TWI571527B - 應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭 - Google Patents

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Description

應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭
本發明相關於一種應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，特別是有關一種其內每一單層都具有氣體分流與側向注氣功能的氣體分流噴頭。
在電子元件與光電元件的製程中，經常需要以有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)技術於基板或晶圓上製作薄膜，通常藉由一噴頭(injector)將Ⅲ族氣體與Ⅴ族氣體通入一行星式有機金屬化學氣相沈積反應器(planetary MOCVD reactor)中，而製作Ⅲ族-Ⅴ族化合物半導體薄膜(例如GaN、AlN等)。在進行此一Ⅲ族-Ⅴ族化合物半導體薄膜製作時，行星式有機金屬化學氣相沈積反應器(planetary MOCVD reactor)所使用的氣體噴頭通常採用一三重噴頭(triple injector)的設計。參照第一圖，其為習知採用三重噴頭(triple injector)設計的噴頭10的側視圖。噴頭10主要由上管12、中管14、以及下管16等三個不同水平的氣體管道由上至下排列而組成，氫氣(H 2)或氮氣(N 2)為三個通道的運載氣體(carrier gas)。其中，Ⅴ族氣體(例如氨氣(NH 3))由上管12與下管16射出，Ⅲ族氣體(例如三甲基鎵(TMGa)、三甲基鋁(TMAl))則由中管14射出，Ⅲ族氣體與Ⅴ族氣體則在基板(或晶圓)18放置的區域相遇並產生化學反應，而沈積出一Ⅲ族-Ⅴ族化合物半導體薄膜於基板(或晶圓)18的表面上。
由於習知噴頭10由於要對不同的氣體進行分流，所以必需要採取將上管12、中管14、以及下管16垂直堆疊的多層結構設計，才能將不同的氣體進行縱向的分流，而由不同高度的水平面噴入有機金屬化學氣相沈積反應器(MOCVD reactor)中，所以在體積上無法進一步縮減，並且由於不同的反應氣體由不同的高度(或水平面)噴出，導致各種反應氣體除了需要經過一定時間橫向擴散之外，同時還需要經過一定時間的縱向擴散，才能使各個反應氣體均勻地分佈於反應室中而產生反應，而沈積形成一均勻的Ⅲ族-Ⅴ族化合物半導體薄膜。
有鑑於此，亟需要一種可以在單層結構內進行氣體分流而讓各種反應氣體由同一水平面噴出並擴散混合的噴頭，而可以縮減噴頭體積與反應氣體擴散的時間。
本發明之一目的為解決機金屬化學氣相沈積(MOCVD)反應器的習知噴頭的缺點，而提供一種應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，該氣體分流噴頭經由單層結構即可以對各種不同的反應氣體進行分流，而由同一水平面側向噴出，而縮短各種反應氣體於反應室內均勻擴散所需的時間，並進一步縮減噴頭的體積，特別是縮減縱向的長度或體積。
根據本發明之一目的，本發明提供一種應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，該氣體分流噴頭由一單層的氣體分流層所組成，而該氣體分流層用以分流不同的氣體而將其由同一水平面側向噴出，該氣體分流層包含一圓盤狀主體、複數條第一氣體通道、複數條第二氣體通道、以及複數條第三氣體通道。圓盤狀主體的中心位置具有一圓形開孔而做為一中央供氣道，用以容置一佈氣裝置以及供氣體通行，經由該佈氣裝置將不同的(反應)氣體分別分配到第一氣體通道、第二氣體通道、以及第三氣體通道中以進行氣體分流。無論是第一(反應)氣體、第二(反應)氣體、第三(反應)氣體都可以採取適當的運載氣體，例如氫氣(H 2)、氮氣(N 2)等等，而運載不同的(反應)氣體通行第一氣體通道、第二氣體通道、及第三氣體通道而進入反應室中。第一氣體通道由圓盤狀主體的中心位置向圓盤狀主體的周邊(或圓周方向)延伸而呈放射狀排列，用以將第一氣體(即Ⅲ族氣體)由圓盤狀主體的中心位置向圓盤狀主體的周邊輸送，而橫向噴出。第二氣體通道由圓盤狀主體的中心位置向圓盤狀主體的周邊(或圓周方向)延伸而呈放射狀排列，用以將第二氣體(即Ⅴ族氣體)由圓盤狀主體的中心位置向圓盤狀主體的周邊輸送，而橫向噴出。第三氣體通道由圓盤狀主體的中心位置向圓盤狀主體的周邊(或圓周方向)延伸而呈放射狀排列，用以將第三氣體(即Ⅴ族氣體)由圓盤狀主體的中心位置向圓盤狀主體的周邊輸送，而橫向噴出。該等第一氣體通道、該等第二氣體通道、以及該等第三氣體通道皆對稱分佈於圓盤狀主體內的同一水平面上。藉由第一氣體通道、該等第二氣體通道、以及該等第三氣體通道，可以單層結構取代習知的多層結構(即三重噴頭的設計)而對不同的(反應)氣體進行分流，即可以經由不同氣體通道於同一水平面上輸送不同的(反應)氣體而橫向由噴頭(或氣體分流層)噴出，以縮短各種反應氣體於反應室內均勻擴散所需的時間以及噴頭的體積(特別是縮減縱向的長度或體積)。
因此，本發明提供了一種應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其以單層結構即可以進行(反應)氣體分流而將其由同一水平面側向噴出，而不需以多層結構(即三重噴頭設計)進行氣體流，從而可以縮短各種反應氣體於反應室內均勻擴散所需的時間與縮減噴頭的體積(特別是縮減縱向的長度或體積)。
本發明的一些實施例詳細描述如下。然而，除了該詳細描述外，本發明還可以廣泛地在其他的實施例施行。亦即，本發明的範圍不受已提出之實施例的限制，而以本發明提出之申請專利範圍為準。其次，當本發明之實施例圖示所示之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭中的各種組成元件(例如氣體分流層、氣體通道)以單一元件描述說明時，不應以此作為有限定的認知，即如下之說明未特別強調數目上的限制時，本發明之精神與應用範圍可推及多數個組成元件並存的結構上。再者，在本說明書中，實施例圖示所示之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭中的各種組成元件元件(例如氣體分流層、氣體通道)之不同部分並沒有完全依照尺寸繪圖，某些尺度與其他相關尺度相比或有被誇張或是簡化，以提供更清楚的描述以增進對本發明的理解。而本發明所沿用的現有技藝，在此僅做重點式的引用，以助本發明的闡述。
參照第二圖，其為本發明之一實施例之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭100之俯視圖與側視圖，左圖(即靠近讀者左手邊的圖示)為俯視圖，而右圖(即靠近讀者右手邊的圖示)為側視圖。氣體分流噴頭100包含一氣體分流層102，而由該氣體分流層102所組成。氣體分流層102為一可以分流不同的(反應)氣體而將所有經分流的(反應)氣體由同一水平面側向噴出的單層結構。氣體分流層102包含一圓盤狀主體104(或是氣體分流層102本身即為一圓盤狀主體104)、數條用以分流與輸送第一(反應)氣體的第一氣體通道108、數條用以分流與輸送第二(反應)氣體的第二氣體通道110、以及數條用以分流與輸送第三(反應)氣體的第三氣體通道112。圓盤狀主體104(或是氣體分流層102)的中央位置具有一圓形開孔106做為一中央供氣道，用以容置一佈氣裝置(圖中未示)以及供各種(反應)氣體(例如第一(反應)氣體、第二(反應)氣體、第三(反應)氣體等等)通行，其中，藉由佈氣裝置可將不同的(反應)氣體佈氣或輸送至特定的氣體通道中，例如第一氣體通道、第二氣體通道、及第三氣體通道。由於佈氣裝置並非為本發明的重點，因此於本文中並不對其詳加說明與限定，任何可以達成氣體分流的佈氣裝置皆可以應用於本發明氣體分流噴頭。
這些第一氣體通道108以圓盤狀主體104的中心位置做為中心，而由圓盤狀主體104的中心位置向圓盤狀主體104的周邊(即圓盤狀主體104的圓周方向)放射狀延伸，而橫向貫通圓盤狀主體104(或氣體分流層102)，而以圓盤狀主體104的中心位置做為中心呈一放射狀排列。每一第一氣體通道108在圓盤狀主體104的中心位置具有一氣體入口，而在圓盤狀主體104的周邊(即圓盤狀主體104的圓周或側邊)具有一氣體出口。第一氣體通道108係用以供第一(反應)氣體通行於其中，由氣體入口進入，而由氣體出口噴出，藉此，將第一(反應)氣體由圓盤狀主體104的中心位置向圓盤狀主體104的周邊輸送，並由圓盤狀主體104的周邊橫向(或側向)噴出，而以一放射狀噴射的方式將第一(反應)氣體提供給有機金屬化學氣相反應器。第二氣體通道110同樣以圓盤狀主體104的中心位置做為中心，而由圓盤狀主體104的中心位置向圓盤狀主體104的周邊(即圓盤狀主體104的圓周方向)放射狀延伸，而橫向貫通圓盤狀主體104(或氣體分流層102)，而以圓盤狀主體104的中心位置做為中心呈一放射狀排列。每一第二氣體通道110在圓盤狀主體104的中心位置具有一氣體入口，而在圓盤狀主體104的周邊(即圓盤狀主體104的圓周或側邊)具有一氣體出口。第二氣體通道110係用以供第二(反應)氣體通行於其中，由氣體入口進入，而由氣體出口噴出，藉此，將第二(反應)氣體由圓盤狀主體104的中心位置向圓盤狀主體104的周邊輸送，並由圓盤狀主體104的周邊橫向(或側向)噴出，而以一放射狀噴射的方式將第二(反應)氣體提供給有機金屬化學氣相反應器。第三氣體通道112也以圓盤狀主體104的中心位置做為中心，而由圓盤狀主體104的中心位置向圓盤狀主體104的周邊(即圓盤狀主體104的圓周方向)放射狀延伸，而橫向貫通圓盤狀主體104(或氣體分流層102)，而以圓盤狀主體104的中心位置做為中心呈一放射狀排列。每一第三氣體通道112在圓盤狀主體104的中心位置具有一氣體入口，而在圓盤狀主體104的周邊(即圓盤狀主體104的圓周或側邊)具有一氣體出口。第三氣體通道112係用以供第三(反應)氣體通行於其中，由氣體入口進入，而由氣體出口噴出，藉此，將第三(反應)氣體由圓盤狀主體104的中心位置向圓盤狀主體104的周邊輸送，並由圓盤狀主體104的周邊橫向(或側向)噴出，而以一放射狀噴射的方式將第三(反應)氣體提供給有機金屬化學氣相反應器。
這些第一氣體通道108、第二氣體通道110、以及第三氣體通道112不但皆成放射狀排列於圓盤狀主體104(或氣體分流層102)中，並且都以對稱排列的方式設置於圓盤狀主體104內的同一水平面上，所以這些氣體通道都呈現一放射狀的對稱分佈排列同一水平面，而使得圓盤狀主體104(或氣體分流層102)維持在一單層結構。其中，第一(反應)氣體為Ⅲ族氣體，例如例如三甲基鎵(TMGa)、三甲基鋁(TMAl)等，而第二(反應)氣體與第三(反應)氣體皆為Ⅴ族氣體(例如氨氣(NH 3))。在製作Ⅲ族-Ⅴ族化合物半導體薄膜時，依照製程的需求與條件，第二(反應)氣體與第三(反應)氣體可以為不同的Ⅴ族氣體，即第二氣體通道與第三氣體通道可以通行或輸送不同的Ⅴ族氣體進入反應室中，或是，第二(反應)氣體與第三(反應)氣體可以為相同的Ⅴ族氣體，即第二氣體通道與第三氣體通道可以通行或輸送相同的Ⅴ族氣體進入反應室中。此外，第二(反應)氣體與第三(反應)氣體可以為不同流量的Ⅴ族氣體，即第二氣體通道與第三氣體通道可以通行或輸送不同流量的Ⅴ族氣體進入反應室中，或是，第二(反應)氣體與第三(反應)氣體可以為相同流量的Ⅴ族氣體，即第二氣體通道與第三氣體通道可以通行或輸送相同流量的Ⅴ族氣體進入反應室中。無論是第一(反應)氣體、第二(反應)氣體、第三(反應)氣體都可以採取適當的運載氣體，例如氫氣(H 2)、氮氣(N 2)等等，而運載各種不同的(反應)氣體通行第一氣體通道、第二氣體通道、及第三氣體通道而進入反應室中。
參照第二圖，在氣體分流噴頭100中，每一第二氣體通道110皆被夾於兩相鄰的第一氣體通道108中，而每一第三氣體通道112也被夾於兩相鄰的第一氣體通道108中，亦即每兩相鄰的第一氣體通道都會夾有一個第二氣體通道110或是一第三氣體通道112。再者，在氣體分流噴頭100(或氣體分流層102)中的氣體通道排列係以第一氣體通道108、第二氣體通道110、第一氣體通道108、第三氣體通道112此一排列順序為一週期，而循環排列於氣體分流層102中，或者也可以第一氣體通道108、第三氣體通道112、第一氣體通道108、第二氣體通道110此一排列順序為一週期而循環排列。雖然，第二圖所示之氣體分流噴頭100僅畫出12條第一氣體通道108、6條第二氣體通道110、以及6條第三氣體通道112，但是並不以此為限，而是可以依照需求而增減，而這些氣體通道的增減都屬於本發明之簡單變化，所以應屬於本發明專利保護之範疇。再者，雖然在氣體分流噴頭100中，兩相鄰的第一氣體通道都會夾有一個第二氣體通道110或是一第三氣體通道112，但是並不以此為限，而是可以依照需求增加兩相鄰的第一氣體通道108所夾的第二氣體通道110數量或第三氣體通道112數量，只要符合兩相鄰的第一氣體通道夾有至少一第二氣體通道或至少一第三氣體通道此一原則，即符合第二圖所示之實施例所展的設計原理，就屬於本發明第二圖所示之實施例的簡單變化，而應屬於本發明之專利範圍。
當各種(反應)氣體，例如第一(反應)氣體、第二(反應)氣體、第三(反應)氣體，通入氣體分流噴頭100時，佈氣裝置(圖中未示)會將不同種類的(反應)氣體分別佈氣或輸送至氣體分流噴頭100(或氣體分流層102)中不同種類的氣體通道中，並依照所需要的流量與流速，分別調整各個不同種類的氣體通道中通行的(反應)氣體的流量與流速，甚至分別調節不同氣體通道中通行的(反應)氣體的流量與流速，例如調整同一種類的氣體通道中的(反應)氣體以相同的流量與流速通行，或是調整同一種類的氣體通道中的(反應)氣體以不同的流量與流速通行。舉例來說，佈氣裝置會將第一(反應)氣體佈氣(或輸送)至各個第一氣體通道108，並依照製程需求調整其流量與流速，將第二(反應)氣體佈氣(或輸送)至各個第二氣體通道110，並依照製程需求調整其流量與流速，而將第三(反應)氣體佈氣(或輸送)至各個第三氣體通道112，並依照製程需求調整其流量與流速。由於所有的氣體通道(包含第一氣體通道108、第二氣體通道110、及第三氣體通道112)在氣體分流層102(或圓盤狀主體)104中並不相互連通，所以各種不同的(反應)氣體在氣體分流層102(或圓盤狀主體104)並不會彼此混雜，即未由氣體分流噴頭100噴出時並不會彼此混雜。由於第一氣體通道108、第二氣體通道110、及第三氣體通道112都設置在氣體分流層102(或圓盤狀主體104)此一單層結構的同一平面上，所以第一(反應)氣體、第二(反應)氣體、以及第三(反應)氣體都會以氣體分流噴頭100(氣體分流層102)為中心，於同一平面以放射狀方式由氣體分流噴頭100(氣體分流層102)的周邊(或側邊)噴出，而進入反應室中，並於反應室中橫向擴散後，各個(反應)氣體會相遇產生反應而進行化合物半導體薄膜沈積。藉此，氣體分流噴頭100以一單層結構取代傳習知噴頭的多層結構(即三重噴頭設計)即可以達成氣體分流的功能，所以不需採取多層結構，仍然可以有效地進行氣體分流，且由於經過分流的各種(反應)氣體由同一層(即氣體分流層102或圓盤狀主體104)的側邊(或周邊)噴出，亦即經過分流的各種(反應)氣體由同一平面橫向(或側向)噴出，所以各種(反應)氣體僅需要在同一平面上經過一段時間的擴散即可以相遇而產生反應，而不需要還要進行縱向的擴散才能相遇，所以可以縮減製程的時間。
然而，本發明之氣體分流噴頭中的第一氣體通道、第二氣體通道、以及第三氣體通道的排列組合，除了採用兩相鄰第一氣體通道夾有至少一第二氣體通道或至少一第三氣體通道此一設計(例如第二圖所示之實施例)之外，也可以採用每相鄰兩第一氣體通道間同時夾有至少一第二氣體通道與至少一第三氣體通道此一設計。第三A圖為本發明採用每相鄰兩第一氣體通道間夾有至少一第二氣體通道與至少一第三氣體通道此一設計的氣體分流噴頭之一實施例的俯視圖與側視圖。參照第三A圖，氣體分流噴頭100A與第二圖所示之氣體分流噴頭100由相同的組成元件(即氣體分流層102、圓盤狀主體104、第一氣體通道108、第二氣體通道110、以及第三氣體通道112等)所組成，這些組成元件已於前文詳述，於此不再贅述。在氣體分流噴頭100A的氣體分流層102中，各種氣體通道的排列是以第一氣體通道108、第二氣體通道110、第三氣體通道112此一順序循環排列。換言之，在氣體分流噴頭100A的氣體分流層102中，每兩相鄰兩第一氣體通道108間夾有一第二氣體通道110與一第三氣體通道112，並且以此做為一單元循環排列於氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中，並且如同第三A圖所示，每一第一氣體通道108皆為相鄰兩單元所共有，且每相鄰兩第一氣體通道108間的第二氣體通道110與第三氣體通道112是彼此輪替的方式排列，亦即以第二氣體通道110在前，第三氣體通道112在後的順序(循環)排列。換言之，在第三A圖所示之氣體分流噴頭100A中各種氣體通道的排列是以第一氣體通道108、第二氣體通道110、第三氣體通道112此一順序循環排列於氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中。
當然，也可以採取將第三A圖中的第二氣體通道110與第三氣體通道112交換的排列方式，如第三B圖所示。參照第三B圖，在氣體分流噴頭100B的氣體分流層102中，相鄰兩第一氣體通道108間的第二氣體通道110與第三氣體通道112雖然是彼此輪替的方式排列，但是卻是以第三氣體通道112在前，第二氣體通道110在後的順序(循環)排列。換言之，在第三B圖所示之氣體分流噴頭100B中各種氣體通道的排列是以第一氣體通道108、第三氣體通道112、第二氣體通道110此一順序循環排列於氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中。雖然在第三A圖與第三B圖所示之實施例中，每相鄰第一氣體通道108間僅有一第二氣體通道110與一第三氣體通道112，但是並不以此為限，而是可以視需求而增加。舉例來說，參照第四A圖，在第四A圖所示之氣體分流噴頭100C中，每相鄰第一氣體通道108間夾有2個第二氣體通道110與2個第三氣體通道112，且相鄰兩第一氣體通道108中的第二氣體通道110與第三氣體通道112是採取彼此輪替的方式排列，而以第一氣體通道108、第二氣體通道110、第三氣體通道112、第二氣體通道110、第三氣體通道112此一順序循環排列於氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中。參照第四B圖，在第四B圖所示之氣體分流噴頭100D中，每相鄰第一氣體通道108間夾有2個第二氣體通道110與2個第三氣體通道112，且相鄰兩第一氣體通道108中的第二氣體通道110與第三氣體通道112是採取彼此輪替的方式排列，但是以第一氣體通道108、第三氣體通道112、第二氣體通道110、第三氣體通道112、第二氣體通道110、此一順序循環排列於氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中。因此，由上述第三A圖、第三B圖、第四A圖、及第四B圖所示之實施例，可以清楚地知道只要符合本發明上述實施例所採用的每相鄰兩第一氣體通道間夾有至少一第二氣體通道與至少一第三氣體通道此一設計原理，且相鄰兩第一氣體通道中的第二氣體通道與第三氣體通道是採取彼此輪替的方式排列，皆應屬於上述實施例的簡單變化，而應屬於本發明之專利範圍。
再者，前述實施例中，除了相鄰兩第一氣體通道中的第二氣體通道與第三氣體通道採取彼此輪替的方式排列之外，更可以採取其他方式排列，其舉例說明如下：參照第五A圖，在氣體分流噴頭100E的氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中，兩相鄰的第一氣體通道108之間夾有2個第二氣體通道110與1個第三氣體通道112，這些第二氣體通道110與第三氣體通道112以相鄰兩個第二氣體通道110之間夾有一個第三氣體通道112的方式排列於其中。參照第五B圖，在氣體分流噴頭100F的氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中，兩相鄰的第一氣體通道108之間夾有1個第二氣體通道110與2個第三氣體通道112，這些第二氣體通道110與第三氣體通道112以相鄰兩個第三氣體通道112之間夾有一個第二氣體通道110的方式排列於其中。由第五A圖與第五B圖所示之實施例，可以清楚地得知只要符合本發明上述實施例所採用的每相鄰兩第一氣體通道間夾有至少一第二氣體通道與至少一第三氣體通道此一設計原理，且以相鄰兩第二氣體通道夾有一第三氣體通道的方式，或是相鄰兩第三氣體通道夾有一第二氣體通道的方式等方式排列，無論相鄰兩第一氣體通道間夾有多少個第二氣體通道與第三氣體通道，相鄰第二氣體通道夾有多少第三氣體通道、或是相鄰第三氣體通道夾有多少第二氣體通道，皆應屬於上述實施例的簡單變化，而應屬於本發明之專利範圍。
在本發明之氣體分流噴頭中，更可以設置數個氣體通道隔塊，用以分隔氣體分流層中的氣體通道，做為散熱塊與控制各個不同(反應)氣體的混合反應時間。參照第六圖，其為本發明之一具有氣體通道隔塊的氣體分流噴頭的實施例的俯視圖與側視圖。參照第六圖，氣體分流噴頭200同樣由一為單層結構的氣體分流層102所組成，而氣體分流層102同樣包含一圓盤狀主體104(或是氣體分流層102本身即為圓盤狀主體104)、數個第一氣體通道108、數個第二氣體通道110、以及數個第三氣體通道112所組成，但是其更包含有數個氣體通道隔塊114。如第六圖所示，在氣體分流噴頭200中，每一第一氣體通道108都被相夾於相鄰兩氣體通道隔塊114之間，每一第二氣體通道110也被相夾於相鄰兩氣體通道隔塊114之間，而每一第三氣體通道110同樣被相夾於相鄰兩氣體通道隔塊114之間，意即在氣體分流噴頭200中，任一氣體通道與鄰近的其他氣體通道皆相隔一氣體通道隔塊114。換言之，在氣體分流噴頭200中，各種氣體通道與氣體通道隔塊是以氣體通道隔塊114、第一氣體通道108、氣體通道隔塊114、第二氣體通道110、氣體通道隔塊114、第三氣體通道112此一順序循環排列氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中。由於第一氣體通道108、第二氣體通道110、第三氣體通道112、以及氣體通道隔塊114皆設置於氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中的同一平面上，所以既使氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中設置了氣體通道隔塊114，氣體分流層102(或圓盤狀主體104)仍然保持其單層結構。再者，第一氣體通道108、第二氣體通道110、第三氣體通道112、以及氣體通道隔塊114於於氣體分流層102(或圓盤狀主體104)中的排列，也如同前述實施例都成一對稱的分佈。
藉此，各種不同的(反應)氣體進入氣體分流噴頭200，且經過佈氣裝置(圖中未示)將不同的(反應)氣體佈氣或輸送至相對應的氣體通道(即第一氣體通道108、第二氣體通道110、與第三氣體通道112)後，各種不同的(反應)氣體會通過相應的氣體通道，而從氣體分流噴頭200的周邊或側邊由同一水平面橫向(或是側向)噴出，其以氣體分流噴頭200為中心而成一放射狀的橫向(或是側向)噴發。相較於第二圖-第五B圖所示之體分流噴頭，由於各個氣體通道都被氣體通道隔塊114隔開，所以由氣體分流噴頭200所噴出的(反應)氣體不會馬上相遇，且需要經過比較長的時間擴散才會相遇，因此可以藉由氣體通道隔塊114的設置而控制各種(反應)氣體的相遇時間，進而控制各種(反應)氣體開始反應的時間。雖然，在氣體分流噴頭200中，設置有6個第一氣體通道108、3個第二氣體通道110、3個第三氣體通道112、以及12個氣體通道隔塊114，但是並不以此為限，而是可以依照需求增減，這些數量上的變化為上述實施例(即第六圖所示之實施例)的簡單變化，並且第一氣體通道、第二氣體通道、以及第三氣體通道的相對排列位置也為上述實施例(即第六圖所示之實施例)的簡單變化，而皆應屬於本發明之專利範圍。
然而，本發明之氣體分流噴頭中的第一氣體通道、第二氣體通道、第三氣體通道、以及氣體通道隔塊的排列組合，除了採用每一氣體通道都被相夾於相鄰兩氣體通道隔塊之間此一設計(例如第六圖所示之實施例)之外，也可以採用其他排列組合，其舉例說明如下：參照第七圖，氣體分流噴頭200A與第六圖所示之氣體分流噴頭200由相同的組成元件(即氣體分流層102、圓盤狀主體104、第一氣體通道108、第二氣體通道110、第三氣體通道112、以及氣體通道隔塊114等)所組成，這些組成元件已於前文詳述，於此不再贅述。在氣體分流噴頭200A中，以兩相鄰氣體通道隔塊114夾有2個第一氣體通道108與1個第二氣體通道110做為第一氣體通道組合A，而以兩相鄰氣體通道隔塊114夾有2個第一氣體通道108與1個第三氣體通道112做為第二氣體通道組合B，並以第一氣體通道組合A與第二氣體通道組合B交替排列的方式設置於氣體分流噴頭200A(或氣體分流層102)中，其中每一氣體通道隔塊114為相鄰的第一氣體通道組合A與第二氣體通道組合B所共用。第七圖為本發明採取兩相鄰之氣體通道隔塊之間夾有至少一第一氣體通道與至少一第二氣體通道做為第一氣體通道組合，而以兩相鄰之氣體通道隔塊之間夾有至少一第三氣體通道做為第二氣體通道組合，而以第一氣體通道組合與第二氣體通道組合交替排列的方式排列於該氣體分流層中此一設計原理的其中一實施例，所以在符合此一設計原則下的任何改變都屬於第七圖所示實施例的簡單變化，而應屬於本發明之範疇與專利範圍。
舉例來說，雖然第一氣體組合A中的兩相鄰第一氣體通道108之間僅夾有一個第二氣體通道110，但是並不以此為限，而是可以視需求增加第二氣體通道110的數量(例如2個、3個、或更多)，此一數量上的改變為第七圖所示之實施例的簡單變化，而應屬於本發明之專利範圍。雖然第二氣體組合B中的兩相鄰第一氣體通道108之間僅夾有一個第三氣體通道112，但是並不以此為限，而是可以視需求增加第三氣體通道112的數量(例如2個、3個、或更多)，此一數量上的改變為第七圖所示之實施例的簡單變化，而應屬於本發明之專利範圍。再者，雖然第一氣體組合A中的兩相鄰氣體通道隔塊114之間夾有2個第一氣體通道108與一個第二氣體通道110，但是並不以此為限，而是可以視需求而減少第一氣體通道的數量，即兩相鄰氣體通道隔塊之間僅夾有一個第一氣體通道與一個第二氣體通道，或是視需求而增加第一氣體通道的數量(3個、4個或更多個)與第二氣體通道的數量(2個、3個或更多個)，並且這些第一氣體通道與第二氣體通道可以採取各種不同的排列組合，例如第一氣體通道與第二氣體通道交替排列、多個第二氣體通道排列於兩第一氣體通道之間等等，由於這些數量上與排列組合上的改變都符合第七圖所採取的兩相鄰之氣體通道隔塊之間夾有至少一第一氣體通道與至少一第二氣體通道做為第一氣體通道組合此一設計原則，所以皆為第七圖所示之實施例的簡單變化，而應屬於本發明之專利範圍。雖然第二氣體組合B中的兩相鄰氣體通道隔塊114之間夾有2個第一氣體通道108與一個第三氣體通道112，但是並不以此為限，而是可以視需求而減少第一氣體通道的數量，即兩相鄰氣體通道隔塊之間僅夾有一個第一氣體通道與一個第三氣體通道，或是視需求而增加第一氣體通道的數量(3個、4個或更多個)與第三氣體通道的數量(2個、3個或更多個)，並且這些第一氣體通道與第三氣體通道可以採取各種不同的排列組合，例如第一氣體通道與第三氣體通道交替排列、多個第三氣體通道排列於兩第一氣體通道之間等等，由於這些數量上與排列組合上的改變都符合第七圖所採取的兩相鄰之氣體通道隔塊之間夾有至少一第一氣體通道與至少一第三氣體通道做為第二氣體通道組合此一設計原則，所以皆為第七圖所示之實施例的簡單變化，而應屬於本發明之專利範圍。
另外，將第七圖所示之氣體分流噴頭200A中的第一氣體通道組合中的第一氣體通道與第二氣體通道互換，即改以兩相鄰第二氣體通道之間夾有(至少)一第一氣體通道，並將第二氣體通道組合中的第一氣體通道與第三氣體通道互換，即改以兩相鄰第三氣體通道之間夾有(至少)一第一氣體通道，則同樣符合第七圖所採取兩相鄰之氣體通道隔塊之間夾有至少一第一氣體通道與至少一第二氣體通道做為第一氣體通道組合，而以兩相鄰之氣體通道隔塊之間夾有至少一第三氣體通道做為第二氣體通道組合此一設計原理，而為第七圖所示之實施例的簡單變化，而應屬於本發明之專利範圍。
參照第八A圖，氣體分流噴頭200B與第六圖所示之氣體分流噴頭200由相同的組成元件(即氣體分流層102、圓盤狀主體104、第一氣體通道108、第二氣體通道110、第三氣體通道112、以及氣體通道隔塊114等)所組成，這些組成元件已於前文詳述，於此不再贅述。第八A圖所示之氣體分流噴頭200B係採取兩相鄰氣體通道隔塊之間夾有至少一第一氣體通道、至少一第二氣體通道、以及至少一第三氣體通道此一排列方式而循環排列於氣體分流噴頭200B (或氣體分流層102)中此一設計。在氣體分流噴頭200B中，兩相鄰氣體通道隔塊114之間夾有一第一氣體通道108、第二氣體通道110、以及第三氣體通道112，並且以此為一單元，而循環排列於氣體分流層102 (或圓盤狀主體104)中，且每一氣體通道隔塊114皆相鄰兩單元所共有。兩相鄰氣體通道隔塊114之間的第一氣體通道108、第二氣體通道110、以及第三氣體通道112之間的排列則採取第一氣體通道108被夾於第二氣體通道110與該第三氣體通道112之間的設計。如同第八A圖所示，兩相鄰氣體通道隔塊114之間以第二氣體通道110、第一氣體通道108、第三氣體通道112此一順序排列，但是並不以此為限，可以依照需求採取相反的順序排列，即第三氣體通道112、第一氣體通道108、第二氣體通道110此一順序排列，如第八B圖所示之氣體分流噴頭200C，其同樣採取與第八A圖相同設計原理，所以同屬於本發明之範疇。在第八A圖所示之氣體分流噴頭200B與第八B圖所示之氣體分流噴頭200C中，雖然兩相鄰氣體通道隔塊114之間僅夾有一第一氣體通道108、第二氣體通道110、以及第三氣體通道112，但是並不以此為限，而是可以依照需求增加第一氣體通道的數量、第二氣體通道的數量、以及第三氣體通道的數量，例如兩相鄰氣體通道隔塊之間夾有2個或多個第一氣體通道、2個或多個第二氣體通道、以及2個或多個第三氣體通道，並以第二氣體通道、第一氣體通道、第三氣體通道此一順序，或是第三氣體通道、第一氣體通道、第二氣體通道此一順序，或是其他順序排列方式，而循環排列於兩相鄰氣體通道隔塊之間，此一數量上的改變為第八A圖與第八B圖所示之實施例的簡單變化，而應屬於本發明之專利範圍。
當然前述第八A圖與第八B圖所示的實施例中兩相鄰氣體通道隔塊之間的各種不同的氣體通道的數量，可以如第八A圖與第八B圖一樣採取兩相鄰氣體通道隔塊之間的各種不同的氣體通道具有相同數量的設計，或採取兩相鄰氣體通道隔塊之間的各種不同的氣體通道具有不同數量的設計，參照第九A圖，氣體分流噴頭200D同樣採取兩相鄰氣體通道隔塊之間夾有至少一第一氣體通道、至少一第二氣體通道、以及至少一第三氣體通道此一排列方式而循環排列於氣體分流噴頭200D (或氣體分流層102)中此一設計，但是兩相鄰氣體通道隔塊之間卻是採取各種不同的氣體通道具有不同數量此一設計。在氣體分流噴頭200D中，兩相鄰氣體通道隔塊114之間夾有1個第一氣體通道108、2個第二氣體通道110、以及2個第三氣體通道112，其中，第一氣體通道108被夾於兩相鄰的第三氣體通道112之間，並同時被夾於兩相鄰的第二氣體通道110之間的方式排列，但是並不以此為限，而是如第九B圖所示，可以依照需求採取第一氣體通道108被夾於兩相鄰的第二氣體通道110之間，並同時被夾於兩相鄰的第三氣體通道112之間的方式排列。或者，在採取兩相鄰氣體通道隔塊之間夾有至少一第一氣體通道、至少一第二氣體通道、以及至少一第三氣體通道，但是兩相鄰氣體通道隔塊之間卻是採取各種不同的氣體通道具有不同數量此一設計，兩相鄰氣體通道隔塊之間的各種氣體通道的排列，也可以採取兩相鄰的第一氣體通道之間夾有至少一第二氣體通道與至少一第三氣體通道的方式排列。然而，上述實施例中所展現的兩相鄰氣體通道隔塊之間的各種不同的氣體通道的數量，都可依照需求增加，此一數量上的改變為上述實施例的簡單變化，而應屬於本發明之專利範圍。
另外，由上述第二圖至第九B圖所示之實施例，可以清楚得知第一氣體通道108、第二氣體通道110、以及第三氣體通道112都是由圓盤狀主體104中心位置向圓盤狀主體104的周邊位置逐漸變大的氣體通道，而氣體通道隔塊114則是由圓盤狀主體104中心位置向圓盤狀主體104的周邊位置逐漸變大的隔塊。上述實施例所展示氣體分流噴頭的側視圖都是以由該氣體分流噴頭的側視圖的上側看向該氣體分流噴頭的視角呈現。由上述實施例所展示氣體分流噴頭的側視圖，可以看出前述實施例之氣體分流噴頭的各種氣體通道(即第一氣體通道、第二氣體通道、及第三氣體通道)都是垂直設置於氣體分流層(或圓盤狀主體)中，即垂直於氣體分流層(或圓盤狀主體)的頂面與底面而設置於氣體分流層(或圓盤狀主體)中，但是如同第十圖所示之氣體分流噴頭300，各種氣體通道(即第一氣體通道、第二氣體通道、及第三氣體通道)可以歪斜的方式設置於氣體分流層(或圓盤狀主體)設置，即以不垂直於氣體分流層102A(或圓盤狀主體)的頂面與底面的方式設置於氣體分流層102A(或圓盤狀主體)中。
本發明之氣體分流噴頭也可以採取由前述各種實施例所揭示具有單層結構的氣體分流層堆疊組成一具有多層結構的氣體分流噴頭的設計，由於這樣每一單層皆能進行氣體分流的多層結構氣體分流噴頭，可以對更多氣體進行分流，而使有機金屬器相沈積製程更多元化與更具彈性。在這樣一個多層結構的氣體分流噴頭的設計，係採取該氣體分流噴頭包含至少一第二氣體分流層堆疊於一(第一)氣體分流層(即前述實施例中所示的氣體分流層102、102A)上此一原理進行設計。參照第十一A圖，其為本發明之具有單層結構的氣體分流層堆疊組成的多層結構氣體分流噴頭400的側視圖。在氣體分流噴頭400包含了兩個具有單層結構的氣體分流層，即(第一)氣體分流層1021與第二氣體分流層1022，而由(第一)氣體分流層1021與第二氣體分流層1022堆疊而形成，雖然在第十一A圖中，氣體分流噴頭400是由是(第一)氣體分流層1021堆疊於第二氣體分流層1022上而組成，但是並不以此為限，也可以是由第二氣體分流層1022堆疊於(第一)氣體分流層1021上而組成。如同前述實施例所示之單層結構的體分流層102 、102A，(第一)氣體分流層1021與第二氣體分流層1022皆包含一圓盤狀主體、複數條第一氣體通道108、複數條第二氣體通道110、以及複數條第三氣體通道112，這單層結構的組成以於前文詳述，於此不再贅述。另外，雖然在第十一A圖中，第二氣體分流層1022中的第一氣體通道、第二氣體通道、第三氣體通道的排列與(第一)氣體分流層1021中的第一氣體通道、第二氣體通道、第三氣體通道的排列相同，即(第一)氣體分流層1021與第二氣體分流層1022皆採用前述第二圖所示之氣體分流層102中的氣體通道排列，但是並不以此為限，而是可以依照需求採取前述任何實施例之氣體通道排列與經過對其簡單變化的氣體通道排列。另外，雖然在第十一A圖所示之氣體分流噴頭400中，僅具有兩層單層結構的氣體分流層，但是並不以此為限，而是可以依照需求增加氣體分流層的數量，此一數量上的變化為第十一A圖所示之實施例的簡單變化，所以應屬於本發明之範疇與專利範圍。
其次，本發明之多層結構氣體分流噴頭也可採取由具有不同氣體通道排列的單層結構氣體分流層堆疊而成的設計。參照第十一B圖，氣體分流噴頭400A同樣由一(第一)氣體分流層1021與第二氣體分流層1023堆疊而成，但是與第十一A圖所示之氣體分流噴頭400不同的是，第二氣體分流層1023中的第一氣體通道、第二氣體通道、第三氣體通道的排列與(第一)氣體分流層1021中的第一氣體通道、第二氣體通道、第三氣體通道的排列不相同，即(第一)氣體分流層1021採用前述第二圖所示之氣體分流層102中的氣體通道排列，而第二氣體分流層1023皆採用前述第六圖所示之氣體分流層102中的氣體通道排列，但是並不以此為限，而是可以依照需求採取前述任何實施例之氣體通道排列與經過對其簡單變化的氣體通道排列進行組合。雖然在第十一B圖中，氣體分流噴頭400是由是(第一)氣體分流層1021堆疊於第二氣體分流層1023上而組成，但是並不以此為限，也可以是由第二氣體分流層1023堆疊於(第一)氣體分流層1021上而組成，並且雖然氣體分流噴頭400中僅具有兩層單層結構的氣體分流層，但是並不以此為限，而是可以依照需求增加氣體分流層的數量，此一數量上的變化為第十一B圖所示之實施例的簡單變化，所以應屬於本發明之範疇與專利範圍。
有鑑於上述實施例，本發明提供了一種應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其以單層結構即可以進行(反應)氣體分流而將其由同一水平面側向噴出，而不需以多層結構(即三重噴頭設計)進行氣體流，從而可以短各種反應氣體於反應室內均勻擴散所需的時間與縮減噴頭的體積(特別是縮減縱向的長度或體積)。
10‧‧‧習知噴頭
12‧‧‧上管
14‧‧‧中管
16‧‧‧下管
18‧‧‧基板
100、100A、100B、100C、100D‧‧‧氣體分流噴頭
102、102A‧‧‧氣體分流層
104‧‧‧圓盤狀主體
106‧‧‧圓形開孔
108‧‧‧第一氣體通道
110‧‧‧第二氣體通道
112‧‧‧第三氣體通道
114‧‧‧氣體通道隔塊
200、200A、200B、200C、200D、200E‧‧‧氣體分流噴頭
300‧‧‧氣體分流噴頭
400、400A‧‧‧氣體分流噴頭
1021‧‧‧氣體分流層
1022、1023‧‧‧第二氣體分流層
A‧‧‧第一氣體通道組合
B‧‧‧第二氣體通道組合
第一圖為應用於有機金屬化學氣相沈積反應器的習知噴頭之側視圖。
第二圖為本發明之一實施例之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭之俯視圖與側視圖。
第三A圖與第三B圖為本發明之另一實施例之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭之俯視圖與側視圖。
第四A圖與第四B圖為本發明之又一實施例之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭之俯視圖與側視圖。
第五A圖與第五B圖為本發明之又一實施例之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭之俯視圖與側視圖。
第六圖為本發明之一實施例之應用於化學氣相沈積裝置且具有氣體通道隔塊的氣體分流噴頭之俯視圖與側視圖。
第七圖為本發明之另一實施例之應用於化學氣相沈積裝置且具有氣體通道隔塊的氣體分流噴頭之俯視圖與側視圖。
第八A圖與第八B圖為本發明之又一實施例之應用於化學氣相沈積裝置且具有氣體通道隔塊的氣體分流噴頭之俯視圖與側視圖。
第九A圖與第九B圖為本發明之又一實施例之應用於化學氣相沈積裝置且具有氣體通道隔塊的氣體分流噴頭之俯視圖與側視圖。
第十圖為本發明之一實施例之應用於化學氣相沈積裝置且其內氣體通道為歪斜的氣體分流噴頭之側視圖。
第十一A圖與第十一B圖為本發明之又一實施例之應用於化學氣相沈積裝置氣體分流噴頭之俯視圖與側視圖，其多個可以進行氣體分流得單層結構所組成。
100‧‧‧氣體分流噴頭
102‧‧‧氣體分流層
104‧‧‧圓盤狀主體
106‧‧‧圓形開孔
108‧‧‧第一氣體通道
110‧‧‧第二氣體通道
112‧‧‧第三氣體通道

Claims (23)

  1. 一種應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，包含：一氣體分流層，用以分流不同的氣體而將其由同一水平面側向噴出，該氣體分流層包含：一圓盤狀主體，其中心位置具有一圓形開孔，用以容置一佈氣裝置以及供其氣體通行；複數條第一氣體通道，由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊延伸而呈放射狀排列，用以將第一氣體由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊輸送，而橫向噴出；複數條第二氣體通道，由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊延伸而呈放射狀排列，用以將第二氣體由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊輸送，而橫向噴出；以及複數條第三氣體通道，由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊延伸而呈放射狀排列，用以將第三氣體由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊輸送，而橫向噴出；其中，該等第一氣體通道、該等第二氣體通道、以及該等第三氣體通道皆設置於該圓盤狀主體內的同一水平面上且成對稱分佈，藉此，不同的氣體可以經由不同氣體通道與同一水平面上橫向噴出；以及複數個氣體通道隔塊，用以分隔該氣體分流層中的氣體通道，以控制各個不同氣體的混合反應時間。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中該第一氣體為Ⅲ族氣體，該第二氣體與該第三氣體皆為V族氣體，並以氫氣(H2)或氮氣(N2)做為運載氣體(carrier gas)。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中該等第一氣體通道、該等第二氣體通道、以及該等第三氣體通道以每相鄰兩第一氣體通道間至少夾有一第二氣體通道或第三氣體通道的方式，而排列於該氣體分流層中。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中該等第一氣體通道、該等第二氣體通道、以及該等第三氣體通道以第一氣體通道、第二氣體通道、第一氣體通道、第三氣體通道此一排列順序為一週期，而循環排列於該氣體分流層中。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中該等第一氣體通道、該等第二氣體通道、以及該等第三氣體通道以每相鄰兩第一氣體通道間夾有至少一第二氣體通道與至少一第三氣體通道的方式，而循環排列於該氣體分流層中。
  6. 根據申請專利範圍第5項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中每相鄰兩第一氣體通道間的第二氣體通道與該第三氣體通道係以彼此輪替的方式排列。
  7. 根據申請專利範圍第5項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中每相鄰兩第一氣體通道間的第二氣體通道與該第三氣體通道係以每兩相鄰之第二氣體通道之間夾有至少一第三氣體通道的方式而排列於其中。
  8. 根據申請專利範圍第5項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中每相鄰兩第一氣體通道間的第二氣體通道與該第三氣體通道係以每兩相鄰之第三氣體通道之間夾有至少一第二氣體通道第一氣體通道的方式而排列於其中。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中每一該第一氣體通道、每一該第二氣體通道、以及每一該第三氣體通道皆被夾於兩相鄰之氣體通道隔塊之間。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中以兩相鄰之氣體通道隔塊之間夾有至少一第一氣體通道與至少一第二氣體通道做為第一氣體通道組合，而以兩相鄰之氣體通道隔塊之間夾有至少一第一氣體通道與至少一第三氣體通道做為第二氣體通道組合，而以第一氣體通道組合與第二氣體通道組合交替排列的方式排列於該氣體分流層中。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中第一氣體通道組合中的第一氣體通道與第二氣體通道以兩相鄰第一氣體通道之間夾有至少一第二氣體通道的方式排列。
  12. 根據申請專利範圍第10項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中第一氣體通道組合中的第一氣體通道與第二氣體通道以兩相鄰第二氣體通道之間夾有至少一第一氣體通道的方式排列。
  13. 根據申請專利範圍第10項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中第二氣體通道組合中的第一氣體通道與第三氣體通道以兩相鄰第一氣體通道之間夾有至少一第三氣體通道的方式排列。
  14. 根據申請專利範圍第10項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中第二氣體通道組合中的第一氣體通道與第三氣體通道以兩相鄰第三氣體通道之間夾有至少一第一氣體通道的方式排列。
  15. 根據申請專利範圍第1項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中以兩相鄰之氣體通道隔塊之間夾有至少一第一氣體通道、至少一第二氣體通道、以及至少一第三氣體通道的方式排列，而循環排列於該氣體分流層中。
  16. 根據申請專利範圍第15項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中在該兩相鄰之氣體通道隔塊之間的第一氣體通道、第二氣體通道、以及第三氣體通道係以該第一氣體通道被夾於該第二氣體通道與該第三氣體通道之間的方式排列。
  17. 根據申請專利範圍第15項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中在該兩相鄰之氣體通道隔塊之間的第一氣體通道、第二氣體通道、以及第三氣體通道係以該第一氣體通道被夾於兩相鄰的第二氣體通道之間，並同時被夾於兩相鄰的第三氣體通道之間的方式排列。
  18. 根據申請專利範圍第15項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中在該兩相鄰之氣體通道隔塊之間的第一氣體通道、第二氣體通道、以及第三氣體通道係以該第一氣體通道被夾於兩相鄰的第三氣體通道之間，並同時被夾於兩相鄰的第二氣體通道之間的方式排列。
  19. 根據申請專利範圍第15項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中在該兩相鄰之氣體通道隔塊之間的第一氣體通道、第二氣 體通道、以及第三氣體通道係以兩相鄰的第一氣體通道之間夾有至少一第二氣體通道與至少一第三氣體通道的方式排列。
  20. 根據申請專利範圍第1項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中第一氣體通道、第二氣體通道、第三氣體通道皆以歪斜方式設置於該氣體分流層中。
  21. 根據申請專利範圍第1項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中更包含至少一第二氣體分流層堆疊於該氣體分流層，該第二氣體分流層包含一圓盤狀主體、複數條第一氣體通道、複數條第二氣體通道、以及複數條第三氣體通道。
  22. 根據申請專利範圍第21項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中該第二氣體分流層中的第一氣體通道、第二氣體通道、第三氣體通道的排列與該氣體分流層中的第一氣體通道、第二氣體通道、第三氣體通道的排列相同。
  23. 根據申請專利範圍第21項所述之應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，其中該第二氣體分流層中的第一氣體通道、第二氣體通道、第三氣體通道的排列與該氣體分流層中的第一氣體通道、第二氣體通道、第三氣體通道的排列不同。
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