TWI583492B - 供化學機械拋光之經塗覆之壓縮下墊 - Google Patents

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Description

供化學機械拋光之經塗覆之壓縮下墊 對相關申請案之交叉參考
本申請案主張2015年3月2日申請的美國專利申請案第14/635,973號之權利，該美國專利申請案主張2014年11月21日申請的美國臨時申請案第62/083,101號之權利，該等申請案之全部內容特此以引用之方式併入本文中。
本發明之實施例在化學機械拋光(CMP)的領域中，且詳言之，在用於拋光墊堆疊之經塗覆之壓縮下墊及製造用於拋光墊堆疊之經塗覆之壓縮下墊之方法的領域中。
化學機械平坦化或化學機械拋光(通常簡稱為CMP)為在半導體製造中用於平坦化半導體晶圓或其他基板之技術。
該製程使用研磨劑及/或腐蝕性化學漿料(通常為膠體)，連同拋光墊及直徑通常大於晶圓之保持環。拋光墊及晶圓藉由動態拋光頭按壓在一起且藉由塑膠保持環固持就位。動態拋光頭在拋光期間旋轉。此方法有助於移除材料且往往會校平任何不規則構形，使得晶圓平整或平坦。此可為必需的，以便裝設晶圓以用於額外電路元件之形成。舉例而言，此可能為必需的，以便使整個表面在光微影系統的景深內，或基於材料之位置選擇性移除材料。對於最新的低於50奈米技術 節點而言，典型的景深(depth-of-field)要求可降至埃位準。
材料移除之過程並非簡單地研磨刮擦(如砂紙對木材的研磨刮擦)過程。漿料中之化學物質亦與待移除之材料反應及/或使其弱化。研磨劑加快此弱化過程，且拋光墊幫助自表面擦去已反應材料。除漿料技術之進步之外，拋光墊亦在日益複雜的CMP操作中發揮重要作用。
然而，在CMP墊技術之演進中需要額外改良。
本發明之實施例包括用於拋光墊堆疊之經塗覆之壓縮下墊，及製造用於拋光墊堆疊之經塗覆之壓縮下墊之方法。
在一實施例中，用於拋光基板之拋光墊堆疊包括具有拋光表面及後表面之拋光墊。該拋光墊堆疊亦包括壓縮下墊，該壓縮下墊之第一表面上塗覆有第一壓敏黏著劑層。該壓縮下墊之該第一表面藉由該第一壓敏黏著劑層直接耦接至該拋光墊之該後表面。
在另一實施例中，製造用於拋光基板之拋光墊堆疊之方法涉及將第一壓敏黏著劑層塗覆於壓縮下墊材料之第一表面上。該方法亦涉及將第二壓敏黏著劑層塗覆於該壓縮下墊材料之相對的第二表面上。該方法亦涉及藉由該第一壓敏黏著劑層將該壓縮下墊材料之該第一表面直接黏著至拋光墊之後表面。
在另一實施例中，用於拋光墊堆疊之下墊包括壓縮下墊材料，其具有第一表面及相對的第二表面。第一壓敏黏著劑層塗覆於該壓縮下墊材料之該第一表面上。第一離型襯墊安置於該第一壓敏黏著劑層上。第二壓敏黏著劑層塗覆於該壓縮下墊材料之該第二表面上。
1‧‧‧層壓遍次
2‧‧‧層壓遍次
3‧‧‧層壓遍次
4‧‧‧層壓遍次
100‧‧‧拋光墊/頂部墊
102‧‧‧下墊
104‧‧‧第一PSA雙面膠帶
104A‧‧‧載體膜
104B‧‧‧第一永久性PSA層
104C‧‧‧第二永久性PSA層
106‧‧‧第二PSA雙面膠帶
106A‧‧‧載體膜
106B‧‧‧第一永久性PSA層
106C‧‧‧第二永久性PSA層
108‧‧‧第三PSA雙面膠帶/拋光表面層
108A‧‧‧載體膜
108B‧‧‧第一永久性PSA層
108C‧‧‧第二可移除式PSA層
110‧‧‧壓板
200‧‧‧拋光墊
202‧‧‧下墊/壓縮下墊
204‧‧‧第一壓敏黏著劑層/永久性壓敏黏著劑層
206‧‧‧第二壓敏黏著劑層/可移除式壓敏黏著劑層
208‧‧‧拋光表面層
210‧‧‧壓板
300A‧‧‧SEM影像
300B‧‧‧SEM影像
400‧‧‧黏著薄片
402‧‧‧構形表面/表面空隙/構形
404‧‧‧閉孔下墊/下墊
450‧‧‧壓敏黏著劑層
452‧‧‧表面空隙/構形/表面
454‧‧‧下墊/壓縮下墊
500‧‧‧拋光墊
502‧‧‧基礎層
504‧‧‧前表面
508‧‧‧拋光層/拋光表面層/表面拋光層
508A‧‧‧連續層部分
508B‧‧‧拋光特徵
550‧‧‧下墊/壓縮下墊
552‧‧‧第一壓敏黏著劑層
554‧‧‧第二壓敏黏著劑層
556‧‧‧壓板
600‧‧‧拋光墊/頂部墊
602‧‧‧永久性PSA雙面膠帶
604‧‧‧下墊發泡體材料
606‧‧‧第二永久性PSA雙面膠帶
608‧‧‧可移除式PSA雙面膠帶
650‧‧‧層壓機
652‧‧‧拋光墊
654‧‧‧卷
702‧‧‧下墊發泡體材料
704‧‧‧塗佈滾筒
706‧‧‧塗佈滾筒
708‧‧‧第一壓敏黏著劑材料
710‧‧‧第一側面/第二表面
712‧‧‧展佈桿或梅爾桿
724‧‧‧塗佈滾筒
726‧‧‧塗佈滾筒
728‧‧‧第二壓敏黏著劑材料
730‧‧‧第二側面/第二表面
732‧‧‧展佈桿或梅爾桿
740‧‧‧乾燥器
746‧‧‧第一壓敏黏著劑層
748‧‧‧第二壓敏黏著劑層
790‧‧‧離型襯墊
792A‧‧‧電暈
792B‧‧‧電暈
802‧‧‧塗佈器輥
804‧‧‧黏著劑調配物
806‧‧‧下墊材料
808‧‧‧梅爾棒或桿
810‧‧‧方框
812‧‧‧下墊材料膜導入
902‧‧‧下墊材料層
904‧‧‧夯輥
906‧‧‧介電層
908‧‧‧電極
910‧‧‧氣隙
912‧‧‧電暈產生器電源供應器
1000‧‧‧拋光裝置
1002‧‧‧頂部表面
1004‧‧‧壓板
1006‧‧‧軸旋轉
1008‧‧‧滑件振盪
1010‧‧‧樣品載體
1011‧‧‧半導體晶圓
1012‧‧‧懸吊機構
1014‧‧‧漿料饋入
1090‧‧‧調節單元
1099‧‧‧拋光墊/下墊拋光墊堆疊
圖1說明目前先進技術之拋光墊及下墊配對之橫截面圖。
圖2說明根據本發明之一實施例的拋光墊及下墊配對之橫截面圖。
圖3A為根據本發明之一實施例的例示性壓縮發泡體下墊之橫截面掃描電子顯微鏡(SEM)影像。
圖3B為根據本發明之另一實施例的另一例示性壓縮發泡體下墊之橫截面掃描電子顯微鏡(SEM)影像。
圖4A說明上面層壓有黏著劑膜的目前先進技術之下墊之橫截面圖。
圖4B說明根據本發明之一實施例的上面塗覆有壓敏黏著劑層的下墊之橫截面圖。
圖5說明根據本發明之一實施例的拋光墊及下墊配對之橫截面圖，其中拋光墊包括拋光層及基礎層。
圖6說明目前先進技術之四步驟層壓遍次墊/下墊製造過程。
圖7說明根據本發明之一實施例的涉及將壓敏黏著劑層塗覆至下墊材料上之下墊製造過程。
圖8說明根據本發明之一實施例的使用梅爾(Meyer)桿將壓敏黏著劑層塗覆至下墊材料上。
圖9說明根據本發明之一實施例的用於在將黏著劑層塗覆於壓縮發泡體下墊表面上之前執行對壓縮發泡體下墊表面之電暈放電處理之裝置。
圖10說明根據本發明之一實施例的與拋光墊/下墊拋光墊堆疊相容之拋光裝置之等距側向視圖。
本文描述用於拋光墊堆疊之經塗覆之壓縮下墊及製造用於拋光墊堆疊之經塗覆之壓縮下墊之方法。在以下描述中，闡述大量特定細節，諸如特定拋光墊及下墊組合物及設計，以便提供對本發明之實施例之透徹理解。熟習此項技術者將顯而易見，本發明之實施例可在沒有此等特定細節之情況下加以實踐。在其他情況下，眾所周知的加工 技術(諸如關於用以執行半導體基板之CMP的漿料與拋光墊之組合之細節)並未被詳細地描述以免不必要地混淆本發明之實施例。此外，應理解，圖中所展示之各種實施例為說明性表示且不一定按比例繪製。
用於CMP操作之拋光墊可具有效能的折衷，諸如在跨越晶圓之拋光均一性與晶粒內拋光均一性之間的折衷。舉例而言，硬的拋光墊可展現良好的晶粒級平坦化，但較差的跨越晶圓之均一性。拋光墊或層可包括可壓縮下墊以改良上覆拋光墊或層之整體非均一性效能。
根據本文中之一或多個實施例，描述雙重塗覆之下墊，諸如雙重塗覆之發泡體下墊。舉例而言，塗覆黏著劑之發泡體可用作CMP拋光墊之基礎(下墊)層。可使用以下特徵中之一者或組合製得塗覆黏著劑之發泡體：(1)黏著劑可直接塗覆至下墊材料之一個表面上；(2)黏著劑可直接塗覆至下墊材料之兩個表面上；(3)一個黏著劑可為可移除式黏著劑以使得能夠將下墊/拋光層配對應用至壓板；及/或(4)一個黏著劑可為永久性黏著劑以促成將下墊強結合至拋光墊或層之背面。
為了提供上下文，耦接至拋光墊或層的下墊之目前先進技術涉及使用雙面膠帶(諸如壓敏黏著劑(PSA)雙面膠帶)來將下墊結合至拋光墊。將第二雙面膠帶層壓至下墊之最終將耦接至CMP裝置之壓板之側面。舉例而言，拋光墊堆疊之製造可涉及將PSA雙面膠帶層壓至兩個下墊面。
圖1說明目前先進技術之拋光墊及下墊配對之橫截面圖。參看圖1，拋光墊100(頂部墊或拋光層)耦接至下墊102。下墊102之接近於頂部墊100之面藉由第一PSA雙面膠帶104耦接至頂部墊100。第一PSA雙面膠帶104可包括載體膜104A(諸如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜)，其上具有第一永久性PSA層104B及第二永久性PSA層104C。下墊102之遠離頂部墊100之面上具有第二PSA雙面膠帶106。第二PSA雙面膠 帶106可包括載體膜106A(諸如，PET膜)，其上具有第一永久性PSA層106B及第二永久性PSA層106C。第二PSA雙面膠帶106可進一步耦接至第三PSA雙面膠帶108。第三PSA雙面膠帶108可包括載體膜108A(諸如，PET膜)，其上具有第一永久性PSA層108B及第二可移除式PSA層108C。第三PSA雙面膠帶108可適合於將頂部墊100/下墊102拋光墊堆疊可移除地耦接至CMP拋光裝置之壓板110，如圖1中所描繪。可存在與圖1中所描繪之類型之拋光墊堆疊相關聯之缺點，如下文所描述。
相比於圖1之拋光墊堆疊，圖2說明根據本發明之一實施例的拋光墊及下墊配對之橫截面圖。參看圖2，用於拋光基板之拋光墊堆疊包括耦接至下墊202(其可為壓縮下墊)之拋光墊200(頂部墊或拋光層)。拋光墊200具有遠離下墊202之拋光表面，及接近於下墊202之後表面。下墊202之第一(上部)表面上塗覆有第一壓敏黏著劑層204。下墊202之上部表面藉由第一壓敏黏著劑層204直接耦接至拋光墊200之後表面。
再次參看圖2，在一實施例中，拋光墊堆疊進一步包括塗覆於壓縮下墊202之第二(下部)表面上之第二壓敏黏著劑層206。在一個此類實施例中，第一壓敏黏著劑層204為用於強黏著至拋光墊200之永久性壓敏黏著劑層。第二壓敏黏著劑層206為可移除式壓敏黏著劑層，且用於將拋光墊堆疊可移除地耦接至化學機械拋光裝置之壓板210。儘管圖2中描繪為已經耦接至壓板，但在一實施例中，圖2之拋光墊堆疊可包括在第二壓敏黏著劑層206上之離型襯墊。此種離型襯墊可用於輸送及儲存拋光墊堆疊，且可在將拋光墊堆疊耦接至壓板之前經移除以曝露第二壓敏黏著劑層206。
圖2之拋光墊堆疊優於圖1之拋光墊堆疊之優點可自藉由圖2之拋光墊堆疊類型達成之非間斷下墊構造實現。詳言之，界面之數目受限 以防黏著失效。另外，可存在對圖2之拋光墊堆疊之黏著劑層之較少加工，如下文更詳細地描述。在一實施例中，在壓縮發泡體下墊的狀況下，將黏著劑直接塗覆至壓縮下墊表面上有助於密封發泡體微孔。此外，由於不存在與壓敏黏著劑層相關聯之載體膜且複合材料中層之數目有限，因此可減小總體墊厚度。在一實施例中，直接的黏著劑塗覆提供至低表面能發泡體之優良黏著劑固著，當將PSA雙面膠帶層壓至下墊之表面時該固著原本將為困難的。最後，可將製造操作之數目自四個減至低到一個層壓操作(將經塗覆之下墊層壓至拋光墊)，如下文更詳細地描述。層壓操作之此種減少及所達成的拋光墊堆疊之構造簡單性可導致拋光墊堆疊之製造成本的可能降低。
再次參看圖2，壓敏黏著劑層(諸如，永久性壓敏黏著劑層204或可移除式黏著劑層206)僅需要輕度至中度壓力來黏著至工件(諸如，需要輕度至中度壓力來將上面塗覆有壓敏黏著劑層的下墊202黏著至拋光墊200)。壓敏黏著劑層並非將需要某種等級之固化的膠層。壓敏黏著劑層亦非將需要熱來黏著至工件之熱熔層。如本文中所定義，壓敏黏著劑層亦不需要添加水以活化與工件之黏著性。
再次參看圖2，在一實施例中，永久性壓敏黏著劑層204在攝氏25度下具有大於約4.5磅每英吋之剝離強度。可移除式壓敏黏著劑層206在攝氏25度下具有小於約4磅每英吋之剝離強度。在一特定實施例中，可移除式壓敏黏著劑層206在攝氏25度下具有小於約2.5磅每英吋之剝離強度。如本文中所使用，剝離強度被定義為壓敏層之最大黏著強度，其中ASTM D3330定義了測試方法。在一實施例中，永久性壓敏黏著劑層204或可移除式壓敏黏著劑層206或兩者為以下材料之層：諸如(但不限於)丙烯酸系材料、橡膠、乙烯乙酸乙烯酯、聚矽氧材料或嵌段共聚物。該層通常包括調配物中之增黏性樹脂。在一實施例中，永久性壓敏黏著劑層204或可移除式壓敏黏著劑層206或兩者具有 約2密耳之厚度。
如上文簡要地提及，在一實施例中，壓縮下墊202為壓縮發泡體下墊。在一個此類實施例中，壓縮發泡體下墊為提供改良之厚度均一性或改良之表面能或兩者的經後加工之發泡體材料(例如，使用電暈處理進行加工，如下文更詳細地描述)。在一實施例中，壓縮發泡體下墊由以下材料組成：諸如(但不限於)乙烯乙酸乙烯酯閉孔發泡體材料、聚乙烯閉孔發泡體材料或聚胺基甲酸酯大部分閉孔發泡體材料。在一實施例中，壓縮下墊之表面中之一者或兩者(亦即，耦接至拋光墊之表面或用於耦接至壓板之表面)具有約在30至40達因/平方公分的範圍內之表面能(如在任何後加工(諸如，電暈處理)之前所量測)。在一實施例中，壓縮下墊具有約在10密耳至40密耳範圍內之厚度。
圖3A及3B為根據本發明之一實施例的例示性壓縮發泡體下墊之橫截面掃描電子顯微鏡(SEM)影像。參看圖3A之SEM影像300A，展示了放大100X放大率的閉孔乙烯乙酸乙烯酯(EVA)發泡體下墊。參看圖3B之SEM影像300B，展示了放大100X放大率的閉孔聚乙烯(PE)發泡體下墊。
再次參看圖3A及3B，在一實施例中，下墊發泡體層為具有低表面能(通常為30至35達因/平方公分)之EVA發泡體或聚乙烯發泡體。通常使用ASTM標準測試方法D 2578藉由應用單純溶液的Accu Dyne筆量測表面能。所使用之最常見溶液包括乙基賽路蘇、甲醯胺及染料(為了更容易用裸眼偵測)。乙基賽路蘇之濃度%對比甲醯胺之濃度%之變化導致各筆的不同達因位準之溶液。
再次參看圖2，永久性壓敏黏著劑層204塗覆在下墊202之接近於拋光墊200之表面上。可移除式壓敏黏著劑層206塗覆在下墊202之遠離拋光墊200之表面上。術語「塗覆」之使用用於將本發明之實施例與將PSA(諸如，PSA雙面膠帶)層壓在下墊之表面上以用於將下墊最 終耦接至拋光墊或壓板(取決於層壓有PSA的下墊之側面)的情形區分開。術語「塗覆」亦用於將本發明之實施例與將PSA(諸如，PSA雙面膠帶)首先層壓在拋光墊之後表面上且隨後用於經由另一層壓製程將拋光墊黏著至下墊的情形區分開。相比之下，根據本文中所描述之實施例，黏著劑層藉由製程(諸如(但不限於)浸漬製程、滾塗製程或展佈製程)而作為「濕」層塗覆在下墊之表面上。經塗覆之層接著經乾燥以移除用於將黏著材料塗佈在下墊之表面上的任何載體溶劑。塗覆在下墊表面上之經乾燥層為壓敏黏著劑層(永久性或可移除式，取決於涉及下墊之哪一側面)。
作為經塗覆之黏著劑層相對於下墊之表面上之經層壓的黏著劑膜的例示性優點，本發明之實施例在下墊之表面上提供壓敏黏著劑層，其中壓敏黏著劑層與下墊之表面之間的表面積接觸大於約90%，且在一些實施例中大於約95%。圖4A說明目前先進技術之下墊(上面層壓有黏著劑膜)之橫截面圖。圖4B說明根據本發明之一實施例的上面塗覆有壓敏黏著劑層的下墊之橫截面圖。
參看圖4A，習知經層壓的黏著薄片400可不具有在經層壓的薄片400與閉孔下墊404之構形表面402之間的實質性表面積接觸。如圖4A中所示，經層壓的黏著薄片400並不實質上填充下墊404之表面之表面空隙/構形402。應瞭解，對於下墊404之另一(底部)表面，可出現相同情境。
相比之下，根據本發明之一實施例，參看圖4B，經塗覆之壓敏性黏著層450實質上填充下墊454之表面之表面空隙/構形452。結果可為壓敏性黏著層450與下墊454之間的黏著強度之最終提高。應瞭解，對於下墊454之另一(底部)表面，可出現相同情境。在一例示性實施例中，壓縮下墊454之表面452具有至少3微米之表面粗糙度且具有總表面積。經塗覆之壓敏黏著劑層450與壓縮下墊454之表面452之總表 面積之至少90%直接接觸。在一些實施例中，經塗覆之壓敏黏著劑層450與壓縮下墊454之表面452之總表面積之大於約95%直接接觸。
再次參看圖2，在一實施例中，耦接至下墊202之拋光墊200為均質或單層拋光墊，如圖2中所描繪。在一個此類實施例中，拋光墊200由熱固性聚胺基甲酸酯材料組成，如下文更詳細地描述。然而，在另一實施例中，拋光墊200為複合拋光墊。在一個此類實施例中，拋光墊200包括一起界定拋光墊200之拋光層及基礎層。
作為後一種情境之一實例，圖5說明根據本發明之一實施例的拋光墊及下墊配對之橫截面圖，其中拋光墊包括拋光層及基礎層。參看圖5，拋光墊堆疊包括拋光墊500。拋光墊包括耦接至基礎層502之拋光層508。因此，拋光墊500之後表面為基礎層502之表面。基礎層502之前表面504結合至表面拋光層508。在一實施例中，拋光表面層508包括連續層部分508A，複數個拋光特徵508B自連續層部分508A突出，如圖5中所描繪。連續層部分508A與基礎層502結合。
在一實施例中，基礎層502由聚碳酸酯材料組成，且拋光表面層508為聚胺基甲酸酯材料。在一此類特定實施例中，拋光表面層508共價結合至基礎層502。術語「共價結合」係指來自第一材料(例如，拋光表面層之材料)之原子與來自第二材料(例如，基礎層之材料)之原子交聯或共用電子以實現實際化學鍵結的配置。共價結合區別於機械結合，諸如經由螺桿、釘子、膠或其他黏著劑之結合。在另一特定實施例中，拋光表面層508並非共價結合，而是僅靜電結合(然而仍直接結合)至基礎層502。此種靜電結合可涉及基礎層502與拋光表面層508之間的凡得瓦爾力(van der Waals)類型之相互作用。
再次參看圖5，拋光墊堆疊包括下墊550，其可為壓縮閉孔發泡體下墊。下墊550之第一(上部)表面上塗覆有第一壓敏黏著劑層552。下墊550之上部表面藉由第一壓敏黏著劑層552直接耦接至拋光墊500 之基礎層502之後表面。在一實施例中，第二壓敏黏著劑層554塗覆在壓縮下墊550之第二(下部)表面上。在一個此類實施例中，第一壓敏黏著劑層552為用於強黏著至拋光墊500之永久性壓敏黏著劑層。第二壓敏黏著劑層554為可移除式壓敏黏著劑層且用於將拋光墊堆疊可移除地耦接至化學機械拋光裝置之壓板556。儘管圖5中描繪為已經耦接至壓板，但在一實施例中，圖5之拋光墊堆疊可包括在第二壓敏黏著劑層554上之離型襯墊。此種離型襯墊可用於輸送及儲存拋光墊堆疊，且可在將拋光墊堆疊耦接至壓板之前被移除以曝露第二壓敏黏著劑層554。
如上文簡要地提及，包括下墊(諸如，本文中所描述之彼等者)之拋光墊堆疊可使用相較於原本用於目前先進技術之墊堆疊製造之層壓製程數目減少之層壓製程來製造。作為一比較實例，圖6說明目前先進技術之四步驟層壓遍次墊/下墊製造過程。參看圖6，第一層壓遍次(層壓遍次1)涉及將永久性PSA雙面膠帶602層壓於拋光墊(頂部墊)600之背面上。接著修剪掉多餘之永久性PSA雙面膠帶。第二層壓遍次(層壓遍次2)涉及將下墊發泡體材料604層壓至拋光墊600之背面上之永久性PSA雙面膠帶602上。接著修剪掉多餘之發泡體材料。第三層壓遍次(層壓遍次3)涉及將第二永久性PSA雙面膠帶606層壓至下墊發泡體材料604上。接著修剪掉多餘之第二永久性PSA雙面膠帶。第四層壓遍次(層壓遍次4)涉及將可移除式PSA雙面膠帶608層壓至第二永久性PSA雙面膠帶606上。接著修剪掉多餘之可移除式PSA雙面膠帶。可使用層壓機650，其中取決於正在執行哪一層壓遍次，使用永久性PSA雙面膠帶602、下墊發泡體材料604、第二永久性PSA雙面膠帶606或可移除式PSA雙面膠帶608之卷654來層壓拋光墊652。所得墊堆疊可為諸如與圖1相關聯地描述之墊堆疊。
相比於上述多重層壓製程，圖7說明根據本發明之一實施例的涉 及將壓敏黏著劑層塗覆至下墊材料上之下墊製造過程。
參看圖7，使用下墊發泡體材料702作為塗覆製程之載體膜。將下墊發泡體材料702饋入至塗佈滾筒704及706中，其將第一壓敏黏著劑材料708塗佈至下墊發泡體材料702之第一側面710上。使用展佈桿或梅爾桿712來移除多餘之第一壓敏黏著劑材料708且使其均勻地分佈於下墊發泡體材料702之第一側面710上。
再次參看圖7，下墊發泡體材料702接著被饋入至塗佈滾筒724及726中，其將第二壓敏黏著劑材料728塗佈至下墊發泡體材料702之第二側面730上。使用展佈桿或梅爾桿732來移除多餘之第二壓敏黏著劑材料728且使其均勻地分佈於下墊發泡體材料702之第二側面730上。
再次參看圖7，經雙重塗覆之下墊發泡體材料702接著被引導至乾燥器740。乾燥提供發泡體材料702，該發泡體材料702具有上面塗覆有第一壓敏黏著劑層746的第一表面710，且具有上面塗覆有第二壓敏黏著劑層748的第二表面730。一旦被傳輸經過乾燥器740，可執行發泡體材料702(其上具有第一壓敏黏著劑層746及第二壓敏黏著劑層748)之進一步加工，如下文更詳細地描述。
主要參看圖7，在一實施例中，製造用於拋光基板之拋光墊堆疊之方法涉及在壓縮下墊材料702之第一表面710上塗覆第一壓敏黏著劑層708。該方法亦涉及將第二壓敏黏著劑層728塗覆於壓縮下墊材料702之相對的第二表面730上。在一實施例中，第一壓敏黏著劑層708為永久性壓敏黏著劑層，且第二壓敏黏著劑層728為可移除式壓敏黏著劑層。在另一實施例中，第一壓敏黏著劑層708為可移除式壓敏黏著劑層，且第二壓敏黏著劑層728為永久性壓敏黏著劑層。在任一狀況下，在一實施例中，對於可移除式壓敏黏著劑層，將底塗劑塗佈至下墊材料之相關聯之側面以提高可移除式壓敏黏著劑層至下墊材料之黏著性，但保持可移除式壓敏黏著劑層之壓板側面之可移除性。
在一實施例中，塗覆第一壓敏黏著劑層或第二壓敏黏著劑層涉及在壓縮下墊材料之表面上分配且接著展佈基於溶劑之黏著劑調配物。在一個此類實施例中，在壓縮下墊材料之第一表面上分配且接著展佈第一基於溶劑之黏著劑調配物且在壓縮下墊材料之第二表面上之分配且接著展佈第二基於溶劑之黏著劑調配物後，乾燥該等第一與第二基於溶劑之黏著劑調配物(例如，經由乾燥器740)以自該等第一與第二基於溶劑之黏著劑調配物移除實質上所有溶劑。在一實施例中，壓敏黏著劑層係在小於約攝氏50度的溫度下作為基於溶劑之黏著劑調配物塗佈在壓縮下墊材料之表面上。隨後，在小於約攝氏50度的溫度下在空氣乾燥器中乾燥基於溶劑之黏著劑調配物。
因此，主要參看圖7，在下墊材料上提供PSA層涉及將黏著劑/溶劑溶液塗覆至在製造過程中起載體膜或支撐層作用之下墊材料上。黏著劑調配物之黏度判定塗覆方法。黏著劑調配物可作為溶劑中所攜載之黏著材料進行塗佈。例示性塗覆方法為梅爾棒塗覆法。圖8說明根據本發明之一實施例的使用梅爾桿將壓敏黏著劑層塗覆至下墊材料上。
參看圖8，塗佈器輥802將黏著劑調配物804遞送至正被塗覆之下墊材料806之表面。在一實施例中，在小於約攝氏50度的溫度下，且較佳地在小於約攝氏40度的溫度下，且最佳地在室溫下或約攝氏20至25度的溫度下塗佈黏著劑調配物804。在一實施例中，在塗佈時黏著劑調配物804之溫度小於約攝氏50度，且較佳地小於約攝氏40度，且最佳地在室溫下或約攝氏20至25度。塗佈器輥802遞送多餘之材料804。藉由梅爾棒或桿808(其展開圖描繪於圖8之方框810中，展示被線纏繞之棒)移除多餘物。所移除之黏著劑之量取決於線的纏繞。可存在連續的多個棒以產生光滑的精確塗層厚度(其中容差為+/-0.001英吋)。經塗覆之下墊材料膜接著被引導812至空氣乾燥器以用於溶劑 蒸發。在一實施例中，在黏著劑塗覆在下墊上之後約2至4分鐘時，上面塗覆有黏著劑的下墊進入乾燥器。在一實施例中，在空氣乾燥器中乾燥下墊歷時約20分鐘。
再次參看圖7，接著在塗覆製程結束時將離型襯墊790應用於經塗覆之黏著劑層中之一者。在一個實施例中，在可移除式壓敏黏著劑層已塗覆在下墊材料上之後，將離型襯墊790添加至可移除式壓敏黏著劑層。然而，在其他實施例中，藉由首先將可移除式壓敏黏著劑材料塗佈至離型襯墊且接著將可移除式壓敏黏著劑材料遞送至下墊材料而將可移除式壓敏黏著劑層塗覆在下墊材料上。在任一狀況下，可在將可移除式壓敏黏著劑層耦接至壓板之前移除此種離型襯墊。
在一實施例中，儘管未描繪，但將第二離型襯墊添加至永久性壓敏黏著劑層。可包括此種第二離型襯墊以用於傳輸或儲存經塗覆之下墊，但在經由經塗覆之下墊之永久性壓敏黏著劑層將經塗覆之下墊黏著至拋光墊之前移除該種第二離型襯墊。然而，在其他實施例中，形成下墊材料之卷而不在下墊材料之具有永久性壓敏黏著劑層的側面上包括離型襯墊。不管是否包括第二離型襯墊，皆可藉由層壓製程將拋光墊黏著至下墊材料之經塗覆之永久性壓敏黏著劑層(因此保留單個層壓製程而不是與圖6相關聯地描述之四個層壓製程)。可接著環繞拋光墊材料之形狀切割下墊材料。
如本文中所描述，離型襯墊為基於紙或塑膠之載體網狀材料，在離型襯墊之一面或兩面上具有離型劑。離型劑提供相對於任何類型之黏性材料(諸如，黏著劑)之離型效應。離型襯墊之脫離涉及分離離型襯墊與壓敏黏著劑層。
再次參看圖7之製程，在一實施例中，在黏著劑塗覆之前對下墊之發泡體材料(諸如，EVA或PE發泡體材料)進行後加工，以在整個網狀物中達成+/-1密耳之嚴格量規容差。通常，在一面或兩面上磨光材 料。此種發泡體的厚度可自15密耳直至60密耳且可在幾磅直至60磅發泡體之廣泛密度範圍中產生發泡體。典型量規容差為總厚度之+/-10%，其在整個網狀物中可多達+/-6密耳或總共12密耳。應瞭解，由於半導體市場技術在減小線寬方面的要求變得愈來愈苛刻，因此用於製造此等技術之消費品集合亦必須符合更嚴格之材料性質容差。在一實施例中，對發泡體之後加工及隨後的直接黏著劑塗覆可降低厚度容差且提供改良之黏著劑固著。此等因素又影響下墊材料之發泡體可壓縮性。可壓縮性被定義為(承重時的厚度減去初始厚度)/初始厚度。在一些實施例中，所要可壓縮性較低，例如通常小於10%。
如關聯圖7簡要地描述，電暈792A及792B或類似處理可在黏著劑層塗覆之前應用至下墊材料之一面或兩面。應瞭解，表面能性質為工業塗層之重要考慮因素。表面能決定了所塗佈之塗層是否將被表面接受(此被稱為濕潤)。濕潤之定義為液體與固體表面維持接觸之能力，其由當液體與固體表面靠近彼此時的分子間相互作用導致。濕潤之程度(可濕性)由黏著力與內聚力之間的力平衡判定。對於黏著劑塗層，黏著劑之表面張力必須低於該等黏著劑塗層塗佈至之表面之表面能。在諸如EVA發泡體之材料的狀況下，必須提高基板之表面能以保證所塗佈之液體(壓敏黏著劑塗層)之足夠浸濕。存在用於此種表面處理之許多方法，諸如(但不限於)電暈放電、火焰處理或電漿處理。可實施此等處理以將EVA或PE發泡體之表面能自30達因/cm提高直至(例如)40至42達因/cm。在一個此類實施例中，恰在黏著劑塗覆製程之前將電暈放電處理應用至壓縮發泡體下墊材料，如圖7中所展示。
圖9說明根據本發明之一實施例的用於在將黏著劑層塗覆於壓縮發泡體下墊表面上之前執行對壓縮發泡體下墊表面之電暈放電處理之裝置。參看圖9，下墊材料層902(例如，壓縮發泡體材料層)卷在上面具有介電質906之夯輥904上。配置提供在下墊材料層902上方之電極 908，其中氣隙910在電極908與下墊材料層902之間。電暈產生器電源供應器912耦接至電極908。電暈處理為使用低溫電暈放電電漿以賦予下墊材料層902之表面性質改變的表面改質技術。
在一實施例中，再次參看圖2及圖5，拋光墊200或拋光表面層508為均質的拋光墊或拋光表面層。在一個此類實施例中，均質的拋光墊或拋光表面層由熱固性聚胺基甲酸酯材料組成。舉例而言，在一特定實施例中，均質的拋光墊或拋光表面層由熱固性、閉孔聚胺基甲酸酯材料組成。在一實施例中，術語「均質」用於指示熱固性、閉孔聚胺基甲酸酯材料之組成在本體之整個組合物中為不變的。舉例而言，在一實施例中，術語「均質」不包括由(例如)浸染毛氈或不同材料之多個層之組合物(複合物)組成的拋光墊本體。在一實施例中，術語「熱固性」用於指示不可逆固化之聚合物材料，例如材料前驅物藉由固化而不可逆地變化成難熔、不溶性聚合物網。舉例而言，在一實施例中，術語「熱固性」不包括由例如「熱塑性」材料或「熱塑性塑膠」組成之拋光墊，彼等材料由在加熱時變成液態且在充分冷卻時返回至極玻璃態之聚合物組成。應注意，由熱固性材料製成之拋光墊通常由進行反應以在化學反應中形成聚合物的低分子量前驅物製造，而由熱塑性材料製成之墊通常係藉由加熱預先存在之聚合物以導致相變使得在物理過程中形成拋光墊而製造。基於聚胺基甲酸酯熱固性聚合物的穩定的熱及機械性質、對化學環境之耐性及耐磨性傾向，可選擇聚胺基甲酸酯熱固性聚合物以製造本文中所描述之拋光墊。
可模製拋光墊200或拋光表面層508之材料。術語「模製」可用於指示拋光表面層形成於成形模具中。在一實施例中，經模製之拋光墊200或拋光表面層508在調節及/或拋光之後具有約在1至5微米範圍內之拋光表面粗糙度(均方根)。在一個實施例中，經模製之拋光墊200或拋光表面層508在調節及/或拋光之後具有約2.35微米之拋光表面 粗糙度(均方根)。在一實施例中，經模製之拋光墊200或拋光表面層508在攝氏25度下具有約在30至500兆帕斯卡(MPa)範圍內之儲存模數。在另一實施例中，經模製之拋光墊200或拋光表面層508在攝氏25度下具有約小於30兆帕斯卡(MPa)之儲存模數。
拋光墊200或拋光表面層508之材料可包括微孔形成特徵。在一實施例中，拋光表面層508具有約在6%至50%總空隙體積範圍內之封閉氣室微孔之微孔密度。在一個實施例中，複數個封閉氣室微孔為複數個致孔劑。舉例而言，術語「致孔劑」可用於指示具有「中空」中心之微或奈米級球形或略微球形粒子。中空中心不被固體材料填充，而是可包括氣體或液體核心。在一個實施例中，複數個封閉氣室微孔由分佈在拋光墊之整個拋光表面層中(例如，作為其中之額外組份)的經預膨脹及充氣之EXPANCELTM組成。在一特定實施例中，EXPANCELTM用戊烷填充。在一實施例中，複數個封閉氣室微孔中之每一者具有約在10至100微米範圍內之直徑。在一實施例中，複數個封閉氣室微孔包括彼此離散之微孔。此與可經由通道彼此連接之開放氣室微孔(諸如常見海綿中微孔之狀況)形成對比。在一個實施例中，封閉氣室微孔中之每一者包括實體殼層，諸如如上文所描述的致孔劑之殼層。然而，在另一實施例中，封閉氣室微孔中之每一者並不包括實體殼層。在一實施例中，複數個封閉氣室微孔基本上均勻分佈在均質拋光墊或拋光表面層之整個熱固性聚胺基甲酸酯材料中。
在一實施例中，拋光墊200或拋光表面層508為不透明的。在一個實施例中，術語「不透明」用於指示允許約10%或低於10%的可見光穿過之材料。在一個實施例中，拋光墊200或拋光表面層508的不透明性大部分或完全歸因於在整個拋光墊200或拋光表面層508中(例如，作為其中之額外組份)包括失透粒子填料(諸如，潤滑劑)。在一特定實施例中，失透粒子填料為諸如(但不限於)氮化硼、氟化鈰、石 墨、氟化石墨、硫化鉬、硫化鈮、滑石、硫化鉭、二硫化鎢或Teflon®之材料。
在另一態樣中，拋光墊200或拋光表面層508可具有適合於在CMP操作期間拋光之圖案。在第一通用實例中，本發明之一些實施例包括具有線性特徵之圖案之複數個突起。在第二通用實例中，本發明之一些實施例包括具有離散曲線特徵之圖案之複數個突起。在一此類特定實例中，包括離散弧形突起。其他此類特定實施例包括(但不限於)安置於實質上圓形之拋光墊上之複數個局部圓周突起。在第三通用實例中，本發明之一些實施例包括具有離散塊之圖案之複數個突起。在一此類特定實施例中，包括離散六角形塊突起。其他此類特定實施例包括(但不限於)複數個圓形塊、複數個橢圓形塊、複數個正方形塊、複數個矩形塊或其組合。
儘管上述三個通用實例係依據突起(例如，經圖案化拋光表面層之最高點)而定義，但拋光表面層亦可或替代地依據凹槽(例如。經圖案化拋光表面層之最低點)而定義。個別凹槽可在各凹槽上之任何給定點處具有約4至約100密耳的深度。在一些實施例中，在各凹槽上之任何給定點處，凹槽具有約10密耳至約50密耳的深度。凹槽可具有均一深度、可變深度或其任何組合。在一些實施例中，所有凹槽均具有均一深度。舉例而言，凹槽圖案之凹槽可皆具有相同深度。在一些實施例中，凹槽圖案之一些凹槽可具有某一均一深度，而相同圖案之其他凹槽可具有不同均一深度。舉例而言，凹槽深度可隨著距拋光墊中心之距離的增大而增大。然而，在一些實施例中，凹槽深度隨著距拋光墊中心之距離的增大而減小。在一些實施例中，具有均一深度之凹槽與具有可變深度之凹槽交替。
在各凹槽上之任何給定點處個別凹槽的寬度可為約2密耳至約100密耳。在一些實施例中，在各凹槽上之任何給定點處凹槽的寬度 為約15密耳至約50密耳。凹槽可具有均一寬度、可變寬度或其任何組合。在一些實施例中，凹槽圖案之凹槽均具有均一寬度。然而，在一些實施例中，凹槽圖案之一些凹槽具有某一均一寬度，而相同圖案之其他凹槽具有不同均一寬度。在一些實施例中，凹槽寬度隨著距拋光墊中心之距離的增大而增大。在一些實施例中，凹槽寬度隨著距拋光墊中心之距離的增大而減小。在一些實施例中，具有均一寬度之凹槽與具有可變寬度之凹槽交替。
根據先前所描述之深度及寬度尺寸，個別凹槽可具有均一體積、可變體積或其任何組合。在一些實施例中，凹槽均具有均一體積。然而，在一些實施例中，凹槽體積隨著距拋光墊中心之距離的增大而增大。在一些其他實施例中，凹槽體積隨著距拋光墊中心之距離的增大而減小。在一些實施例中，具有均一體積之凹槽與具有可變體積之凹槽交替。
本文中所描述之凹槽圖案之凹槽可具有自約30密耳至約1000密耳之間距。在一些實施例中，凹槽具有約125密耳之間距。對於圓形拋光墊，沿著圓形拋光墊之半徑量測凹槽間距。凹槽可具有均一間距、可變間距或其任何組合。在一些實施例中，凹槽均具有均一間距。然而，在一些實施例中，凹槽間距隨著距拋光墊中心之距離的增大而增大。在一些其他實施例中，凹槽間距隨著距拋光墊中心之距離的增大而減小。在一些實施例中，在一個區段中之凹槽間距隨著距拋光墊中心之距離的增大而變化，而在相鄰區段中之凹槽間距保持均一。在一些實施例中，在一個區段中之凹槽間距隨著距拋光墊中心之距離的增大而增大，而在相鄰區段中之凹槽間距以不同速率增大。在一些實施例中，一個區段中之凹槽間距隨著距拋光墊中心之距離的增大而增大，而相鄰區段中之凹槽間距隨著距拋光墊中心之距離的增大而減小。在一些實施例中，具有均一間距之凹槽與具有可變間距之凹 槽交替。在一些實施例中，具有均一間距之凹槽區段與具有可變間距之凹槽區段交替。
在一實施例中，本文中所描述之拋光墊堆疊(諸如，圖2及圖5之拋光墊堆疊)適合於拋光基板。基板可為用於半導體製造行業中之基板，諸如上面安置有裝置或其他層之矽基板。然而，基板可為諸如(但不限於)用於MEMS裝置、光罩或太陽能模組之基板的基板。因此，如本文中所使用，提及「用於拋光基板之拋光墊」意欲涵蓋此等及相關可能性。在一實施例中，拋光墊堆疊具有約在20英吋至30.3英吋範圍內之直徑，例如約在50至77公分範圍內；且可能約在10英吋至42英吋範圍內，例如約在25至107公分範圍內。
本文中所描述之下墊可與拋光墊包括在一起，如上文所描述。此種經組合之拋光墊/下墊拋光墊堆疊可適合於與各種化學機械拋光裝置一起使用。作為一實例，圖10說明根據本發明之一實施例的與拋光墊/下墊拋光墊堆疊相容之拋光裝置之等距側向視圖。
參看圖10，拋光裝置1000包括壓板1004。壓板1004之頂部表面1002可用於支撐拋光墊/下墊拋光墊堆疊1099。壓板1004可經組態以提供軸旋轉1006。樣品載體1010用於在藉由拋光墊/下墊拋光墊堆疊1099拋光半導體晶圓期間將例如半導體晶圓1011固持就位且提供滑件振盪1008。樣品載體1010進一步由懸吊機構1012支撐。包括漿料饋入1014以用於在半導體晶圓之拋光之前及在半導體晶圓之拋光期間將漿料提供至拋光墊/下墊拋光墊堆疊1099之表面。亦可包括調節單元1090，且在一個實施例中，調節單元1090包括用於調節拋光墊/下墊拋光墊堆疊1099組合之拋光墊之鑽石針尖。在一實施例中，下墊上之塗覆相對較弱黏著劑之黏著劑層用於在壓板1004上安裝拋光墊/下墊拋光墊堆疊1099。在一實施例中，塗覆相對較強黏著劑之黏著劑層將下墊固定至拋光墊。
因此，已經揭示用於拋光墊堆疊之經塗覆之壓縮下墊及製造用於拋光墊堆疊之經塗覆之壓縮下墊之方法。
200‧‧‧拋光墊
202‧‧‧下墊/壓縮下墊
204‧‧‧第一壓敏黏著劑層/永久性壓敏黏著劑層
206‧‧‧第二壓敏黏著劑層/可移除式壓敏黏著劑層
210‧‧‧壓板

Claims (36)

  1. 一種用於拋光基板之拋光墊堆疊，該拋光墊堆疊包含：拋光墊，其具有拋光表面及後表面；及壓縮下墊，該壓縮下墊的第一表面上塗覆有第一壓敏黏著劑層，該壓縮下墊之該第一表面藉由該第一壓敏黏著劑層直接耦接至該拋光墊之該後表面，其中該壓縮下墊之該第一表面具有約在30至40達因/平方公分之範圍內的表面能。
  2. 如請求項1之拋光墊堆疊，其進一步包含：第二壓敏黏著劑層，其塗覆於該壓縮下墊之第二表面上，該壓縮下墊之該第二表面與該第一表面相對。
  3. 如請求項2之拋光墊堆疊，其中該第一壓敏黏著劑層為永久性壓敏黏著劑層，且其中該第二壓敏黏著劑層為可移除式壓敏黏著劑層。
  4. 如請求項3之拋光墊堆疊，其中該可移除式壓敏黏著劑層係用於將該拋光墊堆疊耦接至化學機械拋光裝置之壓板。
  5. 如請求項4之拋光墊堆疊，其進一步包含：離型襯墊，其安置於該可移除式壓敏黏著劑層上。
  6. 如請求項3之拋光墊堆疊，其中該第一壓敏黏著劑層在攝氏25度下具有大於約4.5磅每英吋之剝離強度，且其中該第二壓敏黏著劑層在攝氏25度下具有小於約4磅每英吋之剝離強度。
  7. 如請求項6之拋光墊堆疊，其中該第二壓敏黏著劑層在攝氏25度下具有小於約2.5磅每英吋之剝離強度。
  8. 如請求項1之拋光墊堆疊，其中該壓縮下墊為壓縮發泡體下墊。
  9. 如請求項8之拋光墊堆疊，其中該壓縮發泡體下墊包含選自由以下各者組成之群的材料：乙烯乙酸乙烯酯閉孔發泡體材料、聚 乙烯閉孔發泡體材料及聚胺基甲酸酯大部分閉孔發泡體材料。
  10. 如請求項1之拋光墊堆疊，其中該壓縮下墊具有約在10密耳至40密耳範圍內之厚度。
  11. 如請求項1之拋光墊堆疊，其中該壓縮下墊之該第一表面具有至少3微米之表面粗糙度且具有一總表面積，且該第一壓敏黏著劑層與該壓縮下墊之該第一表面之該總表面積之至少90%直接接觸。
  12. 如請求項1之拋光墊堆疊，其中該第一壓敏黏著劑層包含選自由以下各者組成之群的材料：丙烯酸系材料、橡膠、乙烯乙酸乙烯酯、聚矽氧材料及嵌段共聚物。
  13. 如請求項1之拋光墊堆疊，其中該拋光墊包含熱固性聚胺基甲酸酯材料。
  14. 如請求項2之拋光墊堆疊，其中該拋光墊包含耦接至基礎層之拋光層，且其中該拋光墊之該後表面為該基礎層之表面。
  15. 一種製造用於拋光基板之拋光墊堆疊之方法，該方法包含：將第一壓敏黏著劑層塗覆於壓縮下墊材料之第一表面上；將第二壓敏黏著劑層塗覆於該壓縮下墊材料之相對的第二表面上；且藉由該第一壓敏黏著劑層將該壓縮下墊材料之該第一表面直接黏著至拋光墊之後表面。
  16. 如請求項15之方法，其中塗覆該第一壓敏黏著劑層包含塗覆永久性壓敏黏著劑層，且其中塗覆該第二壓敏黏著劑層包含塗覆可移除式壓敏黏著劑層。
  17. 如請求項15之方法，其中塗覆該第一壓敏黏著劑層包含將第一基於溶劑之黏著劑調配物分配且接著展佈在該壓縮下墊材料之該第一表面上，且其中塗覆該第二壓敏黏著劑層包含將第二基 於溶劑之黏著劑調配物分配且接著展佈在該壓縮下墊材料之該第二表面上。
  18. 如請求項17之方法，其中將該第一基於溶劑之黏著劑調配物分配且接著展佈在該壓縮下墊材料之該第一表面上係在將該第二基於溶劑之黏著劑調配物分配且接著展佈在該壓縮下墊材料之該第二表面上之前執行。
  19. 如請求項17之方法，其中將該第一基於溶劑之黏著劑調配物分配且接著展佈在該壓縮下墊材料之該第一表面上係在將該第二基於溶劑之黏著劑調配物分配且接著展佈在該壓縮下墊材料之該第二表面上之後執行。
  20. 如請求項17之方法，該方法進一步包含：在將該第一基於溶劑之黏著劑調配物分配且接著展佈在該壓縮下墊材料之該第一表面上且將該第二基於溶劑之黏著劑調配物分配且接著展佈在該壓縮下墊材料之該第二表面上之後，乾燥該等第一與第二基於溶劑之黏著劑調配物以自該等第一與第二基於溶劑之黏著劑調配物移除實質上所有溶劑。
  21. 如請求項15之方法，其中該壓縮下墊為壓縮發泡體下墊，該方法進一步包含：在塗覆該等第一與第二壓敏黏著劑層之前，藉由選自由電暈放電處理、電漿處理及火焰處理組成之群的製程處理該壓縮發泡體下墊材料之該第一表面或該第二表面中之至少一者。
  22. 如請求項15之方法，其中塗覆該第一壓敏黏著劑層包含在低於約攝氏50度的溫度下將第一基於溶劑之黏著劑調配物塗佈在該壓縮下墊材料之該第一表面上，且隨後在空氣乾燥器中在低於約攝氏50度的溫度下乾燥該第一基於溶劑之黏著劑調配物。
  23. 如請求項15之方法，其進一步包含： 將離型襯墊施用於該第二壓敏黏著劑層。
  24. 如請求項15之方法，其中將該第二壓敏黏著劑層塗覆在該壓縮下墊材料之該相對的第二表面上包含將該第二壓敏黏著劑層塗佈至離型襯墊且接著藉由該離型襯墊將該第二壓敏黏著劑層施用至該壓縮下墊之該相對的第二表面。
  25. 如請求項15之方法，其中將該壓縮下墊材料之該第一表面直接黏著至該拋光墊之該後表面包含將該壓縮下墊材料之該第一表面直接黏著至熱固性聚胺基甲酸酯拋光墊之該後表面。
  26. 一種用於拋光墊堆疊之下墊，該下墊包含：壓縮下墊材料，其具有第一表面及相對的第二表面；第一壓敏黏著劑層，其塗覆在該壓縮下墊材料之該第一表面上，且第一離型襯墊安置於該第一壓敏黏著劑層上；及第二壓敏黏著劑層，其塗覆於該壓縮下墊材料之該第二表面上。
  27. 如請求項26之下墊，其進一步包含：第二離型襯墊，其安置於該第二壓敏黏著劑層上。
  28. 如請求項26之下墊，其中該第一壓敏黏著劑層為可移除式壓敏黏著劑層，且其中該第二壓敏黏著劑層為永久性壓敏黏著劑層。
  29. 如請求項28之下墊，其中該永久性壓敏黏著劑層係用於耦接至拋光墊之後表面，且其中該可移除式壓敏黏著劑層係用於將該下墊耦接至化學機械拋光裝置之壓板。
  30. 如請求項26之下墊，其中該第二壓敏黏著劑層在攝氏25度下具有大於約4.5磅每英吋之剝離強度，且其中該第一壓敏黏著劑層在攝氏25度下具有小於約4磅每英吋之剝離強度。
  31. 如請求項26之下墊，其中該壓縮下墊材料為壓縮發泡體下墊材 料，其包含選自由以下各者組成之群的材料：乙烯乙酸乙烯酯閉孔發泡體材料、聚乙烯閉孔發泡體材料及聚胺基甲酸酯大部分閉孔發泡體材料。
  32. 如請求項26之下墊，其中該壓縮下墊材料為壓縮發泡體下墊材料，且其中該壓縮發泡體下墊材料之該等第一與第二表面各自具有約在30至40達因/平方公分之範圍內的表面能。
  33. 如請求項26之下墊，其中該壓縮下墊材料具有約在10密耳至40密耳範圍內之厚度。
  34. 如請求項26之下墊，其中該第二壓敏黏著劑層包含選自由以下各者組成之群的第一材料：丙烯酸系材料、橡膠、乙烯乙酸乙烯酯、聚矽氧材料及嵌段共聚物，且其中該第一壓敏黏著劑層包含選自由以下各者組成之群的第二材料：丙烯酸系材料、橡膠、乙烯乙酸乙烯酯、聚矽氧材料及嵌段共聚物。
  35. 如請求項26之下墊，其中該壓縮下墊材料之該第一表面具有至少3微米之表面粗糙度且具有一總表面積，且該第一壓敏黏著劑層與該壓縮下墊材料之該第一表面之該總表面積之至少90%直接接觸。
  36. 如請求項35之下墊，其中該壓縮下墊材料之該第二表面具有至少3微米之表面粗糙度且具有一總表面積，且該第二壓敏黏著劑層與該壓縮下墊材料之該第二表面之該總表面積之至少90%直接接觸。
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