TWI584392B - 基板處理設備 - Google Patents

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TWI584392B
TWI584392B TW104107725A TW104107725A TWI584392B TW I584392 B TWI584392 B TW I584392B TW 104107725 A TW104107725 A TW 104107725A TW 104107725 A TW104107725 A TW 104107725A TW I584392 B TWI584392 B TW I584392B
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申東和
金淑基
金光洙
方弘柱
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國際電氣高麗股份有限公司
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
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Description

基板處理設備
本發明係關於一種基板處理設備，且更特定而言，係關於一種在多個方向上將注入基板之氣體排氣以使氣體擁塞最小化的基板處理設備。
當兩種或兩種以上氣體反應產物與前驅物反應且在一個系統內沉積時，控制溫度、壓力、氣體比率、反應時間、均勻氣體供應等等是十分重要的，以便在用於製造半導體裝置之沉積製程期間改良所沉積膜品質之順應性。
特定而言，噴淋頭/噴嘴之孔、狹縫之大小及數量以及基板與狹縫之間的距離經調整以均勻地供應氣體。然而，由於在具有單向排氣組態之反應空間中之氣體擁塞，調整濃度偏差十分困難且受限制。特定而言，由於膜之凹陷、階梯覆蓋率、負載效應及組成變化，難以確保均勻品質，因為當噴淋頭及噴嘴內之孔型樣與位置以及體積根據前驅物之種類有所改變時，濃度偏差調整由於因前驅物之分解加速度所致的氣相反應及吸附特性變化而為困難的。
本發明提供一種基板處理設備，其能夠經由 多向排氣來使氣體擁塞最小化。
本發明之目的不限於以上所述，但熟習此項 技術者將自以下描述中清楚地理解本文未描述的其他目的。
本發明之實施例提供基板處理設備，包括： 製程腔室，其包括具有敞開頂側之下部腔室以及密封該下部腔室之該敞開頂側的上部腔室；支撐構件，其安裝於該下部腔室內，且在該支撐構件上，於同一平面上安置有複數個基板；排氣構件，其安置於該上部腔室的面向該支撐構件之底表面上，且自該上部腔室之中心徑向延伸；反應區，其每一者具有扇形形狀且安置於該上部腔室之該底表面上，該等反應區具有由該等排氣構件分隔的反應空間；以及，噴淋頭單元，其安裝於該反應區上以將處理氣體供應至基板上，其中該排氣構件包括界定於其側表面中之第一側排氣孔，且該反應區包括界定於該反應區的具有扇形形狀之弧形部分中之第二側排氣孔，以便在所有方向上形成來自該反應空間之中心的排氣流。
在一些實施例中，該基板處理設備可進一步 包括環形泵送擋板，該環形泵送擋板包圍該支撐構件之邊緣且經由排氣管接收真空壓力，其中該泵送擋板將該真空壓力傳輸至該排氣構件及該反應區。
在其他實施例中，該泵送擋板可包括在其頂 表面中之第一泵送孔及第二泵送孔，該排氣構件可包括在 其底表面中之第一對接孔，該第一對接孔連接至該等第一泵送孔中之每一者，以使得該泵送擋板之該真空壓力施加於該第一側排氣孔，且該反應區可包括在其底表面中之第二對接孔，該第二對接孔連接至該等第二泵送孔中之每一者，以使得該泵送擋板之該真空壓力施加於該第二側排氣孔。
在其他實施例中，該第一側排氣孔及第二側 排氣孔可安置於同一直線上。
在其他實施例中，該噴淋頭單元可將該處理 氣體注入基板上同時旋轉。
在其他實施例中，該反應區可進一步包括複 數個第三排氣孔，該複數個第三排氣孔界定在包圍該噴淋頭單元之同一圓周中。
在另外實施例中，該噴淋頭單元可包括：穿 過該上部腔室之軸；及連接至該軸之注入部，該注入部包括用於將該處理氣體注入該基板上之注入孔。
在另外實施例中，該注入部可包括：連接至 該軸之頂板，該頂板包括第一通孔，該第一通孔界定在該頂板之中心中，以便自安裝於該軸中之氣體供應管接收該處理氣體；堆疊在該頂板之下的底板，該底板包括連接至該第一通孔之中心通道及自該中心通道之中心徑向界定的狹槽；以及，中間板，其可拆卸地安裝於界定在該底板中之該等狹槽，且該等中間板包括：複數個注入孔，其界定在中間板之底表面中；以及，連接凹槽，其在該中間板之 側表面中連接至該中心通道之末端，以接收該處理氣體。
在另外實施例中，該噴淋頭單元可進一步包 括：旋轉驅動部，其用於旋轉該軸；以及，提升驅動部，其用於提升該軸。
在另外實施例中，該排氣構件可具有棒桿形 狀，且該第一側排氣孔可界定在面向該反應空間之兩個側表面中。
10‧‧‧基板處理設備
100‧‧‧製程腔室
110‧‧‧下部腔室
120‧‧‧上部腔室
200‧‧‧基板基座
212‧‧‧平台
270‧‧‧加熱器
280‧‧‧旋轉軸
290‧‧‧驅動部
300‧‧‧泵送擋板
302‧‧‧第一泵送孔
304‧‧‧第二泵送孔
310‧‧‧排氣管
400‧‧‧排氣構件
410‧‧‧第一側排氣孔
420‧‧‧第一對接孔
500‧‧‧反應區
500-1‧‧‧扇形形狀反應區/反應區/第一反應區
500-2‧‧‧扇形形狀反應區/反應區/第二反應區
500-3‧‧‧扇形形狀反應區/反應區/第三反應區
500-4‧‧‧扇形形狀反應區/反應區/第四反應區
508‧‧‧弧形部分
510‧‧‧第二側排氣孔
520‧‧‧第二對接孔
580‧‧‧安裝部
590‧‧‧第三排氣孔
600‧‧‧噴淋頭單元
620‧‧‧軸
630‧‧‧旋轉驅動部
640‧‧‧提升驅動部
650‧‧‧旋轉注入部
652‧‧‧頂板
654‧‧‧第一通孔
656‧‧‧底板
658‧‧‧中心通道
660‧‧‧狹槽
662‧‧‧中間板
664‧‧‧注入孔
666‧‧‧連接凹槽
700‧‧‧桿型注射噴嘴
800‧‧‧中心噴嘴部
810‧‧‧注入孔
W‧‧‧基板
隨附圖式係納入來提供對於本發明之進一步理解，且併入本說明書中並構成本說明書之一部分。圖式例示本發明之示範性實施例，且連同說明書一起用於解釋本發明之原理。在圖式中：圖1為根據本發明之基板處理設備之視圖；圖2為圖1所例示的基板處理設備之分解透視圖；圖3為圖1中主要部分之放大圖；圖4為上部腔室之仰視圖；圖5為注入部之分解透視圖；以及圖6為例示上部腔室中之氣流之視圖。
在下文中，將參考隨附圖式詳細描述特定實施例。本發明可以不同形式來體現，且可對該等形式做出各種修改及變化。然而，本發明不應解釋為局限於本文闡述的實施例，且應理解的是，意欲包括其結構上及功能上 之等效物。在本發明之以下描述中，將省略對併入本文中的已知功能及結構之詳細描述，以避免使本發明之主題不清楚。
僅使用某些實施例來描述的本申請案中所用 之術語不意欲限制本發明。除非所指相反，否則單數形式之術語可包括複數形式。「包括(include/including)」或「包含(comprise/comprising)」之含義詳細說明本說明書中所列的特徵、整數、步驟、操作、元件、組件或其組合，但不排除其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件或其組合。
應理解，儘管本文中使用術語「第一」及「第 二」來描述各種元件，但此等元件不應受此等術語限制。 此等術語僅僅用於在組件之間進行區別。
然而，藉由參看附圖來對較佳實施例之以下 詳述進行參閱，可最佳地理解本發明。在圖式中，相同參考數字在全文中代表相同元件，且將省略重複的描述。
(實施例)
圖1為根據本發明之基板處理設備之視圖。圖2為圖1所例示的基板處理設備之分解透視圖，且圖3為圖1中主要部分之放大視圖。
參看圖1至3，根據本發明之實施例的基板處理設備10包括製程腔室100、為支撐構件之基板基座200、泵送擋板300、排氣構件400、反應區500及噴淋頭單元600。
製程腔室100包括上部腔室120及下部腔室 110。置放有基板之基板基座200安置於下部腔室110之內部下端上。下部腔室110具有敞開頂表面，且上部腔室120安置於下部腔室110之側壁之邊緣上。亦即，製程腔室100具有藉由將上部腔室120與下部腔室110耦接而自外部密封的內部空間。製程腔室100在其側面中具有入口(未示出)。基板W在製程期間經由該入口加載及卸載。
基板基座200轉入製程腔室100之內部空間 中。以分批類型提供基板基座200，其中置放有複數個基板。安置於基板基座200上之平台212可具有與基板之形狀相似的圓形形狀。例如，基板基座200具有圓盤形狀，其包括安置有基板W之六個平台212。平台212相對於基板基座200之中心以約60度之角度佈置成同心圓。儘管在此實施例中例證包括六個平台之基板基座，但本發明並不限於此。例如，基板基座200可具有六個或六個以下、或六個或六個以上的平台。
此外，可提供加熱器270，其用於加熱置放 於支撐構件200之平台212中每一者上的基板W。加熱器270加熱基板以使基板W之溫度增大至預設溫度(製程溫度)。
基板基座200可藉由連接至旋轉軸280之驅 動部290來旋轉。以將步進馬達用作旋轉基板基座200之驅動部290，該步進馬達包括能夠控制驅動馬達之旋轉數與速度之編碼器。
儘管未示出，但基板基座200可包括複數個 升舉銷(未示出)，其用於提升平台中每一者上之基板W。 該升舉銷可提升基板W，以使基板與平台隔開，或將基板置放於基板基座200之平台上。
泵送擋板300具有包圍基板基座200之邊緣 的環形形狀。泵送擋板300經由排氣管310接收真空壓力，以將真空壓力傳輸至排氣構件400及反應區500。為此，泵送擋板300在其頂表面中具有第一泵送孔302及第二泵送孔304。
圖4為上部腔室之仰視圖。
參看圖1至4，排氣構件400及反應區500安置於上部腔室120之底表面上。
排氣構件400自上部腔室120之中心徑向安置於上部腔室120的面向基板基座200之底表面上。排氣構件400可拆卸地安置於該上部腔室120之底表面上。例如，排氣構件400相對於上部腔室120之中心以約90度之角度安置於同心圓上，且以約90度之角度分隔的扇形形狀反應區500-1、500-2、500-3及500-4安置於排氣構件400之間。例如，四個反應區500-1、500-2、500-3及500-4可整體地或單獨地安裝於上部腔室之底表面上。
排氣構件400具有棒桿形狀。第一側排氣孔410在縱向上界定在排氣構件400之兩個側表面，且第一對接孔420界定在排氣構件400之底表面的末端中。第一對接孔420及第一側排氣孔410經由界定在其中之通道(未示出)彼此連接。第一對接孔420連接至泵送擋板300之 第一泵送孔302。亦即，施加於泵送擋板之真空壓力經由第一泵送孔302及第一對接孔420來供應至第一側排氣孔410。
四個反應區500-1、500-2、500-3及500-4提 供由排氣構件400分隔的反應空間。四個反應區500-1、500-2、500-3及500-4整體上具有圓盤形狀，且四個反應區500-1、500-2、500-3及500-4中之每一者具有以約90度之角度分隔的扇形形狀。
第二側排氣孔510在圓周方向上界定在四個 反應區500-1、500-2、500-3及500-4中之每一者的扇形形狀之弧形部分508之內表面中。反應區之弧形部分508呈垂直向下之台階。反應空間具有由反應區500-1、500-2、500-3及500-4之弧形部分508以及排氣構件400界定的扇形形狀。在此處，弧形部分508之內表面表示面向反應空間之側表面。連接至第二泵送孔304之第二對接孔520界定在反應區500-1、500-2、500-3及500-4中之每一者的底表面中，以使得泵送擋板300之真空壓力施加於第二側排氣孔510。亦即，施加於泵送擋板300之真空壓力可經由第二泵送孔304及第二對接孔520施加於第二側排氣孔510。
用於注入對應於前驅物氣之第一製程氣體同 時旋轉之噴淋頭單元600可安裝於四個反應區之第一反應區500-1上，且用於注入對應於反應性氣體之第二製程氣體的桿型注射噴嘴700可安裝於第三反應區500-3上。在 第一反應區500-1上提供用於安裝噴淋頭單元600之安裝部580，且複數個第三排氣孔590界定在包圍安裝部580之同一圓周中。第三排氣孔590連接至反應區500-1之第二對接孔520。
例如，四個反應區500-1、500-2、500-3及 500-4中之每一者具有以約90度之角度分隔的扇形形狀，但本發明並不限於此。根據排氣構件(400)之製程目的、特徵或安裝角度以及反應誘導單元根據製程腔室之形狀而在大小、形狀及安裝位置上之變化，四個反應區500-1、500-2、500-3及500-4可以約45度或約180度之角度加以分隔。
參看圖1至4，中心噴嘴部800安裝於上部 腔室120之中心上。中心噴嘴部800將自供應構件(未示出)供應的沖洗氣體獨立地注入安置成面向彼此的第二反應區500-2及第四反應區500-4中之每一者上。亦即，用於將沖洗氣體供應至反應區500-2及500-4之注入孔810界定在中心噴嘴部800之側表面中。
例如，中心噴嘴部800之注入孔810可具有各種形狀，諸如橫向細長型或多孔型。或者，中心噴嘴部800之注入孔810可具備單層或多層。或者，中心噴嘴部800之注入孔810可具有傾斜注入角度，以使得氣體徑向地注入。儘管在一結構中，第二製程氣體係經由桿型注入噴嘴700供應至第三反應區500-3，但本發明並不限於此。例如，當必要時，可省略桿型注入噴嘴，且中心噴嘴部800 可將第二製程氣體供應至第三反應區500-3之反應空間中。
噴淋頭單元600將製程氣體注入基板上同時旋轉。
噴淋頭單元600可包括旋轉注入部650、軸620、用於旋轉軸620之旋轉驅動部630，以及用於提升軸620之提升驅動部640。注入部650與基板之間的距離可藉由提升驅動部640調整。此外，注入部650藉由旋轉驅動部630來調整旋轉速率，以使反應空間中之氣體濃度偏差最小化。
軸620穿過上部腔室120。注入部650連接至軸620且安裝在第一反應區500-1之安裝部580上。
圖5為注入部之分解透視圖。
參看圖2、圖3及圖5，注入部650包括頂板652、底板656及中間板662。頂板652具有圓板形狀，連接至軸620，且具有第一通孔654以用於自氣體供應管接收製程氣體，該氣體供應管安裝在軸620中之中心中。
底板656堆疊在頂板652之下。底板656包括連接至第一通孔654之中心通道658，及自中心通道658之中心徑向界定的狹槽660。中間板662可拆卸地安裝在底板656中所界定的狹槽660上。中間板662具有棒桿形狀，其中複數個注入孔664界定在中間板662之底表面中，且連接凹槽666界定在中間板662之側表面中，該等連接凹槽666連接至中心通道658之末端以接收製程氣體。
儘管未示出，但基板處理設備可包括氣體供應單元，其用於將對應氣體供應至噴淋頭單元600、中心噴嘴部800及桿型注入噴嘴700中之每一者。
圖6為例示上部腔室中之氣流之視圖。
在圖6中，細箭頭表示氣體供應，且粗箭頭表示氣體排氣。
如圖6所示，自安裝在第一反應區500-1上之噴淋頭單元600注入第一處理氣體，其為前驅物氣體。此外，在對應反應空間中反應且獲處理的氣體副產物經由第一側排氣孔410、第二側排氣孔510及第三排氣孔590在多個方向上均勻地排氣，以便使氣體擁塞最小化。此外，將沖洗氣體經由中心噴嘴部800注入第二反應區500-2及第四反應區500-4之反應空間中。在第二反應區500-2及第四反應區500-4之反應空間中的氣體經由排氣構件400之第一側排氣孔410，以及反應區500-2及500-4之第二側排氣孔510在多個方向上均勻地排氣。類似地，將第二製程氣體經由桿型注入噴嘴700供應至第三反應區500-3之反應空間中。在第三反應區500-3之反應空間中的氣體經由排氣構件400之第一側排氣孔410，以及反應區500-3之第二側排氣孔510在多個方向上均勻地排氣。
根據本發明之實施例，排放氣可經由該排氣構件之第一側排氣孔以及反應區之第二側排氣孔在多個方向上均勻地排除，以便使氣體擁塞最小化，從而確保均勻薄膜。
根據本發明之實施例，可根據處理氣體之特徵來更換中間板。
根據本發明之實施例，可調整基板與噴淋頭單元之間的距離以確保均勻薄膜。
雖然本文中已經參照若干說明性實施例描述各個實施例，但應當理解，熟習此項技術者可設想出落入本揭示內容之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。然而，本發明可以許多不同形式來體現，且不應解釋為限於本文闡述的實施例。實情為，提供此等實施例以使得本揭示內容將為徹底及完整的，且將本發明之概念充分地傳達給熟習此項技術者。因此，本發明之範疇並非由本發明之詳細描述來限定，而是由所附申請專利範圍來限定，且該範疇內之所有差異將解釋為包括在本發明中。
10‧‧‧基板處理設備
100‧‧‧製程腔室
110‧‧‧下部腔室
120‧‧‧上部腔室
200‧‧‧基板基座
212‧‧‧平台
270‧‧‧加熱器
280‧‧‧旋轉軸
290‧‧‧驅動部
300‧‧‧泵送擋板
310‧‧‧排氣管
600‧‧‧噴淋頭單元
620‧‧‧軸
630‧‧‧旋轉驅動部
640‧‧‧提升驅動部
650‧‧‧旋轉注入部
700‧‧‧桿型注射噴嘴
800‧‧‧中心噴嘴部
810‧‧‧注入孔
W‧‧‧基板

Claims (9)

  1. 一種基板處理設備，其包含：製程腔室，其包含具有一敞開頂側之一下部腔室，以及密封該下部腔室之該敞開頂側的一上部腔室；支撐構件，其安裝於該下部腔室內，且在該支撐構件上，於同一平面上安置有複數個基板；排氣構件，其安置於該上部腔室的面向該支撐構件之一底表面上，且自該上部腔室之一中心徑向延伸；反應區，其每一者具有一扇形形狀且安置於該上部腔室之該底表面上，該等反應區具有由該等排氣構件分隔的反應空間；噴淋頭單元，其安裝於該反應區上以將一處理氣體供應至一基板上；以及環形泵送擋板，該環形泵送擋板包圍該支撐構件之一邊緣，且經由排氣管接收一真空壓力；其中該排氣構件包含界定於其一側表面中之第一側排氣孔，且該反應區包含界定於該反應區的具有該扇形形狀之一弧形部分中之第二側排氣孔，以便在所有方向上形成來自該反應空間之一中心的一排氣流；以及其中該泵送擋板將該真空壓力傳輸至該排氣構件及該反應區。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理設備，其中該泵送擋板包含在其一頂表面中之第一泵送孔及第二泵送 孔，該排氣構件包含在其一底表面中之第一對接孔，該第一對接孔連接至該等第一泵送孔中之每一者，以使得該泵送擋板之該真空壓力施加於該第一側排氣孔，以及該反應區包括在其一底表面中之第二對接孔，該第二對接孔連接至該等第二泵送孔中之每一者，以使得該泵送擋板之該真空壓力施加於該第二側排氣孔。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理設備，其中該第一側排氣孔及該第二側排氣孔安置於同一直線上。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理設備，其中該噴淋頭單元將該處理氣體注入一基板上同時旋轉。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理設備，其中該反應區進一步包含複數個第三排氣孔，該複數個第三排氣孔界定在包圍該噴淋頭單元之同一圓周內。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理設備，其中該噴淋頭單元包含：軸，其穿過該上部腔室；以及注入部，其連接至該軸，該注入部包含用於將該處理氣體注入該基板上之注入孔。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理設備，其中該注入部包含：頂板，其連接至該軸，該頂板包含第一通孔，該第一通孔界定在該頂板之一中心內，以便自安裝在該 軸中之一氣體供應管接收該處理氣體；底板，其堆疊在該頂板之下，該底板包含連接至該第一通孔之一中心通道，及自該中心通道之一中心處徑向界定的狹槽；以及中間板，其可拆卸地安裝於界定在該底板中之該等狹槽，且該等中間板包含：複數個該注入孔，其界定在該等中間板之一底表面中；以及連接凹槽，其在該中間板之一側表面中連接至該中心通道之一末端，以接收該處理氣體。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理設備，其中該噴淋頭單元進一步包含；旋轉驅動部，其用於旋轉該軸；以及提升驅動部，其用於提升該軸。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理設備，其中該排氣構件具有棒桿形狀，且該第一側排氣孔界定在面向該反應空間之兩個側表面中。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102155281B1 (ko) * 2017-07-28 2020-09-11 주성엔지니어링(주) 기판처리장치의 가스분사장치, 기판처리장치, 및 기판처리방법
TWI821314B (zh) 2018-06-18 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 用於改良式泵吹洗及前驅物輸送之氣體分配組件
KR102110232B1 (ko) * 2018-09-18 2020-05-13 주식회사 테스 가스공급유닛
KR102154476B1 (ko) * 2018-12-20 2020-09-10 주식회사 테스 기판처리장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050139234A1 (en) * 2002-07-05 2005-06-30 Tokyo Electron Limited Method of cleaning substrate processing apparatus and computer-readable recording medium
KR20100047543A (ko) * 2008-10-29 2010-05-10 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치
KR101028410B1 (ko) * 2008-12-29 2011-04-13 주식회사 케이씨텍 서셉터 및 이를 구비하는 원자층 증착장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101015063B1 (ko) * 2003-08-27 2011-02-16 주성엔지니어링(주) 복수 기판 홀더 및 이를 장착한 챔버
KR101021372B1 (ko) * 2008-12-29 2011-03-14 주식회사 케이씨텍 원자층 증착장치
KR101589107B1 (ko) * 2009-04-10 2016-01-27 주성엔지니어링(주) 공정챔버의 세정방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050139234A1 (en) * 2002-07-05 2005-06-30 Tokyo Electron Limited Method of cleaning substrate processing apparatus and computer-readable recording medium
KR20100047543A (ko) * 2008-10-29 2010-05-10 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치
KR101028410B1 (ko) * 2008-12-29 2011-04-13 주식회사 케이씨텍 서셉터 및 이를 구비하는 원자층 증착장치

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