TWI591683B - 電漿處理系統中用來偵測方位角不均勻性之方法與設備 - Google Patents

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Description

電漿處理系統中用來偵測方位角不均勻性之方法與設備
本發明關於用來偵測方位角不均勻性之方法與設備，且尤其關於電漿處理系統中用來偵測方位角不均勻性之方法與設備。
長久以來，電漿處理已使用在處理基板，包含例如用於積體電路製造之晶圓及液晶顯示器製造之面板。隨著技術進步且將越來越多元件封裝至基板之更小面積中，處理精準地形成這些元件並使缺陷最小化便是必須的。
現今的基板之電漿處理的一重要參數為方位角均勻性。方位角均勻性意指形成於晶圓各處的元件或特徵部之均勻性。舉例來說，給定晶圓上之特定參考角度，期望形成於自參考角度起45度之元件與形成於自參考角度起135度、180度、或210度之元件實質上相同。
方位角均勻性在一些現代電漿處理腔室中因為腔室內之一些構件的非對稱性而特別具有挑戰性。舉例來說，在一些腔室中，下電極組件係由懸臂所支撐。在此配置的情況下，RF回流電流因懸臂存在於腔室之一部分中而為非對稱。
懸臂亦以其他方式影響方位角不均勻性。舉例來說，當排出氣體自電漿生成區域被泵抽至典型地位於腔室底部的排出埠時，其必須流動於懸臂周圍。因懸臂存在導致的氣體流動之不均勻性影響方位角方向上的壓力均勻性，而因此影響方位角方向上的電漿密度，由此影響方位角方 向上的處理均勻性。
舉另一例來說，某些構件可能設置在腔室各處之某些位置但不在其他位置。例如，光放射光譜(optical emission spectroscopy,OES)埠可能存在於腔室內襯的一位置但不在另一位置。此非對稱構件的存在導致關於RF電流回流路徑的方位角不均勻性，其可能造成方位角方向上的晶圓各處之不均勻處理。
隨著現代處理需求變得更為迫切，許多顧客已指定方位角不均勻性低於例如百分之一、或甚至更低。因此，需要針對顯影及處理之目的而監控方位角不均勻性。
在一實施例中，本發明關於具有包含下電極組件之電漿處理腔室的電漿處理系統。該電漿處理系統包含複數RF帶以容許RF電流橫越該複數RF帶。該電漿處理系統亦包含複數感測器。該複數感測器之每一者係與該複數帶之其中一者耦接，其中每一感測器代表一非線性實質上RF感測器。
在一實施例中，本發明亦關於具有包含在電漿處理期間支撐基板之下電極之電漿處理腔室的電漿處理系統。該電漿處理系統包含設置於複數RF電流回流路徑中的水平設置腔室構件。該電漿處理系統亦包含形成於水平設置腔室構件中的複數溝槽。該複數溝槽之每一者形成一非線性實質上包覆RF感測器，且藉此該等非線性實質上包覆RF感測器之每一者係連接至第一導體及第二導體。第一導體係耦接至非線性實質上包覆RF感測器之第一部份，且第二導體係耦接至非線性實質上包覆RF感測器之第二部份。
在一實施例中，本發明更關於具有包含在電漿處理期間支撐基板之下電極之電漿處理腔室的電漿處理系統。該電漿處理系統包含設置於複數RF電流回流路徑中的垂直設置腔室構件。該電漿處理系統亦包含形成於垂直設置腔室構件中的複數溝槽。該複數溝槽之每一者形成一非線性實質上包覆RF感測器，且其中該等非線性實質上包覆RF感測器之每一者 係連接至第一導體及第二導體。第一導體係耦接至非線性實質上包覆RF感測器之第一部份，且第二導體係耦接至非線性實質上包覆RF感測器之第二部份。
在一實施例中，本發明更關於在具有電漿處理腔室之電漿處理系統中量測RF回流電流之方位角均勻性的方法。該方法包含設置複數非線性實質上包覆RF感測器，該複數非線性實質上包覆RF感測器係圍繞電漿處理腔室之中心軸而方位角地排列。該方法亦包含在電漿處理腔室中激起電漿。該方法更包含量測通過該複數非線性實質上包覆RF感測器的RF回流電流。該方法更包含分析通過該複數非線性實質上包覆RF感測器的RF回流電流，以量測RF回流電流的方位角均勻性。
以上發明內容僅關於揭露於此的本發明之眾多實施例之其中一者，且不欲限制此處之請求項中敘述的本發明之範圍。本發明之這些及其他特徵將於實施方式中結合以下圖式更詳細地敘述如下。
102‧‧‧處理腔室
104‧‧‧上電極
106‧‧‧下電極組件
108‧‧‧晶圓
110‧‧‧熱耦合板
112‧‧‧電漿生成區域
120‧‧‧侷限環
130‧‧‧RF電源
132‧‧‧RF產生器
134‧‧‧RF匹配
138‧‧‧內襯
154‧‧‧箭頭
156‧‧‧箭頭
160‧‧‧箭頭
162‧‧‧帶
170‧‧‧腔室構件
202‧‧‧RF電流感測器
204‧‧‧內表面
208‧‧‧端部
210‧‧‧端部
212‧‧‧端部
214‧‧‧端部
230‧‧‧箭頭
250‧‧‧位置
252‧‧‧位置
260‧‧‧連接器
262‧‧‧同軸電纜
272‧‧‧芯部
280‧‧‧開口
302‧‧‧溝槽(凹穴)
304‧‧‧上電極組件構件
312‧‧‧溝槽(凹穴)
314‧‧‧腔室內襯
402‧‧‧溝槽
404‧‧‧溝槽
406‧‧‧溝槽
408‧‧‧溝槽
410‧‧‧溝槽
412‧‧‧溝槽
414‧‧‧溝槽
416‧‧‧溝槽
420‧‧‧溝槽
422‧‧‧溝槽
424‧‧‧溝槽
426‧‧‧溝槽
428‧‧‧溝槽
430‧‧‧溝槽
432‧‧‧溝槽
434‧‧‧溝槽
436‧‧‧溝槽
438‧‧‧溝槽
本發明係以例示方式且非限制方式顯示於隨附圖式中的圖形，且其中相似參考編號表示類似元件，且其中：依據本發明之實施例，圖1顯示典型電容電漿處理腔室之剖視圖。
依據本發明之實施例，圖2顯示RF電流感測器之實例。
依據本發明之實施例，圖3A顯示自水平腔室構件加工以作為用以感測方位角不均勻性之射頻(RF)電流感測器的溝槽。
依據本發明之實施例，圖3B顯示自垂直腔室構件加工以作為用以感測方位角不均勻性之RF電流感測器的溝槽。
依據本發明之實施例，圖4A顯示加工或設置於水平腔室構件中的複數RF感測器溝槽。
依據本發明之實施例，圖4B顯示自例如腔室內襯加工的複數RF感測器溝槽。
依據本發明之實施例，圖4C顯示加工或設置於水平腔室構 件中的溝槽。
依據本發明之實施例，圖4D顯示自例如腔室內襯加工的溝槽。
本發明現將參照其如隨附圖式所示之若干實施例詳細加以說明。在以下敘述中，提出許多具體細節以提供對於本發明之透徹瞭解。然而對於熟悉本技術領域者將顯而易見，本發明可在不具有這些具體細節之一些或全部者的情況下實施。在其他情況中，已為熟知的處理步驟及/或構造已不詳細敘述，以不非必要地妨礙本發明。
以下敘述各種實施例，包含方法及技術。應牢記本發明亦可涵蓋包含其上儲存用以執行本發明技術之實施例之電腦可讀指令的電腦可讀媒體之製造成品。電腦可讀媒體可包含例如半導體、磁性、光磁性、光學性、或其他形式之用以儲存電腦可讀碼的電腦可讀媒體。再者，本發明亦可涵蓋實施本發明之實施例的裝置。此裝置可包含專用及/或可程式的用以執行有關本發明之實施例之任務的電路。此裝置的實例包含一般用途電腦及/或專用運算裝置(適當程式化時)，且可包含適用於各種運算及/或控制任務的電腦/運算裝置及專用/可程式電路之組合。
依據本發明之實施例，為了監測RF電流回流路徑而設有方位角地定位於腔室各處的感測器。關於RF電流回流路徑的所監測之參數可用來使方位角方向上之不均勻性特性化。
在本發明之實施例中，腔室感測器可與連接下電極至腔室之其他部份的RF接地帶一起使用。例如在一些腔室中，下電極可使用方位角地配置之複數RF接地帶耦接至接地，以改善方位角方向上的RF接地回流均勻性。利用RF接地帶實施RF電流感測器具有優勢地容許量測RF接地帶上的電漿RF回流電流。若這些RF回流電流或RF電壓隨時間改變，改改變亦可用於例如警示或處理變更的目的。
除了利用RF接地帶實施RF電流感測器之外，RF電流感測器可定位於方位角方向上的不同位置，以量測一或更多其他腔室構件中之 RF回流電流的方位角均勻性。例如，RF電流感測器可形成於或附加至經受RF回流電流之上電極構件。這些上電極構件可包含例如熱耦合板、內襯、或外罩。RF電流感測器亦可與RF回流電流所穿越的腔室之任何其他部份一起使用。
本發明之特徵及優勢可參照以下圖式及討論而更佳地獲得理解。
依據本發明之實施例，圖1顯示電容電漿處理腔室102之剖視圖。應瞭解圖1之構件僅為代表性且係高度簡化以幫助討論。其他構件及其他設計相關於電容耦合電漿處理腔室及感應耦合電漿處理腔室二者均有可能，且圖1不意在限制本發明之範圍。
處理腔室102(其可代表例如叢集工具之腔室)包含上電極104及下電極組件106，晶圓108係設置於該下電極組件106上。下電極組件106為可包含不同構件、且大致上當由一或更多RF電源(例如包含RF產生器132及RF匹配134之RF電源130)充能時實施基板夾持具的組件。上電極104可附接至熱耦合板110，不同埠口可設置通過該熱耦合板110，用來引入處理氣體至上電極104與下電極組件106之間之電漿生成區域112，俾於電漿生成區域112中形成電漿以處理晶圓108。
複數侷限環120係顯示以標示其中電漿在處理期間受侷限的電漿生成區域112之輪廓。上電極104典型接地，然而若需要，上電極104亦可耦接一或更多RF電源以提供RF能量至上電極。
在處理期間，RF電流在箭頭154之方向上沿上電極104之表面、並順著箭頭156向下沿內襯138之表面流動、且然後順著箭頭160通過複數帶162以回到RF電源130。複數帶162係典型地於自下電極放射的方位角方向上設置在腔室周圍，以改善RF回流電流之方位角均勻性。應瞭解在俯視圖(由上電極視之)中，複數獨立帶162將見於一或更多實施例中。每一帶可自下電極組件放射以耦接下電極組件至RF電流所橫越之腔室構件(例如圖1之腔室構件170)。
由於例如前述支撐下電極組件106之懸臂的存在，因此存在相關於複數帶162在下電極組件106周圍、方位角方向上的定位之不均勻 性。因此，存在相關於腔室周圍之RF回流電流的方位角不均勻性。方位角不均勻性亦可能因其他構件之出現而存在。
依據本發明之實施例，RF接地帶可與呈實質上受包覆之非線性形式路徑的RF電流感測器一起適配，以容許量測通過帶之RF回流電流。較佳地，複數帶162(其許多者係設置於下電極組件106之外周的周圍)之每一者係設有一RF電流感測器，然而若有需要，亦可具有少於帶162之數量的RF電流感測器。這些感測器係例如參照圖2而於此討論。只要有足夠的RF電流感測器分佈在下電極組件106之外周的周圍(例如在繞中央腔室軸的方位角方向上)來量測這些帶中的不同RF回流電流，便可在顯影及處理期間監測方位角不均勻性。舉例來說，當在電漿處理腔室中激發電漿時，RF回流電流於複數非線性實質上包覆之RF電流感測器中受到感測、並加以分析以確定RF回流電流之方位角均勻性是否可接受。若在不同RF電流感測器中發現RF回流電流不均勻，便產生對策以解決不均勻性。舉例來說，此對策可涉及設置額外或更少帶、或改變腔室零件或腔室幾何以更佳地達到RF回流電流方位角均勻性。
圖2顯示分離的RF電流感測器202之實例，其在此實例中係由鈹銅或另一合適之高度導電材料所形成。高度導電材料較為偏好，因為在高頻及/或高功率範圍，低導電性材料可能產生多餘熱量並不利地影響RF回流電流。如所示，RF電流感測器為包含非線性實質上包覆路徑的非線性實質上包覆(non-linear substantially enclosed,NLSE)感測器，其實質上減少內表面204上之聚合物沉積量。在本發明的情況下，因為感測器的兩端(見圖2)並未進行電性接觸，所以感測器稱為實質上包覆。反而，有較佳地盡可能保持小的一間隙(圖2之280)，以預防不期望的聚合物沉積在感測器內部進行。
圖1之RF接地帶162為斷開，且兩端208及210係連接至RF電流感測器202之兩端212及214。電流朝箭頭230的方向沿RF電流感測器202之內表面橫越。位置250與252之間沿電流之流動路徑的阻抗產生電壓降，其可藉由適當的電壓量測裝置加以量測。然後此電壓可用以監測RF回流電流。
在圖2之實例中，設置連接器260使得同軸電纜262的芯部272獲取位置252之電壓電位，且同軸電纜262之鞘部(未顯示)獲取位置250附近的電壓電位。同軸電纜的使用並非必須，且可使用任何適合的導體。就其本身來說，位置250與位置252之間的電壓降可加以偵測。依據以下的方程式1，電壓降與電流成比例。
V(t)=L(dI/dt)=ω LI0 sin(ω t+φ+π/2) 方程式1。
其中φ代表相位。電感L可針對每一單獨感測器預先加以特性化。一般而言，電感可得自例如使用網路分析器或電感分析器的量測。在一些實施例中，電感可在例如大約1nH的範圍中。
然後針對每一感測器監測跨越RF電流回流路徑中之位置250及252的電壓降。由於RF電流感測器係實質上包覆使得在位置250與252之間產生電壓差之電流路徑因開口280之狹窄而受到保護免於聚合物沉積，所以位置250與252之間的RF電流路徑係實質上免於沉積，且因此感測器可為高度健全。在一或更多實施例中，兩開放側邊(設置於與圖2之側視圖中指向離開頁面及進入頁面之向量正交之虛構側平面的側邊)可利用由合適絕緣材料形成之側包覆件加以包覆，以預防不期望之沉積材料進入感測器之內部空穴。舉例來說，平坦側包覆件可黏合、或適配、或壓合、或緊固、或附接至感測器之開放側邊緣、或甚至與感測器之開放側邊緣整合形成，以預防不期望之沉積材料進入感測器之內部空穴。因此，可藉由監測位置250與252之間的電壓差而完成健全且直接的RF回流電流量測。
圖2之感測器可容納廣泛範圍的RF功率，且具有高於40dB之訊號對雜訊比率，而使得其極為適合用於使用高RF功率且/或以相對多雜訊之環境為特徵的電漿處理腔室中。藉由針對不同RF電流感測器(在具有不同接地帶於下電極周圍的情況下在方位角方向上圍繞圓柱形腔室中心軸而設置)校準並監測位置250與252之間的電壓差，可在方位角方向上監測不同接地帶中之RF回流電流的改變。關於這些被監測之改變的資料可用以在顯影期間產生對策，以改善RF回流電流的方位角均勻性。
舉例來說，可安裝一或更多假部件以抵銷由所需構件之存在導致的不均勻性。若任何給定感測器的被監測之位置250與252之間之電壓 值偏移高於或低於預定臨界值，關於被監測之改變的資料便亦可在電漿處理期間用來影響處理控制及/或觸發警示。
在一實施例中，圖2的感測器為分離部件，然而亦可藉由在帶中產生彎折以形成非線性實質上包覆之路徑，而使感測器形成於帶之外。該非線性實質上包覆之路徑實質上保護RF電流路徑(在圖2之實例中於位置250與252之間沿內表面橫越)免於聚合物沉積或由其他材料之沉積。然而一般而言，若帶為薄且可變形，則較佳地由較厚(亦即具有大於帶厚度的側壁厚度)且/或較為機械性健全的構件形成RF電流感測器，以確保量測值在感測器的整個壽命中實質上不變，並確保開口280之狹窄受到維持以預防聚合物沉積影響感測器。
RF感測器亦可沿著任何RF回流路徑設置以監測RF電流。在一有利實施例中，溝槽(或凹穴)可加工自圖1之熱耦合板110以產生非線性實質上包覆路徑。此凹穴或溝槽302(圖3A)之實例係顯示為加工自例如水平上電極組件構件304(例如自熱耦合板)。此凹穴或溝槽312(圖3B)之實例係顯示為加工自例如腔室內襯314。RF電流將沿此溝槽/凹穴之內表面橫越。
由於溝槽/凹穴具有阻抗值，所以當電流橫越溝槽/凹穴時存在有電壓降。然後可監測此電壓降。複數此溝槽或凹穴可於熱耦合板中在方位角方向上繞腔室中心軸(亦即位於圓柱形腔室之中心的軸)均勻地形成並分佈，以針對方位角均勻性監測不同RF電流。
此溝槽或凹穴亦可形成在位於RF電流回流路徑內的內襯中或下電極組件106中。舉例來說，這些溝槽或凹穴可分佈於方位角方向上。藉由預先校準每一溝槽感測器或凹穴感測器、並辨明製造容限所致之感測器參數上的誤差，便可將位於每一感測器的RF回流電流特性化。舉例來說，藉由校準並監測相關於不同RF電流感測器的電壓，便可監測方位角方向上的RF回流電流中之改變。
如所提及，關於這些被監測之改變的資料可用來在顯影期間產生對策，以改善RF回流電流之方位角均勻性。若由任何給定感測器輸出的被監測之電壓值偏移高於或低於預先定義之臨界值，關於這些被監測之改變的資料便亦可用來影響處理控制及/或觸發警示。
依據本發明之實施例，圖4A顯示加工或設置於水平腔室構件(例如前述之熱耦合板或具有RF電流橫越之另一水平腔室部件)中的複數RF感測器溝槽402-416。雖然圖示八個感測器，然而可使用更大或更小數目之感測器。
依據本發明之實施例，圖4B顯示自例如腔室內襯314加工的複數RF感測器溝槽420-434。雖然圖示八個感測器，然而可使用更大或更小數目之感測器。舉例來說，每一感測器可耦接至一對導體(其可為同軸電纜之鞘部及芯部或其他導體形態因子)俾容許以相關於圖2討論之方式的電壓量測。圖4B之視圖係依據視圖B-B(見圖3B)。
依據本發明之實施例，圖4C顯示加工或設置於水平腔室構件(例如前述之熱耦合板或具有RF電流橫越之另一水平腔室部件)中的其中可設置複數RF感測器之溝槽436。RF電流將沿此溝槽的內表面橫越。
依據本發明之實施例，圖4D顯示自例如腔室內襯314加工的其中可設置複數RF感測器之溝槽438。RF電流將沿此溝槽的內表面橫越。
儘管偏好圖2之RF電流感測器，但亦可使用其他感測器。舉例來說，B點迴路探針(B-dot loop probes)可用以量測下電極組件RF包覆件中的RF回流電流。舉另一例來說，羅哥斯基線圈(Rogowski coil)亦可在RF接地帶周圍用來量測RF回流電流。舉例來說，每一感測器可耦接至一對導體(其可為同軸電纜之鞘部及芯部或其他導體形態因子)俾容許以相關於圖2討論之方式的電壓量測。
如可由前述內容察知，本發明之實施例容許RF回流電流在方位角方向上的特性化及監測，使得對策得以產生俾改善處理結果的方位角均勻性。以所討論之方式的感測器之使用使腔室改進簡化，因為若感測器與RF帶一起使用，可輕易將這些感測器更新至現存的帶中。或者，可簡單地將新的配有感測器之RF帶用來取代現存的RF帶。舉另一例來說，可移除腔室部件用來加工所討論的溝槽/凹穴，以賦予電漿處理腔室方位角均勻性監測能力。因為感測器係實質上免於聚合物沉積，所以即使經過許多處理循環，該等感測器仍然高度精確且可靠。
儘管此發明已利用若干較佳實施例的形式加以描述，但仍有 許多落於本發明範疇內之替換、變更、及均等物。舉例來說，儘管在實例中討論電容耦合電漿處理系統，但本發明之實施例將亦與其他類型之電漿處理系統(例如感應耦合、ECR、微波等)發揮作用。儘管在此提供各種實施例，但欲使這些實例相關於本發明為例示性且非限制性。並且，發明名稱及發明內容係為了便利而在此提供，且不應用來解釋此處之請求項的範圍。再者，摘要係以高度簡潔的形式撰寫並為了便利而在此提供，且因此不應用來解釋或限制呈現於請求項中的整體發明。若在此使用用語「組」，便欲使此用語具有其一般認知之數學意涵，以涵蓋零、一、或多於一部件。亦應注意有許多實施本發明之方法及裝置的方式。因此欲使以下隨附請求項解讀為包含所有此等落於本發明真實精神及範疇內之替換、變更、及均等物。
202‧‧‧RF電流感測器
204‧‧‧內表面
208‧‧‧端部
210‧‧‧端部
212‧‧‧端部
214‧‧‧端部
230‧‧‧箭頭
250‧‧‧位置
252‧‧‧位置
260‧‧‧連接器
262‧‧‧同軸電纜
272‧‧‧芯部
280‧‧‧開口

Claims (27)

  1. 一種電漿處理系統，其具有包含一下電極組件的一電漿處理腔室，該電漿處理系統包含：複數射頻(RF)帶，用以容許RF電流橫越該複數RF帶；及複數感測器，該複數感測器之每一者係與該複數RF帶之其中一者耦接，其中每一感測器代表一非線性實質上包覆RF感測器，且其中該複數感測器中之感測器係圍繞該電漿處理腔室而方位角地排列，其中該非線性實質上包覆RF感測器係耦接至一同軸電纜，該同軸電纜之一鞘部係耦接至該非線性實質上包覆RF感測器之一第一部份，且該同軸電纜之一芯部係耦接至該非線性實質上包覆RF感測器之一第二部份，以獲得該第一部份與該第二部份之間的電壓量測值。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理系統，其中該非線性實質上包覆RF感測器係由鈹銅所形成。
  3. 如申請專利範圍第1項之電漿處理系統，其中該非線性實質上包覆RF感測器為具有大於該非線性實質上包覆RF感測器所耦接的一RF帶之厚度之側壁厚度的一部件。
  4. 如申請專利範圍第1項之電漿處理系統，其中該非線性實質上包覆RF感測器更包含絕緣側包覆件，以包覆該非線性實質上包覆RF感測器的側平面。
  5. 一種電漿處理系統，其具有包含在電漿處理期間支撐一基板之一下電極的一電漿處理腔室，該電漿處理系統包含：一水平設置腔室構件，設置於複數RF電流回流路徑中；及複數溝槽，形成於該水平設置腔室構件中，該複數溝槽之每一者形成一非線性實質上包覆RF感測器，且藉此每一該非線性實質上包覆RF感測 器係耦接至一第一導體及一第二導體，該第一導體耦接至該非線性實質上包覆RF感測器之一第一部份，該第二導體耦接至該非線性實質上包覆RF感測器之一第二部份，其中複數該非線性實質上包覆RF感測器係圍繞該電漿處理腔室而方位角地排列。
  6. 如申請專利範圍第5項之電漿處理系統，其中該水平設置腔室構件為一熱耦合板。
  7. 如申請專利範圍第5項之電漿處理系統，其中該水平設置腔室構件為一上電極組件的一構件。
  8. 如申請專利範圍第5項之電漿處理系統，其中該第一導體代表一同軸電纜的一鞘部，且該第二導體代表該同軸電纜的一芯部。
  9. 一種電漿處理系統，其具有包含在電漿處理期間支撐一基板之一下電極的一電漿處理腔室，該電漿處理系統包含：一垂直設置腔室構件，設置於複數RF電流回流路徑中；及複數溝槽，形成於該垂直設置腔室構件中，該複數溝槽之每一者形成一非線性實質上包覆RF感測器，且藉此每一該非線性實質上包覆RF感測器係耦接至一第一導體及一第二導體，該第一導體耦接至該非線性實質上包覆RF感測器之一第一部份，該第二導體耦接至該非線性實質上包覆RF感測器之一第二部份，其中複數該非線性實質上包覆RF感測器係圍繞該電漿處理腔室而方位角地排列。
  10. 如申請專利範圍第9項之電漿處理系統，其中該垂直設置腔室構件為一腔室內襯。
  11. 如申請專利範圍第9項之電漿處理系統，其中該第一導體代表一同軸電纜的一鞘部，且該第二導體代表該同軸電纜的一芯部。
  12. 一種電漿處理系統中的RF回流電流方位角不均勻性之偵測方法，該電漿處理系統具有一電漿處理腔室，該方法包含：設置複數非線性實質上包覆RF感測器，該複數非線性實質上包覆RF感測器係圍繞該電漿處理腔室之一中心軸而方位角地排列，該非線性實質上包覆RF感測器係耦接至一同軸電纜，該同軸電纜之一鞘部係耦接至該非線性實質上包覆RF感測器之一第一部份，且該同軸電纜之一芯部係耦接至該非線性實質上包覆RF感測器之一第二部份；在該電漿處理腔室中激起一電漿；量測通過該複數非線性實質上包覆RF感測器的複數RF回流電流；及分析通過該複數非線性實質上包覆RF感測器的該複數RF回流電流，以偵測該複數RF回流電流的方位角不均勻性。
  13. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統中的RF回流電流方位角均勻性之量測方法，其中該複數非線性實質上包覆RF感測器代表複數分離感測器。
  14. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統中的RF回流電流方位角均勻性之量測方法，其中該複數非線性實質上包覆RF感測器代表形成於一水平設置腔室構件中的複數溝槽。
  15. 如申請專利範圍第14項之電漿處理系統中的RF回流電流方位角均勻性之量測方法，其中該水平設置腔室構件代表一上電極組件之一構件。
  16. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統中的RF回流電流方位角均勻性之量測方法，其中該複數非線性實質上包覆RF感測器代表形成於一垂直設置腔室構件中的複數溝槽。
  17. 如申請專利範圍第16項之電漿處理系統中的RF回流電流方位角均勻性 之量測方法，其中該垂直設置腔室構件代表一腔室內襯。
  18. 一種電漿處理系統，其具有包含一下電極組件的一電漿處理腔室，該電漿處理系統包含：複數射頻(RF)帶，用以容許RF電流橫越該複數RF帶；及複數感測器，該複數感測器之每一者係與該複數RF帶之其中一者耦接，且該複數感測器之每一者具有由一間隙分隔的一第一端及一第二端，以提供與該複數RF帶之該其中一者的耦接，其中每一感測器代表一非線性實質上包覆RF感測器；其中該非線性實質上包覆RF感測器係耦接至一同軸電纜，該同軸電纜之一鞘部係耦接至該非線性實質上包覆RF感測器之一第一部份，且該同軸電纜之一芯部係耦接至該非線性實質上包覆RF感測器之一第二部份，以獲得該第一部份與該第二部份之間的電壓量測值。
  19. 如申請專利範圍第18項之電漿處理系統，其中該非線性實質上包覆RF感測器係由鈹銅所形成。
  20. 如申請專利範圍第18項之電漿處理系統，其中該非線性實質上包覆RF感測器為具有大於該非線性實質上包覆RF感測器所耦接的一RF帶之厚度之側壁厚度的一部件，其中該複數RF帶之每一者為一斷開帶，其使該複數感測器之個別的第一端及第二端耦接至該斷開帶之端部。
  21. 如申請專利範圍第18項之電漿處理系統，其中該非線性實質上包覆RF感測器更包含絕緣側包覆件，以包覆該非線性實質上包覆RF感測器的側平面。
  22. 如申請專利範圍第18項之電漿處理系統，其中該複數RF帶之每一者為一斷開帶，其使該複數感測器之個別的第一端及第二端耦接至該斷開帶之 端部。
  23. 如申請專利範圍第22項之電漿處理系統，其中該間隙係定義於該感測器之第一端與第二端之間。
  24. 如申請專利範圍第22項之電漿處理系統，其中該非線性實質上包覆RF感測器係由鈹銅所形成。
  25. 如申請專利範圍第22項之電漿處理系統，其中該非線性實質上包覆RF感測器為具有大於該非線性實質上包覆RF感測器所耦接的該RF帶之厚度之側壁厚度的一部件。
  26. 如申請專利範圍第22項之電漿處理系統，其中該非線性實質上包覆RF感測器更包含絕緣側包覆件，以包覆該非線性實質上包覆RF感測器的側平面。
  27. 一種用以處理基板的腔室，包含：一上電極；一下電極；複數射頻(RF)帶，耦接於該下電極周圍，每一RF帶耦接於該下電極與一腔室構件之間，該腔室構件對提供至該腔室的RF功率提供一RF回流路徑，其中該複數RF帶之至少一者係斷開為一第一帶及一第二帶；及一感測器，設置於該第一帶與該第二帶之間，該第一帶具有連接至該下電極的第一端，且該第二帶具有連接至該腔室構件的第一端，該感測器具有第一端，其連接至該第一帶之第二端，該感測器具有第二端，其連接至該第二帶之第二端，其中該感測器為一非線性實質上包覆RF感測器，且耦接至一同軸電纜， 該同軸電纜之一鞘部係耦接至該非線性實質上包覆RF感測器的一第一部份，且該同軸電纜之一芯部係耦接至該非線性實質上包覆RF感測器的一第二部份，以獲取該第一部份與該第二部份之間的電壓量測值。
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