TWI574396B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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李俊雨
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Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
優先權的主張
此申請案涉及、合併其於此處及主張早期於2010年12月14日向韓國智慧財產局所提交且有正式分配序號10-2010-0127859之申請案依美國專利法35 U.S.C.§119所確立的所有效益。
本發明有關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
有機發光顯示裝置作為下一代顯示裝置已經受到相當大的注意，因其優良的特性，像是廣視角、短反應時間及低功率消耗，且其可設計為薄且輕的。
本發明提供一種可以簡單製程製造且防止表面電極(facing electrode)與配線間的斷開之有機發光顯示裝置及其製造方法。
根據本發明之一方面，提供了一種有機發光顯示裝置，其包含：一薄膜電晶體，其包括主動層、閘極電極以及電性連接至主動層之源極和汲極 電極；一像素電極，係與閘極電極形成在同一層；一發光層，其形成在像素電極上；一鈍化層，其形成在源極和汲極電極的上表面以及與源極和汲極電極形成在同一層的配線之上表面上；一有機絕緣層，其覆蓋薄膜電晶體、包括暴露像素電極的上表面之開口、以及形成以直接接觸鈍化層；以及一表面電極，其形成在發光層上且形成以直接接觸有機絕緣層而面對像素電極。
鈍化層的邊緣側可具有與源極和汲極電極及配線的邊緣側相同的蝕刻表面。
有機絕緣層可直接接觸鈍化層的邊緣側。
鈍化層可由無機絕緣材料或有機絕緣材料構成。
配線可為資料線或電源供應線。
有機發光顯示裝置可更包含設置在主動層與閘極電極之間的第一絕緣層，以及形成在閘極電極與源極和汲極電極之間的第二絕緣層，其中源極和汲極電極的其中之一係憑藉形成在第二絕緣層中的接觸孔而連接至像素電極。
像素電極可包含與閘極電極相同的透明導電材料。
表面電極可為反射電極。
有機發光顯示裝置可更包含與主動層形成在同一層的下電極，以及具有與閘極電極形成在同一層的上電極之電容。
有機絕緣層可直接形成在上電極上。
下電極可包含摻有離子摻雜物之半導體。
上電極可包含與閘極電極相同的透明導電材料。
透明導電材料可選自於由ITO、IZO、ZnO及In2O3所組成的群組中的至少之一。
根據本發明之一方面，提供了一種製造有機發光顯示裝置之方法，此方法包含：執行第一光罩製程，用以形成半導體層在基板上且用以藉由圖樣化半導體層而形成薄膜電晶體的主動層；執行第二光罩製程，用以形成第一絕緣層在第一光罩製程的最終結構上，且用以在依序形成透明導電材料層及第一金屬層在第一絕緣層上之後，藉由圖樣化透明導電材料層及第一金屬層而形成薄膜電晶體的閘極電極及像素單元的像素電極；執行第三光罩製程，用以形成第二絕緣層在第二光罩製程的最終結構上，且用以形成暴露主動層的源極和汲極區及像素電極之接觸孔；執行第四光罩製程，用以依序形成第二金屬層及鈍化層在第三光罩製程的最終結構上，且用以藉由圖樣化第二金屬層及鈍化層而形成源極和汲極電極，其連接至主動層及與源極和汲極電極形成在同一層的配線；以及執行第五光罩製程，用以形成第三絕緣層在第四光罩製程的最終結構上，且打開第三絕緣層以暴露像素電極的透明導電材料層。
此方法可更包含在執行第二光罩製程之後，摻雜離子摻雜物於源極和汲極電極。
第四光罩製程可更包含：第一蝕刻製程，用以移除鈍化層的一部分；第二蝕刻製程，用以移除堆疊在像素電極上的第二金屬層；以及第三蝕刻製程，用以移除形成在像素電極的透明導電材料層上的第一金屬層。
第一蝕刻製程可為乾式蝕刻製程。
第四光罩製程可包含使用相同的材料來形成第一金屬層及第二金屬層，且在執行用以移除鈍化層的一部分之第一蝕刻製程之後，同時蝕刻第一金屬層及第二金屬層。
此方法可更包含在第一蝕刻製程中形成電容的下電極，在第二蝕刻製程中形成電容的上電極，在第三蝕刻製程中形成用以暴露上電極之接觸孔，以及在第四蝕刻製程中移除上電極的一部分。
此方法可更包含在執行第四光罩製程之後，摻雜離子摻雜物於電容的下電極。
此方法可更包含在執行第五光罩製程之後，形成發光層及表面電極於像素電極上。
根據本發明之有機發光顯示裝置及其製造方法提供了下列優點。
第一，因為鈍化層形成源極和汲極電極以及與源極和汲極電極形成在同一層的配線上，在表面電極及源極和汲極電極以及配線之間可以造成短路。
第二，以上所描述之有機發光顯示裝置可以憑藉五個光罩製程無需額外的光罩製程而製得。
第三，因鈍化層係在形成源極和汲極電極之後形成，可以防止對像素電極的損害。
第四，因為有機發光顯示裝置具有MIM電容(CAP)結構，可以增加用以設計電壓之邊界(margin)。
1、2‧‧‧有機發光顯示裝置
10‧‧‧基板
113‧‧‧第一像素電極
114‧‧‧第二像素電極電極
118‧‧‧發光層
12‧‧‧第一絕緣層
15‧‧‧第二絕緣層
16‧‧‧金屬層
17‧‧‧絕緣層
18‧‧‧第三絕緣層
19‧‧‧表面電極
211‧‧‧主動層
211a‧‧‧源極和汲極區
211c‧‧‧通道區
213‧‧‧第一閘極電極
214‧‧‧第二閘極電極
216‧‧‧源極和汲極電極
217‧‧‧鈍化層
311a、311c‧‧‧下電極
313‧‧‧第一上電極
314‧‧‧第二上電極
C1-C4‧‧‧接觸孔
C5‧‧‧開口
CAP‧‧‧電容
Cst‧‧‧電容
D‧‧‧資料線
D1、D2‧‧‧離子摻雜物
EL‧‧‧發光單元
PH1-PH3‧‧‧針孔
PR‧‧‧光阻
PXL‧‧‧像素單元
S‧‧‧掃描線
TR1‧‧‧第一薄膜電晶體
TR2‧‧‧第二薄膜電晶體
V‧‧‧電源供應器
參照所考慮的下述詳細說明並結合附圖，將使本發明的更完整評估及其許多伴隨的優點是顯而易見的，且同時變得更佳理解，其中類似參考符號係指相同或相似組件，其中：第1圖為根據本發明之一實施例之一包含在有機發光顯示裝置中的像素之電路圖；第2圖為根據本發明之一實施例之有機發光顯示裝置的一部分之剖面示意圖；第3圖為根據本發明之一比較例之有機發光顯示裝置的一部分之剖面示意圖；第4圖為根據本發明之一比較例之有機發光顯示裝置的一部分之平面示意圖；以及第5至11圖為顯示根據本發明之一實施例之製造第2圖的有機發光顯示裝置的方法之剖面示意圖。
本發明現在將參照本發明的例示性實施例顯示於其中之附圖而更充分地描述。
第1圖為根據本發明之一實施例之一包含在有機發光顯示裝置1中的像素之電路圖。第2圖為根據本發明之一實施例之有機發光顯示裝置1的一部分之剖面示意圖。
參照第1圖，根據本發明之當前實施例之有機發光顯示裝置1的像素包含像是掃描線S、資料線D與電源供應線V之複數個導電線、發光單元EL、第一薄膜電晶體TR1、第二薄膜電晶體TR2及電容Cst。
第1圖的電路為用以解釋當前實施例之示範電路，因此根據本發明之電路並不限於此。也就是說，根據本發明之電路可進一步包含除第1圖中所描繪的導電線之外的導電線。並且，薄膜電晶體與電容的數目並不限於第1圖中所顯示之數目，根據像素單元可結合至少二薄膜電晶體及至少一電容。
第一薄膜電晶體TR1的閘極電極連接掃描線S，而第一薄膜電晶體TR1的第一電極連接資料線D。第二薄膜電晶體TR2的閘極電極連接第一薄膜電晶體TR1的第二電極，第二薄膜電晶體TR2的第一電極連接電源供應現V，而第二薄膜電晶體TR2的第二電極連接發光單元EL。這裡，第一薄膜電晶體TR1是開關電晶體，而第二薄膜電晶體TR2是驅動電晶體。第1圖中，第一薄膜電晶體TR1及第二薄膜電晶體TR2係以P型電晶體描繪。然而，本發明並不限於此，第一薄膜電晶體TR1及第二薄膜電晶體TR2中的至少之一可以N型電晶體形成。
電容Cst連接在第一薄膜電晶體TR1的第二電極與電源供應線V之間。當資料訊號施加至第一薄膜電晶體TR1，電容Cst是儲存資料訊號的儲存電容。
參照第2圖，第二薄膜電晶體TR2包含形成在基板10上之主動層211、第一閘極電極213、第二閘極電極214以及源極和汲極電極216。第2圖中，描繪第二薄膜電晶體TR2的剖面圖。然而，第一薄膜電晶體TR1可具有與第二薄膜電晶體TR2相同的剖面。
基板10可由像是玻璃或塑膠之各種材料構成。然而，對於其中影像係顯示於基板10上之底部發射型顯示裝置而言，基板10可由透明材料構成。
雖然未顯示，為了在基板10上方提供一平坦表面並阻擋外來元素(element)穿透基板10的上表面，可進一步在基板10上形成緩衝層(未顯示)。緩衝層可由SiO2及/或SiNx構成。
主動層211可包含非晶矽或多晶矽，且包含通道區211c及藉由在通道區211c外部摻雜離子摻雜物而形成之源極和汲極區211a。源極和汲極區211a藉由摻雜第III族元素而以P型半導體形成且藉由摻雜第V族元素而以N型半導體形成。
第一閘極電極213及第二閘極電極214依序形成在主動層211上在對應該主動層211的通道區211c的位置上，且其間具有第一絕緣層12，其中第一絕緣層12是第一閘極電極213與主動層211之間的閘極絕緣膜。
第一絕緣層12使主動層211與第一閘極電極213及第二閘極電極214絕緣，且可由像是SiNx及/或SiO2之無機材料構成。
第一閘極電極213及第二閘極電極214可由彼此具有不同蝕刻選擇性(etching selectivity)之材料構成。舉例來說，一閘極電極213及第二閘極電極214可由至少一選自於由像是氧化銦錫(ITO)之透明材料、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)及彼此具有不同蝕刻選擇性的這些材料之合金所組成的群組中之材料構成。在當前實施例中，第一閘極電極213是由為透明導電材料的ITO構成，而第二閘極電極214可由鉬-鋁-鉬(Mo-Al-Mo)之三層構成。用以形成第一閘極電極213之透明導電材料可選自於由氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦(In2O3)所組成的群組中。
第二絕緣層15形成在第一閘極電極213及第二閘極電極214上。第二絕緣層15作為使第一閘極電極213和第二閘極電極214與源極和汲極電極216絕緣之介層絕緣膜。
第二絕緣層15可由各種絕緣材料構成，舉例來說，像是氧化物、氮化物之無機絕緣材料或有機絕緣材料。用以形成第二絕緣層15的無機絕緣材料包含SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST及PZT，而有機絕緣材料包含像是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及聚苯乙烯(PS)之廣為使用的高分子、具酚基之高分子衍生物、丙烯(acrylic)基高分子、亞醯胺(imide)基高分子、芳酯(aryl ester)基高分子、醯胺(amide)基高分子、氟(fluoride)基高分子、p-gilyrene基高分子或乙烯醇基高分子，以及這些高分子的摻合物。並且，第二絕緣層15可由無機絕緣層與有機絕緣層的複合堆疊層構成。
源極和汲極電極216二者貫穿第二絕緣層15及第一絕緣層12，且憑藉接觸孔C3分別接觸主動層112的源極和汲極區211a。第2圖中，源極和汲極電極216係以單一層描繪。然而，本發明並不限於此，源極和汲極電極216可由複數層構成。
鈍化層217形成在源極和汲極電極216上。雖然未顯示於第2圖，鈍化層217可形成在與源極和汲極電極216形成在同一平面的配線上。舉例來說，配線可為與源極和汲極電極216形成在同一層的資料線D(參照第1圖)或電源供應器V(參照第1圖)。
因為鈍化層217係與源極和汲極電極216在相同的光罩製程中以相同的光罩被圖樣化，其將於以下描述，鈍化層217的邊緣側與源極和汲極電極216的邊緣側具有相同的蝕刻表面。
像素單元PXL形成在基板10上。像素單元PXL包含第一像素電極113、發光層118及表面電極19。
第一像素電極113與第一閘極電極213形成在同一層上，且由與第一閘極電極213相同的透明導電材料構成。此透明導電材料可為選自於由ITO、IZO、ZnO、In2O3、氧化銦鎵(IGO)及氧化鋁鋅(AZO)所組成的群組中的至少之一。
發光層118形成在第一像素電極113上，且產生自發光層118的光朝向基板10發射而穿過由透明導電材料構成之第一像素電極113。
第三絕緣層18形成在第一絕緣層12及第一像素電極113上。暴露第二像素電極電極114的開口C1形成於作為像素定義層的第三絕緣層18。發光層118係在開口C5中。
發光層118可為低分子量有機材料層或高分子層。當發光層118為低分子量層時，電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)可堆疊在發光層118周圍。除上述的層之外，若必要可堆疊各種層。可以使用之有機材料包含銅鈦菁(CuPc)、N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。
若發光層118為高分子有機材料層，除發光層118之外，可包含HTL。HTL可以由聚-(2,4)-伸乙基-二羥基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)構成。可以使用之高分子有機材料層包含聚(對苯乙炔)(PPV)及聚芴(polyfluorene)。
作為共用電極的表面電極19設置在發光層118上。在根據本發明之當前實施例之有機發光顯示裝置1中，第一像素電極113作為陽極電極，而表面電極19作為陰極電極。然而，第一像素電極113與表面電極19的極性可交換。
表面電極19可形成作為包含反射材料之反射電極。這裡，表面電極19可包含選自於由鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰-鈣(LiF/Ca)及氟化鋰/鋁(LiF/Al)所組成的群組中的至少之一。因為表面電極19是反射電極，發射自發光層118的光藉由表面電極19而反射，且朝向基板10發射而穿過由透明導電材料構成之第一像素電極113。
電容Cst包含在基板10上。電容Cst的下電極311a是由與使用於形成薄膜電晶體的主動層211之相同的材料構成。電容Cst的第一上電極313是由使用於形成第一閘極電極213之透明導電材料構成。特別地，電容Cst的下電極311a是由摻有離子摻雜物之半導體材料構成，因此與第一上電極313一起形成金屬-絕緣體-金屬電容(MIM CAP)結構。
MIM CAP結構相較於金屬-氧化物-半導體(MOS)CAP時，在寬電壓範圍中一般可以維持固定容量的靜電。因此，當設計電路時，可以增加用以設計電壓之邊界。
根據本發明之當前實施例之有機發光顯示裝置1包含第三絕緣層18，以完全覆蓋以上所描述之第二薄膜電晶體TR2及電容Cst，且暴露像素單元PXL的第一像素電極113的上表面。
第三絕緣層18作為在第一像素電極113的邊緣上形成一預定厚度之像素定義層，且可由有機絕緣材料構成。有機絕緣材料可為像是PMMA及PS之廣為使用的高分子、具酚基之高分子衍生物、丙烯基高分子、亞醯胺(基高分子、芳酯基高分子、醯胺基高分子、氟基高分子、p-gilyrene基高分子或乙烯醇基高分子，以及這些高分子的摻合物。
在製造有機發光顯示裝置1的製程中，在第一像素電極113上形成發光層118之前，第三絕緣層18形成在基板10的最上層上。在製造過程中，若因顆粒而在第三絕緣層18產生孔洞或針孔，則位在第三絕緣層18下方的源極和汲極電極216以及與源極和汲極電極216形成在同一層的配線可直接暴露於外部。 不管孔洞，當為共同電極的表面電極19在發光層118形成於第一像素電極113之後而形成在第三絕緣層18上時，可因源極和汲極電極216或配線與表面電極19之間可以發生短路而形成有缺陷的產品。
第3圖為根據本發明之一比較例之有機發光顯示裝置2的一部分之剖面示意圖。第3圖中，係概要地描繪了針孔PH1發生在源極和汲極電極216的案例。第4圖為顯示分別發生在資料線D及電源供應線V上的針孔PH2及PH3之平面示意圖。
參照第3及4圖，當無鈍化層而使第三絕緣層18直接形成在源極和汲極電極216、資料線D或電源供應線V時，若針孔PH1、PH2及PH3分別發生於第三絕緣層18，源極和汲極電極216、資料線D或電源供應線V的上表面可暴露於外部。在此狀態下，若為共同電極的表面電極19形成在第三絕緣層18上，在表面電極19與源極和汲極電極216、資料線D及電源供應線V之間可發生短路。
在根據本發明之當前實施例之有機發光顯示裝置1中，因為鈍化層217直接形成在源極和汲極電極216以及與源極和汲極電極216形成在同一層的配線之上表面上，雖然發生以上所描述之針孔，源極和汲極電極216以及與源極和汲極電極216形成在同一層的配線之上表面係被保護而未直接暴露於外部。因此，可防止表面電極19與源極和汲極電極216之間的短路，因而可以降低產品缺陷。
鈍化層217可由像是SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST及PZT之無機絕緣材料構成，且也可由像是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及聚苯乙烯(PS)之廣為使用的高分子、具酚基之高分子衍生物、丙烯基高分子、亞醯胺基高分子、芳酯基高分子、醯胺基高分子、氟基高分子、p-gilyrene基高分子或乙烯醇基高分子，以及這些高分子的摻合物之有機絕緣材料構成。
根據本發明之一實施例之製造有機發光顯示裝置1的方法現在將參照第5至11圖來描述。
第5圖為顯示根據本發明之一實施例之製造有機發光顯示裝置1的方法之第一光罩製程的結果之剖面示意圖。
參照第5圖，主動層211c及電容Cst的下電極311c形成在基板10上。
雖然未顯示，半導體層(未顯示)設置在基板10上且光阻(未顯示)塗佈在半導體層(未顯示)上。藉由使用其中第一光罩(未顯示)被使用的光蝕刻(photolithography)製程來圖樣化半導體層(未顯示)而同時形成薄膜電晶體的主動層211c及電容Cst的下電極311c。
藉由光蝕刻製程所執行的第一光罩製程係憑藉在使用曝光裝置(未顯示)曝光第一光罩(未顯示)之後的一連串顯影、蝕刻及剝除(stripping)或灰化(ashing)而執行。
半導體層(未顯示)可由非晶矽或多晶矽構成。多晶矽可藉由結晶化非晶矽而形成。非晶矽可藉由像是快速熱退火(RTA)法、固相結晶(SPC)法、準分子雷射退火(ELA)法、金屬誘發結晶(MIC)法、金屬誘發橫向結晶(MILC)法及連續橫向長晶(SLS)法之各種方法而結晶化。
第6圖為顯示根據本發明之一實施例之製造有機發光顯示裝置1的方法之第二光罩製程之剖面示意圖。
參照第6圖，第一絕緣層12形成在第5圖的第一光罩製程的最終結構上，且像素單元PXL的第一像素電極113及第二像素電極114、第二薄膜電晶體TR2的第一閘極電極213及第二閘極電極214、以及電容Cst的第一上電極313及第二上電極314依序形成在第一絕緣層12上。
第一閘極電極213、第一像素電極113及電容Cst的第一上電極313係同時形成在同一層，且可由選自於由ITO、IZO、ZnO及In2O3所組成的群組中之相同的透明導電材料構成。
第二閘極電極214、第二像素電極114及電容Cst的第二上電極314係同時形成在同一層，且可由選自於由Ti、Mo、Al、Ag、Cu及這些材料之合金所組成的群組中的至少之一材料構成。
最終結構摻有離子摻雜物D1。如上所述，離子摻雜物D1可為第III族或第V族元素之離子，且作為目標物的第二薄膜電晶體TR2的主動層211可摻雜濃度為1x1015atoms/cm2或更高的離子摻雜物D1。
在這點上，由於使用第二薄膜電晶體TR2的第一閘極電極213及第二閘極電極214作為自對準光罩(self-aligning mask)而使主動層211摻雜離子摻雜物D1的結果，主動層211包含摻有離子摻雜物D1的源極和汲極區211a以及在源極和汲極區211a之間的通道區211c。也就是說，源極和汲極區211a可以不需要額外的光罩而藉由使用第二薄膜電晶體TR2的第一閘極電極213及第二閘極電極214作為自對準光罩來形成。
第7圖為顯示根據本發明之一實施例之製造有機發光顯示裝置1的方法之第三光罩製程的結果之剖面示意圖。
參照第7圖，第二絕緣層15堆疊在第6圖的第二光罩製程的最終結構上。然後，藉由圖樣化第二絕緣層15而暴露像素單元PXL的第二像素電極114的上表面之第一接觸孔C1、暴露第二像素電極114的一部分以連接第一像素電極113及第二像素電極114至源極和汲極電極216的其中之一之第二接觸孔C2、暴露主動層211的源極和汲極區211a的一部分之第三接觸孔C3、以及暴露電容Cst的第二上電極314的一部分之第四接觸孔C4係形成在第二絕緣層15。
第8圖為顯示根據本發明之一實施例之製造有機發光顯示裝置1的方法之第四光罩製程的結果之剖面示意圖。
參照第8圖，用於源極和汲極電極216的材料之金屬層16，以及用於鈍化層217的材料之絕緣層17係依序形成在第7圖的第三光罩製程的最終結構上。
雖然未詳細顯示，使用第四光罩(未顯示)圖樣化光阻PR，以致於光阻PR對應源極和汲極電極216的區域餘留在用於鈍化層217的材料之絕緣層17上。使用餘留之光阻PR作為光罩來圖樣化用於鈍化層217的材料之絕緣層17。可藉由使用乾式蝕刻製程來執行絕緣層17的圖樣化。
第9圖為顯示蝕刻用於第8圖的鈍化層217的材料之絕緣層17的結果之剖面示意圖。
參照第9圖，鈍化層217形成在餘留之光阻PR的下方。
雖然未詳細顯示，使用經圖樣化的光阻PR及鈍化層217作為光罩來圖樣化用於源極和汲極電極216的材料之金屬層16。可藉由第一濕式蝕刻製程來執行金屬層16的圖樣化。
第10圖為顯示蝕刻用於源極和汲極電極216的材料之金屬層16的結果之剖面示意圖。
參照第10圖，源極和汲極電極216形成在鈍化層217的下方。並且，移除像素單元PXL的第二像素電極114的一部分及電容Cst的第二上電極314的一部分。可藉由第二濕式蝕刻製程來執行上述圖樣化。
如上所述，在第四光罩製程中，鈍化層217可進一步無需額外的光罩製程而憑藉單一乾式蝕刻及二次濕式蝕刻來形成。因此，可以防止憑藉針孔之源極和汲極電極216與表面電極19之間的短路，因而降低產品失敗率及降低製程成本。
在以上所描述的當前實施例中，二次濕式蝕刻製程被分開執行，因為第一蝕刻製程中的像素單元PXL的第二像素電極114及電容Cst的第二上電極314的材料係不同於第二蝕刻製程中的源極和汲極電極216的材料。若用以形成像素單元PXL的第二像素電極114及電容Cst的第二上電極314的材料與用以形成源極和汲極電極216的材料相同，則可執行單一濕式蝕刻。
在第四光罩製程之後，以上所描述之最終結構摻有離子摻雜物D2。如上所述，離子摻雜物可為第III族或第V族元素的離子，且可使用作為目標物的電容Cst的下電極311a以1x1015atoms/cm2或更高的濃度被摻雜。結果，電容Cst的下電極311a及上電極313形成MIM電容(CAP)結構，因此當設計電路時，可以增加用以設計電壓之邊界。
第11圖為顯示根據本發明之一實施例之製造有機發光顯示裝置1的方法之第五光罩製程的結果之剖面示意圖。
參照第11圖，第三絕緣層18形成在第10圖的第四光罩製程的最終結構上，且形成曝光像素單元PXL的第一像素電極113的上表面之開口C5。
以上所描述的發光層118係在開口C5中，因此發光層118根據施加至第一像素電極113及表面電極19(參照第2圖)的電壓而發射光。
雖然本發明已參照其例示性實施例來特別地顯示與描述，然而將理解的是該技術領域具有通常知識者可在未脫離由下述申請專利範圍所定義之本發明的精神與範疇下做形式與細節上的各種變化。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
10‧‧‧基板
113‧‧‧第一像素電極
114‧‧‧第二像素電極電極
118‧‧‧發光層
12‧‧‧第一絕緣層
15‧‧‧第二絕緣層
18‧‧‧第三絕緣層
19‧‧‧表面電極
211‧‧‧主動層
211a‧‧‧源極和汲極區
211c‧‧‧通道區
213‧‧‧第一閘極電極
214‧‧‧第二閘極電極
216‧‧‧源極和汲極電極
217‧‧‧鈍化層
311a‧‧‧下電極
313‧‧‧第一上電極
314‧‧‧第二上電極
C1-C4‧‧‧接觸孔
C5‧‧‧開口
CAP‧‧‧電容
EL‧‧‧發光單元
PXL‧‧‧像素單元
TR2‧‧‧第二薄膜電晶體

Claims (21)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包括：一薄膜電晶體，包括一主動層、一閘極電極、以及一電性連接至該主動層之源極和汲極電極；一像素電極，與該閘極電極形成在同一層；一發光層，形成在該像素電極上；一鈍化層，形成在該源極和汲極電極的上表面以及一與該源極和汲極電極形成在同一層的配線之上表面上；一覆蓋該薄膜電晶體之有機絕緣層，該有機絕緣層包括一暴露該像素電極的上表面之開口且直接接觸該鈍化層；以及一表面電極，形成在該發光層上且形成以直接接觸該有機絕緣層而面對該像素電極，其中該鈍化層的邊緣側具有與該源極和汲極電極及該配線的邊緣側相同的蝕刻表面，以及該有機絕緣層直接接觸該鈍化層的邊緣側。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該鈍化層包括一無機絕緣材料。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該鈍化層包括一有機絕緣材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其 中該配線為一資料線。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該配線為一電源供應線。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包括：一第一絕緣層，設置在該主動層與該閘極電極之間；以及一第二絕緣層，形成在該閘極電極與該源極和汲極電極之間，其中該源極和汲極電極的其中之一係憑藉一形成在該第二絕緣層中的接觸孔而連接至該像素電極。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極包括一與該閘極電極相同的透明導電材料。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該表面電極為一反射電極。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包括一與該主動層形成在同一層的下電極；以及一具有一與該閘極電極形成在同一層的上電極之電容。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該有機絕緣層直接形成在該上電極上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該下電極包括一摻有一離子摻雜物之半導體。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該上電極包括一與該閘極電極相同的透明導電材料。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，其中該透明導電材料係選自於由ITO、IZO、ZnO及In2O3所組成的群組中的至少之一。
  14. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包括：執行一第一光罩製程，用以形成一半導體層在一基板上且用以藉由圖樣化該半導體層而形成一薄膜電晶體的一主動層；執行一第二光罩製程，用以形成一第一絕緣層在該第一光罩製程的最終結構上，且用以在依序形成一透明導電材料層及一第一金屬層在該第一絕緣層上之後，藉由圖樣化該透明導電材料層及該第一金屬層而形成該薄膜電晶體的一閘極電極及一像素單元的一像素電極；執行一第三光罩製程，用以形成一第二絕緣層在該第二光罩製程的最終結構上，且用以形成一暴露該主動層的一源極和汲極區及該像素電極之接觸孔；執行一第四光罩製程，用以依序形成一第二金屬層及一鈍化層在該第三光罩製程的最終結構上，且用以藉由圖樣化該第二金屬層及該鈍化層而形成一源極和汲極電極，其連接至該主動層及一與該源極和汲極電極形成在同一層的配線；以及 執行一第五光罩製程，用以形成一第三絕緣層在該第四光罩製程的最終結構上，且打開該第三絕緣層以暴露該像素電極的該透明導電材料層。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，更包括在執行該第二光罩製程之後，摻雜一離子摻雜物於該源極和汲極區。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第四光罩製程更包括：一第一蝕刻製程，用以移除該鈍化層的一部分；一第二蝕刻製程，用以移除堆疊在該像素電極上的該第二金屬層；以及一第三蝕刻製程，用以移除形成在該像素電極的該透明導電材料層上的該第一金屬層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一蝕刻製程為一乾式蝕刻製程。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第四光罩製程更包括：使用一相同的材料形成該第一金屬層及該第二金屬層，且在執行用以移除該鈍化層的該部分之該第一蝕刻製程之後，同時蝕刻該第一金屬層及該第二金屬層。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之方法，更包括在該第一蝕刻製程中形成一電容的一下電極，在該第二蝕刻製程中形成該電容的一上電極，在該第三蝕刻製程中 形成一用以暴露該上電極之接觸孔，以及在該第四蝕刻製程中移除該上電極的一部分。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，更包括在執行該第四光罩製程之後，摻雜一離子摻雜物於該電容的該下電極。
  21. 如申請專利範圍第14項所述之方法，更包括在執行該第五光罩製程之後，形成一發光層及一表面電極於該像素電極上。
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