掃描脈衝脈寬也窄於(或不寬於)像素掃描脈衝之脈寬且電位切換點錯位。觸控掃描脈衝與像素掃描脈衝同時序進行但與壓力掃描脈衝分時序進行。壓力掃描脈衝與像素掃描脈衝同時序進行。如第5圖中所示，Vg_n(n為正整數，第5圖中取1~6為例來進行說明)代表不同像素單元所接收到的像素掃描脈衝。Vt_n(n為正整數，第5圖中取1~3為例來進行說明)代表不同觸控單元所接收到的觸控掃描脈衝。Vf_F(F代表壓感單元編號)代表不同壓感單元所接收到的壓力掃描脈衝，Vf_F及Vt_n脈寬較佳地系窄於Vg_n。具體地，Vf_a/Vf_b/Vf_c代表壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c所接收到的壓力掃描脈衝，於本實施例中Vf_a/Vf_b/Vf_c三者彼此系同步且脈寬與振幅強度相同。Vg_1、Vg_2分別代表像素單元1與像素單元2所接收到的像素掃描脈衝時序圖，Vt_1為觸控單元1所接收到的觸控掃描脈衝，Vg_1的電位切換點為t1與t2，Vg_2的電位切換點為t7與t8，Vt_1的電位切換點為t3與t4，Vf_a/Vf_b/Vf_c的電位切換點為t5與t6，t1<t3<t4<t2<t5<t6<t8，t2=t7。在像素單元1運作時，觸控單元與壓感單元131還未運作，當觸控單元1開始運作和結束運作(電位切換點)時，像素單元1所接收到的像素掃描脈衝在穩定期，故，觸控單元1的電位切換點對其不會造成訊號干擾。同理，壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c所接收到的壓力掃描脈衝也不會與像素單元2之間 的產生訊號干擾。而觸控掃描脈衝與壓力掃描脈衝之間分時序進行，其相互之間也不會產生干擾信號。

在一次按壓力的偵測過程中，擇取的壓感單元131的數量不作限定，其可以根據壓感單元131的具體尺寸和數量進行選擇。

在本揭示文件所有實施例中，所謂同時序即指在像素掃描脈衝的一個工作週期(電位為“1”)內，壓力掃描脈衝/觸控掃描脈衝之工作週期與其存在重疊(不包括時序圖的端點重疊)。反之，則為分時序。與現有技術相比，本揭示文件增強型3D偵測模組具有如下優點：

1.通過一次偵測多個壓感單元131(壓感單元組)來增強壓力偵測效果，增強型3D偵測模組隨機或按程序選取按壓位置處所對應壓感單元131進行疊加性的偵測，可以提升增強型3D偵測模組10的壓力偵測靈敏度以及偵測精準度。

2.所述一次偵測的多個壓感單元131採用同一驅動器同時供予壓力掃描脈衝，該種同步驅動方式保證了不同壓感單元131按壓力值偵測的同步性，以保證按壓力值檢測的精準度。

3.電信號之間在電位切換點非常容易受到訊號干擾而導致觸控點位置或按壓力值的偵測不精準。在本揭示文件中所述觸控掃描脈衝與壓力掃描脈衝之間分時序進行，故兩者之間不存在訊號的干擾。又，觸控掃描脈衝與像素掃描脈衝雖然同時序，但兩者在同一週期內的電位切換點 錯位，故，兩者之間的訊號干擾大幅降低，保證了3D偵測模組的穩定性。同理，像素掃描脈衝與壓力掃描脈衝之間的訊號干擾也大幅降低。

4.本揭示文件中採用惠斯通電橋對按壓力值進行檢測，其電路結構簡單，控制精度高。最重要的所述壓力信號處理器19中採用電橋191與多路複用器結合，通過多路複用器選擇不同的壓感單元131，但不同壓感單元131在偵測壓力信號時所構成的惠斯通電橋中，電阻Ra與Rb為共享電阻，這樣設計可以大大地降低惠斯通電橋中的電阻數量，且不同壓感單元131在進行壓力偵測時，由於其部分硬件共享，故相互之間的誤差率降低。更進一步，所述壓感單元131所對應的內阻RF0,RF1,RF2...RFn一一對應設置有RC0,RC1,RC2...RCn作為參考電阻，該參考電阻設置在RF0,RF1,RF2...RFn附近，這樣，它們之間的受到溫度影響一致，受到的其他噪聲也近似，這樣有利於惠斯通電橋的穩定，降低了硬件電路因自身溫度漂移，環境因素所帶來的信號誤判。RF0,RF1,RF2...RFn與RC0,RC1,RC2...RCn互為參考電阻，這樣降低噪聲的同時優化了資源的配置。惠斯通電橋的輸出信號端接有運算放大電路192，所述運算放大電路192不僅可以將輸出信號U0進行放大，且其可以利用運算放大電路192抑制噪聲的特性來降低噪聲。以RF0與RC0為例來進行說明，在上基板11受到按壓力時，RF0電阻值變化為△r，但實際上RF0受到如溫度以及其他干擾而會產生△s(△s為噪聲電阻變化信號，其包括 一部分源於溫度變化所帶來的噪聲以及一部分源於電信號之間的干擾噪聲)的噪聲，對於參考電阻RC0來說，其受到如溫度以及其他干擾與其附近的RF0一致，大小也為△s的噪聲，該噪聲△s在運算放大電路192的反向輸入端經過反向後即與同向輸入端的壓敏電阻RF0的噪聲相抵消，經過運算放大電路192後，不僅使△r擴大兩倍，也消除了如溫度以及其他干擾而會產生△s的噪聲，進一步提升了壓力信號的偵測精度。實際上，於運算放大電路可能的噪聲相抵消手法均可使用，例如，U=A((V+)-(V-))=A((V△r+V△s)-(-V△r+V△s))=2AV△r，△s系不受反向電壓影響而存在的外部引發噪聲效應，其中使用差動放大器或放大器組合皆為本揭示文件可以採用的手法，並不以此為限，只要能消弭外部引發噪聲效應的電路守法皆為本揭示文件保護範圍。

請參閱第6圖，本揭示文件第二實施例增強型3D偵測模組(未標號)與第一實施例的不同之處僅在於：所述壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c並非採用同一驅動器/壓力驅動脈衝來同步驅動，在本實施例中，壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c接收不同的壓力掃描脈衝，但所述壓力掃描脈衝Vf_a，Vf_b以及Vf_c同時序進行且同一工作週期完全重疊。壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c的壓力信號進行疊加同樣可以實現增強偵測的效果。

請參閱第7圖，本揭示文件第三實施例增強型3D偵測模組(未標號)與第二實施例的不同之處僅在於：壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c接收壓力掃描脈衝均與 觸控掃描脈衝同時序進行，壓力掃描脈衝Vf_a，Vf_b以及Vf_c同時序進行且同一工作週期完全重疊。Vf_a，Vf_b以及Vf_c脈衝寬度窄於觸控掃描脈衝的脈衝寬度。Vt_1的電位切換點為ta與tb，Vf_a，Vf_b，Vf_c的電位切換點均為為tc與td，ta<tc<td<tb。像素掃描脈衝，觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝之間電位切換點錯位以避免訊號之間的相互干擾。壓力掃描脈衝均與觸控掃描脈衝同時序進行可縮短驅動週期提升增強型3D偵測模組的運作效率。本實施例中的壓力掃描脈衝Vf_a，Vf_b以及Vf_c可由同一壓力掃描脈衝來替代(同步驅動)而作為本實施例的變形。

請參閱第8圖，本揭示文件第四實施例增強型3D偵測模組(未標號)與第三實施例的不同之處僅在於：所述觸控電極之觸控掃描脈衝與壓感單元之壓力掃描脈衝分時序進行，且在按壓力值的偵測中，一次擇取的多個壓感單元之壓力掃描脈衝也分時序進行。具體有：壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c之壓力掃描脈衝Vf_a，Vf_b，Vf_c分時序進行。這樣，壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c之間無訊號干擾，偵測結果精準度提高。由於多個感測單元之間的按壓力值的偵測相對獨立，將其偵測結果進行疊加即可獲得當前的按壓力值，如此同樣可以達到增強偵測的效果。

請參閱第9圖，本揭示文件第五實施例增強型3D偵測模組(未標號)與第一施例的不同之處僅在於：壓感單元的按壓力偵測頻率發生了改變，壓力掃描脈衝的週期變長。實際上在未來，4K2K或更高分辨率的三維輸入設備 的顯示設備需求將日益普遍，所有的掃描訊號脈寬會相應縮窄，工作週期也會縮短，具體結構上則是顯示畫素分佈密度高於觸控分佈密度，而觸控分佈密度高於壓感分佈密度。由於增強型3D偵測模組依次對像素單元，觸控單元以及壓感單元的掃描頻率要求會有依次降低趨勢，故，相對於像素掃描脈衝的掃描頻率來依次降低觸控掃描脈衝以及壓力掃描脈衝的掃描頻率同樣可以達到觸控點與按壓力偵測的目的，且這樣降低了增強型3D偵測模組的能耗。設定像素掃描脈衝頻率為Fg，觸控掃描脈衝頻率為Ft，壓力掃描脈衝頻率為Ff，Fg>Ft>Ff。優選地，Fg=(1~20)Ft，Fg=(1~50)Ff。又於本實施例中，像素掃描脈衝脈寬大於觸控掃描脈衝脈寬或壓力掃描脈衝脈寬。

請參閱第10圖，本揭示文件第六實施例增強型3D偵測模組(未標號)與第一施例的不同之處僅在於：為了增強按壓力值偵測的精準度，本實施例在按壓力的偵測中採用一次擇取至少左右或上下靠近的2壓感單元組來偵測一次按壓力值，所述每一壓感單元組包括至少一壓感單元。優選2壓感單元組任意角度對稱且相鄰。舉例來說，增強型3D偵測模組選取壓感單元a，壓感單元b與壓感單元c作為第一壓感單元組來偵測按壓力值，與此同時，增強型3D偵測模組擇取了位於第一壓感單元組右側的壓感單元A，壓感單元B及壓感單元C作為第二壓感單元組來補強第一壓感單元組的偵測信號。如此一來，在一次按壓力值的偵測過程中相 當於疊加了6個感應單元所受到的按壓力值以達到提升增強偵測信號的效果。

請參閱第7圖協助理解，於第10圖的增強型實施例中，驅動器直接或間接發出壓力掃描脈衝Vf_a/Vf_b/Vf_c/Vf_A/Vf_B/Vf_C，其同步掃描第一壓感單元組與第二組感應單元，壓力掃描脈衝與觸控掃描脈衝分時序進行。或者，於變形實施例中，第10圖中的壓感單元a-c可改為彼此串聯，壓感單元A-C可改為彼此串聯(圖未示)；又或者，第10圖中的壓感單元a-c與壓感單元A-C可改為6顆彼此串聯(圖未示)，相應的掃描脈衝和壓力掃描脈衝Vf_a+b+c+A+B+C如第11圖所示。壓力掃描脈衝與觸控掃描脈衝脈寬窄於像素單元之脈衝寬度以此錯開彼此的電位切換點來降低訊號之間的相互干擾。

請參閱第12圖，本揭示文件第七實施例增強型3D偵測模組(未標號)與第一施例的不同之處僅在於：所述至少二壓感單元731’進行了串聯以形成的壓感單元組731，本實施例中僅以一壓感單元組731包括3個壓感單元731’為例來進行說明。由於每一壓感單元組731包括多個壓感單元731’，故，在壓感單元組731的壓力偵測過程中，相當於採集了3個壓感單元731’的所接收到的按壓力值。

請參閱第13圖，壓感單元組731之壓力掃描脈衝與觸控電極之觸控掃描脈衝分時序進行，所述二者脈寬均窄於像素掃描脈衝之脈寬且電位切換點與像素掃描脈衝的電位切換點錯位。

請參閱第14圖，本揭示文件第八實施例增強型3D偵測模組80與第一施例的不同之處僅在於：該增強型3D偵測模組80比實施例一中增強型3D偵測模組10增設了一第二壓力感應層83’，至此，所述增強型3D偵測模組80從上至下包括一上基板81、一貼合層82、一第一壓力感應層83、一第一基材層84、第二壓力感應層83’、第三基材層84’、觸控感應層85、一第二基材層86、一顯示模組87與一信號處理電路88，所述第一壓力感應層83，第二壓力感應層83’，觸控感應層85以及顯示模組87通過導電線(圖未視)電連接於信號處理電路88；以第一基材層84及第三基材層84’來說，較佳是選用柔性基材。從垂直於上基板81的視角看過去，第一壓力感應層83與第二壓力感應層83’的疊加效果如第15圖所述，第一壓力感應層83與第二壓力感應層83’上分別設置有多個分散的壓感單元組831，每一壓感單元組831串接有至少一個壓感單元831’，位於第一壓力感應層83與第二壓力感應層83’上的壓感單元831’上下對應設置或交錯設置或互補設置均可。

在一次按壓力值的偵測過程中，位於第一壓力感應層83與第二壓力感應層83’上的壓感單元831所受到壓力疊加，舉例來說，第一壓力感應層83上的壓感單元組831包括串接的壓感單元M1，壓感單元M2，壓感單元M3，第二壓力感應層83’的壓感單元組831包括串接的壓感單元m1，壓感單元m2，壓感單元m3，第一壓力感應層83與第二壓力感應層83’上的壓感單元831’一一對應設置或 平移錯位或交錯設置或互補設置，以上下對應設置的壓感單元M1與壓感單元m1為例來說，壓感單元m1在壓感單元M1上的垂直投影面積為單個壓感單元元831’面積的5%-100%，較佳地系50%-80%。一次按壓力值的偵測對應有第一壓力感應層83與第二壓力感應層83’按壓力效果的一個疊加，即一次按壓力值同時偵測到的是壓感單元M1，壓感單元M2，壓感單元M3，壓感單元m1，壓感單元m2，壓感單元m3所受到的按壓力值的總和，如此一來，增強型3D偵測模組80的偵測效能大大提升。

請參閱第16圖，Vf_M1+M2+M3與Vf_m1+m2+m3為壓感單元M1，壓感單元M2，壓感單元M3，壓感單元m1，壓感單元m2，壓感單元m3(即對應如第15圖所示，壓感單元M1-M3串聯，壓感單元m1-m3串聯)提供同步的壓力掃描脈衝以保證了按壓力偵測的準確性。壓感單元831之壓力掃描脈衝與觸控電極之觸控掃描脈衝分時序進行，所述二者脈寬均窄於像素掃描脈衝之脈寬且電位切換點與像素掃描脈衝的電位切換點錯位以降低彼此之間的訊號干擾。

增強型3D偵測模組的壓力感應層不限定為一層或兩層，其也可以是多層。

請參閱第17圖，本揭示文件第九實施例增強型3D偵測模組(均未標號)與第八施例的不同之處僅在於：該增強型3D偵測模組在實施例八設置有第一壓力感應層83與第二壓力感應層83’的基礎上採用一次擇取至少左右或 上下靠近的2壓感單元組931來偵測一次按壓力值，這樣相當於在第一壓力感應層與第二壓力感應層分別擇取了一一對應設置的6個壓感單元931’，舉例來說，增強型3D偵測模組選取第一壓力感應層上的壓感單元M1，壓感單元M2，壓感單元M3為第一壓感單元組931，壓感單元M1’，壓感單元M2’，壓感單元M3’為第二壓感單元組931，第二壓力感應層上的壓感單元m1，壓感單元m2，壓感單元m3為第三壓感單元組931，壓感單元m1’，壓感單元m2’，壓感單元m3’為第四壓感單元組931，四壓感單元組931偵測的相當於疊加了12個壓感單元所受到的按壓力值以達到提升增強偵測信號的效果。

請參閱第18圖，Vf_M1+M2+M3與Vf_M1’+M2’+M3’與Vf_m1+m2+m3與Vf_m1’+m2’+m3’彼此分開驅動串聯單元或集體串聯Vf_M1+M2+M3+m1+m2+m3或Vf_M1’+M2’+M3’+m1’+m2’+m3’驅動亦可為第一壓力感應層與第二壓力感應層上擇取的4群組或12個壓感單元931’提供同步的壓力掃描脈衝以保證了按壓力偵測的準確性。壓感單元931之壓力掃描脈衝與觸控電極之觸控掃描脈衝分時序進行，所述二者脈寬均窄於像素掃描脈衝之脈寬且電位切換點與像素掃描脈衝的電位切換點錯位以降低彼此之間的訊號干擾。

請參閱第19圖，本揭示文件第十實施例增強型3D偵測模組66與第一施例的不同之處僅在於：本實施例中的3D偵測模組66在壓力感應層663與觸控感應層665之間 設置有一屏蔽層664，所述屏蔽層664用於降低壓力感應層663與觸控感應層665之間的訊號干擾。製作商還可以進一步在觸控感應層665與顯示模組667之間設置一屏蔽層(圖未示)以降低它們之間的訊號干擾。於較佳實施例中，屏蔽層664為一金屬層外，另可選擇性地配合像素單元設計進行鏤空設計，以提高增強型3D偵測模組66的整體透光率。

請參閱第20圖，本揭示文件的第十一實施例的增強型3D偵測模組99從上至下包括一上基板991、一貼合層992、一壓力感應層993以及一顯示模組990，所述顯示模組990從上至下依次包括一上偏光片994、一觸控感應層995、一上基板996、一液晶層997、一下基板998和一下偏光片999，上基板996和下基板998夾持液晶層997，觸控感應層995位置不作限定，其可以設置在上偏光片994的下表面，或上基板996上表面/下表面，或下基板998上表面/下表面、或下偏光片999下表面上。該觸控感應層995包括多條第一方向觸控電極(圖未視)和多條第二方向觸控電極(圖未視)，所述多條第一方向觸控電極和多條第二方向觸控電極界定陣列排布的觸控單元，多條第一方向觸控電極和多條第二方向觸控電極可以分別設置在上偏光片994的下表面，上基板996上表面/下表面，下基板998上表面/下表面、下偏光片999下表面中的任意兩個表面上。壓力感應層993與上基板991之間通過貼合層992貼合後直接與顯示模組990貼合即可。這樣，可以快速地在嵌入式結構的觸控顯示面板(例如in-cell LCD、on-cell LCD、on-cell AMOLED) 上加載壓力感應層993，使增強型3D偵測模組99具有觸控顯示功能的同時具有偵測觸控點按壓力值的功能。所述增強型3D偵測模組99也可以設置多層壓力感應層993。

請參閱第21圖，本揭示文件第十二實施例提供一種增強型3D偵測模組的偵測方法，所述增強型3D偵測模組可以是本揭示文件中實施例一至實施例十一中所提及的任一種增強型3D偵測模組(本實施例中所提及的機械元器件名稱及其標號參考實施例一中的機械元器件命名及其標號)，所述增強型3D偵測模組可以包括一感應觸控點位置的多個觸控單元以及一感應按壓力的多個壓感單元，該增強型3D偵測模組的偵測方法包括步驟：步驟S0：開始；步驟S1：提供一觸控掃描脈衝至多個觸控單元；提供一壓力掃描脈衝至少二壓感單元131；步驟S2：多個觸控單元根據觸控掃描脈衝感應觸控點位置以產生觸控信號；至少二壓感單元131根據壓力掃描脈衝感應按壓力以產生一疊加的壓力信號；步驟S3：信號處理電路根據疊加的壓力信號與觸控信號判斷至少一觸控點位置及按壓力值；步驟S4：結束。

在步驟S2中，至少二壓感單元131可以是一壓力感應層15上擇取的多個相互獨立而相鄰的壓感單元131，或設置在同一平面內的多個串接而成的壓感單元，或上下/左右相鄰的壓感單元131，或位於多個壓力感應層15 上的壓感單元131(例如至少二壓感單元分別在一第一壓力感應層及一第二壓力感應層於垂直投影方向相對應設置或平移錯位設置或交錯設置或互補設置)。

於本揭示文件中所有實施例，觸控感應層15負責多點位置按壓的確認，而前揭所有實施例中所提及的壓力感應層13則可以透過選取式偵測多個壓感單元(例如一次抓取一至多個壓感單元的疊加變化量)，並搭配觸控感應層15對多個位置同時精確定位。所述像素掃描脈衝與壓力掃描脈衝以及觸控掃描脈衝均同時序進行。所述壓力掃描脈衝以及觸控掃描脈衝可分時序進行或同時序進行但彼此電位切換點錯位。在步驟S2中，所述至少二壓感單元之壓力掃描脈衝與所述觸控掃描脈衝分時序進行，所述至少二壓感單元接收同一壓力掃描脈衝，或接收彼此獨立的壓力掃描脈衝且該獨立的壓力掃描脈衝同時序或分時序進行。

與現有技術相比，本實施例所揭示的增強型3D偵測模組的偵測方法通過一次偵測多個壓感單元131來進行按壓力值的疊加從而達到增強壓力偵測的效果，所述壓力掃描脈衝以及觸控掃描脈進行了分時序或同時序時電位切換點進行了錯位，故，它們之間的訊號干擾降低。

以上所述僅為本揭示文件的較佳實施例而已，並不用以限制本揭示文件，凡在本揭示文件的原則之內所作的任何修改，等同替換和改進等均應包含本揭示文件的保護範圍之內。

131‧‧‧壓感單元

132‧‧‧壓力驅動線

134‧‧‧壓力信號接收線

S1-S3‧‧‧步驟

Claims (12)

1. 一種增強型3D偵測模組的偵測方法，其中該增強型3D偵測模組包含一感應觸控點位置的複數個觸控單元、一感應按壓力的複數個壓感單元以及一信號處理電路，該偵測方法包含：步驟S1：提供一觸控掃描脈衝至該複數個觸控單元；提供一壓力掃描脈衝至至少二壓感單元；步驟S2：該複數個觸控單元根據該觸控掃描脈衝感應觸控點位置以產生觸控信號；該至少二壓感單元根據該壓力掃描脈衝感應按壓力以產生一疊加的壓力信號；及步驟S3：該信號處理電路根據該疊加的壓力信號與該觸控信號判斷至少一觸控點位置及至少一按壓力值。
2. 如請求項1所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中在步驟S2中，該至少二壓感單元設置在同一平面內，該至少二壓感單元相互獨立且相鄰設置。
3. 如請求項1所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中在步驟S2中，該至少二壓感單元設置在同一平面內，該至少二壓感單元為串聯設置。
4. 如請求項1所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中在步驟S2中，該至少二壓感單元分別設置在一第一壓力感應層及一第二壓力感應層於垂直投影方向相對應設置或平移錯位設置或交錯設置或互補設置。
5. 如請求項1所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中在步驟S2中，該至少二壓感單元之該壓力掃描脈衝與該觸控掃描脈衝分時序進行，該至少二壓感單元接收同一壓力掃描脈衝，或接收彼此獨立的壓力掃描脈衝且該獨立的壓力掃描脈衝同時序或分時序進行。
6. 如請求項1所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中在步驟S2中，該至少二壓感單元之該壓力掃描脈衝與該觸控掃描脈衝同時序進行且該兩者的電位切換點錯位。
7. 如請求項1所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中在步驟S2中，該至少二壓感單元分別擇取於左右或上下靠近的兩壓感單元組，該每一壓感單元組包含至少一壓感單元，該至少二壓感單元之壓力掃描脈衝與該觸控掃描脈衝分時序進行且電位切換點錯位。
8. 如請求項1所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中在步驟S2中，該至少二壓感單元為複數個壓感單元，該複數個壓感單元分別設置在一第一壓力感應層和一第二壓力感應層上，位於該第一壓力感應層和該第二壓力感應層上的複數個壓感單元分組串聯，該每一壓感單元組包含至少二壓感單元。
9. 如請求項8所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中在步驟S2中，該至少二壓感單元中的至少一壓感單元設置在該第一壓力感應層上，且有至少一壓感單元設置在該第二壓力感應層上，位於該第一壓力感應層上的至少一壓感單元與位於該第二壓力感應層上的至少一壓感單元的該壓力掃描脈衝同時序進行。
10. 如請求項1-9任一項所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中該增強型3D偵測模組包含一顯示模組，該顯示模組包含複數個由像素掃描脈衝驅動的像素單元，該像素掃描脈衝與壓力掃描脈衝同時序進行，該像素掃描脈衝與觸控掃描脈衝均同時序進行。
11. 如請求項10所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中該增強型3D偵測模組包含一驅動器，該驅動器直接或間接提供該像素掃描脈衝，該壓力掃描脈衝以及該觸控掃描脈衝。
12. 如請求項10所述的增強型3D偵測模組的偵測方法，其中設定該像素掃描脈衝的頻率為Fg，該觸控掃描脈衝的頻率為Ft，該壓力掃描脈衝的頻率為Ff，Fg>Ft>Ff，Fg=(1-20)Ft，Fg=(1-50)Ff。