TWI580164B - 具有雙重模式升壓調節器的積體電路裝置、包含其之低功率電路配置與高功率電路配置及其使用方法 - Google Patents

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Description

具有雙重模式升壓調節器的積體電路裝置、包含其之低功率電路配置與高功率電路配置及其使用方法
本發明係關於具有升壓調節器電路之積體電路裝置，且更特定而言係關於一種具有晶片上低功率組件或晶片外高功率組件之選擇之積體電路升壓調節器。
依據一單個電池進行操作之一電子裝置將具有一較小外觀尺寸。然而，對於依據單個電池之原生電壓(例如，大約0.9伏至1.8伏)操作之電子裝置，電子裝置電路所使用之電壓必須增加至大約3.3伏。一升壓調節器用於將電池電壓提高至電子裝置中之電路所需要之較高電壓。包含功率切換電晶體之一完全升壓調節器可製作於一積體電路(IC)晶片中但限於通常65毫瓦或65毫瓦以下之低功率應用。當需要較高功率時，使用在IC晶片外部之功率電晶體之一混合型升壓調節器可用於需要較大功率之應用。然而，具有外部功率電晶體之混合型升壓調節器花費更大、更複雜且需要一印刷電路板上之更多空間，包含散熱。迄今為止，具有整體升壓調節器控制電路之經不同設計之積體電路用於低功率應用或高功率應用而非低功率應用及高功率應用兩者。此需要兩種不同積體設計及至少兩種極不相同且不可互換類型之積體電路部件。
因此，需要一種使用同一積體電路設計及裝置提供可用於一低 功率晶片上功率組件升壓調節器電路或一高功率晶片外功率組件升壓調節器電路之電壓調節器拓撲之選擇且具有用於低功率應用或高功率應用之電路拓撲之選擇之升壓調節器積體電路設計。
根據一實施例，一種一積體電路裝置(102)中之雙重模式升壓調節器可包括：一電源端子(134)；一電源共同端子(142)；一電感器端子(136)；一外部電晶體閘極控制端子(138)；一電壓輸出端子(140)；一升壓調節器模式選擇端子(126)；一電壓感測端子(141)；一電晶體切換控制電路(108)，其具有耦合至該升壓調節器模式選擇端子(126)之一模式選擇輸入；一第一功率電晶體(124)，其耦合於該電感器端子(136)與該電壓輸出端子(140)之間，且由該電晶體切換控制電路(108)控制；一電壓回饋電路(106)，其耦合於該電壓輸出端子(140)與該電晶體切換控制電路(108)之間，且具有耦合至至少一個電壓參考之至少一個輸入；一啟動電路(110)；一振盪器(112)，其耦合至該啟動電路(110)及該電晶體切換控制電路(108)；一第二功率電晶體(116)，其耦合於該電感器端子(136)與該電源共同端子(142)之間，且由該電晶體切換控制電路(108)控制；一第一電壓量測裝置(114)，其具有耦合至該電晶體切換控制電路(108)之一輸出；一第二電壓量測裝置(115)，其具有耦合至該電感器端子(136)之一第一差動輸入及耦合至該電壓感測端子(141)之一第二差動輸入；及一模式選擇切換器(118)，其具有耦合至該第一電壓量測裝置(114)之一輸入之一共同點、耦合至該電感器端子(136)之一第一輸入及耦合至該第二電壓量測裝置(115)之一輸出之一第二輸入；其中當透過該升壓調節器模式選擇端子(126)選擇一低功率升壓調節器模式時，該第一功率電晶體(124)及該第二功率電晶體(116)係作用的且由該電晶體切換控制電路(108)控制，且該電壓量測裝置(114)之該輸入透過該模式選擇切換器(118)耦合至該電感器端子(136)；且當透過該升壓調節器模式選擇端 子(126)選擇一高功率升壓調節器模式時，該第一功率電晶體(124)及該第二功率電晶體(116)係非作用的，且該第一電壓量測裝置(114)之該輸入透過該模式選擇切換器(118)耦合至該第二電壓量測裝置(115)之該輸出。
根據又一實施例，當在該低功率升壓調節器模式中時，一電感器(120)耦合於該電源端子(134)與該電感器端子(136)之間；一電源(122)耦合於該電源端子(134)與該電源共同端子(142)之間；且一濾波電容器(104)耦合於該電壓輸出端子(140)與該電源共同端子(142)之間。
根據又一實施例，當在該高功率升壓調節器模式中時，一電感器(120)耦合於該電源端子(134)與該電感器端子(136)之間；一電源(122)耦合於該電源端子(134)與該電源共同端子(142)之間；一濾波電容器(104)耦合於該電壓輸出端子(140)與該電源共同端子(142)之間；一肖特基功率二極體耦合於該電感器端子(136)與該電壓輸出端子(140)之間；一第三功率電晶體(230)具有耦合至該電源共同端子(142)之一源極、耦合至該外部電晶體閘極控制端子(138)之一閘極及耦合至該電壓感測端子(141)之一汲極；且一電流感測電阻器(228)耦合於該電壓感測端子(141)與該電感器端子(136)之間。
根據又一實施例，該電晶體切換控制電路(108)產生脈衝寬度調變或頻率調變控制信號。根據又一實施例，該振盪器(112)在判定其之一振盪器頻率時使用一電阻電容電路。根據又一實施例，該第一功率電晶體(124)係一P通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。根據又一實施例，該第二功率電晶體(116)係一N通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。根據又一實施例，該第三功率電晶體(230)係一N通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。根據又一實施例，該電源(122)係一電池。根據又一實施例，該電池具有自大約0.9伏至大約1.8伏之一電 壓。
根據又一實施例，該第一電壓量測裝置(114)係一差動輸入運算放大器。根據又一實施例，該第二電壓量測裝置(115)係一差動輸入運算放大器。根據又一實施例，其中該積體電路裝置(102)係包括類比與數位電路及一數位記憶體之一微控制器。根據又一實施例，該升壓調節器模式之選擇儲存於一非揮發性記憶體中。根據又一實施例，該非揮發性記憶體選自由一熔絲位元及一電可程式化非揮發性記憶體位元組成之群組。
根據另一實施例，一種在一積體電路裝置(102)中提供一雙重模式升壓調節器之方法，該方法包括以下步驟：提供一電源端子(134)；提供一電源共同端子(142)；提供一電感器端子(136)；提供一電壓輸出端子(140)；提供一升壓調節器模式選擇端子(126)；提供一電壓感測端子(141)；提供具有耦合至該升壓調節器模式選擇端子(126)之一模式選擇輸入之一電晶體切換控制電路(108)；提供耦合至該電晶體切換控制電路(108)之一外部電晶體閘極控制端子(138)；提供耦合於該電感器端子(136)與該電壓輸出端子(140)之間且由該電晶體切換控制電路(108)控制之一第一功率電晶體(124)；提供耦合於該電壓輸出端子(140)與該電晶體切換控制電路(108)之間且具有耦合至至少一個電壓參考之至少一個輸入之一電壓回饋電路(106)；提供一啟動電路(110)；提供耦合至該啟動電路(110)及該電晶體切換控制電路(108)之一振盪器(112)；提供耦合於該電感器端子(136)與該電源共同端子(142)之間且由該電晶體切換控制電路(108)控制之一第二功率電晶體(116)；提供具有耦合至該電晶體切換控制電路(108)之一輸出之一第一電壓量測裝置(114)；提供具有耦合至該電感器端子(136)之一第一差動輸入及耦合至該電壓感測端子(141)之一第二差動輸入之一第二電壓量測裝置(115)；及提供具有耦合至該第一電壓量測裝置 (114)之一輸入之一共同點、耦合至該電感器端子(136)之一第一輸入及耦合至該第二電壓量測裝置(115)之一輸出之一第二輸入之一模式選擇切換器(118)；選擇一低功率升壓調節器模式包括以下步驟：藉助該電晶體切換控制電路(108)控制該第一功率電晶體(124)及該第二功率電晶體(116)，透過該模式選擇切換器(118)將該第一電壓量測裝置(114)之該輸入耦合至該電感器端子(136)；且選擇一高功率升壓調節器模式包括以下步驟：解除啟動該第一功率電晶體(124)及該第二功率電晶體(116)；及透過該模式選擇切換器(118)將該第一電壓量測裝置(114)之該輸入耦合至該第二電壓量測裝置(115)之該輸出。
根據該方法之又一實施例，選擇該低功率升壓調節器模式之步驟進一步包括以下步驟：將一電感器(120)耦合於該電源端子(134)與該電感器端子(136)之間；將一電源(122)耦合於該電源端子(134)與該電源共同端子(142)之間；及將一濾波電容器(104)耦合於該電壓輸出端子(140)與該電源共同端子(142)之間。
根據該方法之又一實施例，選擇該高功率升壓調節器模式之步驟進一步包括以下步驟：將一電感器(120)耦合於該電源端子(134)與該電感器端子(136)之間；將一電源(122)耦合於該電源端子(134)與該電源共同端子(142)之間；將一濾波電容器(104)耦合於該電壓輸出端子(140)與該電源共同端子(142)之間；將一肖特基功率二極體耦合於該電感器端子(136)與該電壓輸出端子(140)之間；將一第三功率電晶體(230)之一源極耦合至該電源共同端子(142)；將該第三功率電晶體(230)之一閘極耦合至該外部電晶體閘極控制端子(138)；將該第三功率電晶體(230)之一汲極耦合至該電壓感測端子(141)；及將一電流感測電阻器(228)耦合於該電壓感測端子(141)與該電感器端子(136)之間。
根據該方法之又一實施例，選擇該低功率升壓調節器模式或該 高功率升壓調節器模式之步驟包括將該功率升壓調節器模式儲存於一非揮發性記憶體中之步驟。
102‧‧‧積體電路裝置
104‧‧‧濾波電容器
106‧‧‧電壓回饋電路/閉合環路電壓回饋電路/閉合環路類比電壓回饋電路/控制環路電壓回饋電路
108‧‧‧電晶體切換控制電路/脈衝寬度調變/頻率調變器
110‧‧‧啟動電路
112‧‧‧振盪器/電阻器電容器振盪器/內建振盪器
114‧‧‧第一電壓量測裝置/電壓量測裝置/運算放大器/放大器/差動放大器
115‧‧‧第二電壓量測裝置/運算放大器/差動放大器/放大器
116‧‧‧第二功率電晶體/分流切換電晶體/電晶體/內部功率電晶體/功率電晶體/內部N通道金屬氧化物半導體電晶體/分流功率切換電晶體/內部切換電晶體
118‧‧‧模式選擇切換器/固態切換器/切換器
120‧‧‧電感器
122‧‧‧電源/電池
124‧‧‧第一功率電晶體/串聯功率切換電晶體/電晶體/內部功率電晶體/功率電晶體/P通道金屬氧化物半導體電晶體/內部切換電晶體
126‧‧‧升壓調節器模式選擇端子/模式選擇端子
134‧‧‧電源端子
136‧‧‧電感器端子
138‧‧‧外部電晶體閘極控制端子
140‧‧‧電壓輸出端子/端子
141‧‧‧電壓感測端子/感測端子
142‧‧‧電源共同端子
228‧‧‧電流感測電阻器/極小電阻值電流感測電阻器/電阻器
230‧‧‧第三功率電晶體/外部分流功率切換電晶體/N通道金屬氧化物半導體外部分流功率切換電晶體/外部N通道金屬氧化物半導體功率切換電晶體
232‧‧‧功率肖特基二極體/外部功率肖特基二極體
VBAT‧‧‧輸入電壓
VBG‧‧‧帶隙電壓參考
VDD‧‧‧輸出電壓/電壓/經調節輸出電壓
VREF‧‧‧電壓參考
可藉由與隨附圖式一起參考以下說明獲得對本發明之一更全面理解，其中：圖1係根據本發明之一特定實例性實施例之包括可選擇雙重模式升壓調節器拓撲且組態為一低功率升壓調節器之一積體電路裝置之一示意性電路及方塊圖；及圖2係根據本發明之另一特定實例性實施例之包括可選擇雙重模式升壓調節器拓撲且組態為一高功率升壓調節器之一積體電路裝置之一示意性電路及方塊圖。
雖然易於對本發明作出各種修改及替代形式，但已在圖式中展示並在本文中詳細闡述其特定實例性實施例。然而，應理解，本文對特定實例性實施例之說明並非意欲將本發明限制於本文中揭示之特定形式，而是相反，本發明欲涵蓋如由隨附申請專利範圍定義之所有修改及等效物。
現在參考圖式，對特定實例性實施例之細節進行示意性圖解說明。圖式中之相同元件將由相同編號表示，且類似元件將由具有一不同小寫字母後綴之相同編號表示。
參考圖1，其繪示根據本發明之一特定實例性實施例之包括可選擇雙重模式升壓調節器拓撲且組態為一低功率升壓調節器之一積體電路裝置之一示意性電路及方塊圖。一積體電路(IC)裝置102中之一升壓調節器電路包括一閉合環路電壓回饋電路106、一PWM/頻率調變器108、一啟動電路110、一電阻器電容器(RC)振盪器112、運算放大器114及115、一分流切換電晶體116、固態切換器118及一串聯功率切換 電晶體124。一電感器120及一濾波電容器104在IC裝置102外部，但對低功率升壓調節器之操作係必需的。IC裝置102之升壓調節器自一電源122(例如，電池、交流電(AC)至經整流直流電(DC)(未展示)等)接收電力(電壓及電流)。IC裝置102可係(舉例而言但不限於)一混合信號(類比與數位電路)IC裝置，例如，具有程式及資料儲存記憶體之一微控制器。
圖1中所展示之升壓調節器係將IC裝置102內部之功率切換器(電晶體116及124)用於低功率應用之一DC/DC切換調節器。來自一電池122之低電壓(例如，0.9伏至1.8伏)供應至IC裝置102之一電源端子134(VBAT)及一電源共同端子142。PWM/頻率調變器108中之控制電路控制內部功率電晶體116(NMOS-FET)及124(PMOS-FET)之切換以使連接至濾波電容器104之VDD端子140處之輸出電壓升壓。此DC/DC切換調節器亦具有判定功率電晶體116及124之切換頻率之一內建振盪器112(例如，電阻器電容器(RC))。一電壓回饋電路106及包括運算放大器114及切換器118之一電流回饋電路分別監視輸出電壓VDD(端子140)及輸入電流以控制輸出電壓VDD。亦包含一啟動電路110以管理輸出電壓VDD之初始斜升。切換器118可係使用MOSFET及/或CMOS電晶體切換器在包括IC裝置102之積體電路晶粒上製作之一固態單刀雙擲切換器。藉由透過模式選擇端子126選擇一低功率模式還是一高功率模式來判定切換器118之選擇位置，且此選擇可在一非揮發性記憶體(未展示)中，如下文中更全面地闡述。
當DC/DC切換調節器啟動時，端子140處之輸出電壓VDD透過PMOS電晶體124緩慢增加。啟動電路110限制穿過PMOS電晶體124之電流直至電壓VDD大約達到輸入電壓VBAT為止。然後，內建振盪器112接通且PWM/頻率調變器108中之驅動器電路在電晶體116及124中之每一者之接通狀態與關斷狀態之間的切換期間藉助具有一死帶之非重疊 接通信號開始交替地接通及關斷內部功率電晶體116及124。在此啟動時間期間，該切換調節器以一固定工作循環操作。
當輸出電壓VDD達到一足夠高之充分電壓時，一帶隙電壓參考VBG及一低壓降(LDO)電路將接通。然後，PWM/頻率調變器108之PWM部分變為作用的且將調整PWM信號(接通及關斷電晶體116及124)之工作循環以供應產生及維持經調節輸出電壓VDD必需之電流及電壓。一閉合環路類比電壓回饋電路106或諸如此類可用作與一電壓參考VREF及/或一帶隙電壓參考VBG結合之一電壓誤差回饋電路以將一誤差電壓提供至PWM/頻率調變器108以便維持一實質上恆定之經調節輸出電壓VDD。為實施電流模式控制，藉由在放大器114及切換器118處於圖1中所展示之連接位置中之情形下量測跨越處於「接通」飽和的電晶體116之汲極-源極之電壓來判定穿過內部NMOS電晶體116之電流。然後使用此電流量測來調整切換調節器之工作循環。可藉由模式選擇端子126處之一模式選擇信號執行低功率/高功率模式選擇，且選定模式可存留於一非揮發性記憶體(諸如(舉例而言)但不限於一熔絲位元、一電可程式化非揮發性記憶體位元等)中。預期且在本發明之範疇內，可同樣成功地使用量測DC/DC切換調節器之操作電流之其他方法及方式，且熟習積體電路及切換調節器設計且受益於本發明之技術者可容易地創建用於量測此電流之替代設計。
參考圖2，其繪示根據本發明之另一特定實例性實施例之包括可選擇雙重模式升壓調節器拓撲且組態為一高功率升壓調節器之一積體電路裝置之一示意性電路及方塊圖。積體電路(IC)裝置102中之升壓調節器電路包括一閉合環路電壓回饋電路106、一PWM/頻率調變器108、一啟動電路110、一電阻器電容器(RC)振盪器112、運算放大器114及115、一分流功率切換電晶體116(不用於高功率模式中)、固態切換器118及一串聯功率切換電晶體124(不用於高功率模式中)。一電 感器120、一外部分流功率切換電晶體230、用於量測穿過電感器120之電流之一電流感測電阻器228、一功率肖特基二極體232及一濾波電容器104在IC裝置102外部，但對高功率升壓調節器之操作係必需的。IC裝置102之升壓調節器自電源122(例如，電池、交流電流(AC)至經整流直流電流(DC)(未展示)等)接收電力(電壓及電流)。IC裝置102可係(舉例而言但不限於)一混合信號(類比與數位電路)IC裝置，例如，具有程式及資料儲存記憶體之一微處理器。
高功率升壓調節器模式之操作實質上與低功率調節器模式相同，惟藉由偵測穿過與NMOS外部分流功率切換電晶體230串聯之一極小電阻值電流感測電阻器228之電流(例如，量測跨越電阻器228之電壓)來實施電流模式控制。可使用此電流量測來調整切換調節器之工作循環。PMOS電晶體124可由一外部功率肖特基二極體232替換，此乃因將內部功率電晶體116及124用於較高功率應用將需要使該等內部功率電晶體變得極大。因此，使用外部NMOS功率切換電晶體230及外部功率肖特基二極體232減輕將內部功率切換電晶體用於高功率應用時將產生之經增加成本及效率損失。
當透過模式選擇端子126做出高功率模式選擇時，選擇外部NMOS功率切換電晶體230且取消選擇內部切換電晶體116及124。一感測端子141及一電感器端子136將電流感測電阻器228耦合至差動放大器115之輸入。差動放大器115偵測表示穿過電流感測電阻器228之電流之一電壓，且切換器118當在所展示之適當位置時將差動放大器115之輸出耦合至差動放大器114之正輸入。放大器115經組態以便提供表示在電流感測電阻器228中流動之電流之一輸出。因此，電流模式控制可用於具有同一IC裝置102之低功率應用及高功率應用兩者。此外，當選擇高功率模式時，適當調整控制環路電壓回饋電路106之補償網路以用於較高負載電流之電壓回饋調節。
預期且在本發明之範疇內，可同樣成功地使用量測穿過電流感測電阻器228之操作電流之其他方法及方式，且熟習積體電路及切換調節器設計且受益於本發明之技術者可容易地創建用於量測此電流之替代設計。
雖然已參考本發明之實例性實施例來繪示、闡述及定義本發明之各實施例，但此等參考並不暗指對本發明之一限制，且不應推斷出存在此類限制。如熟習相關技術且受益於本發明者將會想到，所揭示之標的物能夠在形式及功能上具有大量修改、變更及等效形式。本發明之所繪示及所闡述實施例僅係實例，且並非係對本發明之範疇之窮盡性說明。
102‧‧‧積體電路裝置
104‧‧‧濾波電容器
106‧‧‧電壓回饋電路/閉合環路電壓回饋電路/閉合環路類比電壓回饋電路/控制環路電壓回饋電路
108‧‧‧電晶體切換控制電路/脈衝寬度調變/頻率調變器
110‧‧‧啟動電路
112‧‧‧振盪器/電阻器電容器振盪器/內建振盪器
114‧‧‧第一電壓量測裝置/電壓量測裝置/運算放大器/放大器/差動放大器
115‧‧‧第二電壓量測裝置/運算放大器/差動放大器/放大器
116‧‧‧第二功率電晶體/分流切換電晶體/電晶體/內部功率電晶體/功率電晶體/內部N通道金屬氧化物半導體電晶體/分流功率切換電晶體/內部切換電晶體
118‧‧‧模式選擇切換器/固態切換器/切換器
120‧‧‧電感器
122‧‧‧電源/電池
124‧‧‧第一功率電晶體/串聯功率切換電晶體/電晶體/內部功率電晶體/功率電晶體/P通道金屬氧化物半導體電晶體/內部切換電晶體
126‧‧‧升壓調節器模式選擇端子/模式選擇端子
134‧‧‧電源端子
136‧‧‧電感器端子
138‧‧‧外部電晶體閘極控制端子
140‧‧‧電壓輸出端子/端子
141‧‧‧電壓感測端子/感測端子
142‧‧‧電源共同端子
VBAT‧‧‧輸入電壓
VBG‧‧‧帶隙電壓參考
VDD‧‧‧輸出電壓/電壓/經調節輸出電壓
VREF‧‧‧電壓參考

Claims (16)

  1. 一種具有一雙重模式升壓調節器的一積體電路裝置，其包括：一電源端子；一電源共同端子；一電感器端子；一外部電晶體閘極控制端子；一電壓輸出端子；選擇一升壓調節器模式之一升壓調節器模式選擇端子；一電壓感測端子；一電晶體切換控制電路，其具有耦合至該升壓調節器模式選擇端子之一模式選擇輸入；一第一功率電晶體，其耦合於該電感器端子與該電壓輸出端子之間，且由該電晶體切換控制電路控制；一電壓回饋電路，其耦合於該電壓輸出端子與該電晶體切換控制電路之間，且具有耦合至至少一個電壓參考之至少一個輸入；一啟動電路；一振盪器，其耦合至該啟動電路及該電晶體切換控制電路；一第二功率電晶體，其耦合於該電感器端子與該電源共同端子之間，且由該電晶體切換控制電路控制；一第一電壓量測裝置，其具有耦合至該電晶體切換控制電路之一輸出；一第二電壓量測裝置，其具有耦合至該電感器端子之一第一差動輸入及耦合至該電壓感測端子之一第二差動輸入；及一模式選擇切換器，其具有耦合至該第一電壓量測裝置之一 輸入之一共同點、耦合至該電感器端子之一第一輸入及耦合至該第二電壓量測裝置之一輸出之一第二輸入；其中該電源端子耦合至該電晶體切換控制電路、該啟動電路及該振盪器；其中當透過該升壓調節器模式選擇端子選擇一低功率升壓調節器模式時，該第一功率電晶體及該第二功率電晶體係作用的且由該電晶體切換控制電路控制，且該第一電壓量測裝置之該輸入透過該模式選擇切換器耦合至該電感器端子；且當透過該升壓調節器模式選擇端子選擇一高功率升壓調節器模式時，該第一功率電晶體及該第二功率電晶體係非作用的，該外部電晶體閘極控制端子經控制以驅動一外部電晶體，且該第一電壓量測裝置之該輸入透過該模式選擇切換器耦合至該第二電壓量測裝置之該輸出。
  2. 如請求項1之積體電路裝置，其中該電晶體切換控制電路產生脈衝寬度調變或頻率調變控制信號。
  3. 如請求項1或2之積體電路裝置，其中該振盪器在判定其之一振盪器頻率時使用一電阻電容電路。
  4. 如請求項1之積體電路裝置，其中該第一功率電晶體係一P通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。
  5. 如請求項1之積體電路裝置，其中該第二功率電晶體係一N通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。
  6. 如請求項1之積體電路裝置，其中該第一電壓量測裝置係一差動輸入運算放大器，及/或其中該第二電壓量測裝置係一差動輸入運算放大器。
  7. 如請求項1之積體電路裝置，其中該積體電路裝置係包括類比與 數位電路及一數位記憶體之一微控制器。
  8. 如請求項1之積體電路裝置，其中該升壓調節器模式之選擇儲存於一非揮發性記憶體中，其中該非揮發性記憶體選自由一熔絲位元及一電可程式化非揮發性記憶體位元組成之群組。
  9. 一種包含如前述請求項中任一項之積體電路裝置的低功率電路配置，其中該積體電路裝置係設定以藉由在該升壓調節器模式選擇端子處的一信號而在該低功率升壓調節器模式中操作，及該電壓感測端子係外部地與接地耦合且無外部電晶體與該積體電路裝置連接。
  10. 如請求項9之低功率電路配置，其中該低功率電路配置進一步包括：一電感器，其耦合於該電源端子與該電感器端子之間；一電源，其耦合於該電源端子與該電源共同端子之間；及一濾波電容器，其耦合於該電壓輸出端子與該電源共同端子之間。
  11. 如請求項10之低功率電路配置，其中該電源係一電池，該電池較佳具有自大約0.9伏至大約1.8伏之一電壓。
  12. 一種包含如前述請求項中第1-8項中任一項之積體電路裝置的高功率電路配置，其進一步包括一外部功率電晶體，其控制端子係與外部電晶體閘極控制端子耦合，且其中該積體電路裝置係藉由在該升壓調節器模式選擇端子處的一信號而設定以在該高功率升壓調節器模式中操作，且該電壓感測端子係透過該外部電晶體與接地耦合。
  13. 如請求項12之高功率電路配置，其中，該高功率電路配置進一步包括：一電感器，其耦合於該電源端子與該電感器端子之間； 一電源，其耦合於該電源端子與該電源共同端子之間；一濾波電容器，其耦合於該電壓輸出端子與該電源共同端子之間；一肖特基功率二極體，其耦合於該電感器端子與該電壓輸出端子之間；及一電流感測電阻器，其耦合於該電壓感測端子與該電感器端子之間。
  14. 如請求項13之高功率電路配置，其中該外部功率電晶體係一N通道金屬氧化物半導體場效應電晶體，其具有耦合至該電源共同端子之一源極、耦合至該外部電晶體閘極控制端子之一閘極及耦合至該電壓感測端子之一汲極。
  15. 一種在一電路配置中使用如前述請求項中第1-8項中任一項之積體電路裝置的方法，其中，當在一低功率升壓調節器模式中使用該積體電路裝置時，藉由施加一關聯的信號至該升壓調節器模式選擇端子而設定該積體電路裝置操作在該低功率升壓調節器模式中，及外部地耦合該電壓感測端子與接地且不將外部電晶體連接至該外部電晶體閘極控制端子；及當在一高功率升壓調節器模式中使用該積體電路裝置時，藉由施加一關聯的信號至該升壓調節器模式選擇端子而設定該積體電路裝置操作在該高功率升壓調節器模式中，及連接一外部功率電晶體的一控制端子與該外部電晶體閘極控制端子，且透過該外部電晶體耦合該電壓感測端子與接地。
  16. 如請求項15之方法，其中選擇該低或高功率升壓調節器模式包括將該功率升壓調節器模式儲存於一非揮發性記憶體中。
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